KR100439423B1 - 마이크로전자기계 액튜에이터 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마이크로전자기계 액튜에이터에 관한 것으로, 마이크로전자기판에 형성된 도전성 비임을 자성체의 상부에 배치하여 전류의 흐름 방향에 따라 도전성 비임이 마이크로전자기판에 평행한 방향(In-Plane Mode)으로 운동할 수 있는 전자기형 마이크로전자기계 액튜에이터를 제공함으로써 평면운동이 요구되는 대부분의 전자기형 마이크로전자기계시스템에 적용될 수 있는 마이크로전자기계 액튜에이터를 제시한다.

Description

마이크로전자기계 액튜에이터{Microelectromechanical actuators}
본 발명은 마이크로전자기계기스템에 적용될 액튜에이터에 관한 것이며, 보다 상세하게는 마이크로전자기판의 표면에 평행한 변위를 제공하는 전자기형 액튜에이터(electromagnetic actuator)에 관한 것이다.
마이크로전자기계시스템의 가장 중요한 구성요소인 액튜에이터(Actuator)는 그동안 많은 구동원리로 구현되었다. 그 예로는 상이한 두 전극사이의 정전기력을 이용한 정전형 액튜에이터(Electrostatic Actuator), 압전물질을 이용한 압전형 액튜에이터(Piezoelectric Actuator), 재료의 열적 팽창을 이용하거나 제한된 공간에 갇혀 있는 공기의 열팽창을 이용하는 열적 액튜에이터(Thermal Actuator), 전자기력을 이용한 전자기형 액튜에이터(Electromagnetic Actuator) 등이 있다.
이러한, 구동원리를 이용하여 마이크로전자기계 장치의 많은 다양한 장치들이 제작되어졌는데, 움직일 수 있거나 또는 힘을 가할 수 있는 마이크로기어, 마이크로모터 및 다른 마이크로가공 장치들을 포함한다. 이러한 마이크로전자기계 장치들은 다양한 적용예에서 채용될 수 있는데, 마이크로펌프 또는 밸브가 이용되는 초미세유체제어 장치 적용예와, 광스위치 및 셔터를 구비하는 광학 적용예를 포함한다.
이들 중 전자기형 액튜에이터는 전류가 흐르는 코일과 자성체의 결합으로 발생하는 전자기력을 이용하여 구동된다. 이러한 전자기형 액튜에이터는 상대적으로 큰 변위와 힘 그리고 빠른 응답속도를 가진다는 장점이 있지만, 여타의 구동원리를 적용한 마이크로 액튜에이터에 비해 실제로 마이크로전자기계시스템에 적용된 예는 그리 많지 않다. 그 이유는 앞에서 언급한 바와 같은 여러가지 장점에도 불구하고, 제작공정의 복잡함과 정밀한 변위제어의 어려움 등 여전히 많은 단점을 가지고 있기 때문이다. 또한, 제작공정에 있어서는 마이크로 구조물과는 별도로 코일과 자성체를 제작해야 하기 때문에, 제작공정 자체가 복잡하고 마스크 수 또한 많이 필요하다.
전자기형 액튜에이터 구동원리의 전형적인 예로는 1999년 8월 31일 자로 등록된 미국 특허 제 5,945,898호('Magnetic Microactuator')와, 2000년 9월 26일자로 등록된 미국 특허 제 6,124,650호('Non-Volatile MEMS Micro-Relays Using Magnetic Actuators')가 제시되고 있다.
여기서, 미국 특허 제 5,945,898호는 전자기판에서 수직으로 작용하는 자장에 의해 자성체로 만들어진 평판이 수직 방향으로 일어서게끔 발명된 마그네틱 액튜에이터를 제시하였다. 미국 특허 제 6,124,650호는 다수의 직선형 금속배선을 마이크로전자기판에 제작한 후 금속배선 옆에 캔틸레버를 제작하여 금속배선 상에 캔틸레버가 떠 있는 구조를 제시하였다. 이러한, 캔틸레버 상에는 자성체가 형성되어 있어 금속배선으로 흐르는 전류의 방향에 따라 자성체가 상하운동을 하게 되며, 이러한 캔틸레버의 상하 회전운동으로 마이크로 릴레이가 작동되게 된다.
최근까지, 제시된 전자기력을 구동원리로 사용하는 액튜에이터는 대부분 다음과 같은 형태로 제작되었다. 전자기판에 일차적으로 코일을 제작하고, 이 코일 상에 빈 공간을 형성한 후 이차적으로 캔틸레버나 멤브레인을 제작하며, 그 상에 자성체를 제작하였다. 상기에서 제시한 두가지 미국 특허도 이러한 범주를 벗어나지 않으며, 이러한 전자기형 마이크로전자기계 액튜에이터는 작동 메커니즘상 기본적으로 전자기판과 수직한 방향으로 운동하게끔 제한되어 있다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 마이크로전자기판에 형성된 도전성 비임을 자성체의 상부에 배치하여 전류의 흐름 방향에 따라 도전성 비임이 마이크로전자기판에 평행한 방향(In-Plane Mode)으로 운동할 수 있는 전자기형 마이크로전자기계 액튜에이터를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자기형 마이크로전자기계 액튜에이터의 구조도.
도 2a 내지 도 2c는 도 1에 도시된 액튜에이터의 전도성 비임의 변위를 확대시키기 위한 변형예를 도시한 구조도.
도 3a 내지 도 3c는 도 1에 도시된 액튜에이터의 변형예로서, 다중 비임을 갖는 액튜에이터의 구조도.
도 4는 도 1에 도시된 액튜에이터의 변형예로서, 다수의 전도성 비임이 형성된 액튜에이터의 구조도.
도 5는 도 4에 도시된 액튜에이터의 변형예로서, 다수의 전도성 비임의 배열을 도시한 액튜에이터의 구조도.
도 6a 내지 도 6c는 도 1에 도시된 액튜에이터의 전도성 비임의 수평 운동을 수직 운동 또는 회전 운동으로 변환하기 위한 액튜에이터의 구조도.
도 7은 도 1에 도시된 액튜에이터의 변형예로서, 자속의 균등성과 자속 밀도를 증가시키기 위한 액튜에이터의 구조도.
도 8a 및 도 8b는 도 1에 도시된 액튜에이터의 변형예를 도시한 액튜에이터의 구조도.
도 9a 내지 도 9c는 SOI 웨이퍼를 이용한 액튜에이터의 전도성 비임 및 실리콘 격벽의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.
도 10a 내지 도 10c는 전주 도금법을 이용한 액튜에이터의 전도성 비임 및 실리콘 격벽의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 33, 34, 35 : 자성체 2, 32 : 마이크로전자기판
3 : 전극
4, 4a, 4b, 4c, 4d, 4e, 4f : 전도성 비임
21: 비틀림 바아 22: 구동 평판
23: 가이드 24: 힌지
25: 바아 26: 1차 변형 비임
28: 2차 변형 비임 31 : 실리콘 격벽
51: 하부 실리콘 기판 52: 실리콘 산화막층
53, 63: 감광막 54: 실리콘 비임
55: 실리콘 격벽 56 : 금속층
61: 유리 기판 62: 금속희생층
64: 전주 도금된 비임 65: 전주 도금된 격벽
본 발명은 표면을 가지는 마이크로전자기판; 상기 마이크로전자기판의 일면에 형성되는 자성체; 및 상기 마이크로전자기판의 상부 면에 양단 지지형으로 형성되되, 상기 자성체의 전자기력에 의한 로렌츠 힘에 의해 상기 마이크로전자기판의 상부 표면에 대해 평행하게 연장된 소정 경로를 따라 이동되는 다수의 전도성 비임을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자기형 마이크로전자기계 액튜에이터를 설명하기 위해 도시한 액튜에이터의 구조도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전자기형 마이크로전자기계 액튜에이터는 마이크로전자기판(2)을 경계로하여 그 하부에는 자성체(1)가 형성되고, 그 상부면의 양측에는 전극(3)이 형성되며, 양측의 전극(3)에 지지되도록 전도성 비임(4)이 형성된 구조로 이루어진다.
여기서, 자성체(1)는 상자성체와 같은 자석으로 형성하거나, 마이크로전자기판(2)에 코일을 감아 형성한다. 상기 마이크로전자기판(2)은 실리콘, 유리, PCB(Printed Circuit Board), 아크릴, 폴리머, 금속 및 자성체중 어느 하나의 물질을 사용한다. 상기 전도성 비임(4)은 단일금속, 단결정실리콘 또는 다결정실리콘과 같은 단일 전도성 물질로 이루어지거나, 이종금속 물질로 이루어지거나, 실리콘과 금속, 유리와 금속 또는 폴리머와 금속과 같은 복합재료로 이루어진다.
이로써, 전도성 비임(4)에 전류를 흘리면, 전도성 비임(4)이 마이크로전자기판(2)과 평행한 방향으로 점선과 같은 모양으로 휘어진다. 이러한, 전도성 비임(4)의 운동 방향은 플레밍의 왼손법칙에 따라 결정되며, 전도성 비임(4)을 휘어지게 만드는 전자기력을 로렌츠 힘이라고 한다. 여기서, 전류가 반대 방향으로 흐르게 되면 전도성 비임(4) 또한 반대 방향으로 휘어지게 된다.
이러한 특성을 갖는 전도성 비임(4)의 운동을 유연하게 하면서, 전도성비임(4)의 변위를 확대시키기 위한 방안으로 도 2a 내지 도 2c와 같은 구조를 제시한다.
도 2a를 참조하면, 이 도면은 도 1에 도시된 고정된 전도성 비임(4)의 운동을 더욱더 유연하게 하면서, 운동 변위도 크게 하기 위해 마이크로전자기판(2) 상부면에 형성된 전극(3)과 연결되는 양측단에 도시된 'A'부위와 같이 'S'자 형태의 연결부를 갖는 전도성 비임(4a)을 형성한다. 이러한, 전도성 비임(4a)은 'S'자 형태의 연결부 뿐만 아니라, 'T'자 형태와 같은 다양한 형태의 연결부를 갖도록 구현할 수 있으며, 연결되는 위치 또한 전도성 비임(4a)의 양단 뿐만 아니라 중간에도 연결할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 이 도면은 도 1에 도시된 전도성 비임(4)을 정해진 거리만큼 정확하게 운동시키거나, 전도성 비임(4)의 운동 변위를 크게 하기 위해 원호형 전도성 비임(4b)을 제시한다. 또한, 원호형 전도성 비임(4b)뿐만 아니라, 연속적인 'S'자형 또는 지그재그(Zigzag)형 비임과 같은 다양한 형태로 제작할 수 있다.
도 2c를 참조하면, 이 도면은 도 2a 및 도 2b에 도시된 전도성 비임(4a 및 4b)을 결합한 새로운 전도성 비임(4c)을 제시한다. 즉, 도 2b에 도시된 원호형 전도성 비임(4b)의 형태를 갖되, 도시된 'B'와 같이 전극(3)과 연결되는 양측단이 'S'자 형태를 갖는 연결점을 갖도록 형성한다.
상기에서 설명한 바와 같이, 전도성 빔은 단일 비임의 형태로 구현할 수도 있지만, 전도성 비임의 응용목적에 따라 도 3a 내지 3c와 같이 다중 비임의 형태로구현할 수도 있다.
도 3a를 참조하면, 이 도면은 도 1에 도시된 전도성 비임(4)이 마이크로전자기판(2) 상에서 평면운동을 할 때, 뒤틀림이나 휘어짐없이 보다 안정하게 평행운동을 할 수 있도록 단일 전도성 비임 대신 다중 전도성 비임(4d)을 제시한다.
도 3b를 참조하면, 이 도면은 도 3a에 도시된 다중 전도성 비임(4d)의 중앙 부위에 마이크로전자기판(2)에 대해 평행하게 운동할 수 있는 구동 평판을 갖는 다중 전도성 비임(4e)을 제시한다. 이러한, 구동 평판은 사용목적에 따라 다른 형태로 제작할 수 있으며, 특히 수직 평판이나 블록의 형태로 구현할 수도 있다.
도 3c를 참조하면, 이 도면은 도 3a에 도시된 다중 전도성 비임(4d)중 최소한 한 개 이상의 전도성 비임과, 그 나머지 비임은 비전도성 비임으로 이루어지는 다중 복합 비임(4f)을 제시한다. 이러한, 전도성 및 비전도성 다중 복합 비임의 양단이 중앙 부위에 도 3b에 도시된 다중 전도성 비임(4e)과 같은 구동 평판이 연결될 수 있다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이 도 1에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 전자기형 마이크로전자기계 액튜에이터는 마이크로전자기판(2) 상에 두 개 또는 그 이상의 개별 액튜에이터가 하나의 목적을 위하여 집단 형태로 형성될 수도 있으며, 도 5에 도시된 바와 같이 마이크로전자기판(2) 상에 어레이 형태로 다 수개가 배열될 수도 있다.
한편, 본 발명은 제시된 전자기형 마이크로전자기계 액튜에이터의 전도성 비임의 수평 운동을 수직 운동 또는 회전 운동으로 변환하기 위한 방법을 도 6a 내지도 6c를 통해 제시하고 있다.
도 6a를 참조하면, 이 도면은 도 1에 도시된 전도성 비임(4)의 수평 운동을 수직 운동으로 변환하기 위해 전도성 비임(4)의 양단이나 중간에 비틀림 바아(21)와 구동 평판(22)을 연결하고, 마이크로전자기판(2)의 제 1 표면에 가이드(23)와 같은 별도의 구조물을 형성한 새로운 구조를 제시한다. 또한, 전도성 비임(4)의 수평 운동을 회전 운동으로 바꾸기 위해 전도성 비임(4)의 양단 또는 중간에 기어(도시하지 않음)나 치차(도시하지 않음)를 연결할 수도 있다.
도 6b를 참조하면, 이 도면은 도 2b에 도시된 원호형 전도성 비임(4b)의 중앙 부위에 힌지(24)를 중심으로 시소(Seesaw)운동을 하는 바아(25)를 연결하여, 원호형 전도성 비임(4b)의 변위를 증폭하거나 또는 원호형 전도성 비임(4b)의 직선 운동을 회전 운동으로 변환할 수 있는 구조를 제시한다.
도 6c를 참조하면, 이 도면은 도 6b에 도시된 원호형 전도성 비임(4b)에 원호형의 1차 변형 비임(26)과 2차 변형 비임(28)을 폴더형으로 연결하여 선형변위를 확대시키기 위한 구조를 제시한다. 여기서,
또한, 본 발명은 도 7에 도시된 바와 같이 마이크로전자기판으로부터 수직한 방향으로의 균등한 자속형성과 자속밀도를 증가시키기 위해 도 1에서 제시된 전자기형 마이크로전자기계 액튜에이터의 상부에 마이크로전자기판(32)과 자성체(33)를 형성하고, 마이크로전자기판(2, 32) 간은 실리콘 격벽(Spacer)으로 연결된 새로운 구조를 제시한다.
또한, 본 발명은 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이 자속을 발생하는 자성체의 형성위치를 달리하여 자속 방향을 원하는 방향으로 바꾸어주는 새로운 방법을 제시한다.
도 8a를 참조하면, 이 도면은 자성체(34, 35)가 마이크로전자기판(2)의 좌측부와 우측부에 형성된 새로운 구조를 제시한다. 이로써, 도 1에 도시된 마이크로전자기판(2)에 수직하게 작용하던 자속방향을 마이크로전자기판(2)에 수평한 방향으로 바꾸어 주어 전도성 비임(4)을 마이크로전자기판(2)에 수직한 방향으로 운동하게 한다.
도 8b를 참조하면, 이 도면은 자성체(1, 34)가 마이크로전자기판의 하부와 좌측부에 형성된 새로운 구조를 제시한다. 이로써, 자속의 방향을 마이크로전자기판(2)에 대해 'θ'만큼의 각도를 가지게 하여, 전도성 비임(4)을 마이크로전자기판(2)에 대해 '90°+ θ' 만큼의 각도 방향으로 운동하게끔 한다. 또한, 자속의 세기와 방향을 조절하기 위해 마이크로전자기판(2)의 상하부나 좌우측부에 적어도 하나 이상의 자성체를 형성할 수도 있다.
상기에서 제시된 본 발명의 전도성 비임과 실리콘 격벽의 제조 방법을 도 9a 내지 도 9c와, 도 10a 내지 도 10c를 통해 설명하기로 한다. 여기서, 도 9a 내지 도 9c는 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼를 이용한 제조 방법을 제시하였고, 도 10a 내지 도 10c는 전주 도금법(Electroplating)을 이용한 제조 방법을 제시하였다.
도 9a를 참조하면, 하부 실리콘 기판(51) 상에 실리콘 산화막층(52)과 상부 실리콘 기판(도시하지 않음)을 순차적으로 증착한 후 포토리소그래피 공정을 실시하여 상부 실리콘 기판의 소정 부위가 노출되도록 감광막(53)을 형성한다. 이어서, 상기 감광막(53)을 마스크로 이용한 실리콘 건식 식각공정(Silicon Dry Etch)을 실시하여 노출되는 상부 실리콘 기판을 식각하여 실리콘 비임(54)과 실리콘 격벽(55)을 형성한다.
도 9b를 참조하면, 실리콘 산화막층(52)이 실리콘 격벽(55)의 하부에만 잔재하도록 실리콘 산화막 습식 식각(Wet Etch) 공정을 실시한다. 이로써, 실리콘 비임(54)을 하부 실리콘 기판(51) 상에서 부유시킨다.
도 9c를 참조하면, 전체 구조 상부에 금속 증착공정을 실시하여 실리콘 격벽(55), 실리콘 비임(54) 및 실리콘 격벽(55) 사이로 노출되는 하부 실리콘 기판(51) 상에 금속층(56)을 증착한다. 이로써, 실리콘 비임(54)의 도전성을 높일뿐만 아니라, 실리콘 격벽(55) 상에 증착된 금속층(56)을 이용하여 전극을 형성한다.
상기와 같이, 금속층(56)이 실리콘 비임(54)의 외부를 감싸게 되면, 실리콘으로만 이루어진 비임 또는 금속으로만 이루어진 비임이 가지는 단점들을 극복할 수 있다. 즉, 실리콘으로만 이루어진 비임은 고농도로 실리콘 표면을 도핑하여도 금속보다는 여전히 저항이 높아서 비임으로 흐르는 전류의 대부분이 열로 소비되는데 반해, 금속으로만 이루어진 비임은 전류는 잘 흐르지만 기계적인 강도가 실리콘 보다 약하기 때문에 피로 파괴와 같은 문제가 생기게 된다.
여기서, 도 9a 내지 도 9c는 SOI 웨이퍼를 이용하여 제작한 일 예로, 실리콘 비임과 실리콘 격벽의 재료로 단결정 실리콘 뿐만 아니라, 다결정실리콘, 유리 또는 폴리머 등과 같은 다른 재료도 사용될 수 있으며, 이러한 재료의 전도성을 높이기 위해 도 9c와 같이 금속을 증착한다.
한편, 도 10a를 참조하면, 유리기판(61) 상에 알루미늄 또는 크롬과 같은 금속 희생층(62)을 증착한 후 포토리소그래피 공정을 실시하여 금속 희생층(62)의 소정 부위가 노출되도록 고단면비의 감광막(63)을 형성한다.
도 10b를 참조하면, 금속 희생층(62)에 양의 전극을 크롬 또는 니켈과 같은 도금 용액 속에 음의 전극을 연결하여 전주 도금을 한다. 이 때, 전주 도금된 비임(64)과 전주 도금된 격벽(65)이 동시에 형성된다.
도 10c를 참조하면, 감광막 스트립 공정을 실시하여 고단면비의 감광막(63)을 제거한 후 금속 희생층(62)을 식각하여 전주 도금된 비임(64)을 유리기판(61) 상에 부유시킨다. 여기서, 금속 희생층(62)에 사용되는 금속종류와 전주 도금층에 사용되는 금속종류는 예시한 금속들에 한정될 필요가 없을 뿐만 아니라, 이종금속 또는 이들의 합금으로 금속희생층과 전주도금층을 형성할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은 마이크로전자기판에 형성된 도전성 비임을 자성체의 상부에 배치하여 전류의 흐름 방향에 따라 도전성 비임이 마이크로전자기판에 평행한 방향(In-Plane Mode)으로 운동할 수 있는 전자기형 마이크로전자기계 액튜에이터를 제공함으로써 평면운동이 요구되는 대부분의 전자기형 마이크로전자기계시스템에 적용될 수 있다.
또한, 본 발명의 전자기형 마이크로전자기계 액튜에이터는 제조 공정상 코일을 이용한 전자기형 마이크로 액튜에이터에 비해 제조공정이 간단하며, 회로와의 결합(IC integration)이 용이하다.

Claims (18)

  1. 표면을 가지는 마이크로전자기판;
    상기 마이크로전자기판의 일면에 형성되는 자성체;
    상기 마이크로전자기판의 상부면에 양단 지지형으로 형성되되, 상기 자성체의 전자기력에 의한 로렌츠 힘에 의해 상기 마이크로전자기판의 상부 표면에 대해 평행하게 연장된 소정 경로를 따라 이동되는 다수의 전도성 비임; 및
    상기 마이크로전자기판의 일 표면에는 상기 전도성 비임의 수평 운동을 수직 운동으로 변환하기 위해 가이드와 같은 별도의 구조물을 포함하여 이루어진 마이크로전자기계 액튜에이터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 비임은 양단 또는 중간 부위에 'T'자형 또는 'S'자형의 비임이 연결된 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 비임은 곡선 또는 'S'자 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 비임은 양단 또는 중간 부위에 상기 전도성 비임과 평행한 방향으로 제작된 평판 또는 상기 전도성 비임과 수직한 방향으로 제작된 블록 형상의 구조물이 연결된 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 비임은 중앙 부위가 서로 연결되는 하나 이상의 다수의 빔으로 이루어진 다중 빔인 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 다중 빔은 상기 다수의 빔이 연결되는 부위가 평판 또는 블록 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 다수의 빔은 모두가 도전체인 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 다수의 빔은 일부가 도전체이고, 나머지 일부는 부도체인 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 비임은 양단 또는 중간 부위에 시소형태의 바아를 연결하여 변위를 확대하는 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 비임은 단일금속, 단결정실리콘 또는 다결정실리콘과 같은 단일 전도성 물질이거나, 이종금속인 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 비임은 실리콘과 금속, 유리와 금속 또는 폴리머와 금속과 같은 복합재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 비임은 단결정실리콘, 다결정실리콘, 산화막, 유리 또는 폴리머로 이루어진 비임을 형성한 후 상기 비임을 감싸도록 금속을 증착함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 비임은 상기 마이크로전자기판 상에 일차적으로 알루미늄 및 크롬과 같은 재료로 금속희생층을 증착하고, 포토리소그래피 공정을 통해 감광막을 패턴한 후 구리나 니켈 같은 금속을 전주 도금법으로 증착함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  14. 삭제
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 마이크로전자기판은 실리콘, 유리, PCB, 아크릴, 폴리머, 금속 및 자성체중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 자성체는 상자성체와 같은 자석으로 형성하거나, 상기 마이크로전자기판에 코일을 감아 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 자성체는 상기 마이크로전자기판의 상하부 또는 좌우측부에 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 비임은 양단 또는 중간 부위에 비트림 비아 또는 기어를 연결하여 상기 전도성 비임의 수평 운동을 수직 운동 또는 회전 운동으로 변환하는 것을 특징으로 하는 마이크로전자기계 액튜에이터.
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