TWI480223B - 微機電系統顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI480223B
TWI480223B TW097128509A TW97128509A TWI480223B TW I480223 B TWI480223 B TW I480223B TW 097128509 A TW097128509 A TW 097128509A TW 97128509 A TW97128509 A TW 97128509A TW I480223 B TWI480223 B TW I480223B
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Description

微機電系統顯示裝置及其製造方法
本申請案主張2007年7月25日申請之美國臨時專利申請案第60/951,930號之優先權，該申請案之全文以引用之方式併入本文中。
微機電系統(MEMS)包括微機械元件、致動器及電子器件。微機械元件可使用沈積、蝕刻及/或蝕刻掉基板及/或沈積材料層之部分或添加層以形成電氣及機電裝置的其他微切削製程來製造。一種類型之MEMS裝置被稱為干涉調變器。如本文中所使用，術語干涉調變器或干涉光調變器係指使用光學干涉原理來選擇性地吸收及/或反射光的裝置。在某些實施例中，干涉調變器可包含一對導電板，其一者或二者可為整體或部分透明及/或反射的，且能夠在施加適當之電信號後進行相對運動。在一特定實施例中，一個板可包含沈積於基板上之靜止層，且另一板可包含藉由氣隙而與該靜止層分離之金屬膜。如本文中較詳細描述的，一個板相對於另一板之位置可改變入射於該干涉調變器上之光之光學干涉。該等裝置具有廣泛應用，且在此項技術中利用及/或修改此等類型裝置的特性以使得其特徵可用於改良現存產品並製造尚未開發出之新產品將係有益的。
在一實施例中，提供一光學MEMS裝置，其包括：一形 成於基板之上且經圖案化以形成帶狀電極之導電光學吸收層，其中該光學吸收層用作在MEMS裝置之活性區內之帶狀電極中之主要導體；形成於該光學吸收層之上之至少一支撐結構；及一形成於該至少一支撐結構之上且與該導電光學吸收層隔開之導電可變形層，其中該可變形層為朝向該光學吸收層靜電式可偏轉的。
在另一實施例中，提供製造一光學MEMS裝置之方法，該方法包括：在基板之上形成一導電光學吸收層；圖案化該導電光學吸收層以形成帶狀電極，其中該光學吸收層充當在MEMS裝置之光學活性區之帶狀電極中的主要導體；在該光學吸收層之上形成一犧牲層；在該光學吸收層之上形成至少一支撐結構；在該犧牲層及該至少一支撐結構之上形成一導電可變形層；及執行釋放蝕刻以移除該犧牲層，從而在該可變形層與該光學吸收層之間形成一腔穴。
下列詳細描述係針對本發明之某些特定實施例。然而，可以多種不同方式來應用本文中之該等教示。在此描述中，參見圖式，其中始終以相同數字表示相同部件。該等實施例可以經組態以顯示影像之任何裝置來實施，不管該影像為運動(例如，視訊)還是靜止(例如，靜態影像)的且不管為文字還是圖形。更特定言之，預期該等實施例可以多種電子裝置來實施或與多種電子裝置相關聯，該等電子裝置諸如(但不限於)：行動電話、無線裝置、個人資料助理(PDA)、手持式或攜帶型電腦、GPS接收器/導航器、相 機、MP3播放機、攝錄影機(camcorder)、遊戲控制台、腕錶、時鐘、計算器、電視監視器、平板顯示器、電腦監視器、自動顯示器(例如，里程計顯示器等)、駕駛艙控制器及/或顯示器、相機視圖顯示器(例如，車輛上之後視相機的顯示器)、電子照片、電子廣告牌或標牌、投影儀、建築結構、包裝及美學結構(例如一件珠寶上之影像的顯示器)。與本文中所述之MEMS裝置結構類似的MEMS裝置亦可用於諸如電子交換裝置之非顯示器應用中。
諸如干涉調變器之MEMS裝置的製造過程可經設計以簡化該製造過程，或經設計以調適該製造過程從而有助於在薄膜電晶體(TFT)製造室或"廠(fab)"(諸如平板顯示器廠或習知LCD或OLED廠)中之製造。甚至可藉由對多個層使用相同材料(例如，用於吸收層及犧牲層之MoCr或Mo)，且自足夠小以使用光學吸收層來載運信號之陣列的光學堆疊消除昂貴透明導電氧化物(例如，ITO)而達成更大的簡化。在某些實施例中，製造過程可併入諸如MoCr合金之材料，其用於此等製造室中。在其他實施例中，諸如合金之具有特定組合物之材料可用以提供干涉調變器或其他MEMS裝置之所要性質。
在圖1中說明包含干涉MEMS顯示元件之一個干涉調變器顯示器實施例。在該等裝置中，像素處於亮狀態或暗狀態下。在亮("鬆弛"或"打開")狀態下，顯示元件將大部分入射可見光反射至使用者。當處於暗("致動"或"關閉")狀態時，顯示元件將極少量入射可見光反射至使用者。視該 實施例而定，"開啟"及"斷開"狀態之光反射性質可顛倒。MEMS像素可經組態以主要反射選定色彩，以允許除黑色及白色之外的色彩顯示。
圖1為描繪一視覺顯示器之一系列像素中之兩個鄰近像素的等角視圖，其中每一像素包含一MEMS干涉調變器。在一些實施例中，一干涉調變器顯示器包含該等干涉調變器之一列/行陣列。每一干涉調變器包括一對反射層，該對反射層置於彼此相距一可變且可控之距離，從而形成一具有至少一可變尺寸之諧振光學間隙。在一個實施例中，該等反射層中之一者可於兩個位置之間移動。在第一位置(本文中稱為鬆弛位置)中，可移動反射層置於距一固定部分反射層相對較遠之距離處。在第二位置(本文中稱為致動位置)中，可移動反射層置於較緊密鄰近該部分反射層處。視可移動反射層之位置而定，自兩個層反射之入射光發生相長或相消干涉，從而針對每一像素產生總體反射狀態或非反射狀態。
圖1中所描繪之像素陣列之部分包括兩個鄰近干涉調變器12a及12b。在左側之干涉調變器12a中，可移動反射層14a經說明為處於距光學堆疊16a一預定距離之鬆弛位置中，該光學堆疊16a包括一部分反射層。在右側之干涉調變器12b中，可移動反射層14b經說明處於鄰近光學堆疊16b之致動位置中。
如本文中所參考，光學堆疊16a及16b(統稱為光學堆疊16)通常包含若干熔合層，該等熔合層可包括一諸如氧化 銦錫(ITO)之電極層、一諸如鉻之部分反射層及一透明介電質。光學堆疊16因此為導電、部分透明及部分反射的，且可(例如)藉由將上述層中之一或多者沈積在一透明基板20上而製成。部分反射層可由多種部分反射之材料(諸如各種金屬、半導體及介電質)形成。部分反射層可由一或多個材料層形成，且該等層中之每一者可由單一材料或材料之組合形成。
在一些實施例中，光學堆疊16之層經圖案化成平行條，且可如下文進一步描述而形成顯示裝置中之列電極。可移動反射層14a、14b可形成為沈積金屬層之一系列平行條(正交於16a、16b之列電極)，以形成沈積於柱18之頂部之行及沈積於柱18之間的介入犧牲材料。當犧牲材料被蝕刻掉之後，可移動反射層14a、14b與光學堆疊16a、16b分離一界定間隙19。諸如鋁之高導電性及反射性的材料可用於反射層14，且該等條可在顯示裝置中形成行電極。應注意，可不按比例繪製圖1。在一些實施例中，柱18之間的間距可為約10－100 um，而間隙19可為小於1000埃。
如圖1中像素12a所說明，在不施加電壓時，間隙19保持於可移動反射層14a與光學堆疊16a之間，其中可移動反射層14a處於機械鬆弛狀態。然而，當對選定列及行施加電位(電壓)差時，形成於相應像素之列電極及行電極之交叉處的電容器變為帶電的，且靜電力將電極拉到一起。若電壓足夠高，則可移動反射層14變形且被擠壓抵靠光學堆疊16。由圖1中右側之致動像素12b所說明，在光學堆疊16內 之一介電層(此圖中未加說明)可防止短路及控制層14與層16之間的分離距離。不論所施加電位差之極性如何，其性質均相同。
圖2至圖5B說明用於在一顯示器應用中使用一干涉調變器陣列之一例示性過程及系統。
圖2為說明一可併入干涉調變器之電子裝置之一實施例的系統方塊圖。該電子裝置包括一處理器21，其可為任何通用單晶片或多晶片微處理器，諸如ARM、Pentium、8051、MIPS、Power PC或ALPHA，或任何專用微處理器，諸如數位信號處理器、微控制器或可程式化閘陣列。如此項技術中所習知，處理器21可經組態以執行一或多個軟體模組。除執行作業系統以外，該處理器可經組態以執行一或多個軟體應用程式，包括網頁瀏覽器、電話應用程式、電子郵件程式或任何其他軟體應用程式。
在一實施例中，處理器21亦經組態以與陣列驅動器22通信。在一實施例中，陣列驅動器22包括將信號提供至顯示陣列或面板30之列驅動器電路24及行驅動器電路26。圖1中所說明之陣列的橫截面藉由圖2中之線1－1展示。應注意儘管出於清楚起見圖2說明干涉調變器之3×3陣列，但顯示陣列30可含有大量干涉調變器，且列中之干涉調變器之數目可不同於行中之干涉調變器的數目(例如，每列300像素×每行190像素)。
圖3為針對圖1之干涉調變器之一例示性實施例的可移動鏡面位置對施加電壓之圖。對於MEMS干涉調變器，列/行 致動協定可利用圖3中所說明之該等裝置之滯後性質。舉例而言，一干涉調變器可需要10伏特之電位差以使可移動層自鬆弛狀態變形至致動狀態。然而，當電壓自彼值減小時，隨著電壓降回10伏特以下，可移動層將仍保持其狀態。在圖3之例示性實施例中，可移動層直至電壓降至2伏特以下才完全鬆弛。因此，在圖3中所說明之實例中存在約3 V至7 V之電壓範圍，其中存在一施加電壓窗口，裝置在該電壓窗口內穩定地處於鬆弛狀態或致動狀態。此在本文中被稱作"滯後窗口"或"穩定窗口"。對於具有圖3之滯後特性的顯示陣列而言，列/行致動協定可經設計以致在列選通期間，所選通之列中的待致動之像素經受約10伏特之電壓差，且待鬆弛之像素經受接近零伏特之電壓差。選通之後，像素處於約5伏特之穩定狀態或偏壓差下以致其保持於列選通使其進入之任何狀態中。寫入之後，在該實例中每一像素受到3至7伏特之"穩定窗口"內的電位差。此特徵使圖1中所說明之像素設計在相同的施加電壓條件下保持穩定於預先存在之致動狀態或鬆弛狀態。由於干涉調變器之每一像素(無論處於致動狀態還是鬆弛狀態)基本上為由固定及移動反射層形成之電容器，故此穩定狀態可在滯後窗口內之電壓下得以保持而幾乎無功率耗散。若所施加電位固定，則基本上無電流流入像素中。
如下文進一步描述，在典型應用中，一影像圖框可藉由根據第一列中之所要致動像素集合而發送一資料信號集合(每一資料信號具有一特定電壓位準)使其穿過行電極集合 來建立。接著施加列脈衝至第一列電極，從而致動對應於該資料信號集合之像素。該資料信號集合接著改變以對應於第二列中之所要致動像素集合。接著施加脈衝至第二列電極，從而根據該等資料信號致動第二列中之適當像素。第一列像素不受第二列脈衝影響，且保持於其在第一列脈衝期間被設定之狀態中。可以順序方式將此過程重複用於整個列系列以產生該圖框。一般而言，藉由以某一所要圖框數/秒來不斷地重複此過程而以新的影像資料再新及/或更新圖框。可使用用於驅動像素陣列之列電極及行電極以產生影像圖框之廣泛協定。
圖4及圖5說明用於在圖2之3×3陣列上建立一顯示圖框之一可能致動協定。圖4說明可用於展現圖3之滯後曲線的像素之列及行電壓位準之一可能集合。在圖4之實施例中，致動一像素涉及將合適行設定為－Vbias 並將合適列設定為＋△V，其可分別對應於－5伏特與＋5伏特。藉由將適當之行設定至＋Vbias 及將適當之列設定至相同＋△V從而在像素上產生零伏特電位差來實現使像素鬆弛。在列電壓保持於零伏特之彼等列中，像素穩定於其最初所處之狀態而不管行是處於＋Vbias 還是－Vbias 。亦如圖4中所說明，可使用與以上所述之電壓極性相反之電壓，例如，致動一像素可涉及將適當之行設定至＋Vbias 及將適當之列設定至－△V。在該實施例中，藉由將適當之行設定至－Vbias 及將適當之列設定至相同－△V從而在像素上產生零伏特電位差來實現釋放像素。
圖5B為展示施加至圖2之3×3陣列之一系列列及行信號的時序圖，其將產生圖5A中所說明之顯示配置，其中致動像素為非反射的。在寫入圖5A中所說明之圖框之前，該等像素可處於任何狀態，且在此實例中，所有列初始處於0伏特且所有行處於＋5伏特。在此等施加電壓下，所有像素皆穩定於其現存的致動或鬆弛狀態中。
在圖5A圖框中，像素(1,1)、(1,2)、(2,2)、(3,2)及(3,3)被致動。為實現此目的，在列1之"線時間"期間，將行1及行2設定至－5伏特，且將行3設定至＋5伏特。此不會改變任何像素之狀態，因為所有像素皆保持在3－7伏特之穩定窗口中。列1接著以自0升至5伏特且返回至零之脈衝得以選通。此動作致動(1,1)及(1,2)像素且使(1,3)像素鬆弛。陣列中之其他像素不受影響。為視需要設定列2，將行2設定至－5伏特且將行1及行3設定至＋5伏特。施加至列2之相同選通接著將致動像素(2,2)且使像素(2,1)及(2,3)鬆弛。同樣，陣列之其他像素不受影響。列3類似地藉由將行2及行3設定至－5伏特及將行1設定至＋5伏特而設定。列3選通設定如圖5A中所示之列3像素。在寫入圖框之後，列電位為零，且行電位可保持於＋5伏特或－5伏特，且顯示器接著穩定於圖5A之配置。相同程序可用於數十或數百個列及行之陣列。用以執行列及行致動之電壓的時序、序列及位準可在以上所概述之一般原理之範圍內廣泛地變化，且以上實例僅為例示性的，且任何致動電壓方法可供本文中所述之系統及方法使用。
圖6A及圖6B為說明顯示裝置40之一實施例的系統方塊圖。舉例而言，顯示裝置40可為蜂巢式電話或行動電話。然而，顯示裝置40之相同組件或其輕微變體亦說明各種類型之顯示裝置，諸如電視及攜帶型媒體播放機。
顯示裝置40包括外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48及麥克風46。外殼41通常由多種製造過程中的任一者形成，其包括射出成形及真空成形。另外，外殼41可由多種材料中之任一者製成，該等材料包括(但不限於)塑膠、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合。在一實施例中，外殼41包括可與具有不同色彩或含有不同標識、圖片或符號之其他可移除部分互換的可移除部分(未圖示)。
例示性顯示裝置40之顯示器30可為多種顯示器中之任一者，該等顯示器包括如本文中所述之雙穩態顯示器。在其他實施例中，顯示器30包括諸如上文所述之電漿、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD之平板顯示器，或諸如CRT或其他管狀裝置之非平板顯示器。然而，出於描述本實施例之目的，如本文所描述，顯示器30包括干涉調變器顯示器。
圖6B中示意性地說明例示性顯示裝置40之一實施例的組件。所說明之例示性顯示裝置40包括一外殼41且可包括至少部分地封閉於其中之額外組件。舉例而言，在一實施例中，例示性顯示裝置40包括網路介面27，網路介面27包括耦接至收發器47之天線43。收發器47連接至處理器21，處 理器21連接至調節硬體52。調節硬體52可經組態以調節一信號(例如，過濾一信號)。調節硬體52連接至揚聲器45及麥克風46。處理器21亦連接至輸入裝置48及驅動器控制器29。驅動器控制器29耦接至圖框緩衝器28及陣列驅動器22，陣列驅動器22又耦接至顯示陣列30。電源50按照特定例示性顯示裝置40設計之需要而將電源提供至所有組件。
網路介面27包括天線43及收發器47，使得例示性顯示裝置40可在網路上與一或多個裝置通信。在一實施例中，網路介面27亦可具有一些處理能力以減輕對處理器21之需求。天線43為用於發射及接收信號之任何天線。在一實施例中，該天線根據IEEE 802.11標準(包括IEEE 802.11(a)、(b)或(g))而發射及接收RF信號。在另一實施例中，天線根據藍芽(BLUETOOTH)標準而發射及接收RF信號。在蜂巢式電話之情況下，天線經設計以接收用以在無線手機網路內通信的CDMA、GSM、AMPS、W－CDMA或其他已知信號。收發器47預處理自天線43接收之信號，以使該等信號可由處理器21接收並進一步運用。收發器47亦處理自處理器21接收之信號，以使該等信號可經由天線43自例示性顯示裝置40發射。
在一替代實施例中，收發器47可由一接收器替換。在另一替代實施例中，網路介面27可由影像源替換，其可儲存或產生待發送至處理器21之影像資料。舉例而言，影像源可為數位視訊光碟(DVD)、或含有影像資料之硬碟機、或產生影像資料之軟體模組。
處理器21通常控制例示性顯示裝置40之總體操作。處理器21接收來自網路介面27或影像源之諸如經壓縮影像資料的資料，且將資料處理為原始影像資料或易處理為原始影像資料之格式。處理器21接著發送經處理資料至驅動器控制器29或至圖框緩衝器28以供儲存。原始資料通常係指識別影像內每一位置處之影像特性的資訊。舉例而言，該等影像特性可包括色彩、飽和度及灰階度。
在一實施例中，處理器21包括微控制器、CPU或邏輯單元以控制例示性顯示裝置40之操作。調節硬體52通常包括放大器及過濾器以用於傳輸信號至揚聲器45，並用於自麥克風46接收信號。調節硬體52可為在例示性顯示裝置40內之離散組件，或可併入處理器21或其他組件內。
驅動器控制器29直接自處理器21或自圖框緩衝器28取得由處理器21產生之原始影像資料，且適當重新格式化該等原始影像資料以高速傳輸至陣列驅動器22。特定而言，驅動器控制器29將原始影像資料重新格式化為具有類光柵格式之資料流，使得其具有適合在顯示陣列30上掃描之時間次序。接著驅動器控制器29將經格式化之資訊發送至陣列驅動器22。儘管諸如LCD控制器之驅動器控制器29通常與作為單獨積體電路(IC)的系統處理器21相關聯，但此類控制器可用多種方法實施。其可作為硬體嵌入處理器21中、作為軟體嵌入處理器21中，或以硬體與陣列驅動器22完全整合。
通常，陣列驅動器22接收來自驅動器控制器29之經格式 化之資訊，並將視訊資料重新格式化成一組平行波形，該組波形以每秒許多次的方式施加至來自顯示器之x－y像素矩陣之數百且有時數千個引線。
在一實施例中，驅動器控制器29、陣列驅動器22及顯示陣列30適於本文中所述之任何類型之顯示器。舉例而言，在一實施例中，驅動器控制器29為習知顯示控制器或雙穩態顯示控制器(例如，干涉調變器控制器)。在另一實施例中，陣列驅動器22為習知驅動器或雙穩態顯示驅動器(例如，干涉調變器顯示器)。在一實施例中，驅動器控制器29與陣列驅動器22整合。此實施例在諸如蜂巢式電話、手錶及其他小面積顯示器之高度整合系統中為常見的。在又一實施例中，顯示陣列30為典型顯示陣列或雙穩態顯示陣列(例如，包括干涉調變器陣列之顯示器)。
輸入裝置48允許使用者控制例示性顯示裝置40之操作。在一實施例中，輸入裝置48包括諸如QWERTY鍵盤或電話小鍵盤之小鍵盤、按鈕、開關、觸敏螢幕，或壓敏膜或熱敏膜。在一實施例中，麥克風46為用於例示性顯示裝置40之輸入裝置。當麥克風46用於將資料輸入裝置時，可由使用者提供語音命令用於控制例示性顯示裝置40之操作。
電源50可包括此項技術中已知之各種能量儲存裝置。舉例而言，在一實施例中，電源50為諸如鎳鎘電池或鋰離子電池之可充電電池。在另一實施例中，電源50為再生能源、電容器或太陽能電池(包括塑膠太陽能電池及太陽能電池漆)。在另一實施例中，電源50經組態以自牆上插座 接收電力。
在一些實施例中，如以上所述，控制可程式化性駐留於可定位於電子顯示系統中之若干位置處的驅動器控制器中。在一些情況中，控制可程式化性駐留於陣列驅動器22中。上述最佳化情況可實施於任何數目之硬體及/或軟體組件中及各種組態中。
根據以上所陳述之原理而操作的干涉調變器之結構的細節可廣泛地變化。舉例而言，圖7A至圖7E說明可移動反射層14及其支撐結構之五個不同實施例。圖7A為圖1之實施例的橫截面，其中金屬材料之條14沈積於正交延伸之支撐件18上。在圖7B中，每一干涉調變器之可移動反射層14形狀為正方形或長方形且僅在轉角處在繫栓32上附接至支撐件。在圖7C中，可移動反射層14形狀為正方形或長方形且自可變形層34懸吊，該可變形層34可包含可撓性金屬。可變形層34直接或間接連接至圍繞在可變形層34周邊之基板20。本文中之該等連接件係指支撐柱。圖7D中所說明之實施例具有由支撐柱插塞42形成之支撐件，可變形層34擱置在支撐柱插塞42上。如在圖7A至圖7C中，可移動反射層14保持懸吊在空隙上方，但可變形層34未藉由填充可變形層34與光學堆疊16之間的孔洞而形成支撐柱。支撐柱而是由平坦化材料(其用於形成支撐柱插塞42)形成。在其他實施例中，支撐件可額外或替代地包括諸如支撐軌之連續壁。圖7E所說明之實施例係基於圖7D中所示之實施例，但亦可經調適以與圖7A至圖7C中所說明之任何實施例及 未展示之額外實施例一起作用。在圖7E所示之實施例中，金屬或其他導電材料之額外層用以形成匯流排結構44。此允許信號沿著干涉調變器之背部導引，從而消除原本可能必須形成於基板20上之大量電極。
在諸如圖7中所示之實施例的實施例中，干涉調變器充當直觀裝置，其中自透明基板20之前側觀看影像，該側與配置有調變器之一側相對。在該等實施例中，反射層14光學地屏蔽包括可變形層34之在反射層之與基板20相對之一側上的干涉調變器之部分。此允許在未負面影響影像品質的情況下組態及操作被屏蔽區。舉例而言，此屏蔽允許圖7E中之匯流排結構44，該匯流排結構44提供將調變器之光學性質與調變器之機電性質(諸如定址及由彼定址產生之移動)分離的能力。此可分離調變器架構允許選擇用於調變器之機電態樣及光學態樣之結構設計及材料且使其相對於彼此獨立地作用。此外，圖7C至圖7E中所展示之實施例具有得自反射層14之光學性質與其由可變形層34來實現之機械性質去耦之額外優勢。此允許關於光學性質來最佳化用於反射層14之結構設計與材料，且允許關於所需機械性質來最佳化用於可變形層34之結構設計與材料。
可在諸如干涉調變器之MEMS裝置之陣列內或鄰接諸如干涉調變器之MEMS裝置之陣列來提供額外結構。舉例而言，當觀看該陣列時，光罩能夠最小化或防止不需要之光學效應，且匯流結構能夠經由該陣列而改良導電性。另外，可使用特殊材料以達成某些所要之效應。亦可選擇所 用之材料以最小化用於製造裝置之不同材料之量，從而針對已就位(諸如在薄膜電晶體(TFT)製造室或"廠")之特定製造設備而簡化製造過程或調適製造過程。
圖8A至圖8I說明可用於形成MEMS裝置陣列之流程。特定言之，該流程係針對干涉調變器陣列的形成，但該流程之某些步驟及其中所使用之某些材料亦可用於其他類型之MEMS裝置之製造中。
圖8A說明一光透射基板100，黑色遮罩吸收層110形成於該基板100上。在某些實施例中，光透射基板100可為透明或大體上透明的，且其可包含諸如玻璃或聚合物之材料。在某些實施例中，可將包含由一光透射層隔開以提供所要間隔之兩個吸收層的固定干涉結構用作干涉黑色遮罩，其歸因於入射在干涉黑色遮罩上之光的干涉調變而呈黑色。儘管稱為黑色遮罩，但黑色遮罩不需要呈黑色，而是可呈現諸如灰色之某一其他色彩，只要朝向觀看者反射回之光的強度減少。在此等實施例中，自對入射光為部分透射之材料及厚度形成黑色遮罩吸收層110，以致一些入射光被反射且一些入射光被透射至下伏層。儘管亦可使用其他適合之材料及厚度，但在一實施例中，黑色遮罩吸收層110包含一MoCr合金層(其具有約70－75埃之厚度)。舉例而言，如在下文中更詳細描述，在某些實施例中，黑色遮罩吸收層可包含適合厚度之鉬，且亦可使用僅包含鉻之層。在一實施例中，選擇黑色遮罩吸收層110之厚度及材料以致吸收層對可見光之反射率在28.5%至34.5%之間。儘管亦 可使用其他適合之沈積方法，但在一實施例中，黑色遮罩吸收層110經濺鍍沈積至基板上。
在一特定實施例中，MoCr層可包括約2原子%之鉻。在其他實施例中，MoCr層可包括約2－3原子%之鉻。在鉬層中包含鉻可增加層之反射率。更高含量之鉻可增加圖案化層之難度，且高含量之鉻亦可藉由限制在某些裝置中之鉻的量的規則而被禁止。在其他實施例中，使用MoCr作為吸收層可有助於在TFT廠(諸如習知LCD或OLED廠或平板顯示器廠)中進行之該等材料的製造，因為MoCr在此等廠中常用作閘極材料。
在圖8B中，圖案化及蝕刻黑色遮罩吸收層110以形成黑色遮罩吸收層112且黑色遮罩介電層120沈積於黑色遮罩吸收層112之上。儘管經說明為平坦的，但應理解，視材料及沈積製程而定，黑色遮罩介電層120及後續沈積層可保形地沈積於下伏層之上且可不包含平坦上表面。在所說明之實施例中，可自一導電材料形成黑色遮罩吸收層110，在一些實施例中黑色遮罩介電層120可保持大體上未經圖案化的，或黑色遮罩介電層120可經圖案化以移除黑色遮罩介電層120之未上覆於黑色遮罩吸收層112之部分。在一些實施例中，其中黑色遮罩介電層120用作一干涉黑色遮罩中兩個吸收層之間的間隔物或光學腔穴，儘管亦可使用其他適合之材料，但黑色遮罩介電層120可包含具有約800埃之厚度的SiO2 ，且可具有約1.46之折射率。在一些實施例中，層120可具有在760至840埃之間的厚度(儘管亦可使 用比其厚或薄的層)。應理解介電層120因此界定干涉黑色遮罩之光學路徑，以致所要"色彩"之厚度將視所選材料之折射率而定。儘管亦可使用其他適合之方法，但可經由化學氣相沈積法沈積黑色遮罩介電層120。亦可選擇黑色遮罩介電層120之厚度以有助於保形沈積上覆層，同時去除下伏黑色遮罩吸收層112中之任何鋒利邊緣。
在圖8C中，光學吸收層130沈積於黑色遮罩介電層120之上。在某些實施例中，該光學吸收層可由與黑色遮罩吸收層112相同之材料形成，且因此可使用相同類型之設備來沈積。因此，在一些實施例中，光學吸收層130可包含MoCr層，且可具有70－75埃之厚度。由於MoCr光學吸收層130為導電的，所以可無需沈積分離導電層作為電極，但在其他實施例中，諸如氧化銦錫之分離透明導電層可沈積於光學吸收層130之上或之下。
在某些實施例中，對於小的MEMS裝置陣列，諸如具有供小於40個像素跨過之列或行的干涉調變器陣列(例如，其中由光學吸收層130形成之導電層延伸不大於40個像素)，可無需為信號傳導或匯流目的而沈積分離透明導電層，儘管視所使用之像素的大小與材料而定，仍可形成不同大小及形狀之MEMS陣列而沒有分離導電層。因此，自所說明之實施例省略ITO或其他透明導體。因為光學吸收層130可用作底部或列電極中之唯一或主要導體，所以可針對其導電性質以及光學性質而選擇光學吸收層130之組合物。如上文所提到，可使用包括約2原子%之鉻的MoCr 層作為光學吸收層130，且該MoCr層可提供具有適當導電性之層。儘管包含額外鉻可增加導電性，但已發現在整合中具有不合需要之效應，諸如使用於圖案化列電極之蝕刻複雜化。接著可執行後續圖案化步驟以圖案化光學吸收層130從而形成所要圖案(未圖示)，諸如形成帶狀電極以界定陣列之列電極。當未有透明導電層沈積於鄰接光學補償層130時，該光學補償層可在此等帶狀電極之至少部分中用作主要或唯一導體。
光學吸收層130可在陣列之不同部分提供兩個光學功能。在光學吸收層130上覆於黑色遮罩吸收層112之黑色遮罩區114中，如上文所論述，光學吸收層及黑色遮罩吸收層共同形成一干涉黑色遮罩。給定特定尺寸及材料，固定元件將吸收大量入射光，充當黑色遮罩及防止上覆結構反射光。由於黑色遮罩區114將不管MEMS陣列之狀態而反射特定色彩或光(或吸收光)，所以此等區域可被稱為光學惰性的。在某些實施例中，多數光被吸收，但被反射之光的量可藉由變化吸收層之厚度及不透明度而加以控制。被反射之光之量的方差可影響併入有此陣列之顯示裝置的對比率。
在諸如彼等遠離黑色遮罩區114而定位的光學活性區中，光學吸收層130可用作(例如)干涉調變器中之部分反射層，諸如在圖1之光學堆疊16中的部分反射層。因此，光學吸收層130用作在可反射各種色彩中之一或多者之干涉調變器中的部分反射及部分透明層。包含Mo亦可對某些 色彩提供更佳的色彩效能，如包括諸如MoCr之Mo的光學吸收層可提供比具有Cr光學吸收層之干涉調變器更佳的紅色。
在圖8D中，一匯流層沈積於光學吸收層130之上，且經圖案化以形成一匯流結構140。該匯流結構可包含提供比光學吸收層130或其他導電層更佳的導電性之材料或厚度。在圖8D中所描繪之特定實施例中，匯流結構包括底部子層142及上部子層144。亦應理解，匯流層可延伸至陣列外部，且可允許陣列內之組件與外部組件(諸如接觸襯墊或驅動電路)之間電的通信。
在某些實施例中，底部子層142包含Al且上部子層144包含Ni，及在一特定實施例中，底部子層142包含Al－Nd合金且上部子層144包含Ni－B合金。如將於下文更詳細論述，Al－Nd合金可包含約2%釹，且Ni－B合金可包含約0.1%至0.5%硼。此等特定合金亦可用於MEMS裝置中之其他層中。
如在圖8D中可見，匯流結構140可上覆由黑色遮罩吸收層112界定之黑色遮罩區114的一部分。因為黑色遮罩區114最小化來自上覆層之光學干涉，所以諸如Al之反射材料可用於匯流結構140中而不產生不合需要之光學效應。因此，在某些實施例中，匯流結構可用作顯示器之光學惰性區內之一導體，光學惰性區諸如陣列內之黑色遮罩區114或陣列外部之導引區中之互連，且導電光學吸收層130可用作顯示器之某些光學活性區中之帶狀電極中的主要或唯一導體。光學惰性區中匯流結構140之使用可補償光學 活性區中之較低導電性，以致不需要諸如ITO之透明導電層。
在圖8E中，光學介電層150沈積於匯流結構140之上，其後為蝕刻障壁層152及犧牲層160。在某些實施例中，光學介電層150可包含與黑色遮罩介電層120相同之材料。儘管亦可使用其他適當之材料、厚度及沈積技術，但在一特定實施例中，光學介電層150包含可經由化學氣相沈積法沈積之SiO2 層，且可具有380至440埃之間的厚度。選擇光學介電層之厚度及材料(折射率)以界定當處於崩潰狀態(見圖1)時由成品干涉調變器反射之干涉色彩。蝕刻障壁層152可包含視待使用之特定蝕刻及諸如犧牲層160之鄰接層之組合物而定的多種材料。儘管可視稍後在製造過程中使用之釋放或其他蝕刻化學作用而定使用不同材料，但在一實施例中，該蝕刻障壁層可為抗XeF2 蝕刻的。儘管亦可使用其他厚度及材料，但在一實施例中，該蝕刻障壁層包含具有約80埃之厚度的Alx Oy 層，且其可經濺鍍沈積於光學介電層150上。
犧牲層160之高度將影響當移除犧牲層時形成之干涉腔穴的大小，此接著影響當可移動反射層處於鬆弛或未致動位置時(諸如圖1之可移動反射層14a)由干涉調變器反射之色彩。圖8E描繪具有大體上恆定之高度的犧牲層160。應理解，在其他實施例中，犧牲層160可具有變化之高度。舉例而言，犧牲層160可在對應於將在鬆弛位置反射不同干涉色彩之不同像素的區域中具有不同高度。舉例而言， 可經由疊代沈積及圖案化製程形成此等犧牲層。在當可移動反射層處於未致動位置時反射綠黃光之單色陣列的特定實施例中，犧牲層160可包含濺鍍沈積於蝕刻障壁層152之上之鉬層，其具有在約1715至1855埃之間的厚度。然而，應理解，可使用不同之厚度以獲得單色陣列之不同色彩。
在圖8F中，可見犧牲層160經圖案化以形成孔162，其延伸穿過犧牲層160，且支撐柱材料之層170隨後沈積於犧牲層160之上。在所說明之實施例中，該等孔162採取錐形孔的形狀，其延伸穿過犧牲層160至下伏層，在此情況下為蝕刻障壁層152。如圖中可見的，孔之錐形有助於支撐柱層170之保形沈積。儘管亦可使用其他材料、厚度及沈積製程，但在一實施例中，支撐柱材料包含SiO2 層，其經由化學氣相沈積法沈積且具有約4360至4520埃之厚度。尤其，支撐柱層170之厚度可視用以形成該層之材料及所製得的支撐柱所需之機械性質而定。
在圖8G中，支撐柱層170經圖案化及經蝕刻以形成支撐結構172，支撐結構172可在整個MEMS裝置之陣列中採取各種形狀。圖8G描繪具有大體上水平延伸之翼形部分174之支撐結構172，翼形部分174具有錐形邊緣176。水平延伸之翼形部分174可用以藉由變化翼形部分174之大小來控制上覆層(例如，待於下文描述之機械層及鏡面層)之高度及性質。錐形邊緣176有助於上覆層之連續保形沈積。
另外，在所描述之有關圖8G之步驟之後可接續一處理步驟，其中在沈積可變形反射層180(見下文圖8H)之前處理 犧牲層160之暴露部分。對犧牲層之處理(例如紋理化表面之形成及/或表面能量之修改)會在當稍後移除犧牲層160時使得可變形反射層180具有紋理化之表面及/或經修改之表面能量。形成例如具有紋理化之底部表面之可變形反射層180，可防止或延遲可變形反射層180與下伏層之間發生靜摩擦。
在一特定實施例中，犧牲層160可由N2 O電漿處理製程來處理。在圖案化柱層170以形成支撐結構172而藉此暴露犧牲層160之位驗遠離該等柱之部分之後，可形成包含N2 O之電漿環境，且將經部分製成之陣列暴露至N2 O電漿環境中達一段時間。在某些實施例中，該暴露可具有在30秒至5分鐘之間的持續時間，但在其他實施例中可使用更長或更短時間之暴露。在柱結構形成於乾式蝕刻腔穴室內之某些實施例中，可在相同之乾式蝕刻腔穴室內部形成電漿環境。應理解，該處理在其他實施例中可在柱形成之前執行，諸如在初始圖案化犧牲層160以形成孔162之前執行。
在圖8H中，可變形反射層180形成於支撐結構172之上。可變形反射層180包含反射子層182及形成於反射子層182之上的機械子層184。通常，反射子層182可包含主要針對其光學性質而選擇之材料，且機械子層可包含主要針對其機械性質而選擇之材料。
在某些實施例中，反射子層可包含鋁，且機械子層可包含鎳。在反射層中釹之存在抑制鋁遷移，此可導致鋁層上藍點之形式的變色，該等點可造成不合需要之光學效應。 反射層中約2原子%釹之存在足夠抑制鋁遷移，但包含額外之釹可減少反射子層之反射率且顯著增加反射子層之阻力。因此，在反射子層中之Nd可經選擇為低於鋁薄膜之2.5原子%，特定言之為在0.5原子%至2.5原子%之間。
在特定實施例中，反射子層可包含Al－Nd合金，且在一特殊實施例中可包含濺鍍沈積之Al－Nd合金，該合金包含約2原子%之釹。在一特殊實施例中，反射子層可具有在約300至400埃之間的厚度。在特定實施例中，機械子層可包含Ni－B合金，且在一特殊實施例中可包含濺鍍沈積之Ni－B合金，該合金包含約0.1－0.5原子%之硼及具有約750至850埃之厚度。在機械層中包含硼增加了機械層之硬度。光學層之硬度的增加可有助於延遲或防止機械層之復原力的減小，該減小可導致像素無法在預期電壓下釋放。另外，更硬的機械層在整個陣列中可需要較少支撐結構，以致陣列中之更多者可為光學活性的且不必由黑色遮罩遮蔽。在包括匯流結構140之實施例中，歸因於匯流結構之遮蔽，柱之減少造成之活性區的增加可彌補活性區中之損失。相對較小量(約0.5原子%)之硼的使用避免顯著的硼擴散至鄰接層中(包括光學介電層及吸收層)，該擴散可造成不合需要之電效應。
在Ni－B合金沈積於Al－Nd合金之上之實施例中，諸如在匯流結構140或可變形反射層180中，Ni－B層之沈積可導致在兩個層之間形成可具有不合需要之電性質的金屬間合金。該金屬間合金之形成亦可發生於任何含Al層與任何含 Ni層之間。為了避免或最小化該金屬間合金之形成，可在下伏層(在此情況下為Al－Nd層)之沈積與上覆層(在此情況下為Ni－B層)之沈積之間使用一真空中斷。將最近沈積之Al－Nd層暴露至潔淨的室內空氣下來有助於在Al－Nd層之表面上的Alx Oy 原生氧化物之形成，其可抑制在上覆Ni－B層之沈積一旦發生時金屬間合金之形成，且可具有比金屬間合金更合需要之電性質。
最後，在圖8I中，可見可變形反射層180經圖案化以形成所要結構，且釋放蝕刻經執行以移除犧牲層160，從而在可變形反射層180與下伏層之間形成腔穴164。在某些實施例中，蝕刻孔洞186可形成於反射可變形層180中以將犧牲層160之額外部分暴露至蝕刻劑。另外，可變形反射層可經蝕刻以形成諸如行帶狀電極及在陣列與陣列外部之接觸襯墊之間的導電引線的額外特徵(未圖示)。
在此釋放蝕刻製程期間可消耗蝕刻障壁層152(在圖8I中展示為經部分移除)之一些，儘管該些部分可保留在成品裝置中。在某些實施例中，可使用XeF2 釋放蝕刻以移除Mo犧牲層而未大體上蝕刻Alx Oy 蝕刻障壁層。儘管在圖8I中展示為在支撐結構172之間的區域中被移除，但應理解，蝕刻障壁層152之一些部分可保留在彼等區域中。因此形成一干涉調變器190，其中可變形反射層180為可朝向下伏層靜電式致動的使得改變由干涉調變器190反射之光的波長。
圖9說明自干涉調變器陣列200之下部所見的圖。可見可 變形反射層180(見圖8I)經圖案化以形成行電極210。定位於氣隙下之導電層經圖案化以形成列電極215(在圖9中由軌支撐件217所勾畫)，其允許致動可變形反射層180之特殊部分。可採用在一特定像素內之列電極或柱之間的長軌之形式的支撐結構由呈黑色之黑色遮罩區220遮蔽。另外，蝕刻孔洞230(類似於圖8I之蝕刻孔洞186)亦在整個陣列內可見為黑點。在一旦致動可變形反射層時，便導致行電極210之部分朝向列電極215移動，陣列之致動部分可在整個陣列內呈黑色。但應理解可使用不同組態，以致陣列在處於未致動位置中反射第一色彩與處於致動位置中反射第二色彩之間可切換，且若使用不同尺寸或材料則該致動位置無需產生一黑色狀態。
在某些實施例中，下文表格中陳述之流程可用於MEMS裝置之製造中：
在表格1之流程中，所使用之材料(諸如MoCr及SiO2 )為在薄膜電晶體製造室中容易利用的，且許多材料用於多個層中，簡化了製造過程。亦可見上述過程可在製造不需要額外導體之顯示器大小時使用，且因此不包括分離透明導體或導引材料。AlOx (或Alx Oy )之沈積作為蝕刻終止層可容易在薄膜電晶體製造室中實施。此外，出於對於鋁遷移之抵抗性而選擇了用於反射器中之Al－Nd合金，且出於機械強度及可靠性而選擇了鎳。
在另一實施例中，在以下表格中描述一使用類似材料及厚度之替代性流程：
在上述流程中，Ni－B合金用於導引/匯流層及機械層兩者中，從而簡化了流程，且圖案化及蝕刻以清除接觸襯墊之最終步驟可用於某些實施例中。諸如匯流層及犧牲層之層的粗糙度亦應低於所要程度。舉例而言，匯流層之粗糙度可通常為30，且應低於180。類似地，犧牲層之粗糙度應低於200。
如上文所提及，某些材料可代替上文所論述之材料而加以使用。在上述實施例中，MoCr用作黑色遮罩吸收層112及光學吸收層130。在替代實施例中，上述表格中之黑色遮罩及光學吸收層可在未添加鉻之情況下包含適當厚度之鉬以產生所要反射率。儘管亦可使用其他材料及厚度，但在某些實施例中，黑色遮罩及光學吸收層可包含具有約60至70埃之厚度的鉬。在該實施例中，可使用單一類型之沈積工具沈積黑色遮罩、光學吸收層及犧牲層三者。
應瞭解，上述實施例之多種組合是可能的。亦應認識 到，以上實施例中之層及形成此等層之材料的次序僅為例示性的。此外，在一些實施例中，可沈積及處理其他層(未圖示)以形成MEMS裝置之部分或形成基板上之其他結構。在其他實施例中，此等層可使用替代性沈積、圖案化及蝕刻材料及製程來形成，可以不同次序沈積或包含不同材料，如熟習此項技術者所知的。
特定言之，如上文所論述，可改變各層之高度以便控制由干涉調變器在致動位置時所反射之光的波長。特定言之，由於當移除犧牲層時犧牲層之高度將影響所得腔穴之高度，所以可改變犧牲層厚度以控制由干涉調變器反射之色彩。
亦應認識到，除非本文中另有特定且清楚地陳述，否則本文中所述之任何方法的動作或事件可視實施例而定以其他序列來執行，可被添加，合併，或完全省去(例如，並非所有動作或事件均為實踐該等方法所必需)。舉例而言，如上文所述，某些實施例可不包括上文所論述之匯流結構，尤其在顯示器足夠小時。
儘管以上詳細描述已展示、描述及指出了本發明在應用至多種實施例時之新穎特徵，但應理解，熟習此項技術者可在不背離本發明之精神的情況下對所說明之裝置或過程之形式及細節進行多種省略、替代及改變。應認識到，本發明可在不提供本文中所陳述之特徵及優勢之所有者的形式內實施，因為一些特徵可分離於其他特徵而加以使用或實踐。
12a、12b‧‧‧干涉調變器
14、14a、14b‧‧‧可移動反射層
16、16a、16b‧‧‧光學堆疊
18‧‧‧柱
19‧‧‧可移動反射層與光學堆疊之間的界定間隙
20‧‧‧基板
21‧‧‧處理器
22‧‧‧陣列驅動器
24‧‧‧列驅動器電路
26‧‧‧行驅動器電路
27‧‧‧網路介面
28‧‧‧圖框緩衝器
29‧‧‧驅動器控制器
30‧‧‧顯示器/顯示陣列
32‧‧‧繫栓
34‧‧‧可變形層
40‧‧‧顯示裝置
41‧‧‧顯示裝置外殼
42‧‧‧支撐柱插塞
43‧‧‧天線
44‧‧‧匯流排結構
45‧‧‧揚聲器
46‧‧‧麥克風
47‧‧‧收發器
48‧‧‧輸入裝置
50‧‧‧電源
52‧‧‧調節硬體
100‧‧‧光透射基板
110‧‧‧黑色遮罩吸收層
112‧‧‧黑色遮罩吸收層
114‧‧‧黑色遮罩區
120‧‧‧黑色遮罩介電層
130‧‧‧光學吸收層
140‧‧‧匯流結構
142‧‧‧匯流結構之底部子層
144‧‧‧匯流結構之上部子層
150‧‧‧光學介電層
152‧‧‧蝕刻障壁層
160‧‧‧犧牲層
162‧‧‧犧牲層之孔
164‧‧‧可變形反射層與下伏層之間的腔穴
170‧‧‧支撐柱層
172‧‧‧支撐結構
174‧‧‧支撐結構之翼形部分
176‧‧‧翼形部分174之錐形邊緣
180‧‧‧可變形反射層
182‧‧‧可變形反射層之反射子層
184‧‧‧可變形反射層之機械子層
186‧‧‧蝕刻孔洞
200‧‧‧干涉調變器陣列
210‧‧‧行電極
215‧‧‧列電極
217‧‧‧軌支撐件
220‧‧‧黑色遮罩區
230‧‧‧蝕刻孔洞
圖1為描繪一干涉調變器顯示器之一實施例之一部分的等角視圖，其中第一干涉調變器之可移動反射層處於鬆弛位置，且第二干涉調變器之可移動反射層處於致動位置。
圖2為說明併入有3×3干涉調變器顯示器之電子裝置之一實施例的系統方塊圖。
圖3為圖1之干涉調變器之一例示性實施例的可移動鏡面位置對施加電壓的圖。
圖4為可用於驅動一干涉調變器顯示器之一組列電壓及行電壓的說明。
圖5A及圖5B說明可用以將顯示資料之圖框寫入至圖2之3×3干涉調變器顯示器的列信號及行信號之一例示性時序圖。
圖6A及圖6B為說明一包含複數個干涉調變器之視覺顯示裝置之一實施例的系統方塊圖。
圖7A為圖1之裝置之橫截面。
圖7B為一干涉調變器之一替代實施例之橫截面。
圖7C為一干涉調變器之另一替代實施例之橫截面。
圖7D為一干涉調變器之又一替代實施例的橫截面。
圖7E為一干涉調變器之一額外替代實施例之橫截面。
圖8A至圖8I為在製造一干涉調變器過程中之各步驟之示意性橫截面。
圖9為干涉調變器之一未致動陣列之仰視平面圖。
100‧‧‧光透射基板
112‧‧‧黑色遮罩吸收層
120‧‧‧黑色遮罩介電層
130‧‧‧光學吸收層
140‧‧‧匯流結構
150‧‧‧光學介電層
152‧‧‧蝕刻障壁層
164‧‧‧腔穴
170‧‧‧支撐柱層
180‧‧‧可變形反射層
182‧‧‧可變形反射層之反射子層
184‧‧‧可變形反射層之機械子層
186‧‧‧蝕刻孔洞
200‧‧‧干涉調變器陣列

Claims (33)

  1. 一種光學機電裝置，其包含：一導電光學吸收層，其形成於一基板之上且經圖案化以形成帶狀電極，其中該光學吸收層用作該機電裝置之光學活性區內之該等帶狀電極中的主要導體；一黑色遮罩吸收層，其下伏於該導電光學吸收層之至少一部分，其中該黑色遮罩吸收層包含與該導電光學吸收層相同之材料；至少一支撐結構，其形成於該基板之上；一導電可變形層，其形成於該至少一支撐結構之上且與該導電光學吸收層隔開，其中該可變形層為朝向該光學吸收層可靜電偏轉；及一導電匯流結構，其位於該機電裝置之一光學惰性區中且與該光學吸收層電氣通信。
  2. 如請求項1之機電裝置，其中該光學吸收層包含一鉬鉻合金。
  3. 如請求項2之機電裝置，其中該光學吸收層具有一約70-75埃之厚度。
  4. 如請求項1之機電裝置，其中該光學吸收層反射約28.5%與34.5%之間的入射可見光。
  5. 如請求項1之機電裝置，其中該機電裝置包含一在該可變形層與該光學吸收層之間的犧牲層，其中該犧牲層包含與該光學吸收層及該黑色遮罩吸收層相同之材料。
  6. 如請求項5之機電裝置，其中該犧牲層、該光學吸收層 及該黑色遮罩吸收層中之每一者包含一鉬層。
  7. 如請求項1之機電裝置，其中至少該黑色遮罩吸收層及該光學吸收層形成一吸收入射光之一部分的干涉黑色遮罩。
  8. 如請求項1之機電裝置，其中該黑色遮罩吸收層位於該機電裝置之光學惰性區中。
  9. 如請求項1之機電裝置，其中該黑色遮罩吸收層之至少一部分下伏於該至少一支撐結構的一部分。
  10. 如請求項1之機電裝置，其中該可變形層包含一面向該光學吸收層之反射子層與一上覆於該反射子層之機械子層，其中該反射子層包含鋁且該機械子層包含鎳。
  11. 如請求項10之機電裝置，其中該反射子層包含一鋁釹合金。
  12. 如請求項11之機電裝置，其中該鋁釹合金包含約2原子%之釹。
  13. 如請求項10之機電裝置，其中該機械子層包含一鎳硼合金。
  14. 如請求項13之機電裝置，其中該鎳硼合金包含約0.5原子%之硼。
  15. 如請求項1之機電裝置，其中該匯流結構包含一第一子層及一第二子層，其中該第一子層包含與該可變形層之該反射子層相同之材料，且其中該第二子層包含與該可變形層之該機械子層相同之材料。
  16. 如請求項1之機電裝置，其另外包含一定位於該光學吸 收層之至少一部分之上的光學介電層，其中該光學吸收層包含在定位於該機電裝置之該等光學活性區中之該光學介電層與該基板之間的唯一導電材料。
  17. 如請求項1之機電裝置，其中該機電裝置形成一顯示裝置的一部份，該顯示裝置包含一干涉調變器陣列。
  18. 一種製造一光學機電裝置之方法，其包含：在一基板之上形成一導電光學吸收層；圖案化該導電光學吸收層以形成帶狀電極，其中該光學吸收層在該機電裝置之光學活性區中之該等帶狀電極中充當主要導體之功能；形成一匯流結構，其位於該機電裝置之一光學惰性區中且與該光學吸收層電氣通信；在該光學吸收層之上形成一犧牲層；在該基板之上形成至少一支撐結構；及在該犧牲層及該至少一支撐結構之上形成一導電可變形層。
  19. 如請求項18之方法，其另外包含執行一釋放蝕刻以移除該犧牲層，從而在該可變形層與該光學吸收層之間形成一腔穴。
  20. 如請求項18之方法，其中該光學吸收層包含一鉬鉻合金，該鉬鉻合金包含約2原子%之鉻。
  21. 如請求項18之方法，其中該光學吸收層具有一約70-75埃之厚度。
  22. 如請求項18之方法，其中該光學吸收層反射在約28.5% 與34.5%之間的入射可見光。
  23. 如請求項18之方法，其另外包含在該光學吸收層之沈積之前形成一黑色遮罩吸收層，其中該黑色遮罩吸收層包含與該光學吸收層相同之材料。
  24. 如請求項23之方法，其另外包含圖案化該黑色遮罩吸收層以自該機電裝置之光學活性區中移除該黑色遮罩吸收層。
  25. 如請求項23之方法，其中該犧牲層包含與該光學吸收層及該黑色遮罩吸收層相同之材料。
  26. 如請求項25之方法，其中該犧牲層、該光學吸收層及該黑色遮罩吸收層中之每一者包含一鉬層。
  27. 如請求項18之方法，其在該可變形層之形成之前另外將該犧牲層暴露至一包含N2 O之電漿環境。
  28. 如請求項27之方法，其中將該犧牲層暴露至一包含N2 O之電漿環境係在該至少一支撐結構之形成之後執行。
  29. 如請求項19之方法，其中形成該匯流結構包含：形成一第一匯流子層；將該第一匯流子層暴露至真空達一段時間；及在將該第一匯流子層暴露至真空之後，在該第一層之上形成一第二匯流子層。
  30. 如請求項29之方法，其中該第一匯流層包含一鋁釹合金，該鋁釹合金包含約2原子%之釹，且其中該第二匯流層包含一鎳硼合金，該鎳硼合金包含約0.5原子%之硼。
  31. 如請求項18之方法，其中形成該可變形層包含： 在該犧牲層之上形成一反射子層，該反射子層包含鋁；及在該第一子層之上形成一機械子層，該機械子層包含鎳。
  32. 如請求項31之方法，其中該反射子層包含一鋁釹合金，該鋁釹合金包含約2%之釹。
  33. 如請求項31之方法，其中該機械子層包含一鎳硼合金，該鎳硼合金包含約0.5%之硼。
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