NL8103377A - Weergeefinrichting. - Google Patents

Weergeefinrichting. Download PDF

Info

Publication number
NL8103377A
NL8103377A NL8103377A NL8103377A NL8103377A NL 8103377 A NL8103377 A NL 8103377A NL 8103377 A NL8103377 A NL 8103377A NL 8103377 A NL8103377 A NL 8103377A NL 8103377 A NL8103377 A NL 8103377A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
electrodes
electrode
micro
image
display device
Prior art date
Application number
NL8103377A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8103377A priority Critical patent/NL8103377A/nl
Priority to EP82200873A priority patent/EP0071287B1/en
Priority to DE8282200873T priority patent/DE3277331D1/de
Priority to ES513952A priority patent/ES8305945A1/es
Priority to JP57122270A priority patent/JPS5818675A/ja
Priority to CA000407375A priority patent/CA1194194A/en
Publication of NL8103377A publication Critical patent/NL8103377A/nl
Priority to US06/877,696 priority patent/US4681403A/en
Priority to SG48090A priority patent/SG48090G/en
Priority to HK850/91A priority patent/HK85091A/xx

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00333—Aspects relating to packaging of MEMS devices, not covered by groups B81C1/00269 - B81C1/00325
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0102—Constructional details, not otherwise provided for in this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
    • G02F1/163—Operation of electrochromic cells, e.g. electrodeposition cells; Circuit arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/38—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using electrochromic devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0102—Surface micromachining
    • B81C2201/0105—Sacrificial layer
    • B81C2201/0107—Sacrificial metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0136—Growing or depositing of a covering layer
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Description

ΕΗΝ 1Q.097 * 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven "Weergeefinrichting"
De uitvinding heeft betrekking (¾) een weergeefinrichting bevat-tende een elektro-optisch waergeefmedium. tussen twee steunplaten, welke zijn voorzien van een stelsel van in rijen en kolcmmen gerangschikte beeldelenenten en een stelsel van rij- en kolcmelektroden voor het aan-5 sturen van het stelsel van beeldelenenten, waarbij elk beeldelenent net een elektrode van het stelsel van rij- en kolorelektroden kan warden verbonden door middel van een schakelelenent.
Een dergelijke weergeefinrichting is geschikt voor het weergeven van alpha-numerieke en video informatie met passieve elektro-optische 10 weergeef media, zoals vloeibare kristallen, elektrqphoretische suspensies en elektrochraie mater ialene
De bekende passieve elektro-optische weergeefmedia bezitten in het algemeen een onvoldoend steile drenpel ten opzichte van de aangelegde spanning en/of bezitten een onvoldoend intrinsiek geheugen. Deze eigen-15 schappen veroorzaken bij mtrixweergeefinrichtingen, dat het aantal aan te sturen lijnen gering is. Door het gebrek aan geheugen moet de aan een geselkteerde rij-elektrode via de kolorelektroden aangeboden informatie steeds opnieuw warden ingeschreven. Bovendien staan de op de kolan-elektroden aangeboden spanningen niet alleen over de beeldelenenten van 20 een geselekteerde rij elektrode, maar ook over de beeldelenenten van alio andere rijelektroden. Hierdoor ondervinden beeldelenenten gedurende de tijd, dat deze niet zijn aangestuurd een effektieve spanning, die vol-doende kan zijn on een beeldelenent in de aan—toestand te brengen. Voorts neenrt bij een toenemend aantal rijelektroden de verhouding van de effek-25 tieve spanning, die een beeldelenent in de aan- en uit-toestand onder-vindt af. Door het gebrek aan een voldoend steile dreipel neerat daardoor het kontrast tussen beeldelenenten in de aan- en uittoestand af.
Het is bekend dat het aantal aan te sturen rijen kan warden ver-groot door per beeldelenent een extra schakelaar te integreren. Deze 30 schakelaar zorgt voor een voldoende drenpel ten opzichte van de aangelegde spanning en zorgt ervoor dat de aan een aangestuurde rij elektrode aangeboden informatie over een beeldelenent blijft staan gedurende de tijd, dat de overige rijelektroden warden aangestuurd. De schakelaar 8103377 k t' EHN 10.097 2 λ 1 ---------voorkcmfc tevens dat een beeldelement een effektieve spanning ondervindt gedurende de tijd, dat deze niet is aangestuurd.
Een weergeefinrichting van een in de aanhef genoemde soort is bekend uit het artikel "Active Matrix Addressing Techniques" S.I.D.
5 Seminar lecture Notes Mei 1980 pagina 1-34. Als schakelelementen worden in dit artikel niet-lineaire weerstanden, zoals varistoren; netaal-oxide halfgeleider (MOS) strukturen en dunne film transistoren genoemd.
Deze bekende schakelelementen hebben het nadeel, dat bij de drempelspanning van het elektro-optische effekt steeds de drempelspan-10 ning van het schakelelement en de spanningsval over de serieweerstand van het schakelelement moet warden qpgeteld0
Verder bezitten deze- schakelelementen een betrekkelijk grote kapaciteit ten opzichte van de kapaciteit van een beeldelercent. Bij het aansturen treedt een spanningsdeling over deze kapaciteiten op, als ge-15 volg waarvan slechts een deel van de aangeboden spanning over een beeldelement kornt te staan. Aktieve schakelelementen hebben voorts het nadeel, dat de weerstand van het schakelelement in de open toestand vaak niet groot genoeg is cm lekstromen te voorkoroen. Hierdoar is de bereikbare geheugentijd van de weergeefinrichting beperkt.
20 De bekende schakelelementen nemen voorts een betrekkelijk groot oppervlak ten opzichte van het oppervlak van de beeldelementen in.
Het is dan ook het doel van de uitvinding een weergeefinrichting voorzien van nagenoeg ideale schakelelementen aan te geven. Een weergeefinrichting van een in de aanhef genoemde soort wordt daartoe geken-25 merkt, doordat elk schakelelement wordt gevormd door ten minste SSn elektrostatisch bestuurbare mikrobladveer. Deze mikrobladveren worden geschakeld door een spanningsverschil aan te liggen tussen de mikrobladveren en de te kontakteren elektroden. De mikrobladveren zijn bi-stabiel, dat wil zeggen dat de mikrobladveren pas boven een zekere drettt-30 pelspanning naar de te kontakteren elektroden cmklappen. Dergelijke zeer kleine mikrobladveertjes kunnen vervaardigd worden net behulp van op zich bekende opdamp- en onderetstechnieken. Dergelijke technieken zijn beschreven in de riederlandse octrooiaanvrage 7510103 en in de niet voor-gepubliceerde nederlandse octrooiaanvragen 8001281 en 8002635.
35 Een groot voordeel van deze mikrobladveertjes als schakelelenent is, dat in de gesloten toestand de drertpelspanning van het schakelelement verdwijnt. Bovendien is, cmdat er een zuiver metaal-netaal kontakt gemaakt wordt, de serieweerstand van het schakelelenent in de gesloten 8103377 PEN 10.097 3 4 a ______ toestand verwaarloosbaar klein. Hierdoor behoeft bij de drempelspanning van bet elektro-optiscbe effekt niet meer de spanningsval over bet schakelelement te warden opgeteld. De vocr bet aansturen van de weer-geeflnrichting benodigde spanningen kunnen hierdoor met gebtruikelijke 5 geintegreerde schakelingen warden verkregen.
Een vender groot voordeel van deze microbladveertjes is, dat de weerstand van bet schakelelement in de open toestand oneindig groot is. Een micxobLadveer ligt in de niet bekrachtigde toestand immers los van de te kontakteren elektrode. Hierdoor kan de spanning over een 10 beeldelement niet via de scbakelaar weglekken, zodat de gebeugentijd van de weergeefinrichting aanzienlijk wardt verlengd.
Een vender voordeel van de microbladveertjes als schakelelement is, dat de scbakelelementen een verwaarloosbare capaciteit ten opzichte van de capaciteit van de beeldelementen bezitten. Hierdoor 15 kcrafc nagenoeg geheel de aanstuurspanning over een beeldelement te staan.
Voarts neroen de micro-bladveert j es slechts een gering opper-vlak in beslag ten opzichte van bet cppervlak van de beeldelementen, zodat de scbakelelementen nagenoeg onzichtbaar zijn. Bovendien laten de 20 microbladveertjes een grote ontwerpsvrijbeid toe en kunnen de microbladveertjes op velerlei wijzen warden gerealiseerd.
Cpgemerkt wardt dat uit bet artikel "Micromechanical Membrane Switches on Silicon" I.B.M. J. Res. Develop. 23, 4, 1979 , 376-385 micro-schakelelementen op zicb bekend zijn. De scbakelelementen warden gevormd 25 door gemetaliseerde Si02“membranen, die in een siliciumsubstraat zijn aangebracbt met behulp van IC-technieken. De membranen kunnen onder invloed van een spanningsverschil doarbuigen en daarmede kontakt mafeen met een andere elektrode. Het betreft hier echter geen scbakelelementen voor een weergeefinrichting met een elektro-cptisch weergeefmedium, die 30 het elektro-optiscbe weergeefmedium van een drempel en van een geheugen voarzien.
Een eerste uitvoeringsvorm van een weergeefinrichting volgens de uitvinding wardt gekenmerkt, doordat elk beeldelement wardt gevormd door twee op de naar elkaar toegekeerde oppervlakken van de steunplaten 35 aangebrachte beeldelektroden, doordat de rijelektroden op de ene steunplaat en de kolonelektroden op de andere steunplaat zijn aange-bracht, en doordat elke beeldelektrode op de ene steunplaat met een rijelektrode kan warden verbanden door middel van ten minste een micro- 8103377
» V
t EHN 10.097 4 ____bladveer. Een microbladveer staat bij deze uitvoeringsvorm in serie ____________ met een beeldelement tussen een rijelektrode en een kolcmelektrode.
Deze uitvoeringsvorm is het analogon van een ideale niet-lineaire weerstand. Opgemerkt wordt dat zowel de rij- als kolcnelektroden als 5 aanstuurelektroden en informatie-elektroden dienst kunnen doen.
Een tweede uitvoeringsvorm wordt gekenmerkt, doordat de rijelektroden onder de beeldelektroden verlopen en elektrisch van de beeldelektroden zijn geisoleerd, doordat de beeldelektroden zijn voor-zien van een opening, welke zich uitstrekt over een rijelektrode, welke 10 ter plaatse van de opening niet is geisoleerd, en doordat elke beeld-elektrode met een rijelektrode kan worden verbonden door middel van ten minste een ter plaatse van de opening in de beeldelektrode aangebrachte microbladveer, welke is opgesloten in een holte, welke wordt gevormd door een zich over de opening in een beeldelektrode uitstrekkende 15 elektrisch geleidende afdekkap. Bij deze uitvoeringsvorm beweegt de microschakelaar zich niet vrij in het weergeefmedium maar wordt afgedekt ✓ door een afdekkap. Bij een vloeibaar kristal als weergeefmedium biedt deze uitvoeringsvorm bet voordeel, dat de orienteringslaag voor de vloeibaar kristal molekulen ter plaatse van de schakelaar niet onder-20 broken hoeft te worden maar over de afdekkap kan doorlopen. Het optreden van mogelijke storende gebieden ter plaatse van de schakelaars wordt hiermee voorkomen.
Een verdere uitvoeringsvorm wordt gekenmerkt, doordat de beeldelektroden en de afdekkap reflekterend zijn.
25 Bij de eerste en tweede uitvoeringsvorm kunnen volgens een verdere uitvoeringsvorm op voordelige wijze de beeldelektroden en de kolonelektroden op de andere steunplaat zijn geintegreerd tot strip-vormige elektroden.
Een derde uitvoeringsvorm wordt gekenmerkt, doordat de rij-30 elektroden en de kolonelektroden zijn aangebracht op de ene steunplaat, het stelsel van beeldelementen wordt gevoond door op de ene steunplaat aangebrachte beeldelektroden en een op de andere steunplaat aangebrachte gemeenschappelijke tegenelektrode en doordat een beeldelektrode met een bijbehorende kolcmelektrode kan worden verbonden door middel van 35 tenminste een microbladveer, welke door de bijbehorende rijelektrode kan worden geschakeld. Deze uitvoeringsvorm is het analogon van een ideale TET-rschakelaar. De rij- en kolcmelektroden bevinden zich op <*, dezelfde steunplaat. Een beeldelektrode> en een kolcmelektrode warden 8103177' EHN 10.097 5 « V * gekcntakteerd door een microbladveer, welke wordt geschakeld door ____ een rijeldctrode.
Een vierde uitvoeringsvorm wordt gekenmerkt, doordat op elk kruispunt een kolcmalektrode van een rijelektrode is geisoleerd 5 door middel van een elektrisch geleidende brag, doordat een microblad-veer zich order de brag uitstrekt over de rijelektrode en een gedeelte van de bijbehorende beeldelektrode en doordat de microbladveer met ten-minste een uiteinde aan een kolcmelektrode is bevestigd. Bij deze uitvoeringsvorm warden een beeldelektrode en een kolatelektrode 10 gekantakteerd door een microbladveer, welke is opgenamen in de kolcm-elektrode. De microbladveer, welke weer wordt geschakeld door een rijelektrode, is hierbij zelf strocmvoerend.
Een vijfde uitvoeringsvorm wordt gekenmerkt, doordat de kolatelektroden en de rijelektroden op de kruispunten van elkaar zijn 15 geisoleerd, doordat de vaste uiteinden van de microbladveren op de ene steunplaat zijn aangebracht en doordat elke microbladveer zich uitstrekt over een rijelektrode en een gedeelte van een kolatelektrode en een gedeelte van een bijbehorende beeldelektrode. De microbladveren zijn bij deze uitvoeringsvorm niet zelf stroomvoerend. Elke micro-20 bladveer wordt door een rijelektrode geschakeld en maken in geschakelde toestand kontakt met een kolatelektrode en een beeldelektrode.
Ter verhoging van de bedrij f szekerheid kunnen de beeldelementen bij een weergeefinrichting volgens de uitvinding worden voorzien van meerdere microbladveren in serie, parallel of een karibinatie daarvan.
25 De uitvinding wordt bij wijze van voarbeeld nader toegelicht aan de hand van bijgaande tekening, waarin: figuur 1 een doorsnede van een eerste uitvoeringsvorm toont, figuur 2 een hovenaanzicht van een deel van het binnenqppervlak van een van de steunplaten uit figuur 1 toont, 30 figuur 3a t/m c een eerste werkwijze voor het vervaardigen van het in fig. 2 getoonde stelsel toelichten, figuur 4 en 5 een tweede respektievelijk een derde werkwijze voor het vervaardigen van het in fig. 2 getoonde stelsel toelichten, figuur 6 een schematische voorstelling van de eerste uitvoeringsvorm 35 toont, figuur 7a en 7b schematisch de eerste uitvoeringsvorm met meerdere schakelelementen per beeldelement tonen, figuur 8a een eerste variant van de eerste uitvoeringsvorm toont, 8103377 # PHN 10.097 6 ____ figuur 8b en 8c een tweede variant van de eerste uitvoeringsvorm tonen, figuur 9 een bovenaanzicht van een deel van een steunplaat van een tweede uitvoeringsvom toont, figuur 10 een doorsnede langs de lijn X-X in figuur 9 toont, 5 figuur 11a t/m d een werkwijze voor bet vervaardigen van bet in fig. 10 getoonde stelsel toelichten, figuur 12 een bovenaanzicht van een deel van een steunplaat van een derde uitvoeringsvorm toont, figuur 13 een doorsnede langs de lijn XHI-XIII in fig. 12 toont, 10 figuur 14 een schematische voorstelling van de derde uitvoeringsvorm toont, en figuur 15 een bovenaanzicht van een deel van een steunplaat van een vierde uitvoeringsvorm toont.
In figuur 1 is schematisch in doorsnede een deel van een eerste 15 uitvoeringsvorm van een vloeibaar kristal weergeefinrichting volgens de uitvinding getekend. De weergeefinrichting bevat twee transparante glazen steunplaten 1 en 2, welke zich op een afstand van 10^um van elkaar bevinden. De steunplaten kunnen ook van een keramisch of van een ander materiaal zijn vervaardigd. Op de steunplaat 1 is een groot aantal in 20 rijen en kolcmmen gerangschikte beeldelektroden 3 aangebracht. Tussen de rijen van beeldelektroden 3 zijn transparante stripvormige rij-elektroden, zogenaamde scanelektroden 4 aangebracht. Elke beeldelektrode 3 kan met een scanelektrode 4 warden gekontakteerd door middel van een microbladveer 5. Cp de steunplaat 2 is eveneens een groot aantal in 25 rijen en kolotmen gerangschikte beeldelektroden 6 aangebracht. Tussen de kolcnmen van beeldelektroden 6 zijn transparante stripvormige kolomelektroden, zogenaamde data-elektrode 7 aangebracht, waarmee de beeldelektroden geleidend zijn verbonden. De beeldelektroden 6 vormen met de beeldelektroden 3 op de steunplaat 1 de beeldelementen van de 30 weergeefinrichting. Opgemerkt wordt dat de dataelektroden 7 en de beeldelektroden 6 op vcardelige wijze kunnen warden gexntegreerd tot stripvormig verlopende elektroden. Dit maakt het uitrichten van de steunplaten ten ppzichte van elkaar eenvoudiger. Tussen de steunplaten 1 en 2 bevindt zich een vloeibaar kristal 8. De weergeefinrichting is 35 geschikt cm toegepast te warden met alle bekende elektro-optische effekten gebaseerd op vloeibare kristallen, zoals bet getwist-nematisch veldeffekt, de cbolesterisch-nematische fase-overgang en bet zogenaamde ..... guest-host effekt. Op het oppervlak van de steunplaat 1 behalve ter 8Ϊ1ΤΠΤ ” PHN 10.097 7 .... plaatse van de microbladveren 5 en op bet oppervlak van de steunplaat 2 zijn vloeibaar kristal orienterende lagen 9 aangebracht. In figuur 2 is schematisch in hovenaanzicht een deel van bet binnenoppervlak van steunplaat 1 weergegeven. De in rijen en kolcmmen gerangschikte 5 beeldelektroden 3 zijn nagenoeg rechthoekig en hebben een qppervlakte 2 van ongeveer 250 x 250yum . Tussen de rijen van beeldelektroden 3 verlcpen de scanelektroden 4, walke een breedte van ongeveer 25^um bezitten. De beeldelektroden 3 en de scanelektrodei 4 zijn vervaardigd van tin- en/of indiimcxide. Elke beeldelektrode 3 kan met een scan- 10 elektrode 4 verbonden warden door middel van een microbladveer 5, waarvan bet vaste uiteinde aan de scanelektrode 4 is bevestigd. De 2 afmetingen van de microbladveren 5 bedragen ongeveer 10 x 20^um .
De microbladveren 5 nemen slechts een zeer gering cppervlak in ten cpzichte van bet oppervlak van de beeldelektroden 3.
15 Het vervaardigen van dergelijke microbladveren 5 wordt toege- licht aan de hand van de figuren 3a t/m c. In figuur 3a is de glazen steunplaat 1 wsergegeven, waarop op bekende wijze de beeldelektroden 3 en de scanelektroden 4 met een dikte van 0,01 a 0,02^um zijn aangebracht. Hierover is een 0,3^υπι dikke aluminiumlaag 10 aangebracht. Op 20 de aluminiumlaag 10 wordt vervolgens een laag 11 van een fotlak aangebracht. In deze laag 11 warden cp bekende wijze openingen 12 aangebracht. Deze openingen 12 komen over een met de uiteinden van de microbladveren welke vast aan de scanelektroden 4 bevestigd dienen te blijven. Vervolgens wordt het aluminium ter plaatse van de openingen 12 25 geanodiseerd, waama de laag 11 weer wordt verwijderd. In figuur 3b zijn deze geanodiseerde gebiedjes met verwijzingscijfer 13 aangeduid. Cp de aluminiumlaag 10 wordt een nikkellaag met een dikte van 0,15^um aan-gebracht. Het aanbrengen van deze nikkellaag geschiedt door het gal-vanisch aangroeien van deze laag uit een nikkelsulfanaatbad. Hierdoor 30 wordt een nikkellaag verkregen, die nagenoeg zonder mechanische span-ningen aanligt tegen de aluminiumlaag 10. Vervolgens wordt het patroon van de microbladveren 5 met een foto-etsmetbode in de nikkellaag geetst. Het etsmiddel is daarbij verdund salpeterzuur bij circa 40°C, dat de aluminiumlaag 10 en de geanodiseerde gebieden 13 niet aantast.
35 Vervolgens wordt geetst met geconcentreerd fosforzuur bij circa 60°C, dat de nikkelen microbladveren 5 en de geanodiseerde gebieden 13 niet aantast maar wel de aluminiumlaag 10. De aluminiumlaag 10 wordt door onderetsing via de randen van de microbladveer 5 verwijderd, waama de 8103377 PHN 10.097 8 .......-in figuur 3c getekende konstruktie wordt verkregen. -----------
Een tweede werkwijze voor het vervaardigen van de microblad-veren wordt toegelicht aan de hand van figuur 4. Bij deze werkwijze wordt bij het in figuur 3a weergegeven stadium het aluminium ter plaatse 5 van de openingen 12 niet geanodiseerd maar verwijderd. Vervolgens wordt weer een nikkellaag 14 aangebracht, die zoals in fig. 4 is aangegeven ook de wanden van de openingen in de aluminiumlaag 10 bedekt. De werkwijze verlocpt verder op dezelfde wijze als aan de hand van fig. 3 beschreven is, met dit verschil, dat bij de laatste etsstap als 10 etsmiddel een 1¾ oplossing van natronloog wordt gebruikt, dat de . nikkelen bladveren 5 niet aantast maar wel de aluminiumlaag 10.
Een derde werkwijze wordt toegelicht aan de hand van figuur 5. Op de steunplaat wordt eerst weer een aluminiumlaag en vervolgens een nikkellaag aangebracht. Vervolgens warden in de nikkellaag de micro-15 bladveren 5 geetst met een vorm zoals in figuur 5 is weergegeven.
Het gedeelte van de microbladveren 5, dat aan de scanelektroden 4 beves-tigd dient te blijven, is breder dan de rest van de microbladveren 5. Vervolgens wordt door onderetsing het aluminium via de randen van de microbladveren 5 verwijderd. Hiermee wordt gestqpt op het moment, 20 dat het aluminium onder het smalle gedeelte van de microbladveren is verwijderd. Onder het brede, gedeelte van elke microbladveer 5 bLijft een aluminium pilaartje staan, hetgeen in figuur 5 met de gestippelde lijn 16 is weergegeven.
Op boven beschreven wijzen is het mogelijk qp eenvoudige 25 manier microbladveertjes te vervaardigen voor schakelelementen in vloeibaar kristal weergeefinrichtingen. De schakelelementen voorzien het vloeibare kristal van een voldoend steile drempel ten cpzichte van de aangelegde spanning en voorzien het vloeibare kristal van een geheugen.
30 De werking van.de in figuur 1 getoonde weergeefinrichting wordt toegelicht aan de hand van figuur 6, die een schematische voor-stelling van de weergeefinrichting toont. ’
Tussen de scanelektroden 4 en de data-elektroden 7 zijn de beeldelementen geschakeld, waarbij in serie met elk beeldelement een 35 schakelelement voorzien van een microbladveer 5 is geschakeld. Bij · het inschrijven van de weergeefinrichting warden achtereenvolgens de scanelektroden 4 aangestuurd met spanningspulsen +V . In de tijd dat b - . een scanelektrode 4 is aangestuurd, warden aan geselecteerde data- 8103377 it · H3N 10.097 9 ________elektroden 7 spanningspulsen -V^ toegevoerd. Over deze geselecteerde dataelektroden 7 en de bijbehorende scanelektrode 4 staat dan een spanningsverschil Vg + V^. Dit spaimingsverschil staat eveneens over de serieschakeling van de kapaciteit van een beeldelement en de kapa-5 citeit van een schakelelement. Over deze kapaciteiten treedt een spanningsdeling cap. De kapaciteit van de schakelelementen met micro-bladveren 5 is echter zeer veel kleiner dan de kapaciteit van de beeldelementen, zodat nagenoeg geheel het spanningsverschil V + V, over S d de schakelelementen komt te staan. De spanning Vg + is groter dan de 10 drenpelspanning van de schakelelementen. Door de cptredende elektro-statische krachten warden de microbladveren 5 naar de beeldelektroden 3 getrckken. Nadat een schakelelement is gesloten komt de spanning Vg + volledig over een beeldelement te staan. De spanningsval over een schakelelement zelf is verwaarloosbaar klein, andat het kontakt tussen 15 een microbladveer 5 en een beeldelektrode 3 een zuiver iretaal-metaal kontakt is. De spanning Vg + over een aangestuurd beeldelement brengt het vloeibare kristal in een andere orientatietoestand en daarmee in een qptisch andere toestand. Aan de niet-geselekteerde dataelektroden 7 warden spanningspulsen +V^ toegevoerd. Over deze data-20 elektroden 7 en de scanelektrode 4 staat dan een spanningsverschil Vg - V^. Dit spanningsverschil Vg - is kleiner dan de dreirpel-spanning % van de schakelelementen, zodat deze niet bekrachtigd warden. De aan de dataelektroden toegevoerde spanningspulsen kcrnen ook over de schakelelementen van de niet aangestuurde scan-25 elektroden 4 te staan. De spanningspulsen zijn echter kleiner dan de drempelspanning van de schakelelementen. Hierdoor wordt eveneens voorkanen dat informatie wordt ingeschreven bij beeldelementen van niet aangestuurde scaneleketroden 4.
Nadat de informatie cp een aangestuurde scanelektrode 4 is 30 ingeschreven, springen de microbladveren 5 weer terug, zodat de weerstand van de schakelelementen oneindig groot is. Hierdoor kan de spanning over een beeldelement niet via het schakelelement weglekken, zodat de geheugentijd van de ingeschreven informatie zeer groot is.
Voar het getoonde uitvoeringsvoorbeeld met microbladveren 35 van 10 x 20^um, beeldelektroden van 250 x 250yUm en een afstand tussen de microbladveren en de te kcntakteren beeldelektrode van 0,3^um bedraagt de drempelspanning van de schakelelementen angeveer = 10 V.
Ter verhoging van de betrouwbaarheid van de waergeefinrichting 8103377 PHN 10.097 10 _____kunnen de beeldelementen zijn voorzien van meerdere in serie en/of .............
parallel geschakelde schakelelementen. In fig. 7a zijn in serie met het beeldelement twee schakelelementen geplaatst. In het geval dat έέη van de schakelelementen door het optreden van laspunten tussen de 5 microbladveer en de te kontakteren elektrode uitvalt, wordt de schakel-funktie overgenomen door het andere schakelelement. In fig. 7b zijn per beeldelement parallel twee in serie geschakelde schakelelementen geplaatst. Indien een van de schakelelementen in een van de twee parallele takken uitvalt, wordt de schakelfunktie door de andere tak 10 overgencmen.
In figuur 8a is een uitvoeringsvorm getekend waarbij qp de te kontakteren beeldeldctrode 3 een extra kontaktpunt 17 aangebracht is voor het verkrijgen van een goed metaal-metaal kontakt indien de weerstand van het kontakt niet klein genoeg blijkt te zijn.
15 Een variant van de eerste uitvoeringsvorm wordt toegelicht aan de hand van fig. 8b en 8c. Figuur 8b toont schematisch een boven- » aanzicht van een deel van de steunplaat 1. De microbladveer 5 is hierbij met zijn ene uiteinde op de scanelektrode 4 en met zijn andere uiteinde op de steunplaat 1 bevestigd. Cnder de microbladveer 5 20 strekt zich. een gedeelte 19 van de beeldelektrode 3 uit. Ter verduide-lijking is in fig. 8c een doarsnede langs de lijn VIIIc-VIIIc in fig.
8b weergegeven. Bij bekrachtiging van het schakelelement klapt het centrale gedeelte van de microbladveer 5 tussen de twee vaste uiteinden naar het gedeelte 19 van de beeldelektrode 3.
25 Een tweede uitvoeringsvorm van een weergeefinrichting volgens de uitvinding wordt toegelicht aan de hand van figuur 9, die schematisch een bovenaanzicht van een deel van de steunplaat 20 toont.
De opbouw van de weergeefinrichting is voor het overige dezelfde als bij de in fig. 1 getoonde weergeefinrichting. De scanelektroden 21 30 zijn voorzien van een isolerende laag 22. Over de scanelektroden 21 zijn reflekterende beeldelektroden 23 aangebracht. Ter plaatse van de scanelektroden 21 zijn de beeldelektroden 23 voorzien van een opening 24. De isolatielaag 22 over de scanelektroden 21 is in de opening 24 onderbroken. Op de beeldelektrode 23 is het vaste uiteinde 35 aangebracht van een microbladveer 25, die zich in de opening 24 tot over de scanelektrode 21 uitstrekt. De microbladveer 25 is opgesloten in een holte, die gevormd wordt door het oppervlak van de steunplaat 20 en een over de opening 24 aangebrachte afdekkap 26.
8103377 PHN 10.097 11 . ... In figuur 10 is scbematisch een doorsnede langs de lijn X-X in figuur 9 weergegeven. Bet voordeel van deze uitvoeringsvorm is, dat de op de steunplaat 20 aangebrachte laag voor bet orienteren van de vloeibaar kristalnDlekulen ook op de afdekkap 26 kan warden 5 aangebracht. Hiermee wordt bet cptreden van mogelijke storende gebieden door bet onttreken van een orienteringslaag ter plaatse van de schakel-elementen voarkcmsn. De aansturing van de wsergeefinrichting geschiedt op dezelfde wijze als beschreven aan de band van figuur 6.
Evenals bij de in fig. 8b en 8c getoonde uitvoeringsvorm kan de micro-10 bladveer 25 met twee uiteinden vast aan de scanelekfcrode 21 zijn verbonden.
Een werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke weer-geefinrichting wardt toegelicht aan de band van figuren 11a t/m d.
Cp de steunplaat 20 zijn op bekende wijze de scanelektroden 21 15 en de reflekterende beeldelektroden 23 aangebracht. Vervolgens wardt het geheel bedekt met een 0,3^um dikke laag 27 van aluminium. Vervolgens wardt een stroak van nikkel met een dikte van 0,15yUm aangebracht, waarin mat bebulp van een salpeterzuuroplossing bij 40°C het patroon van de microbladveer 25 wordt uitgeetst. Vervolgens wordt een laag 28 van 20 aluminium met een dikte van 0,7 micrometer aangebracht. Hierover wordt een laag fotolak aangebracht, waarin langs fotolithografische weg maskers 29 warden aangebracht, zoals in fig. 10a is weergegeven. De lengte van een masker 29 kcntt overeen met de lengte van de opening 24 in de beeldelektroden 23 en de hreedte van een masker 29 kcrnt 25 overeen met de breedte van de afdekkap 26 (zie fig. 9).
Vervolgens wordt het aluminium van de lagen 27 en 28 buiten het masker 29 weggeetst met een natronloogoplossing van ongeveer 40°C. Hiema wardt bet geheel voorzien van een 1^um dikke nikkellaag, die door galvanisch aangroeien wordt aangebracht. Vervolgens wordt in de 30 nikkellaag met bebulp van een salpeterzuuroplossing bij 40°C bet patroon van de afdekkap 26 uitgeetst (zie figuur 11b). De aluminium-· lagen 27 en 28 onder de afdekkap 26 en de microbladveer 25 warden vervolgens geheel verwijderd met bebulp van een natronloog-* oplossing bij 40°C. Hiema wardt met de afdekkap 26 als masker een 35 laag 31 van siliciumoxide aangebracht (fig. 11c). In figuur 11d is een dwarsdoorsnede van figuur 11c getekend. De microbladveer is opgesloten in een holte, die gevormd wardt doer de steunplaat 20, de afdekkap 26 en de laag 31.
8103377 EHN 10.097 12 c
Een derde uitvoeringsvorm van een weergeef inr ichting volgens de uitvinding wordt toegelicht aan de hand van figuur 12, welke een bovenaanzicht van een deel van een steunplaat 40 weergeeft. Op de steunplaat 40 zijn weer in rijen en kolcmmen gerangschikte beeld-5 elektroden 41 aangehracht. Tussen de rijen van heeldelektroden 41 lopen stripvormige scanelektroden 43. Tussen de kolcninen van beeld-elektroden lopen stripvormige dataelektroden 44. De dataelektroden 44 zijn van de scanelektroden 43 gelsoleerd door middel van geleidende hruggen 45. Qnder elke brug 45 is tevens een gedeelte 42 van de bij-10 behorende beeldelektrode 41 gelegen. Een microbladveer 46, die met zijn vaste uiteinde is bevestigd aan een dataelektrode 44 strekt zich onder een brug 45 uit over een scanelektrode 43 en bet gedeelte 42 van een beeldelektrode 41. Qnder de brug 45 is op de scanelektrode 43 een isolerende laag 49 aangebracht cm kortsluiting te voorkomen.
15 In figuur 13 is een doorsnde langs de lijn XIII-XIII in fig. 12 weerge-geven. Het vervaardigen van derdelijke kruisende verbindingen geschiedt op nagenoeg dezelfde wijze als beschreven aan de hand van figuur 11.
De andere steunplaat is voorzien van een voor alle heeldelektroden 41 geneenschappelijke tegenelektrode.
20 Bovenbeschreven uitvoeringsvorm is het analogon van een ideale TFT-schakelaar. Doordat de scanelektroden en de dataelektroden zich op dezelfde steunplaat bevinden, kan de randelektronika op eenvoudige wijze worden aangesloten.
De aansturing van deze weergeefinrichting wordt toegelicht 25 aan de hand van figuur 14, die een schematische voorstelling van de weergeef inr ichting toont. Het inschrijven van de infoonatie geschiedt door het achtereenvolgens aansturen van de scanelektroden 43 met spanningspulsen Vg. Deze spanningspulsen Vg zijn groter dan de drenpelspanning van de schakelelementen. Door de optredende 30 elektrostatische krachten worden de microbladveren 46 behorende bij een aangestuurde scanelektrode 43 naar de gedeelten 42 van de beeld-elektroden 41 getrckken, zodat een geleidende verbinding tot stand kcrat tussen de dataelektroden 44 en de bij behorende heeldelektroden 41 (zie fig. 13). Na het sluiten van de schakelelementen worden aan ge-35 selecteerde dataelektroden 44 spanningspulsen toegevoerd, welke over de vloeibare kristallaag 47 tussen de heeldelektroden 41 en de gemeenschappelijke tegenelektrode 47 komen te staan. De microbladveren 46 zijn hierbij dus strocmvoerend. Qnder invloed van de spanningen ........—"~ 8103377
V
ΒΗΝ 10.097 13 ......vindt een verandering in de orientatie van de vloeibare kristal molekulen plaats, waardoor een optisch andere toestand wardt verkregen. Madat de informatie op de beeldelenenten van een aangestuurde scan-elektxode 43 is ingeschreven wordt de volgende scanelektrode 43 5 aangestuurd. Hierdoor springen de schakelelementen behorende big de vorige aangestuurde scanelektrode 43 weer open, zodat de ingeschreven informatie niet via de schakelelementen kan weglekken. Hierdoor wordt een zeer lange geheugentijd verkregen. Dit maakt het mogelijk een zeer groat aantal lijnen achtereenvolgens aan te sturen en van 10 informatie te voarzien. Een korte geheugentijd houdt nanelijk in, dat het aantal aan te sturen lijnen beperkt is, doordat de informatie steeds cpnieuw moet warden ingeschreven.
Een vierde uitvoeringsvarm van een weergeefinrichting wordt toegelicht aan de hand van figuur 15, die een bovenaanzicht van een 15 deel van een steunplaat 50 toont. Cp de steunplaat 50 zijn weer in rijen en koloranen gerangschikte beeldelektroden 51, waartussen scan-elektroden 52 en dataelektroden 53 verlcpen, welke op de kruispunten van elkaar zijn gexsoleerd door middel van een elektrisch geleMende hrug 54. De dataelektroden 53 zijn voarzien van gedeelten 55, die zich 20 uitstrekken naar gedeelten 56 van de beeldelektroden 51. Bij elke beeldelektrode 51 is een microbladveer 57 met zijn vaste uiteinde 58 cp de steunplaat 50 aangebracht. De microbladveer 57 strekt zich uit over een scanelektrode 52 en de gedeelten 55 en 56 van respektievelijk de dataelektrode 53 en de beeldelektrode 51. De verdere opbouw van de 25 weergeefinrichting is hetzelfde als de aan de hand van fig. 12 beschreven weergeefinrichting. Het inschrijven van informatie geschiedt op dezelfde wijze als aan de hand van figuur 13 is beschreven, maar met dit verschil dat de microbladveren 57 niet zelf strocmvoerend zijn. Een microbladveer 57 maakt slechts kantakt tussen de gedeelten 30 55 en 56 van een dataelektrode 53 en een beeldelektrode 51.
De bovenbeschreven uitvoeringsvoorbeelden betreffen alle vloeibaar kristal weergeefiirichtingen. De uitvinding kan echter toegepast warden voor alle elektro-optische weergeefmedia, die een getrek aan een voldoende steile drerrpel en/of een gebrek aan 35 intrinsiek geheugen hebben, zoals elektrophoretische suspensies en elektrochrcme materialen.
8103377

Claims (6)

  1. 2. Weergeefinrichting volgens conclusie 1, met^fiet'kenmerk, dat elk beeldelement wordt gevormd door twee op de naar elkaar vtoege-keerde oppervlakken van de steunplaten aangebrachte beeldelektroden, dat de rijelektroden qp de ene steunplaat en de kolcmelektroden qp de andere steunplaat zijn aangebracht en dat elke beeldelektrode op de 15 ene steunplaat met een rijelektrode kan worden verbonden door middel van ten minste een microbladveer.
  2. 3. Weergeefinrichting volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de rijelektroden onder de beeldelektroden verlqpen en elektrisch van de beeldelektroden zijn geisoleerd, dat de beeldelektroden zijn voorzien 20 van een opening, welke zich uitstrekt over een rijelektrode, welke ter plaatse van de opening niet is geisoleerd, en dat elke beeldelektrode met een rijelektrode kan worden verbonden door middel van tenminste 6en ter plaatse van de opening in de beeldelektrode aangebrachte microbladveer, welke is opgesloten in een holte, welke wordt gevontd 25 door een zich over de opening in een beeldelektrode uitstrekkende elektrisch geleidende afdekkap.
  3. 4. Weergeefinrichting volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de beeldelektroden op de ene steunplaat en de bijbehorende afdekkappen reflekterend zijn.
  4. 5. Weergeefinrichting volgens conclusie 2,3 of 4, met het kenmerk, dat de beeldelektroden en de kolcmelektroden qp de andere steunplaat zijn geintegreerd tot stripvormige elektroden.
  5. 6. Weergeefinrichting volgens conclusie 1, met hetkenmerk, dat de rijelektroden en de kolcmelektroden zijn aangebracht qp de ene 35 steunplaat, het stelsel van beeldelementen wordt gevontd door qp de ene steunplaat aangebrachte beeldelektroden en een op de andere steunplaat aangebrachte gemeenschappelijke tegenelektrode, en dat een beeld-...... elektrode met een bijbehorende kolcmelektrode' kan worden verbonden door 8103377 r FHN 10.097 15 . . . middel van ten minste een microbladveer, welke door de bijbehorende rijelektrode kan warden geschakeld.
  6. 7. Weergeefinrichting volgens conclusie 6, met bet kenmerk, dat qp elk kruispunt een kolcmelektrode van een rijelektrode is 5 geisoleerd door middel van een elektrisch geleidende brug, dat een micax»bladveer zich onder de brug uitstrekt over een rijelektrode en een gedeelte van de bijbehorende beeldelektrode en dat de micro-bladveer met tenminste een uiteinde aan een kolonelektrode is bevestigd. 8. ifeergeefinrichting volgens oonclusie 6, met bet kenmerk, dat de kolcxrelektroden en de rijelektroden op de kruispunten van elkaar zijn geisoleerd, dat de vaste uiteinden van de microbladveren op de ene steunplaat zijn aangetracht en dat elke microbladveer zich uitstrekt over een rijelektrode, een gedeelte van een kolomelektrode 15 en een gedeelte van de bijbehorende beeldelektrode. 9. ifeergeefinrichting volgens een der voargaande conclusies 1 t/m 8, met het kenmerk, dat elk schakelelement wordt gevarmd door een aantal in serie en/of parallel geschakelde microbladveren. 10. ifeergeefinrichting volgens een der voargaande conclusies 20 1 t/m 9, net bet kenmerk, dat ten minste een van de steunplaten en de daarcp aangebrachte elektroden transparent zijn. 11. ifeergeefinrichting volgens een der voargaande conclusies, met het kenmerk, dat het elektro-optische weergeefmedium een vloeibaar kristal is. 12. ifeergeefinrichting volgens een der voargaande conclusies 1 t/m 10, met het kenmerk, dat het elektro-optische weergeefmsdium een elektro-phoretische suspensie is. 13. ifeergeefinrichting volgens een der voargaande conclusies 1 t/m 10, met het kenmerk, dat het elektro-optische weergeefmedium 30 een elektrochroan materiaal is. 35 8103377
NL8103377A 1981-07-16 1981-07-16 Weergeefinrichting. NL8103377A (nl)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8103377A NL8103377A (nl) 1981-07-16 1981-07-16 Weergeefinrichting.
EP82200873A EP0071287B1 (en) 1981-07-16 1982-07-12 Display device
DE8282200873T DE3277331D1 (en) 1981-07-16 1982-07-12 Display device
ES513952A ES8305945A1 (es) 1981-07-16 1982-07-14 Un dispositivo de presentacion visual, adecuado particularmente para visulizar en formacion alfanumerica e informacion de video.
JP57122270A JPS5818675A (ja) 1981-07-16 1982-07-15 表示装置
CA000407375A CA1194194A (en) 1981-07-16 1982-07-15 Display device
US06/877,696 US4681403A (en) 1981-07-16 1986-06-19 Display device with micromechanical leaf spring switches
SG48090A SG48090G (en) 1981-07-16 1990-06-30 Display device
HK850/91A HK85091A (en) 1981-07-16 1991-10-31 Display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8103377 1981-07-16
NL8103377A NL8103377A (nl) 1981-07-16 1981-07-16 Weergeefinrichting.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8103377A true NL8103377A (nl) 1983-02-16

Family

ID=19837795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8103377A NL8103377A (nl) 1981-07-16 1981-07-16 Weergeefinrichting.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4681403A (nl)
EP (1) EP0071287B1 (nl)
JP (1) JPS5818675A (nl)
CA (1) CA1194194A (nl)
DE (1) DE3277331D1 (nl)
ES (1) ES8305945A1 (nl)
HK (1) HK85091A (nl)
NL (1) NL8103377A (nl)
SG (1) SG48090G (nl)

Families Citing this family (196)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5835255A (en) * 1986-04-23 1998-11-10 Etalon, Inc. Visible spectrum modulator arrays
GB2206721A (en) * 1987-07-03 1989-01-11 Philips Electronic Associated Active matrix display device
IT1237269B (it) * 1989-11-15 1993-05-27 Rete neurale con capacita' di apprendimento per il trattamento di informazioni, e procedimento per il trattamento di informazioni con l'impiego di tale rete.
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US8014059B2 (en) 1994-05-05 2011-09-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for charge control in a MEMS device
US7460291B2 (en) * 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US6680792B2 (en) 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US20010003487A1 (en) * 1996-11-05 2001-06-14 Mark W. Miles Visible spectrum modulator arrays
US6710908B2 (en) 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US7138984B1 (en) 2001-06-05 2006-11-21 Idc, Llc Directly laminated touch sensitive screen
US7550794B2 (en) 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US6040937A (en) * 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7297471B1 (en) 2003-04-15 2007-11-20 Idc, Llc Method for manufacturing an array of interferometric modulators
US7907319B2 (en) 1995-11-06 2011-03-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with optical compensation
US5638946A (en) * 1996-01-11 1997-06-17 Northeastern University Micromechanical switch with insulated switch contact
FR2753565B1 (fr) * 1996-09-13 1998-11-27 Thomson Csf Dispositif de commutation electrique et dispositif d'affichage utilisant ce dispositif de commutation
US7471444B2 (en) 1996-12-19 2008-12-30 Idc, Llc Interferometric modulation of radiation
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7532377B2 (en) 1998-04-08 2009-05-12 Idc, Llc Movable micro-electromechanical device
WO1999052006A2 (en) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
JP3865942B2 (ja) * 1998-07-17 2007-01-10 富士フイルムホールディングス株式会社 アクティブマトリクス素子、及びアクティブマトリクス素子を用いた発光素子、光変調素子、光検出素子、露光素子、表示装置
US8023724B2 (en) * 1999-07-22 2011-09-20 Photon-X, Inc. Apparatus and method of information extraction from electromagnetic energy based upon multi-characteristic spatial geometry processing
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US7316167B2 (en) * 2000-05-16 2008-01-08 Fidelica, Microsystems, Inc. Method and apparatus for protection of contour sensing devices
US6578436B1 (en) * 2000-05-16 2003-06-17 Fidelica Microsystems, Inc. Method and apparatus for pressure sensing
US6962771B1 (en) * 2000-10-13 2005-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual damascene process
US7561324B2 (en) 2002-09-03 2009-07-14 E Ink Corporation Electro-optic displays
US6982178B2 (en) 2002-06-10 2006-01-03 E Ink Corporation Components and methods for use in electro-optic displays
US6589625B1 (en) 2001-08-01 2003-07-08 Iridigm Display Corporation Hermetic seal and method to create the same
US6794119B2 (en) 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
US7583427B2 (en) 2002-06-10 2009-09-01 E Ink Corporation Components and methods for use in electro-optic displays
US8049947B2 (en) 2002-06-10 2011-11-01 E Ink Corporation Components and methods for use in electro-optic displays
US7843621B2 (en) 2002-06-10 2010-11-30 E Ink Corporation Components and testing methods for use in the production of electro-optic displays
US7839564B2 (en) 2002-09-03 2010-11-23 E Ink Corporation Components and methods for use in electro-optic displays
US7781850B2 (en) 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
CN1726428A (zh) * 2002-12-16 2006-01-25 伊英克公司 电光显示器的底板
TWI289708B (en) 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
TW200413810A (en) 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
TW594360B (en) 2003-04-21 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW570896B (en) 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7221495B2 (en) 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
TWI231865B (en) 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TW593126B (en) 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
US7012726B1 (en) 2003-11-03 2006-03-14 Idc, Llc MEMS devices with unreleased thin film components
US7142346B2 (en) 2003-12-09 2006-11-28 Idc, Llc System and method for addressing a MEMS display
US7161728B2 (en) 2003-12-09 2007-01-09 Idc, Llc Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators
US7532194B2 (en) 2004-02-03 2009-05-12 Idc, Llc Driver voltage adjuster
US7342705B2 (en) 2004-02-03 2008-03-11 Idc, Llc Spatial light modulator with integrated optical compensation structure
US7119945B2 (en) * 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
US7706050B2 (en) 2004-03-05 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated modulator illumination
US7060895B2 (en) 2004-05-04 2006-06-13 Idc, Llc Modifying the electro-mechanical behavior of devices
US7476327B2 (en) 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
US7164520B2 (en) 2004-05-12 2007-01-16 Idc, Llc Packaging for an interferometric modulator
US7256922B2 (en) 2004-07-02 2007-08-14 Idc, Llc Interferometric modulators with thin film transistors
CA2575314A1 (en) 2004-07-29 2006-02-09 Idc, Llc System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator
US7499208B2 (en) 2004-08-27 2009-03-03 Udc, Llc Current mode display driver circuit realization feature
US7560299B2 (en) 2004-08-27 2009-07-14 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7889163B2 (en) 2004-08-27 2011-02-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Drive method for MEMS devices
US7515147B2 (en) 2004-08-27 2009-04-07 Idc, Llc Staggered column drive circuit systems and methods
US7551159B2 (en) * 2004-08-27 2009-06-23 Idc, Llc System and method of sensing actuation and release voltages of an interferometric modulator
US7602375B2 (en) 2004-09-27 2009-10-13 Idc, Llc Method and system for writing data to MEMS display elements
US7289256B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Electrical characterization of interferometric modulators
US7545550B2 (en) 2004-09-27 2009-06-09 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7343080B2 (en) 2004-09-27 2008-03-11 Idc, Llc System and method of testing humidity in a sealed MEMS device
US7675669B2 (en) * 2004-09-27 2010-03-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving interferometric modulators
US7317568B2 (en) 2004-09-27 2008-01-08 Idc, Llc System and method of implementation of interferometric modulators for display mirrors
US7446927B2 (en) 2004-09-27 2008-11-04 Idc, Llc MEMS switch with set and latch electrodes
US7916103B2 (en) 2004-09-27 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with end-of-life phenomena
US7679627B2 (en) * 2004-09-27 2010-03-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controller and driver features for bi-stable display
US7893919B2 (en) 2004-09-27 2011-02-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display region architectures
US7417783B2 (en) 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Mirror and mirror layer for optical modulator and method
US7626581B2 (en) 2004-09-27 2009-12-01 Idc, Llc Device and method for display memory using manipulation of mechanical response
US7417735B2 (en) 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Systems and methods for measuring color and contrast in specular reflective devices
US7299681B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc Method and system for detecting leak in electronic devices
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US8124434B2 (en) 2004-09-27 2012-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for packaging a display
US7692839B2 (en) 2004-09-27 2010-04-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating
US7724993B2 (en) 2004-09-27 2010-05-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS switches with deforming membranes
US7349136B2 (en) 2004-09-27 2008-03-25 Idc, Llc Method and device for a display having transparent components integrated therein
US8008736B2 (en) 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7321456B2 (en) 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7936497B2 (en) 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7710629B2 (en) 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with reinforcing substance
US7136213B2 (en) 2004-09-27 2006-11-14 Idc, Llc Interferometric modulators having charge persistence
US7843410B2 (en) 2004-09-27 2010-11-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for electrically programmable display
US7355780B2 (en) 2004-09-27 2008-04-08 Idc, Llc System and method of illuminating interferometric modulators using backlighting
US7368803B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc System and method for protecting microelectromechanical systems array using back-plate with non-flat portion
US7554714B2 (en) 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Device and method for manipulation of thermal response in a modulator
US7415186B2 (en) 2004-09-27 2008-08-19 Idc, Llc Methods for visually inspecting interferometric modulators for defects
US7492502B2 (en) 2004-09-27 2009-02-17 Idc, Llc Method of fabricating a free-standing microstructure
US7668415B2 (en) 2004-09-27 2010-02-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for providing electronic circuitry on a backplate
US7373026B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate
US7535466B2 (en) 2004-09-27 2009-05-19 Idc, Llc System with server based control of client device display features
US7259449B2 (en) 2004-09-27 2007-08-21 Idc, Llc Method and system for sealing a substrate
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7424198B2 (en) * 2004-09-27 2008-09-09 Idc, Llc Method and device for packaging a substrate
US7161730B2 (en) 2004-09-27 2007-01-09 Idc, Llc System and method for providing thermal compensation for an interferometric modulator display
US7369294B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Ornamental display device
US20060076634A1 (en) 2004-09-27 2006-04-13 Lauren Palmateer Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter
US7527995B2 (en) 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
TW200628833A (en) 2004-09-27 2006-08-16 Idc Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7684104B2 (en) 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
US7405924B2 (en) 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc System and method for protecting microelectromechanical systems array using structurally reinforced back-plate
US7701631B2 (en) 2004-09-27 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having patterned spacers for backplates and method of making the same
US7653371B2 (en) 2004-09-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
US20060176487A1 (en) 2004-09-27 2006-08-10 William Cummings Process control monitors for interferometric modulators
US7586484B2 (en) 2004-09-27 2009-09-08 Idc, Llc Controller and driver features for bi-stable display
US7532195B2 (en) 2004-09-27 2009-05-12 Idc, Llc Method and system for reducing power consumption in a display
US8878825B2 (en) 2004-09-27 2014-11-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for providing a variable refresh rate of an interferometric modulator display
US7359066B2 (en) 2004-09-27 2008-04-15 Idc, Llc Electro-optical measurement of hysteresis in interferometric modulators
US7130104B2 (en) 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7304784B2 (en) 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US8310441B2 (en) 2004-09-27 2012-11-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US7808703B2 (en) 2004-09-27 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for implementation of interferometric modulator displays
US7327510B2 (en) 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7369296B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7920135B2 (en) 2004-09-27 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving a bi-stable display
US7460246B2 (en) 2004-09-27 2008-12-02 Idc, Llc Method and system for sensing light using interferometric elements
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7453579B2 (en) 2004-09-27 2008-11-18 Idc, Llc Measurement of the dynamic characteristics of interferometric modulators
US7302157B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7719500B2 (en) 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
US7630119B2 (en) 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7405861B2 (en) 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge
US7813026B2 (en) 2004-09-27 2010-10-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of reducing color shift in a display
US7310179B2 (en) * 2004-09-27 2007-12-18 Idc, Llc Method and device for selective adjustment of hysteresis window
US7583429B2 (en) 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
US7429334B2 (en) 2004-09-27 2008-09-30 Idc, Llc Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material
US7553684B2 (en) 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques
US7345805B2 (en) 2004-09-27 2008-03-18 Idc, Llc Interferometric modulator array with integrated MEMS electrical switches
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7564612B2 (en) 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
WO2006056945A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. An electrophoretic display panel
TW200628877A (en) 2005-02-04 2006-08-16 Prime View Int Co Ltd Method of manufacturing optical interference type color display
US7948457B2 (en) 2005-05-05 2011-05-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7920136B2 (en) 2005-05-05 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of driving a MEMS display device
KR20080027236A (ko) * 2005-05-05 2008-03-26 콸콤 인코포레이티드 다이나믹 드라이버 ｉｃ 및 디스플레이 패널 구성
EP2495212A3 (en) * 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
JP2009503564A (ja) 2005-07-22 2009-01-29 クアルコム，インコーポレイテッド Ｍｅｍｓデバイスのための支持構造、およびその方法
GB0515980D0 (en) * 2005-08-03 2005-09-07 Cavendish Kinetics Ltd Memory cell for a circuit and method of operation therefor
US7355779B2 (en) 2005-09-02 2008-04-08 Idc, Llc Method and system for driving MEMS display elements
US20080043318A1 (en) 2005-10-18 2008-02-21 E Ink Corporation Color electro-optic displays, and processes for the production thereof
US7630114B2 (en) 2005-10-28 2009-12-08 Idc, Llc Diffusion barrier layer for MEMS devices
KR100651825B1 (ko) * 2005-11-29 2006-12-01 한국과학기술원 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이, 그의 제어 방법,기계적인 스위치를 이용한 표시 장치 및 그의 제어 방법
US8391630B2 (en) 2005-12-22 2013-03-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for power reduction when decompressing video streams for interferometric modulator displays
US7795061B2 (en) 2005-12-29 2010-09-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process
US7636151B2 (en) 2006-01-06 2009-12-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for providing residual stress test structures
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7382515B2 (en) 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US8194056B2 (en) 2006-02-09 2012-06-05 Qualcomm Mems Technologies Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US7582952B2 (en) 2006-02-21 2009-09-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for providing and removing discharging interconnect for chip-on-glass output leads and structures thereof
US7547568B2 (en) 2006-02-22 2009-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof
US7550810B2 (en) 2006-02-23 2009-06-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having a layer movable at asymmetric rates
US7450295B2 (en) 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US7643203B2 (en) 2006-04-10 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical display system with broadband characteristics
US7903047B2 (en) 2006-04-17 2011-03-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mode indicator for interferometric modulator displays
US7711239B2 (en) 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US7527996B2 (en) 2006-04-19 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7623287B2 (en) 2006-04-19 2009-11-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7417784B2 (en) 2006-04-19 2008-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface
US8049713B2 (en) 2006-04-24 2011-11-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Power consumption optimized display update
US7369292B2 (en) 2006-05-03 2008-05-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrode and interconnect materials for MEMS devices
US7321457B2 (en) 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
US7649671B2 (en) 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7405863B2 (en) 2006-06-01 2008-07-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Patterning of mechanical layer in MEMS to reduce stresses at supports
US7471442B2 (en) 2006-06-15 2008-12-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures
US7702192B2 (en) 2006-06-21 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods for driving MEMS display
US7835061B2 (en) 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7385744B2 (en) 2006-06-28 2008-06-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structure for free-standing MEMS device and methods for forming the same
US7777715B2 (en) 2006-06-29 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Passive circuits for de-multiplexing display inputs
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US7388704B2 (en) 2006-06-30 2008-06-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Determination of interferometric modulator mirror curvature and airgap variation using digital photographs
US7763546B2 (en) 2006-08-02 2010-07-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices
US7566664B2 (en) 2006-08-02 2009-07-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants
KR101628340B1 (ko) 2006-10-06 2016-06-08 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 디스플레이 장치 및 디스플레이의 형성 방법
WO2008045207A2 (en) 2006-10-06 2008-04-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light guide
US7684106B2 (en) 2006-11-02 2010-03-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Compatible MEMS switch architecture
US7706042B2 (en) * 2006-12-20 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and interconnects for same
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
JP4492677B2 (ja) 2007-11-09 2010-06-30 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス装置、電気光学表示装置、および電子機器
JP4518200B2 (ja) * 2007-11-09 2010-08-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス装置、スイッチング素子の製造方法、電気光学表示装置、および電子機器
US8223285B2 (en) 2007-11-09 2012-07-17 Seiko Epson Corporation Active matrix device, method for manufacturing switching element, electro-optical display device, and electronic apparatus
JP4561813B2 (ja) * 2007-11-09 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス装置、電気光学表示装置、および電子機器
JP4488057B2 (ja) * 2007-11-09 2010-06-23 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス装置、電気光学表示装置、および電子機器
US8068710B2 (en) 2007-12-07 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Decoupled holographic film and diffuser
EP2199252A1 (en) * 2008-12-18 2010-06-23 Epcos AG Method of making a micro electro mechanical system (MEMS) device
JP5381216B2 (ja) * 2009-03-25 2014-01-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP5381217B2 (ja) * 2009-03-25 2014-01-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US8736590B2 (en) 2009-03-27 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low voltage driver scheme for interferometric modulators
JP5444948B2 (ja) * 2009-08-26 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置
CN102834761A (zh) 2010-04-09 2012-12-19 高通Mems科技公司 机电装置的机械层及其形成方法
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
JP5761293B2 (ja) * 2013-10-02 2015-08-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US31498A (en) * 1861-02-19 Method of hanging and securing kecipkocating mill-saws
US3950077A (en) * 1974-09-20 1976-04-13 Texas Instruments Incorporated Lead reference and counter electrode for an electrochromic display
US4099839A (en) * 1975-07-18 1978-07-11 American Cyanamid Company Faster addressing of electrochromic displays
DE2660098C2 (de) * 1975-09-23 1982-12-02 Sharp K.K., Osaka Verfahren zur Herstellung von mehrziffrigen Flüssigkristall-Sichtanzeigeeinrichtungen
FR2376508A2 (fr) * 1976-12-31 1978-07-28 Anvar Perfectionnements apportes aux dispositifs de commande du genre relais matrice de dispositifs de commande, et circuits d'excitation pour de tels dispositifs
US4413883A (en) * 1979-05-31 1983-11-08 Northern Telecom Limited Displays controlled by MIM switches of small capacitance
US4251136A (en) * 1979-07-25 1981-02-17 Northern Telecom Limited LCDs (Liquid crystal displays) controlled by thin film diode switches
US4431271A (en) * 1979-09-06 1984-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Display device with a thin film transistor and storage condenser
NL8001281A (nl) * 1980-03-04 1981-10-01 Philips Nv Weergeefinrichting.
EP0042893B1 (en) * 1980-06-30 1984-09-19 International Business Machines Corporation Electrochromic display having a stable reference electrode and method of operating same
FR2505070B1 (fr) * 1981-01-16 1986-04-04 Suwa Seikosha Kk Dispositif non lineaire pour un panneau d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication d'un tel panneau d'affichage

Also Published As

Publication number Publication date
EP0071287A1 (en) 1983-02-09
US4681403A (en) 1987-07-21
ES513952A0 (es) 1983-04-16
CA1194194A (en) 1985-09-24
JPS5818675A (ja) 1983-02-03
DE3277331D1 (en) 1987-10-22
SG48090G (en) 1990-08-17
EP0071287B1 (en) 1987-09-16
HK85091A (en) 1991-11-08
ES8305945A1 (es) 1983-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8103377A (nl) Weergeefinrichting.
CA1121489A (en) Lcds (liquid crystal displays) controlled by mims (metal-insulator-metal) devices
US4413883A (en) Displays controlled by MIM switches of small capacitance
NL8200354A (nl) Passieve weergeefinrichting.
EP1573389B1 (en) Backplanes for electro-optic displays
US5234541A (en) Methods of fabricating mim type device arrays and display devices incorporating such arrays
KR100416678B1 (ko) 스프링팁을갖는마이크로미케니컬디바이스
US6392618B1 (en) Active matrix device, and display apparatus
US6323834B1 (en) Micromechanical displays and fabrication method
US5835256A (en) Reflective spatial light modulator with encapsulated micro-mechanical elements
GB2091468A (en) Matrix liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US4952984A (en) Display device including lateral schottky diodes
EP0513911B1 (en) Method of fabricating mim type device arrays and display devices incorporating such arrays
EP0564031A1 (en) Display device
EP0385551B1 (en) Switching unit for a display device and display device including such a switching unit
KR100208673B1 (ko) 큰 구동각도를 갖는 박막형 광로 조절장치 및 그 제조 방법
KR100257237B1 (ko) 개선된 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법
KR100257238B1 (ko) 개선된 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법
KR100208690B1 (ko) 향상된 반사능을 갖는 광로 조절 장치 및 이의 제조 방법
KR100248990B1 (ko) 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법
KR19990002355A (ko) 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법
GB2244859A (en) MIM devices and active matrix displays incorporating such devices
KR19980054836A (ko) 박막형 광로 조절장치의 제조 방법
KR19990018834A (ko) 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed