CH680534A5 - Fabry=perot sensor for optical parameter measurement - uses two opposing mirrors respectively attached to deflected measuring membrane and transparent plate - Google Patents

Fabry=perot sensor for optical parameter measurement - uses two opposing mirrors respectively attached to deflected measuring membrane and transparent plate Download PDF

Info

Publication number
CH680534A5
CH680534A5 CH273391A CH273391A CH680534A5 CH 680534 A5 CH680534 A5 CH 680534A5 CH 273391 A CH273391 A CH 273391A CH 273391 A CH273391 A CH 273391A CH 680534 A5 CH680534 A5 CH 680534A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
characterized
component according
surface
mirror
plate
Prior art date
Application number
CH273391A
Other languages
German (de)
Inventor
Werner Gasser
Beat Haelg
Original Assignee
Landis & Gyr Betriebs Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Landis & Gyr Betriebs Ag filed Critical Landis & Gyr Betriebs Ag
Priority to CH273391A priority Critical patent/CH680534A5/en
Publication of CH680534A5 publication Critical patent/CH680534A5/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0076Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using photoelectric means
    • G01L9/0077Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using photoelectric means for measuring reflected light
    • G01L9/0079Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using photoelectric means for measuring reflected light with Fabry-Perot arrangements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements using movable or deformable optical elements for controlling the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light, e.g. switching, gating, modulating
    • G02B26/001Optical devices or arrangements using movable or deformable optical elements for controlling the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light, e.g. switching, gating, modulating based on interference in an adjustable optical cavity

Abstract

The sensor has a hollow space (6) defined between a transparent plate (1) and a silicon body (2), with 2 opposing mirrors (9, 12) on either side of this space (6). One of these mirrors (9) is attached to a silicon membrane (3) deflected in dependance on the measured parameter, the other mirror (12) attached to the transparent plate (1). At least one of the mirrors (9, 12) is made of platinum or a refractory metal, to prevent anodic bonding between the measuring membrane (3) and the plate (1) upon the mirrors (9, 12) being pressed together. A silicon oxide or silicon nitride stop layer (8) is provided between the measuring membrane (3) and the first mirror (9), both mirrors (9, 12) pref. having an anti-corrosion silicon nitride coating (13, 14). ADVANTAGE - Allows low-cost mass prodn.

Description


  
 



   Die Erfindung bezieht sich auf ein Bauelement mit einem Hohlraum der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art. The invention relates to a device with a cavity of the type mentioned in the preamble of claim 1. 



   Ein solches Bauelement ist beispielsweise ein mikromechanisch herstellbares Fabry-Perot-Interferometer, das als Differenzdrucksensor verwendet werden kann. Such a device is for example a micro-mechanically producible Fabry-Perot interferometer, which can be used as a differential pressure sensor. 



   Es wurde bereits ein Bauelement dieser Art vorgeschlagen (EP-A2 0 460 357), in dem ein Hohlraum im wesentlichen von zwei in einem kleinen Abstand gegenüberliegenden Flächen begrenzt ist, wobei die eine Fläche von einem Membranträger und einer von ihm umfassten Membran mit einem metallischen Spiegel und die andere Fläche von einer transparenten Platte mit einem weiteren Spiegel gebildet ist. It has already been proposed a device of this type (EP-A2 0460357), in which a cavity substantially of two at a small distance opposite surfaces is limited, wherein the one surface of a membrane carrier and a encompassed by him membrane with a metallic mirror and the other surface is formed by a transparent plate with a further mirror.  Die beiden Spiegel bilden zusammen einen Teil des optischen Systems eines Fabry-Perot Interferometers, mit dem eine Auslenkung der Membran und damit eine Druckdifferenz messbar ist. The two mirrors together form a part of the optical system of a Fabry-Perot interferometer with a deflection of the membrane and thus a pressure difference is measurable. 



   Der Membranträger und die Platte sind anodisch gebondet. The diaphragm support and the plate are anodically bonded.  Wenn die Spiegel aus Aluminium sind, besteht die Gefahr, dass das beim Bonden wirksame elektrische Feld den Hohlraum schliesst und sich die beiden Spiegel untrennbar miteinander verschweissen. If the mirrors are made of aluminum, there is the risk that the effective electric field during bonding closes the cavity and the two mirrors inseparably welded together.  Ein Verschweissen kann durch eine zwischen den Spiegeln angeordnete, mindestens 500 nm dicke Schutzschicht aus SiO2 oder Si3N4 verhindert werden. A welding can be arranged by a between the mirrors, at least 500 nm thick protective layer of SiO2 or Si3N4 can be prevented.  Wenn die Dicke der Schutzschicht in der Grössenordnung der Wellenlänge der verwendeten Lichtquelle - die hier etwa 700 nm beträgt - liegt, ergibt der entstehende Oxid-Luft- bzw. Nitrid-Luft-Übergang schlecht kontrollierbare Interferenzeffekte. When the thickness of the protective layer in the order of magnitude of the wavelength of the light source used - which is approximately 700 nm here - is located, the resulting oxide-nitride-air or air interface results in poorly controllable interference effects.  Ferner verschlechtern sich die idealen monokristallinen Elastizitätseigenschaften der Membran wesentlich, wenn sie mit verhältnismässig dicken Schichten belegt ist. Furthermore, the ideal monocrystalline elasticity properties of the membrane deteriorate significantly if it is covered with relatively thick layers. 



   Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Aufbau von Bauelementen, bei denen ein Körper aus Silizium und eine Platte aus Glas einen Hohlraum mindestens teilweise umfassen, so zu verbessern, dass sie in grosser Stückzahl kostengünstig mikromechanisch herstellbar sind. The invention has for its object to improve the construction of structural elements, in which a body of silicon and a sheet of glass comprising a cavity at least partially, so that they are inexpensive micromechanically produced in large numbers. 



   Die genannte Aufgabe wird erfindungsgemäss durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. The above object is achieved by the features of claim 1.  Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen. Advantageous embodiments result from the dependent claims. 



   Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. An exemplary embodiment of the invention will be explained in detail with reference to the drawing. 



   Die einzige Zeichnungsfigur zeigt einen Fabry-Perot-Sensor zur Messung eines Differenzdruckes im Querschnitt. The single drawing figure shows a Fabry-Perot sensor for measuring a differential pressure in cross section. 



   In der Zeichnung bedeutet 1 eine transparente Platte aus einem nichtmetallischen Glas und 2 einen in der ursprünglichen Form zB rechtkantigen Körper aus einkristallinem Silizium, in den durch Abtragen von Material von mindestens einer Grundfläche her eine Messmembran 3 und ein die Messmembran 3 umfassender, rahmenförmiger Membranträger 4 geformt sind. In the drawing, 1 is a transparent plate made of a non-metallic glass and 2 is one in the original form, for example, right-edged body of monocrystalline silicon, in the by removing material from at least one base produces a measuring diaphragm 3 and the measuring diaphragm 3 comprehensive, frame-shaped membrane carrier 4 are shaped.  Die Platte 1 und der Körper 2 sind fest an gemeinsamen Berührungsflächen 5 miteinander verbunden, womit, durch die Form des Membranträgers 4 bedingt, ein Hohlraum 6 gebildet ist. The plate 1 and the body 2 are firmly connected to one another at common contact surfaces 5, which, due to the shape of the membrane carrier 4, a cavity is formed. 6  Der Hohlraum 6 kann hermetisch abgeschlossen sein; The cavity 6 can be hermetically sealed;  es ist aber auch möglich, jedoch in der Zeichnung nicht dargestellt, dass im Membranträger 4 Einlasskanäle vorhanden sind, so dass der Hohlraum 6 für Gase und Flüssigkeiten von aussen zugänglich ist. but it is also possible, but not shown in the drawing, that the inlet channels are present in the membrane carrier 4, so that the cavity 6 for gases and liquids is accessible from the outside. 



   Auf einer an den Hohlraum 6 grenzenden ersten Begrenzungsfläche - einer Innenfläche 7 der Messmembran 3 - ist, durch eine Stoppschicht 8 aus Siliziumdioxid oder aus Siliziumnitrid zur Verhinderung der Silizidbildung von der Messmembran 3 getrennt, ein erster Spiegel 9 derart angebracht, dass eine Senkrechte 10 durch sein Flächenzentrum auch senkrecht durch das Flächenzentrum eines auf einer zweiten Begrenzungsfläche - einer Oberfläche 11 der Platte 1 - befestigten zweiten Spiegels 12 geht. In a layer adjacent to the cavity 6 first boundary surface - an inner surface 7 of the measuring diaphragm 3 - a first mirror is separated by a stop layer 8 of silicon dioxide or silicon nitride to prevent the silicide from the measuring diaphragm 3, 9 mounted so that a vertical line 10 through be the center area and vertically through the center of a surface on a second boundary surface - is fastened to the second mirror 12 - a surface 11 of the plate. 1  Beide Spiegel 9, 12 sind gegen den Hohlraum 6 hin mit je einer Schutzschicht 13 bzw. 14 zur Verhinderung von Korrosion abgedeckt. Both mirrors 9, 12 are opposed to the cavity 6 towards covered to prevent corrosion, each with a protective layer 13 and 14 respectively. 



   Der erste Spiegel 9 ist mit der Messmembran 3 längs der Senkrechten 10 bewegbar. The first mirror 9 is connected to the measuring membrane 3 along the perpendicular 10 movable.  Die Spiegel 9 und 12 bilden zusammen ein Fabry-Perot-Interferometer, dessen optische Achse mit der Senkrechten 10 zusammenfällt. The mirrors 9 and 12 together form a Fabry-Perot interferometer, which coincides with the vertical optical axis of the tenth  Die der Innenfläche 7 abgewandte Seite der Messmembran 3 grenzt an einen Aussenraum 15, der mit einem Medium 16 vom Druck p1 erfüllt ist, während im Hohlraum 6 ein Druck p2 herrscht. The inner surface 7 of the side facing away from the measuring diaphragm 3 is adjacent to an outer space 15 which is filled with a medium 16 from the pressure p1, while in the cavity 6, a pressure p2 prevails.  Auf die Messmembran 3 wirken die durch die Druckdifferenz delta p = p1-p2 verursachten Kräfte ein und bewirken gegen die Rückstellkräfte in der Messmembran 3 einen Membranhub, der den Spiegel 9 längs der optischen Achse des Interferometers verschiebt. To the measuring diaphragm 3, the delta p = p1-p2 forces caused by the pressure difference act and cause, against the restoring forces in the measuring diaphragm 3, a diaphragm stroke, the mirror 9 moves along the optical axis of the interferometer.  Damit ist die optische Länge des Interferometers von der Druckdifferenz delta p abhängig. Thus, the optical length of the interferometer of the pressure difference delta p depends. 



   Bei einem vorteilhaften Aufbau der Anordnung ist die Stoppschicht 8 nur in einem vorbestimmten Bereich der Innenfläche 7 in einer Schichtdicke von etwa 20 nm angebracht, womit verhindert ist, dass sich aus dem metallischen Material des Spiegels 9 und der Messmembran 3 ein Silizid bildet. In an advantageous construction of the arrangement the stop layer 8 is attached only to a predetermined area of ​​the inner surface 7 in a layer thickness of about 20 nm, which is prevented from forming of the metallic material of the mirror 9 and the measuring diaphragm 3 is a silicide.  Da sich die beiden Spiegel 9 und 12 in einem Abstand von nur etwa 1 mu m bis 4 mu m gegenüberstehen, werden beim Verbinden der Platte 1 mit dem Membranträger 4 durch anodisches Bonden die metallischen Spiegel 9 und 12 durch das angelegte elektrische Feld zusammengepresst und, wenn die Spiegel 9, 12 bespielsweise aus Aluminium sind, sogar verschweisst. Since the two mirrors 9 and 12 face each other in a distance of only about 1 mu m to 4 mu m, the metallic mirrors 9 and 12 are pressed together by the applied electric field when connecting the plate 1 with the membrane carrier 4 by anodic bonding and, when the mirrors 9, 12 are recordable as aluminum, even welded.

   Um eine bleibende Verbindung zwischen der Messmembran 3 und der transparenten Platte 1 zu verhüten, genügt eine einige Nanometer dicke Metallschicht zwischen der Messmembran 3 und der Platte 1 aus einem das anodische Bonden von Silizium und Glas hemmenden Metall. In order to prevent a permanent connection between the measuring diaphragm 3 and the transparent plate 1, it is sufficient a few nanometers thick metal layer between the measuring diaphragm 3 and the disc 1 from an anodic bonding of silicon and glass-inhibiting metal.  Diese Metallschicht dient zugleich als Spiegel 9 bzw. 12. Ein Verschweissen der Spiegel 9, 12 wird besonders wirksam verhindert, wenn mindestens einer der Spiegel 9, 12 aus einem Platinmetall besteht. This metal layer serves as a mirror 9 or 12. A welding of the mirrors 9, 12 is particularly effectively prevented if at least one of the mirrors 9, 12 consists of a platinum metal.  Andere geeignete Metalle, die anodisches Bonden hemmen können, sind bestimmte Edelmetalle wie beispielsweise Gold, Silber und Palladium sowie sogenannte Refractory-Metalle wie Wolfram, Titan und Molybdän. Other suitable metals that may inhibit anodic bonding, certain precious metals such as gold, silver and palladium, as well as so-called Refractory metals such as tungsten, titanium and molybdenum. 



   Gute Korrosionsresistenz ist gewährleistet, wenn beide Spiegel 9, 12 je aus einer Platinmetall-Schicht sind. Good corrosion resistance is ensured if both mirrors 9, 12 are each made of a platinum metal layer.  Die Metallschicht ist mit Vorteil auf den Bereich des Hohlraums 6 beschränkt, damit die transparente Platte 1 und der Körper 2 an ihren Berührungsflächen 5 miteinander anodisch gebondet werden können. The metal layer is limited with advantage to the area of ​​the cavity 6, so that the transparent plate 1 and the body 2 can be anodically bonded to each other at their contact surfaces. 5 



   Die Schutzschicht 13 bzw. 14, welche den Spiegel 9 bzw. 12 vor Korrosion schützt, besteht aus Siliziumdioxid oder aus Siliziumnitrid und ist in einer Dicke von etwa 20 nm auf dem Spiegel 9 bzw. 12 angebracht. The protective layer 13 or 14 which 9 or 12 protects the mirror against corrosion, made of silicon dioxide or silicon nitride, and is attached in a thickness of about 20 nm on the mirror 9 and 12 respectively. 



    Nebst einer hohen Ausbeute bringen die nicht verschweissbaren Spiegel 9, 12 bei der Fertigung den Vorteil, dass die Messmembran 3 vor dem anodischen Bonden vollständig im Körper 2 ausgebildet werden kann, so dass nach dem Verbinden des Membranträgers 4 mit der Platte 1 kein Abtragen von Material aus der Membranträgerplatte 2 mehr nötig ist. In addition to a high yield to bring the non-weldable mirrors 9, 12 during the manufacture has the advantage that the measuring diaphragm 3 can be formed before the anodic bonding entirely in the body 2, so that after bonding of the membrane carrier 4 to the plate 1, no removal of material from the membrane support plate 2 more is needed. 



   Eine Vielzahl der beschriebenen Sensoren kann kostengünstig hergestellt werden, wenn als Ausgangsmaterial ein polierter Wafer aus einkristallinem Silizium in der erforderlichen Dicke des Körpers 2 verwendet wird, in dem gleichzeitig eine Vielzahl der Messmembranen beispielsweise mittels in der IC-Technik hinreichend bekannten Verfahren ausgebildet werden. A plurality of the sensors described can be manufactured inexpensively, if a polished wafer is used made of monocrystalline silicon in the required thickness of the body 2 as a starting material, may be formed for example by means well known in the IC art methods in which simultaneously a plurality of the measuring diaphragms. 



   Der beispielhaft beschriebene Sensor kann selbstverständlich nicht nur zum Messen eines Differenzdruckes, sondern auch zur Messung anderer Messgrössen, zB einer Kraft oder einer Länge eingesetzt werden. The sensor described by way of example may of course be used not only for measuring a differential pressure, but also to measure other measured variables, such as force or length. 



    Auch andere mikromechanische - elektrische - und elektronische Bauteile können im Hohlraum 6 des Bauelements geschützt angeordnet werden. Other micro-mechanical - electrical - and electronic components can be arranged protected within the cavity 6 of the device.  Der Hohlraum 6 wird von der Platte 1 aus Glas und dem auf die Platte 1 aufgesetzten und an der gemeinsamen Berührungsfläche 5 mittels anodischem Bonden verbundenen Körper 2 eingeschlossen und weist zwei einander zugewandte, im wesentlichen ebene Begrenzungsflächen - die Innenfläche 7 und die Oberfläche 11 - auf, wobei die Oberfläche 11 durch die Platte 1 und die Innenfläche 7 durch den Körper 2 gebildet ist und wobei die Höhe des Hohlraums 6 senkrecht zur Ebene der Platte 1 klein ist gegenüber der Ausdehnung des Hohlraums 6 parallel zur Ebene der Platte 1 und wobei mindestens eine der beiden Begrenzungsflächen - die Innenfläche 7 bzw. die Oberfläche 11 - eine Metallschicht aus einem das anodische Bonden hemmenden Metall aufweist. The cavity 6 is enclosed by the plate 1 of glass and placed on the plate 1 and connected to the common contact surface 5 by means of anodic bonding body 2 and comprises two facing, substantially planar boundary surfaces - the inner surface 7 and the surface 11 - in wherein the surface 11 is formed by the plate 1 and the inner surface 7 of the body 2 and the height of the cavity 6 is perpendicular small to the plane of the plate 1 relative to the extent of the cavity 6 parallel to the plane of the plate 1 and at least one having a metal layer of an anodic bonding retardant metal - of the two boundary surfaces - the inner surface 7 and the surface. 11 

Claims (11)

1. Bauelement aus einer Platte (1) aus Glas mit einem auf die Platte (1) aufgesetzten und an einer gemeinsamen Berührungsfläche (5) mittels anodischem Bonden verbundenen Körper (2), die einen Hohlraum (6) einschliessen, der zwei einander zugewandte, im wesentlichen ebene Begrenzungsflächen - die Innenfläche (7) und die Oberfläche (11) - aufweist, wobei die eine Begrenzungsfläche - die Oberfläche (11) - durch die Platte (1) und die andere Begrenzungsfläche - die Innenfläche (7) - durch den Körper (2) gebildet ist und wobei die Höhe des Hohlraums (6) senkrecht zur Ebene der Platte (1) klein ist gegenüber der Ausdehnung des Hohlraums (6) parallel zur Ebene der Platte (1), dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine der beiden Begrenzungsflächen - die Innenfläche (7) bzw. die Oberfläche (11) - eine Metallschicht aus einem das anodische Bonden hemmenden Metall aufweist. 1 component of a plate (1) of glass placed with one on the plate (1) and on a common contact surface (5) by anodic bonding joint body (2) having a cavity (6) include, the two facing, substantially planar boundary surfaces - the inner surface (7) and the surface (11) -, wherein the one boundary surface - the surface (11) - through the plate (1) and the other boundary face - the inner face (7) - through the body (2) is formed, and wherein the height of the cavity (6) perpendicular to the plane of the plate (1) is small compared to the extent of the cavity (6) parallel to the plane of the plate (1), characterized in that at least one of the two boundary surfaces - the inner surface (7) or the surface (11) - a metal layer of a metal having anodic bonding retardant.
2. Second
Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht aus einem Edelmetall ist. Component according to claim 1, characterized in that the metal layer of a noble metal is.
3. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht aus einem Platinmetall ist. 3. The component according to claim 1, characterized in that the metal layer of a platinum metal.
4. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht aus einem Refractory-Metall ist. 4. The component according to claim 1, characterized in that the metal layer of a Refractory-metal.
5. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4 dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht ein Spiegel (9 bzw. 12) eines Fabry-Perot-Interferometers mit den zwei einander zugewandten planparallelen Spiegeln (9; 12) ist, dessen erster Spiegel (9) an der Innenfläche (7) einer Messmembran (3) und dessen zweiter Spiegel (12) an der Oberfläche (11) befestigt ist, wobei die Messmembran (3) und der sie umfassende Membranträger (4) im Körper (2) ausgebildet sind. is, the first mirror (9); 5. The component according to one of claims 1 to 4 characterized in that the metal layer is a mirror (9 or 12) of a Fabry-Perot interferometer with the two facing plane-parallel mirrors (12 9) is attached to the inner surface (7) of a measuring diaphragm (3) and a second mirror (12) on the surface (11), wherein the measuring diaphragm (3) and comprising them membrane support (4) are formed in the body (2).
6. 6th
Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Körper (2) - der Messmembran (3) - und der Metallschicht - dem ersten Spiegel (9) - eine Stoppschicht (8) zur Verhinderung der Silizidbildung angeordnet ist. Component according to one of claims 1 to 5, characterized in that between the body (2) - is arranged a stop layer (8) to prevent silicide formation - the measuring diaphragm (3) - and the metal layer - the first mirror (9).
7. Bauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Stoppschicht (8) aus Siliziumdioxid ist. 7. The component according to claim 6, characterized in that the stop layer (8) of silicon dioxide.
8. Bauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Stoppschicht (8) aus Siliziumnitrid ist. 8. The component according to claim 6, characterized in that the stop layer (8) made of silicon nitride.
9. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallschicht - der Spiegel (9 bzw. 12) - an der dem Hohlraum (6) zugewandten Fläche mit einer Schutzschicht (13 bzw. 14) zur Verhinderung von Korrosion abgedeckt ist. 9. The component according to one of claims 1 to 8, characterized in that the metal layer - covered on the cavity (6) facing surface with a protective layer (13 or 14) for preventing corrosion - the mirror (9 or 12) is.
10. Bauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (13 bzw. 14) aus Siliziumdioxid ist. 10. The component according to claim 9, characterized in that the protective layer (13 or 14) of silicon dioxide.
11. 11th
Bauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (13 bzw. 14) aus Siliziumnitrid ist. Component according to claim 9, characterized in that the protective layer (13 or 14) made of silicon nitride.
CH273391A 1991-09-16 1991-09-16 Fabry=perot sensor for optical parameter measurement - uses two opposing mirrors respectively attached to deflected measuring membrane and transparent plate CH680534A5 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH273391A CH680534A5 (en) 1991-09-16 1991-09-16 Fabry=perot sensor for optical parameter measurement - uses two opposing mirrors respectively attached to deflected measuring membrane and transparent plate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH273391A CH680534A5 (en) 1991-09-16 1991-09-16 Fabry=perot sensor for optical parameter measurement - uses two opposing mirrors respectively attached to deflected measuring membrane and transparent plate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH680534A5 true CH680534A5 (en) 1992-09-15

Family

ID=4240387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH273391A CH680534A5 (en) 1991-09-16 1991-09-16 Fabry=perot sensor for optical parameter measurement - uses two opposing mirrors respectively attached to deflected measuring membrane and transparent plate

Country Status (1)

Country Link
CH (1) CH680534A5 (en)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007106271A1 (en) * 2006-03-02 2007-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing mems with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US7319560B2 (en) * 2003-09-29 2008-01-15 Teledyne Licensing, Llc Partitioned-cavity tunable fabry-perot filter
US7652814B2 (en) 2006-01-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device with integrated optical element
US7660058B2 (en) 2005-08-19 2010-02-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for etching layers within a MEMS device to achieve a tapered edge
US7660031B2 (en) 2004-09-27 2010-02-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7688494B2 (en) 2006-05-03 2010-03-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrode and interconnect materials for MEMS devices
US7706042B2 (en) 2006-12-20 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and interconnects for same
US7711239B2 (en) 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
US7733552B2 (en) 2007-03-21 2010-06-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc MEMS cavity-coating layers and methods
US7738158B2 (en) 2007-06-29 2010-06-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device treatment with water vapor
US7776631B2 (en) 1994-05-05 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and method of forming a MEMS device
US7781850B2 (en) 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
US7846344B2 (en) 1994-05-05 2010-12-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7851239B2 (en) 2008-06-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices
US7863079B2 (en) 2008-02-05 2011-01-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device
US7944603B2 (en) 2006-04-19 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface
US8064124B2 (en) 2006-01-18 2011-11-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US8068268B2 (en) 2007-07-03 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices having improved uniformity and methods for making them
US8077379B2 (en) 2006-04-10 2011-12-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical display system with broadband characteristics
US8126297B2 (en) 2004-09-27 2012-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate
US8222066B2 (en) 2007-04-04 2012-07-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Eliminate release etch attack by interface modification in sacrificial layers
US8226836B2 (en) 2004-09-27 2012-07-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mirror and mirror layer for optical modulator and method
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US8971675B2 (en) 2006-01-13 2015-03-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US9110289B2 (en) 1998-04-08 2015-08-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device for modulating light with multiple electrodes

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7776631B2 (en) 1994-05-05 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and method of forming a MEMS device
US7846344B2 (en) 1994-05-05 2010-12-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US9110289B2 (en) 1998-04-08 2015-08-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device for modulating light with multiple electrodes
US7781850B2 (en) 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
US7319560B2 (en) * 2003-09-29 2008-01-15 Teledyne Licensing, Llc Partitioned-cavity tunable fabry-perot filter
US7830589B2 (en) 2004-09-27 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7660031B2 (en) 2004-09-27 2010-02-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US8126297B2 (en) 2004-09-27 2012-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate
US8226836B2 (en) 2004-09-27 2012-07-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mirror and mirror layer for optical modulator and method
US7660058B2 (en) 2005-08-19 2010-02-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for etching layers within a MEMS device to achieve a tapered edge
US8971675B2 (en) 2006-01-13 2015-03-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US8064124B2 (en) 2006-01-18 2011-11-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US7652814B2 (en) 2006-01-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device with integrated optical element
US8300299B2 (en) 2006-03-02 2012-10-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices with multi-component sacrificial layers
US7952789B2 (en) 2006-03-02 2011-05-31 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices with multi-component sacrificial layers
WO2007106271A1 (en) * 2006-03-02 2007-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing mems with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US8077379B2 (en) 2006-04-10 2011-12-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical display system with broadband characteristics
US7944603B2 (en) 2006-04-19 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface
US7711239B2 (en) 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US7688494B2 (en) 2006-05-03 2010-03-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrode and interconnect materials for MEMS devices
US7706042B2 (en) 2006-12-20 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and interconnects for same
US7733552B2 (en) 2007-03-21 2010-06-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc MEMS cavity-coating layers and methods
US8164815B2 (en) 2007-03-21 2012-04-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS cavity-coating layers and methods
US8222066B2 (en) 2007-04-04 2012-07-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Eliminate release etch attack by interface modification in sacrificial layers
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
US8830557B2 (en) 2007-05-11 2014-09-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of fabricating MEMS with spacers between plates and devices formed by same
US7738158B2 (en) 2007-06-29 2010-06-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device treatment with water vapor
US8068268B2 (en) 2007-07-03 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices having improved uniformity and methods for making them
US7863079B2 (en) 2008-02-05 2011-01-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device
US7851239B2 (en) 2008-06-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low temperature amorphous silicon sacrificial layer for controlled adhesion in MEMS devices
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19648424C1 (en) The micromechanical sensor
DE4203832C2 (en) Semiconductor pressure sensor
EP0732594B1 (en) Fabrication method for micromechanical semiconductor devices
DE3912217C2 (en)
DE69935575T2 (en) The microfabricated chamber filled with gas and the micro-fabrication process
DE4234969C2 (en) Micro-electrostatic type transducer
DE69933703T2 (en) resonating sensor
DE69729941T2 (en) Acceleration sensing element and method for its manufacture
DE2820478C2 (en)
EP0851233B1 (en) Triaxial acceleration measuring device
DE60031869T2 (en) Capacitive pressure transducer
DE19911916B4 (en) A process for producing a semiconductor device with protective layer
DE3910646C2 (en)
DE69928061T2 (en) Semiconductor acceleration sensor with self-diagnosis
DE19700734B4 (en) A process for the production of sensors as well as non-singulated wafer stack
DE4106288C2 (en) Sensor for measuring pressures or accelerations
EP2102666B1 (en) Acceleration sensor with comb-shaped electrodes
DE4019821C2 (en) Semiconductor accelerometer and process for its preparation
DE19709731C2 (en) Electrostatic capacitive acceleration sensor and method for manufacturing the same
DE3814109C2 (en) Capacitor array for use in pressure sensors
EP0623824B1 (en) Micro-machined accelerometer and method of its manufacture
DE4431478B4 (en) Suspension for micromechanical structure and micromechanical accelerometer
EP0658770B1 (en) Method for sealing fabrication-related openings in micromachined accelerometers
DE3625411C2 (en)
EP0660096B1 (en) Microvacuumsensor

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased