DE10055421A1 - Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur - Google Patents
Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische StrukturInfo
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Abstract
Es wird ein Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und eine mikromechanische Struktur vorgeschlagen, die eine bewegliche Struktur (10) und eine feststehende Struktur (11) aus Silizium aufweisen. Bei dem Verfahren zur Erzeugung der mikromechanischen Struktur wird in einem Prozeßschritt eine oberflächliche Metallsilizidschicht (8) in der beweglichen Struktur (10) und/oder der feststehenden Struktur (11) erzeugt.
Description
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Erzeugung
einer mikromechanischen Struktur und einer mikromechanischen
Struktur nach der Gattung der unabhängigen Patentansprüche.
Es sind bereits Verfahren zur Erzeugung einer
mikromechanischen Struktur bzw. mikromechanische Strukturen
bekannt, bei dem eine bewegliche Siliziumstruktur und eine
feststehende Siliziumstruktur vorgesehen sind, die relativ
zueinander beweglich sind.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Erzeugung einer
mikromechanischen Struktur bzw. die erfindungsgemäße
mikromechanische Struktur haben demgegenüber den Vorteil,
dass oberflächliche leitfähige Metallsilizidschichten
vorgesehen sind. Durch diese leitfähigen
Metallsilizidschichten können elektrostatische
Oberflächenladungen auf den mikromechanischen Strukturen
vermieden werden. Weiterhin wird so ein Aneinanderhaften der
mikromechanischen Strukturen aneinander verringert.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Verbesserungen ergeben sich
durch die Maßnahmen der abhängigen Patentansprüche. Die
genannten Metalle sind in besonderem Maße zur Ausbildung von
Metallsilizidschichten geeignet. Als Material für die
Strukturen ist sowohl polykristallines wie auch
monokristallines Silizium geeignet. Besonders einfach kann
das Verfahren im Zusammenhang mit der Erzeugung von
Siliziumstrukturen auf Opferschichten, insbesondere auf
einem Träger, verwendet werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden in den Zeichnungen
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Es zeigen die Fig. 1 bis 6 eine Abfolge von
Verfahrensschritten zur Erzeugung einer mikromechanischen
Struktur und Fig. 7 eine Aufsicht auf eine mikromechanische
Struktur.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch eine Siliziumschicht
1, die mittels einer Opferschicht 2 auf einem Träger 3
angeordnet ist. Die hier gezeigten Schichtdicken sind nicht
maßstabsgerecht. Typischerweise ist die Siliziumschicht 1
zwischen 2 bis ca. 30 µm dick. Für die Opferschicht 2 werden
üblicherweise Schichtdicken in der Größenordnung von einigen
Mikrometern verwendet. Für den Träger 3 werden üblicherweise
Platten mit einer Dicke von mehr als 500 µm verwendet, da nur
so eine ausreichende mechanische Stabilität des gesamten
Aufbaus gegeben ist.
Die Siliziumschicht 1 kann sowohl aus polykristallinem
Silizium wie auch aus einkristallinem Silizium bestehen. Für
die Opferschicht 2 ist jedes Material geeignet, welches sich
selektiv zu dem Silizium der Schicht 1 ätzen lässt. Ein
typisches Material für eine Opferschicht 2 ist
beispielsweise Siliziumoxid oder Phosphorsilikatglas. Der
Träger 3 soll vor allen Dingen einen mechanisch stabilen
Aufbau gewährleisten. Übliche Materialien für den Träger 3
sind beispielsweise Silizium, Siliziumoxid oder keramische
Materialien.
Ein bevorzugter Aufbau besteht aus einem Siliziumwafer für
den Träger 3, einer Opferschicht aus Siliziumoxid und eine
polykristallinen Siliziumschicht 1.
Auf der Oberseite der Siliziumschicht 1 ist eine Maskierung
4 aufgebracht, die in der Fig. 1 bereits strukturiert ist.
Die strukturierte Maskierung 4 wird dazu genutzt, um in
einem Ätzschritt eine Struktur in die Siliziumschicht 1
einzubringen. Als Materialien für die Maskierung 4 eignen
sich Metalle, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Fotolack oder
ein Mehrschichtaufbau aus diesen Materialien. Bei dem
nachfolgenden Ätzschritt erfolgt nur dort ein Ätzangriff der
Siliziumschicht 1, wo diese nicht von der Maskierung 4
bedeckt ist.
In der Fig. 2 wird das Ergebnis eines derartigen
Ätzschrittes angewandt auf den Schichtaufbau nach Fig. 1
gezeigt. Durch Einätzen mittels eines anisotropen
Ätzprozesses, der insbesondere senkrechte Ätzflanken bildet,
sind Gräben 5 in die Siliziumschicht 1 eingebracht worden.
Durch die Gräben 5 wird die Siliziumschicht 1 in einzelne
Strukturen 6 unterteilt.
Zur Strukturierung der Siliziumschicht 1 sind insbesondere
anisotrope Plasmaätzverfahren basierend auf fluorhaltigen
Gasmischungen geeignet. Derartige Verfahren sind geeignet,
um senkrechte Ätzflanken für die Gräben 5 zu erzeugen.
In einem weiteren Verarbeitungsschritt wird nun eine
Metallschicht 7 abgeschieden. Dies wird in der Fig. 3 im
Querschnitt gezeigt. Wie in der Fig. 3 zu erkennen ist,
erfolgt die Abscheidung der Metallschicht 7 derart, dass
eine mehr oder minder gleichmäßige Abscheidung auf der
gesamten Oberfläche der Strukturen 6 und in den Gräben 5
erfolgt. Für die Metallschicht 7 werden dabei Metalle
verwendet, die in der Lage sind, durch eine
Temperaturbehandlung mit dem Silizium der Siliziumschicht 1
ein Metallsilizid zu bilden. Geeignet sind beispielsweise
die Metalle Titan, Zirkon, Hafnium, Vanadium, Chrom, Niob,
Tantal, Molybden, Wolfram, Cobalt, Nickel, Palladium und
Platin. Diese Metalle können Metallsilizide bilden, die gut
elektrisch reitfähig sind. Ein besonders geeignetes Material
ist beispielsweise Platin.
Die Abscheidung der Metallschicht 7 muß dabei so erfolgen,
dass eine möglichst gute Bedeckung sowohl an den Kanten wie
auch an den senkrechten Seitenwänden der Strukturen 6
erfolgt. Eine geeignete Dicke der Metallschicht 7 kann dabei
zwischen wenigen Nanometern bis einigen 100 Nanometern
liegen. Geeignete Abscheidungsmethoden sind beispielsweise
physikalische Methoden wie das Sputtern oder Aufdampfen von
Metallschichten. Weiterhin kann die Metallschicht 7 auch
durch chemische Verfahren wie das CVD-Verfahren erfolgen.
In einem nächsten Prozeßschritt erfolgt nun die Bildung
eines Metallsilizides. Dies wird in der Fig. 4 dargestellt.
Die Bildung des Metallsilizides erfolgt durch eine
Temperaturbehandlung, indem der Schichtaufbau nach der Fig.
3 einer Temperatur beispielsweise zwischen 400°C und 800°C
ausgesetzt wird. Die Wahl der Temperatur hängt natürlich
auch von dem verwendeten Metall für die Metallschicht 7 ab.
Für Platin ist eine Temperatur zwischen 400°C und 800°C
ausreichend. Dieser Temperaturprozeß kann in Abhängigkeit
von der Temperatur und dem Material für das Metall einige
Minuten bzw. einige Stunden durchgeführt werden. Wie in der
Fig. 4 zu erkennen ist, bildet sich dort, wo das Metall der
Metallschicht 7 in unmittelbarem Kontakt zu dem Silizium der
Strukturen 6 ist eine oberflächliche Metallsilizidschicht 8.
Dabei wird ein Teil der oberflächlichen Metallschicht 7
verbraucht bzw. wenn die Metallschicht 7 sehr dünn ist, wird
diese Metallschicht vollständig in Metallsilizid umgesetzt.
Da die Oberseite der Siliziumstrukturen 6 noch mit der
Maskierschicht 4 bedeckt sind, bildet sich in diesem Bereich
keine Metallsilizidschicht. Da im unteren Bereich der Gräben
5 die Metallschicht 7 auf der Opferschicht 2 liegt, bildet
sich dort ebenfalls kein Metallsilizid.
Als nächster Verarbeitungsschritt erfolgt nun eine Ätzung
der Metallschicht 7 selektiv zur Metallsilizidschicht 8. Die
chemischen Eigenschaften von Metallen und Metallsiliziden
unterscheiden sich deutlich. Es ist daher möglich, durch
geeignete Chemikalien die Metallschicht 7 in einem Ätzmedium
zu lösen, während die Metallsilizidschicht von dem Atzmedium
nicht gelöst wird. Bei der Verwendung von Platin für die
Metallschicht 7 kann beispielsweise diese Platinschicht
durch heißes Königswasser geätzt werden, während
gleichzeitig das entsprechende Metallsilizid (Platinsilizid)
von diesem Ätzmedium nicht angegriffen wird. Durch
Eintauchen des Schichtaufbaus nach der Fig. 4 in heißes
Königswasser kann somit selektiv die Metallschicht 7
entfernt werden und die Metallsilizidschichten 8 verbleiben
auf der Oberfläche der Siliziumstrukturen 6. Das Ergebnis
dieses Ätzschrittes wird im Querschnitt in der Fig. 5
gezeigt. Wie dort zu erkennen ist, weisen die
Siliziumstrukturen 6 nun senkrechte Seitenwände auf, die mit
einer Metallsilizidschicht 8 versehen sind. Auf der
Oberseite sind noch die Maskierschichten 4 angeordnet, die
ebenfalls nicht von dem Ätzmedium angegriffen wurden. Im
Fall von Platin ist beispielsweise Siliziumoxid ein
entsprechend geeignetes Maskiermaterial für die Maskierung
4. Weiterhin ist in der Fig. 5 zu erkennen, dass keinerlei
Metallschicht 7 mehr auf der Struktur verblieben ist.
In der Fig. 6 wird das Ergebnis eines weiteren
Verarbeitungsschrittes gezeigt, der in einer Ätzung der
Opferschicht 2 besteht, die Ätzung wird dabei so geführt,
dass nur die mittlere Siliziumstruktur 6 unterätzt wird,
d. h., dass die Opferschicht 2 vollständig unterhalb dieser
Struktur entfernt wird. In den beiden rechts und links
gelegenen Siliziumstrukturen 6 verbleibt jedoch die
Opferschicht 2. Es wird so eine zentrale bewegliche
Siliziumstruktur 10 geschaffen, die zwischen zwei
feststehenden Siliziumstrukturen 11 angeordnet ist. Die
Siliziumstrukturen 10 und 11 weisen senkrechte Seitenwände
auf, deren Oberflächen mit einer Metallsilizidschicht 8
versehen sind.
In der Fig. 7 wird exemplarisch eine Aufsicht auf ein
mikromechanisches Element gezeigt, welches eine derartige
bewegliche Siliziumstruktur 10 zwischen zwei feststehenden
Siliziumstrukturen 11 aufweist. Schematisch wird auch eine
Schnittlinie VI-VI gezeigt, die ungefähr der Fig. 6
entspricht. Die Fig. 6 entspricht nur ungefähr der
Schnittlinie VI-VI, da in der Fig. 6 die feststehenden
Strukturen 11 nach rechts und links nicht vollständig
sondern nur abgeschnitten dargestellt sind. Dies liegt darin
begründet, dass die Ausdehnung der feststehenden Strukturen
11 nach rechts und links in der Fig. 6 wesentlich größer
dargestellt werden müßte, was sich zeichnerisch nicht mehr
vernünftig darstellen lässt.
Die Fig. 7 zeigt hier eine Aufsicht auf ein
mikromechanisches Element, bei dem eine bewegliche Struktur
10 zwischen zwei feststehenden Strukturen 11 angeordnet ist.
Wie zu erkennen ist, ist die bewegliche Struktur 10 mit
einem Lagerblock 12 verbunden. Die feststehenden Strukturen
11 und der Lagerblock 12 sind durch Reste einer Opferschicht
2 (die in der Aufsicht der Fig. 7 nicht zu erkennen ist)
mit einem darunterliegenden Träger 3 verbunden. Die
bewegliche Struktur 10 ist jedoch nicht mit dem
darunterliegenden Träger 3 verbunden. Die bewegliche
Struktur 10 ist aufgrund ihrer geometrischen Abmessung, hier
insbesondere als lange dünne Zunge, so ausgelegt, dass sie
relativ zum Substrat 3 und somit auch relativ zu den
feststehenden Strukturen 11 durch eine Krafteinwirkung
bewegbar ist. Derartige Strukturen sind beispielsweise als
Beschleunigungssensoren einsetzbar.
Bei derartigen mikromechanischen Strukturen mit beweglichen
Elementen und feststehenden Elementen ist die Verwendung des
Materials Silizium nicht ganz unproblematisch, da es sich
bei dem Material Silizium um ein halbleitendes Material
handelt. Bei derartigen halbleitenden Materialien lässt es
sich nicht vollständig ausschließen, dass es zu
oberflächlichen elektrostatischen Ladungen. Derartige
elektrostatische Oberflächenladungen erzeugen Kräfte
zwischen den mikromechanischen Strukturen, insbesondere,
wenn die Abstände zwischen den Strukturen gering sind.
Aufgrund der schlechten Leitfähigkeit von Silizium können
sich derartige elektrostatische Oberflächenladungen nur
schlecht ausgleichen. Weiterhin werden bei mikromechanischen
Strukturen immer wieder ein Verkleben der Strukturen
miteinander beobachtet. Durch die Verwendung einer
oberflächlichen Metallsilizidschicht wird die Leitfähigkeit
der Siliziumstrukturen zumindest im oberflächlichen Bereich
verringert. Die Oberflächenladungen können dabei leichter
abgebaut werden, da sie sich nun sowohl auf der Oberfläche
wie auch in die Tiefe des Silizium hinein problemlos bewegen
können. Durch diese Maßnahme werden somit
Oberflächenladungen verringert. Weiterhin hat sich diese
Maßnahme auch als geeignet erwiesen, um ein Aneinanderhaften
der mikromechanischen Strukturen aneinander zu verringern.
Claims (7)
1. Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur,
bei dem aus einer Siliziumschicht (1) durch Einbringen von
Gräben (5) in die Siliziumschicht (1) mindestens eine
bewegliche (10) und eine feststehende (11) Struktur gebildet
werden, wobei die bewegliche Struktur (10) relativ zur
feststehenden Struktur (11) beweglich ist, dadurch
gekennzeichnet, dass nach dem Einbringen der Gräben (5) eine
Metallschicht (7) auf Seitenwänden der Gräben (5)
abgeschieden wird, dass danach eine Temperaturbehandlung
erfolgt, durch die Metall der Metallschicht (7) mit Silizium
der Siliziumschicht (1) ein Metallsilizid (8) bildet, und
dass danach ein Ätzprozeß erfolgt, der das Metall der
Metallschicht (7) entfernt und das Metallsilizid (8) nicht
entfernt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
für die Metallschicht (7) Titan, Zirkon, Hafnium, Vanadium,
Chrom, Niob, Tantal, Molybden, Wolfram, Cobalt, Nickel,
Palladium oder Platin verwendet wird.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass für die Siliziumschicht
polykristallines oder monokristallines Silizium verwendet
wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumschicht (1) auf
einer Opferschicht (2) angeordnet ist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass
die Opferschicht (2) auf einem Träger (3) insbesondere aus
Silizium oder Glas angeordnet ist.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Temperaturbehandlung bei
einer Temperatur zwischen 400°C bis 800°C erfolgt.
7. Mikromechanische Struktur mit einer beweglichen Struktur
(10) und mindestens einer feststehenden Struktur (11), wobei
die bewegliche Struktur (10) relativ zur feststehenden
Struktur (11) beweglich ist, wobei die bewegliche Struktur
(10) und die feststehende Struktur (11) im Wesentlichen aus
Silizium bestehen, dadurch gekennzeichnet, dass die
bewegliche Struktur (10) und/oder die feststehende Struktur
(11) eine oberflächliche Metallsilizidschicht (8) aufweisen.
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DE10055421A DE10055421A1 (de) | 2000-11-09 | 2000-11-09 | Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur |
US09/992,939 US6436821B1 (en) | 2000-11-09 | 2001-11-05 | Method for producing a micromechanical structure and a micromechanical structure |
JP2001345196A JP2002192499A (ja) | 2000-11-09 | 2001-11-09 | マイクロマシニング構造体、および該マイクロマシニング構造体を製造するための方法 |
US10/188,684 US6646314B2 (en) | 2000-11-09 | 2002-07-03 | Method for producing a micromechanical structure and a micromechanical structure |
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Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7550794B2 (en) * | 2002-09-20 | 2009-06-23 | Idc, Llc | Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer |
US7297471B1 (en) * | 2003-04-15 | 2007-11-20 | Idc, Llc | Method for manufacturing an array of interferometric modulators |
US6809033B1 (en) * | 2001-11-07 | 2004-10-26 | Fasl, Llc | Innovative method of hard mask removal |
US7781850B2 (en) | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device |
TW570896B (en) | 2003-05-26 | 2004-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
TW593126B (en) * | 2003-09-30 | 2004-06-21 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same |
KR101354520B1 (ko) * | 2004-07-29 | 2014-01-21 | 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. | 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법 |
US7684104B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-03-23 | Idc, Llc | MEMS using filler material and method |
US7417783B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-08-26 | Idc, Llc | Mirror and mirror layer for optical modulator and method |
US7369296B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-06 | Idc, Llc | Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator |
US7373026B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate |
CN101228091A (zh) * | 2005-07-22 | 2008-07-23 | 高通股份有限公司 | 用于mems装置的支撑结构及其方法 |
EP2495212A3 (de) * | 2005-07-22 | 2012-10-31 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | MEMS-Vorrichtungen mit Stützstrukturen und Herstellungsverfahren dafür |
US7795061B2 (en) | 2005-12-29 | 2010-09-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process |
US7382515B2 (en) | 2006-01-18 | 2008-06-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture |
US7450295B2 (en) * | 2006-03-02 | 2008-11-11 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers |
EP1837722B1 (de) * | 2006-03-24 | 2016-02-24 | ETA SA Manufacture Horlogère Suisse | Mikromechanisches Bauteil aus Isoliermaterial und Herstellungsverfahren dafür |
KR20070096834A (ko) * | 2006-03-24 | 2007-10-02 | 에타 쏘시에떼 아노님 마누팍투레 홀로게레 스위세 | 절연성 물질로 만들어지는 미세-기계 부분 및 상기 부분을제조하기 위한 방법 |
EP1837721A1 (de) * | 2006-03-24 | 2007-09-26 | ETA SA Manufacture Horlogère Suisse | Mikromechanisches Bauteil aus Isoliermaterial und Herstellungsverfahren dafür |
US7711239B2 (en) | 2006-04-19 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles |
US7321457B2 (en) | 2006-06-01 | 2008-01-22 | Qualcomm Incorporated | Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts |
JP4327183B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2009-09-09 | 株式会社日立製作所 | 内燃機関の高圧燃料ポンプ制御装置 |
US7763546B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-07-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices |
US7706042B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-04-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS device and interconnects for same |
US7733552B2 (en) | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
US7790611B2 (en) * | 2007-05-17 | 2010-09-07 | International Business Machines Corporation | Method for FEOL and BEOL wiring |
US7625825B2 (en) * | 2007-06-14 | 2009-12-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of patterning mechanical layer for MEMS structures |
US7569488B2 (en) * | 2007-06-22 | 2009-08-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of making a MEMS device by monitoring a process parameter |
US8068268B2 (en) | 2007-07-03 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS devices having improved uniformity and methods for making them |
EP2060534A1 (de) * | 2007-11-16 | 2009-05-20 | Nivarox-FAR S.A. | Mikromechanisches Bauteil aus Silizium-Metall-Verbundmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung |
FR2925887B1 (fr) * | 2007-12-27 | 2010-06-11 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif micromecanique ou nanomecanique a couche d'interface anti-collage |
US7863079B2 (en) | 2008-02-05 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device |
US7851239B2 (en) * | 2008-06-05 | 2010-12-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices |
US7864403B2 (en) * | 2009-03-27 | 2011-01-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity |
US9174835B2 (en) | 2010-12-27 | 2015-11-03 | Stmicroelectronics, Inc. | Microstructure and electronic device |
US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
US8470628B2 (en) * | 2011-06-20 | 2013-06-25 | International Business Machines Corporation | Methods to fabricate silicide micromechanical device |
US20130032904A1 (en) * | 2011-08-04 | 2013-02-07 | Robert Bosch Gmbh | Coated Capacitive Sensor |
CN102491253B (zh) * | 2011-11-29 | 2014-08-20 | 北京大学 | 一种不等高硅结构的加工方法 |
CN102583225B (zh) * | 2012-03-09 | 2015-05-06 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 一维大尺度多级台阶结构的制作方法 |
GB2521990A (en) * | 2013-03-22 | 2015-07-15 | Schrader Electronics Ltd | A microelectromechanical switch and related fabrication method |
WO2016136484A1 (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社フジクラ | 光ファイバ付きフェルール、及び、光ファイバ付きフェルールの製造方法 |
CN109795979B (zh) * | 2018-12-28 | 2021-11-09 | 南京大学 | 具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法 |
CN111584432A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-25 | 福建省晋华集成电路有限公司 | 动态随机存取存储器及其制作方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4614119A (en) * | 1985-03-08 | 1986-09-30 | The Foxboro Company | Resonant hollow beam and method |
US5417111A (en) * | 1990-08-17 | 1995-05-23 | Analog Devices, Inc. | Monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure |
US5417801A (en) * | 1993-06-29 | 1995-05-23 | Xerox Corporation | Process to manufacture bushings for micromechanical elements |
US5837562A (en) * | 1995-07-07 | 1998-11-17 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Process for bonding a shell to a substrate for packaging a semiconductor |
US6139759A (en) * | 1997-07-08 | 2000-10-31 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing silicided silicon microtips for scanning probe microscopy |
US5914521A (en) * | 1997-07-30 | 1999-06-22 | Motorola, Inc. | Sensor devices having a movable structure |
US5917226A (en) * | 1997-10-24 | 1999-06-29 | Stmicroelectronics, Inc. | Integrated released beam, thermo-mechanical sensor for sensing temperature variations and associated methods |
US6173612B1 (en) * | 1998-11-05 | 2001-01-16 | Alliedsignal Inc. | Stable metallization for electronic and electromechanical devices |
JP2001102597A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体構造およびその製造方法 |
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