DE10055421A1 - Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur - Google Patents

Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur

Info

Publication number
DE10055421A1
DE10055421A1 DE10055421A DE10055421A DE10055421A1 DE 10055421 A1 DE10055421 A1 DE 10055421A1 DE 10055421 A DE10055421 A DE 10055421A DE 10055421 A DE10055421 A DE 10055421A DE 10055421 A1 DE10055421 A1 DE 10055421A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
silicon
layer
metal
movable
structures
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10055421A
Other languages
English (en)
Inventor
Joachim Rudhard
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE10055421A priority Critical patent/DE10055421A1/de
Priority to US09/992,939 priority patent/US6436821B1/en
Priority to JP2001345196A priority patent/JP2002192499A/ja
Publication of DE10055421A1 publication Critical patent/DE10055421A1/de
Priority to US10/188,684 priority patent/US6646314B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0002Arrangements for avoiding sticking of the flexible or moving parts
    • B81B3/0008Structures for avoiding electrostatic attraction, e.g. avoiding charge accumulation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0086Electrical characteristics, e.g. reducing driving voltage, improving resistance to peak voltage
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0228Inertial sensors
    • B81B2201/0235Accelerometers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/11Treatments for avoiding stiction of elastic or moving parts of MEMS
    • B81C2201/112Depositing an anti-stiction or passivation coating, e.g. on the elastic or moving parts

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und eine mikromechanische Struktur vorgeschlagen, die eine bewegliche Struktur (10) und eine feststehende Struktur (11) aus Silizium aufweisen. Bei dem Verfahren zur Erzeugung der mikromechanischen Struktur wird in einem Prozeßschritt eine oberflächliche Metallsilizidschicht (8) in der beweglichen Struktur (10) und/oder der feststehenden Struktur (11) erzeugt.

Description

Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und einer mikromechanischen Struktur nach der Gattung der unabhängigen Patentansprüche. Es sind bereits Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur bzw. mikromechanische Strukturen bekannt, bei dem eine bewegliche Siliziumstruktur und eine feststehende Siliziumstruktur vorgesehen sind, die relativ zueinander beweglich sind.
Vorteile der Erfindung
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur bzw. die erfindungsgemäße mikromechanische Struktur haben demgegenüber den Vorteil, dass oberflächliche leitfähige Metallsilizidschichten vorgesehen sind. Durch diese leitfähigen Metallsilizidschichten können elektrostatische Oberflächenladungen auf den mikromechanischen Strukturen vermieden werden. Weiterhin wird so ein Aneinanderhaften der mikromechanischen Strukturen aneinander verringert.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Verbesserungen ergeben sich durch die Maßnahmen der abhängigen Patentansprüche. Die genannten Metalle sind in besonderem Maße zur Ausbildung von Metallsilizidschichten geeignet. Als Material für die Strukturen ist sowohl polykristallines wie auch monokristallines Silizium geeignet. Besonders einfach kann das Verfahren im Zusammenhang mit der Erzeugung von Siliziumstrukturen auf Opferschichten, insbesondere auf einem Träger, verwendet werden.
Zeichnungen
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen die Fig. 1 bis 6 eine Abfolge von Verfahrensschritten zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und Fig. 7 eine Aufsicht auf eine mikromechanische Struktur.
Beschreibung
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch eine Siliziumschicht 1, die mittels einer Opferschicht 2 auf einem Träger 3 angeordnet ist. Die hier gezeigten Schichtdicken sind nicht maßstabsgerecht. Typischerweise ist die Siliziumschicht 1 zwischen 2 bis ca. 30 µm dick. Für die Opferschicht 2 werden üblicherweise Schichtdicken in der Größenordnung von einigen Mikrometern verwendet. Für den Träger 3 werden üblicherweise Platten mit einer Dicke von mehr als 500 µm verwendet, da nur so eine ausreichende mechanische Stabilität des gesamten Aufbaus gegeben ist.
Die Siliziumschicht 1 kann sowohl aus polykristallinem Silizium wie auch aus einkristallinem Silizium bestehen. Für die Opferschicht 2 ist jedes Material geeignet, welches sich selektiv zu dem Silizium der Schicht 1 ätzen lässt. Ein typisches Material für eine Opferschicht 2 ist beispielsweise Siliziumoxid oder Phosphorsilikatglas. Der Träger 3 soll vor allen Dingen einen mechanisch stabilen Aufbau gewährleisten. Übliche Materialien für den Träger 3 sind beispielsweise Silizium, Siliziumoxid oder keramische Materialien.
Ein bevorzugter Aufbau besteht aus einem Siliziumwafer für den Träger 3, einer Opferschicht aus Siliziumoxid und eine polykristallinen Siliziumschicht 1.
Auf der Oberseite der Siliziumschicht 1 ist eine Maskierung 4 aufgebracht, die in der Fig. 1 bereits strukturiert ist. Die strukturierte Maskierung 4 wird dazu genutzt, um in einem Ätzschritt eine Struktur in die Siliziumschicht 1 einzubringen. Als Materialien für die Maskierung 4 eignen sich Metalle, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Fotolack oder ein Mehrschichtaufbau aus diesen Materialien. Bei dem nachfolgenden Ätzschritt erfolgt nur dort ein Ätzangriff der Siliziumschicht 1, wo diese nicht von der Maskierung 4 bedeckt ist.
In der Fig. 2 wird das Ergebnis eines derartigen Ätzschrittes angewandt auf den Schichtaufbau nach Fig. 1 gezeigt. Durch Einätzen mittels eines anisotropen Ätzprozesses, der insbesondere senkrechte Ätzflanken bildet, sind Gräben 5 in die Siliziumschicht 1 eingebracht worden. Durch die Gräben 5 wird die Siliziumschicht 1 in einzelne Strukturen 6 unterteilt.
Zur Strukturierung der Siliziumschicht 1 sind insbesondere anisotrope Plasmaätzverfahren basierend auf fluorhaltigen Gasmischungen geeignet. Derartige Verfahren sind geeignet, um senkrechte Ätzflanken für die Gräben 5 zu erzeugen.
In einem weiteren Verarbeitungsschritt wird nun eine Metallschicht 7 abgeschieden. Dies wird in der Fig. 3 im Querschnitt gezeigt. Wie in der Fig. 3 zu erkennen ist, erfolgt die Abscheidung der Metallschicht 7 derart, dass eine mehr oder minder gleichmäßige Abscheidung auf der gesamten Oberfläche der Strukturen 6 und in den Gräben 5 erfolgt. Für die Metallschicht 7 werden dabei Metalle verwendet, die in der Lage sind, durch eine Temperaturbehandlung mit dem Silizium der Siliziumschicht 1 ein Metallsilizid zu bilden. Geeignet sind beispielsweise die Metalle Titan, Zirkon, Hafnium, Vanadium, Chrom, Niob, Tantal, Molybden, Wolfram, Cobalt, Nickel, Palladium und Platin. Diese Metalle können Metallsilizide bilden, die gut elektrisch reitfähig sind. Ein besonders geeignetes Material ist beispielsweise Platin.
Die Abscheidung der Metallschicht 7 muß dabei so erfolgen, dass eine möglichst gute Bedeckung sowohl an den Kanten wie auch an den senkrechten Seitenwänden der Strukturen 6 erfolgt. Eine geeignete Dicke der Metallschicht 7 kann dabei zwischen wenigen Nanometern bis einigen 100 Nanometern liegen. Geeignete Abscheidungsmethoden sind beispielsweise physikalische Methoden wie das Sputtern oder Aufdampfen von Metallschichten. Weiterhin kann die Metallschicht 7 auch durch chemische Verfahren wie das CVD-Verfahren erfolgen.
In einem nächsten Prozeßschritt erfolgt nun die Bildung eines Metallsilizides. Dies wird in der Fig. 4 dargestellt. Die Bildung des Metallsilizides erfolgt durch eine Temperaturbehandlung, indem der Schichtaufbau nach der Fig. 3 einer Temperatur beispielsweise zwischen 400°C und 800°C ausgesetzt wird. Die Wahl der Temperatur hängt natürlich auch von dem verwendeten Metall für die Metallschicht 7 ab. Für Platin ist eine Temperatur zwischen 400°C und 800°C ausreichend. Dieser Temperaturprozeß kann in Abhängigkeit von der Temperatur und dem Material für das Metall einige Minuten bzw. einige Stunden durchgeführt werden. Wie in der Fig. 4 zu erkennen ist, bildet sich dort, wo das Metall der Metallschicht 7 in unmittelbarem Kontakt zu dem Silizium der Strukturen 6 ist eine oberflächliche Metallsilizidschicht 8. Dabei wird ein Teil der oberflächlichen Metallschicht 7 verbraucht bzw. wenn die Metallschicht 7 sehr dünn ist, wird diese Metallschicht vollständig in Metallsilizid umgesetzt. Da die Oberseite der Siliziumstrukturen 6 noch mit der Maskierschicht 4 bedeckt sind, bildet sich in diesem Bereich keine Metallsilizidschicht. Da im unteren Bereich der Gräben 5 die Metallschicht 7 auf der Opferschicht 2 liegt, bildet sich dort ebenfalls kein Metallsilizid.
Als nächster Verarbeitungsschritt erfolgt nun eine Ätzung der Metallschicht 7 selektiv zur Metallsilizidschicht 8. Die chemischen Eigenschaften von Metallen und Metallsiliziden unterscheiden sich deutlich. Es ist daher möglich, durch geeignete Chemikalien die Metallschicht 7 in einem Ätzmedium zu lösen, während die Metallsilizidschicht von dem Atzmedium nicht gelöst wird. Bei der Verwendung von Platin für die Metallschicht 7 kann beispielsweise diese Platinschicht durch heißes Königswasser geätzt werden, während gleichzeitig das entsprechende Metallsilizid (Platinsilizid) von diesem Ätzmedium nicht angegriffen wird. Durch Eintauchen des Schichtaufbaus nach der Fig. 4 in heißes Königswasser kann somit selektiv die Metallschicht 7 entfernt werden und die Metallsilizidschichten 8 verbleiben auf der Oberfläche der Siliziumstrukturen 6. Das Ergebnis dieses Ätzschrittes wird im Querschnitt in der Fig. 5 gezeigt. Wie dort zu erkennen ist, weisen die Siliziumstrukturen 6 nun senkrechte Seitenwände auf, die mit einer Metallsilizidschicht 8 versehen sind. Auf der Oberseite sind noch die Maskierschichten 4 angeordnet, die ebenfalls nicht von dem Ätzmedium angegriffen wurden. Im Fall von Platin ist beispielsweise Siliziumoxid ein entsprechend geeignetes Maskiermaterial für die Maskierung 4. Weiterhin ist in der Fig. 5 zu erkennen, dass keinerlei Metallschicht 7 mehr auf der Struktur verblieben ist.
In der Fig. 6 wird das Ergebnis eines weiteren Verarbeitungsschrittes gezeigt, der in einer Ätzung der Opferschicht 2 besteht, die Ätzung wird dabei so geführt, dass nur die mittlere Siliziumstruktur 6 unterätzt wird, d. h., dass die Opferschicht 2 vollständig unterhalb dieser Struktur entfernt wird. In den beiden rechts und links gelegenen Siliziumstrukturen 6 verbleibt jedoch die Opferschicht 2. Es wird so eine zentrale bewegliche Siliziumstruktur 10 geschaffen, die zwischen zwei feststehenden Siliziumstrukturen 11 angeordnet ist. Die Siliziumstrukturen 10 und 11 weisen senkrechte Seitenwände auf, deren Oberflächen mit einer Metallsilizidschicht 8 versehen sind.
In der Fig. 7 wird exemplarisch eine Aufsicht auf ein mikromechanisches Element gezeigt, welches eine derartige bewegliche Siliziumstruktur 10 zwischen zwei feststehenden Siliziumstrukturen 11 aufweist. Schematisch wird auch eine Schnittlinie VI-VI gezeigt, die ungefähr der Fig. 6 entspricht. Die Fig. 6 entspricht nur ungefähr der Schnittlinie VI-VI, da in der Fig. 6 die feststehenden Strukturen 11 nach rechts und links nicht vollständig sondern nur abgeschnitten dargestellt sind. Dies liegt darin begründet, dass die Ausdehnung der feststehenden Strukturen 11 nach rechts und links in der Fig. 6 wesentlich größer dargestellt werden müßte, was sich zeichnerisch nicht mehr vernünftig darstellen lässt.
Die Fig. 7 zeigt hier eine Aufsicht auf ein mikromechanisches Element, bei dem eine bewegliche Struktur 10 zwischen zwei feststehenden Strukturen 11 angeordnet ist. Wie zu erkennen ist, ist die bewegliche Struktur 10 mit einem Lagerblock 12 verbunden. Die feststehenden Strukturen 11 und der Lagerblock 12 sind durch Reste einer Opferschicht 2 (die in der Aufsicht der Fig. 7 nicht zu erkennen ist) mit einem darunterliegenden Träger 3 verbunden. Die bewegliche Struktur 10 ist jedoch nicht mit dem darunterliegenden Träger 3 verbunden. Die bewegliche Struktur 10 ist aufgrund ihrer geometrischen Abmessung, hier insbesondere als lange dünne Zunge, so ausgelegt, dass sie relativ zum Substrat 3 und somit auch relativ zu den feststehenden Strukturen 11 durch eine Krafteinwirkung bewegbar ist. Derartige Strukturen sind beispielsweise als Beschleunigungssensoren einsetzbar.
Bei derartigen mikromechanischen Strukturen mit beweglichen Elementen und feststehenden Elementen ist die Verwendung des Materials Silizium nicht ganz unproblematisch, da es sich bei dem Material Silizium um ein halbleitendes Material handelt. Bei derartigen halbleitenden Materialien lässt es sich nicht vollständig ausschließen, dass es zu oberflächlichen elektrostatischen Ladungen. Derartige elektrostatische Oberflächenladungen erzeugen Kräfte zwischen den mikromechanischen Strukturen, insbesondere, wenn die Abstände zwischen den Strukturen gering sind. Aufgrund der schlechten Leitfähigkeit von Silizium können sich derartige elektrostatische Oberflächenladungen nur schlecht ausgleichen. Weiterhin werden bei mikromechanischen Strukturen immer wieder ein Verkleben der Strukturen miteinander beobachtet. Durch die Verwendung einer oberflächlichen Metallsilizidschicht wird die Leitfähigkeit der Siliziumstrukturen zumindest im oberflächlichen Bereich verringert. Die Oberflächenladungen können dabei leichter abgebaut werden, da sie sich nun sowohl auf der Oberfläche wie auch in die Tiefe des Silizium hinein problemlos bewegen können. Durch diese Maßnahme werden somit Oberflächenladungen verringert. Weiterhin hat sich diese Maßnahme auch als geeignet erwiesen, um ein Aneinanderhaften der mikromechanischen Strukturen aneinander zu verringern.

Claims (7)

1. Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur, bei dem aus einer Siliziumschicht (1) durch Einbringen von Gräben (5) in die Siliziumschicht (1) mindestens eine bewegliche (10) und eine feststehende (11) Struktur gebildet werden, wobei die bewegliche Struktur (10) relativ zur feststehenden Struktur (11) beweglich ist, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Einbringen der Gräben (5) eine Metallschicht (7) auf Seitenwänden der Gräben (5) abgeschieden wird, dass danach eine Temperaturbehandlung erfolgt, durch die Metall der Metallschicht (7) mit Silizium der Siliziumschicht (1) ein Metallsilizid (8) bildet, und dass danach ein Ätzprozeß erfolgt, der das Metall der Metallschicht (7) entfernt und das Metallsilizid (8) nicht entfernt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass für die Metallschicht (7) Titan, Zirkon, Hafnium, Vanadium, Chrom, Niob, Tantal, Molybden, Wolfram, Cobalt, Nickel, Palladium oder Platin verwendet wird.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass für die Siliziumschicht polykristallines oder monokristallines Silizium verwendet wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumschicht (1) auf einer Opferschicht (2) angeordnet ist.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Opferschicht (2) auf einem Träger (3) insbesondere aus Silizium oder Glas angeordnet ist.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperaturbehandlung bei einer Temperatur zwischen 400°C bis 800°C erfolgt.
7. Mikromechanische Struktur mit einer beweglichen Struktur (10) und mindestens einer feststehenden Struktur (11), wobei die bewegliche Struktur (10) relativ zur feststehenden Struktur (11) beweglich ist, wobei die bewegliche Struktur (10) und die feststehende Struktur (11) im Wesentlichen aus Silizium bestehen, dadurch gekennzeichnet, dass die bewegliche Struktur (10) und/oder die feststehende Struktur (11) eine oberflächliche Metallsilizidschicht (8) aufweisen.
DE10055421A 2000-11-09 2000-11-09 Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur Withdrawn DE10055421A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10055421A DE10055421A1 (de) 2000-11-09 2000-11-09 Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur
US09/992,939 US6436821B1 (en) 2000-11-09 2001-11-05 Method for producing a micromechanical structure and a micromechanical structure
JP2001345196A JP2002192499A (ja) 2000-11-09 2001-11-09 マイクロマシニング構造体、および該マイクロマシニング構造体を製造するための方法
US10/188,684 US6646314B2 (en) 2000-11-09 2002-07-03 Method for producing a micromechanical structure and a micromechanical structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10055421A DE10055421A1 (de) 2000-11-09 2000-11-09 Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10055421A1 true DE10055421A1 (de) 2002-05-29

Family

ID=7662625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10055421A Withdrawn DE10055421A1 (de) 2000-11-09 2000-11-09 Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6436821B1 (de)
JP (1) JP2002192499A (de)
DE (1) DE10055421A1 (de)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US7297471B1 (en) * 2003-04-15 2007-11-20 Idc, Llc Method for manufacturing an array of interferometric modulators
US6809033B1 (en) * 2001-11-07 2004-10-26 Fasl, Llc Innovative method of hard mask removal
US7781850B2 (en) 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
TW570896B (en) 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW593126B (en) * 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
KR101354520B1 (ko) * 2004-07-29 2014-01-21 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법
US7684104B2 (en) 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
US7417783B2 (en) * 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Mirror and mirror layer for optical modulator and method
US7369296B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7373026B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate
CN101228091A (zh) * 2005-07-22 2008-07-23 高通股份有限公司 用于mems装置的支撑结构及其方法
EP2495212A3 (de) * 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. MEMS-Vorrichtungen mit Stützstrukturen und Herstellungsverfahren dafür
US7795061B2 (en) 2005-12-29 2010-09-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process
US7382515B2 (en) 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US7450295B2 (en) * 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
EP1837722B1 (de) * 2006-03-24 2016-02-24 ETA SA Manufacture Horlogère Suisse Mikromechanisches Bauteil aus Isoliermaterial und Herstellungsverfahren dafür
KR20070096834A (ko) * 2006-03-24 2007-10-02 에타 쏘시에떼 아노님 마누팍투레 홀로게레 스위세 절연성 물질로 만들어지는 미세-기계 부분 및 상기 부분을제조하기 위한 방법
EP1837721A1 (de) * 2006-03-24 2007-09-26 ETA SA Manufacture Horlogère Suisse Mikromechanisches Bauteil aus Isoliermaterial und Herstellungsverfahren dafür
US7711239B2 (en) 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US7321457B2 (en) 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
JP4327183B2 (ja) * 2006-07-31 2009-09-09 株式会社日立製作所 内燃機関の高圧燃料ポンプ制御装置
US7763546B2 (en) 2006-08-02 2010-07-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices
US7706042B2 (en) 2006-12-20 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and interconnects for same
US7733552B2 (en) 2007-03-21 2010-06-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc MEMS cavity-coating layers and methods
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
US7790611B2 (en) * 2007-05-17 2010-09-07 International Business Machines Corporation Method for FEOL and BEOL wiring
US7625825B2 (en) * 2007-06-14 2009-12-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of patterning mechanical layer for MEMS structures
US7569488B2 (en) * 2007-06-22 2009-08-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of making a MEMS device by monitoring a process parameter
US8068268B2 (en) 2007-07-03 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices having improved uniformity and methods for making them
EP2060534A1 (de) * 2007-11-16 2009-05-20 Nivarox-FAR S.A. Mikromechanisches Bauteil aus Silizium-Metall-Verbundmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung
FR2925887B1 (fr) * 2007-12-27 2010-06-11 Commissariat Energie Atomique Dispositif micromecanique ou nanomecanique a couche d'interface anti-collage
US7863079B2 (en) 2008-02-05 2011-01-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device
US7851239B2 (en) * 2008-06-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices
US7864403B2 (en) * 2009-03-27 2011-01-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Post-release adjustment of interferometric modulator reflectivity
US9174835B2 (en) 2010-12-27 2015-11-03 Stmicroelectronics, Inc. Microstructure and electronic device
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US8470628B2 (en) * 2011-06-20 2013-06-25 International Business Machines Corporation Methods to fabricate silicide micromechanical device
US20130032904A1 (en) * 2011-08-04 2013-02-07 Robert Bosch Gmbh Coated Capacitive Sensor
CN102491253B (zh) * 2011-11-29 2014-08-20 北京大学 一种不等高硅结构的加工方法
CN102583225B (zh) * 2012-03-09 2015-05-06 上海先进半导体制造股份有限公司 一维大尺度多级台阶结构的制作方法
GB2521990A (en) * 2013-03-22 2015-07-15 Schrader Electronics Ltd A microelectromechanical switch and related fabrication method
WO2016136484A1 (ja) * 2015-02-24 2016-09-01 株式会社フジクラ 光ファイバ付きフェルール、及び、光ファイバ付きフェルールの製造方法
CN109795979B (zh) * 2018-12-28 2021-11-09 南京大学 具有内嵌金属环的纳米孔阵列结构的制备方法
CN111584432A (zh) * 2020-05-28 2020-08-25 福建省晋华集成电路有限公司 动态随机存取存储器及其制作方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4614119A (en) * 1985-03-08 1986-09-30 The Foxboro Company Resonant hollow beam and method
US5417111A (en) * 1990-08-17 1995-05-23 Analog Devices, Inc. Monolithic chip containing integrated circuitry and suspended microstructure
US5417801A (en) * 1993-06-29 1995-05-23 Xerox Corporation Process to manufacture bushings for micromechanical elements
US5837562A (en) * 1995-07-07 1998-11-17 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Process for bonding a shell to a substrate for packaging a semiconductor
US6139759A (en) * 1997-07-08 2000-10-31 International Business Machines Corporation Method of manufacturing silicided silicon microtips for scanning probe microscopy
US5914521A (en) * 1997-07-30 1999-06-22 Motorola, Inc. Sensor devices having a movable structure
US5917226A (en) * 1997-10-24 1999-06-29 Stmicroelectronics, Inc. Integrated released beam, thermo-mechanical sensor for sensing temperature variations and associated methods
US6173612B1 (en) * 1998-11-05 2001-01-16 Alliedsignal Inc. Stable metallization for electronic and electromechanical devices
JP2001102597A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Fuji Electric Co Ltd 半導体構造およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20020171150A1 (en) 2002-11-21
US6436821B1 (en) 2002-08-20
JP2002192499A (ja) 2002-07-10
US20020055253A1 (en) 2002-05-09
US6646314B2 (en) 2003-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10055421A1 (de) Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur
DE19680590B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Beschleunigungssensoren
DE4341271B4 (de) Beschleunigungssensor aus kristallinem Material und Verfahren zur Herstellung dieses Beschleunigungssensors
WO2007068590A1 (de) Mikromechanisches bauelement und herstellungsverfahren
DE10024266B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements
EP1167934A1 (de) Mikromechanisches Bauelement, insbesondere Sensorelement, mit einer stabilisierten Membran und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelementes
DE10130379A1 (de) Mikromechanischer Massenflusssensor und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1359593B1 (de) SPM-Sensor und Verfahren zur Herstellung desselben
DE19732250A1 (de) Verfahren zur Herstellung metallischer Mikrostrukturen
EP2550234B1 (de) Verfahren zur herstellung einer mikroelektromechanischen vorrichtung und mikroelektromechanische vorrichtung
EP1540712A2 (de) Herstellungsverfahren für eine halbleiterstruktur
DE102010003129B4 (de) Ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements auf einem Substrat
DE69817452T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer micromechanischen Messsonde, insbesondere eines Rasterkraftmikroskops
DE102018222377A1 (de) Verfahren zum Ätzen einer Opferschicht für die Herstellung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Vorrichtung
EP1590644B1 (de) Mikromechanisches sensor und verfahren zu dessen herstellung
DE102005056879A1 (de) Verfahren zur Erzeugung einer Mehrzahl regelmäßig angeordneter Nanoverbindungen auf einem Substrat
DE10046621A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Membransensor-Arrays sowie Membransensor-Array
EP1359388A1 (de) SPM-Sensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006001386A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Membran auf einem Halbleitersubstrat und mikromechanisches Bauelement mit einer solchen Membran
DE10236150A1 (de) Verfahren zur Herstellung wenigstens einer kleinen Öffnung in einer Schicht auf einem Substrat und damit hergestellte Bauelemente
DE102021116587B3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Ätzmaske, Verfahren zum Ätzen einer Struktur in ein Substrat, Verwendung einer Tetrelschicht
DE102007046498B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Bauelementes
DE102004028030A1 (de) Beschichtungsverfahren für strukturierte Substratoberflächen
DE102009026639A1 (de) Elektromechanische Mikrostruktur
DE10236149A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer eine schmale Schneide oder Spitze aufweisenden Struktur und mit einer solchen Struktur versehener Biegebalken

Legal Events

Date Code Title Description
8141 Disposal/no request for examination