TW200900731A - MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same - Google Patents

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200900731 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於微機電裝置及其製造方法。更特定言之， 本發明係關於干涉調變器及其製造方法。 本申請案根據35 U.S.C. § 119(e)之規定主張2007年5月 11曰所申請之臨時申請案第60/917,609號的優先權利。此 優先權申請案之全部揭示内容以引用方式併入本文中。本 申請案係關於名為MEMS DEVICE FABRICATED ON A C PRE-PATTERNED SUBSTRATE之美國專利申請公開案第 2006/0067646 A1號（代理人檔案號 IRDM.093A) ° 【先前技術】 微機電系統（MEMS)包括微機械元件、致動器及電子器 件。可使用沈積、姓刻及/或蚀刻掉基板及/或沈積材料層 之部分或添加層以形成電氣及機電裝置的其他微加工過程 來產生微機械元件。一種類型之MEMS裝置被稱為干涉調 變器。在用於本文中時，術語干涉調變器或干涉光調變器 ( 指代使用光學干涉原理來選擇性地吸收及/或反射光之裝 置。在某些實施例中，干涉調變器可包含一對導電板，其 中一者或兩者可完全或部分地為透明及/或反射的，且能 夠在施加適當電信號後即進行相對運動。在特定實施例 中，一板可包含沈積於基板上之靜止層，且另一板可包含 藉由氣隙而與靜止層分開之金屬膜。如本文中較詳細所描 述，一板相對於另一板之位置可改變入射於干涉調變器上 之光之光學干涉。該等裝置具有廣泛範圍之應用，且在此 131122.doc 200900731 項技術中將有益的是利用及/或修改此等類型之裝置的特 徵以使得其特徵可用以改良現有產品且產生尚未開發之新 產品。 【發明内容】 本發明提供製造一微機電系統（14五肘3)裝置之方法及由 該方法形成之MEMS裝置。在一態樣中，藉由附接一前部 基板及一載體而製造MEMS裝置，前部基板及載體中之每 一者具有預形成於其上之特徵。可藉由沈積及圖案化或藉 由定形（例如，壓印、圖案化及蝕刻或雕刻）來形成特徵。 在藉由定形及沈積而形成特徵之一些實施例中，藉由使用 夕層而不使用分開的遮罩來形成多個圖案。在另一態樣 中，提供形成用於MEMS裝置之導引結構之方法。在又一 L樣中，MEMS裝置具備間隔結構以保持前部基板與背板 之間的間隔。在另一態樣中，提供用於形成黑色遮罩以防 止光學MEMS(例如，干涉調變器）中之不合需要的反射之 方法。上文描述之方法不僅減少製造成本，而且亦提供較 高良率。所得MEMS裝置較不易受壓力變化及濕氣洩漏之 影響。 在一態樣中，提供一種製造一 MEMS裝置之方法。該方 法包括：提供一包含一透明基板及一形成於該透明基板上 之至少部分透明之電極的透明電極總成；提供—载體，該 載體包含形成於其上之反射電極；及將該透明電極總成附 接至載體以使得該反射電極面向該至少部分透明之電極以 形成一空腔。 131122.doc 200900731 在另一態樣中’提供一種製造一干涉裝置陣列之方法。 該方法包括提供一前部基板，該前部基板包含界定前部基 板上之空腔的支撐物。前部基板進一步包含形成於該等空 腔中之前部電極。該方法進一步包括提供一載體，該載體 包含形成於其上之可動電極；及將前部基板附接至載體以 使得可動電極面向前部電極之至少一部分以形成一或多個 干涉裝置。 在又一態樣中，提供一種微機電系統（MEMS)裝置。該 裝置包括：一前部基板，其包含界定該前部基板上之空腔 的複數個支撐物；及由該等支撐物支撐的複數個可動電 極。該等可動電極中之每一者包括上覆於支撐物之第一部 分及鄰接第一部分之第二部分。該等第二部分不上覆於支 撐物。第一部分具有一第一厚度。第二部分具有一第二厚 度該苐-厚度大於該第一厚度。 在又一態樣中，提供一種微機電系統（MEMS)裝置陣 列。該陣列包括一前部基板，其包含界定該前部基板上之 空腔的複數個支撐物’其中空腔中之每一者具有一底表 面。該裝置進一步包括一大體上與前部基板相對且上覆於 刚部基板之背板。該背板具有一面向前部基板之空腔的表 面。該表面最為遠離前部基板。裝置亦包括插入於支揮物 與月板之表面之間的複數個機械條帶。該等機械條帶中之 每一者充當用於多個MEMS裝置之移動電極。空腔中之一 者的底表面與背板之最為遠離之表面之間的距離在約 6,500 A與約20 μιη之間。 131122.doc -9- 200900731 在另—態樣中’提供一種微機電系統（MEMS)裝置。該 裝置包括一基板，該基板包含與基板整體形成且由與基板 相同的材料形成之複數個支撐物；及界定移動電極之複數 個機械元件。該等機械元件支撐於該等支撐物之頂部上。 在另一態樣中’提供一種微機電系統（MEMS)裝置。該 裝置包括一具有一表面之基板。該基板包括形成至該表面 中之複數個槽。該等槽大體上彼此平行而延伸。基板之表 面界定基板之較高區域而槽界定基板之較低區域。該袈置 進步包括升>成於基板之較低區域上的複數個固定電極。 在又一悲樣中’提供一種用於一微機電系統（MEMS)之 鈾σ卩基板。該前部基板包括一基板，其包含界定該基板上 之複數個空腔的複數個支撐物。該等支撐物與基板整體形 成且由與基板相同的材料形成。該前部基板進一步包括— 形成於支撐物之間的空腔中的導電層。 在另一態樣中，提供一種製造一干涉調變器之方法。該 方法包括自一基板形成複數個支撐物。該等支撐物與基板 整體形成且由與基板相同的材料形成。該方法進一步包括 形成界定移動電極之複數個機械元件以使得機械元件支撐 於支撐物上。 在另一態樣中，提供一種製造一微機電系統（MEMS)之 方法。該方法包括提供一平坦基板；及形成與該基板呈一 體式之支樓結構以界定MEMS空腔之高度。MEMS空腔具 有底部，且MEMS空腔經組態以將移動電極之運動容納於 其中。該方法進一步包括在空腔之底部上形成一導電層。 131122.doc -10- 200900731 在另一態樣中，提供一種微機電系統（MEMS)裝置。該 裝置包括一前部基板’其包含形成於該前部基板上之複數 個電極；及一載體’其大體上與前部基板相對以使得電極 插入於載體與前部基板之間。載體包括自載體延伸之複數 個軌道。裝置進一步包括插入於前部基板與載體之軌道之 間的複數個可動電極。 在另一態樣中，提供一種用於附接至上面形成有一駐定 電極的微機電系統（MEMS)前部基板之載體。該載體包括 一包括複數個執道之基板。該等軌道界定與該等軌道交替 之槽。載體亦包括一電極層，該電極層包含形成於軌道上 之第一部分及形成於槽内之第二部分。電極層在槽與軌道 之間為不連續的。 在又一態樣中，提供一種製造一微機電系統（mems)_ 列之方法。該MEMS陣列包括一具有一第一表面之前部基 板°亥鈾#基板包括形成於該第一表面上的複數個固定下 部電極。該方法包括定形一載體基板以具有自該載體基板 整體地形成之凸台。該等凸台界定與該等凸台交替之槽。 乂方法進步包括在載體基板之凸台上及槽内沈積一機械 層。該機械層在槽與凸台之間為不連續的。 在另一態樣中，提供一種微機電系統（MEMS)裝置。該 裝置包括一前部基板，其包含一自該前部基板延伸之第一 支擇物；-背板’其具有體上與前部基板相對之表面 以使得該第一支撐物插入於前部基板與背板之表面之間； 及一移動電極，其插人於前部基板與背板之間。移動電極 131122.doc • 11 · 200900731 包括支樓於第一支撐物上的-部分。該裝置進-步包括_ 第一支樓物，其自前部基板之第一支撑物及背板之表面中 之者延伸。第二支撑物經定位於前部基板 與背板之表面之間。 叉琮物 在另態樣中，提供一種微機電系統（MEMS)裝置。該 裝置包括一且古_ ^ Λ , 弟—表面之前部基板。該前部基板包括 形成於該第一表面上之光學堆疊。該裝置亦包括—與前 部基板相對之背板。該背板具有一面向第一表面之第二表 面背，包括自第二表面朝向第一表面延伸之支柱以使得 支柱之高度界定第—表面與第二表面之間的距離。該褒置 進一步包括複數個可動電極條帶，其大體上彼此平行而、延 伸。該等條帶插入於第—表面與第二表面之間。 ^ ‘二樣令心供一種微機電系統（MEMS)裝置。該 ί... 4置包括一別部基板及一與該前部基板相對之背板。該背 板具有—面向前部基板之表面。該裝置亦包括複數個可動 立條冑其大體上彼此平行而延伸。該等條帶插入於前 土-方板之間。條帶之部分可朝向前部基板移動。該 裝置進-步包括複數個支柱’其自背板之表面延伸以使得 該等支柱經配置以限制條帶的該等部分朝向該表面之移 動。 另九、樣中，提供一種製造微機電系統（MEMS)裝置 方法豸方法包括提供_前部基板，該前部基板包含一 自前部基板延伸之第—支撐物，提供-具有-表面之背 板，將前部基板附接至背板以使得第一支撐物插入於前部 131122.doc -12- 200900731 2板與背板之表面之間；及在前部基板之第一支撐物與背 表面之間形成第一支樓物以使得該第二支樓物自前部 基板之第-支撐物與背板之表面中之—者延伸。 在另-態樣中，提供—種微機電系統_Ms)裝置。該 裝置包括一具有一第一表面之前部基板。該前部基板包括 該第-表面上之-陣列區域及—周邊區域。該裝置亦包括 -为板，其具有-面向第一表面之第二表面。第一表面盘 Γ 第二表面在其間具有一間隙。背板包括第二表面上之一陣 舰域及-周邊區域。該裝置進—步包括_導電線，其在 财部基板之周邊區域上延伸；及一導電結構，其在前部美 板與背板之周邊區域之間延伸。導電結構接觸導電線。 在另-態樣中’提供-種用於製造—干涉調變器之载體 總成。該干涉調變器包括一前部基板，該前部基板包含形 成於其上的大體上透明之電極。該載體總成包括一可釋放 結構’其具有一表面；及複數個細長導電條帶，其形成於 該表面上。該等細Μ電條帶大體上彼此平行而在—方向 上延伸。 在另-態樣中’提供-種干涉調變器。該干涉調變器包 括一載體總成，該載體總成包括一可釋放結構，其具有t 表面，及複數個細長導電條帶，其形成於該表面上。細 導電條帶大體上彼此平行而在一方向上延伸。干涉調變2 亦包括一前部基板’其包含複數個支撐物及大體上透明° 電極。前部基板附接至載體總成以使得導電條帶由。 支撐。 辱物 131122.doc -13- 200900731

在又一態樣中，提供一種製造一干涉調變器之方法。該 干涉調變器包括一前部基板，該前部基板包含界定前部基 板上之空腔的複數個支撐物。前部基板進一步包括形成於 空腔中之下部電極。該方法包括提供一具有一表面之可釋 放結構；在該表面上沈積一可動電極材料；在該可動電極 材料上提供一遮罩以選擇性地曝露可動電極材料之部分； 及使用該遮罩選擇性地蝕刻可動電極材料，藉此形成複數 個可動電極條帶。料可動t極條帶大體上彼此平行而在 -方向上延伸。該方法進一步包括在前部基板上定位可釋 放結構以使得可動電極條帶面向前部基板之空腔。 在另一態樣中，提供一種微機電系統（MEMs)裝置。該 裝置包括-前部基板，纟包含一陣列區域及一周邊區域。 該别部基板包含陣列區域中在之間界定複數個較低區域之 複數個支撐物。前部基板進一步包含周邊區域中之一凸 區。該凸：之至少一部分具有與陣列區域中之支撐物大體 上相同的高度。裝置亦包括形成於周邊區域中之凸區上的 複數：導體。該等導體彼此電隔離。裝置進一步包括一形 成於前部基板之較低區域上的導電層。 在另一態樣中，提供 於興一干涉調變器之—月,』 基板組合之載體。該前部基板包括形成於其上的大體上 明之電極。該载體包括一基板，其包括一陣列區域及一 邊區域；及複數個可動電極條帶，其形成於基板之陣列 域上肖等條，大體上彼此平行而延伸。該載體進一步i 括形成於該基板上之複數個導引H該等跡線中之每- 131122.doc •14- 200900731 者自該等條帶中之各別一者延伸至周邊區域。 在又一態樣中，提供一種微機電系統（MEMS)裝置。該 裝置包括一前部基板，該前部基板包括一陣列區域及一周 邊區域。前部基板包括陣列區域中彼此平行而延伸之複數 個執道。該等軌道界定陣列區域中之複數個槽。前部基板 進一步包括周邊區域中之溝槽。溝槽中之每一者自該等槽 中之各別一者延伸。該裝置進一步包括形成於溝槽中之列 導引跡線。該等列導引跡線自陣列區域中之該等槽延伸至 周邊區域之至少一部分。列導引跡線彼此電隔離。 在另一態樣中，提供一種微機電系統（MEMS)裝置。該 裝置包括一前部基板，該前部基板具有一包含一陣列區域 及一 ％繞該陣列區域之周邊區域的表面。前部基板包括前 部基板之表面上之一環形密封區域。該密封區域大體上環 繞陣列區域。密封區域具有一在朝向陣列區域之方向上延 伸的第一寬度。前部基板亦包括一形成至基板中之凹座。 該凹座具有一在該方向上延伸之第二寬度。該第二寬度大 於該第一寬度。凹座延伸跨越該密封區域之一部分。凹座 界定比前部基板之表面的高度低之高度。前部基板進一步 包括一形成於前部基板之表面上的第—導電層·，及一形成 於凹座中之第二導電層’其中該第_導電層與該第二導電 層彼此不連續。 在另一態樣中，提供_種製造一微機電系統 置之方法。該方法包括提供一前部基板，其具有一包含一 陣列區域及-導引區域之表面；及在前部基板之表面的導 131122.doc -15· 200900731 引區域中形成—隔離溝槽。該隔離溝槽包括—底表面及側 j隔離溝槽之底表面界定低於前部基板之表面之高度的 南度。該方法進一步包括在基板之表面及隔離溝槽之底表 化成導電層以使得導電層在基板之表面與隔離溝槽之 間為不連續的。

在另心、樣中’提供一種製造一干涉調變器之方法。該 方法包括提供—基板，該基板包含其表面上之空腔；在基 =之表面上提供包含光吸收材料之液體混合物以使得液體 此口物填充空腔之至少部分；及在提供液體混合物之後自 基板之。腔部分地移除液體混合物之—組份以使得光吸收 材料之至少一部分保留於空腔中。 在另一態樣中，提供一種干涉調變器。該干涉調變器包 括-具有-表面之基板。該基板包括形成於基板之表面上 的複數個支撐物。干涉調變器亦包括形成於基板之表面上 的光吸收材料。材料之大體上所有經定位於支樓物與表面 接合的轉角處。 在又一態樣中，提供一種製造一干涉調變器之方法。該 方法包括在-基板上形成支撐結構；及在形成該等支撐結 構之後在基板上沈積黑色遮罩材料。 在另一態樣中，提供一種製造一靜態干涉顯示裝置之方 法。該方法包括提供一第一基板，其包含一形成於其上之 部分透明層。該第一基板由大體上透明之材料形成。該方 法亦包括提供一第二基板，其包含一形成於其上之鏡面 層。第一基板及第二基板中之至少一者包括基於靜態干涉 131122.doc -16- 200900731 裝置經組態以顯示之影像而圖案化的空腔。該方法進一步 包括層壓第一基板與第二基板。部分透明層面向該第二基 板。鏡面層面向該第-基板。基板中之一者的空腔面向基 板中之另一者。 在另一態樣中，提供一種製造一靜態干涉顯示裝置之方 法。該方法包括提供一包含—第一表面之第一基板，該第 一表面包括複數個空腔。該等空腔具有至少一深度。空腔 至少部分地基於靜態干涉顯示裝置經組態以顯示之影像而 經圖案化。該方法亦包括提供m表面之第二基 板；及將第-基板附接至第二基板以使得第—表面面^ 括 «心' ,小衣罝。该裝置包

U 包括一第一表面之第-基板。該第-基板包括界定於 第：表：上之空腔。空腔至少部分地基於靜態干涉顯示裝 置、左組U顯不之影像而經圖案化。第—基板由大體上透 明之材料形成。裝置亦包括_附接至第—基板之第二基 板。該弟二基板包括面向第—表面之第二表面。裝置進一 步包括第-基板之空腔中的部分反射層。 在又一態樣中’提供一種囍 括-包括-第一表面之第Γ 顯示裝置。該袭置包 第-表面… 板。該第-基板包括界定於 弟 衣面上之空腔。CA?狀石| 置經袓熊以翻 〉、部分地基於靜態干涉顯示裝 第-基板之第二基板。第 匕：置亦包括1接至 表面。第二基板由门弟#面之弟二 透明之材料形成。該裝置進一步 131122.doc -17- 200900731 包括第-基板之第_表面上之—鏡 表面上之一部分反射層。 基板之弟二 出於概括本發明月絲^ 的，本發… 於先前技術之優勢的目 所"描述。；：=於上文得到描述且如下文

可根據本發明之任何特定實施例而達成。因此，例如= 習此項技術者將認識到本發明可以達成或最佳化本文中教 =〇一優勢或優勢之群組的方式來具體化或執行，而未必 、可於本文中得到教不或建議的其他目標或優勢。 此等實施例中之所有藉由參看形成本揭示案之部分的所 附申請專利範圍及圖式亦將得到較佳瞭解。另外，可 脫離所附申請專利範圍所界定的本發明之精神及範轉之产 況下進行各種改變、修改、組合及子組合。熟習此項^ 者自參看所附圖式對較佳實施例的以下詳 見本發明之此等及其他實施例，本發明不限於所揭 何特定較佳實施例。 之任 【實施方式】 以下詳細描述係針對本發明之某些特定實施例。然而， 本發明可以許多不同方式來具體化。在此描述中，對圖式 進行參考’其中在整個圖式巾，以相似數字來表示相似部 分。自以下描述將顯而易見的是，該等實施例可被實施於 經組態以顯示影像（無論是運動（例如，視訊）還是靜止（例 如，靜止影像），且無論是本文的還是圖像的）之任何裝置 中。更特定言之’預期該等實施例可被實施於多種電子裝 131122.doc -18- 200900731 置中或與其相關聯，該等電子裝置諸如（但不限於）行動電 1、無線裝置' 個人資料助理（PDA)、掌上型或揭帶型電 細、GPS接收器/導航器、相機、Mp3播放機、攝錄像機、 遊戲控制台、手錶、時鐘、計算器 '電視監視n、平板顯 :器、電腦監視器、自動顯示器(例％，里程錶顯示器， 等等）、座艙控制器及/咨顯千哭 汉次顯不态、相機視野顯示器（例如， r

載具中後視相機之顯示器）、電子照片 '電子告示牌或標 誌、投影儀、建築結構、封震及美學結構(例如，一件珠 寶上之影像的顯示器）。具有與本文中所描述之結構類似 之結構的MEMS裝置亦可用於非顯示應用中，諸如，可用 於電子開關裝置中。 可藉由附接兩個基板來製造微機電系統（mems)裝置， 該等基板中之每-者具有預形成於其上之部件。根據一實 ^列的製造廳MS裝置之方法包括提供前部基板及形成於 前部基板上之駐定電極。接著，冑包括形成於上面之可動 電極的載體附接至前部基板。可在將可動電極轉移至前部 基板之後釋放一些實施例之載體；在其他實施例中，載體 充當MEMS之背板。可藉由沈積及圖案化、藉由壓印或藉 由圖案化及蝕刻來形成特徵。該方法不僅減少製造成本， 而亦提供較小變化且因此提供較高良率。所得mems裝置 較不易受壓力變化及濕线漏之影響。亦揭示自可動電極 導引至行驅動器及自駐定電極導引至列驅動器之方法。亦 教示用於形成黑色遮罩以防止光學MEMS(例如，干涉調變 器）中之不合需要的反射之技術。 131122.doc •19· 200900731 圖1中說明一包含干涉mems顯示元件之干涉調變器顯 不器實施例。在此等裝置中’像素處於明或暗狀態。在明 (接通”或”打開”）狀態中，顯示元件將入射可見光之較大 部分反射至使用者。當處於暗（"斷開”或"關閉，，）狀態中 時，顯示元件幾乎不向使用者反射入射可見光。視實施例 而定，可顛倒"接通"與”斷開”狀態之光反射性質。mems 像素可經組態以主要以所選色彩來反射，從而允許除了黑 色與白色以外之色彩顯示。

圖1為描繪視覺顯示器之一系列像素中之兩個鄰近像素 的等角視圖，其中每一像素包含一 MEMS干涉調變器。在 —些實施例中，干涉調變器顯示器包含此等干涉調變器之 列/行陣列。每一干涉調變器包括一對反射層，其經定位 為彼此相距可變且可控之距離以形成具有至少一可變尺寸 之谐振光學空腔。在一實施例中，反射層中之一者可在兩 個位置之間移動。在第一位置（本文中被稱為鬆弛位置） 中’將活動&射層定位於與固定部分反射層相距相對較大 之距離處。在第二位置（本文中被稱為致動位置）中，將活 動反射層定位成較為緊密地鄰近部分反射層。視活動反射 層之位置而疋’自兩個層反射之人射光相長或相消地干 涉，從而對於每—像素產生總體反射或非反射狀態。 圖1中之像素陣列之所描繪部分包括兩個鄰近干涉調變 窃12a與12b。在左邊之干涉調變器i2a中’活動反射層⑷ 被明為處於與光學堆疊i 6a相距預定距離之鬆弛位置， 光子堆疊16&包括部分反射層。在右邊之干涉調變器l2b 131122.doc •20- 200900731 中，活動反射層14b被說明為處於鄰近於光學堆疊丨仙之致 動位置。 如本文所參考之光學堆疊16a及16b(統稱為光學堆疊16) 通常包3右干融合層，該等融合層可包括諸如氧化銦錫 (ITO)之電極層、諸如鉻之部分反射層，及透明介電質。 光學堆疊16因此為導電的、部分透明的且部分反射的，且 可（例如）藉由將以上層中之一或多者沈積至透明基板汕上 而加以製造。在一些實施例中’肖等層經圖案化為平行條 帶，且可如下文所進一步描述形成顯示裝置中之列電極。 活動反射層14a、14b可被形成為沈積於支柱18之頂部上之 沈積金屬層（與16a、16b之列電極垂直）及沈積於支柱以之 間的介人犧牲材料之-系列平行條帶。#㈣掉犧牲材料 時，活動反射層14a、14b藉由經界定之間隙或空腔19而與 光學堆疊16a、16b分開。諸如銘之高度導電且反射之材料 可用於反射層14，且此等條帶可形成顯示裝置中之行電 極。 如圖1中之像素12a所說明，在未施加電壓之情況下空 腔19保持於活動反射層14a與光學堆疊16a之間其中活動 反射層14a處於機械鬆弛狀態。然而，當將電位差施加至 所選列及行時，形成於相應像素處之列電極與行電極之相 交處的電容器變得帶電，且靜電力將電極拉在一起。若電 壓足夠高，則活動反射層14變形且被壓至光學堆疊16上。 如圖1中右邊之像素12b所說明，光學堆疊16内之介電層 (此圖中未說明）可防止短路且控制層14與16之間的分開距 131122.doc -21 - 200900731 離。無論所施加電位差之極性如何，行為均為相同的。以 此方式，可控制反射對比非反射像素狀態之列/行致動在 許多方面類似於習知LCD及其他顯示技術中所使用之列/行 致動。 圖2至圖5說明一用於在顯示應用中使用干涉調變器陣列 之例示性過程及系統。 f \

圖2為說明可併有本發明之態樣之電子裝置之一實施例 的系統方塊圖。在例示性實施例中，電子裝置包括處理器 21，處理器 21 可為諸如 ARM、Pentium®、Pentium II®、

Pentium III® . Pentium IV® . Pentium® Pro > 8051 ^ mips®、power PC®、ALPHA®之任何通用單晶片或多晶片 微處理器，或諸如數位信號處理器、微控制器或可程式化 閘陣列之任何專用微處理器。如此項技術中所習知，處理 器21可經組態以執行一或多個軟體模組。&了執行作業系 先乂外處理器可經組態以執行一或多個軟體應用程式， 包括網路瀏覽器、電話應用程式、電子郵件程式，或任何 其他軟體應用程式。 在一實施例中，處理器21亦經組態以與陣列驅動器咖 信。在-實施例中，陣列驅動器22包括向面板或顯示陣列 (顯示器別提供信號之列驅動器電路24及行驅動器電路 26。圖2中以線1_1爽屎+ 术展不圖1中所說明之陣列的橫截面。 對於MEMS干涉調變器，列/行 — 仃致勳協疋可利用圖3中所爷 明之此等裝置的滞後性質。^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ J此而要（例如）1 〇伏特之電位 差來使活動層自鬆弛狀態變形 文π主致動狀態。然而，當電壓 131122.doc •22· 200900731 自彼值降低時’活動層隨著電壓降回至低於1G伏特而保持 其狀態。在® 3之例示性實施例中，在電壓降至低於2伏特 以刖，活動層並不完全鬆弛。因此，在圖3所說明之實例 中存在約3 V至7 V之電壓範圍，在該電壓範圍内存在裝置 在氣、弛或致動狀態中為穩定的所施加電壓窗（wind〇w)。此 在本文中被稱作，，滞後窗，，或，，穩定窗”。對於具有圖3之滯後 特徵的顯不陣列’可設計列/行致動協定以使得在列選通 广d間將選通列中之待致動之像素曝露於約丄q伏特之電壓 差且將待氣、他之像素曝露於接近於零伏特之電麼差。在 選通之後’將像素曝露於約5伏特之穩態電壓差以使得其 仍處於列選通將其所放入之任何狀態。在經寫入之後，每 像素絰歷在此實例中為3伏特至7伏特之”穩定窗"内的電 位差。此特徵使得圖1中所說明之像素設計在致動或鬆弛 預存在狀態中在相同之所施加電壓條件下為穩定的。由於 無論處於致動狀態還是鬆弛狀態的干涉調變器之每一像素 I本質上為由固定反射層及移動反射層所形成之電容器’所 以可在幾乎無功率耗散之情況下在滞後窗内之電屋下保持 此穩定狀態。若所施加電位為固定的，則本質上無電流流 入像素中。 -在-5L應用中’可藉由根據第—列中之所要致動像素集 合來確定行電極集合而產生顯示訊框。接著，向歹"電極 ，加列脈衝’從而致動對應於所確定之行線的像素。接 者將所確定之行電極集合改變為對應於第二列中之所要 致動像素集合。接著，向列2電極施加脈衝，從而根據所 131122.doc •23· 200900731 確疋之订電極來致動列2中之適當像素。列工像素不受列2 脈衝〜響，且仍處於其在列1脈衝期間被設定至之狀態。 ，可針對整個列㈣以順序方式被重複以產生訊框:通 藉由母私以某一所要數目之訊框來連續地重複此過程 而以新顯示資料來再新及/或更新訊框。用於驅動像素陣 歹J之列電極及行電極以產生顯示訊框之多種協定亦為熟知 的，且其可結合本發明而加以使用。 圖4及圖5說明—用於在圖2之3x3 P車列上產生顯示訊框之 可此致動協定。圖4說明可用於展現圖3之滯後曲線之像素 之行電壓位準及列電壓位準的可能集合。在圖4之實施例 中’使像素致動涉及將適當行|^至u將適當列設 疋至+△ V其可分別對應於-5伏特與+5伏特。使像素鬆弛 係藉由以下方式來完成：將適當行設定至+Vbias且將適當 列設定至同一+Δν，從而跨越像素而產生零伏特電位差。 在列電壓被保持為零伏特的彼等列中，無論行是處於 +Vbias還是-Vbias，像素在其最初所處之任何狀態中均為穩 定的。亦如圖4中所說明’將瞭解，可使用具有與上文所 述之極性相反之極性的電壓，例如，使像素致動可涉及將 適當行設定至+Vbias且將適當列設定至_Δv。在此實施例 中，使像素鬆弛係藉由以下方式來完成··將適當行設定 至將適當列設定至同一 _Δν，從而跨越像素而產生 零伏特電位差。 圖5Β為展示施加至圖2之3χ3陣列之將導致圖5Α所說明 之顯示配置之一系列列信號及行信號的時序圖，其中致動 131122.doc -24- 200900731 像素為非反射性的。 可處於任何狀離，且二眘所說明之訊框之前’像素 ^ ^ ^ 在此實例中，所有列均處於〇伏特且 像辛在t #右5伏特。在此等所施加電屢之情況下，所有 象素在八現有致動或鬆弛㈣中均為穩定的。 (3=之：框：，使像素 y. — ^ : 了凡成此配置，在列1之，，線時間"期間，將

=及盯2没定至_5伏特’且將行3設定至+5伏特。此並不 ?變任何像素之狀態，因為所有像素仍處於3伏特至7伏特 之穩定窗中。接著’以自G伏特變為高達5伏特且返回至零 之脈衝來對m進行選通。此使（u)及（1，2)像素致動且使 (1，3)像素鬆他。陣列中之其他像素不受影響。為了根據需 要來設定列2，將行2設定至~5伏特，且將行1及行3設定至 + 5伏特。接著’施加至列2之同—選通將使像素⑽致動 且使像素⑻认⑽鬆^再次^列之其他像素不受影 響。藉由將行2及行3設定至_5伏特且將行丨設定至+5伏特 來類似地設定列3。列3選通如圖5八所示而設定列3像素。 在寫入訊框之後，列電位為零，且行電位可保持於+5伏特 或-5伏特，且接著’顯示n在圖5A之配置中為穩定的。將 瞭解，同一程序可用於具有數打或數百列及行之陣列。亦 將瞭解，用以執行列及行致動之時序、序列及電壓位準可 在上文所概述之通用原理内廣泛地變化，且上文之實例僅 為例示性的’且可配合本文中所描述之系統及方法來使用 任何致動電壓方法。 圖6A及圖6B為說明顯示裝置40之一實施例的系統方塊 131122.doc -25- 200900731 圖。顯不裝置40可為(例如)蜂巢式電話或行動電… 而，顯不裝置4〇之相同部件或其細微變化亦說明諸如電： 及攜帶型媒體播放機之各種類型的顯示裝置。諸如電視 顯示裝置40包括外殼41、 顯不30、天線43、 45、輸入裝置48及麥克 聲益 Γ "又4 1通㊉由為熟習此項枯 術者所熟知之多種製造過程中 、 ,^ 者形成，包括射出成 形及真空成形。另外，外私“叮山々 乃卜外设41可由多種材料中之任一者製 成，包括（但不限於）塑膠、冬厘

；^金屬、玻璃、橡膠及陶瓷，或 其組合。在一實施例中，外碎4 卜成41包括可與具有不同色彩或 含有不同標識語、圖片或篇缺夕甘仙上丨_^ _月及付唬之其他抽取式部分互換的抽 取式部分（未圖示）。 如本文中所描述，例示性顯示裝置4〇之顯示器％可為多 種顯示器中之任一者，包括雙穩態顯示器。在其他實施例 中’如熟習此項技術者所熟知，顯示器3〇包括如上文所述 之諸如電漿、EL、〇LED、STN LCD或τρτ lcd的平板顯 示器，或諸如CRT或其他管裝置之非平板顯示器。然而， 出於描述當前實施例之目的，如本文中所描述，顯示器3〇 包括干涉調變器顯示器。 圖6B中示思性地s兒明例示性顯示裝置4〇之一實施例的部 件。所說明之例示性顯示裝置4〇包括外殼41且可包括至少 部分地封閉於其中之額外部件。舉例而言，在一實施例 中’例示性顯示裝置40包括網路介面27，網路介面27包括 搞接至收發器47之天線43。收發器47連接至處理器21，處 理器21連接至調節硬體5 2。調節硬體5 2可經組態以調節信 131122. doc •26- 200900731 號（例如’對信號進行濾波）。調節硬體52連接至揚聲器45 及麥克風46。處理器21亦連接至輸入裝置48及驅動器控制 器29。驅動器控制器29耦接至訊框緩衝器28且耦接至陣列 驅動器22，陣列驅動器22又耦接至顯示陣列30。電源5〇向 特定例示性顯不裝置4〇設計所需要之所有部件提供電力。 網路介面27包括天線43及收發器47以使得例示性顯示装 置40可經由網路而與一或多個裝置通信。在一實施例中， 、’同路"面27亦可具有一些處理能力以減輕處理器21之需 求。天線43為熟習此項技術者已知之用於發射及接收信號 的任何天線。在一實施例中’天線根據包括IEEE 802.11(a)、（b)或（g)之IEEE 8〇211標準來發射及接收汉^言 號。在另一實施例中，天線根據BLUETOOTH標準來發射 及接收RF信號。在蜂巢式電話之情況下，天線經設計以接 收用以在無線蜂巢式電話網路内通信之CDMA、GSM、 AMPS或其他已知信號。收發器47預處理自天線43接收之 k號以使得該等信號可由處理器21接收且由處理^ 2ι進一 步操縱。收發器47亦處理自處理器21接收之信號以使得可 經由天線43而自例示性顯示裝置40傳輸該等信號。 在一替代實施例中，收發器47可由接收器替代。在又一 替代實把例中’網路介面27可由影像源替代，該影像源可 儲存或產生待發;^至處理器2 i之影像資料。舉例而言，影 像源可為含有影像資料之數位視訊光碟（dvd)或硬碟驅動 器’或產生影像資料之軟體模組。 處理器21-般控制例示性顯示裝置4〇之總體操作。處理 131122.doc •27- 200900731 器21自網路介面27或影像源接收諸如壓縮影像資料之資 料，且將資料處理為原始影像資料或處理為易被處理為原 始影像資料之格式。處理器21接著將經處理之資料發送至 7動器控制器29或發送至訊框緩衝器28以用於儲存。原始 貝料通常指代識別影像内每一位置處之影像特徵的資訊。 舉例而言，該等影像特徵可包括色彩、飽和度及灰度級。 在一實施例中，處理器21包括微控制器、cpu或邏輯單 ^元以控制例示性顯示裝置4〇之操作。調節硬體5卜般包括 放大器及滤波器以用於將信號傳輸至料器45且用於接收 來自麥克風46之信號。調節硬體52可為例示性顯示裝置4〇 内之離散部件，或可併入處理器21或其他部件内。 驅動器控制器29直接自處理器21或自訊框緩衝器以獲取 由處理器21所產生之原始影像資料，且適當地重格式化原 始影像資料以用於高速傳輸至陣列驅動器22。具體言之’，、 驅動器控制器29將原始影像資料重格式化為具有類: I 式之資料流以使得其具有適於跨越顯示陣列30而掃描之時 間次序。接著，驅動器控制器29將經格式化資訊發送至陣 列驅動器22。雖然諸如LCD控制器之驅動器控制器29通常 作為獨立積體電路（IC)而與系統處理器21相關聯，但可以 許多方式來實施該等控制器。其可作為硬體而嵌入於處理 器21中、作為軟體而嵌人於處理器21中，或與陣列驅動器 22完全整合於硬體中。 通常，陣列驅動器22自驅動器控制器29接收經格式化資 ，且將視訊資料重格式化為平行波形集合，該等波形每 131122.doc -28- 200900731 秒多次被施加至來自顯示器之x_y像 數千個引線。 皁的數百且有時 在-實施例中，驅動器控制器29、 陣列30適用於本文中所描述 ~《 顯不 與η 貝不态之類型中的任一者。 舉例而言’在-實施例中，驅動器控制器29為習知二 控制器或雙穩態顯示器控制器（例如，干涉 器）。在另-實施例中’陣列驅 制 7窃“為習知驅動戎雔 穩I顯示器驅動器(例如，干了 顯不态)。在一實施 例中，驅動器控制器29與陣 諸如蜂巢式電話、手❹^ ° 22整合。該實施例在 " 义小面積顯示器之高度整合系 ，冼中為普遍的。在又一實施例 ’、 瞌例中顯不陣列3〇為典型顯示 陣列或雙穩態顯示陣列（例 平·如’包括干涉調變器陣列之顯 不器）。 輸入#置48允許使用者控制例示性顯示裝置仰之操作。 例中，輸人裝置48包括諸如_RTY鍵盤或電話 小鍵盤之小鍵盤、你^ 竭關、觸碰敏感性螢幕、麼敏性 或熱敏性膜。在一實施例中， _ 、 麥克風4 6為例示性顯示裝置 之輪入裝置。當使用麥克風46來將資料輸人至襄置時， 可由使用者提供語音指令以用於控制例示性顯示裝置仙之 操作。 電源5G可包括此項技術中所熟知之多種能量儲存裝置。 舉例而言，為—^ 只鞑例中，電源5〇為諸如鎳鎘電池或鋰離 &之可再充电電池。在另一實施例中，電源50為再生 杜此源、電容器，或包括塑耀太陽能電池及太陽能電池漆 13IJ22.doc •29· 200900731 (solar-cell paint)之太陽能電池。在另一實施例中，電源5〇 經組態以自壁式插座接收電力。 在一些實施中，如上文所描述，控制可程式性駐留於可 位於電子顯示系統中之若干位置的驅動器控制器中。在一 些情況下’控制可程式性駐留於陣列驅動器22中。熟習此 項技術者將認識到’可在任何數目之硬體及/或軟體部件 中且以各種組態實施上文描述之最佳化。 根據上文陳述之原理而操作之干涉調變器之結構的細節 可廣泛地變化。舉例而言，圖7A至圖7E說明活動反射層 14及其支撐結構之五個不同實施例。圖7a為圖ϊ之實施例 的橫截面圖，其中金屬材料條帶14沈積於垂直延伸之支撐 物18上。在圖7B中，活動反射層14憑藉繫栓32而僅在轉角 處附接至支撐物。在圖7C中，活動反射層14自可變形層34 懸掛下來，可變形層34可包含可撓金屬。可變形層34在各 個位置直接或間接地連接至基板2 〇。本文中將該等連接稱 作支撐結構或支柱18。圖7〇中所說明之實施例具有包括支 撐柱栓塞42之支撐結構18，可變形層34停置於支撐柱栓塞 42上。活動反射層14仍如在圖7A至圖7(：中而懸掛於空腔 上，但可變形層34並不藉由填充可變形層34與光學堆疊 之間的孔來形成支撐柱18。實情為，支撐柱18係由用以形 成支撐柱栓塞42之平坦化材料形成。圖7E中所說明之實施 例係基於圖7D所示之實施例，但亦可經調適以配合圖 至圖7C中所說明之實施例中之任一者以及未圖示之額外實 施例而工作。在圖7£所示之實施例中，已使用金屬或其1 131122.doc •30- 200900731 導電材料之附加層來形成匯流排結構44。此允許沿著干涉 調變器後部之信號導引，從而消除否則可能必須在基板20 上形成之許多電極。 在諸如圖7所示之實施例的實施例中，干涉調變器充當 直視式裝置，在該等直視式裝置中，自透明基板20之前側 (與上面配置有可動電極之側相對的侧）檢視影像。在此等 實施例中，反射層14光學地屏蔽干涉調變器在反射層之與 基板20相對之側上的一些部分，包括可變形層34及匯流排 結構44。此允許在不負面地影響影像品質之情況下對所屏 蔽之區進行組態且在其上進行操作。此可分開之調變器架 構允許用於調變器之機電態樣及光學態樣的結構設計及材 料被選擇且彼此獨立地起作用。此外，圖7C至圖所示之 實施例具有自藉由可變形層34而執行的將反射層14之光學 性質與其機械性質分開而得到之額外益處。此允許關於光 學性質而最佳化用於反射層14之結構設計及材料，且關於 所要機械性質而最佳化用於可變形層34之結構設計及材 料。 I.經由附接基板製造干涉調變器 在一些實施例中，可藉由附接兩個基板來製造MEMS裝 置，該等基板中之每一者具有預形成於其上之部件。另 外，可藉由具有適於製造每一基板之設備的不同製造者分 開製造兩個基板。接著，可由第三製造者將該等基板裝配 至一起。裝配過程亦可有助於減少活動層偏差且因此減小 跨越一陣列自MEMS部件至MEMS部件或自陣列至陣列的 131122.doc 200900731 空腔大小變化性。該製；庄雷.本#上 相 ι把詖，舌性不僅減小整體成本，而亦 Μ共較高良率n下文描述之實施例中之—些促進在 無遮罩之情況下的圖案化(例如，光微影)，且因此可藉由 避免用以由多個薄届读· # ^ 夕似潯層建立構形之複雜步驟而減少製造成 本。 由本文描述之過程製造的廳⑽裝置可在其兩個基板之 間具㈣對小的間隙（例如，在約6,500 Α_2()μηι之間， 且特定言之在約2 _與約15 _之間或在約1()，_人與約5 μη之^)。在本揭示案中福述之實施例中，兩個基板（亦 ?引邛基板與者板）之間的間隙一般指代前部基板之最 深槽的底部與背板上覆於前部基板時面對前部基板之背板 表面之間的間隙。背板表面為最為遠離前部基板之表面。 兩個基板之間的間隙"將自下文關於成形載體背板及成形 月'J邰基板之層壓的描述得到較佳瞭解。另外，mems裝置 八有遍及其陣列區域而非僅於其邊緣處之支撲物或間隔 物。因此，MEMS裝置較不易受壓力變化之影響。另外， 相對小之間隙需要兩個基板之間的較少密封劑，且因此即 使在MEMS |置内部#乾燥劑之情況下，MEMS裝置亦較 不易丈濕氣洩漏之影響。另外，MEMS裝置可能由於小間 隙大小而具有細長輪廓。 在以下實施例中，在光學MEMS裝置，特定言之干涉調 變器之環境中描述MEMS裝置。然而，熟習此項技術者將 瞭解本文描述之過程具有針對其他MEMs裝置之應用，諸 如其他類型之光學機電電容式開關。 131122.doc -32- 200900731 圖8說明根據一實施例之干涉調變器顯示裝置8〇〇。干涉 調變器顯示裝置800包括顯示區域8〇1及周邊區域8〇2。 顯示區域80 1包括一同經組態以顯示一影像或影像之一 序列的複數個像素。顯示區域8〇1包括大體上彼此平行延 伸之列電極（未圖示）及大體上彼此平行且大體上垂直於列 電極而延伸之行電極（未圖示）。列電極及行電極豎直分開 且在其相交處一同界定像素之矩陣。 周邊區域802環繞顯示區域801。顯示區域801在本文中 亦稱為”陣列區域”，因為其包括個別致動之靜電MEms單 7L的陣列。周邊區域802可包括驅動器晶片區域及互連或 導引結構。裝置800可具有安裝於驅動器晶片區域上之列 驅動器8 Π及行驅動器8 1 2。驅動器811及8 12可藉由使用任 何合適黏結技術安裝於驅動器晶片區域上，包括（但不限 於）玻璃上晶片（COG)黏結、帶載封裝（Tcp)附接或玻璃上 膜（FOG)黏結。導引結構經組態以分別將列電極及行電極 電連接至列驅動器8 11及行驅動器8 12。 圖8之干涉調變器顯示裝置8〇〇可藉由將前部基板附接至 背板而形成。圖9說明根據一實施例製造干涉調變器顯示 裝置900之方法。首先，提供具有顯示或陣列區域901及周 邊區域902之前部基板910。前部基板91〇可包括顯示區域 901中的空腔或溝槽之陣列。空腔或溝槽可各自包括一包 括固疋或駐定電極之光學堆疊。如關於圖8所描述，前部 基板91 0亦可包括周邊區域9〇2中之導引結構及驅動器晶片 區域。 131122.doc •33- 200900731 接著，將用於承载干涉調變器顯示裝置9〇〇之一些功能 部件的載體950附接至前部基板91〇以覆蓋顯示區域9〇1及 環繞顯示區域901的周邊區域9〇2之部分。在一實施例中， 在將載體950附接至前部基板91〇之前於載體95〇上形成可 動電極。在將前部基板910與載體95〇附接至彼此時，將可 動電極插入其間。可藉由使用（例如）陽極黏結、融合黏結 及類似方法來將可動電極附接至前部基板91〇之支撐結 構0

在一些實施例中，在可為抽取式載體（例如，見圖35八至 圖35D及附加描述）之載體上形成可動電極。在其他實施例 中，載體充當顯示裝置900之永久背板（例如，見圖乃至圖 34D及圖36A至圖39B及附加描述）。在另一實施例中在 將永久背板附接至前部基板之前在前部基板上形成可動電 極。接著，將背板附接至前部基板。 Π.前部基板之形成 在製造上文描述之干涉調變器顯示裝置中，可以各種方 式形成裝置之前部基板。在一實施例中，可藉由形成至其 板之表面中的空腔或凹座且接著在空腔中形成光學堆最而 製備前部基板。可藉由任何合適過程（例如，壓印 :μ 影與蝕刻及雕刻）而形成空腔。在此文獻之環境中 女 該過程形成之前部基板稱為”成形前部基板"。 ’ 通策，藉由 與成形前部基板之基板整體形成之支擇物（彳 如，軌道或 支柱）對空腔進行定界。 在另-實施例中’可藉由在基板上形成光學堆4且接著 131122.doc •34- 200900731 在光學堆4上形成支撐物以界定空腔來製備前部基板。在 此文獻之環境中’將由此過程形成之前部基板稱為"圖案 化前部基板”。通常，支撐物與基板分開且形成於基板上 方，且可由與圖案化基板之基板不同的材料製成（例如， 見圖22A至圖22C及附加描述）。 在又一實施例中，可藉由在基板上形成支柱以界定空腔 且接著在空腔中形成光學堆疊來製造前部基板。在此文獻 之環境中’將由此過程形成之前部基板稱為"預形成支樓 物前部基板”。如同圖案化前部基板’預形成支撐物前部 基板具有與基板分開之支柱且可由不同於基板的材料製 成’·不同於圖案化前部基板，不將光學堆疊（包括駐定電 極）插入於支撐物與基板之間。 1·成形前部基板之形成 圖1 〇為根據一實施例之成形前部基板丨000之示意部分透 視圖。前部基板1000之所說明部分為前部基板1〇〇〇之顯示 區域的部分。因此，應注意圖10僅為顯示區域之部分說 明，且因此，圖10所示之結構大體上遍及顯示區域而重 複。 前部基板1000包括基板1010，基板1010具有複數個軌道 1011a-l〇lld及界定於軌道1011a-101ld之對之間的複數個 槽1012a-1012c。基板1010亦包括形成於槽1〇12a_1〇12c中 之複數個支柱1013a-1013c。在此文獻之環境中，軌道 101 la-101 Id及支柱1013a-1013c可統稱為"支撐物"或"支撑 結構"。前部基板1000亦包括槽l〇12a-i〇12c之底部上的光 131122.doc -35- 200900731 】學〇堆疊1ίΗ4(其包括駐定電極）及支撐物moud及 l〇l3a-l013c之頂部上的光學堆疊1〇μ之相同層。

ί X

= U)H)可由大體上透明之材料形成。透明材料之實例 包括（但不限⑺玻璃及透明聚合材料。在非光學刪§裝 置之其他實施例中’基板可包括與聚合材料(例如，聚乙 稀）層壓之補鋼板。可藉㈣於移除或定形基心㈣之 部分或形成至基板ΠΗΟ之表面中之凹座的任何方法來對基 板HHO定形。定形方法之實<列包括（但+限於）壓印、光微 影與蝕刻及雕刻。因為在上文描述之方法中在不向基板 1〇1〇添加額外㈣的情況下定形基板1〇1〇,戶斤以採取^道 lOiwom及支柱1G13a_1G13e之形式的支撐物可與基板 _整體地形成且由與基板1010之材料相同的材料形成。 如圖10所示，軌道1011a_1011d在彼此平行之列方向α方 向）上延伸。將瞭解，列/行或ΧΥΖ方向之表示本質上為任 意的，但在本文中將始終如一地加以參考。軌道1011a_ 101 Id使其頂表面處於大體上相同高度，亦即，在單一平 面内。 如圖10所示，槽1012a_1012c與軌道1〇lla_1〇lld交替， 在彼此平行之列方向（x方向）上延伸。如將自下文描述將得 到較佳瞭解的，槽1012a_1012c提供用於可動電極（未圖示） 之空腔或空間而朝向前部基板101 0陷落。 對於所說明之干涉調變器實施例，槽1 〇丨2a-1012c可具 有約600 A與約4,〇〇〇 A之間的深度。槽l〇12a-l012c可視槽 1012a-1012c經設計以在所得顯示裝置之操作期間產生的 131122.doc -36· 200900731 色Φ而具有各種深度D丨、D2、D3。在所說明之實施例 中剛邓基板1 〇〇〇具有針對三個不同色彩，具有三個不同 冰度D1、D2、D3之第—、第二及第三槽。第一槽1〇12&具 有最小冰度且經組態以產生藍色色彩。第一槽1〇12&可 具有在約600 A與約2，_ A之間的第—深度⑴。第二槽 1012b具有中間深度且經組態以產生綠色（G)色彩。第二槽 1012b可具有在約！，〇〇〇 a與約3,〇〇〇 a之間的第二深度。 第一槽1012c具有最大深度且經組態以產生紅色（R)色彩。 第二槽1012〇可具有在約2,〇〇〇人與約4,〇〇()人之間的第三深 度D3。槽l〇l2a_1012c可具有在約1〇 μιη與約2〇〇 之間的 寬度w。熟習此項技術者將瞭解槽1〇12a_1〇i2c之組態及深 度可視像素之色彩及設計而變化。 支柱1013a-1013c形成於槽1012a_1012c之底部上向上延 伸。支柱1013a-1013c使其頂表面處於與軌道1〇11&_1〇114 之頂部大體上相同的高度（大體上同一平面内）。每一支柱 l〇13a-1013c具有對應於支柱1〇13a_1〇13c所定位於之槽 1012a-1012c之深度的高度。因此，具有不同深度之槽 l〇12a-1012c中的支柱i〇13a_1〇13c具有彼此不同之高度。 在所§兒明之實施例中，第一槽1 0 12a中之支柱i 〇 i 3 a具有對 應於弟一深度D1之第一高度。第二槽i〇12b中之支柱i〇13b 具有對應於第二深度D2之第二高度。第三槽1〇12(；中之支 柱1013c具有對應於第三深度D3之第三高度。 支柱1013a-1013c以預定圖案而排列。如將自下文描述 得到較佳瞭解的，前部基板1 〇〇〇之顯示區域之所說明部分 131122.doc •37· 200900731 形成單一像素p，其可以矩陣形式跨越整個顯示區域而經 複製。所說明之像素P具有大體上正方形形狀。像素p包括 第一子像素SP1、第二子像素sP2及第三子像素SP3，其中 每一者為矩形形狀。子像素SP1_SP3中之每一者包括次子 像素 SSP11-SSP13、SSP21-SSP23 或 SSP3 卜 SSP33。每一次 子像素 SSP11-SSP13、SSP21-SSP23、SSP31-SSP33 包括四 個支柱之群組以向可動電極（未圖示）提供支撐。支柱 1013a-10 13c彼此間隔開以允許可動電極在其間向下彎 曲。在所說明之實施例中，次子像素SSP13、SSP21-SSP23、SSP31_SSP33中之每一者具有在自上方檢視時定 位於接近次子像素之自由邊緣處的四個支柱。 光學堆疊1014可包括若干融合層。在一實施例中，光學 堆疊1014可包括透明導電層及上覆於透明導電層的介電 層。透明導電層可由氧化銦錫（IT〇)形成。介電層可由二 氧化矽形成。在另-實施例中，介電層可具有雙層結構， 其包括上部子層及下部子層。在介電層曝露於氟蚀刻劑用 於任何犧牲層釋放步驟的某些實施例中，上部子層可由諸 如氧化紹之保護材料形成。下部子層可由二氧化碎形成。 在一實施例中，透明導電層可具有在約10 Α與約800 Α之 間的厚度。介電層可具有在約1〇〇 A與約M〇〇入之間的厚 度。在介電層具有上部子層及下部子層之實施例中，上部 子層可具有（例如）約50 A1洚 二π * Α之厚度，而下部子層可具有（例 )、勺450 A之厚度。在所說明之實施例中，光學堆疊IQ" 在槽1〇12a_1G12e之底部與支撐㈣Ua-iGUd及1013a-131122.doc -38- 200900731 1013c之頂部之間為不連續的。 槽1012a l〇12c之底部上的光學堆疊ι〇ι4之導電層藉由 軌k la⑻“彼此1電隔離。電隔離之導電層形成所得 干涉調變β顯示裝置之列電極。 在某坠實施例中，光學堆疊1〇14亦可包括透明導電層與 介電層之間的金屬吸收層（或部分反射層）。吸收層可由半 透明厚度的諸如鉻（Cr)、鉬（Μ〇)或M〇/Cr之金屬形成。在 寬頻帶白光干涉調變器之另一實施例中，可用諸如鍺層之 半導體層替代吸收層。吸收層或半導體層可具有約丨人與 約100 A之間’特定言之約50人與約1〇〇 A之間的厚度。 圖11入為沿線11八-11入所取之圖1〇之前部基板1〇〇〇(無光 學堆疊1014)的橫截面圖。由於深度上的差異，槽1〇12a_ 1012c之底表面分別處於不同高度Lla、Lib、Lie。然而， 因為支撐物1011 a_l〇11d及1013a-1013c具有對應於槽 1012a-1012c之深度的不同高度，所以支撐物i〇lla_1〇Ud 及l〇13a-l〇13c之頂表面大體上處於同一高度L2，亦即， 大體上處於同·一平面中。 支撐物1011a-1011d、1013 a-1013c之頂部上的光學堆疊 可充當"黑色遮罩"。光學堆疊在干涉調變器處於其陷落狀 態中時始終提供相同光學效應。光學堆疊可提供黑色色 彩。在其他實施例中，光學堆疊視干涉調變器設計而可提 供白色色彩。 圖11B為在沈積光學堆疊1014之後的圖11A之橫截面 圖。由於光學堆疊1014，前部基板1〇00之最高點處於比高 131122.doc -39- 200900731 度L2高出光學堆疊1014之厚度的高度L2'處。 圖12A至圖12D為說明根據一實施例之形成成形前部基 板之方法的橫截面圖。所說明之方法使用壓印用於使前部 基板定形。如圖12A所示，將大體上平坦之基板1210置放 於壓板1220上。基板1210可由玻璃或易於變得具有展性用 於定形之其他材料（較佳為透明的）形成。所說明之壓板 1220可由金屬材料形成。基板1210可被加熱以使得基板 1210足夠柔軟來在後續壓印步驟蓋印。可將基板121〇加熱 至視用於基板1210之材料而變化的溫度。 接著’如圖12B所示，將壓印板1230按壓至軟化基板 1210上。壓印板1230具有經定形以界定基板121〇上之執 道、槽及支柱的凹座及突起。壓印板123〇可由金屬材料形 成。在某些實施例中，壓板1220及壓印板1230中之至少一 者可為旋轉圓柱體之形式。熟習此項技術者將瞭解壓印技 術之各種其他組態亦可適用於定形前部基板丨2丨〇。 接著，自前部基板1210移除壓印板123〇。隨後，自壓板

基板12 10。 在另實施例巾’可藉由使用光微景多與钱刻技術選擇性 地移除基板之部分而使前部基板121〇定形。在又一實施例

之各種技術來進行雕刻。 败疋形。術語，，雕刻"可與標記或 了藉由使用例如機械加工或雷射雕刻 刻。自動雕刻方法可購自日本東京之 131122.doc 200900731

Nippon Sheet Glass，Co.，Ltd。可在無遮罩過程之情況下進 行圖12A至圖121)所示之壓印技術。另外，可將圖案化板 重複用於許多基板。將瞭解各種其他技術亦可用於定形前 部基板12 1 0。 隨後，大體上跨越成形前部基板121〇順序沈積光學堆疊 材料。可藉由使用例如濺鍍之任何合適技術來沈積光學堆 疊材料以使得光學堆疊1214沈積於支撐物之頂部上且沈積 於槽之底部上但不足夠等形來得到連續側壁覆蓋。此組態 可應用於任何MEMS裝置（光學或非光學MEMS裝置）。支 樓物之頂部上的光學堆疊可充當光學MEMS裝置之"黑色遮 罩。光學堆豐1214之組態可如上文關於圖1〇之光學堆疊 1014所描述。 圖13為部分製造好的干涉調變器顯示裝置1300之一實施 例之部分透視圖，干涉調變器顯示裝置丨3〇〇包括具有配置 於其上之可動電極丨360的前部基板131〇。前部基板i3i〇之 組怨可如上文關於圖10之前部基板1〇〇〇所描述。如圖13及 圖14A所示，可動電極136〇大體上彼此平行且大體上垂直 於引4基板1310之槽1312a-1312c而伸展。在所說明之實 施例中，可動電極1360與槽1312心1312(；彼此相交，界定 上文參看圖1 〇而描述之次子像素。在其他實施例中，單一 可動電極（替代圖13之三個可動電極136〇)可大體上覆蓋前 部基板13 10之整個所說明之部分，藉此界定單一像素。 在圖13及圖14A至圖14C之實施例中，可動電極136〇被 支撐於前部基板1310之軌道1311a_1311c及支柱U13a_ 131122.doc -41 - 200900731 1313c上’其中存在插入之光學堆疊1314a，如圖13及圖 14B(沿線14B-14B所取之圖1 3之裝置的橫截面圖）所示。圖 14C(沿線14C-14C所取，圖13之裝置的另一橫截面圖）亦說 明可動電極1360被支撐於前部基板13 10之支柱1313a_ 13 13c上，其中存在插入之光學堆疊13 14a。在某些實施例 中’可在槽13 12a-13 12c之底部上提供邊緣間隔物1315(圖 14A)以進一步支撐可動電極136〇。邊緣間隔物1315可定位 於每一像素之邊緣處同時與支柱1313a-i313c橫向間隔 開。 圖14D為上面形成有可動電極136〇的圖14B之前部基板 1310之部分放大橫載面圖。可動電極1360被支撐於前部基 板1310之支撐結構（例如，軌道131丨3_1311(；及支柱丨 1313c)上的光學堆疊1314&之頂部上。所說明之可動電極 1360具有上覆於支撐結構之第一部分Ma及在第一部分 之間的第二部分Mb。第二部分Mb不上覆於支撐結構。第 邛刀具有第一厚度T1，而第二部分具有第二厚度T2。 如上文參看圖9所描述，可動電極136〇在被附接至前部 基板1310之刖於載體上形成。為了將可動電極η 附接至 前部基板1310，將載體壓在前部基板131〇上，其中可動電 極1360插入於其間。可壓縮可動電極136〇之接觸支撐結構 的卩刀（例如，上文描述之第一部分Ma)，尤其在可動電極 ^6〇可變形或具有展性之情況下。結果，可動電極1360之 第一部分Ma的第一厚度T1可薄於其第二部分1^^的第二厚 度T2。在—實施例中，第一厚度T1可為約2〇〇 A至約2，_ 131122.doc -42- 200900731 A。第二厚度T2可為約200 A至約2,000 A。第一厚度口與 第一厚度T2之間的差異可為約5 A至約1〇〇 A。第_厚产T1 與第二厚度T2之間的差異可視在將可動電極1360附接至前 部基板13 10時所施加之壓力而變化。 返回圖13 ’所說明之可動電極1360為細長的或為條帶 狀’每一者橫越一行中之多個MEMS單元或像素。細長可 動電極13 60可具有一長度及一寬度。可動電極136〇之長度 與寬度之比率粗略地約為與X:1相同之級，其中父為一行中 跨越顯示陣列的像素之數目之三倍。在一實施例中，可動 電極1360之長寬比在約1〇:1與約υοοοοο」之間。可動電 極1360可包括反射層（或鏡面）136〇a及機械（或可變形）層 1360b。反射層1360a可附接或融合至機械層136〇b ;在其 他配置中，反射層可自機械層懸掛下來（例如，見圖7C至 圖7E)。反射層1360a可由例如A卜Au、Ag或前述各物之 合金的鏡面或反射金屬形成，且足夠厚以反射入射於前部 基板13 10上的大體上所有可見光用於干涉效應。機械層 1360b可由Ni、Cu、Pt、Au、A1或前述各物之合金形成。 機械層1360b可具有足以提供機械支撐同時足夠薄且可撓 以允許可動電極1360朝向槽13 12a-13 12c之底部上的光學 堆疊13 14b移動之厚度。機械層136〇b可具有在數百埃與數 千埃之間的厚度。在例示性實施例中，反射層136〇a具有 約300 A之厚度，且機械層136〇b具有約1〇〇〇 a之厚度。層 1360a及1360b之厚度在其他實施例中可不同。在裝 置用作機電電容式開關之某些實施例中，可動電極可包括 131122.doc -43- 200900731 大體上導電之材料。 圖15為圖13之部分製造好的干涉調變器顯示裝置1300之 不意俯視平面圖。裝置13〇〇包括前部基板1310及形成於其 上之複數個可動電極1360。 刖部基板1310包括顯示區域13〇1及周邊區域13〇2。前部 基板1310包括在顯示區域13〇1中彼此平行而延伸之複數個 a 2該荨槽在其底部包括駐定電極。前部基板131〇亦 包括周邊區域1302中的複數個導引溝槽1316R、1316C及 驅動器晶片區域13〇3&、13〇3b。導引溝槽包括列導引溝槽 1316R及行隔離溝槽1316C。驅動器晶片區域包括列驅動 器晶片區域1303a及行驅動器晶片區域13〇3b。可動電極 1360大體上彼此平行且大體上垂直於前部基板丨31〇之槽 13 12而伸展。 圖16A為圖15之前部基板1310之俯視平面圖，其中以幻 象方式展示僅一可動電極1360之定位。如上文所描述，前 部基板13 10包括顯示區域1301中之槽1312及周邊區域13〇2 中之列導引溝槽13 16R及行隔離溝槽1 3 16C。列導引溝槽 13 16R自槽13 12延伸至列驅動器晶片區域丨3〇3a。行隔離溝 槽1316C自接近顯示區域1301處延伸至行驅動器晶片區域 1303b以使得每一溝槽之一末端接近於可動電極136〇中之 相應一者。 圖16B為圖16A的槽13 12中之一者及列導引溝槽13 16R中 之相應一者（以16B表示）之放大俯視平面圖。槽m2具有 寬度W1。列導引溝槽1316R具有小於槽1312之寬度W1的 131122.doc -44- 200900731 寬度W2。前部基板1310亦包括連接至列導引溝槽1316^之 接觸溝槽1317。接觸溝槽1317經定形以容納將向所得干涉 調變器顯示裝置之像素提供電信號的列驅動器之連接凸塊 或各向異性導電膜（未圖示）。雖然在圖ΐ6β中說明為正方 形或矩形，但在其他實施例中，前部基板131〇可具有各種 其他形狀及組態的接觸溝槽。如圖16C中所示，槽m2、 列導引溝槽1316R及接觸溝槽1317具有大體上相同之深度 D。在其他實施例中，槽1312、列導引溝槽ni6R及接= 溝槽1317中之一者可具有彼此不同之深度。參看圖i6D， 在另一實施例中，導引溝槽1316R可具有隨著其自槽i3i2 向接觸溝槽13 1 7延伸而減小之深度D2或傾斜底部。在藉由 雕刻而定形基板的實施例中，可藉由在雕刻期間改變壓力 而造成該深度變化。將瞭解，槽1312、列導引溝槽ui6R 及接觸溝槽1317之深度及寬度可視前部基板131〇及提供至 其之驅動器晶片的結構及尺寸而廣泛地變化。 圖16E為在處理以形成光學堆疊1314a、131仆之後的圖 16C之裸露前部基板1310之橫截面圖，在該裸露前部基板 1310上安裝列驅動器811。驅動器811包括如圖16E所示面 向下之複數個電引線8 11 a。前部基板1 3 1 〇之所說明部分包 括列導引溝槽13 1 6R及接觸溝槽13 1 7。前部基板1 3 1 〇亦包 括周邊區域之頂部上的光學堆疊m4a及列導引溝槽1316R 之底部上的光學堆疊1 3 14b。列導引溝槽13 1 6R之底部上的 光學堆疊1314b包括介電層1314b 1及下伏導電層1314b2。 光學堆疊13 14b之組態可如上文關於圖1〇之光學堆疊1〇14 131122.doc -45- 200900731 所描述。導電層13购延伸至接觸溝槽i3i7中而介電層 1314Μ不延伸至接觸溝槽1317中。此組態使接觸溝槽1317 中之導電層13购曝露，且因此允許導電層131似與列驅 動器8U之引線811a中之相應一者之間的電連接。多種技 術可用於使接觸溝槽1317中之導體13刚曝露，包括下文 參看圖20及圖21所描述之蔽蔭遮罩技術。 在所說明之實施例巾，由各向異性導電膜（ACF)提供電 連接。ACF包括分散於聚合或有機膜（未圖示）中之導電粒 子813。在建立電連接之過程中，將acf插入於由導電層 13购在接觸溝槽1317中形成之襯墊與驅動器⑴之引線 811a之間。接著’視情況藉由熱將驅動器8ιι壓在前部基 板1310上以使膜至少部分地固化。聚合臈中之導電粒子 813中之-或多者藉由接觸導電層131仆2及驅動器川之引 線811a而提供電連接。但在接觸溝槽i3i7之間（見圖Μ之 平面圖），跨越ACF之導電粒子藉由聚合基質而彼此絕緣， 從而防止驅動器引線811a或區域1317中之接觸襯塾彼此短 路。熟習此項技術者將瞭解各種類型之acf可適用於提供 電連接。熟習此項技術者亦將瞭解’各種其他黏結技術亦 可用於提供電連接。 圖17A說明干涉調變器顯示裝置测之行導引結構的一 實施例。所說明之顯示裝置17〇〇包括前部基板Η"，前部 基板1710具有其顯示區域或陣列17〇1中之執道㈤及槽 1712以及其周邊區域17〇2中之行隔離溝槽⑺^。前部基 板·之周邊區域·的所說明部分具有處於相對於槽 131122.doc -46- 200900731 1712之底部而言較高高度處的頂表面。周邊區域1702之頂 表面可處於與軌道1711之高度相同的高度。 前部基板1710亦包括已同時沈積於周邊區域丨702之頂表 面上的光學堆疊1714a與隔離溝槽17 16C及槽1712之底部上 的光學堆疊1714b。光學堆疊1714a、1714b包括介電層 1714&1、17141>1及下伏於介電層1714&1、1714151之導電層 1714bl、1714b2。光學堆疊1714a、1714b之組態可如上文 關於圖10之光學堆疊1014所描述。將瞭解，槽1712中之光 學堆疊1714b充當MEMS裝置之駐定電極。 裝置1700亦包括上覆於前部基板1710且大體上垂直於槽 1712而延伸之可動電極1760。可動電極1760自顯示區域 1701延伸至周邊區域1702之升高部分。 行隔離溝槽1716C界定與溝槽1716C交替的複數個凸區 或凸台1 7 1 6M。溝槽1716C自接近顯示區域17〇1處延伸至 遠離顯示區域1701的行驅動器（未圖示）之驅動器晶片區域 (未圖示）。行隔離溝槽1 7 16C經組態以在凸台1716M之頂部 上的光學堆疊1714a之間提供電隔離而無需額外圖案化。 溝槽1716C中之母一者完全J哀繞凸台1716M中之相應一 者。行隔離溝槽1716C亦具有足以在如上文關於圖12D所 描述而跨越成形4¾部基板1710沈積光學堆疊材料時允許光 學堆疊1714a、1714b在凸台1716M與行隔離溝槽1716(：：之 間不連續的深度。凸台1716M上之光學堆疊1714a中之每 一者的導電層1714a2提供可動電極1760中之一者與行驅動 器（未圖示）之襯墊中之相應一者之間的電連接。可將凸台 131122.doc -47- 200900731 1716M上的彼此電隔離之導電層m4a2稱為，，導引跡線" 或"導電跡線"。 在-實施例中，行隔離溝槽1716C可具有大於槽叩之 深度的深度。然而，將瞭解，行隔離溝槽1716〇之深度可 視前部基板mo之其他尺寸、駐定電極沈積之等形^干 涉調變器顯不裝置1700之其他部件而廣泛地變化。 圖173為沿圖17A之線17B_17B所取的裝置17〇〇之橫截面 圖。在所說明之實施例十，在前部基板171〇之頂表面上於 高度仏處形成導電跡線m4a2。導電跡線η·之頂表 面處於高度L2b處。介電層171切形成於導電跡線ΐ7_ 上，同時使導電跡線l714a2之部分曝露從而准許導電跡線 m4a2與可動電極176〇之延伸至周邊區域㈣之末端部分 之間的電連接。 為了使導電跡m4a2之部分曝露，可藉由使用任何合 適過程圖案化上覆介電層】714a〗。在一實施例中，可藉由 使用光微影與蝕刻來圊案化介電層1714ai。在另一實施例 中，可使S «遮罩來在沈積介電層1714al時覆蓋導電跡 線1714a2之部分以使得不在導電跡線17Ma2之該等部分上 形成介電層。下文參看圖2G、圖21、圖椒至圖44£較為 詳細地描述使用蔽蔭遮罩之細節。可動電極〗76〇具有處於 高於高度L2b之高度L2c處的底表面。因此，在高度a處 的可動電極1760之底表面與處於高度[沘處的導電跡線 1714a2之頂表面之間存在間隙。該間隙可干擾導電跡線 1714a2與可動電極176〇之間的可靠電連接，尤其是在將可 13I122.doc -48- 200900731 動電極層壓至前部基板1710上時。 在所說明之實施例中，提供間隙填充劑丨7丨7來填充導電 跡線1714a2與可動電極1760之間的間隙且在其間建立電連 接。間隙填充劑1717可由導電黏著材料形成。因此，間隙 填充劑1717亦可用以將可動電極176〇附接至導電跡線 1 714a2。黏著材料可為於相對較低之溫度下可焊的冷焊接 材料。材料之實例包括（但不限於）銻（Sb)、銦（In)或錫 (Sn)。該材料可為軟質且可變形的。熟習此項技術者將瞭 解’各種其他材料（例如，ACF)亦可用於間隙填充劑 1717。 圖17C為沿圖17A之線17C-17C所取的裝置1700之橫截面 圖。圖17C展示裝置1700之周邊區域17〇2的導引區域 1702 A及非導引區域1702B。所說明之橫載面圖具體展示 導引區域1702A之一部分’其中可動電極ι76〇(展示一個） 連接至導電跡線1714a2。在導引區域1702A中，形成行隔 離溝槽171 6C以界定凸台171 6M。凸台171 6M上之導電層 1714a2的頂部上為間隙填充劑1717。另一方面，在無行隔 離溝槽之非導引區域1702B中，導電層1714a2及介電層 1714al兩者堆疊於前部基板1710之頂部上。 圖18A說明干涉調變器顯示裝置1800之行導引結構的另 一實施例。顯示裝置1 800包括前部基板1 8 1 0，前部基板 1810在其顯示區域1801中具有槽1812，但在其周邊區域 1802中無行隔離溝槽。前部基板1810亦包括形成於其上之 光學堆疊1814a、1814b。光學堆疊1814a、1814b包括介電 131122.doc -49- 200900731 層1814&1、181413 1及下伏於介電層1814&2、181朴2之導電 層 1814al、1814bl。光學堆疊 1814a、1814b可如圖 12D 中 所說明跨越前部基板1810而經毯覆式沈積。 前部基板1810進一步包括周邊區域1802中之介電層 1 8 14a 1上的行導引跡線1 81 7。導引跡線1 817經組態以將可 動電極1860電連接至行驅動器（未圖示）之襯墊。導引跡線 1817中之每一者包括接觸部分1817a及導引部分1817t)。在 所說明之實施例中，接觸部分18 1 7a寬於導引部分1 8 1 7b以 促進與可動電極I860之電接觸。雖然未圖示，但導引跡線 1817之遠端可具有類似於接觸部分1817&而定形之接觸襯 塾部分。不同於圖17B之導電跡線1 714a2，導引跡線1 8 17 處於光學堆疊181乜之頂部上。因此，對於導引跡線1817 與可動電極1 860之間的電連接不使用間隙填充劑。參看圖 18C，導引跡線1817僅形成於前部基板1810之周邊區域 1802的導引區域18〇2A中而不形成於其非導引區域18〇2B 中。導引跡線1817可藉由任何合適方法形成，例如，絲網 或Gravue印刷或光微影與蝕刻。於較高高度（支撐物之基 板高度及可動電極之基板高度）提供行導引。此組態允許 可動電極易於與導引跡線接觸，尤其在層壓前部基板與承 載可動電極之載體時。 圖1 9說明干涉調變器顯示裝置之行導引結構的又一實施 例。在所說明之實施例中，經組態用於接合至上面圖案化 有駐定電極之前部基板的載體1950具備可動電極（或條 帶）1960及行導引跡線1917。行導引跡線1917可與載體 131122.doc -50· 200900731 1950上之可動電極觸同時形成。接著，將載體⑼。置放 於成形前部基板（未圖示）上以使得可動電極196〇及行導引 跡線1917插入於其間。隨後，移除載體195〇，使可動電極 I960及行導引跡線1917保留於前部基板上。接著，可使用 行導引跡線1917來將可動電極196〇電連接至行驅動器（未 圖示）之引線或接觸點。 圖20說明使用蔽餐遮罩用於在成形前部基板2(m上沈積 光學堆疊之方法之-實施例。返回參看圖16E，經由蔽陰 遮罩圖案化且蝕刻或沈積介電層1314Μ以曝露下伏導電層 1314132用於導電層1314b2與列驅動器811之引線8ua之間 的電連接。返回參看圖17B，經由蔽蔭遮罩圖案化且蝕刻 或沈積介電層1714al以曝露下伏導電跡線1714a2用於導電 跡線1714a2與相應可動電極176〇之間的電連接。雖然在圖 17B中未展示，但亦可經由蔽蔭遮罩圖案化且蝕刻或沈積 介電層1714al以曝露下伏導電跡線ni4a2用於導電跡線 1 7 14a2與行驅動器（未圖示）之引線或接觸點之間的電連 接。 再次參看圖20，可藉由首先跨越成形前部基板2〇1〇毯覆 式沈積導電層而形成上文描述之結構。以較差等形性在不 同高度沈積導電層。因此，導電層在支撐物及凸台之側壁 上為不連續的。結果，在溝槽中圖案化列電極，而在凸台 上圖案化行導引跡線。接著’將蔽蔭遮罩2〇2〇a_2020c置 放於則部基板2010之部分上，其中待曝露導電層以與待安 裝之其他元件（例如’行/列驅動器、層壓可動電極）接觸。 131122.doc -51 - 200900731 接著，跨越前部基板2010毯覆式沈積介電材料。此蔽备遮 罩方法亦可用於圖1 8A至圖1 8C所示之實施例以曝露槽中 之光學堆疊的導電層用於導電層與列驅動器之襯塾之間的 連接。在該實施例中，在區域2020a(圖20)中將僅需要一個 蔽陰遮罩，因為導引跡線1817形成於介電層1814ai上且因 此已曝露於可動電極I860及行驅動器之引線。將瞭解，各 種其他圖案化技術亦可用於形成上文描述之結構。 圖21說明形成圖17B之間隙填充劑1717之方法的一實施 例。在如上文參看圖20所描述於前部基板2〇1〇上沈積介電 材料之後，移除蔽蔭遮罩2020a-2020c。接著，如圖21所 示在前部基板2010上提供另一蔽蔭遮罩2120。此蔽蔭遮罩 2120包括用於使待形成間隙填充劑之區域曝露的複數個開 口 2121。接著，經由開口 2121在前部基板2010上沈積導電 黏著材料，藉此形成間隙填充劑。將瞭解，各種其他方法 可用於形成間隙填充劑。 2·囷案化前部基板之形成 圖22A至圖22C為說明根據一實施例之製造圖案化前部 基板之方法的示意橫截面圖。在所說明之實施例中，提供 大體上平坦之基板2210。隨後’導電層2214b2首先沈積於 前部基板2210上且接著經圖案化以界定前部基板221〇之顯 示區域2201中的列電極，如圖22A所示。列電極亦可經圖 案化以連續延伸至安裝於前部基板之周邊區域2202之一部 分上的列驅動器。另外，周邊區域22〇2中之導電層2214b2 經圖案化以提供行導引跡線2220用於可動電極（未圖示）與 131122.doc -52- 200900731 行驅動器（未圖示）之引線之間的電連接。在另一實施例 中’可藉由使用類似於圖20及圖21中所示之蔽蔭遮罩的蔽 蔭遮罩來執行此步驟。 接著’如圖22B所示，跨越前部基板在導電層2214b2上 形成介電層2214bl。導電層2214b2與介電層2214bl —同形 成光學堆疊2214。可在沈積之後對介電層22 14bl進行圖案 化以提供通孔或通道2215來使下伏導電層2214b2曝露，尤 其在周邊行導引跡線區域2220中。在於導電層2214b2上沈 積介電層2214bl時可替代地藉由使用類似於圖20及圖21中 所示之蔽蔭遮罩的蔽蔭遮罩來執行此步驟。 隨後，在顯示區域2201中之光學堆疊2214上形成絕緣支 柱2213。顯示區域中之絕緣支柱2213由絕緣材料形成且將 用以支撐可動電極。在形成絕緣支柱2213之後或之前，穿 過通孔2215在周邊區域2202中形成導電支柱2216，如圖 22C所示。導電支柱2216將提供處於不同高度之可動電極 (未圖不）與行導引跡線2220之間的電連接。將瞭解，可藉 由使用任何合適沈積與蝕刻技術來製備圖案化前部基板 2200 〇 在另一實施例中，可在前部基板221〇之周邊區域22〇2中 形成升高凸區來將行導引跡線抬升至可動電極之高度。升 咼凸區可藉由在沈積行導引跡線之前（諸如）藉由沈積、光 微影與蝕刻或使用蔽蔭遮罩之沈積而形成圖案化絕緣材料 來形成。在該實施例中，不需要導電支柱。熟f此項技術 者將瞭解各種其他技術可用於圖案化前部基板之導引。 131122.doc -53· 200900731 3·預形成支撐物前部基板之形成 圖23Α至圖23C為說明根據一實施例之製造預形成支撐 物前部基板2300之方法的示意橫截面圖。在一實施例中， 提供大體上平坦之基板23 10。接著’直接在陣列或顯示區 域2301中之基板2310上形成絕緣支撐物2313。絕緣支撐物 2313由絕緣材料形成，且可採取支柱、軌道、壁等等之形 狀。絕緣支撐物23 13將用以支撐可動電極（未圖示）。在一 實施例中’絕緣支撐物23 13可藉由毯覆式沈積旋塗玻璃 (SOG)材料或氧化物且圖案化並蝕刻（諸如藉由習知光微 影）而形成。在形成絕緣支撐物23 13之後或之前，在周邊 區域2302中形成導電支撐物2316。圖23Α中展示具有支撐 物2313、231 6之前部基板。雖然可由類似於玻璃基板之氧 化物材料的氧化物材料形成絕緣支柱2313，但支柱2313之 材料一般將與基板23 1 0可區別’且一可識別界面2320在絕 緣支柱23 13與基板23 1 0之間形成。 接著’跨越前部基板2310形成光學堆疊2314。在形成光 學堆疊23 14過程中，導電層2314b2首先沈積於前部基板 2310上’且接著經圖案化以界定前部基板231〇之顯示區域 2301中的列電極’如圖23B所示。列電極亦可經圖案化以 連續延伸至安裝於前部基板2310之周邊區域2302之一部分 上的列驅動器。另外，周邊區域23〇2中之導電層2314b2經 圖案化以提供行導引跡線用於可動電極（未圖示）與用於安 裝行驅動器（未圖示）之襯塾之間的電連接。另外，在絕緣 支撐物2313及導電支撐物231 6上形成導電層2314a2。 131122.doc •54· 200900731 接著，如圖23C所示，跨越基板231〇在導電層23ΐ4&2、 23购上形成介電層23_、2314μ。可藉由使用任何合 適技術(例如’祕遮罩)來避免在導電支撐物2316之頂部 形成；I電層。此組態允許導電支擇物Μ 1 6之頂部上的導 電層2314a2與機械層(未圖示)互連。熟習此項技術者將瞭 解可藉由使用任何合適沈積與蝕刻技術來製備預形成支 撐物前部基板2300。 在由結合圖23A至圖23 C而描述之方法產生的干涉調變 器顯示裝置結構中，絕緣支樓物處於前部基板上而無插入 之光學堆疊（導體及/或介電質）。絕緣支撐物既不與基板呈 一體式而亦不由與基板相同之材料形成。 在另一實施例中，可在前部基板231〇之周邊區域23〇2中 形成升高凸區來將行導引跡線抬升至可動電極之高度，如 關於圖1 8A之成形基板所論述。可藉由使用蔽蔭遮罩沈積 絕緣材料來形成預形成支撐物前部基板之升高凸區。在該 實施例中，不使用導電支柱。熟習此項技術者將瞭解各種 其他技術可用於預形成支撐物前部基板之導引。 4.其他行導引結構 圖24A及圖24B說明圖案化前部基板或預形成支撐物前 部基板之行導引結構的其他實施例。在所說明之實施例 中’可類似於上文參看圖22A至圖22C及圖23A至圖23C所 描述之方法而形成前部基板’除了不在前部基板之周邊區 域中形成導電支柱。 參看圖24A ’經組態以與具有駐定電極之前部基板接合 131122.doc -55- 200900731 的載體2450a具備可動電極2460a。另外，在可動電極 2460a上形成導電支柱2416a。可藉由使用包括（但不限於） 光微影與蝕刻、印刷及濺鍍之任何合適技術來形成導電支 柱2416a。載體可為抽取式或犧牲的，存在以將可動電極 轉移至前部基板’或可充當MEMS裝置之永久背板。將載 體2450a放置於前部基板2410a上方以使得導電支柱2416a 插入於載體2450a上之可動電極2460a與前部基板241〇a之 導引跡線2420之間。前部基板241〇a可為圖案化前部基板 或預形成支樓物前部基板’其具有顯示區域24〇ia中之絕 緣支柱2413 a及光學堆疊2414之形式的駐定電極。 參看圖24B，載體2450b經定形為在周邊區域24〇2B中比 在顯不區域2401B中厚，朝向前部基板241〇b突出。前部基 板241 Ob可為圖案化前部基板或預形成支撐物前部基板， 其具有顯示區域2401B中之絕緣支柱2413b。在載體245〇1) 上形成可動電極2460b。接著，將載體245〇b放置於前部基 板2410b上方以使得可動電極246〇b插入於前部基板241此 與载體2450b之間。由於載體245〇b之周邊區域24〇2B中的 較厚部分，可動電極2460b接觸前部基板241〇b之周邊區域 2402B中的導引跡線2420。熟習此項技術者將瞭解行導引 結構之各種其他組態亦為可能的。 III·後部載體之形成 在製造上文描述之干涉調變器顯示裝置的過程中，可以 各種方式形成可動電極。在本文描述之實施例中之許多者 中，可動電極形成於載體背板或抽取式載體上且接著被轉 131122.doc -56 - 200900731 移至裝置之前部基板。 在-實施财，可動電極於㈣背板上形成且接著經轉 移至前部基板。術語”载體背板"指代充當將靜電则奶之 可動電極層轉移至具有駐定電極之前部基板的載體且亦形 成干涉調變器顯示裳置之背板的板。在其他實施财，抽 取式載體可僅用作用以向前部基板提供可動電極的载體。 術語"抽取式载體，，指代在料動電極轉移至前部基板上之 後被移除的臨時或犧牲基板。當使用抽取式載體時，在該 載之移除後進-步提供永久背板來密封干涉 :裝置。在上文描述之實施例中，可藉由使用例如光微； 與钮刻或絲網印刷之任何合適技術在載體背板或抽取式载 體上圖案化可動電極材料而形成可動電極。 在其他實施例中’載體可在於其上沈積可動電極材料之 ::經定形以具有對應於可動電極之圖案的預形成圖案。可 精由(例如)壓印、雕刻或沈積/蝕刻軌道及/或支柱提 ί. 形成圖案以使得可在其上不連續地沈積可動電極層。此技 術准許在沈積之後不另外圖案化及姓刻可動電極材料之情 況下的可動電極形成。在此文獻之環境中，分別將具有預 形成圖案之載體背板與抽取式載體稱為"成形載體背板”盘 ’成形抽取式載體"。可將成形載體背板及成形抽 體 統稱為”成形載體”。 成形載想 圖25為成形載體25〇〇之示意透視圖。成形载體〕㈣可為 水久載體背板或抽取式載體。如圖25所示，成形载_ 131122.doc •57- 200900731 具有大體上彼此平;f千而„ & 反此十仃而延伸之細長凹座25〇1。凹座之 部分地取決於待沈穑夕w也丨广 木又 枓的厚度及沈積技術之等形性。 在一實施例中，凹座之深声、 X至v為待沈積之材料之厚度 3倍。理想地，待沈穑夕展 積之層（例如，可動電極層）歸因於凹座 之深度而為不連續的。在—眚 貝刃在實軛例中，細長凹座2501可具 有約2,000 A至約12,〇〇〇 A，且转 _ 、 且特疋吕之約3,〇〇〇 A至約 6，_ A之深度。凹座25〇1界定與凹座25〇1交替之細長凸

台2502。成形載體2500亦包括形成於細長凸台25〇2上之可 動電極251〇。成形載體25⑽進—步包括細長凹座咖中之 過量可動電極材料2520。如將自下文描述得到較佳瞭解 的，將使成形載體放置於前部基板上方以使得可動電極 2510面向前部基板。 圖26A至圖26D為說明根據一實施例之製造成形載體之 方法的橫截面圖。所說明之方法使用壓印用於定形載體。 在所說明之實施例中，如圖26A所示提供大體上平坦之基 板2600。在載體為永久背板之實施例中，基板26〇〇可由金 屬（例如，不鏽鋼）、玻璃或聚合材料（例如，聚對苯二甲酸 乙二酯、聚乙烯、聚碳酸酯及聚甲基丙烯酸甲酯）形成。 在某些實施例中’載體背板可具有兩個子層，包括層壓至 彼此之金屬子層及聚合子層。在載體為抽取式載體之其他 實施例中’基板2600可由聚合材料形成。聚合材料之實例 將於下文得到描述。 接著’如圖26B所示，將基板2600置放於壓板2650上。 所說明之壓板2650可由金屬材料形成。基板2600可經加熱 • 58- 131122.doc 200900731 以使得基板2600足夠柔軟以在後續壓印步驟蓋印。可將基 板2600加熱至視用於基板2600之材料而變化的溫度。 接著，如圖26C所示，將壓印板2651按壓至基板2600 上。壓印板2 6 5 1具有經定形以產生基板2 6 0 0上之細長凹座 2601(圖26D)的凹座及突起。壓印板2651可由金屬材料形 成。壓板2650及壓印板2651中之至少一者可為旋轉圓柱體 之形式。熟習此項技術者將瞭解壓印技術之各種其他組態 亦可適用於壓印基板。 接著，自基板2600移除壓印板2651。隨後，自壓板265 0 移除基板2600。圖26D中展示具有細長凹座260 1之所得載 體2600。在另一實施例中，可藉由使用光微影與蝕刻來圖 案化基板。在又一實施例中，可藉由首先雕刻預定部分且 接著選擇性地蝕刻該等部分而圖案化基板。可藉由使用例 如機械加工或雷射雕刻之各種技術來進行雕刻。將瞭解各 種其他技術亦可用於定形載體。 隨後，將可動電極材料沈積於成形載體2600之頂表面上 且沈積至細長凹座2601中。所沈積之可動電極材料2610、 2620在凹座2601與由凹座2601界定之凸台2602之間為不連 續的。可動電極2610之組態可如上文參看圖25之可動電極 所描述。 a.成形載體背板 圖27A為根據一實施例之成形載體背板2700的示意透視 圖。所說明之成形載體背板2700包括細長凹座2701、邊緣 軌道2702、執道溝槽2703及支柱2704。邊緣軌道2702可包 131122.doc -59- 200900731 括表示軌道中之間隙的橫向蝕刻孔2705。蝕刻孔2705經組 態以准許軌道溝槽2703與細長凹座2701之間的流體連通。 成形載體背板2700亦包括支撐於邊緣軌道2702及支柱2704 上的可動電極2710。在某些實施例中，可省略支柱2704。 可如上文參看圖26A至圖26E所描述藉由壓印載體背板 2700而形成細長凹座2701、邊緣軌道2702、軌道溝槽 2703、支柱2704及蝕刻孔2705。可由適於壓印之任何材料 形成背板2700。該材料之實例包括（但不限於）玻璃及金屬 (例如，不鏽的）。在其他實施例中，可藉由使用光微影與 蝕刻或雕刻而定形或預形成背板2700。熟習此項技術者將 瞭解各種其他方法可用於定形背板2700。 參看圖27B，邊緣軌道2702中之兩者在其間界定軌道溝 槽2703中之相應一者，同時支撐同一可動電極2710。另 外，相鄰邊緣執道2702中之兩者在其間界定細長凹座2701 中之相應一者，同時各自支撐兩個相鄰可動電極2710中之 一者。如將自下文描述得到較佳瞭解的，軌道溝槽2703為 空的。成形載體背板2700亦可具有細長凹座2701中之過量 可動電極材料2720。 仍參看圖27B，支柱2704自軌道溝槽2703之底部向上延 伸。亦參看圖27D，在平行於細長凹座2701之方向上配置 兩行支柱2704。將瞭解支柱之各種其他配置亦為可能的。 支柱2704具有與邊緣軌道2702大體上相同的高度以使得其 可支撐可動電極2710。 圖27C為沿線27C-27C所取之圖27A之成形載體背板2700 131122.doc -60- 200900731 的橫截面圖。成形載體背板2700之所說明橫截面圖展示邊 緣軌道2702中之蝕刻孔2705。蝕刻孔2705經組態以准許軌 道溝槽2703與細長凹座2701之間的流體連通。蝕刻孔2705 允許蝕刻劑接觸軌道溝槽2703中之犧牲材料以使得犧牲材 料可在製造步驟期間自軌道溝槽2703移除，如將自下文描 述得到較佳瞭解。蝕刻孔2705具有低於細長凹座2701之底 表面的底表面2706。邊緣孔2705之較低底表面2706防止過 量可動電極材料2720阻塞蝕刻孔2705。圖27D展示在無可 動電極27 10之情況下的成形載體背板2700之俯視平面圖。 仍參看圖27C，載體背板2700可具有三個不同高度 BL1、BL2及BL3。細長凹座2701及軌道溝槽2703之底部處 於第一高度BL1。邊緣執道2702及支柱2704之頂部處於高 於第一高度BL1的第二高度BL2。蝕刻孔2705之底表面 2706處於低於第一高度BL1的第三高度BL3。第一高度BL1 及第二高度BL2之間的高度差允許可動電極材料在邊緣軌 道2702中之兩者之間不連續，以便界定條帶形式之可動電 極2710。第一高度BL1與第三高度BL3之間的高度差防止 過量可動電極材料2720阻塞蝕刻孔2705。 圖28為根據另一實施例之成形載體背板的示意透視圖。 所說明之成形載體背板2800包括細長凹座2801、邊緣軌道 2802、軌道溝槽2803及支柱2804。不同於圖27A之成形載 體背板2700，邊緣軌道2802不包括經組態以准許執道溝槽 與細長凹座之間的流體連通之蝕刻孔。成形載體背板2800 亦包括支撐於邊緣軌道2802及支柱2804上的可動電極28 10 131122.doc -61 - 200900731 及細長凹座2801中之過量可動電極材料282〇。可動電極 2810包括經組態以准許可動電極281〇上方及下方之區域之 間的流體連通之通孔28 11。通孔2811允許蝕刻劑接觸軌道 溝槽2803中之犧牲材料以使得犧牲材料可在製造步驟期間 自軌道溝槽2803移除，如將自下文描述得到較佳瞭解。可 藉由使用例如光微影與蝕刻之任何合適技術來形成通孔 2811。

圖29A至圖29D說明在成形載體背板上形成可動電極之 方法之一實施例。在圖29A中，提供成形載體背板29〇〇。 類似於圖27A之成形載體背板27〇〇及圖28之成形載體背板 2800所說明之成形載體背板2900包括細長凹座2901、邊 緣軌道2902、軌道溝槽2903及支柱2904 〇在一實施例中， 成形載體背板2900具有用於穿過軌道29〇2之橫向氣體傳輸 的蝕刻孔（未圖示），其類似於圖27A之背板27〇〇的蝕刻孔 2705。在其他實施例中，成形載體背板29〇〇可具有圖μ之 通孔2811。 接著，在成形載體背板2900上毯覆式沈積犧牲材料 2908,過量填充細長凹座27〇1及執道溝槽29〇3，如圖29B 所示。在一實施例中，犧牲材料2908可為光阻劑或諸如聚 醯亞胺之聚合材料。在另一實施例中，犧牲材料29〇8可為 諸如鉬、矽（非金屬）、鎢或鈦之金屬材料，其可藉由以氟 為主之蝕刻劑（尤其為XeF2)選擇性地蝕刻。可藉由使用例 如旋塗（旋塗式）或濺鍍過程之任何合適過裎來執行此步 驟。在一實施例中，可在背板2900上以等形方式形成金屬 131122.doc -62- 200900731 犧牲材料。在其他實施例中，光阻劑或聚合犧牲材料在沈 積於背板2900上時可為平坦的。 f

移除犧牲材料2908以使得犧牲材料29〇8不突出超過邊緣 軌道2902及支柱2904之頂點。可藉由使用例如化學機械研 磨（CMP)之任何合適過程來執行此步驟。此步驟提供具有 大體上平坦之頂表面且與細長凹座29〇1交替的凸台Μ㈧， 如圖29C所示。隨後，#由使用例如光微影與㈣之任何 合適過程自細長凹座2901移除犧牲材料29〇8之部分。在某 些實施例中，細長凹座2901可比軌道溝槽29〇3深。在該等 實施例中，可將細長凹座2901内之犧牲材料29〇8的部分保 持於其中而不移除，因此避免遮罩步驟。 接下來，如圖29D所不在成形載體背板29〇〇上沈積可動 電極材料。可動電極材料形成在凸台簡上彼此平行而延 伸的條帶形式之可動電極2910。另外，過量可動電極㈣ 2920保持於細長凹座29〇1中。 在某二實施例中，在待於安裝或層壓過程中與其他元件 實體或電接觸的選定位置中之可動電極测上沈積黏社 劑。可藉由沈積、圖案化及蚀刻或藉由經由蔽睡遮罩之賤 鍍或PVD來達成對所要位置之選擇性塗覆。特定言之，可 將黏結劑塗覆至可動電極291()之將接觸形成於前部基板上 之行導引跡線的部分(例如，接觸襯墊”在另一實例中， 行驅動器可直接安I於載體背板上。在最終裝置結構中， 可動電極291G之部分可與前部基板之部分（已自該等部分 移除或屏蔽絕緣材料)相對以曝露下伏之導電層或跡線， 131122.doc • 63 - 200900731 如上文關於圖20及圖21所描述。 黏結劑促進可動電極與導引跡線之間的黏著。黏結劑可 由導電黏著材料形成。黏著材料可為於相對較低之溫度下 可焊的冷焊接材料。材料之實例包括（但不限於）銻（sb)、 銦（In)或錫（Sn)。該材料可為軟質且可變形的。在一些實 施例中’黏結劑可充當上文關於圖丨7 A至圖丨7C而描述之 間隙填充劑1717。本文描述之黏結劑可應用於下文關於載 體背板或抽取式載體而描述之實施例中之任一者。 雖然未經圖示’但接著將成形載體背板2900附接至前部 基板以使彳于可動電極291 〇插入於成形載體背板29〇〇與前部 基板之間。隨後，自軌道溝槽29〇3移除犧牲材料29〇8。在 某些實施例中，可在將載體背板29〇〇附接至前部基板之前 移除犧牲材料2908。在背板2900包括類似於圖27A之蝕刻 孔的邊緣執道2902中之蝕刻孔之一實施例中，可經由該等 蝕刻孔移除犧牲材料2908。在背板不具有蝕刻孔之另一實 施例中，可動電極可經圖案化以具有類似於圖28之通孔 2811的通孔。接著’可經由通孔移除犧牲材料29〇8。 圖30A至圖30D說明在成形載體背板上形成可動電極之 方法之另一實施例。在圖29A中，提供成形載體背板 3 000。類似於圖27A之成形載體背板2700及圖28之成形載 體背板2800，所說明之成形載體背板3〇〇〇包括細長凹座 3 001、邊緣軌道3002、軌道溝槽3003及支柱3004。在一實 施例中’成形載體背板3000具有類似於圖27A之背板2700 之姓刻孔的軌道3 002中之蚀刻孔（未圖示）。在其他實施例 131122.doc -64- 200900731 中’成形载體背板3000可不具有蝕刻孔。 :下來’在待沈積犧牲材料的背板雜之部分上選擇性 广^尤積種子層贿。該等部分可至少包括軌道溝槽侧之 :、面。可經由蔽蔭遮罩(未圖示)選擇性地沈積種子層 〇7。接著’如圖細所示，種子層贿電連接 了進行電錢，可將背板_浸漬於含有犧牲 液中。犧牲材料可為例如鎮、銦或鈦的適於電鍍 之金屬㈣’其可藉由以氟為主之㈣劑（尤其為XeF2)蚀 刻。接者，在種子層與亦浸潰於溶液中之電極之間施加電 位。圖30C中展示具有經選擇性電鑛之犧牲材料侧的所 得背板3_。在某些實施例中，可藉由使用例如化學機械 研磨（CMP)之任何合適過程來移除過載或過量犧牲材料以 留下圖30C之平坦化結構。

接下來，在成形載體背板3〇〇〇上沈積可動電極材料。可 動電極材料形成彼此平行而延伸的條帶形式之可動電極 3010。另外，過量可動電極材料3〇2〇保持於細長凹座 中。在層Μ背板3_與前部基板之後，自軌道溝槽则移 除犧牲^料3_。在某些實施例中，可在將載體背板侧 附接至前部基板之前移除犧牲材料3〇〇〇 ^此步驟之細節可 如上文關於犧牲材料移除步驟（圖29D)所描述。 圖3 1A至圖3 1D說明在成形載體背板上形成可動電極之 方法之又一實施例。在圖31A中’提供成形載體背板 3 1 〇〇。類似於圖27A之成形載體背板27〇〇及圖28之成形載 體背板2800，所說明之成形載體背板31〇〇包括細長凹座 131122.doc -65- 200900731 3101、邊緣軌道31 〇2、軌道溝槽31 〇3及支柱3104。在一實 施例中’成形載體背板31〇〇具有類似於圖27A之背板27〇〇 之蝕刻孔的執道3102中之蝕刻孔（未圖示）。在其他實施例 中，成形載體背板3100可不具有蝕刻孔。成形載體背板 3100具備細長凹座31〇1上之阻斷遮罩31〇7。在一實施例 中，阻斷遮罩3 1 07可藉由絲網印刷或蔽蔭遮罩形成。 接著’在成形載體背板3100上毯覆式沈積犧牲材料 3108，過量填充軌道溝槽31〇3，如圖31B所示。阻斷遮罩 3107防止犧牲材料31〇8沈積於細長凹座31〇1中。此步驟之 細節可如上文參看圖29B所描述。 隨後’移除過量或過載犧牲材料3108以使得犧牲材料 3108不突出超過邊緣軌道31〇2及支柱31〇4之頂點。可藉由 使用例如化學機械研磨（CMP)之任何合適平坦化過程來執 行此步驟。接著，如圖3 1C所示，藉由（例如）灰化處理而 自細長凹座3101移除阻斷遮罩31 07。在其他實施例中可 藉由使用例如遮罩及蝕刻的任何合適技術選擇性地移除阻 斷遮罩3107。 接下來’在成形載體背板3100上沈積可動電極材料。可 動電極材料形成彼此平行而延伸的條帶形式之可動電極 3110。另外，過量可動電極材料312〇保持於細長凹座31〇1 中。在層壓背板3010與前部基板之後，自軌道溝槽31〇3移 除犧牲材料3 1 08。此步驟之細節可如上文關於犧牲材料移 除步驟（圖29D)所描述。 圖32A說明成形载體背板之又一實施例。所說明之成形 131122.doc -66· 200900731 載體背板3200具有大體上彼此平行而延伸之細長凹座 3201。凹座3201界定與凹座32〇1交替之細長凸台3202。 參看圖32B ’可跨越背板3200沈積犧牲材料3207b以在細 長凹座3201與凸台3202之間為不連續的。隨後，跨越背板 3200沈積可動電極材料，形成凸台3202上之可動電極3210 及細長凹座3201中之過量機械層322〇，如圖mb所示。凸 台3202上之可動電極32 10與凹座3 201中之過量機械層3220 彼此不連續。在一實施例中，可動電極材料322〇及犧牲材 料3207b之總體厚度等於或小於細長凹座32〇1之深度的一 半。此組態提供可動電極32 1 〇之間的電隔離。 如將自下文描述得到較佳瞭解的，將在將背板32〇〇附接 至前部基板（未圖示）之後移除凸台32〇2上之犧牲材料 3207a。此犧牲材料移除步驟將自背板32〇〇釋放可動電極 3210至前部基板上。然而，細長凹座32〇1中之犧牲材料 3207b在密封於釋放蝕刻的情況下將在犧牲材料移除步驟 之後仍保留。細長凹座3201中之犧牲材料32071)將固持過 $機械層3220於完整干涉調變器顯示裝置中之適當位置。 圖32C說明在成形抽取式載體上形成可動電極之方法之 另一實施例的橫截面圖。參看圖32C，可跨越背板32〇〇等 形地沈積釋放層3207以在細長凹座3201與凸台3202之間為 連續的。隨後，跨越背板3200沈積可動電極材料，形成凸 台3202上之可動電極3210及細長凹座3201中之過量機械异 3220。凸台3202上之可動電極3210與過量機械層322〇彼此 不連續。此組態提供可動電極3210之間的電隔離。 13ll22.doc -67- 200900731 將自下文描述得到較佳瞭解的是，將在將背板32〇〇附接 至前部基板（未圖示）上之後移除釋放層32〇7。此移除步驟 將自背板3200釋放可動電極321〇至前部基板上。如將自下 文圖34A至圖34D之描述得到較佳瞭解的，過量機械層 3220將由自前部基板延伸之過量機械層支撐物支撐。 圖32D為圖32B之成形載體背板32〇〇的俯視平面圖。圖 32E為圖32D之成形載體背板32〇〇之邊緣部分325〇的橫截 面圖。邊緣部分3250包括沿背板32〇〇之邊緣延伸的周邊隆 脊3251。周邊隆脊325 1在其間界定的凹座3252。熟習此項 技術者將瞭解凹座3252之數目可視载體背板之設計而變 化。 在一實施例中，周邊隆脊3251高於執道32〇2，且在犧牲 材料或機械層之沈積期間可由蔽蔭遮罩覆蓋。因此，邊緣 部分3250可能不包括犧牲材料或過量機械層，而是經組態 以附接至前部基板，其中存在諸如玻璃粉或金屬之插入密 封劑用於密封。周邊隆脊325 1環繞所得干涉調變器顯示裝 置之‘,、員示區域以產生基板咼度L2處之一系列環。周邊隆脊 3251密封尚度L1處之過量機械層。在其他實施例中，邊緣 部分3250可包括可部分充當密封劑的機械層。周邊隆脊 325 1用以防止細長凹座32〇1中鄰近邊緣部分325〇之犧牲材 料3207b在犧牲材料移除步驟期間被移除。此組態允許細 長凹座3201中之犧牲材料32〇7b將過量機械層3220固持於 完整顯示裝置中之適當位置。 在某些實施例中，载體背板3200可具有毯覆式沈積於其 131122.doc -68- 200900731 表面（包括周邊隆脊3251之側壁）上的犧牲材料。在該等實 施例中’可以密封劑填充凹座3252以使得犧牲材料在犧牲 層移除步驟期間不被蝕刻。 圖33A至圖33D為說明根據另一實施例之製造具有圖案 化可動電極之成形載體背板之方法的橫截面圖。在所說明 之實施例中，載體背板33〇〇經定形以具有複數個支柱或連 接斋3350，如圖33A所示。可藉由使用諸如壓印、雕刻或 f 光微影與蝕刻（其中最後一者提供預形成支柱）之任何合適 " 過程定形來支柱3350。壓印或雕刻形成與背板3300呈一體 且與背板3300之材料相同的支柱335〇。 隨後’在背板3300上沈積犧牲材料33 1〇。接著，如圖 33B所示，回蝕犧牲材料331〇以曝露支柱335〇。可藉由使 用包括（但不限於）化學機械研磨（CMp)之任何合適技術來 平坦化犧牲材料3 3 1 0。 接下來，如圖33C所示跨越背板3300沈積可動電極材料 ( 3320。接著，藉由使用例如光微影與蝕刻之任何合適技術 來圖案化可動電極材料332〇。圖33D展示所得可動電極 3320。可動電極332〇支撐於支柱335〇上且亦部分地支撐於 犧牲材料3310上。在一實施例中，可動電極332〇可經圖案 化以分開電極3320且提供如上文關於圖28所描述之釋放孔 來促進於下文描述之移除步驟移除下伏犧牲材料。在某些 實施例中’可在圖案化可動電極332〇之前或之後在選定位 置中之可動電極3320上沈積黏結劑。上文關於圖29A至圖 29D描述了黏結劑之細節。 131122.doc -69- 200900731 接著’將載體背板3300附接至前部基板（未圖示）以使得 可動電極3320插入於其間。接著，移除犧牲材料331〇。在 某些實施例中，可在將載體背板3300附接至前部基板之前 移除犧牲材料33 10。可動電極3320由前部基板之執道及支 柱支撐。 圖3 4 A為根據一實施例的部分製造好之干涉調變器顯示 裝置3400之示意透視圖。裝置之所說明部分為裝置⑼之 顯示區域。裝置3400包括附接至彼此之成形前部基板341〇 及成形載體背板3450 ’其中可動電極346 la插入於其間。 成形鈿部基板3 410包括彼此平行延伸之軌道3 411、由軌 道3411界定之槽3412、槽3412之底部上及軌道3411之頂部 上的光學堆疊34 14。成形前部基板3410進一步包括形成於 軌道3411上之過量機械層支撐物3 42〇。軌道3411、槽3412 及光學堆疊3414之組態可如上文關於圖1 〇之組態所描述。 成形載體背板3450包括細長凹座3451及由細長凹座3451 界定之凸台3452。成形載體背板3450亦包括細長凹座345 1 中之過量機械層346lb及犧牲層3462。如關於圖32D及圖 32E所論述而藉由過量機械層3461b、細長凹座3451、周邊 隆脊之環（未圖示）封閉犧牲層3462。細長凹座3451、凸台 3452、過量機械層3461b及犧牲層3462之組態可如上文關 於圖32B之組態所描述。 將可動電極346 la插入背板3450之凸台3452與前部基板 3410之軌道3411之頂部上的光學堆疊3414之間。如上文參 看圖32B所描述，現已移除插入於可動電極3461a與凸台 131122.doc -70- 200900731 3452之間的犧牲材料，從而自背板345〇釋放可動電極 3 461a。參看圖34B，可動電極3461a現支撐於執道3411之 頂部上的光學堆疊3414上同時歸因於經移除之犧牲層而與 凸台3452間隔開。 在所說明之實施例中，成形前部基板34丨〇進—步包括過 量機械層支撐物3420。參看圖3 4C及圖34D，過量機械層 支撐物3420自軌道3411向上突出或延伸。另外，在過量機 械層支撐物3420之頂部上形成光學堆疊3414。過量機械層 支撐物3420經組態以支撐背板3450之細長凹座3451中的過 量機械層3461b。過量機械層支撐物3 420連同犧牲層3462 將過量機械層3461b固持至背板3450。在背板345〇不具有 細長凹座345 1中之犧牲材料的一些實施例中（例如，圖32(： 之背板）’僅過量機械層支撐物3420可用以將過量機械層 3461b固持至背板3450。此可在犧牲層於凹座中與在載體 背板之凸台上同時經移除之情況下（例如，無周邊隆脊之 環）發生。 b· 成形抽取式載體 圖3 5 A為根據一實施例之成形抽取式載體35〇〇的示意透 視圖。所說明之成形抽取式載體3500包括彼此平行伸展之 細長凹座3501及由凹座35〇1界定之細長凸台35〇2。如圖 35B所示，載體35〇〇可承載形成於凸台35〇2上之可動電極 351〇。载體3500亦可承載凹座3501中之過量機械層352〇 , 其可在將可動電極3510轉移至前部基板之後連同載體35〇〇 一同經移除。凹座3501足夠深以確保沈積於載體35〇〇上的 131122.doc 71 200900731 所要厚度之可動電極3510在凸台35 02與凹座3501之間為不 連續的。 在一實施例中，成形抽取式載體35〇〇可由聚合材料形 成。聚合材料可在將可動電極轉移至前部基板之後經溶 解、灰化或热發。在其他實施例中，可在實體上自前部基 板提昇或剝離抽取式載體35〇〇而將可動電極留在前部基板 上。在該等實施例中，可動電極可在無插入犧牲層的情況 下直接形成於抽取式載體35〇〇上。 在另一實施例中，成形抽取式載體35〇〇可為可回收載 體。可回收載體可由諸如聚醯亞胺膜之聚合材料形成。例 示性聚醯亞胺膜由聚（4,4，_氧二伸苯基_均苯四醯亞胺）（可 購自 E. I. du Pont de Nemours and Company 之 KAPTON®)形 成。 在又一實施例令，可回收載體可由多孔聚合材料形成。 參看圖35C，在該實施例中，在於載體35〇〇上形成可動電 (,極3510之前，在載體3500上形成釋放層353〇。接著，在釋 放層3530上形成可動電極351〇。釋放層353〇可如單原子層 一般薄，只要其為在載體35〇〇與可動電極層351〇、352〇之 間的所有位置插入之連續膜。在一實施例中，釋放層353〇 可由鉬形成。 參看圖35D，為了將可動電極351〇轉移至前部基板 3570,經由多孔載體35〇〇提供釋放蝕刻劑。釋放蝕刻劑能 夠行進穿過多孔載體3500以到達並移除釋放層353〇，藉此 自可回收載體3500釋放可動電極3510。可回收載體可 131J22.doc -72- 200900731 經回收用於製造其他干涉調變器顯示裝置。 返回參看圖19，上文關於圖乃至圖35][)而描述之實施例 的成形載體可具有額外結構以形成連接至可動電極196〇之 導引跡線1917。熟習此項技術者將瞭解該等額外結構可視 導引跡線之組態而包括溝槽及凸台之各種組態，其中較高 咼度特徵表示收納待轉移至基板之功能導電層的位置且較 低高度特徵表示功能導電層之間的隔離。在前部基板提供 類似於圖1?或圖18所示之導引跡線的導引跡線之其他實施 例中，成形載體可僅具有可動電極之結構而無導引跡線之 額外結構。 2.具有圖案化可動電極之載想 在一些實施例中，不同於上文描述之成形載體上的可動 電極，可動電極可在載體上經圖案化。該載體可為永久載 體背板或抽取式載體。載體可具有大體上平坦之表面。在 其他實施例中，載體可具有用以支撐可動電極之連接器或 支柱。 a.具有圖案化可動電極之載體背板 圖36A至圖36E為說明根據一實施例之在載體背板上圖 案化可動電極之方法的橫截面圖。在所說明之實施例中， 如圖36A所示提供大體上平坦之載體背板36〇〇。接著在 背板3600上沈積犧牲材料361〇。隨後，在犧牲材料361〇上 沈積可動電極材料3620。 參看圖36B，在可動電極材料362〇上形成光阻劑層 3630。接著’如圖36c所示，圖案化光阻劑層363〇以提供 131122.doc -73- 200900731 遮罩用於钱刻可動電極材料3620及犧牲材料3610中。 隨後，如圖36D所示，藉由使用任何合適蝕刻劑來蝕刻 可動電極材料3620及犧牲材料3610。可藉由濕式或乾式蝕 刻過程來蚀刻可動電極材料3620。在犧牲材料3610為鉬之 實施例中’可藉由填酸/乙酸/硝酸或"PAN”触刻劑來钮刻 犧牲材料3610。最後，自載體背板3600移除光阻劑層 3630 <*

如上文關於成形載體背板所描述，接著將載體背板附接 至具有駐定電極之前部基板（未圖示）以使得可動電極362〇 插入於其間。接著，移除犧牲材料3610以自背板3600釋放 可動電極。可動電極3620在朝向前部基板活動的同時由前 部基板之軌道及支柱支撐。載體背板36〇〇作為背板而停 留，形成完整干涉調變器顯示裝置之部分。下文將參看圖 43A至圖43C描述將背板3600附接至前部基板之細節。 圖37A至圖37E為說明根據另—實施例之在載體背板上 圖案化可動電極之方法的橫截面圖。在所說明之實施例 :，如圖37A所示提供大體上平坦之載體背…。接 著，在背板3700上沈積犧牲材料371〇。隨後，在犧牲材料 3710上沈積可動電極材料372〇。 多。7 ，在可動電極材料372〇上形成光阻劑層 3730。接著，如圖37C所示，圖案化光阻劑層⑺ ^ 遮罩用於㈣可動電極材料則中。隨後，如圖3 = 二合適姓刻賺刻可動電極材料372〇。 或乾式蝕刻過程來蝕刻可動電極材料3720。如 131122.doc -74 - 200900731 圖37E所示移除光阻劑層373〇。 接著，將載體背板3700附接至具有駐定電極之前部基板 (未圖示）以使得可動電極372〇插入於其間。接著，移除犧 牲材料3710以自背板37〇〇釋放可動電極。可動電極3720由 前部基板之軌道及支柱支撐。因此，此實施例之犧牲或釋 放層3710無需經圖案化。載體背板37〇〇作為背板停留於最 終產品中。下文將參看圖43Α至圖43C描述將背板37〇〇附 接至前部基板之細節。 圖38A至圖38D為說明根據又一實施例之在載體背板上 圖案化可冑電極之方法的橫截_。在㈣明之實施例 中，如圖38A所示提供大體上平坦之載體背板38〇〇。接 著，在載體背板3800上形成連接器385〇。可藉由使用諸如 光微影與蝕刻之任何合適過程來形成連接器385〇。連接器 3 8 5 0可由諸如聚醯亞胺或光阻劑之聚合材料或者諸如二氧 化石夕（Si02)之無機材料形成。在—實施例#，可藉由使用 旋塗玻璃技術形成連接器385〇。在另一實施财，可藉由 壓印背板而形成連接器385〇。在該實施例中，連接器Μ% 與背板3800整體地形成且由與背板3_相同之材料形成。

Ik後，在背板3800上沈積犧牲材料381〇。接著，如圖 38B所示，犧牲材料381〇經回蝕以具有與連接器％μ之厚 度相同的厚度。可藉由使用包括(但不限於)化學機械研磨 (CMP)之任何合適技術來平坦化犧牲材料381〇 ^ 接下來，如圖38C所示跨越背板侧沈積可動電極材料 3820。接著，#由使㈣如光微f彡與㈣之任何合適技術 131122.doc -75- 200900731 來圖案化可動電極材料3820。圖38D展示所得可動電極 3 820。可動電極3820支撐於連接器385〇上且亦部分地支撐 於犧牲材料3810上。 接下來，將載體背板3900附接至前部基板（未圖示）以使 得可動電極3820插入於其間。接著，移除犧牲材料381〇。 可動電極3820由前部基板之軌道及支柱支撐。 參看圖19及圖36至圖38，可動電極材料可經圖案化以具 有連接至可動電極1960之導引跡線1917。熟習此項技術者 將瞭解導引跡線191 7可與對可動電極196〇進行圖案化同時 或與其分開而形成。在前部基板提供類似於圖17及圖“所 不之導引跡線的導引跡線之其他實施例中，載體背板可僅 承載可動電極而無導引跡線。 、圖39A說明具有圖案化可動電極及鉚釘之載體背板的部 分橫載面圖。術語"鉚釘，，指代經組態以在所得干涉調變器 顯示裝置之操作期間在按壓下自電極之頂部支撐並加強可 動電極之結構。 載體背板3900之所說明部分包括犧牲層391〇、鉚釘支撐 ^構3920、可動電極393〇及鉚釘394〇。犧牲層391〇形成於 背板3_上，且具有凹座則用於部分地容納鉚釘支擇結 構3920 '可動電極3930及鉚釘394〇。鉚釘支撐結構392〇i 形地形成於凹座3911之中及周圍。鉚釘支撐結構392〇可由 諸如氧化秒之無機材料形成。在某些實施例中，可省略鉚 釘支撐結構392〇。可動電極删等形地形成於凹座加 中，在所說明之實施例中形成於鉚釘支撐結構侧上及犧 131122.doc • 76· 200900731 牲層3910之曝露部分上。接著，鉚釘394〇形成於可動電極 3 930上’過量填充凹座3911。適用於鉚釘3940中之材料包 括（但不限於）結、A10x、氧化矽、SiNx、鎳及鉻。可用以 形成鉚釘3940之替代材料包括其他金屬、陶瓷及聚合物。 鉚釘3940之厚度將根據所使用之材料的機械性質而變化。 圖39B為根據一實施例之在載體背板上具有鉚釘的干涉 調變器顯示裝置之橫截面圖。裝置之所說明部分包括前部 基板3950及載體背板3900。前部基板3950包括軌道3951、 由軌道3951界定之槽3952、槽3952之底部上及軌道3951之 頂部上的光學堆疊3953。背板39〇〇之組態與圖39A之背板 3900的組態相同’除了已移除犧牲層3910。背板3900與前 部基板3950相對’其中可動電極393〇插入於其間。鉚釘 3940插入於可動電極393〇與軌道3951上之光學堆疊刊兄之 間。鉚釘3940用以在干涉調變器顯示裝置之操作期間支樓 並加強可動電極393〇。在另一實施例中，前部基板395〇在 槽3952中可具有支柱，且背板3900可進一步包括與支柱相 對之柳釘。在又一實施例中，干涉調變器顯示裝置可具有 上文描述之軌道/鉚釘結構來支撐可動電極’而在前部基 板3950上不具有支柱。熟習此項技術者將瞭解鉚釘之各種 組態可與前部基板之支撐物組合。 b.具有圚案化可動電極之抽取式載體 在—些實施例中，可替代永久載體背板而使用具有圖案 化可動電極之抽取式載體來向前部基板提供可動電極。抽 取式載體可由聚合材料形成。聚合材料可在將可動電極轉 131122.doc -77· 200900731

移至前部基板之後可溶解或可灰化。在其他實施例中，可 在實體上自前部基板提昇或剝離抽取式載體而將可動電極 留在前部基板上。在另一實施例中’抽取式载體可為可回 收載體。可回收載體可由多孔聚合材料形成。在該實施例 中，在於載體上形成可動電極之前，可在載體上形成類似 於圖35C之釋放層3530的釋放層。接著’在釋放層上沈積 並圖案化可動電極材料。釋放層可為單原子層。在一實施 例中’釋放層可由形成。對可動電極進行圖案化之細節 可如上文參看圖36及圖37所描述。熟習此項技術者將瞭解 抽取式載體之各種組態可用以承載圖案化電極。 動 接著，將抽取式載體置放於前部基板上以使得圖案化可 電極插入於其間。隨後，（例如）如上文參看圖35D所描 述而移除抽取式載體。在移除抽取式載體之後，進一步提 供例如玻璃板之永久背板來密封干涉調變器顯示裝置。在 一些實施例中’在前部基板與永久背板之間提供乾燥劑來 防止對顯示裝置的濕氣損害。 IV. 層壓 —上文描述之實施射之-些提供三财同類型的具有駐 定電極之前部基才反：成形前部基板、目案化前部基板（其 特徵在於獨立於駐定電極之圖案化而形成之支撐結構)及 預形成支撐物前部基板。料，上文描述之其他實施例提 供四種不同類型之載體：成形載”板、具有圖案化可動 電極之载體背板、成形抽取式载體及具有㈣化可動電極 之抽取式載體。該等類型之前部基板中之_者可與該等類 131122.doc •78- 200900731 型之載體中之一者組合而形成部分製造好的或完整的干涉 調變器顯示裝置。在另一實施例中，可動電極可直接形成 於成形前部基板上而非自載體轉移。以下於表1中展示前 部基板與載體之可能組合。下文亦將描述基於該等組合之 各種實施例。表1中之每一號碼指示下文描述之每一實施 例的標題號碼。 表1

成形前部基板 圖案化前部基板 預形成支撐物前部基板 成形載體背板 1 2 3 成形抽取式載體 4 5 6 具有圖案化可動電 極之載體背板 7 8 9 具有圖案化可動電 極之抽取式載體 10 11 12 可動電極之傳統沈 積及背板之附接 13 N/A N/A

1. 成形載艎背板及成形前部基板 A. 實施例A 在上述表1中之組合1的一變體中，成形載體背板與成形 前部基板可彼此組合以形成干涉調變器顯示裝置。成形前 部基板之組態可如上文參看圖10、圖11A至圖11B、圖16A 至圖18C及圖34A至圖34D中之一或多者所描述。成形載體 背板之組態可如上文參看圖27A至圖27D、圖28及圖32A至 圖33D中之一者所描述。前部基板與背板之組合結構可如 上文參看圖8、圖9、圖13至圖15、圖17A至圖18C、圖34A 至圖34D中之一或多者所描述。由本文描述之過程製造的 干涉調變器顯示裝置可在其前部基板與背板之間具有相對 131122.doc -79- 200900731 小的間隙（例如，在約6,500 A與約2〇 μηΐ2間且特定言之 在約2 μηι與約15 μηι之間或在約1〇,〇〇〇 Α與約5 之間 在本揭示案中所描述之實施例中，前部基板與背板之間 的間隙一般指代前部基板之最深槽的底部（例如，圖HA之 最深槽1012c之底部F1)與背板上覆於前部基板時面向前部 基板之背板表面之間的間隙。背板表面為最為遠離前部基 板之表面（例如，圖26D中面向前部基板之細長凹座底表面 B1及圖27C中的蝕刻孔27〇5之底表面^)。因此，例如， 在圖34A及圖34C中，前部基板與背板之間的間隙指代最 深槽之底部與背板上覆於前部基板時背板345〇之細長凹座 3 4 5 1之頂表面之間的間隙〇。 顯示裝置包括前部基板與背板之間的可動電極。如圖Η 所示，可動電極可支撐於前部基板之執道及支柱上。在一 實施例中，可動電極亦可如圖27A至圖27D、圖28或圖33d 所不而自背板懸掛下來。在又一實施例中，載體背板上之 過量機械層可如圖34A至圖34D所示而由過量機械層支撐 物支撐。 在下文描述之實施例中之任一者中，可藉由使用任何合 適黏結技術來建立電極（行電極及列電極）與導引結構/跡線 之間的電連接。該等黏結技術可涉及使用（例如）蔽蔭遮罩 及黏結劑（圖17A至圖17C、圖20及圖21)、導電珠粒及絕緣 封條或各向異性導電膜（ACF)(圖16E及圖16F)。下文將描 述各種導引及封裝結構及方法。 a·導引選項1 131122.doc -80- 200900731 -實施例巾，如上文參看圖17A至圖i7c所描述，成 形刖邛基板可包括行導引結構用於導引活動⑻電極。成 形載體背板可承載可動電極，但無引線或導引跡線自可動 電極延伸。纟前部基板與背板附接至彼此日夺，可動電極之 末端部分與前部基板上之導電導引跡線接觸。返回參看圖 17A至圖17C，可在可動電極176〇與導引跡線之間 插入間隙填充劑171?。行導引結構包括由行隔離溝槽界定 之凸台上的導引跡線。如圖17A至圖17C所示，行導引結 構亦包括溝槽中之駐定電極層（包括IT〇層）。行導引結構 之細節可如上文參看圖17Α至圖nc所描述。成形前部基 板亦可包括類似於圖16A至圖16E之列導引結構的列導引 名。構。在下文論述並於圖4〇至圖4丨C中展示之實施例中， 導引結構可均處於前部基板上。 現參看圖40，在前部基板4〇1〇與背板4〇5〇附接至彼此之 後’可在前部基板4〇 1〇上安裝驅動器4〇2〇。驅動器可為用 於驅動活動（行）電極之行驅動器、用於驅動固定（列）電極 之为開的列驅動器或兩者之組合。 圖41A至圖41C說明干涉調變器顯示裝置之各種驅動器 配置。參看圖41A ’干涉調變器顯示裝置41 00A包括成形 前部基板41 l〇a及安裝於其上之成形載體背板4 150a。裝置 4100A亦包括在裝置41〇〇A之顯示區域4101a的同一側上一 同安裝於前部基板4110a上的行驅動器4130a及列驅動器 4140a。如圖41A所示，前部基板41 l〇a亦包括分別通向行 驅動器4130a及列驅動器4140a之行導引結構413 la及列導 131122.doc 81 - 200900731 引結構4141a。行導引結構4131 a之組態可如上文參看圖 1 7 A至圖17C所描述。列導引結構414 1 a之組態可如上文參 看圖16A至圖16E所描述。在所說明之實施例中，導引結 構4131a、4141 a之曝露部分可由覆蓋材料所覆蓋。 參看圖41B，干涉調變器顯示裝置41〇〇b包括成形前部 基板411 Ob及成形載體背板415 Ob。裝置4100B亦包括前部 基板411013上之處於裝置410(^之顯示區域410113之兩個不 同側上的行驅動器4130b及列驅動器4140b。如圖41B所 示’前部基板411 Ob亦包括分別通向行驅動器4丨3 〇b及列驅 動器414〇b之行導引結構4131b及列導引結構4141b。行導 引結構之組態可如上文參看圖17A至圖17C所描述。列導 引結構之組態可如上文參看圖16所描述。在所說明之實施 例中’導引結構413 lb、4141b之曝露部分可由覆蓋材料所 覆蓋。 參看圖41C ’干涉調變器顯示裝置4i〇〇c包括成形前部 基板4110c及成形載體背板41 50c。裝置4100C亦包括前部 基板4110b上之處於裝置4100C之顯示區域4 101c之同一側 上的行驅動器4130c、第一列驅動器4140cl及第二列驅動 器4140c2。前部基板411〇c亦包括分別通向行驅動器413〇c 及列驅動器4140c 1、414〇c2之行導引結構413 1 c、第一列 導引結構4141cl及第二列導引結構4141c2。在所說明之實 施例中’可自交替側導引交替列，此產生較多空間用於列 導引跡線。行導引結構413 1 c之組態可如上文參看圖1 7A至 圖1 7A所描述。列導引結構41 41 c 1、4 1 41 c2之組態可如上 131122.doc •82- 200900731 文參看圖16所描述。在所說明之實施例中，導引結構 4mc、4141cl、4丨4^2之曝露部分可由覆蓋材料所覆 蓋。 在其他實施例中，行及列驅動器可與彼此組合，從而形 成單一整合行/列驅動器。在該等實施例中，干涉顯示裝 置可具有類似於圖似及圖41C所示之布局的布局。將瞭 解各種其他布局亦為可能的。 b.導引選項2 在另-實施例中，如上文參看圖18A至圖⑽所描述， 成形前部基板可包括行導引跡線用於導引活動（行）電極。 成形載體背板可承載可動電極，但無引線或導引跡線自可 動電極延伸。另外，可向可動電極之末端塗覆黏結劑以促 進與導引跡線之電接觸及黏著。當前部基板與成形載體背 板附接至彼此時，可動電極之末端部分與導引跡線接觸。 行導二跡線之細節可如上文參看圖18A至圖—所描述。 成形河部基板亦可包括類似於圖16A至圖16£之列導引結 構的列導引結構。另外，干涉調變器顯示裝置可具有如上 文參看圖4ίΑ至圖41C而描述的驅動器之各種配置。 c·導引選項3

在又—實施例中，如圖42 A你· _ L 圖2A所不’成形前部基板4210包 括列驅動器4240，而忐相# μ ^ 成幵/載體月板4250包括行驅動器 侧。成形前部基板侧可具有如上文參看圖16八至圖 16E所描述之列導引結構似】。成形載體背板侧可具有 類似於圖19之導引跡線1917之自可動電極延伸之行導引跡 131122.doc -83- 200900731 線4231。行導引跡線4231提供可動電極與行驅動器“川之 間的電連接。 參看圖42A至圖42C ’前部基板4210與背板425〇僅在顯 示區域4201及環繞顯示區域4201之周邊區域42〇2的部分 4202a中彼此相對。前部基板42 10與背板4250中之每一者 具有用於列或行驅動器4230、4240之驅動器晶片區域。驅 動器晶片區域經曝露以允許驅動器4230、4240附接至其。 在所說明之實施例中，接觸與黏結襯墊可不彼此對準。可 動電極及行導引跡線中之所有可處於背板425〇上，而駐定 電極及列導引跡線中之所有可處於前部基板4 21 〇上。此等 導引結構可由溝槽（列）或凸台（行）之延伸形成以簡化層壓 過程。此組態不涉及接觸/黏結襯墊匹配高度之問題，而 是允許"藉由升高而進行圖案化"之全部優勢。熟習此項技 術者將瞭解前部基板及背板之各種其他導引配置亦為可能 的。 d· 導引選項4 在又一實施例中，成形載體背板可承載類似於圖19所示 之可動電極及導引跡線的可動電極及導引跡線。導引跡線 經組態以自可動電極延伸至各別接觸襯墊。相應成形前部 基板包括接觸襯墊區。前部基板之接觸襯墊區包括經組態 以與背板之接觸襯墊接觸的引線。前部基板之接觸襯墊區 亦可包括連接至其顯示區域中之靜止（列）電極的引線。前 4基板及背板上之接觸襯墊在前部基板與背板附接至彼此 %排彳。則部基板及背板上之接觸襯墊可經由各向異性導 131122.doc -84· 200900731 電膜（ACF)連接。 e. 封裝及密封

圖43A至圖43C說明根據一實施例之封裝並密封干涉調 器顯示裝置之方法。參看圖43A，具有空腔及駐定電極

(未圖不）之成形前部基板43 10具備密封劑437〇。成形前部 基板4310之細節如上文參看圖1〇、圖UA至圖uB '圖“A

/ i 至圖18C及圖34A至圖34D中之—或多者所描述。沿前部基 板43 1 0之顯示區域430 1的邊緣塗覆密封劑437〇。在某些實 施例中，可將密封珠粒置放於背板之邊緣上。在前部基板 43 10之顯示區域4301與接觸襯墊（或驅動器晶片）區域432〇 之間形成密封劑4370。密封劑4370可為氣密密封劑。在一 實施例中，密封劑可為諸如以鉛為主之焊料或非以鉛為主 之焊料的導電材料。在該實施例中，接觸導電密封劑之導 引引線或跡線需為絕緣的。在另一實施例中，密封劑可為 諸如玻璃粉或環氧樹脂聚合物之絕緣材料。 接著，如圖43B所示，將上面形成有可動電極436〇之成 形載體背板4350置放於前部基板43 1〇上以覆蓋前部基板 43 10之顯示區域43〇1。所得干涉調變器顯示裝置示於圖 43C 中。 ' 返回參看圖17A至圖17C及圖20，可在將介電材料沈積 於成形前部基板上時使用蔽蔭遮罩。蔽蔭遮罩可用以在干 涉調變器顯示裝置之各種元件之間建立電連接。舉例而 言，蔽蔭遮罩可用以使前部基板上之行導引跡線之部分曝 露用於導引跡線與活動（行）電極（在背板或抽取式载體上） 131122.doc 85· 200900731 之間及導引跡線與行驅動器之間的電連接（見圖i7A至圖 17C及圖20)。蔽蔭遮罩亦可用以使前部基板上之可動電極 著陸襯墊之部分曝露用於背板上之可動電極導引跡線（見 圖19)與安裝於前部基板上之行驅動器之間的電連接。蔽 蔭遮罩可用以使前部基板上之列導引跡線/著陸襯墊之部 分曝露用於導引跡線與安裝於前部基板上之列驅動器之間 的電連接。 所關注之蔽蔭遮罩阻斷部分如圖44A所示而彼此連接。 蔽蔭遮罩4420包括第一阻斷部分442〇a、第二阻斷部分 4420b及第三阻斷部分442〇c以分別覆蓋列驅動器晶片區 域、行導引跡線之部分及行驅動器晶片區域。用於阻斷導 引跡線之部分的第二阻斷部分442〇1)可經由蔽蔭遮罩連接 4421連接至用於阻斷行驅動器晶片區域之第三阻斷部分 4420c。藉由前部基板441〇與濺鍍靶之間的阻斷部分 4420a、4420b、4420c，跨越前部基板441〇沈積介電材 料。在其他實施例中，CVD或蒸發方法亦可用於在前部基 板4410上形成介電材料。結果，由蔽蔭遮罩料“覆蓋之部 为大體上無介電材料，從而使下伏導電層曝露。此組態提 供用於電連接之黏結區域，例如，可動電極與行導引跡線 之間的接觸（4420b)及用於行驅動器之著陸襯墊（442〇c)與 用於列驅動器之著陸襯墊（4420a)。在未由蔽蔭遮罩442〇覆 盖之其他部分上沈積介電材料，從而形成光學堆疊之部 分。介電層用以對抗（paSSify)導引區域中之導體。類似 地，連接器442〗下方的導電層之部分亦曝露，因為連接器 131122.doc -86 - 200900731 4421在介電材料沈積期間遮罩該等部分。 在沈積介電树料之德，可' h jg _ 了向颃不區域44〇1之邊緣塗覆密 封劑。在所說明之實施財，沿環繞顯示區域柳之密封 區域㈣形成密封齊卜密封區域彻具有環形形狀，且具 有在朝向陣列區域4401之方向上延伸的第一寬度w卜密 封劑可接觸由於連接器彻而不合需要地曝露穿過介電層 之導電層之部分。在密封劑由導電材料形成之實施例中，

j導電層與密封劑之間可存在電連接，此可使得電流流過 在封劑且使曝露之導體短路。此可造成干涉調變器顯示裝 置之故障。 為了防止該電短路，成形前部基板441〇可在蔽蔭遮罩連 接益442 1與密封區域447〇之間的相交處具備至少一隔離溝 槽或凹座4430。溝槽4430具有在朝向陣列區域44〇1之方向 上延伸的第二寬度W2。溝槽443〇之第二寬度貨2可大於密 封區域4470之第一寬度W1以使得溝槽443〇跨越密封區域 4470之一部分延伸。如圖44C所示，溝槽443〇具有足以使 得導電層在溝槽4430之底部與前部基板441〇之表面之間不 連續的深度，且其位置及寬度確保連接器4421在重疊之區 域中比溝槽4430窄。 圖44B至圖44E說明根據一實施例之在具有隔離溝槽 4430之前部基板4410上形成密封劑的方法。首先，如圖 44C所示’在前部基板4410及隔離溝槽4430之底部上形成 導電層4402a、4402b。接著，將蔽蔭遮罩4420置放於前部 基板44 10上以使得連接器4421覆蓋隔離溝槽4430之部分同 131122.doc -87· 200900731 時曝露溝槽4430之兩個側邊緣4430a、4430b，如圖44B及 圖44C所示。隨後，如圖44D所示，在前部基板4410上沈 積介電材料4403，同時塗佈溝槽4430之側邊緣4430a、 4430b。隨後，自前部基板4410移除蔽蔭遮罩4420。接 著’如圖44E所示，密封劑4471形成於密封區域4470(圖 44A)上及溝槽4430中。密封劑4471接觸溝槽4430之底部上 的隔離導電材料4402a。然而，溝槽4430之侧邊緣4430a、 4430b上的介電材料4403防止密封劑4471電連接至前部基 板4410之頂表面上的導電層4402b。此組態因此防止密封 劑44<71與導電層44〇2b之間的電短路。 在使用絕緣密封劑之另一實施例中，前部基板不具有隔 離溝槽。在成形後部基板具有曝露於外部之導引跡線的某 些實施例中（如在上文關於圖42A至圖42C所描述之導引選 項3中）’可在導引跡線上沈積並圖案化絕緣材料以防止導 引跡線與導電密封劑之間的電短路，因為僅所需接觸襯墊 係用於密封外部之驅動器。 Β·實施例Β 在上述表1之組合1的另一變體中，成形前部基板可與不 具有邊緣軌道及支柱之成形載體背板組合以形成干涉調變 器顯示裝置。成形前部基板之組態可如上文參看圖1〇、圖 11八至圖118、圖16八至圖18(：及圖34八至圖340中之—或多 者所描述。成形載體背板之組態可如上文關於圖32Β或圖 32C之成形載體所描述。前部基板與背板之組合結構可如 上文參看圖8、圖9、圖13至圖15、圖17Α至圖18C、圖34Α 131122.doc •88- 200900731 至圖34D中之—或多者所描述。上文描述之導引及封裝結 構亦可應用於此實施例。 在使用成形前部基板及成形載體背板以形成干涉調變器 顯示裝置的上文描述之實施例中，可使用下文關於圖53a 至圖53D而描述之部分濕潤黑色遮罩。在—些實施例中， 可使用亦於下文得到描述之圖案化黑色遮罩。 2*成形載體背板及圓案化前部基板 在另一實施例（上述表丨之組合2)中，成形載體背板與圖 案化前部基板可彼此組合以形成+涉調冑器顯示裝置。圖 案化前部基板之組態可如上文參看圖22c所描述。成形載 體背板之組態可如上文參看圖27A至圖27c、圖28及圖32a 至圖33D中之一者所描述。由本文描述之過程製造的干涉 調變器顯^置可在其前部基板肖背板之間具有相對小的 間隙（例如，在約6,500 A與約20 μηι之間，且特定言之在約 2 μηι與約15 μηι之間或在約ι〇,000 Α與約5 μιη之間）。 在一實施例中，圖案化前部基板可具有用於導引可動電 極之導電支柱，如圖22C所示。在其他實施例中，成形載 體背板可如圖24Α或圖24Β所示具有導引結構。在上文描 述之實施例中，可使用圖案化黑色遮罩來避免支柱區中不 合需要的反射。 3·成形載體背板及預形成支撐物前部基板 在又一實施例（上述表1之組合3)中’成形載體背板與預 形成支樓物前部基板可彼此組合以形成干涉調變器顯示裝 置。預形成支撐物前部基板之組態可如上文參看圖23C所 131122.doc -89- 200900731 描述，且在結構上類似於成形前部基板，除了支撐結構 (例如，支柱及軌道）不與基板呈一體式且可由不同材;^形 成以允許材料針對不同功能之分開選擇。成形載體背板之 組態可如上文參看圖27、圖28及圖32中之一者所描述。由 本文描述之過程製造的干涉調變器顯示裝置可在其前部基 板與背板之間具有相對小的間隙（例如，在約6,5〇〇人與約 20 μιη之間 且特定δ之在約2 μηι與約1 5 μιη之間或在約 10,000 Α與約 5 μηι之間）。

在一實施例中，預形成支撐物前部基板可具有用於導引 可動電極之導電支柱，如圖23C所示。在其他實施例中， 成形載體背板可如圖24A或圖24B所示具有導引結構。在 上文描述之實施例中，可使用圖案化黑色遮罩或部分濕潤 黑色遮罩（見圖53A至圖53D及附加描述）來避免支柱區中不 合需要的反射。 4·成形抽取式載體及成形前部基板 在又一實施例（上述表1之組合4)中，使用成形抽取式載 體來將可動電極提供至成形前部基板上以形成干涉調變器 顯示裝置。成形如部基板之組態可如上文參看圖1 〇、圖 11A至圖11B、圖16A至圖18C及圖34A至圖34D中之一或多 者所描述。成形抽取式載體4550之組態可如上文參看圖 3 5 A至圖3 5 D所描述。 參看圖45A，將具有可動電極4560之成形抽取式載體 45 50置放於成形前部基板4510上（為簡單起見省略細節）。 如圖45B所示’將可動電極4560插入於前部基板4510與載 131122.doc -90- 200900731 體4550之間。接著’（諸如）如關於圖35 A至圖35D所描述藉 由蝕刻載體上之釋放層（未圖示）而自载體CM釋放可動電 極4560。如圖45C所示，與釋放可動電極456〇同時或在其 之後自前部基板4510移除載體4550。在移除載體455〇時， 亦可連同載體4550移除載體4550之細長凹座中的過量機械 層。在某些實施例中，過量機械層可保持於前部基板451〇 上。在該等實施例中，前部基板45 1〇可如關於圖34A至圖 34D所描述而具有過量機械層支撐物來支撐過量機械層。 接下來，在前部基板4510上提供密封劑457〇。最後，在前 部基板45 1 0上提供永久背板4580來覆蓋可動電極456〇且保 持於最終裝置中。在一實施例中，背板458〇可具有凹座來 容納可動電極4560及（視情況）乾燥劑（drying agent)或乾燥 劑（desiccant)。密封劑4570可由例如環氧樹脂聚合物之絕 緣材料形成。在另一實施例中，密封劑4570可由導電材料 形成。密封劑4 5 7 0可經組態以向干涉調變器顯示裝置提供 氣密密封。 在—些實施例中’成形前部基板如上文關於導引選項丄 或2所描述而具有導引結構’其中載體不提供自可動電極 延伸之導引跡線。在其他實施例中，載體可提供類似於圖 19所示之行導引跡線的完全界定之行導引跡線。在該等實 施例中，前部基板不具有導引結構’且導引跡線與可動電 極同時經轉移至前部基板上。在上文描述之實施例中，可 使用部分濕潤黑色遮罩或圖案化黑色遮罩（圖5 3 A至圖 53D)。 131122.doc -91 - 200900731 5*成形抽取式載體及圈案化前部基板 在又實施例（上述表1之組合5)中，使用成形抽取式載 體來將可動電極提供至圖案化前部基板上以形成干涉調變 器顯示裝置。圖案化前部基板之組態可如上文參看圖22c 所描述。成形抽取式載體之組態可如上文參看圖35A至圖 35C所描述。此實施例中之干涉調變器顯示裝置可以類似 於上文關於成形抽取式載體及成形前部基板所描述之方法 之方式的方式製成。在此實施例中，可使用黑色遮罩來避 免支撐結構附近不合需要的反射。 6·成形抽取式載體及預形成支撐物前部基板 在又Μ施例（上述表1之組合6)中，使用成形抽取式載 體來將可動電極提供至預形成支撑物前部基板上以形成干 涉調變器顯示裝置。預形成支樓物前部基板之組態可如上 文 > 看圖23C所描述，且在結構上類似於成形前部基板， 除了支樓結構（例如，支柱及軌道）不與基板呈-體式且可 不同材料形成以允許材料針對不同功能之分開選擇。成 形抽取式載體4550之組態可如上文參看圖35Α至圖35C所 描述。此實施例中之干涉調變器顯示裝置可以類似於上文 關於成形抽取式載體及成形前部基板所描述之方法之方式 的方式製成。在此實施例中，可使用圖案化或部分濕潤黑 色遮罩（見圖53Α至圖53D及附加描述）。 7·具有圓案化可動電極之載體背板及成形前部基板 】在另-實施例（上述表】之組合7)中，具有圖案化可動電 之载體月板可與成形前部基板組合以形成干涉調變器顯 J31122.doc •92· 200900731 不裝置。成形前部基板之組態可如上文參看圖ι〇、圖iia 至圖1广及圖16A至圖18C令之一或多者所描述。載體背板 之、組態可如上文參看_E、圖37E、圖則或圖39A至圖 39B中之-者所描述。前部基板與背板之組合結構可如上 文參看圖8、圖9、圖！3至圖15、圖17A至圖⑽及圖34八至 圖34D中之—或多者所描述。由本文描述之過程製造的干 涉調變器顯示裝置可在其前部基板與背板之間具有相對小 的門隙（例如，在約6,500 A與約㈣之間，且特定言之在 約2 μπι與約15 μηι之間或在約1〇 〇〇〇 A與約5 之間）。 如圖13所示，可動電極可支撐於前部基板之軌道及支柱 在另實把例中，如圖38D或圖3 9B所示，可動電極 "T使用支柱或娜釘而自背板懸掛下來。可動電極可藉由支 柱或軌道而自前部基板及背板兩者銷定。下文將參看圖 46A至圖48來描述藉由支柱或軌道銷定的某些實例。上文 描述之導引選項1及2可應用於此實施例。另外，上文描述 之封裝及密封結構可應用於此實施例。在上文描述之實施 例中’可使用部分濕潤黑色遮罩（見圖53A至圖53D及附加 描述）或圖案化黑色遮罩。 8·具有囷案化可動電極之載體背板及圖案化前部基板 在另一實施例（上述表1之組合8)中，具有圖案化可動電 極之載體背板可與圖案化前部基板組合以形成干涉調變器 顯示裝置。載體背板之組態可如上文參看圖36E、圖37E、 圖3 8D或圖39A至圖3 9B中之一者所描述。圖案化前部基板 之組態可如上文參看圖22C所描述。此實施例中之干涉調 131122.doc •93· 200900731 變器顯示裝置可以類似於上文關於具有圖案化可動電極之 載體背板及成形前部基板所描述之方法之方式的方式製 成。由本文描述之過程製造的干涉調變器顯示裝置可在其 前部基板與背板之間具有相對小的間隙（例如，在約6,5〇〇 A與約20 μΐη之間，且特定言之在約2 μηι與約15 μιη之間或 在約10,000 Α與約5 μιη之間）。在此實施例中，可使用圖案 化黑色遮罩來避免前部基板上之支撐結構附近不合需要的 反射。 9·具有圖案化可動電極及預形成支撐物前部基板之載 體背板 在另一實施例（上述表丨之組合9)中，具有圖案化可動電 極之載體背板可與預形成支撐物前部基板植合以形成干涉 調變器顯示裝置。載體背板之組態可如上文參看圖遍、

圖37Ε、圖38D或圖39Α至圖39Β中之一者所描述。預形成 支撐物前部基板之組態可如上文參看圖23c所描述，且在 結構上類似於成形前部基板，除了支撐結構（例如，支柱 及軌道）不與基板呈-體式且可由不同材料形成以允許材 料針對不同功能之分開選擇。此實施例中之干㈣變器顯 示裝置可以類似於上文關於具有圖案化可動電極之載體背 板及成形前部基板所描述之方法之方式的方式製成。由本 文描述之過程製造的干涉調變器㈣裝置可在其前部基板 與背板之間具有相對小的間隙（例如，在約6,5⑼A與約 μιη之間或在約 可使用圖案化或 μιη之間，且特定言之在約2 μιη與約i $ 10,000 A與約5 μηι之間）。在此實施例中， 131122.doc -94- 200900731 部分濕潤黑色遮罩（見圖53A至圖53D及附加描述）。 1〇*具有圖案化可動電極及成形前部基板之抽取式載體 在又一實施例（上述表丨之組合1〇)中，使用具有圖案化 可動電極之抽取式載體來將可動電極提供至成形前部基板 上以形成干涉調變器顯示裝置。抽取式載體之組態可如緊 於對層壓之論述之上所描述。成形前部基板之組態可如上 文參看圖10、圖11A至圖11B、圖16A至圖18C及圖34A至圖 34D中之一或多者所描述。此實施例中之干涉調變器顯示 裝置可以類似於上文關於成形抽取式載體及成形前部基板 所描述之方法之方式的方式製成。在此實施例中可使用 邛刀濕潤黑色遮罩（見圖53A至圖53D及附加描述）或圖案化 黑色遮罩。 U*具有圖案化可動電極之抽取式載體及圖案化前部 基板 在另實鉍例（上述表1之組合11)中，使用具有圖案化可 動電極之抽取式載體來將可動電極提供至圖案化前部基板 上以形成干涉調變器顯示裝置。抽取式載體之組態可如緊 於對層壓之論述之上所描述。圖案化前部基板之組態可如 上文參看圖22C所描述。此實施例中之干涉調變器顯示裝 置可以類似於上文關於成形抽取式載體及成形前部基板所 描述之方法之方式的方式製成。在此實施例中，可使用圖 案化黑色遮罩。 !2.具有圓案化可動電極之抽取式載體及預形成支撐 物前部基板 133122.doc -95- 200900731 在另-實施例(上述表!之組合12)中，使用具有圖案化 可動電極之抽取式載體來將可動電極提供至預形成支撐物 前部基板上以形成干涉調變器顯㈣置。抽取式載體之組 態可如緊於對層壓之論述之上所描述。預形成支撑物前部 基板之組態可如上文參看圖23c所描述，且在結構上類似 於成形前部基板，⑨了支撐結構（例如，支柱及執道）不與 wnmΜ @㈣形成以允許材料針對不同功 能之分開選擇。

變器顯示裝置可以類似於上文關於 前部基板所描述之方法之方式的方 ’將抽取式載體附接至前部基板。 此實施例中之干涉調 成形抽取式載體及成形 式製成。在一實施例中 接著’藉由移除插入於可動電極與載體之間的釋放層或犧 牲層而自抽取式載體釋放圖案化可動電極。隨後，藉由例 如提昇、剝離、灰化等等之任何合適方法移除載體，而將 可動電極留於前部基板上。接著，提供永久背板以覆蓋前 部基板之陣列區域。可由前部基板及/或永久背板上之各 種支撐結敎撐可動電極(見圖46Α至圖51)。纟此實施例 中，可使用圖案化或部分濕潤黑色遮罩（見圖53Α至圖53D 及附加描述）。 13·成形前部基板及可動電極之傳統沈積 在又一實施例（上述表丨之組合13)中，提供在其顯示區 域中具有軌道及槽之成形前部基板。接著，提供犧牲材料 以過量填充前部基板之槽。接著對犧牲材料進行平坦化以 連同前部基板之曝露軌道提供大體上平坦的表面。隨後， 131122.doc -96- 200900731 藉由使用例如光微影與蝕刻之任何合適過程在前部基板上 沈積並圖案化可動電極材料以界定可動電極。接著，如上 文關於成开/抽取式載體及成形前部基板所描述而在前部基 板上置放永久背板。可由前部基板及/或永久背板上之各 種支撐結構支撐可動電極(見圖46A至圖51)。I此實施例 中，可使用部分濕潤黑色遮罩（見圖53 A至圖53D及附加描 述）或圖案化黑色遮罩。 V·用於保持前部基板與背板之間的間隔之間隔物 在實施例中，干涉調變器顯示裝置具備間隔物以保持 其前部基板與背板之間的間隔。特定言之，將間隔物定位 於干涉調變器顯示裝置之顯示區域中以保持顯示區域中大 體上均勻的間隔。間隔物用以減小跨越顯示裝置之陣列之 壓力相關變化性’肖變化性可料同方式強烈地影響跨越 陣列的可動電極之位置。較大的均勻性允許較大顯示大小 而無良率之損失。在下文描述之實施例中’前部基板可為 成形前部基板、圖案化前部基板或預形成支撐物前部基 板。背板可為成形載體背板、具有圖案化可動電極之载體 背板或在使用抽取式載體之後提供的永久背板。此外，本 文提供之技術及結構允許提供大體上小於以傳統方式裝配 之前部基板及背板的間隙。 參看圖46A及圖46B ’干涉調變器顯示裝置46〇〇包括前 部基板4610及背板4650。前部基板4610包括界定槽4612之 執道（未圖示）。前部基板4610亦包括呈槽4612中之支柱 4613之形式的支撐結構。裝置46〇〇亦包括前部基板461〇與 131122.doc -97- 200900731 背板4650之間的可動電極4660。 干涉調變器顯示裝置4600進一步包括間隔物4630以保持 前部基板46 10與背板4650之間的間隔4635。在所說明之實 施例中，將間隔物4630插入於可動電極4660與背板4650之 間。在一實施例中，間隔物4630可具有約0.1 μηι至約20 μιη之高度。 參看圖46Β，間隔物4630中之一者自背板4650延伸且銷 定支撐於支柱4613中之相應一者上的可動電極4660。間隔 物4630與支柱4613—同固定可動電極4660。跨越裝置4600 之間隔物4630亦保持前部基板4610與背板4650之間的一致 間隔4635。在一實施例中，間隔物4630可在將背板4650附 接至前部基板4610之前藉由使用任何合適過程（例如，光 微影與蝕刻）而形成於背板4650上。間隔物可經沈積或圖 案化至背板4650上或可與成形載體背板整體地形成。在另 一實施例中，可藉由使用任何合適過程在可動電極4660上 圖案化間隔物4630。熟習此項技術者將瞭解各種技術可用 以形成間隔物4630。另外，間隔物4630及支撐結構4613均 被說明為隔離柱；然而，一或兩個支撐結構可採取軌道或 其他形狀之形式。 參看圖47，干涉調變器顯示裝置4700包括穿透可動電極 4760之間隔物4731。在所說明之實施例中，可動電極4760 包括處於支柱47 13上方之一位置處的開口或通孔4761。間 隔物4731經由開口 4761穿透可動電極4760。間隔物4731保 持干涉調變器顯示裝置4700之前部基板（未圖示）與背板（未 131122.doc •98- 200900731 圖不）之間的間隔。間隔物473 1亦可防止或最小化可動電 極4760之橫向移動而無對於用於致動之豎直撓曲的不適當 干擾。間隔物473 1可自前部基板之支撐結構47丨3或自背板 (未圖不）延伸。在一實施例中，間隔物473〗可在將背板附 接至別。[5基板之前藉由使用任何合適過程而形成於前部基 板上。舉例而言，在使用成形前部基板之實施例中，可藉 由t印、光微影與姓刻或雕刻而形成間隔物473 1。在另一 只把例中，間隔物473 1可在將背板附接至前部基板之前藉 由使用任何合適過程而圖案化於背板上。在以上内容之變 體中’間隔物4731及圖案化可動電極4760均提供於安裝至 前部基板上的載體背板上。熟習此項技術者將瞭解各種技 術可用以形成間隔物473 1。 參看圖48，干涉調變器顯示裝置4800包括前部基板48 10 及背板（未圖示）。前部基板48 10包括軌道4811，軌道48 11 在其間界定槽4812。前部基板4810亦可包括槽4812中之支 柱（未圖示）。裝置48〇〇亦包括具有在前部基板481〇之軌道 48 11上方的至少一開口或通孔4861之可動電極4860。 干涉調變器顯示裝置4800亦包括軌道48 11上之第一間隔 物4832及第二間隔物4833。第一間隔物4832經由開口 4861 穿透可動電極4860。第一間隔物4832之組態類似於圖47之 間隔物4731之組態，除了第一間隔物4832係定位於軌道 4811上。第—間隔物4833定位於軌道4811上同時與可動電 極4860橫向間隔開。第二間隔物4833僅用以保持前部基板 與背板之間的間隔，且並不銷定或固定可動電極486〇。可 131122.doc •99- 200900731 藉由使用任何合適方沐〃也丨丄 (例如’用於形成上文描述之圖47 之間隔物473 1的方法中夕紅 土、+ 中之任一者）來形成第一間隔物4832 及第一間隔物4^33。除勤；首^ 于、軌道4811外，前部基板4810可包括 槽内之支柱以加強可動電極4860。

參看圖49A ’干涉調變器顯示裝置4_A包括前部基板 4910及背板4950。前部基板491〇包括界定光學空腔或間隙 之支撐結構4913(例如，軌道或支柱）。裝置49〇〇八亦包括 别部基板4910與背板4960之間的可動電極496〇。 干涉調變器顯示裝置4900A進一步包括間隔物493〇及止 擋支柱4934a。間隔物493〇用以保持前部基板49ι〇與背板 4950之間的所要間隔4935。另外，間隔物493〇藉由銷定可 動電極4960而向其添加剛性。在所說明之實施例中，間隔 物4930之組態可類似於圖46B及圖47之間隔物463〇、4731 中之一者的組態。止擋支柱4934a在自背板4950延伸的同 時與支樓結構491 3橫向間隔開。止擋支柱4934a在所說明 之位置不接觸可動電極4960。在裝置4900之操作期間，止 擋支柱4934a起作用以在可動電極4960鬆弛且自接近前部 基板4910之致動位置朝向背板4950移動時對其加以止擋。 止擔支柱4934a因此防止可動電極4960之向上突增。該防 止尤為適用於所說明之實施例的緊密間隔之基板491〇、 4950，此促進氣密密封。在非常小的容積捕集於基板 4910、4950之間的情況下，防止至抽空且氣密密封之封裝 中的洩漏容易的多。間隔物4930及止擋支柱4934a可藉由 使用任何合適過程（例如，壓印、光微影與蝕刻或雕刻）而 131122.doc • 100· 200900731 形成於背板4950上。 參看圖49B，干涉調變器顯示裝置49〇〇B包括前部基板 4910及背板4950。前部基板4910及背板495〇之組態可如上 文參看圖49A所描述，除了圖49B之止擋支柱4934b在操作 期間於所說明位置接觸可動電極496〇。在某些實施例中， 止擒支柱4934b中之一些或全部可黏附至可動電極496〇以 使得僅可動電極4960在止措支柱4934b之間的部分在致動 期間陷落。當然，圖式未按比例繪製，且實際上，支柱將 相對遠離地間隔開。在一些實施例中，背板495〇可進一步 包括大體上垂直於可動電極4960而延伸之軌道（未圖示）。 參看圖49C ’干涉調變器顯示裝置49〇〇c包括前部基板 49 10及背板4950。前部基板4910及背板4950之組態可如上 文參看圖49B所描述，除了圖49C之背板495〇不具有特別 與前部基板4910之支撐結構4913對準之間隔物。實情為， 彦板4950之止擋支柱493 4c不考慮與前部基板4910之支撐 結構4913的對準而分布。熟習此項技術者將瞭解間隔物及 /或止擋支柱之各種其他組態亦可適用於配合干涉調變器 顯示裝置 4600、4700 ' 4800、4900A-4900C 而使用。 參看圖50，在又一實施例中，干涉調變器顯示裝置5〇〇〇 包括前部基板5010，前部基板5010在其周邊區域5〇〇2中具 有凸區5020。凸區5020之組態可如上文參看圖17A至圖 17C或圖18A至圖18C所描述。 所說明之前部基板5010包括軌道5013，但在其顯示區域 5001中不包括支柱。因此’軌道5〇13與凸區5〇2〇一同用以 131122.doc •101- 200900731 支撐裝置5000之可動電極5060。另外，凸區5〇2〇起作用以 界疋裝置5000之前部基板與背板之間的間隙之至少部分。 裝置5000亦包括背板5050，其可包括呈支柱5〇3〇之形1的 支撐結構，可動電極5060自該等支撐結構懸掛下來。裝置 5000在顯示區域5001及周邊區域5002兩者中進一步包括光 學堆疊5014。裝置5 0〇〇亦包括前部基板5〇1〇與背板5〇5〇之 間的呈珠粒形式的密封劑5070。 參看圖51，干涉調變器顯示裝置51〇〇包括上面未形成支 撐物的前部基板5 11 0。前部基板5 11 〇包括藉由例如光微影 與敍刻之圖案化過程形成的駐定電極5114。裝置51〇〇可替 代地具有背板5170，該背板5170具有自其延伸之支撐物 5171。支撐物5171向下延伸至前部基板511〇，且保持前部 基板5110與背板5170之間的間隙。裝置51〇〇可具有插入於 前部基板5110與背板5170之間的可動電極516〇。可動電極 5160可自形成於背板517〇上的呈支柱513〇之形式之支撐結 構懸掛下來。雖然未圖示，但前部基板5丨丨〇可具有上文描 述之凸區以支撐可動電極。熟習此項技術者將瞭解支撐物 之各種其他組合亦為可能的。 VI. 黑色遮罩 1.囷案化黑色遮罩 參看圖52A及圖52B，干涉調變器顯示裝置5200包括前 部基板5210及背板（未圖示前部基板521〇包括呈支柱 5213之形式的支撐結構及由支柱5213界定之空腔5212。前 部基板52 10亦包括空腔5212之底部上的光學堆疊5214。裝 131122.doc -102- 200900731 置5200亦包括支撐於支柱5213上之可動電極5262。在圖 52A中’可動電極5260處於其致動位置。在致動位置中， 可動電極5260藉由靜電引力而朝向前部基板521〇上之駐定 電極彎曲。在所說明之實施例中，空腔5212中之一者形成 單一像素’但僅展示空腔之部分（其可具有若干支柱）。 如圖52A所示，可動電極5260之中央部分5261接觸或變 得接近前部基板5210之呈光學堆疊5214之形式的駐定電 極，而可動電極5260之最接近於支撐結構的部分5262與光 學堆疊52 14具有間隙52 12a。由於間隙5212a，入射於遠離 支撑結構5213之非鄰接區域A上的光之光學干涉不同於入 射於最接近支撐結構5213之鄰接區域B上的光之光學干 涉。在致動位置中，非鄰接區域A吸收光而鄰接區域b至 少部分地反射光。光學干涉上的該差異在非鄰接區域A中 產生暗區且在鄰接區域B中產生傾向於使所欲暗色偏白的 亮區。 為了防止或減輕致動位置中之亮區，干涉調變器顯示裝 置可在前部基板52 10之鄰接區域B中包括黑色遮罩。在所 說明之實施例中，前部基板52 10包括處於最接近於支樓結 構之光學堆疊5214下的黑色遮罩5220。黑色遮罩5220可藉 由使用光微影與蝕刻而形成。在此文獻之環境中，將以該 方式形成之黑色遮罩稱為”圖案化"黑色遮罩。圖52B說明 如由圖52A中之箭頭52B所表示自前部基板5210下方觀察 之黑色遮罩5220。 在所說明之實施例中，光學堆疊5214形成於支撐結構 131122.doc -103- 200900731 52U之頂m組態允許裝置·不具有支撐結構5213 下方之黑色遮罩，因為頂部上的光學堆疊5214及可動電極 以與下方之經致動可動電極及光學土隹疊相同的方式起作 用，因此充當黑色遮罩。圖案化黑色遮罩可應用於上文描 述之干涉調變器顯示裝置實施例中之任一者。 2· 部分濕潤黑色遮罩 圖53A至圖53C說明在干涉調變器顯示裝置53〇〇中形成 黑色遮罩之方法之另-實施例。首先’提供包括支撐結構 加及由支#結構5313界定之空腔5312的前部基板531〇。 接著，藉由使用例如旋塗或噴塗之任何合適過程大體上以 黑色遮罩材料5320a填充空腔53 12。在另一實施例中，前 部基板531〇可浸潰於容器中的黑色遮f材料懸浮液或溶液 中。黑色遮罩材料5320a可包括黑色顏料或有機溶劑。黑 色遮罩材料5320a可具有適用於下文描述之過程的密度或 黏度。在一實施例中，黑色顏料可為有機材料。在另一實 施例中，黑色顏料可為無機材料。黑色顏料之實例包括 (但不限於）氧化銅 '石墨及碳黑。溶劑之實例包括（但不限 於)丙酮及異丙醇(IPA)。在一些實施例中，黑色遮罩材料 亦了包括光阻劑及/或聚合材料（例如，熱固性聚合物）。 接著，自空腔53 12移除溶劑而留下黑色顏料在空腔5312 中。在一實施例中，可藉由乾燥而移除溶劑。在某些實施 例中，可加熱前部基板5310以促進溶劑之乾燥。接著，在 移除溶劑之同時，黑色遮罩材料532〇a之表面張力向最接 近於支撐結構53 1 3之區域驅動材料5320a之絕大部分。因 131122.doc -104- 200900731

此’黑色顏料之絕大部分仍接近於支撐結構53 13(例如， 距支柱5313約1 μηι至約1〇 ^瓜内），藉此形成黑色遮罩 5320b ’如圖53Β所示。隨後，如圖53C所示而在前部基板 53 10上形成光學堆疊5214。在另一實施例中，可如圖53D 所不以類似於圖53 A及圖53B所示之方式的方式在光學堆 疊53 14形成於成形前部基板53丨〇上之後形成黑色遮罩 5320b。在此文獻之環境中，可將以圖53A至圖53D所示之 方式形成的黑色遮罩稱為部分濕潤黑色遮罩。部分濕潤黑 色遮罩可應用於使用成形前部基板或預形成支撐物基板之 實施例。熟習此項技術者將瞭解部分濕潤黑色遮罩可適於 在上文描述之各種實施例中使用。在所說明之實施例中， 支撐結構5313頂部上之光學堆疊5314及上覆於光學堆疊 5314之可動電極（未圖不）共同充當類似於圖所示之黑 色遮罩的黑色遮罩。 VII·靜態干涉顯示器 將瞭解雖然上文論述之干涉調變器的實施例係關於具有 可動電極之干涉調變器，但其他實施例為可能的。特定言 之，可提供靜態干涉顯示器，其包括第_部分反射層及至 少部分為反射’由以空氣或光透射材料界定之干涉間隙隔 ㈣㈣”靜態干涉顯示器"指代經組態以使用干 涉效應顯示靜態影像的裝置。靜態'影像可包括黑白影像及/ 或彩色影像，且可包括單一干涉間隙上之圖案。 將瞭解第二反射層視實施例而可為部分反射或可為完全 反射W起見’可在本文中將部分透射在功能上 131122.doc -105· 200900731 顯著的第一部分反射層稱為部分反射居 可將第- 層稱為反射層，且可將兩層一起統稱A 一 、 饵馮反射層，但將瞭解 術語反射層之使用不欲排除部分反射 ’、 突負似地，可替代 地將部分反射層稱為吸收體。 在該靜態干涉顯示器中’無需選擇或 午A岜括用作電極之導 電材料，因為靜態干涉顯示器不欲為 ^ ^ M硭電致動的。類 似地，反射層無需彼此電隔離，因為無 , 而跨越兩層施加電

壓（因為不存在自致動狀態之移動或鬆弛因此可使用 非導電材料來形成反射層，且可使用導電材料來界^干涉 間隙。靜態干涉顯示器可替代光透射層而包含氣隙。在^ 他實施例，靜態干涉顯示器可與可致動干涉調變器相同/，、 且可只是不被致動。然而，將瞭解固體材料界定氣隙之使 用在下文論述之其他可能優勢之外可提供額外穩定性。 在-些實施例中，靜態干涉顯示器可藉由附接兩個基板 而形成，該等基板中之每一者具有預形成於其上之部件 (類似於上文參看圖9而描述之MEMS裝置）。在該等實施例 中，無需犧牲材料來如先前描述之實施例在基板上預形成 部件（例如，空腔）。在附接兩個基板中，可使用任何合適 技術（例如’層壓、黏結等等）。 在一實施例中’可藉由將前部基板附接至背板而形成靜 態干涉顯示器。"前部基板"在用於本文中時為大體上透明 的且面向觀察者。前部基板及背板中之至少一者可經定形 以形成具有選定深度用於干涉調變之空腔。可藉由任何合 適過程（例如，壓印、光微影與蝕刻及雕刻）而形成空腔。 131122.doc -106- 200900731 1.具有定形或預形成支推物前部基板之靜態干涉顯示器 圖54說明根據一實施例之靜態干涉顯示器5400的預層壓 狀態。靜態干涉顯示器5400包括前部基板5410及背板 5420。前部基板5410包括複數個軌道5411及由軌道5411界 定之複數個空腔或凹座5430 ^在此文獻之環境中，亦可將 軌道5411稱為”支撐物”或”支撐結構"。前部基板54丨〇亦包 括軌道5411頂部上之光學層或光學堆疊5414a及空腔5430 f

底部上的相同光學層或堆疊5414b。如上文參看圖HA所描 述，軌道5411頂部上之光學層或堆疊5414a可視干涉顯示 器設計而提供黑白色彩，如由光學層或堆疊5414a之光學 厚度支配的。背板5420包括面向前部基板541〇之反射層 (或鏡面）5421。 月ϋ部基板54 1 〇可由大體上透明之材料形成。透明材料之 實例包括（但不限於）玻璃及透明聚合材料。可藉由適於移 除或定形前部基板5410之部分或形成至基板541〇之表面中 之凹座的任何方法來對前部基板541〇定形。定形方法之實 例包括（但不限於）壓印（例如，參看圖l2A至圖Μ描述之 方法)、丨微影(或絲網印刷)與蝕刻及雕刻。因為在上文描 述之方法中之至少一些中可在不向基板$楊添加額外材料 的情況下對基板541〇加以定形，所以呈軌道則之形式的 支樓物可與前部基板541〇整體地形成且由與前部基板遍 之材料相同的材料形成。在其他實施例中，支撐結構可藉 由額外材料之沈積及圖案化而形成於大體上平坦的前部基 上文關於預形成支撐物前部基板所描述。 131122.doc •107- 200900731 :圖56中所示’軌道54u中之每一者彼此平行而在列方 口:订肖上延伸。所說明之軌道5411界定以柵格或矩陣 形式排列的正方形空腔。在其他實施例中，空腔在= 觀察時可具有各種其他形狀，例如，矩形、三角形、圓 形、橢圓形等等，且柵格無需為正交的。實際上，影像可 具有任何所要圖案，因^存在關於電定址像素之問題。 軌道5411使其頂表面處於大體上相同高度，亦即，在單一 平面内。 ί

工腔543G、纟t界定以視空腔543q經設計以在所得顯示器中 產生的色彩而具有多個深度545〇a_545〇e。為了得到色彩 之最佳清晰度及銳度，深度545〇a-545〇e可處於約5〇〇入至 約5,000 A之範圍中。雖然亦可藉由較大光學深度獲得干 涉效應，但热習此項技術者將瞭解在較大深度之情況下， 色彩開始偏白（wash out)，因為光程對應於各個波長之倍 數。在使用填充劑之其他實施例（例如，圖57、圖58、圖 60及圖61)中，可針對該等填充劑調節對於空氣而給出的 空腔之深度，因為填充劑可具有不同光學密度（折射率 因為靜態干涉顯示器5400僅顯示靜態影像，所以根據所要 靜態影像之圖案來選擇空腔之深度。熟習此項技術者將瞭 解用於藉由使用干涉效應產生所要色彩及圖案之合適深度 5450a-5450e ° 光學堆疊54 14a、54 14b可為單層或者可包括若干融合 層。在一實施例中，光學堆疊5414a、5414b可由具有適於 干涉效應之吸收係數的介電材料形成。介電材料之實例包 131122.doc •108- 200900731 括(但不限於)二氧化石夕及氧化紹。在另一實施例中，光學 堆叠5414a、5414b可具有雙層結構其包括上部子層及下 P子€ _Ιισρ子層可由氧化鋁形成。下部子層可由二氧化 矽形成。 在一實施例尹，光學抢晶《^ , j 子隹疊5414a、5414b可具有在約1〇〇 A與約ι，6〇ο A之間的厚度。在弁 又任尤學堆疊5414a、5414b具有 上部子層及下部子層奢 之實施例中，上部子層可具有（例如） 約5〇 A之厚度，而下部子層可直古γ点丨丄

丨丁僧；Γ具有（例如）約450 Α之厚度。 在所說明之實施例中，光學堆疊5414a、5414b歸因於諸如 濺鑛之定向沈積而在空腔543G之底部與軌道則之頂部之 間為不連續的。 在某二實施例中，光學堆疊5414a、5414b亦可包括金屬 吸收層（或部分反射層）。吸收層可由半透明厚度的諸如鉻 (Cr)或錯（Ge)之金屬形成。吸收層可具有約1 a與約1〇〇 a 之間’特定言之約50 A與約1〇〇 A之間的厚度。 在某些實施例中，前部基板541〇自身可由具有適於干涉 效應之光學分散（折射率及吸收係數）的材料形成。在該等 實施例中’前部基板5 41 〇可不包括光學堆疊。 背板5420可由任何合適材料（例如，聚合物、金屬及玻 璃）形成。背板5420之反射層5421可由例如a卜Au、Ag或 前述各物之合金的鏡面或反射金屬形成，且較佳地足夠厚 以反射入射於前部基板5410上的大體上所有可見光用於干 涉效應。在例示性實施例中，反射層5421具有約300 A之 厚度。反射層5421之厚度在其他實施例中可廣泛地變化。 131122.doc -109- 200900731 在某些實施例中，背板5420自身可由諸如鋁箱之反射材料 形成。在該等實施例中，背板542〇不包括分開的反射層。 在所說明之實施例中，背板5420如箭頭所表示而安裝於 前部基板5410上以使得反射層5421接觸軌道5411上之光學 堆疊5414a的頂表面。所得靜態干涉顯示器54〇〇在反射層 5 421與軌道5411上之光學堆疊5414a的頂表面之間可大體 上不具有間隙。 2.具有成形或預形成背板之靜態干涉顯示器 圖55說明根據另一實施例之靜態干涉顯示器55〇〇的預層 壓狀態。靜態干涉顯示器5500包括前部基板55 1 0及背板 5520。前部基板5510包括大體上平坦之表面5511及形成於 表面5511上的光學層或堆疊5514。基板552〇包括複數個軌 道55 23及由軌道55 23界定之複數個空腔或凹座5530。在此 文獻之環境中，亦可將軌道5 5 2 3稱為"支撐物"或"支樓結 構π。背板5520亦包括面向前部基板55 10之反射層（或鏡 面）5521 。 前部基板5510之組態可如上文關於圖54之前部基板541〇 的組態所描述’除了圖55之前部基板55 10大體上為平坦 的。光學層或堆疊5514之組態可如上文關於圖54之光學層 或堆疊5414a ' 5414b的組態所描述，除了圖55之光學層或 堆疊5514大體上連續地形成於前部基板5510之表面上。在 某些實施例中’前部基板5510自身可由具有適於干涉效應 之吸收係數的材料形成。在該等實施例中’前部基板5 5 10 可省略光學堆疊。 131122.doc -110- 200900731 (但適於定形之材料形成背板5520。材料之實例包括 前部限於)破璃、金屬及聚合物。可藉由適於移除或定形 :壬;7方板5520之部分或形成至背板5520之表面中之凹座的 任何方法來對背板测定形。定形方法之 = 壓印⑼如，參看圖一c描述之 f

:(或絲網印刷）與蚀刻及雕刻。因為在上文播述之方法中 、=向背板5520添加額外材料的情況下定形背板552〇，所 以王軌道5523之形式的支撐物可與背板552〇整體地形成且 由與背板5520之材料相同的材料形成。在其他實施例中， ^樓結構可藉由額外材料之沈積及圖案化而形成於大體上平 的者板上，如上文關於預形成支撑物前部基板所描述。 軌道5523彼此平行而在列方向或行方向上延伸類似於 圖56所示之圖案。執道5523使其底表面（面向前部基板）處 於大體上相同高度’亦即，在單一平面内。 空腔5530經定形或預形成以視空腔553〇經設計以在所得 顯不器中產生的色彩而具有多個深度555〇a_555〇e。因為 靜悲干涉顯示器5500僅顯示靜態影像，所以根據所要靜態 影像之圖案來選擇空腔之深度。熟習此項技術者將瞭解用 於藉由使用干涉效應產生所要色彩及圖案之合適深度 5550a-5550e 。 背板5520之反射層5521可由例如A卜Au、Ag或前述各 物之合金的鏡面或反射金屬形成，且足夠厚以反射入射於 前部基板5510上的大體上所有可見光用於干涉效應。在例 示性實施例中，反射層5521具有約300 A之厚度。反射層 13I122.doc 200900731 5 521之厚度在其他實施例中可廣泛地變化。在某些實施例 中’背板可由諸如鋁之反射材料形成。可蝕刻該背板以形 成支撐結構。在該等實施例中，背板可不包括分開的反射 層。在所說明之實施例中’反射層5521連續形成於背板 5520之表面上。在其他實施例中，反射層5521在軌道5523 與空腔5530之間為不連續的。 在所說明之實施例中’背板5520如箭頭所表示而安裝於 前部基板55 10上以使得反射層5521之最下部表面（下伏於 軌道5523且面向前部基板551〇的反射層5521之底表面）接 觸前部基板5 5 10之光學堆疊5 5 1 4的頂表面。所得靜態干涉 顯示器5500在反射層5521之最下部表面與前部基板551〇之 光學堆疊5 5 14的頂表面之間大體上不具有間隙。 3.具有空腔填充劑之靜態干涉顯示器 圖5 7說明根據另一實施例之靜態干涉顯示器57〇〇的預層 壓狀態。靜態干涉顯示器5700包括前部基板571〇及背板 5720。前部基板5710之組態可如上文關於圖54之前部基板 54丨0的組態所描述。背板572〇之組態可如上文關於圖“之 背板5420的組態所描述。靜態干涉顯示器57〇〇之俯視平面 圖可如上文參看圖56所描述。 靜恕干涉顯不器5700進一步包括前部基板571〇之空腔内 的填充劑5760。填充劑5760可由大體上透明之材料形成。 大體上透明之材料可具有對於干涉效應適合的折射率。大 體上透明之材料的實例包括（但不限於）氡化物（例如， si〇2、Ti〇2)、氮化物（例如，SiN3、SiN4)、透明光阻劑及 131122.doc •112- 200900731 透明聚合物。填充劑5760可藉由在上面形成有光學堆疊 57i4a、57i4b之前部基板5700上毯覆式沈積填充劑材料且 接著平坦化填充劑材料之頂表面而形成。在某些實施例中， 填充劑亦可覆蓋軌道5711上之光學堆疊5714a的頂表面。 在所說明之實施例中，背板572〇如箭頭所表示而安裝於 前部基板5710上以使得反射層5721之最下部表面（面向前 部基板）接觸形成於前部基板571〇上的填充劑576〇之頂表 面。所得靜態干涉顯示器5700在反射層5721之最下部表面 與填充劑5760之頂表面之間可大體上不具有間隙。在某些 實施例中，可將反射層直接塗佈於填充劑576〇上。接著， 可替代層壓分開的背板而以具有適於保護反射層之硬度的 材料來塗佈反射層之頂表面。在其他實施例中，可將背板 附接至直接形成於填充劑5760上的反射層。 圖58說明根據另一實施例之靜態干涉顯示器58〇〇。靜態 干涉顯示器5800包括前部基板58 10及背板5820。前部基板 5810之組態可如上文關於圖57之前部基板571〇的組態所描 述’除了圖58之前部基板5810不包括軌道。前部基板581〇 包括具有離散深度之空腔’其形成階梯表面。所說明之前 部基板5810包括類似於圖57之填充劑576〇的填充劑586〇。 填充劑5860可藉由在上面形成有光學堆疊5814之前部基板 58 10上毯覆式沈積填充劑材料且接著平坦化填充劑材料之 頂表面而形成。背板582〇之組態可如上文關於圖57之背板 5720的組態所描述。 圖59說明圖58之靜態干涉顯示器5800之一部分的俯視平 131122.doc -113· 200900731 面圖。因為靜態干涉顯示器5800不包括軌道，所以其在自 上方觀察時不具有分隔，如圖59所示。靜態干涉顯示器 5800包括正方形像。熟習此項技術者將瞭解靜態 干涉顯示器可具有像素之各種其他形狀且柵格無需為正交 的。實際上，因為像素無需經電定址，所以影像可具有任 何所要圖案。 圖60說明根據另一實施例之靜態干涉顯示器6〇〇〇。靜態 干涉顯示器6000包括前部基板6010及背板6020。前部基板 6010之組態可如上文關於圖55之前部基板551〇的組態所描 述。背板6020之組態可如上文關於圖5 5之背板5 520的組態 所描述，除了圖60之背板6020不包括軌道。 所說明之背板6020包括類似於圖58之填充劑5860的填充 劑6060。填充劑6060可藉由在上面形成有反射層6〇21之背 板6020上毯覆式沈積填充劑材料且接著平坦化填充劑材料 之頂表面而形成。接著，可將具有填充劑6〇6〇之背板6〇2〇 附接至上面形成有光學堆疊6014的前部基板6010，藉此形 成靜態干涉顯示器。靜態干涉顯示器6000之俯視平面圖可 如上文參看圖59所描述。 4.具有連續深度空腔之靜態干涉顯示器 圖61說明根據另一實施例之靜態干涉顯示器6丨〇〇。靜態 干涉顯示器6100包括前部基板611〇及背板612(^前部基板 6110之組態可如上文關於圖58之前部基板581〇的組態所描 述，除了圖61之前部基板611〇包括具有連續或平滑過渡而 非離散之深度的空腔。前部基板6丨丨〇亦包括類似於圖5 8之 131122.doc -114- 200900731 填充劑5860的填充劑6160。背板6120之組態可如上文關於 圖58之背板5820的組態所描述。在另一實施例中，背板可 具有空腔而前部基板大體上為平坦的，該等空腔具有連續 或平滑過渡之深度。熟習此項技術者將瞭解前部基板及背 板之各種其他組合亦為可能的。 在上文描述之實施例中之一些中，定形前部基板及/或 載體（永久或抽取式的）且在其上執行不連續沈積。此方法 避免昂貴的遮罩步驟，因此減少了製造成本。另外，形成 於後部載體上之間隔物、支撐物、止擋支柱各自導致較佳 均勻性及可靠性及較小壓力變化與濕氣敏感性（由於較小 間隙）。 雖然關於干涉調變器顯示裝置而描述，但該等實施例更 為一般地適用於其他MEMS裝置，尤其為具有能夠相對移 動之電極的靜電MEMS。 雖然以上詳細描述已展示、描述並指出了本發明在應用 於各種實施例時之新穎特徵，但將瞭解在所說明之裝置或 過程的形式及細節上之各種省略、替代及改變可由熟習此 項技術者在不脫離本發明之精神的情況下進行。如將認識 到的，本發明可在不提供本文陳述之特徵及益處中之所有 的形式内體現，因為一些特徵可以與其他特徵分開之方式 被使用或實踐。 【圖式簡單說明】 圖1為描繪干涉調變器顯示器之一實施例之一部分的等 角視圖’其中第一干涉調變之、壬' 丁" ”门支益之居動反射層位於鬆弛位 131122.doc -115- 200900731 置’且第一干涉調變器之活動反射層位於致動位置。 圖2為說明併有3x3干涉調變器顯示器之電子裝置之一實 施例的系統方塊圖。 圖3為針對圖1之干涉調變器之一例示性實施例的活動鏡 面位置對比所施加電壓之圖。 圖4為可用以驅動干涉調變器顯示器之列電壓及行電壓 之集合的說明。 圖5A及圖5B說明可用以將顯示資料之訊框寫入至圖2之 3 X 3干涉調變器顯示器的列信號及行信號之一例示性時序 圖。 圖6 A及圖6B為說明包含複數個干涉調變器之視覺顯示 裝置之一實施例的系統方塊圖。 圖7 A為圖1之裝置的橫截面圖。 圖7B為干涉調變器之一替代實施例的橫截面圖。 圖7C為干涉調變器之另一替代實施例的橫截面圖。 圖7D為干涉調變器之又一替代實施例的橫截面圖。 圖7E為干涉調變器之一額外替代實施例的橫截面圖。 圖8為干涉調變器顯示裝置之一實施例之俯視平面圖。 圖9為干涉調變器顯示裝置之一實施例之分解透視圖。 圖10為干涉調變器顯示裝置之成形前部基板之一實施例 的部分透視圖。 圖11A為在無光學堆疊之情況下的圖1〇之成形前部基板 之橫截面圖。 圖11B為在沈積光學堆疊之後的圖11A之成形前部基板 I31122.doc -116- 200900731 之橫截面圖。 圖12A至圖12D說明形成如圖1〇至圖11B之成形前部基板 的成形前部基板之方法之〆實施例。 圖13說明根據一實施例之部分製造好的干涉調變器顯示 裝置之陣列或顯示區域之部分透視圖。 圖14A為圖13之部分製造好的干涉調變器顯示裝置之俯 視平面圖。 圖14B為沿線14B-14B所取’圖丨3之部分製造好的干涉 調變器顯示裝置之橫截面圖。 圖14C為沿線14C-14C所取’圖13之部分製造好的干涉 調變器顯示裝置之橫截面圖，其中為了清楚起見省略由連 續軌道形成之後壁。 圖14D為圖14B之部分製造好的干涉調變器顯示裝置之 放大橫截面圖。 圖1 5為根據一實施例之部分製造好的干涉調變器顯示裝 置之俯視平面圖，其示意地說明列驅動器及行驅動器之互 連。 圖16A為具有根據一實施例之行導引結構及列導引結構 之成形前部基板的俯視平面圖。 圖16B為圖16A之列導引結構中之一者的放大俯視平面 圖。 圖16C為根據一實施例之沿線16C-16C所取的圖16B之列 導引結構之橫截面圖。 圖16D為根據另一實施例之沿線16C-16C所取的圖16B之 131122.doc -117- 200900731 列導引結構之橫戴面圖。 圖1 6E為根據一實施例的圖1 6B之列導引結構及列驅動 器之橫截面圖，在其間插入有一各向異性導電膜。 圖16F為沿線16F-16F所取之圖1 6E之列導引結構的橫截 面圖。 圖1 7A為可動電極之導引結構之一實施例的部分透視 圖。 圖17B為沿線17B-17B所取的圖17A之導引結構之橫截面 f . 圖。 圖17C為沿線17C-17C所取的圖17A之導引結構之橫截面 圖。 圖1 8A為可動電極之導引結構之另一實施例的部分透視 圖。 圖18B為沿線18B-18B所取的圖18A之導引結構之橫戴面 圖。 《 圖1 8C為沿線1 8C_丨8(:所取的圖丨8a之導引結構之橫截面 圖。 圖19為具有用於可動電極以用於與具有駐定電極之前部 基板接合之導引跡線的載體之一實施例之俯視平面圖。 圖20為說明藉由使用蔽蔭遮罩在成形前部基板上形成光 學堆疊之方法之一實施例的示意透視圖。 圖21為說明根據一實施例之藉由使用蔽蔭遮罩形成圖 1 7A之導引結構之方法的示意透視圖。 圖22A至圖22C說明藉由使用習知沈積與圖案化技術製 131122.doc -118- 200900731 造前部基板之方法的一實施例。 圖23A至圖23C說明製造具有在沈積下部電極及介電層 之前經圖案化之沈積預形成支撐物的前部基板之方法之I 實施例。 圖24A及圖24B為根據一實施例之用於與具有駐定電極 之前部基板接合的載體上之可動電極之導引結構的橫截面 圖。 圖25為根據一實施例之用於與具有駐定電極之前部基板 1 接合的成形載體之透視圖。 圖26A至圖26E為說明製造用於與具有駐定電極之前部 基板接合的成形載體之方法之一實施例之示意橫截面圖。 圖2 7 A為根據一實施例之具有邊緣軌道及支柱之成形載 體背板的部分透視圖。 圖27B為沿線27B-27B所取之圖27A之成形載體背板的橫 截面圖。 圖27C為沿線27C-27C所取之圖27A之成形載體背板的橫 V:. 截面圖。 圖27D為圖27A之成形載體背板的俯視平面圖。 圖28為根據另一實施例之具有具蝕刻孔之可動電極的成 形載體背板之部分透視圖。 圖29A至圖29D為說明製造成形載體背板之方法之一實 施例的一系列示意橫截面圖。 圖3 0A至圖3 0D說明製造成形載體背板之方法之另一實 施例。 131122.doc -119- 200900731 圖31A至圖3〗D說明製造成形載體背板之方法之又—實 施例。 圖32A至圖32C為成形載體背板之實施例的示意橫截面 圖。 圖32D為圖32B之成形載體背板的示意俯視平面圖。 圖32E為圖32D之成形載體背板之邊緣部分的示意橫截 面圖。 圖33A至圖33Ds兒明製造具有圖案化可動電極之成形栽 體背板之方法的又一實施例。 圖3 4 A為根據一實施例之具有在可動電極條帶之間升高 之過量機械層支撐物之干涉調變器顯示裝置的示意部分透 視圖。 圖34B至圖34D分別為沿線34B-34B、34C-34C及34D- 3 4D所取的圖34A之干涉調變器顯示裝置之示意橫截面 圖。 圖35 A及圖3 5B為說明製造用於將可動電極轉移至前部 基板之抽取式載體的方法之一實施例之示意透視圖。 圖35C及圖35D為說明藉由使用抽取式載體製造干涉調 變器顯示裝置之方法之一實施例的示意橫截面圖。 圖36A至圖36E為說明製造具有圖案化可動電極之載體 的方法之一實施例之示意橫截面圖。 圖37A至圖37E說明製造具有圖案化可動電極之載體之 方法的另一實施例。 圖38A至圖38D說明製造具有圖案化可動電極之載體之 131122.doc -120- 200900731 方法的又一實施例。 圖39A為根據—實施例之用於與前部基板接合之載體的 示意橫截面圖，該載體具有鉚釘支撐結構。 圖3 9 B為根據一實施例之具有在前部基板支撐結構上反 轉的圖39A之鉚釘支撐結構之干涉調變器顯示裝置的示意 橫截面圖。 圖40為干涉調變器顯示裝置之一實施例的示意透視圖。 圖41A至圖41C示意性地說明根據各種實施例之干涉調 變器顯示裝置的導引配置。 圖42A說明根據另一實施例之干涉調變器顯示裝置的導 引配置。 圖42B及圖42C分別為沿線42A-42A及42B-42B所取的圖 42A之干涉調變器顯示裝置之橫截面圖。 圖43 A為說明藉由使用亦充當完整裝置之背板之載體製 造干涉調變器顯示裝置的方法之一實施例之示意透視圖， 且圖43B至圖43C為說明該實施例之示意橫截面圖。 圖44A為說明配合前部基板上之導電密封劑使用蔽蔭遮 罩的方法之一實施例之示意平面圖，圖44B為說明該實施 例之放大視圖，且圖44c至圖44E為說明該實施例之示意橫 截面圖。 圖45A至圖45D為說明藉由使用抽取式載體製造干涉調 變益顯不裝置的方法之一實施例之示意橫截面圖。 圖46A為具有在可動電極層與背板之間延伸之間隔物的 干涉調變器顯示裝置之—實施例之橫戴面圖。 131122.doc -121 - 200900731 f 圖46B為具有捕集可動電極層之間隔物及支撐物的 46A之干涉調變器顯示裝置的透視圖。 圖47為具有延伸穿過可動電極層之間隔物的干涉調 顯示裝置之又一實施例之透視圖。 圖48為具有間隔物之干涉調變器顯示裝置之又一實 的透視圖。 圖49A為具有自背板延伸之止擋支柱的干涉調 裝置之一實施例之橫戴面圖。 圖49B為具有自背板延伸之止擋支柱的干涉調變器顯 裝置之另一實施例之橫截面圖。 圖49C為具有自背板延伸之止擋支柱的干涉調變器顯八 裝置之又一實施例之橫截面圖。 不 圖 變器 施例 變器顯 示 示 圖50為在其顯示區域中不具有支撐物之干涉調 裝置之一實施例的橫載面圖。 圖5 1為具有自背板延伸至前部基板之間隔物的干 器顯示裝置之一實施例之橫截面圖。 變器顯 示 涉調變 之 圖52A為具有圖案化黑色遮罩之干涉調變器顯示带 一實施例的橫截面圖。 圖52B為根據一實施例之圖50A之干涉調轡哭壯 J文孬顯示裳置 的俯視平面圖。 圖53A至圖53C說明製造用於干涉調變器顯 μ展置之部 分濕潤黑色遮罩的方法之一實施例。 圖53D說明具有部分濕潤黑色遮罩之干涉調轡 η I态顯示裝 置的另一實施例。 131122.doc -122- 200900731 圖54說明 例的橫截面 包括成形前部基板之靜態 圖〇 干涉顯示器之一實施 圖55為包括 橫截面圖。 成形背板之靜態干涉顯示器之另一實施例的 圖56為圖54之 圖57為包括成 例的橫截面圖。 靜態干涉顯示器的俯視平 形前部基板之靜態干涉顯 面圖。 示器之另一實施 / 田5^為包括成形前部基板而無對於每—像素分開的支撐 之静悲干涉顯示器之又—實施例的橫截面圖。 圖59為圖58之靜態干涉顯示器的俯視平面圖。 圖6〇為包括成形背板之靜態干涉顯示器之另_實 橫截面圖。 圖61為包括成形前部基板之靜態干涉顯示器之另— 例的橫截面圖。 貫施 【主要元件符號說明】 1-1 線

11Α-11Α 線 12a 干涉調變器/像素 12b 干涉調變器/像素 14 金屬材料條帶 1 4a 活動反射層 14b 活動反射層 14B-14B 線 14C-14C 線 131122.doc •123· 200900731 16 光學堆疊 16a 光學堆疊 16b 光學堆疊 16B 列導引溝槽 16C-16C 線 ， 16F-16F 線 17B-17B 線 17C-17C 線 f ^ 18 支柱/支撐結構 18B-18B 線 18C-18C 線 19 間隙或空腔 20 透明基板 21 處理器 22 陣列驅動器 24 列驅動器電路 ί 26 行驅動器電路 27 網路介面 27B-27B 線 27C-27C 線 28 訊框緩衝器 29 驅動器控制器 30 面板或顯示陣列（顯示器） 32 繫栓 131122.doc -124- 200900731 /

34 可變形層 34B-34B 線 34C-34C 線 34D-34D 線 40 顯示裝置 41 外殼 42 支撐柱检塞 42B-42B 線 43 天線 44 匯流排結構 45 揚聲器 46 麥克風 47 收發器 48 輸入裝置 50 電源 52 調節硬體 52B 箭頭 800 干涉調變器顯示裝置 801 顯不區域 802 周邊區域 811 列驅動器 811a 電引線 812 行驅動器 813 導電粒子 131122.doc -125- 200900731 f

900 干涉調變器顯示裝置 901 顯示或陣列區域 902 周邊區域 910 前部基板 950 載體 1000 成形前部基板 1010 基板 lOlla-lOlld 軌道/支撐物 1012a 第一槽 1012b 第二槽 1012c 第三槽 1013a 支柱/支撐物 1013b 支柱/支撐物 1013c 支柱/支撐物 1014 光學堆疊 1210 基板 1214 光學堆疊 1220 壓板 1230 壓印板 1300 干涉調變器顯示裝置 1301 顯示區域 1302 周邊區域 1303a 列驅動晶片區域 1303b 行驅動器晶片區域 131122.doc •126· 200900731 1310 前部基板 1311a-1311c 軌道 1312 槽 1312a-1312c 槽 1313a-1313c 支柱 1314a 光學堆疊 1314b 光學堆疊 1314bl 介電層 1314b2 下伏導電層/導體 1315 邊緣間隔物 1316C 行隔離溝槽 1316R 列導引溝槽 1317 接觸溝槽 1360 可動電極 1360a 反射層（或鏡面） 1360b 機械（或可變形）層 1700 干涉調變器顯示裝置 1701 顯示區域或陣列 1702 周邊區域 1702A 導引區域 1702B 非導引區域 1710 前部基板 1711 軌道 1712 槽 131122.doc -127- 200900731 1714a 光學堆疊 1714al 介電層 1714a2 導電層/導電跡線 1714b 光學堆疊 1714M 介電層 1714b2 導電層 1716C 行隔離溝槽 1716M 凸區或凸台 1717 間隙填充劑 1760 可動電極 1800 干涉調變器顯示裝置 1801 顯示區域 1802 周邊區域 1802A 導引區域 1802B 非導引區域 1810 前部基板 1812 槽 1814a 光學堆疊 1814al 介電層 1814b 光學堆疊 1814bl 介電層 1817 行導引跡線 1817a 接觸部分 1817b 導引部分 131122.doc -128- 200900731

I860 可動電極 1917 行導引跡線 1950 載體 1960 可動電極（或條帶） 2010 成形前部基板 2020a-2020c 蔽陰遮罩 2120 蔽蔭·遮罩 2121 開口 2200 圖案化前部基板 2201 顯示區域 2202 周邊區域 2210 前部基板 2213 絕緣支柱 2214bl 介電層 2214b2 導電層 2215 通孔或通道 2216 導電支柱 2220 行導引跡線 2300 預形成支撐物前部基板 2301 陣列或顯示區域 2302 周邊區域 23 10 基板 2313 絕緣支撐物 2314al 介電層 131122.doc -129- 200900731 2314a2 導電層 2314bl 介電層 2314b2 導電層 2316 導電支撐物 2320 可識別界面 2401A 顯示區域 2401B 顯示區域 2402B 周邊區域 2410a 前部基板 2410b 前部基板 2413a 絕緣支柱 2413b 絕緣支柱 2414 光學堆疊 2416a 導電支柱 2420 導引跡線 2450a 載體 2450b 載體 2460a 可動電極 2460 b 可動電極 2500 成形載體 2501 凹座 2502 凸台 25 10 可動電極 2520 可動電極材料 131122.doc -130- 200900731 2600 基板 2601 凹座 2602 凸台 2610 可動電極材料 2620 可動電極材料 2650 壓板 2651 慶印板 2700 成形載體背板 2701 凹座 2702 邊緣軌道 2703 軌道溝槽 2704 支柱 2705 橫向钮刻孔 2706 底表面 2710 可動電極 2720 可動電極材料 2800 成形載體背板 2801 凹座 2802 邊緣軌道 2803 軌道溝槽 2804 支柱 2810 可動電極 2811 通孔 2820 可動電極材料 131122.doc 131 - 200900731 2900 成形载體背板 2901 凹座 2902 邊緣軌道 2903 軌道溝槽 2904 支柱 2908 犧牲材料 2909 凸台 2910 可動電極 2920 可動電極材料 3000 成形載體背板 3001 細長凹座 3002 邊緣執道 3003 軌道溝槽 3004 支柱 3007 種子層 3008 犧牲材料 3010 可動電極 3020 可動電極材料 3100 成形載體背板 3101 細長凹座 3102 邊緣軌道 3103 軌道溝槽 3104 支柱 3107 阻斷遮罩 131122.doc -132- 200900731 〆 \ 3108 犧牲材料 3110 可動電極 3120 可動電極材料 3200 成形載體背板 3201 細長凹座 3202 細長凸台 3207 釋放層 3207a 犧牲材料 3207b 犧牲材料 3210 可動電極 3220 機械層/可動電極材料 3250 邊緣部分 325 1 周邊隆脊 3252 凹座 3300 載體背板 33 10 犧牲材料 3320 可動電極材料 3350 支柱或連接器 3400 干涉調變器顯示裝置 3410 成形前部基板 3411 執道 3412 槽 3414 光學堆疊 3420 過量機械層_支#物 131122.doc -133 - 200900731 3450 成形載體背板 3451 細長凹座 3452 凸台 3461a 可動電極 3461b 過量機械層 3462 犧牲層 3500 成形抽取式載體/多孔載體/可回收載體 3501 細長凹座 3502 細長凸台 3510 可動電極 3520 過量機械層 3530 釋放層 3570 前部基板 3600 載體背板 3610 犧牲材料 3620 可動電極材料 3630 光阻劑層 3700 載體背板 3710 犧牲材料 3720 可動電極材料 3730 光阻劑層 3800 載體背板 3810 犧牲材料 3820 可動電極材料 131122.doc -134- 200900731 3850 連接器 3900 載體背板 3910 犧牲層 3911 凹座 3920 鉚釘支撐結構 3930 可動電極 3940 鉚釘 3950 前部基板 f- ' 395 1 軌道 3952 槽 3953 光學堆疊 4010 前部基板 4020 驅動器 4050 背板 4100A 干涉調變器顯示裝置 4100B i 干涉調變器顯示裝置 4101a 顯不區域 4101b 顯示區域 4101c 顯示區域 4110a 成形前部基板 4110b 成形前部基板 4110c 成形前部基板 4130a 行驅動器 4130b 行驅動器 131122.doc -135 - 200900731 4130c 行驅動器 4131a 行導引結構 4131b 行導引結構 4131c 行導引結構 4140a 列驅動器 4140b 列驅動器 4140cl 第一列驅動器 4140c2 第二列驅動器 4141a 列導引結構 4141b 列導引結構 4141cl 第一列導引結構 4141c2 第二列導引結構 4150a 成形載體背板 4150b 成形載體背板 4150c 成形載體背板 4201 顯示區域 4202 周邊區域 4202a 部分 4210 成形前部基板 4230 行驅動器 4231 行導引跡線 4240 列驅動器 4241 列導引結構 4250 成形載體背板 131122.doc -136- 200900731 4301 顯示區域 4310 成形前部基板 4320 接觸概塾（或驅動益晶片）區域 4350 成形載體背板 4360 可動電極 4370 密封劑 4401 顯示區域/陣列區域 4402a 導電層 f 1 4402b 導電層 4403 介電材料 4410 前部基板 4420 蔽蔭遮罩 4420a 第一阻斷部分 4420b 第二阻斷部分 4420c 第三阻斷部分 4421 / 蔽蔭遮罩連接器 \ - 4430 隔離溝槽或凹座 4430a 側邊緣 4430b 側邊緣 4470 密封區域 4471 密封劑 4510 成形前部基板 4550 成形抽取式載體 4560 可動電極 131122.doc -137- 200900731 4570 密封劑 4580 永久背板 4600 干涉調變器顯示裝置 4610 前部基板 4612 槽 4613 支柱/支撐結構 4630 間隔物 4635 間隔 4650 背板 4660 可動電極 4700 干涉調變器顯示裝置 4713 支柱 473 1 間隔物 4760 可動電極 4761 開口或通孔 4800 干涉調變器顯示裝置 4810 前部基板 4811 軌道 4812 槽 4832 第一間隔物 4833 第二間隔物 4860 可動電極 4861 開口或通孔 4900A 干涉調變器顯示裝置 131122.doc -138- 200900731 4900B 干涉調變器顯示裝置 4900C 干涉調變器顯示裝置 4910 前部基板 4913 支撐結構 4930 間隔物 4934a 止播支柱 4934b 止播支柱 4934c 止播支柱 /' ' 4935 間隔 4950 背板 4960 可動電極 5000 干涉調變器顯示裝置 5001 顯不區域 5002 周邊區域 5010 前部基板 5013 軌道 \ 5014 光學堆疊 5020 凸區 5030 支柱 5050 背板 5060 可動電極 5070 密封劑 5100 干涉調變器顯示裝置 5110 前部基板 131122.doc -139- 200900731

5114 駐定電極 5130 支柱 5160 可動電極 5170 背板 5171 支撐物 5200 干涉調變器顯示裝置 5212 空腔 5212a 間隙 5213 支柱/支撐結構 5214 光學堆疊 5220 黑色遮罩 5260 可動電極 5261 中央部分 5262 可動電極/部分 5300 干涉調變器顯示裝置 53 10 前部基板 5312 空腔 5313 支撐結構/支柱 5314 光學堆疊 5320a 黑色遮罩材料 5320b 黑色遮罩 5400 靜態干涉顯示器 5410 前部基板 5411 執道 131122.doc -140- 200900731 5414a 光學層或光學堆疊 5414b 光學層或堆疊 5420 背板 5421 反射層（或鏡面） 5430 空腔或凹座 5450a-5450e 深度 5500 靜態干涉顯示器 5510 前部基板 5511 表面 5514 光學層或堆疊 5520 背板 5521 反射層（或鏡面） 5523 執道 5530 空腔或凹座 5550a-5550e 深度 5700 靜態干涉顯示器 5710 前部基板 5711 軌道 5714a 光學堆疊 5714b 光學堆疊 5720 背板 5721 反射層 5760 填充劑 5800 靜態干涉顯示器 131122.doc 141 - 200900731 5810 前部基板 5814 光學堆疊 5820 背板 5860 填充劑 6000 靜態干涉顯示器 6010 前部基板 6014 光學堆疊 6020 背板 6021 反射層 6060 填充劑 6100 靜態干涉顯示器 6110 前部基板 6120 背板 6160 填充劑 X 方向 A 非鄰接區域 B 鄰接區域 B1 凹座底表面 B2 底表面 BL1 第一高度 BL2 第二高度 BL3 第三高度 D 深度 D1 第一深度 131122.doc -142- P P1-P15 / \ SSP11-SSP13 SSP21-SSP23 SSP31-SSP33 200900731 D2 D3

FI

LI

Lla

Lib

Lie L2 / " L2' L2a L2b L2c Ma Mb T1 T2

W W1 W2 131122.doc 第二深度/深度 第三深度 底部 1¾度 南度 南度 高度 南度 高度 度 南度 1¾度 第一部分 第二部分 像素 正方形像素 次子像素 次子像素 次子像素 第一厚度 第二厚度 寬度 寬度 寬度 -143 -

Claims (1)

1. 200900731 十、申請專利範圍·· 1. 一種製造一 MEMS裝置之方法，該方法包含： 提供一透明電極總成，該透明電極總成包含一透明基 板及形成於該透明基板上之一至少部分透明之電極； 提供一載體，該载體包含一形成於其上之反射電 極；及 將該透明電極總成附接至該載體以使得該反射電極面 向該至少部分透明之電極以形成一空腔。 2. 如晴求項1之方法，其中該MEMS裝置為一干涉調變 器且其中该空腔經組態而以干涉方式調變光。 3. 如凊求項1之方法，其中該至少部分透明之電極及該反 射電極經組態以能夠進行相對移動來界定一具有可變大 小之空腔。 月求項1之方法，其中該反射電極可偏轉至該空腔 中。 5· -，製造_干涉裝置陣列之方法，該方法包含： 提仪一别部基板，該前部基板包含界定該前部基板上 腔的支撐物，该前部基板進一步包含形成於該等空 腔中之前部電極； 提供載體，該載體包含形成於其上之可動電極；及 =將該前部基板附接至該載體以使得該等可動電極面向 6 § ^ "卩電極之至少一部分以形成一或多個干涉裝置。 一月求項5之方法，其中該等前部電極及該等可動電極 呈間隔開以形成一干涉空腔。 131I22.doc 200900731 月求項5之方法，其中該前部基板由一大體上透明之 材料形成。 8’ 如叫求項5之方法，其中該等前部電極包含由一至少部 分透明之材料形成的至少一層。 9.如清求項5之方法，其中該等前部電極中之每一者充當 一用於—干涉裝置之駐定電極。 月求項5之方法’其中該前部基板附接至該載體以使 付〜專支樓物將該等可動電極與該等前部電極分開。 U. 一種微機電系統（MEMS)裝置，其包含： 月’J °卩基板’其包含界定該前部基板上之空腔的複數 個支撐物；及 複數個可動電極，其由該等支撐物支撐，該等可動電 極中之每一者包含： 上覆於該等支撐物之第一部分，該等第一部分具有 —第一厚度；及 鄰接第一部分之第二部分，該等第二部分不上覆於 該等支樓物，該等第二部分具有一第二厚度，其中該 第二厚度大於該第一厚度。 12.如請求項此则奶裝置，其中該等支樓物與該前部基 板整體形成且由與該前部基板相同的材料形成。 .如請求項^之細奶裝置，其中該等支揮物由一與該前 部基板之材料不同的材料形成。 μ•如請求項η之MEMS裝置，其中㈣刪裝置包含干涉 調欠器丨其中5亥月❼部基板由一大體上透明之材料形 131122.doc 200900731 成。 15. 如請求項14之MEMS裝置，其進一步包含形成於該等空 腔中之第一複數個光學堆疊；及插入於該等支撐物與該 等可動電極之該等第一部分之間的第二複數個光學堆 疊。 16. 如請求項15之裝置’其中該第一複數個光學堆疊具有與 該第二複數個光學堆疊之厚度大體上相同的厚度。 17. 如請求項UiMEMS裝置，其中該等可動電極包含彼此 平行而延伸之導電條帶’該等導電條帶中之每一者經組 態以充當多個干涉調變器之電極。 18. 如請求項丨丨之裝置，其中該複數個支撐物包含在一大體 上垂直於該等可動電極之方向上橫向延伸的執道。 19_如請求項丨丨之裝置，其進一步包含一與該前部基板相對 之第二基板，該第二基板包含複數個執道，該等軌道中 之每一者具有一面向該前部基板之該等空腔的表面，該 4軌道大體上彼此平行而延伸’其中該複數個可動電極 中之母一者插入於該前部基板與該等軌道中之一者之 間。 20. 如請求項丨丨之裝置，其中該等可動電極中之每一者的該 等第一部分黏結至該前部基板之該等支撐物。 21. —種微機電系統（MEMS)裝置之陣列，其包含： 一前部基板，其包含界定該前部基板上之空腔的複數 個支撐物，該等空腔中之每一者具有一底表面； 一彦板，其大體上與該前部基板相對且上覆於該前部 131122.doc 200900731 基板，該背板具有 —面向該前部基板之該等空腔的表 面，該表面最為遠離該前部基板；及 複數個機械條帶，其插入於該等支撐物與該背板之該 表面之間該等機械條帶中之每-者充當多個MEMS裝 置之移動電極， 其中°亥等空腔中之一者的該底表面與該背板之該最為 遠離之表面之間的—距離在約6,则A與約⑼叫之間。 22_如請求項21之陣列’其中該背板大體上平坦。 23.如請求項21之陣列，其中該背板包括形成至該背板中之 凹座，δ亥等凹座包括面向該前部基板之該等空腔的凹座 表面，該最為遠離之表面為該等凹座表面中之一者，且 其中該背板進一步包括自該背板朝向該前部基板延伸之 複數個後部支撐物，該等後部支撐物在其間界定該等凹 座0 24·如請求項23之陣列，其中該複數個後部支撐物包含大體 上彼此平行而延伸之軌道，該等執道界定複數個凹座， 其中該裝置進一步包含該複數個凹座内之一過量機械材 料。 25.如請求項21之陣列，其中該等MEMS裝置包含干涉調變 器。 26. —種微機電系統（meMS)裝置，其包含： 一基板’其包含與該基板整體形成且由與該基板相同 的材料形成之複數個支撐物；及 複數個機械元件，其界定移動電極，該等機械元件支 131122.doc 200900731 撐於該等支撐物的頂部上。 27·如請求項2RMEMS裝置，其中該複數個支撲物包含大 體上彼此平行而延伸之複數個軌道，料軌道界定與該 等軌道交替之槽。 认如請求項27之MEMS裝置1中該等機械元件包含大體 上垂直於該等槽而延伸之複數個機械條帶，且其中該等 槽與該等機械條帶-同在料槽與該等機械條帶之間的 相交處界定空腔。 29.如請求項28之MEMS裝置，其中該複數個支撐物進一步 包含每一空腔中之支柱。 3〇·如請求項27之MEMS裝置，其中該MEMS裝置包含一干 a調變器，且其中該]VIEMS裝置進一步包含該等槽中之 至少一者中的一光學堆疊。 31_如請求項27之MEMS裝置，其中該等機械元件包含跨越 該等槽之複數個機械條帶，每一條帶包含複數個移動電 極。 32. —種微機電系裝置，其包含·· 一基板，其具有一表面，該基板包括形成至該表面中 之複數個槽，該等槽大體上彼此平行而延伸，其中該基 板之該表面界定該基板之一較高區域而該等槽界定該基 板之較低區域；及 複數個固定電極，其形成於該基板之該等較低區域 上。 33. 如請求項32之MEMS裝置，其中該等槽具有不同深度。 131122.doc 200900731 34. 如請求項33之MEMS裝置，其中該MEMS裝置包含一干 涉調變器顯示裝置，且其中具有不同深度之該等槽經組 態以產生不同色彩。 35. 如請求項32之MEMS裝置’其進一步包含該基板之該較 高區域上之一層’該層由與該等固定電極的材料相同之 材料形成。 36. 如請求項35之MEMS裝置，其中該等固定電極與該層不 連續。 37. 如請求項32iMEMS裝置，其進一步包含支撐於該基板 之該較高區域上的可動電極，該等可動電極可陷落至該 等槽中。 ~ 38. —種用於一微機電系統（MEMS)之前部基板，其包含： 一基板，其包含界定該基板上之複數個空腔的複數個 支撑物，該等支㈣與該基板整體形成且由與該基板相 同的材料形成；及 導電層，其形成於該等支撐物之間的該等空腔中。 39. 如請求項38之前部基板，其中該等支樓物將該複數個空 腔界定為具有不同深度。 40_種製造一干涉調變器之方法，該方法包含： 自-基板形成複數個支稽物’該等切物與該基板整 體形成且由與該基板相同的材料形成；及 一形成界定移動電極之複數個機械元件以使得該等機械 元件支撐於該等支撐物上。 41.如請求項40之方法，其中該複數個機械元件中之每—者 131122.doc 200900731 包含一包括一反射層及一可變形層的雙層。 42. 如請求項40之方法，其中該複數個機械元件中之每一者 包含一反射層及一可變形層，該反射層自該可變形層懸 掛下來。 43. 如請求項40之方法，其中形成該複數個支撐物包含壓印 該基板。 44·如請求項40之方法，其中形成該複數個支撐物包含蝕刻 該基板。 f 45. 如請求項40之方法’其中該基板由玻璃形成，且其中形 成該複數個支樓物包含： 雕刻該基板以界定經雕刻部分；及 選擇性地钱刻該基板之該等經雕刻部分。 46. —種製造一微機電系統（MEMS)之方法，該方法包含： 提供一平坦基板；及 形成與該基板呈-體式之支撑結構以界定他應空腔 之高度，其中該等MEMS空腔具有底部，且其中該等 MEMS空腔經組態以將移動電極之運動容納於其中；及 在該等空腔之該等底部上形成一導電層。 47·如請求項46之方法’其進—步包含在”切結構之頂 表面上及該等支推結構之間的-空腔底部上沈積導電材 料以使得該材料在該等支撐結構與該底部之間為不連續 的。 48.=求項46之方法，其中形成該等支撐結構包含塵印該 131122.doc 200900731 基板。 49.如請求項46之方法，其中形成該等支撐結構包含蝕刻該 50. 如請求項46之方法，其中該基板由玻璃形成，且其中形 成該等支撐結構包含： 雕刻該基板以界定經雕刻部分；及 選擇性地蝕刻該基板之該等經雕刻部分。 51. —種微機電系統（Mems)裝置，其包含： 前部基板，其包含形成於該前部基板上之複數個電 載體，其大體上與該前部基板相對以使得該等電極 插入於該載體與該前部基板之間，該載體包含自該載體 延伸之複數個執道；及 其插入於該前部基板與該載體之該 複數個可動電極， 等軌道之間。 ，其中該MEMS裝置包含一干涉調變

   成且由與s亥載體相同的材料形成。 52.如請求項51之裝置，

   體之材料不同的材料形成。

   該前部基板之材料不同 ，其中該前部基板進一步包含由—與 「同的材料形成之複數個支#物。 131122.doc 200900731 項51之裴置，其中該前部基板進一步包含與該前 部基板整體$ Λ、。， 成且由與該前部基板相同的材料形成之複 數個支撐物。 58.如請求項51 只1之裝置，其中該載體充當該MEMS裝置之一 永久背板。 月求項51之裝置，其中該載體充當一可自該前部基板 移除之臨時載體。 6〇_如明求項59之裝置’其中該臨時載體可藉由灰化或剝離 而移除。 61. 如叫求項51之裝置，其中該載體由一聚合材料形成。 62. 士,求項51之裴置’其中該載體進一步包含一形成於該 載體上之釋放臈。 月求項62之裝置，其中該載體由一多孔材料形成。 64. 士叫求項51之裝置，其中該等軌道界定與該等軌道交替 槽且其中该前部基板進一步包含自複數個支撐物中 之者延伸至該等槽中之相對一者中的一第二支撐物。 如明求項64之裝置，其中該載體進一步包含該等槽中之 者内的過量可動電極材料，該過量可動電極材料與 該等可動電極之可動電極材料相同，且其中該第二支撐 物接觸該過量可動電極材料。 月求項51之裝置，其中該等軌道具有面向該前部基板 之軌道表面，其中該載體進一步包含形成至該等軌道表 面中之溝槽，且其中該載體進一步包含該等溝槽中之支 柱’該等支柱朝向該前部基板延伸。 131122.doc 200900731 67. —種用於附接至一上面形成 (MEMS)前部基板之载體，該載體二極的微機電系統 道交一替基:槽其及包括複數個軌道’該等軌道界定與該等軌 -電極層，其包含形成於該等軌道上之第一部分及形 成於該等槽内之第二部分， 該電極層在該等槽與該等軌 道之間為不連續的。 f 68. 如明求項67之載體，其中該電極層之形成於該等執道上 的該等第-部分經組態以可在與該細奶前部基板裝配 之後即朝向該駐定電極移動。 69. 如請求項67之載體，其進_步包含—插人於該電極層與 该等軌道之間的釋放層，其中該釋放層大體上覆蓋基板 表面之整個部分。 70.如請求項69之载體，其中該基板由一多孔材料形成。 7 々月X項67之載體，其進-步包含-插人於該電極層與 該等軌道之間的犧牲層，其中該犧牲層在該等執道之間 為不連續的。 72·如請求項67之冑體，|中該等軌道與該基板整體形成且 由與該基板相同的材料形成。 73· —種製造一微機電系統（MEMS)陣列之方法，該微機電 系統（MEMS)陣列包含一具有一第一表面之前部基板， 該别部基板包含形成於該第一表面上的複數個固定下部 電極’該方法包含： 定形一載體基板以具有自該載體基板整體地形成之凸 131122.doc -10· 200900731 台，該等凸台界定與該等凸台交替之槽；及 在该载體基板之該等凸台上及該等槽内沈積_機械 層，該機械層在該等槽與該等凸台之間為不連續的。 74·如：求項73之方法，其進_步包含將該载體基板附接至 該月Ή基板以使得該等凸台面向該前部基板之該第 面。 75. 如：：項74之方法’其進一步包含在將該载體基板附接 至該前部基板之後自該前部基板移除該載體，其中移除 該載體包含在移除該載體的同時將該機械層保留於 部基板上。 76. 種微機電系統（MEMS)裝置，其包含· 月1J部基板’其包含一自該前部基板延伸之第一支 物； I背板，其具有—大體上與該前部基板相對之表面以 使付該第一支撐物插入於該前部基板與該背板之該 之間； 一移動電極’其插人於該前部基板與該背板之間，該 移動電極包含一支樓於該第一支樓物上的部分；及 一第二支撐物，其自該前部基板之該第一支撐物及該 背板之絲面中之—者延伸，其中該第二支撐物經定位 於該前部基板之該第—支撐物與該背板之該表面之間。 77·如請求項76之裝置’其中該第—支撐物包含—支柱及— 轨道中之至少—者。 78.如請求項76之裝置’其中該第二支撐物包含—支柱。 131122.doc • 11 - 200900731 79.=印求項76之裝置，其中該移動電極之該部分插入於該 第一支撐物與該第二支撐物之間。 8〇.如請求項76之裝置，其中該移動電極之該部分包含一開 口，且其中該第二支撐物延伸穿過該移動電極之該部分 的該開口。 月求項76之裝置’其中該第二支撐物與該移動電極之 該部分横向間隔開。 82.如睛求項76之I置，其巾該MEMS震置包含—干涉調變 器。 83· —種微機電系統（MEMS)裝置，其包含： ,則。卩基板，其具有一第一表面，該前部基板包含一 形成於該第一表面上之光學堆疊； 背板，其與該前部基板相對，該背板具有一面向該 第二表面之第二表面，該背板包含自該第二表面朝向該 第—表面延伸之支柱以使得該等支柱之高度界定該第一 表面與該第二表面之間的一距離；及 々複數個可動電極條帶，其大體上彼此平行而延伸，該 等條帶插入於該第一表面與該第二表面之間。 I月求項83之裝置，其中該前部基板之該第—表面包括 一陣列區域，該等可動電極條帶定位於該陣列區域内， 中》亥觔部基板在該第一表面之該陣列區域上不包括 支桎。 85.種微機電系統（MEMS)裝置，其包含： —前部基板； 131122.doc -12- 200900731 乂一背板，其與該前部基板相對，該背板具有-面向該 部基板之表面； 複數個可動電極條帶，其大體上彼此平行而延伸，兮 等條帶插人於該前部基板與該背板之間，該等條帶之部 分可朝向該前部基板移動；及 複數個支柱丨自違为板之該表面延伸以使得該等支 柱經配置以限制該等條帶的該等部分朝向該表面之移 可動電極條帶自該複 86.如請求項85之裝置，其中該複數個 數個支柱懸掛下來。 之方法，該方法包 87· —種製造微機電系統（MEMS)裝置 含： 自該前部基板延 提供一前部基板，該前部基板包含一 伸之第一支撐物； 提供—具有一表面之背板； 將=前部基板附接至該背板以使得該第—切物插入 於該前部基板與該背板之該表面之間；及 在°亥則部基板之該第一支樓物與該背板之該表面之間 形成-第二支撐物以使得該第二支撐物自該前部基板之 該第—支撐物及該背板之該表面中之一者延伸。 88.如請求項87之方法，其中該第一支樓物包含-支柱及一 軌道中之至少一者。 队如請求項87之方法，其中該第二支樓物包含—支柱。 90. U項87之方法，其進—步包含在該前部基板與該背 131122.doc -13- 200900731 部分支撐 板之間提供一移動電極以使得該 於該第一支撐物上。 91. 如請求項90之方法，其中形成 ::t撐M得該移動電極之該部= 撐物與§亥第二支撐物之間。 92. 如請求項90之方法， 第一支撐物以使得該 分0 其㈣成該第二支撐物包含形成該 第-支擇物穿透該移動電極之該部 93. 如請求項90之方法， 第二支撐物以使得該 橫向間隔開。 其中形成該第二支撐物包含形成該 第二支撐物與該移動電極之該部分 94· 項87之方法，其中形成該第二支撐物包含在㈣ 月以基板附接至該背板之前在該前部基板之該第—支指 物上形成該第二支撐物。 s 95. 如請求項87之方法，其中形成該第二支撐物包含在將該 謂板附接至該背板之前形成該第二支撐物以使得該 第二支撐物與該第一支撐物整體形成且由與該第一支擇 物相同的材料形成。 96. ^請求項87之方法，其中形成該第二支揮物包含在將該 前部基板附接至該背板之前在該背板之該表面上形成該 第二支樓物。 97.如請求項87之方法，其中形成該第二支撐物包含在將該 前部基板附接至該背板之前形成該第二支撐物以使得該 第二支撐物與該背板整體形成且由與該背板相同的材料 131122.doc 14 200900731 形成。 98. —種微機電系統（MEMS)裝置，其包含： 一前部基板，其具有一第一表面，該前部基板包括該 第一表面上之一陣列區域及一周邊區域； 一背板，其具有一面向該第一表面之第二表面，該第 一表面及該第二表面在其間具有一間隙，該背板包括該 第二表面上之一陣列區域及一周邊區域； 導電線，其在s亥前部基板之該周邊區域上延伸.及 一導電結構，其在該前部基板與該背板之該等周邊區 域之間延伸’該導電結構接觸該導電線。 99. 如請求項98之U，其中該導電結構定位於該導電線之 頂部上。 議·如請求項98之裝置，其巾該導電結構穿透該導電線。 種用於製造一包括—前部基板之干涉調變器之载體· 成’該前部基板包含形成於其上的大體上透明之電極 該載體總成包含： 可釋放結構，其具有一表面；及 複數個細長導雷彳, 守电條帶，其形成於該表面上，該等細 導電條帶大體上彼此平彳 双此十仃而在一方向上延伸。 102·如請求項1 〇 1之載髀她 戟溫〜成’其中該可釋放結構包含一 板。 103.如請求項101之載體總成 膜。 ’其中該可釋放結構包含― 1〇4.如請求項101之载體總成 其中该等細長導電條帶中之 131122.doc •15- 200900731 每一者具有一長度及一寬度，且其中該長度與該寬度之 一比率在約10:1至約1，〇〇〇,〇〇〇:1之間。 1〇5_如請求項ιοί之載體總成，其中該等導電條帶界定用於 多個干涉調變器之電極。 106.如請求項101之載體總成，其中該可釋放結構由鉬形 成。 1 07·如明求項1 〇 1之載體總成，其進一步包含一支撐該可釋 放結構之基板以使得該可釋放結構插入於該基板與該複 數個導電條帶之間。 108. 如请求項107之載體總成，其中該可釋放結構為一形成 於該基板之大體上整個部分上的釋放層。 109. 如請求項107之載體總成’其中該基板包含通孔。 如請求項107之載體總成，其中該基板由一多孔材料形 成。 ⑴·如請求項H)7之载體總成，其中該基板由可在不損害該 前部基板的情況下藉由#刻、灰化及實體剝離中之一者 而自該前部基板移除之一材料形成。 112•如叫求項1〇7之載體總成’其中該基板進一步包含形成 於及基板之-表面上的至少—支柱，該支柱支樓該等導 私條^且其中該至少一支柱與該基板整體形成且由與 該基板相同的材料形成。 113.如請求項112之載體她忐，盆击斗 秋體、、心成其中該可釋放結構為一橫向 壤繞該至少一支;夕磁μ ® 、 叉枉之犧牲層’該犧牲層部分地支撐該等 導電條帶。 131122.doc -16- 200900731 114. 一種干涉調變器，其包含： 一載體總成，其包含： 一可釋放結構，其具有一表面，及 複數個細長導電條帶，其形成於該表面上，該等細 長導電條帶大體上彼此平行而在一方向上延伸；及 一前部基板，其包含複數個支撐物及大體上透明之 電極，邊前部基板附接至該載體總成以使得該等導電 條帶由該等支撐物支撐。 115. —種製造一包含一前部基板之干涉調變器之方法，該前 部基板包含界定該前部基板上之空腔的複數個支撐物， 該前部基板進一步包含形成於該等空腔中之下部電極， 該方法包含： 提供一具有一表面的可釋放結構； 在該表面上沈積一可動電極材料； 在該可動電極材料上提供一遮罩以選擇性地曝露該可 動電極材料之部分； 使用該遮罩選擇性地蝕刻該可動電極材料，藉此形成 複數個可動電極條帶，該等可動電極條帶大體上彼此平 行而在一方向上延伸；及 在該前部基板上定位該可釋放結構以使得該等可動電 極條帶面向該前部基板之該等空腔。 116·如請求項115之方法’其中該可釋放結構包含一基板。 117·如請求項115之方法，其中該可釋放結構包括—大體上 平坦之表面，且其中該可動電極材料沈積於該大體上平 131122.doc 17 200900731 坦的表面上。 118.如請求項115之方法，其進— 構之後移除該可釋放結構。 119. 如請求項118之方法，其中該 120. 如請求項118之方法，

   其中該可釋放結構由鉬形成。 ’其中移除該可釋放結構包含灰

   12 1 ·如請求項11 8之方法 形成。 12 2.如譜ifc ’其中該可釋放結構由—聚合材料 如請求項115之方法，其進一 步包含在提供該可釋放結 構之前提供—基板’其中提供該可釋放結構包含在該基 板上形成該可釋放結構。 吻求項122之方法，其進一步包含在提供該 構之前於該基板上形成一支柱， …其中提供該可釋放結構包含形成—可釋放層以使得該 可釋放層橫向環繞該支柱且使得該支柱及該可釋放層一 同形成一大體上平坦之表面，且 ’、中4可動電極材料沈積於該大體上平坦之表面上。 124.如：求項122之方法，其中該基板由一多孔材料形成， 且其中該方法進一步包含經由該基板提供一蝕刻劑藉 此在定位該可釋放結構之後移除該可釋放結構。 汝°月求項122之方法，其中該基板包含通孔，且其中該 方法進一步包含經由該基板之該等通孔提供一蝕刻劑， 藉此在定位該可釋放結構之後移除該可釋放結構。 126. 一種微機電系統（MEMS)裝置，其包含： 131122.doc -18 · 200900731 一前部基板，其包含一陣列區域及一周邊區域，該前 部基板包含該陣列區域中在之間界定複數個較低區域之 複數個支撐物’該前部基板進—步包含該周邊區域中之 一凸區’該凸區之至少—部分具有與該陣列區域中之該 等支撐物大體上相同的高度； 複數個導體，其形成於該周邊區域中之該凸區上，該 等導體彼此電隔離；及 導電層，其形成於該前部基板之該等較低區域上。 127·如凊求項126之裝置’其中該等導體包含導引跡線及可 動電極條帶中之至少一者。 月长項126之裝f ’其中該複數個支撐物由一與該前 :基板之材料不同的材料形成，且其中該凸區由一與該 前部基板之材料不同的材料形成。 1 29.如明求項! 26之裝置，其中該複數個支撐物與該前部基 板整體形成且由與該前部基板相同的材料形成，且其中 X凸區與β亥别邛基板整體形成且由與該前部基板相同的 材料形成。 130.如請求項126之裝置，其中該前部基板進一步包含該周 邊區域中之複數個清槽，該等丨冓槽使該等導電跡線彼此 電隔離。 131_,請求項126之裝置’其中該複數個支樓物界定該陣列 區域中之複數個空腔，且其中該導電層形成該等空腔中 之固定電極。 132•如π求項131之裝置’其中該等空腔中之該導電層包含 131122.doc -19- 200900731 與該等導電跡線之材料相同的材料。 133. 如凊求項131之裝置，其進一步包含該複數個支撐物上 之一導電層，且其中該複數個支撐物上之該導電層包含 與該等空腔中之該導電層的材料相同之材料。 134. 如請求項126之裝置，其中該複數個支撐物包含軌道。 135. 如請求項126之裝置，其中該複數個導電跡線形成於該 凸區上，其中該前部基板進一步包含一形成於該複數個 導電跡線之部分上的絕緣層，其中該等導電跡線具有與 形成於該前部基板之該等較低區域上之該導電層大體上 相同的厚度’且其中該等導電跡線由與該導電層之材料 相同的材料形成。 136.如請求項126之裝置，其進一步包含形成於該前部基板 上，複數個可動電極，該等可動電極中之每一者自該陣 I區域上方延伸至該周邊區域上方，該等可動電極中之 母一者的一部分電接觸該等導電跡線中之一者的一 分。 137·如凊求項136之穿晉 使 ^ > 衮置，其進一步包含插入於該等可動 極中之每—者的該部分與該等導電跡線中之-者的該 分之間的—導電黏著材料。 138.二^於與—干涉調變器之—前部基板組合之載體， 則：基板包含形成於其上的大體上透明之電極，該載 包含. 、土板’其包括—陣列區域及-周邊區域； 、是數個可動電極條帶，其形成於該基板之該陣 131122.doc •20· 200900731 上，該等條帶大體上彼此平行而延伸；及 複數個導引跡線，其形成於該基板上，該等跡線中之 每-者自該等條帶中之-各別者延伸至該周邊區域。 139. —種微機電系統（MEMS)裝置，其包含： -前部基板，其包括-陣列區域及—周邊區域，該前 部基板包含該陣列區域中彼此平行而延伸之複數個軌 道，該等軌道界定該陣列區域中之複數個槽，該前部基 板進一步包含該周邊區域中之溝槽，該等溝槽中之每一 者自該等槽中之一各別者延伸；及 列導引跡線，其形成於該等溝槽中，該等列導引跡線 自該陣列區域令之該等槽延伸至該周邊區域之至少一部 分，該等列導引跡線彼此電隔離。 M0,如請求項139之裝置，其中該等溝槽界定該周邊區域中 之較低區域，其中該等較低區域隨著其自該陣列區域向 該周邊區域之該至少一部分延伸而升高。 141. 如請求項丨39之裝置，其進一步包含一定位於該周邊區 域之^亥至 邛分上的列驅動器及一使該列驅動器電連 接至e玄專列導引跡線之各向異性導電膜（acf)。 142. —種微機電系統（MEMS)裝置，其包含： 一則部基板，其具有一包含一陣列區域及一環繞該陣 列區域之周邊區域的表面，該前部基板包含： 該前部基板之該表面上之—環形密封區域，該密封 區域大體上環繞該陣列區域，該密封區域具有一在一 朝向該陣列區域之方向上延伸的第一寬度； 131122.doc -21 · 200900731 一形成至該基板中之凹座，該凹座具有一在該方向 上延伸之第二寬度，該第二寬度大於該第一寬度，該 凹座延伸跨越該密封區域之一部分，該凹座界定—低 於該前部基板之該表面的高度之高度； 一第一導電層’其形成於該前部基板之該表面 上；及 一第—導電層，其形成於該凹座中，其中該第一導 電層與該第二導電層彼此不連續。 143. 如請求項142之裝置，其進一步包含該第一導電層上之 一絕緣層，其中該凹座具有側壁，且其中該絕緣層進一 步包含一延伸至該凹座之該等側壁的部分。 144. 如明求項！ 43之裝置，其進一步包含—形成於該密封區 域上之該絕緣層上的導電密封劑，且其中該密封劑接觸 δ亥第二導電層而藉由該凹座之該側壁上的該絕緣層之該 部分與該第一導電層電隔離。 145. —種製造一微機電系統（MEMS)裝置之方法，該方法包 含： I 提供一前部基板，該前部基板具有一包含一陣列區域 及—導引區域之表面； 在該前部基板之該表面的該導引區域中形成一隔離溝 槽，該隔離溝槽包括一底表面及側壁，該隔離溝槽之 β亥底表面界定一低於該前部基板之該表面之高度的高 度；及 在該基板之該表面及該隔離溝槽之該底表面上形成一 131122.doc -22· 200900731 導電層以使得該導電層在該基板之該表面與該隔離溝槽 之間為不連續的。 146.如求項145之方法，其進一步包含在該基板之該表面 上形成一導體以使得該導體跨越該隔離溝槽。 147_如請求項146之方法’其中形成該導體包含形成該導體 以接觸該隔離溝槽之該底表面上的該導電層，且其中該 方法進步包含在该基板之該表面上的該導體與該導電 層之間及該導體與該隔離溝槽之該等㈣之間形 緣層。 、 148·如凊求項147之方法’其中該前部基板進—步包含一至 少部分地上覆該導引區域之環形密封區域，該密封區域 大體上環繞該陣列區域，該密封區域具有一在一朝向該 降列區域之方向上延伸的第一宫许. 乐見度，且其中該隔離溝槽 具有一在該方向上延伸之笫-官Λ^ 甲《弟—見度’該第二寬度大於該 一寬度，該隔離溝槽延伸跨越該密封區域之一部分。 149.如請求項148之方法，其 / ^ 少包含在形成該導電層之 後及形成該絕緣層之前藉由一蔽蔭遮罩來遮罩該表面之 至少-部分，該蔽蔭遮罩包含一跨越該隔離溝槽之一部 分上的該密封區域之連接器，其中形成該絕緣層包含在 該蔽备遮罩處於該表面上的情況下在該前部基板之該表 面上沈積一絕緣材料。 150U項149之裝置’其中形成該導體包含在該密封區 域上的該絕緣層上形成一導電密封劑。 151. -種製造一干涉調變器之方法，該方法包含： I31122.doc -23· 200900731 提供一基板，該基板包含其一表面上之空腔； 在該基板之該表面上提供一包含一光吸收材料之液體 /扣口物以使得該液體混合物填充該等空腔之至少部 分；及 在提供該液體混合物之後自該基板之該等空腔部分地 移除該液體混合物之一組份以使得該光吸收材料之至少 一部分保留於該等空腔中。 152 153. 154. 155. 156. 157. 158. ，如凊求項151之方法，其中部分地移除該組份包含使該 液體混合物之該組份乾燥。 一種干涉調變器，其包含·· 一基板，其具有—表面，該基板包含形成於該基板之 該表面上的複數個支撐物；及 一光吸收材料，其形成於該基板之該表面上，該材料 之大體上所有經定位於該等支撐物與該表面接合的轉角 處。 如請求項153之干涉調變器，其中該等支撐物與該基板 整體形成且由與該基板相同的材料形成。 如請求項153之干涉調變器’其中該等支撐物包含轨道 及/或支柱。 如請求項153之干涉調變器，其中該光吸收 化銅。 3乳 如請求項153之干涉調變器，其中該光吸收材料包含石 墨。 3 如請求項153之干涉調變器，其中該光吸收枒料包含碳 131122.doc -24- 200900731 159. —種製造一干涉調變器之方法，該方法包含： 在—基板上形成支撐結構；及 在开^成該等支擇結構之後在該基板上沈積一黑色遮罩 材料。 160.如明求項159之方法，其中該等支撐結構界定具有底部 之二腔，且其中該方法進一步包含將該黑色遮罩材料之 大體上所有保留於該專支撐結構與該等空腔之該等底部 接合的轉角處。 如吻求項159之方法，其中沈積該黑色遮罩材料包含在 u基板上提供包含該黑色遮罩材料之一液體混合物。 162,如請求項161之方法，其中該黑色遮罩材料包含氧化 鋼。 °月求項1 61之方法，其中該黑色遮罩材料包含石墨。 °月求項1 6 1之方法，其中該黑色遮罩材料包含碳黑。 165. 如請求項161之方法，其中該液體混合物包含—有機溶 劑。 ' 166. 如凊求項159之方法，其進一步包含自該基板上方乾燥 液體混合物。 μ 167·如=求項159之方法，其進一步包含在該等支撐結構之 了頁部上及空腔之底部上形成光學堆疊。 168·如請求们59之方法，其中該等支撐結構之 學堆叠充當-黑色遮罩。 先 1 69.種製造一靜態干涉顯示裝置之方法，該方法包含： 131122.doc -25- 200900731 八提供一第一基板，該第一基板包含一形成於其上之部 刀=明層，該第一基板由一大體上透明之材料形成； 提供-第二基板，該第二基板包含一形成於其上之鏡 面層，其中該第一基板及該第二基板中之至少—者包括 基於該靜態干涉裝置經組態以顯示之-影像而圖案：的 空腔；及 ^

   層壓該第-基板與該第二基板，其中該部分透明層面 向該第二基板，其中該鏡面層面向該第—基板，且其中 該等基板中之一者的該等空腔面向該等基板中之另— 者0 170.如請求項169之方法，其中該第一基板包括該等空腔， 且其中該第二基板大體上平坦。 171_如請求項169之方法，其中該第一基板大體上平坦且 其中該第二基板包括該等空腔。 172. 如請求項169之方法，其中該等空腔具有多個深度來以 干涉方式產生多個色彩。 173. —種製造一靜態干涉顯示裝置之方法，該方法包含： 提供一包含一第一表面之第一基板，該第一表面包括 複數個空腔，該等空腔具有至少一深度，該等空腔至少 部分地基於该靜態干涉顯示裝置經組態以顯示之一影像 而經圖案化； 提供一包括一第二表面之第二基板；及 將該第一基板附接至該第二基板以使得該第一表面面 向該第二表面。 131122.doc -26- 200900731 174.如請求項173之方法，其中提供該第一基板包含藉由使 用一壓印過程、一光微影與蝕刻過程及一雕刻過程中之 一者來定形該第一基板。 175.2請求項173之方法，其中提供該第一基板包含形成界 定該等空腔之支撐結構，該等支撐結構與該第一基板整 體开乂成且由與該第一基板相同的材料形成。 如請求項175之方法，其進一步包含在該等支撐結構之 頂部上形成一部分反射層或一鏡面層。 177.如請求項173之方法，其中提供該第一基板包含界定該 等空腔以使得該等空腔具有平滑過渡之深度。 1 78· 4明求項丨73之方法，其中該第一基板由一大體上透明 之材料形成，其中提供該第一基板包含在該第一基板之 該等空腔中形成一部分反射層，且其中提供該第二基板 包含在該第二基板之該第二表面上形成一鏡面層。 179· 士明求項178之方法，其進一步包含在形成該部分反射 層之後及將該第一基板附接至該第二基板之前藉由一大 體上透明之材料填充該第一基板之該等空腔的至少一部 分。 180. 如吻求項179之方法，其進一步包含在填充該等空腔之 該至少一部分之後及將該第一基板附接至該第二基板之 前在該大體上透明之材料上形成一鏡面層。 181. 如睛求項173之方法，其中該第二基板由一大體上透明 ^材料形成，其中提供該第一基板包含在該第一基板之 忒等空腔中形成一鏡面層；且其中提供該第二基板包含 131122.doc -27· 200900731 在該第二基板之該第二表面上形成一部分反射層。 女明求項181之方法，其進一步包含在形成該鏡面層之 後及將該第一基板附接至該第二基板之前藉由一大體上 透月之材料支真充該第一基板之該等空腔的至少一部分。 183. —種靜態干涉顯示裝置，其包含·· 。刀。

   —第基板，其包括一第一表面，該第一基板包括界 定^第—表面上之空腔’該等空腔至少部分地基於該 靜態干涉顯示裝置經組態以顯示之—影像而經圖案化， 其中: 亥第-基板由-大體上透明之材料形成； -第二基板’其附接至該第—基板，該第二基板包括 一面向該第一表面之第二表面；及 一部分反射層，其處於該第—基板之該等空腔中。 Μ如請求項183之裝置’其中該第-基板包含界定該等空 :支揮、，，σ構’該等支樓結構與該第—基板整體形成且 由與該第一基板相同的材料形成。 如明求項183之裝置’其中該等空腔具有平滑過渡之深 度。 1 86.如請求項183之裝置 二表面上的一鏡面層 187.如請求項183之裝置 成。 其進一步包含該第二基板之該第 其中該第二基板由一反射材料形 其中該第二基板包含一鏡面金屬 188.如請求項187之裝置 箔。 189.如請求項183之裝置 其進一步包含填充該第一基板之 131122.doc -28- 200900731 '"二工 父―部分的—大體上透明之填充劑。 190. 如請求項189之裝置，其進一步包含兮 充劑上之一鏡 X 透明之填 八中該鏡面層面向該等空腔。 191. 一種靜態干涉顯示裝置，其包含： —第基板，其包括一第一表面，該第-基板包括界 定於該第-表面上之空腔，該等空腔至少部分地基於該 Μ干涉顯示㈣經組態以顯示之—影像㈣圖案化； { 一第二基板’其附接至該第—基板，該第二基板包括 -面向該第-表面之第二表面，其中該第二基板由一大 體上透明之材料形成； 一鏡面層，其處於該第-基板之該第-表面上；及 -部分反射層，其處於㈣二基板之該第二表面上。 192•如明求項191之裝置’其進一步包含填充該第—基板之 該等空腔之至少-部分的_大體上透明之填充劑。 193.如請求項191之裂置，其中該第-基板包含界定該等空 腔之支推結構’該等切結構與該第—基板整體形成且 由與该第一基板相同的材料形成。 131122.doc 29.