JPH10247118A

JPH10247118A - マイクロダンパ、及び該マイクロダンパを有するセンサ、アクチュエータ、プローブ、並びに該プローブを有する走査型プローブ顕微鏡、加工装置、情報処理装置

Info

Publication number: JPH10247118A
Application number: JP6377197A
Authority: JP
Inventors: Susumu Yasuda; 進安田; Takayuki Yagi; 隆行八木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-03-03
Filing date: 1997-03-03
Publication date: 1998-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、真空中でも減衰力を得ることがで
き、その減衰力を制御することができるマイクロダンパ
と、該マイクロダンパを有するセンサ、アクチュエー
タ、プローブ、並びに該プローブを有する走査型プロー
ブ顕微鏡、加工装置、情報処理装置等を提供することを
目的としている。【解決手段】本発明は、相対的に可動な第１の部材と第
２の部材とを備えたマイクロ構造体の可動部の振動を制
御するマイクロダンパにおいて、前記第１の部材と第２
の部材のいずれか一方の部材に設けられた磁界発生手段
と、該磁界発生手段に対向して他方の部材に設けられた
導電性部材とによって、ダンピング力を働かせるように
したマイクロダンパを構成したことを特徴とするもので
あり、また該マイクロダンパを用いてダンピング特性の
優れた、センサ、アクチュエータ、プローブ、並びに該
プローブを有する走査型プローブ顕微鏡、加工装置、情
報処理装置を構成したことを特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロメカニク
ス技術を用いて製作されるマイクロダンパと、それを用
いたセンサ、アクチュエータ、プローブ及び、そのプロ
ーブを用いた原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）や摩擦力顕微鏡
（ＦＦＭ）等の走査型力顕微鏡（ＳＦＭ）、加工装置、
情報処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、マイクロマシニング技術を用いて
センサや、アクチュエータ等のマイクロマシンが作成さ
れるようになっている。これらのマイクロマシンにおい
ては、マクロな機械に比べて摩擦力の寄与が大きくなる
ため、これらの機械の多くは摺動部を使用せずに可動部
を弾性支持するように構成されている。一般に、弾性支
持された可動部を持つ機構は、必要以上の振動を押さえ
るためにダンパが必要となる。従来のマイクロマシンに
使用されるダンパは、空気の抵抗を用いたものが主流で
あった。その理由は、通常サイズの機械で広く使用され
ている油等の液体では減衰力が大きくなりすぎるためで
ある。

【０００３】図６は空気のスクイーズ力をダンパに用い
た走査プローブ顕微鏡用プローブの例である（Ｙ．Ｘｕ
ａｎｄＳ．Ｔ．Ｓｍｉｔｈ，“Ｄｅｔｅｒｍｉｎａ
ｔｉｏｎｏｆｓｑｕｅｅｚｅｆｉｌｍｄａｍｐ
ｉｎｇｉｎｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ−ｂａｓｅｄ
ｃａｎｔｉｌｅｖｅｒｆｏｒｃｅｐｒｏｂｅｓ，”
ＰｒｅｃｉｓｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ１７：
９４−１００，１９９５）。６０１はティップ、６０２
はカンチレバー、６０３ａ、６０３ｂは変位検出電極、
６０４は基台である。このプローブは６０３ａと６０３
ｂの間の静電容量を検出することでプローブに働く力を
検出するようになっている。このプローブにおいてはカ
ンチレバー６０２と基台６０４との距離を適当に設定す
ることで、カンチレバーに働く空気のスクイーズ力を制
御して比減衰率を最適にすることができる。図７は特開
平６−１６０４１７号公報に示された加速度センサで、
錘７０２が基台７０４上に弾性支持部材７０３で支持さ
れた構造になっている。加速度により錘７０２が上下す
ると空気等の圧力伝導体がオリフィス７０１を通り抜け
るようになっており、そのときの抵抗がダンパとして働
く。

【０００４】また一方、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴ
Ｍ）や、走査型力顕微鏡（以下ＳＦＭ）等の走査プロー
ブ顕微鏡（ＳＰＭ）を用いることで、材料表面を原子オ
ーダーの分解能で観察することができるようになってき
ている。さらに、これらの走査プローブ顕微鏡（ＳＰ
Ｍ）は、基板に電気的、化学的あるいは物理的作用を及
ぼす事を目的とした微細加工技術や、メモリ技術にも応
用されつつある。これらの微細加工技術による加工精度
は原子レベルの大きさから数μｍ程度の大きさまで様々
である。また、メモリ装置に応用すると、１ビットを数
ｎｍの大きさにできるので、媒体が１ｃｍ角のものでも
１０¹²ビットオーダの記録容量を持つメモリ装置が実現
できる。

【０００５】ＳＦＭに用いるプローブは一般に先端径の
小さなティップ（探針）を持つカンチレバーであり、こ
れはマイクロマシニング技術を用いて製作される。ティ
ップと試料表面との間には、比較的遠距離では分散力に
よる微弱な引力が働き、近距離では斥力が働く。カンチ
レバーの変位は作用する力に比例するので、その変位を
測定することによって、ティップ先端とこれに数ｎｍ以
内に近接する試料表面間に働く微弱で局所的な力を検出
することが可能になる。更に試料表面に沿ってプローブ
を走査することで試料表面の力の２次元的情報が得られ
る。試料表面に垂直に働く力による変位すなわちカンチ
レバーのたわみを検出するものを原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）、試料表面に平行に働く力による変位すなわちカン
チレバーのねじれを検出するものを摩擦力顕微鏡（ＦＦ
Ｍ）といって区別する場合もある。さらに、ＳＦＭ／Ｓ
ＴＭ複合機においては、ＳＦＭにおけるカンチレバー部
とプローブに金属コート等によって導電性を持たせ、探
針−試料間にバイアス電圧を印加することによって、Ｓ
ＦＭとしての機能に加えてＳＴＭとしての機能を実現さ
せ、ティップに作用する力、及びトンネル電流という２
つの物理量を同時に複合検出することができる。

【０００６】さて、ＳＦＭ装置においてプローブを試料
表面に正確に追従させるためには、プローブのダンピン
グ特性が重要であることが知られている。一般にプロー
ブの共振周波数は高ければ高いほど、試料表面における
形状の急激な変動に追随しやすくなる。一方、ダンピン
グはプローブの振動を押さえる働きをするので適度な減
衰は必要であるが、減衰が強すぎると応答性が悪くなっ
てしまう。Ｗｈｉｔｅｈｏｕｓｅらは、プローブの比減
衰率（減衰力の臨界減衰に対する比）は０．４〜０．８
程度が最適だとしている（Ｗｈｉｔｅｈｏｕｓｅ，Ｄ．
Ｊ．“Ｄｙｎａｍｉｃａｓｐｅｃｔｓｏｆｓｃａ
ｎｎｉｎｇｓｕｒｆａｃｅｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ
ａｎｄｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅｓ，”Ｎａｎｏｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ，１９９０，１，９３−１０２）。このよ
うな減衰力をプローブに生じさせるダンパは、図６のよ
うに空気の抵抗を用いる手法が主流である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記したよ
うなダンパは空気を用いているため、雰囲気によって減
衰力が変わり、特に高真空中では減衰力が全く働かなく
なってしまう。そのため、上記したダンパを用いたセン
サやアクチュエータを真空中で使用するためには、空気
とともにパッケージしなければならず、コストがかかる
という問題点があった。また、ＳＦＭのプローブのよう
に、外部と直接作用するものは、パッケージできないの
で、必要なダンピング特性が得られないという問題点が
あった。また、従来のダンパの減衰力は作成時に決まっ
てしまうため、減衰力を変化させることができないとい
う問題点があった。例えば、プローブの最適なダンピン
グ特性は試料の表面形状や、観察方法によって異なるた
め、観察場所や観察方法によって減衰力を変化させるの
が望ましいが、従来のプローブではプローブを取り替え
なければ減衰力を変化させることができないという点に
問題があった。

【０００８】そこで、本発明は、上記従来技術が有する
課題を解決し、真空中でも減衰力を得ることができ、そ
の減衰力を制御することができるマイクロダンパと、該
マイクロダンパを有するセンサ、アクチュエータ、プロ
ーブ、並びに該プローブを有する走査型プローブ顕微
鏡、加工装置、情報処理装置等を提供することを目的と
している。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、マイクロダンパと、該マイクロダンパを有
するセンサ、アクチュエータ、プローブ、並びに該プロ
ーブを有する走査型プローブ顕微鏡、加工装置、情報処
理装置をつぎのように構成したことを特徴としている。（１）本発明のマイクロダンパは、相対的に可動な第１
の部材と第２の部材とを備えたマイクロ構造体の可動部
の振動を制御するマイクロダンパにおいて、前記第１の
部材と第２の部材のいずれか一方の部材に設けられた磁
界発生手段と、該磁界発生手段に対向して他方の部材に
設けられた導電性部材とによって、ダンピング力を働か
せるようにしたことを特徴としている。（２）本発明のマイクロダンパは（１）のマイクロダン
パにおいて前記磁界発生手段がコイルであることを特徴
としている。（３）本発明の力学量センサは、（１）〜（２）のマイ
クロダンパにおける第１の部材と第２の部材のいずれか
一方の部材に、該第１の部材と第２の部材の相対的な変
位を検出する変位検出手段を有することを特徴としてい
る。（４）本発明の静電アクチュエータは、（１）〜（２）
のマイクロダンパにおける第１の部材と第２の部材のい
ずれか一方の部材に、他方の導電性部材に対向する静電
駆動電極を有することを特徴としている。（５）本発明のプローブは、（１）〜（２）のマイクロ
ダンパにおける第１の部材と第２の部材のいずれか一方
の部材に、ティップを有することを特徴とするプロー
ブ。（６）本発明のプローブを走査して試料表面を観察する
走査型プローブ顕微鏡は、上記（５）に記載のプローブ
を有することを特徴としている。（７）本発明の微細加工等を施す加工装置は、上記
（５）に記載のプローブを有することを特徴としてい
る。（８）本発明のプローブを記録媒体に対して走査して情
報の記録・再生をする情報処理装置は、上記（５）に記
載のプローブを有することを特徴としている。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明は、上記構成により、前述
した本発明の課題を達成するものであるが、つぎに、図
に基づいて本発明のマイクロダンパの具体的作用を説明
する。図３において、３０５は磁界発生手段、３０６は
導電性プレートである。磁界発生手段３０５により生じ
た磁界３５１中で、導電性プレート３０６が磁界発生手
段３０５に対して相対的に方向３５２の向きに移動する
と電磁誘導の原理により導電性プレート３０６中に渦電
流３５３が生じ、その渦電流３５３によって磁界３５４
が発生する。磁界３５４と磁界３５１は互いに反発する
力を及ぼし合うので、結果として導電性プレート３０６
の移動方向に逆らう向きに力が働く。同様に導電性プレ
ート３０６を方向３５２の逆向きに移動させた場合も移
動方向に逆らう向きに力が働く。すなわち、磁界発生手
段３０６と導電性発生プレート３０５はダンパとして働
くことが分かる。このダンパとしての作用は電磁力によ
るものなので、本発明のマイクロダンパによれば真空中
でも減衰力を働かせることが可能となる。また、本発明
のマイクロダンパにおいては、その磁界発生手段にコイ
ルを使用することにより、減衰力を制御することができ
る。また、本発明のマイクロダンパを用いた力学量セン
サ、または静電アクチュエータ、あるいはプローブによ
れば、真空中でも減衰力を働かせ、またその減衰力を制
御することが可能となる。また、本発明の走査型プロー
ブ顕微鏡によれば、雰囲気によらず減衰力が働くため、
雰囲気が変わっても正確な像を得ることができ、また異
なる測定モードでも減衰力を最適に制御することで正確
な像を得ることができる。また、本発明の加工装置によ
れば、雰囲気によらず減衰力が働くため、様々な雰囲気
中で加工を行うことができる。また、本発明の情報記録
装置によれば、雰囲気によらず減衰力が働くため、様々
な雰囲気で情報の記録再生を正確に行うことができる。

【００１１】

【実施例】以下に、本発明の実施例について説明をす
る。［実施例１］図１は、実施例１を示すものであり、本発
明のマイクロダンパをＳＦＭ／ＳＴＭ複合観察装置用プ
ローブに適用した例である。図１において、１０２カン
チレバー、１０６導電性プレート、１０７電流検出信号
線は、構造が見易いように一部削って表示している。基
台１０４上には薄膜コイル１０５が形成され、薄膜コイ
ル１０５は磁界発生信号線１０８を介して電極１１０に
接続されている。また、基台１０４上には支持部材１０
３を介してカンチレバー１０２が配置されている。カン
チレバー１０２の自由端には導電性材料からなるティッ
プ１０１が配置されており、薄膜コイル１０５に対向す
る位置には導電性プレート１０６が形成されている。テ
ィップ１０１は電流検出信号線を介して電極１０９に接
続されている。

【００１２】本発明の特徴である薄膜コイル１０５のよ
うな構造物は、半導体リソグラフィ技術で容易に作成で
きることが知られている。本実施例のプローブは、電極
１１０から薄膜コイル１０５に電流を流すと、真空中で
もダンピング力が働く。また、薄膜コイル１０５に流す
電流を制御することでダンピング量を制御することがで
きる。

【００１３】［実施例２］図２は実施例２を示すもので
あり、実施例１のプローブを用いたＳＦＭ／ＳＴＭ複合
観察装置の制御回路の概略を示したものである。図２で
は実施例１のプローブがＸＹＺ駆動ステージ上に載った
試料に対向して配置されている。そしてカンチレバー１
０２の先端の変位がレーザ発振器１１１と４分割フォト
ダイオード１１２からなる光てこで検出されるようにな
っている。なお、カンチレバーの変位の検出法はここに
示す方法に限定されるものではなく、図６に示すプロー
ブで使用される静電容量検出法や、カンチレバーに働く
応力をピエゾ抵抗の変化で読み取るピエゾ抵抗法など、
従来のＳＦＭで用いられている検出法を用いることもで
きることはいうまでもない。

【００１４】まず、接触モードのＡＦＭ測定と導電率測
定を同時に行う方法について説明する。測定を行う際に
は、試料１２０とティップ１０１を接触するまで接近さ
せる。その後、試料１２０は走査信号発生回路１１９か
らの信号で駆動されるＸＹＺ駆動ステージ１１３でティ
ップ１０１に対して相対的に走査される。ティップ１０
１と試料１２０の間には測定バイアス印加回路１１７に
より測定バイアス電圧が印加されている。ここで、電流
検出回路１１８で検出される電流をティップ１０１の試
料１２０上の位置に対してマッピングして行くことで、
試料表面の導電率の２次元分布が求められる。また、変
位検出回路１１５から得られる変位信号のうち、カンチ
レバーのたわみ量をマッピングすればＡＦＭ像が得ら
れ、カンチレバーのねじれ量をマッピングすればＦＦＭ
像を得ることができる。これらの像の取得は全て同時に
行うことができる。

【００１５】接触モードのＡＦＭ動作では、最適な減衰
比は０．４〜０．８程度なので減衰力が最適になるよう
に減衰力制御回路１１６から薄膜コイル１０５に電流を
流すようにする。真空中では空気のダンピング力が効か
なくなるので、大気中よりも多くの電流を流す必要があ
る。このように、本発明のプローブを用いたＳＦＭ／Ｓ
ＴＭ複合観察装置を使用すれば、真空中でも最適な減衰
力を得ることができる。次に、振動モードのＡＦＭ測定
を行う方法について説明する。測定を行う際には、試料
１２０とティップ１０１を接触しない程度に接近させ
る。そして、微動アクチュエータ制御回路１２２から駆
動信号を送って、微動アクチュエータ１２１をプローブ
の共振周波数付近で振動させ、ティップ１０１が試料１
２０に対して振動するようにする。その後、試料１２０
は走査信号発生回路１１９からの信号で駆動されるＸＹ
Ｚ駆動ステージ１１３でティップ１０１に対して相対的
に走査される。

【００１６】ティップ１０１の振動の振幅や位相はティ
ップに作用する力によって変化するので、変位検出回路
１１５から得られる変位信号から、振動の振幅や、振動
の位相を抽出してティップ１０１の試料１２０上の位置
に対してマッピングして行くことで、試料の表面のティ
ップに働く力の２次元分布が求められる。振動モードの
ＡＦＭ動作では、プローブの減衰は小さい方が望ましい
ので、薄膜コイル１０５には電流を流さないようにす
る。このように、本発明のプローブを用いたＳＦＭ／Ｓ
ＴＭ複合観察装置を使用すれば、同じプローブを使用し
ながら、接触モードと非接触モードでそれぞれ最適な減
衰力を得ることができる。

【００１７】［実施例３］実施例３では、実施例２で示
したＳＦＭ／ＳＴＭ複合装置を用いて、試料としての記
録媒体に電気的な加工を施すことにより記録ビットの書
き込みを行ない、実際にそのビットを用いて情報の記録
再生消去を行なった。記録媒体としては特開昭６３−１
６１５５２号公報および特開昭６３−１６１５５３号公
報に開示されている記録媒体であるＡｕ電極上に積層さ
れたＳＯＡＺ−ラングミュアープロジェット（ＬＢ）膜
（２層膜）を試料として用いる。Ａｕ電極には抵抗加熱
によるＡｕの蒸着膜を用いている。

【００１８】この記録媒体に、カンチレバー上のティッ
プを用いて波高値−６Ｖおよび＋１．５Ｖの連続したパ
ルス電圧を重畳したバイアスを探針と記録媒体の間に印
加することで電気的な情報の書き込みを行う。さらにそ
の書き込んだ情報を読み出すために、記録媒体上を走査
してトンネル電流を測定し、得られるトンネル電流信号
から、電気的加工によって書き込んだビット信号を抽出
し、抽出したビット信号から書き込んだ情報の再生を行
う。再生した情報は、トンネル電流信号の飽和や不検出
状態等が起こらず、情報の欠落等も発生せず、書き込ん
だ情報は１００％再生できる。

【００１９】また、一度書き込んだ一連の部分に上述の
バイアスと逆の大きさのパルスを重畳したバイアスを探
針と記録媒体の間に印加する。その後に一連のビットを
形成する部分を走査しトンネル電流を測定すると、すべ
てビットがない場合の大きさに戻っている、すなわち書
き込んだデータが消去されていることを確認できる。す
なわち、本発明によって、消去に対しても安定に探針制
御ができる。ティップにタングステン等酸化しやすい金
属を用いた場合には、酸化を防ぐために高真空中で情報
の記録再生をおこなうことでティップの寿命を長くする
ことができるが、従来のプローブでは雰囲気を高真空に
するとプローブにダンピングが働かないためプローブが
跳ねてしまい、走査速度を速くすることができないとい
う問題点があった。しかし、本発明の情報記録装置を用
いれば、真空中でもプローブにダンピング力が働くた
め、大気中と同じ走査速度で情報の記録再生を行うこと
ができる。

【００２０】［実施例４］図４は、実施例４を示すもの
であり、本発明のマイクロダンパを加速度センサに適用
した例である。図４において、基台４０４の上方におも
り４０３が弾性支持部４０２を介して支持されている。
弾性支持部４０２のたわみは歪みセンサ４０７で検出さ
れる。おもり４０３の１面には、金属製薄膜からなる導
電性プレート４０６が形成されており、基台４０４の上
には導電性プレート４０６に対向する位置に永久磁石４
０５が配置されている。

【００２１】おもり４０３が振動すると永久磁石４０５
の発生する磁界中で導電性プレート４０６が運動する。
このとき導電性プレート４０６に生じる渦電流がおもり
４０３の運動を妨げる向きに磁界を生じるので、ダンピ
ング力が発生する。このダンピング力は真空中でも働く
ので、本実施例の加速度センサはパッケージすることな
く真空中でも使用することができる。

【００２２】［実施例５］図５は、実施例５を示すもの
であり、本発明のマイクロダンパを光変調用の静電アク
チュエータに適用した例である。基台５０４上には、薄
膜コイル５０５ａ、ｂと、静電駆動電極５０７ａ、ｂが
形成されており、基台５０４の上方には導電性材料から
なるミラー５０３がトーションバー５０２ａ、５０２ｂ
を介して回転自由に支持されている。静電駆動電極５０
７ａとミラー５０３の間に電圧を印加すると、ミラー５
０３は図中で左回りに変位し、静電駆動電極５０７ｂと
ミラー５０３の間に電圧を印加するとミラー５０３は図
中で右回りに変位する。

【００２３】薄膜コイル５０５ａと５０５ｂに電流を流
して磁界が発生している状態で、ミラー５０３が運動す
ると、ミラー５０３中に渦電流が発生し、その運動を妨
げる向きにダンピング力が発生する。一方、薄膜コイル
５０５ａと５０５ｂに電流を流さなければダンピング力
は発生しない。本実施例の光変調用の静電アクチュエー
タは、光をアクチュエータの固有振動数で振動させて走
査を行うときにはダンピングを働かせないようにし、光
を一定方向に反射するときはダンピングを強くしてミラ
ーのぶれを少なくするといった使用法ができるため、従
来のものに比べ応用範囲が広くなる。

【００２４】

【発明の効果】本発明は、以上のとおり、磁気発生手段
に対向して設けられた導電性部材によって、ダンピング
力を働かせるようにした構成により、真空中でも減衰力
を得ることができると共に、その減衰力を制御すること
が可能なマイクロダンパを構成することができ、このよ
うなマイクロダンパによってダンピング特性の優れたセ
ンサ、アクチュエータ、プローブ、等を実現することが
できる。また、本発明のマイクロダンパによって走査型
プローブ顕微鏡を構成することにより、雰囲気によらず
正確な像を得ることができ、また、同一プローブを用い
て異なる測定モードにおける正確な像を得ることの可能
な走査型プローブ顕微鏡を実現することができる。ま
た、本発明のマイクロダンパによって加工装置を構成す
ることにより、雰囲気によらず正確な加工の可能な加工
装置を実現することができる。また、本発明のマイクロ
ダンパによって情報記録装置を構成することにより、雰
囲気によらず情報の正確な記録再生ができ、真空中でも
高速で情報の記録再生の可能な情報記録装置を実現する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１におけるＳＦＭ／ＳＴＭ複合
観察装置用プローブの斜視図である。

【図２】本発明の実施例２におけるＳＦＭ／ＳＴＭ複合
観察装置の制御回路の概略図である。

【図３】本発明のマイクロダンパの原理を説明する図で
ある。

【図４】本発明の実施例４における加速度センサの斜視
図である。

【図５】本発明の実施例５における光変調用アクチュエ
ータの斜視図である。

【図６】従来型のプローブの斜視図である。

【図７】従来型の加速度センサの断面図である。

【記号の説明】

１０１：ティップ１０２：カンチレバー１０３：支持部材１０４：基台１０５：薄膜コイル１０６：導電性プレート１０７：電流検出信号線１０８：磁界発生信号線１０９、１１０：電極１１１：レーザ発振器１１２：４分割フォトダイオード１１３：ＸＹＺ駆動ステージ１１４：制御コンピュータ１１５：変位検出回路１１６：減衰力制御回路１１７：測定バイアス印加回路１１８：電流検出回路１１９：走査信号発生回路１２０：試料１２１：微動アクチュエータ３０５：磁界発生手段３０６：導電性プレート３５１：磁界発生手段による磁界３５２：移動方向３５３：渦電流３５４：渦電流による磁界４０２：弾性支持部４０３：おもり４０４：基台４０５：永久磁石４０６：導電性プレート４０７：歪みセンサ５０２ａ、５０２ｂ：トーションバー５０３：ミラー５０４：基台５０５ａ、ｂ：薄膜コイル５０７ａ、ｂ：静電駆動電極６０１：ティップ６０２：カンチレバー６０３ａ、６０３ｂ：変位検出電極６０４：基台７０１：オリフィス７０２：錘７０３：弾性支持部材７０４：基台

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】相対的に可動な第１の部材と第２の部材と
を備えたマイクロ構造体の可動部の振動を制御するマイ
クロダンパにおいて、前記第１の部材と第２の部材のい
ずれか一方の部材に設けられた磁界発生手段と、該磁界
発生手段に対向して他方の部材に設けられた導電性部材
とによって、ダンピング力を働かせるようにしたことを
特徴とするマイクロダンパ。
【請求項２】前記磁界発生手段が、コイルであることを
特徴とする請求項１に記載のマイクロダンパ。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載のマイクロ
ダンパにおける第１の部材と第２の部材のいずれか一方
の部材に、該第１の部材と第２の部材の相対的な変位を
検出する変位検出手段を有することを特徴とする力学量
センサ。
【請求項４】請求項１または請求項２に記載のマイクロ
ダンパにおける第１の部材と第２の部材のいずれか一方
の部材に、他方の導電性部材に対向する静電駆動電極を
有することを特徴とする静電アクチュエータ。
【請求項５】請求項１または請求項２に記載のマイクロ
ダンパにおける第１の部材と第２の部材のいずれか一方
の部材に、ティップを有することを特徴とするプロー
ブ。
【請求項６】プローブを走査して試料表面を観察する走
査型プローブ顕微鏡において、請求項５に記載のプロー
ブを有することを特徴とする走査型プローブ顕微鏡。
【請求項７】微細加工等を施す加工装置において、請求
項５に記載のプローブを有することを特徴とする加工装
置。
【請求項８】プローブを記録媒体に対して走査して情報
の記録・再生をする情報処理装置において、請求項５に
記載のプローブを有することを特徴とする情報処理装
置。