KR101135745B1 - 방향족 아민 조성물 및 상기 조성물로 제조된 전자디바이스 - Google Patents

방향족 아민 조성물 및 상기 조성물로 제조된 전자디바이스 Download PDF

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Abstract

본 발명은 신규 가교성 중합체 및 이 중합체를 포함하는 1개 이상의 층을 함유하는 다양한 전자 디바이스에 관한 것이다. 화합물은 단량체로서 작용할 수 있어서 상기 단량체로부터 공중합체 형성될 수 있고, 상기 공중합체는 중합 단위로서, 상기 화합물의 복수의 단위를 포함한다.
방향족 아민, 가교성 기, 전자 디바이스

Description

방향족 아민 조성물 및 상기 조성물로 제조된 전자 디바이스 {AROMATIC AMINE COMPOSITIONS COMPRISING AND ELECTRONIC DEVICES MADE WITH SUCH COMPOSITIONS}
본 발명은 전자 디바이스의 제조에서 정공 수송 물질로서 유용한 신규 화합물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 정공 수송 물질을 포함하는 1개 이상의 활성층을 갖는 전자 디바이스에 관한 것이다.
유기 광활성 전자 디바이스, 예를 들어 OLED 디스플레이를 구성하는 유기 발광 다이오드 ("OLED")에서, 유기 활성층은 OLED 디스플레이에서 2개의 전기 접촉층 사이에 샌드위치된다. OLED에서 유기 광활성층은 전기 접촉층을 통한 전압 인가시 광-투과 전기 접촉층을 통해 발광한다.
발광 다이오드에서 활성 성분으로서 유기 전기발광(elctroluminescent) 화합물을 사용하는 것은 널리 공지되어 있다. 간단한 유기 분자, 공액 중합체, 및 유기금속 착물이 사용되어 왔다.
광활성 물질을 사용하는 디바이스는 흔히 광활성 (예를 들어, 발광)층과 접촉층 (정공-주입 접촉층) 사이에 위치된 1개 이상의 전하 수송층을 포함한다. 디바이스는 2개 이상의 접촉층을 함유할 수 있다. 정공 수송층은 광활성층과 정공- 주입 접촉층 사이에 위치될 수 있다. 정공-주입 접촉층은 또한 애노드라 불릴 수 있다. 전자 수송층은 광활성층과 전자-주입 접촉층 사이에 위치될 수 있다. 전자-주입 접촉층은 또한 캐쏘드라 불릴 수 있다.
광-활성 디바이스를 비롯한 전자 디바이스의 제조는 필름 형성능, 용해도, 및 열안정성을 비롯한, 디바이스에서 사용되는 물질의 특정 특성에 의존한다. 또한, 이들 물질은 디바이스에서 다중층을 형성하는데 사용될 경우 감소된 용해도를 갖는 것이 자주 바람직하다.
전자 디바이스에서 사용하기 위한 전하 수송 물질이 계속 요구되어 왔다.
<발명의 요약>
본원에서 개시된 화합물은 전자 디바이스에서 사용하기 위한 전하 수송층을 제조하는데 유용하다. 전하 수송층은 전하 수송 능력이 필요한 임의의 응용분야에서 사용될 수 있다. 일부 용도의 예는 비제한적으로, 유기 발광 다이오드 ("OLED"), 광기전력 전지, 광 센서, 박막 유기 트랜지스터, 광전도체, 및 전기사진 분야를 포함한다.
본원에서 기재된 신규 화합물 및 조성물을 포함하는 1개 이상의 층 갖는 것으로부터 이익을 얻을 수 있는 다른 유기 전자 디비아스의 예는 (1) 전기 에너지를 복사에너지로 전환하는 디바이스 (예를 들어, 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이, 또는 다이오드 레이저), (2) 전자 프로세스를 통해 신호를 검출하는 디바이스 (예를 들어, 광검출기, 광전도성 전지, 포토레지스터, 포토스위치, 포토트랜지스터, 포토튜브, IR 검출기), (3) 복사에너지를 전기 에너지로 전환하는 디바이 스 (예를 들어, 광기전력 디바이스 또는 태양 전지), 및 (4) 1개 이상의 유기 반도체 층을 포함하는 하나 이상의 전자 성분 (예를 들어, 트랜지스터 또는 다이오드)을 포함하는 디바이스를 포함한다.
본원에서 개시된 조성물 및 방법은 물질의 침착 후 전자 디바이스에서 사용하기 위해 화합물의 용해도를 감소시켜서 디바이스에서 층을 형성한다. 본원에서 개시된 화합물은 가교성이어서 가교성 기를 화합물 내에 혼입시킴으로써 화합물에서 가교를 유도할 수 있다.
가교성 기의 예는 치환된 비닐기, 아크릴레이트기 (예를 들어, 에테닐 (CH2=CH-)), 프로페닐 ((CH3)(H)C=CH-), 아크릴로일 (CH2=CH-C(O)-O-), 및 메타크릴로일 (CH2=C(CH3)-C(O)-O-), 시클릭 에테르 및 실록산을 포함한다. 추가로, 가교성 또는 "가교" 기는 예비 형성된 지지체에 결합하고, 지지체에 결합된 후 추가로 중합될 수 있는 임의의 유기 단편일 수 있다. 일반적으로 임의의 중합성 기가 가교성 기로 작용할 수 있다. 임의의 유기 또는 무기 물질은 목적하는 용해도 특성을 충족시키고 화합물을 지지체 표면에 공유적으로 결합할 수 있는 반응성 자리를 갖는한 지지체로서 사용될 수 있다. 이러한 물질은 널리 공지되어 있고 폴리스티렌, 폴리알콜, 폴리아크릴레이트, 폴리실란 및 폴리실록산을 포함한다.
본 발명의 한 면은 화학식 (I)을 갖는 화합물이다.
Figure 112006067371723-pct00001
상기 식 중, n은 1 이상의 정수이고 R1은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택된다. 상기 화합물은 하나 이상의 기 R1을 포함하고, R1은 각 경우에 상이할 수 있다. 예를 들어, 화학식 (I)로 나타낸 화합물은 단량체로서 작용할 수 있어서 상기 화합물로부터 공중합체가 형성될 수 있고, 상기 공중합체는 중합 단위로서, 하나 이상의 단위가 다른 단위에 있는 R1과 상이한 R1을 함유하는 화학식 (I)을 갖는 복수의 단위를 포함한다. 일부 실시양태에서, R1은 아릴이다.
R3은 H 및 R1로부터 선택된다. R2는 H, 아릴, 알킬, 플루오로알킬, Cl, Br, I, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부 착된 가교성 기, 가교성 기, 및 화학식 (II)의 아릴아미노 기로부터 선택된다.
Figure 112006067371723-pct00002
상기 식 중, R4는 아릴, H, R1, 알킬, 및 플루오로알킬로부터 선택된다. 일부 실시양태에서 R4는 아릴이다. R7은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, R2는 H이다. 일부 실시양태에서, R2는 R3과 상이하다. 일부 실시양태에서, R2는 H이고 R3은 아릴이다. 일부 실시양태에서, R1 또는 R3이 질소 원자에 직접 결합되면, 가교성 기는 비닐기가 아니다.
E는 O, S, (SiR5R6)m (여기서, m 은 1 내지 20의 정수임), (CR5R6)m (여기서, m은 1 내지 20의 정수임), 및 이의 조합으로부터 선택되고, 각 경우에 상이할 수 있으며, R5 및 R6은 각각 독립적으로 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오 로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 가교성 기, 및 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 또는 플루오로아릴옥시에 부착된 가교성 기로부터 선택될 수 있고, R5 및 R6은 함께 비-방향족 고리를 형성할 수 있되, E가 (CR5R6)m이고 n이 1보다 크고 m이 1인 경우, R5 및 R6 중 하나 이상은 수소 또는 탄화수소가 아니다.
일부 실시양태에서, 화학식 (I)의 화합물 중 1개 이상의 방향족 고리는 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 및 가교성 기로부터 독립적으로 선택된 하나 이상의 치환체를 갖는다. 추가 실시양태에서, 화학식 (I)의 화합물에서 2개의 이웃하는 방향족 고리 상의 치환체는 함께 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있다. 이웃하는 방향족 고리는 인접할 또는 이웃할(vicinal) 수 있다. 추가 실시양태에서, 단일 고리 상의 인접한 치환체는 연결되어 융합 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, R1은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, R1은 신나메이트 및 칼콘기로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, n은 1, R2는 H이고, R3은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택된다.
본 발명의 다른 면은 상기에 정의된 화학식 (I)을 갖는 화합물을 포함하는 조성물이다.
본 발명의 다른 면은 화학식 (III)의 화합물이다.
Figure 112006067371723-pct00003
상기 식 중, n은 1 이상의 정수이고, R1은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택된다. R1은 각 경우에 (즉, 공중합체) 상이할 수 있다. R2는 H, 아릴, 알킬, 플루오로알킬, Cl, Br, I, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기, 가교성 기, 및 화학식 (II)의 아릴아미노로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, R1 또는 R3이 질소 원자에 직접 결합되면, 가교성 기는 비닐기가 아니다. 일부 실시양태에서, R2는 H 또는 아릴이다. R4는 아릴, H, R1, 알킬, 플루오로알킬로부터 선택된다. 일부 실시양태에서 R4는 아릴이다. R7은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택된다.
E는 O, S, (SiR5R6)m (여기서, m 은 1 내지 20의 정수임), (CR5R6)m (여기서, m은 1 내지 20의 정수임), 및 이의 조합으로부터 선택되고, 각 경우에 상이할 수 있으며, R5 및 R6은 각각 독립적으로 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 가교성 기, 및 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시 또는 플루오로아릴옥시에 부착된 가교성 기로부터 선택되고, R5 및 R6은 함께 비-방향족 고리를 형성할 수 있되, E가 (CR5R6)m이고 n이 1보다 크고 m이 1인 경우, R5 및 R6 중 하나 이상은 수소 또는 탄화수소가 아니다.
일부 실시양태에서, 화학식 (III)의 화합물 중 1개 이상의 방향족 고리는 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시 및 가교성 기로부터 선택된 치환체를 갖는다. 추가 실시양태에서, 화학식 (III)의 화합물에서 2개의 이웃하는 방향족 고리 상의 치환체는 함 께 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있다. 추가 실시양태에서, 단일 고리 상의 인접 치환체는 연결되어 융합 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, R1은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, n은 1이고 R2는 화학식 (II)의 아릴아미노 (여기서, R4는 아릴, H, R1, 알킬 및 플루오로알킬로부터 선택됨)이다. 일부 실시양태에서, n은 1이고, R1은 페닐, 1-나프틸 또는 2-나프틸로부터 선택되고 R2는 신나밀기이다. 일부 실시양태에서, n은 1이고, R1은 페닐, 1-나프틸 또는 2-나프틸로부터 선택되고 R2는 화학식 (II)의 아릴아미노 (여기서, R4는 아릴, H, 또는 신나메이트로부터 선택됨)이다. 일부 실시양태에서, R1은 페닐, 1-나프틸 또는 2-나프틸로부터 선택되고 R2는 H 또는 아릴로부터 선택되고 E는 (CR5R6)m (여기서 R5는 알킬, 아릴, 알콕시로부터 선택되고 R6은 가교성 기임)로부터 선택된다.
본 발명의 다른 면은 상기에 정의된 화학식 (III)의 화합물을 포함하는 조성물이다.
본 발명의 다른 면은 화학식 (IV)의 화합물이다.
Figure 112006067371723-pct00004
상기 식 중, R1은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택되고, 각 경우에 (즉, 공중합체) 상이할 수 있다. 일부 실시양태에서, R1은 아릴이다. R2는 H, 아릴, 알킬, 플루오로알킬, Cl, Br, I, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기, 가교성 기, 및 화학식 (II)의 아릴아미노부터 선택된다. 일부 실시양태에서, R1 또는 R3이 질소 원자에 직접 결합되면, 가교성 기는 비닐기가 아니다. 일부 실시양태에서, R2는 H 또는 아릴이다. R4는 아릴, H, R1, 알킬, 플루오로알킬로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, R4는 아릴이다. R7은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자, 예를 들 어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택된다.
E는 O, S, (SiR5R6)m (여기서, m 은 1 내지 20의 정수임), (CR5R6)m (여기서, m은 1 내지 20의 정수임), 및 이의 조합으로부터 선택되고, 각 경우에 상이할 수 있으며, R5 및 R6은 각각 독립적으로 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 가교성 기, 및 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시 또는 플루오로아릴옥시에 부착된 가교성 기로부터 선택되고, R5 및 R6은 함께 비-방향족 고리를 형성할 수 있되, E가 (CR5R6)m이고 n이 1보다 크고 m이 1인 경우, R5 및 R6 중 하나 이상은 수소 또는 탄화수소가 아니다.
일부 실시양태에서, 화학식 (IV) 화합물 중 1개 이상의 방향족 고리는 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시 및 가교성 기로부터 선택된 치환체를 갖는다. 일부 실시양태에서, R1은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, n은 1, R2는 H이고, R3은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, n은 1, R1은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택되고 R2는 신나밀기이다.
본 발명의 다른 면은 상기에 정의된 화학식 (IV)를 갖는 화합물을 포함하는 조성물이다.
본 발명의 다른 면은 상기에 정의된 화학식 (I) 또는 (III)을 갖는 1종 이상의 관능성 단량체를 상기에 정의된 1종 이상의 가교성 기와 공중합하여 제조된 공중합체를 포함하는 조성물이다. 중합은 열 또는 광화학 중합 방법을 사용하여 수행될 수 있다.
가교는 중합 동안 또는 후에 수행될 수 있다. 한 실시양태에서, R2는 감광성 또는 감열성 기이고 가교는 화학식 (I)의 1종 이상의 단량체의 중합 후에 개시될 수 있다. 상기 기를 갖는 중합체는 필름으로 형성될 수 있고 이어서 열 또는 화학 방사선으로 처리하여 가교된다. 가교된 필름은 일반적으로 더 단단하고 후속 가공 단계에서 사용될 수 있는 용매에 대해 내용매성이다. 가교 기는 널리 공지되어 있고, 일부는 중합체의 목적하는 특성에 불리하게 영향을 미치지 않을 만큼 사용될 수 있다.
다른 실시양태는 화학식 (I)을 갖는 화합물을 포함하는 조성물을 포함하는 1개 이상의 층을 갖는 전자 디바이스이다.
<화학식 I>
Figure 112006067371723-pct00005
상기 식 중, n은 1 이상의 정수이고 R1은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택된다. 상기 화합물은 하나 이상의 기 R1을 포함하고, R1은 각 경우에 상이할 수 있다. 예를 들어, 화학식 (I)로 나타낸 화합물은 단량체로서 작용할 수 있어서 상기 화합물로부터 공중합체가 형성될 수 있고, 상기 공중합체는 중합 단위로서, 하나 이상의 단위가 다른 단위에 있는 R1과 상이한 R1을 함유하는 화학식 (I)을 갖는 복수의 단위를 포함한다. 일부 실시양태에서, R1은 아릴이다.
R3은 H 및 R1로부터 선택된다. R2는 H, 아릴, 알킬, 플루오로알킬, Cl, Br, I, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기, 가교성 기, 및 화학식 (II)의 아릴아미노 기로부터 선택된다.
<화학식 II>
Figure 112006067371723-pct00006
상기 식 중, R4는 아릴, H, R1, 알킬, 및 플루오로알킬로부터 선택된다. 일부 실시양태에서 R4는 아릴이다. R7은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, R1 또는 R3이 질소 원자에 직접 결합되면, 가교성 기는 비닐기가 아니다.
일부 실시양태에서, R2는 H이다. 일부 실시양태에서, R2는 R3과 상이하다. 일부 실시양태에서, R2는 H이고 R3은 아릴이다.
E는 O, S, (SiR5R6)m (여기서, m 은 1 내지 20의 정수임), (CR5R6)m (여기서, m은 1 내지 20의 정수임), 및 이의 조합으로부터 선택되고, 각 경우에 상이할 수 있으며, R5 및 R6은 각각 독립적으로 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오 로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 가교성 기, 및 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 또는 플루오로아릴옥시에 부착된 가교성 기로부터 선택될 수 있고, R5 및 R6은 함께 비-방향족 고리를 형성할 수 있되, E가 (CR5R6)m이고 n이 1보다 크고 m이 1인 경우, R5 및 R6 중 하나 이상은 수소 또는 탄화수소가 아니다.
일부 실시양태에서, 화학식 (I)의 화합물 중 1개 이상의 방향족 고리는 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 및 가교성 기로부터 독립적으로 선택된 하나 이상의 치환체를 갖는다. 추가 실시양태에서, 화학식 (I)의 화합물에서 2개의 이웃하는 방향족 고리 상의 치환체는 함께 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있다. 이웃하는 방향족 고리는 인접할 또는 이웃할 수 있다. 추가 실시양태에서, 단일 고리 상의 인접한 치환체는 연결되어 융합 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, R1은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, R1은 신나메이트 및 칼콘기로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, n은 1, R2는 H이고, R3은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 디바이스는 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이, 레이저 다이오드, 광검출기, 광전도성 전지, 포토레지스터, 포토스위치, 포토트랜 지스터, 포토튜브, IR-검출기, 광기전력 디바이스, 태양 전지, 광센서, 광전도체, 전기사진 디바이스, 트랜지스터 및 다이오드로부터 선택된다.
본 발명의 다른 면은 화학식 (III)의 화합물을 포함하는 조성물을 포함하는 1개 이상의 층을 갖는 전자 디바이스이다.
<화학식 III>
Figure 112006067371723-pct00007
상기 식 중, n은 1 이상의 정수이고, R1은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택된다. R1은 각 경우에 (즉, 공중합체) 상이할 수 있다. R2는 H, 아릴, 알킬, 플루오로알킬, Cl, Br, I, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기, 가교성 기, 및 화학식 (II)의 아릴아미노 로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, R2는 H 또는 아릴이다. R4는 아릴, H, R1, 알킬, 플루오로알킬로부터 선택된다. 일부 실시양태에서 R4는 아릴 또는 스티릴이다. R7은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택된다.
E는 O, S, (SiR5R6)m (여기서, m 은 1 내지 20의 정수임), (CR5R6)m (여기서, m은 1 내지 20의 정수임), 및 이의 조합으로부터 선택되고, 각 경우에 상이할 수 있으며, R5 및 R6은 각각 독립적으로 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 가교성 기, 및 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시 또는 플루오로아릴옥시에 부착된 가교성 기로부터 선택되고, R5 및 R6은 함께 비-방향족 고리를 형성할 수 있되, E가 (CR5R6)m이고 n이 1보다 크고 m이 1인 경우, R5 및 R6 중 하나 이상은 수소 또는 탄화수소가 아니다.
일부 실시양태에서, 화학식 (III)의 화합물 중 1개 이상의 방향족 고리는 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시 및 가교성 기로부터 선택된 치환체를 갖는다. 추가 실시양 태에서, 화학식 (III)의 화합물에서 2개의 이웃하는 방향족 고리 상의 치환체는 함께 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있다. 추가 실시양태에서, 단일 고리 상의 인접 치환체는 연결되어 융합 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, R1은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, n은 1이고, R2는 화학식 (II)의 아릴아미노 (여기서, R4는 아릴, H, R1, 알킬, 및 플루오로알킬로부터 선택됨)이다. 일부 실시양태에서, n은 1이고, R1은 페닐, 1-나프틸 또는 2-나프틸로부터 선택되고 R2는 스티릴 또는 신나메이트이다. 일부 실시양태에서, n은 1이고, R1은 페닐, 1-나프틸 또는 2-나프틸로부터 선택되고 R2는 화학식 (II)의 아릴아미노 (여기서, R4는 아릴, H, 스티릴 또는 신나메이트로부터 선택됨)이다. 일부 실시양태에서, R4는 아릴스티릴이다. 일부 실시양태에서, R1은 페닐, 1-나프틸 또는 2-나프틸로부터 선택되고 R2는 H 또는 아릴로부터 선택되고 E는 (CR5R6)m (여기서 R5는 알킬, 아릴, 알콕시로부터 선택되고 R6은 가교성 기임)로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, R1 또는 R3이 질소 원자에 직접 결합되면, 가교성 기는 비닐기가 아니다.
일부 실시양태에서, 디바이스는 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이, 레이저 다이오드, 광검출기, 광전도성 전지, 포토레지스터, 포토스위치, 포토트랜 지스터, 포토튜브, IR-검출기, 광기전력 디바이스, 태양 전지, 광센서, 광전도체, 전기사진 디바이스, 트랜지스터, 및 다이오드로부터 선택된다.
본 발명의 다른 면은 화학식 (IV)의 화합물을 포함하는 조성물을 포함하는 1개 이상의 층을 갖는 전자 디바이스이다.
<화학식 IV>
Figure 112006067371723-pct00008
상기 식 중, R1은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택되고, 각 경우에 (즉, 공중합체) 상이할 수 있다. 일부 실시양태에서, R1은 아릴이다. R2는 H, 아릴, 알킬, 플루오로알킬, Cl, Br, I, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, R2는 H 또는 가교성 기이다. R3은 H 및 R1로부터 선택된다. 일부 실시 양태에서, R3은 아릴이다. 일부 실시양태에서, R2는 R3과 상이하다. 일부 실시양태에서, R2는 비닐이고 R3은 아릴이다. R4는 아릴, H, R1, 알킬, 플루오로알킬로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, R4는 아릴이다. R7은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택된다.
E는 O, S, (SiR5R6)m (여기서, m 은 1 내지 20의 정수임), (CR5R6)m (여기서, m은 1 내지 20의 정수임), 및 이의 조합으로부터 선택되고, 각 경우에 상이할 수 있으며, R5 및 R6은 각각 독립적으로 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 가교성 기, 및 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 또는 플루오로아릴옥시에 부착된 가교성 기로부터 선택되고, R5 및 R6은 함께 비-방향족 고리를 형성할 수 있되, E가 (CR5R6)m이고 n이 1보다 크고 m이 1인 경우, R5 및 R6 중 하나 이상은 수소 또는 탄화수소가 아니다.
일부 실시양태에서, 화학식 (IV) 화합물 중 1개 이상의 방향족 고리는 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플 루오로아릴옥시 및 가교성 기로부터 선택된 치환체를 갖는다. 일부 실시양태에서, R1은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, n은 1, R2는 H이고, R3은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, n은 1, R1은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택되고 R2는 신나밀기이다.
일부 실시양태에서, 디바이스는 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이, 레이저 다이오드, 광검출기, 광전도성 전지, 포토레지스터, 포토스위치, 포토트랜지스터, 포토튜브, IR-검출기, 광기전력 디바이스, 태양 전지, 광센서, 광전도체, 전기사진 디바이스, 트랜지스터 및 다이오드로부터 선택된다.
본 발명의 다른 면은 상기에 정의된 화학식 (I) 또는 (III)을 갖는 1종 이상의 관능성 단량체를 상기에 정의된 가교성 기와 공중합하여 제조된 공중합체를 포함하는 조성물을 포함하는 1개 이상의 층을 갖는 전자 디바이스이다. 중합은 열 또는 광화학 중합 방법을 사용하여 수행될 수 있다.
일부 실시양태에서, 본원에서 개시된 화합물을 포함하는 조성물은 액체이다. 상기 액체는 예를 들어 용액 또는 분산액의 형태일 수 있다.
본 발명의 추가 면은 전자 디바이스를 제조하는 방법이다. 상기 방법은 상기에 기재된 화학식 (1)을 갖는 화합물을 포함하는 액체를 제공하는 단계; 애노드를 제공하는 단계; 상기 화합물을 포함하는 상기 액체를 상기 애노드와 접촉시키는 단계; 상기 화합물로부터 상기 액체를 제거하여 정공 수송 필름을 제조하는 단계; 이미터(emitter)를 제공하는 단계; 상기 이미터를 상기 정공 수송 필름에 인접하게 배치하는 단계; 전자 수송체를 제공하고 상기 전자 수송체를 상기 이미터에 인접하게 배치하는 단계; 및 캐쏘드를 상기 전자 수송체에 인접하게 제공하는 단계를 포함한다. 액체는 예를 들어 용액 또는 분산액일 수 있다.
달리 정의되지 않으면, 본원에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 당업자에게 통상적으로 이해되는 유사한 의미를 갖는다. 달리 정의되지 않으면, 도면의 모든 문자 기호는 원소 기호를 갖는 원자를 나타낸다. 본원에 기재된 것과 유사하거나 동일한 방법 및 물질이 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 물질은 하기에 기재된다.
본원에 언급된 모든 출판물, 특허 출원, 특허 및 다른 문헌은 이의 전문이 참고로 도입되어 있다. 갈등의 경우, 정의를 비롯한 본 명세서는 조절될 것이다. 추가로, 물질, 방법, 및 실시예는 단지 예시이고 본 발명의 제한을 의도하지 않는다.
상기의 일반적인 설명 및 하기의 상세한 설명은 예시 및 설명일 뿐이고, 청구항에서 한정된 바와 같이, 본 발명을 제한하고자 함이 아니다.
본 발명은 첨부 도면으로 제한되지 않으면서 예로서 설명된다.
도 1 : 본원에서 개시된 신규 화합물을 포함하는 1개 이상의 층을 포함하는 유기 전자 디바이스의 일례를 도시한다.
본원에서 개시된 화합물은 트리아릴아민 유도체이고, 이량체, 올리고머 또는 중합체, 특히 이량체의 형태일 수 있고, 가교성 기를 함유한다. 화합물은 더 작은 분자, 예를 들어 트리아릴아민의 전자적 장점을 중합체 화합물의 용액 가공성, 필름 형성능, 용해도 특성, 및 열안정성과 함께 제공할 수 있다. 특히, 화합물은 용액으로 제공되고 용액 공정에서 사용되어 전자 디바이스를 제조할 수 있다는 것이 발견되었다.
또한 액체 조성물을 비롯한, 화합물을 함유하는 조성물이 제공된다.
추가로, 화합물은 침착에 이어서 열 또는 광-가교 반응에 의해 불용성이 될 수 있다. 가교된 필름은 일반적으로 단단하고 후속 가공 단계에서 사용될 수 있는 용매에 대해 내용매성이다. 가교 기는 널리 공지되어 있고, 본 발명의 화합물의 목적하는 특성에 불리한 영향을 미치지 않는 한 임의의 것이 사용될 수 있다.
한 실시양태에서, 화합물이 유용한 전자 디바이스는 OLED 디바이스이다. 일반적으로 증착 방법을 사용하여 전자 디바이스를 제조하는데 정공 수송 물질로서 통상적으로 사용되는 공지 화합물, 예를 들어 NPD (N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘) 및 TPD (4,4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]비페닐)에 비해, 본원 화합물은 개선된 열안정성을 갖고 통상적인 용매 중에서 선택적으로 용해될 수 있다. 선택적으로 용해된다는 것은 화합물이 일부 용매에서는 가용성 또는 실질적으로 가용성이고 일부 용매에서는 불용성 또는 실질적으로 불용성이 될 수 있음을 의미한다. 예를 들어, 화합물을 전자 디바이스를 제조하는데 사용할 경우, 가용성 또는 실질적으로 가용성인 용매 중에 화합물을 제공하고, 화합물이 불용성 또는 실질적으로 불용성인 다른 용매를 그 위에 침착시키는 것이 종종 바람직하다. 가용화는 화합물 상의 치환기 변형에 의해 제공되거나 또는 증가될 수 있다.
특정 화합물 또는 관련된 부류의 화합물에 대해 적합한 용매는 당업자에 의해 쉽게 결정될 수 있다. 일부 응용분야를 위해, 화합물은 비수성 용매 중에 용해되는 것이 바람직하다. 상기 비수성 용매는 비교적 극성 용매, 예를 들어 C1 내지 C20 알콜, 에테르, 및 산 에스테르일 수 있거나 또는 비교적 비극성 용매, 예를 들어 C1 내지 C12 알칸 또는 방향족, 예를 들어 톨루엔, 크실렌, 트리플루오로톨루엔 등일 수 있다. 본원에 기재된 용액 또는 분산액으로서, 신규 화합물을 포함하는 액체 조성물을 제조하는데 사용되는 다른 적합한 액체는 비제한적으로, 염화 탄화수소 (예를 들어 메틸렌 클로라이드, 클로로포름, 클로로벤젠), 방향족 탄화수소 (예를 들어 트리플루오로톨루엔을 비롯한, 치환 및 비-치환된 톨루엔 및 크실렌), 극성 용매 (예를 들어 테트라히드로푸란 (THF), N-메틸 피롤리돈), 에스테르 (예를 들어 에틸아세테이트), 알콜 (이소프로판올), 케톤 (시클로펜타논) 및 이의 혼합물을 포함한다.
본 발명은 신규화합물, 이 화합물을 함유하는 조성물 및 디바이스, 이 화합물을 함유하는 디바이스의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 다른 면은 화학식 (I)을 갖는 화합물을 포함하는 조성물이다.
<화학식 I>
Figure 112006067371723-pct00009
상기 식 중, n은 1 이상의 정수이고 R1은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택된다. 상기 화합물은 하나 이상의 기 R1을 포함하고, R1은 각 경우에 상이할 수 있다. 예를 들어, 화학식 (I)로 나타낸 화합물은 단량체로서 작용할 수 있어서 상기 화합물로부터 공중합체가 형성될 수 있고, 상기 공중합체는 중합 단위로서, 하나 이상의 단위가 다른 단위에 있는 R1과 상이한 R1을 함유하는 화학식 (I)을 갖는 복수의 단위를 포함한다. 일부 실시양태에서, R1은 아릴이다.
R3은 H 및 R1로부터 선택된다. R2는 H, 아릴, 알킬, 플루오로알킬, Cl, Br, I, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기, 가교성 기, 및 화학식 (II)의 아릴아미노 기로부터 선택된다.
<화학식 II>
Figure 112006067371723-pct00010
상기 식 중, R4는 아릴, H, R1, 알킬, 및 플루오로알킬로부터 선택된다. 일부 실시양태에서 R4는 아릴이다. R7은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, R2는 H이다. 일부 실시양태에서, R2는 R3과 상이하다. 일부 실시양태에서, R2는 H이고 R3은 아릴이다.
E는 O, S, (SiR5R6)m (여기서, m 은 1 내지 20의 정수임), (CR5R6)m (여기서, m은 1 내지 20의 정수임), 및 이의 조합으로부터 선택되고, 각 경우에 상이할 수 있으며, R5 및 R6은 각각 독립적으로 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 가교성 기, 및 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 또는 플루오로아릴옥시에 부착된 가교성 기로부터 선택될 수 있고, R5 및 R6은 함께 비-방향족 고리를 형성할 수 있되, E가 (CR5R6)m이고 n이 1보다 크고 m이 1인 경우, R5 및 R6 중 하나 이상은 수소 또는 탄화수소가 아니다.
일부 실시양태에서, 화학식 (I)의 화합물 중 1개 이상의 방향족 고리는 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 및 플루오로아릴옥시로부터 독립적으로 선택된 하나 이상의 치환체를 갖는다. 추가 실시양태에서, 화학식 (I)의 화합물에서 2개의 이웃하는 방향족 고리 상의 치환체는 함께 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있다. 추가 실시양태에서, 단일 고리 상의 인접한 치환체는 연결되어 융합 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, R1은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, n은 1, R2는 H이고, R3은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택된다.
본 발명의 다른 면은 화학식 (III)의 화합물을 포함하는 조성물이다.
<화학식 III>
Figure 112006067371723-pct00011
상기 식 중, n은 1 이상의 정수이고, R1은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택되고, 각 경우에 (즉, 공중합체) 상이할 수 있다. R2는 H, 아릴, 알킬, 플루오로알킬, Cl, Br, I, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기, 가교성 기, 및 화학식 (II)의 아릴아미노로부터 선택된다.
<화학식 II>
Figure 112006067371723-pct00012
상기 식 중, R4는 아릴, H, R1, 알킬, 및 플루오로알킬로부터 선택된다. 일부 실시양태에서 R4는 아릴이다. R7은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, R2는 H 또는 아릴이다.
E는 O, S, (SiR5R6)m (여기서, m 은 1 내지 20의 정수임), (CR5R6)m (여기서, m은 1 내지 20의 정수임), 및 이의 조합으로부터 선택되고, 각 경우에 상이할 수 있으며, R5 및 R6은 각각 독립적으로 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 가교성 기, 및 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 또는 플루오로아릴옥시에 부착된 가교성 기로부터 선택되고, R5 및 R6은 함께 비-방향족 고리를 형성할 수 있되, E가 (CR5R6)m이고 n이 1보다 크고 m이 1인 경우, R5 및 R6 중 하나 이상은 수소 또는 탄화수소가 아니다.
일부 실시양태에서, 화학식 (III)의 화합물 중 1개 이상의 방향족 고리는 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 및 플루오로알콕시로부터 선택된 치환체를 갖는다. 추가 실시양태에서, 화학식 (III)의 화합물에서 2개의 이웃하는 방향족 고리 상의 치환체는 함께 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있다. 추가 실시양태에서, 단일 고리 상의 인접 치환체는 연결되어 융합 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성할 수 있다.
일부 실시양태에서, R1은 페닐, 1-나프틸, 2-나프틸 및 스티릴로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, n은 1, x는 0이고, R2는 화학식 (II)의 아릴아미노 (여기서, R4는 아릴, H, R1, 알킬 및 플루오로알킬로부터 선택됨)이다. 일부 실시양태에서, R4는 아릴이다.
본 발명의 다른 면은 화학식 (IV)의 화합물을 포함하는 조성물이다.
<화학식 IV>
Figure 112006067371723-pct00013
상기 식 중, R1은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택되고, 각 경우에 (즉, 공중합체) 상이할 수 있다. 일부 실시양태에서, R1은 아릴이다. R2는 H, 아릴, 알킬, 플루오로알킬, Cl, Br, I, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기, 가교성 기, Cl, Br, I 및 화학식 (II)의 아릴아미노부터 선택된다.
<화학식 II>
Figure 112006067371723-pct00014
상기 식 중, R4는 아릴, H, R1, 알킬, 및 플루오로알킬로부터 선택된다. 일부 실시양태에서 R4는 아릴이다. R7은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자, 예를 들어 7개 이하의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, R2는 R3와 상이하다. 일부 실시양태에서, R2는 H이고 R3은 아릴이다. 일부 실시양태에서, R2는 H이다. R3은 H 및 R1로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, R3은 아릴이다.
E는 O, S, (SiR5R6)m (여기서, m 은 1 내지 20의 정수임), (CR5R6)m (여기서, m은 1 내지 20의 정수임), 및 이의 조합으로부터 선택되고, 각 경우에 상이할 수 있으며, R5 및 R6은 각각 독립적으로 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 가교성 기, 및 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 또는 플루오로아릴옥시에 부착된 가교성 기로부터 선택되고, R5 및 R6은 함께 비-방향족 고리를 형성할 수 있되, E가 (CR5R6)m이고 n이 1보다 크고 m이 1인 경우, R5 및 R6 중 하나 이상은 수소 또는 탄화수소가 아니다.
일부 실시양태에서, 화학식 (IV) 화합물 중 1개 이상의 방향족 고리는 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 및 플루오로아릴옥시로부터 선택된 치환체를 갖는다. 일부 실시양태에서, R1은 페닐, 1-나프틸, 2-나프틸 및 스티릴로부터 선택된다. 일부 실시양태에서, n은 1, R2는 H이고, R3은 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택된다.
화학식 (I), (III) 및 (IV)에서 n의 실제적인 상한은 특정 용매 중 화합물의 목적하는 용해도 또는 용매의 종류에 의해 부분적으로 결정된다. n의 값이 증가하면, 화합물의 분자량이 증가한다. 분자량의 증가는 일반적으로 특정 용매 중 화합물의 용해도를 감소시킨다고 예상된다. 또한, 주어진 용매 중 화합물이 실질적으로 불용성이 되는 n의 값은 부분적으로 화합물의 구조에 의존한다. 예를 들어, n이 약 104 보다 훨씬 더 작은 경우 복수의 페닐 기를 함유하는 화합물은 유기 용매 중에서 실질적으로 불용성이 될 수 있다. 다른 예로서, 소수의 페닐 기 및/또는 특정 관능기를 갖는 페닐 기를 함유하는 화합물은 n이 약 104 이상, 심지어 105 또는 106일 경우에도 주어진 용매 중에서 가용성일 수 있다. n의 값 및 용매의 선택은 당업자의 기술범위 내에 있다.
또한 복수의 관능성 단량체를 조합하여 제조된 신규 공중합체를 포함하는 조성물이 제공된다. 상기 단량체는 중합되어 신규 공중합체를 형성할 수 있는, 본원에 개시된 화합물의 단위이다. 상기 단량체는 예를 들어 Pd 또는 Ni 촉매화 중합 방법을 사용하여 공중합될 수 있다. 상기 단량체는 하기의 3가지 부류로 분류될 수 있다.
Figure 112006067371723-pct00015
Figure 112006067371723-pct00016
Figure 112006067371723-pct00017
상기 식 중, y는 1 이상의 정수이고, w는 0 또는 1 이상의 정수이고, X는 Cl, Br, I, 붕산, 붕산 에스테르, 보란 또는 트리플레이트 기이고, X는 각 경우에 탄소-탄소 (군 1의 경우) 및 탄소-질소 (군 2 및 3의 경우) 결합이 형성될 수 있도록 상이할 수 있다.
편의를 위해, 예시적인 단량체는 본원에서 군 1, 군 2 또는 군 3으로 분류되고, 군 내에서 예시적인 단량체는 예를 들어 군 1 내에서 하위군 A1, A2, B, C1, C2, 및 C3와 같은 하위군으로 분류된다.
공중합체는 각 군 1, 군 2, 및/또는 군 3 내의 각 하위군의 1종 이상의 단량체를 사용하여 제조될 수 있되, 단 하위군 A의 단량체 만을 함유하는 공중합체 또는 하위군 B의 단량체 만을 함유하는 공중합체는 수득될 수 없다. 군 3 내의 단량체로부터 제조된 공중합체는 1종 이상의 A1 또는 A2로 지정된 공단량체 및 하위군 E1, E2, E3, E4 및 E5로부터의 1종 이상의 공단량체를 함유한다. 예시적인 공중합체는 폴리 (A-코-B); 폴리 (A-코-C); 폴리 (A-코-B-코-C); 폴리 (A-코-C); 및 군 C 내의 2종 이상의 단량체를 포함하는 공중합체를 포함하고, 여기서, 예를 들어, "폴리 (A-코-B)"는 중합 단위로서, 군 A 내의 단량체 및 군 B 내의 단량체를 포함하는 공중합체를 나타낸다. 상기 공중합체 중 단량체, 예를 들어 A 및 B는 동일 몰비 또는 상이한 몰비로 존재할 수 있다. 군 1 내의 단량체로부터 제조된 공중합체는 중합 동안 탄소-탄소 결합의 형성에 의해 제조된다. 군 2 및 군 3 내의 단량체로부터 제조된 공중합체는 중합 동안 탄소-질소 결합의 형성에 의해 제조된다.
군 1로부터의 공중합체는 일반적으로 공지된 합성 방법을 사용하여 제조될 수 있다. 한 합성 방법에서, 문헌 [Yamamoto, Progress in Polymer Science, Vol. 17, p 1153 (1992)]에 기재된 바와 같이, 단량체 단위의 디할로 유도체가 화학양론적 양의 0가 니켈 화합물, 예를 들어 비스(1,5-시클로옥타디엔)니켈 (0)과 반응한다. 다른 방법에서, 문헌 [Colon et al., Journal of Polymer Science, Part A, Polymer chemistry, Edition, Vol. 28, p. 367 (1990)]에 기재된 바와 같이, 화학양론적 양의 2가의 니켈 이온을 0가의 니켈로 환원시킬 수 있는 물질의 존재하에서 단량체 단위의 디할로 유도체가 촉매량의 니켈 (II) 화합물과 반응한다. 적합한 물질은 아연, 마그네슘, 칼슘 및 리튬을 포함한다. 제 3 합성 방법에서, 미국 특허 5,962,631, 및 공개된 PCT 출원 WO 00/53565에 기재된 바와 같이, 한 단량체 단위의 디할로 유도체가 0가의 팔라듐 촉매, 예를 들어 테트라키스(트리페닐포스핀)Pd의 존재하에서 붕산, 붕산 에스테르, 및 보란으로부터 선택된 2개의 반응성 기를 갖는 다른 단량체 단위의 유도체와 반응한다.
예를 들어, 군 2의 단량체를 함유하는 단일중합체 또는 공중합체는 구리, 니켈 또는 팔라듐 촉매의 존재하에서 반응성 1급 또는 2급 아민 및 반응성 아릴 할라이드를 갖는 단량체를 반응시켜 형성될 수 있다. 군 3의 단량체를 함유하는 단일중합체 또는 공중합체는 구리, 니켈 또는 팔라듐 촉매의 존재하에서 1종 이상의 디할로 단량체 유도체를 1종 이상의 디아미노 (1급 또는 2급) 단량체 단위와 반응시켜 제조될 수 있다. Pd-촉매 아민화 반응의 전형적인 조건은 문헌 [Sadighi, J. P.; Singer, R. A.; Buchwald, S. L. J. Am. Chem. Soc. 1998, 120, 4960; Wolfe, J. P.; Tomori, H.; Sadighi, J. P.; Yin, J.; Buchwald, S. L. J., Org. Chem. 200, 65, 1158; Hartwig, J. F.; Modern Arene Chemistry 2002, 107-168, Astruc, D., Editor, Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, Germany]에 기재되어 있다. Ni-촉매 아민화 반응의 전형적인 조건은 문헌 [Desmarets, C.; Schneider, R.; Fort, Y. Tetrahedron, 2001, 57, 6054.; Wolfe, J. P.; Buchwald, S. L., J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 4960]에 기재되어 있다. Cu-촉매 아민화 반응의 전형적인 조건은 문헌 [Klapars, A.; Antilla, J. C.; Huang, X.; Buchwald, S. L., J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 7727]에 기재되어 있다.
본원에 개시된 화합물의 올리고머 (이량체 포함), 및 중합체는 예를 들어 NPD 및 TPD에 비해서 개선된 열 안정성을 갖는다. 예를 들어, R1이 1-나프틸이고 E가 C(CF3)2인 화학식 IV의 화합물은 일반적으로 약 240℃의 Tg를 갖는다. 상기 화합물은 전형적으로는 약 50℃ 이상, 일반적으로는 약 100℃ 이상의 Tg를 갖는다.
화학식 I 및 IV의 조성물은 당업자에게 공지된 탄소-질소 결합 형성 방법을 통해 제조될 수 있다. 예를 들어, 호모- 또는 헤테로-중합체는 구리, 니켈 또는 팔라듐 촉매 존재하에서 1종 이상의 디할로 단량체 유도체를 동일 몰량의 1종 이상의 디아미노 (1급 또는 2급) 단량체 단위와 반응시켜 제조될 수 있다. 별법으로, 반응성 기로서 아민 및 할라이드를 함유하는 1종 이상의 단량체가 사용될 수 있다. Pd-촉매 아민화 반응의 전형적인 조건은 문헌 [Sadighi, J. P.; Singer, R. A.; Buchwald, S. L. J. Am. Chem. Soc. 1998, 120, 4960.; Wolfe, J. P.; Tomori, H.; Sadighi, J. P.; Yin, J.; Buchwald, S. L. J. Org. Chem. 200, 65, 1158.; Hartwig, J. F. Modern Arene Chemistry 2002, 107-168, Editor: Astruc, D., Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, Germany]에 기재되어 있다. Ni-촉매 아민화 반응의 전형적인 조건은 문헌 [Desmarets, C.; Schneider, R.; Fort, Y. Tetrahedon, 2001, 57, 6054.; Wolfe, J. P.; Buchwald, S. L. J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, 4960]에 기재되어 있다. Cu-촉매 아민화 반응의 전형적인 조건은 문헌 [Klapars, A.; Antilla, J. C.; Huang, X.; Buchwald, S. L. J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 7727]에 기재되어 있다.
예를 들어, 군 3의 디아민 단량체 E1, 예를 들어 N,N'-디페닐벤지딘은 적합한 염기, 예를 들어 NaOtBu, 촉매량 (1 당량 미만)의 적합한 팔라듐 화합물, 예를 들어 트리스(디벤질리덴아세톤) 디팔라듐, 및 적합한 리간드, 예를 들어 P(tBu)3의 존재하에서, 동일 몰량의 디할라이드 단량체 A1, 예를 들어 4,4'-브로모페닐이소프로필리덴과 반응한다. 중합은 22℃ 내지 150℃에서 24 내지 92 시간 동안 수행된다. 이어서 생성된 중합체는 말단캡핑(endcapping) 기, 예를 들어 브로모벤젠으로 처리되고 추가 24 내지 48 시간 동안 더 반응하여 화학식 IV (식 중, R1은 페닐, E는 C(CH3)2이고, R2 = R3은 페닐임)의 중합체를 생성한다.
다른 예에서, 군 2의 단량체 D1, 예를 들어 4-(N-페닐아민)-4'-(브로모페닐) 이소프로필리덴은 앞서 기재된 조건을 사용하여 중합되어 화학식 IV (R1은 페닐, E는 C(CH3)2 이고 R2 = R3은 페닐임)의 중합체를 생성할 수 있다.
화학식 III의 화합물은 당업자에게 공지된 탄소-탄소 결합 형성 방법을 통해 제조될 수 있다. 한 방법에서, 문헌 [Yamamoto, Progress in Polymer Science, Vol. 17, p 1153 (1992)]에 기재된 바와 같이, 단량체 단위의 디할로 유도체는 화학양론적 양의 0가 니켈 화합물, 예를 들어 비스(1,5-시클로옥타디엔)니켈(0)과 반응한다. 제 2 방법에서, 문헌 [Colon et al., Journal of Polymer Science, Part A, Polymer chemistry Edition, Vol. 28, p. 367 (1990)]에 기재된 바와 같이, 단량체 단위의 디할로 유도체는 화학양론적 양의 2가 니켈 이온을 0가 니켈로 환원시킬 수 있는 물질의 존재하에서 촉매량의 Ni(II) 화합물과 반응한다. 적합한 물질은 아연, 마그네슘, 칼슘 및 리튬을 포함한다. 제 3 합성 방법에서, 미국 특허 5,962,631, 및 공개 PCT 출원 WO 00/53565에 기재된 바와 같이, 한 단량체 단위의 디할로 유도체는 0가 팔라듐 촉매, 예를 들어 테트라키스(트리페닐포스핀)Pd의 존재하에서, 붕산, 붕산 에스테르, 및 보란으로부터 선택된 2개의 반응성 기를 갖는 다른 단량체 단위의 유도체와 반응한다.
예를 들어, 군 1의 단량체 C2의 중합체 조성물, 예를 들어 4,4'-N,N'-[(1-나프틸)(4-클로로페닐)]-(헥사플루오로이소프로필리덴)은 22℃ 내지 150℃에서 24 내지 92시간 동안 화학양론적 양의 0가 니켈 화합물, 예를 들어 비스(1,5-시클로옥타디엔)니켈(0)과 반응한다.
일부 실시양태에서, OLED 디바이스를 비롯한 전자 디바이스를 제조하는 경우, 화합물은 투명한 애노드, 예를 들어 인듐-도핑 주석 산화물 (ITO) 상에 침착되어 필름을 형성한다. 생성된 필름의 품질은 매끈함 및 결함 밀도에 대한 육안/현미경 검사에 의해 표면상으로 평가될 수 있다. 일부 실시양태에서, 육안으로 관찰된 결함이 최소이다. 또한, 필름 품질은 예를 들어 광학 엘립소미터(ellipsometer) 또는 기계적 프로필로미터(profilometer)를 사용하여 필름의 몇개의 분리된 영역에 걸쳐 필름 두께를 평가하여 측정될 수 있다. 일부 실시양태에서 필름은 필름의 상이한 영역에서 측정된 두께가 실질적으로 동일하다.
전자 디바이스를 제조하는 경우, 화합물은 액체 형태, 예를 들어 분산액 또는 용액으로 사용될 수 있다. 전자 디바이스를 제조하는 예시 방법은 상기에 기재된 화학식 (I)을 갖는 화합물을 포함하는 액체를 제공하는 단계; 애노드를 제공하는 단계; 상기 화합물을 포함하는 상기 액체를 상기 애노드와 접촉시키는 단계; 상기 액체를 상기 화합물로부터 제거하여 정공 수송 필름을 제조하는 단계; 이미터를 제공하는 단계; 상기 이미터를 상기 정공 수송 필름에 인접하게 배치하는 단계; 전자 수송체를 제공하고 상기 전자 수송체를 상기 이미터에 인접하게 배치하는 단계; 및 캐쏘드를 상기 전자 수송체에 인접하게 제공하는 단계를 포함한다.
액체는 전형적으로는 화합물에 대한 용매이다. 일부 응용분야를 위해, 화합물은 비수성 용매 중에 용해되는 것이 바람직하다. 상기 비수성 용매는 비교적 극성 용매, 예를 들어 C1 내지 C20 알콜, 에테르, 및 산 에스테르일 수 있거나 또는 비교적 비극성 용매, 예를 들어 C1 내지 C12 알칸일 수 있다. 상기에 언급된 바와 같이, 적합한 용매는 당업자에 의해 쉽게 결정될 수 있다.
한 실시양태에서, 화합물은 화합물이 실질적으로 가용성인 용매 중에 용해된다. 이어서 용액은 임의의 몇몇 공지 기술, 예를 들어 스핀 코팅, 잉크젯 등에 의해 박막으로 형성되고 건조된다. 이어서 용매를 증발시켜 형성된 생성된 필름은 질소 분위기의 진공에서 용매의 비점 이상의 승온에서 베이킹에 의해 건조된다. 이어서 필름은 방출층 물질 (방출 물질은 화합물이 실질적으로 불용성인 용매 중에 용해됨)을 함유하는 제 2 용액을 예비-형성된 화합물 필름의 상부에 침착시킴으로써 추가로 가공된다. "실질적으로 불용성"이라는 것은 용매 1 ml 중에 화합물이 약 5 mg 미만 용해되는 것을 의미한다. 그러나, 5 mg 초과 또는 미만의 용해도가 사용될 수 있고 일부 응용분야를 위해 바람직할 수 있다. 예를 들어, 10 mg/mL 이하의 적당한 용해도는 본 발명의 HTM 중합체와 방출층 물질 사이에 블러링(blurring)되거나 또는 등급화(graded) 계면을 생성할 수 있다. 상기 블러링은 관련 물질의 성질에 따라 불리하거나 또는 유리한 효과를 줄 수 있다. 계면의 블러링은 계면을 통한 개선된 전하 수송 및 실질적으로 개선된 디바이스 성능 또는 수명을 초래할 수 있다.
당업자에게 인식되어 있는 바와 같이, 화합물의 용해도는 부분적으로 화합물 내의 치환기에 의해 결정될 수 있다. 특히, 본원에서 개시된 화합물에서, 화합물 중 기 "E"의 성질은 특정 용매 중 화합물의 용해도 또는 용매 부류를 조절하기 위해 변화될 수 있다. 그러므로, 기 "E"의 성질을 변화시킴으로써, 화합물은 물 또는 임의의 주어진 유기 비-수성 용매 중에서 더 가용성 또는 덜 가용성이도록 개질될 수 있다.
또한, 전자 디바이스를 제조하기 위해, 화합물은 전형적으로 투명한 애노드, 예를 들어 ITO (인듐 도핑 주석 산화물)인 전극 상에 방출층 필름을 침착시키는데 사용될 수 있는 용매에서 비교적 낮은 용해도, 예를 들어 약 5 mg/mL 미만, 심지어 약 2 mg/mL 이하의 용해도를 가질 수 있다.
본 발명은 또한 정공 수송층으로서, 본원에서 개시된 조성물을 함유하는 1개 이상의 층을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다. 상기 조성물은 광활성층과 전극 사이에 위치한 별도의 층에 존재할 수 있다. 별법으로, 유기 전자 디바이스의 광활성층은 상기 조성물을 함유할 수 있다. 본원에서 개시된 조성물을 함유할 수 있는 전자 디바이스의 예는 도 1에 제시된다. 디바이스 (100)은 애노드 층 (110) 및 캐쏘드 층 (160)을 갖는다. 정공 수성 물질을 포함하는 층 (120)은 애노드에 인접한다. 전자 수송 및/또는 켄칭 방지 물질을 포함하는 층 (140)은 캐쏘드에 인접한다. 정공 수송층과 전자 수송 및/또는 켄칭 방지층 사이에 광활성층 (130)이 있다. 예시된 실시양태에서, 디바이스는 캐쏘드 다음에 임의 추가 수송층 (150)을 갖는다. 층 (120), (130), (140), 및 (150)은 개별적 또는 집합적으로 활성층을 나타낸다.
디바이스 (100)의 적용분야에 따라서, 광활성층 (130)은 인가된 전압 (예를 들어 발광 다이오드 또는 발광 전기화학 전지에서)에 의해 활성화되는 발광층, 복사 에너지에 반응하여 인가된 바이어스 전압 (예를 들어 광검출기) 존재 또는 부재하에서 신호를 발생하는 물질층일 수 있다. 광검출기의 예는 문헌 [Markus, John, Electronics and Nucleonics Dictionary, 470 and 476 (McGraw-Hill, Inc. 1966)]에 기재되어 있는 광전도성 전지, 포토레지스터, 포토스위치, 포토트랜지스터, 및 포토튜브, 및 광기전력 전지를 포함한다.
본원에서 개시된 화합물은 정공 수송층 (120)에서, 및 광활성층 (130)에서 전하 전도 호스트로서 특히 유용하다. 디바이스의 다른 층은 이러한 층에서 유용한 것으로 공지된 임의의 물질로 제조될 수 있다. 애노드 (110)은 양전하 캐리어의 주입에 특히 효율적인 전극이다. 이것은 예를 들어 금속, 혼합 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합 금속 산화물, 전도성 중합체, 또는 이의 조합물 또는 이의 혼합물로 제조될 수 있다. 적합한 금속은 11족 금속, 4, 5 및 6족 금속 및 8-10 족 전이 금속을 포함한다. 애노드가 광-투과성이면, 12, 13 및 14족 금속의 혼합-금속 산화물, 예를 들어 인듐-주석-산화물이 일반적으로 사용된다. 애노드 (110)은 또한 유기 물질, 예를 들어, 문헌 ["Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer," Nature vol. 357, pp 477-479 (11 June 1992)]에 기재된 폴리아닐린을 포함할 수 있다. 일부 실시양태에서, 1개 이상의 애노드 및 캐쏘드는 바람직하게는 적어도 부분적으로 투명하여 발생된 광을 관찰할 수 있다.
광활성층 (130)의 예는 형광 및 인광 물질 (유기-금속 착물 및 공액 중합체 포함)을 비롯한 공지된 모든 전기발광 물질을 포함한다. 유기금속 전기발광 화합물, 특히 시클로메탈화 이리듐 및 백금 전기 발광 화합물 및 이의 혼합물이 일부 실시양태에서 사용된다. 페닐피리딘, 페닐퀴놀린, 또는 페닐피리미딘 리간드와 이리듐의 착물은 페트로프(Petrov) 등의 공개 PCT 출원 WO 02/02714에서 전기발광 화합물로서 개시되어 있다. 다른 유기금속 착물은 예를 들어 공개 출원 US 2001/0019782, EP 1191612, WO 02/15645, 및 EP 1191614에 기재되어 있다. 이리듐의 금속성 착물로 도핑된 폴리비닐 카르바졸(PVK)의 활성층을 갖는 전기발광 디바이스는 공개 PCT 출원 WO 00/70655 및 WO 01/41512에서 부로우스(Burrows) 및 톰슨(Tompson)에 의해 기재되어 있다. 전하 운반 호스트 물질 및 인광성 백금 착물을 포함하는 전기발광 방출층은 톰슨 등의 미국 특허 6,303,238, 브래들리(Bradley) 등의 문헌 [Synth. Met. (2001), 116 (1-3), 379-383], 및 캠프벨 등의 문헌 [Phys. Rev. B, Vol. 65 085210]에 기재되어 있다. 몇가지 적합한 이리듐 착물의 예가 도 6에서 화학식 IV(a) 내지 IV(e)로서 주어진다. 유사한 테트라덴테이트 백금 착물도 사용될 수 있다. 상기 전기발광 착물은 단독으로 사용되거나 또는 상기에 기재된 바와 같이 전하-운반 호스트 내에 도핑될 수 있다. 정공 수송층 (120), 전자 수송층 (140/150)에 유용한 것에 추가로, 화합물은 광활성층 (130) 또는 광활성층의 일부에서 방출성 도핑제에 대한 전하 수송 호스트로서 작용할 수도 있다.
층 (140) 및/또는 층 (150)에서 사용될 수 있는 전자 수송 물질의 예는 금속 킬레이트화 옥시노이드 화합물, 예를 들어 트리스(8-히드록시퀴놀레이토)알루미늄 (Alq3); 및 아졸 화합물, 예를 들어 2-(4-비페닐일)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸 (PBD) 및 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸 (TAZ), 및 이의 혼합물을 포함한다.
캐쏘드 (160)은 전자 또는 음전하 캐리어의 주입에 특히 효과적인 전극이다. 캐쏘드는 애노드보다 더 낮은 일함수를 갖는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 캐쏘드를 위한 물질은 희토류 원소 및 란탄족, 및 악티늄족을 비롯하여, 1족의 알칼리금속 (예를 들어 Li, Cs), 2족의 알칼리토금속, 12족 금속으로부터 선택될 수 있다. 알루미늄, 인듐, 칼슘, 바륨, 사마륨 및 마그네슘과 같은 물질 뿐만 아니라 이의 조합이 사용될 수 있다. Li-함유 유기금속 화합물, LiF, 및 Li20도 유기 층과 캐쏘드 층 상이에 침착되어 작동 전압을 낮출 수 있다.
유기 전자 디바이스에서 다른 층을 갖는 것은 공지이다. 예를 들어, 양전하 수송 및/또는 층의 밴드-갭 매칭을 촉진하거나, 또는 보호 층으로서 기능을 하기 위해 애노드 (10)과 정공 수송층 (120) 사이에 층 (도시안됨)이 존재할 수 있다. 당업계에 공지된 층이 사용될 수 있다. 추가로, 상기에 기재된 임의의 층은 2개 이상의 층으로 제조될 수 있다. 별법으로, 애노드 층 (110), 정공 수송층 (120), 전자 수송층 (140) 및 (150), 및 캐쏘드 층 (160)의 일부 또는 전부는 전하 캐리어 수송 효율을 증가시키기 위해 표면 처리될 수 있다. 각 성분 층을 위한 물질의 선택은 높은 디바이스 효율과 디바이스 작동 수명을 갖는 디바이스를 제공하려는 목적의 균형에 의해 결정될 수 있다.
각 기능성 층은 1개 이상의 층으로 구성될 수 있음을 이해해야 한다.
디바이스는 적합한 기판 상에 개별 층을 순차적으로 증착하는 것을 비롯한, 다양한 기술을 사용하여 제조될 수 있다. 기판, 예를 들어 유리 및 중합체 필름이 사용될 수 있다. 통상적인 증착 기술, 예를 들어 열 증발, 화학적 증착 등이 사용될 수 있다. 별법으로, 유기 층은 비제한적으로, 스핀-코팅, 딥-코팅, 롤-투-롤 기술, 잉크-젯 인쇄, 스크린-인쇄, 그라비어 인쇄 등을 비롯한, 임의의 통상적인 코팅 또는 인쇄 기술을 사용하여, 적합한 용매 중 용액 또는 분산액으로 적용될 수 있다. 개별 층의 증착 및 용액 코팅의 조합이 사용될 수 있다. 일반적으로, 상이한 층은 하기 범위의 두께를 갖는다; 애노드 (110), 500-5000 Å, 종종 1000-2000 Å ; 정공 수송층 (120), 50-2000 Å, 종종 200-1OOO Å; 광활성층 (130), 10-2000 Å, 종종 100-1000 Å ; 전자 수송층 (140) 및 (150), 50-2000 Å, 종종 100-1000 Å ; 캐쏘드 (160), 200-10000 Å, 종종 300-5000 Å. 디바이스에서 전자-정공 재조합 영역의 위치 및 이로 인한 디바이스의 방출 스팩트럼은 각 층의 상대적인 두께에 의해 영향을 받을 수 있다. 그러므로 전자-수송층의 두께는 전자-정공 재조합 구역이 발광 층 내에 있도록 선택되어야 한다. 바람직한 층 두께의 비율은 사용되는 물질의 실제 성질에 의존할 것이다.
달리 표현되지 않으면, 본 발명에서 사용되는 다음 용어는 하기에서 언급된 의미를 갖는다.
본원에서 사용되는 "전하 수송 조성물"이라는 용어는 전극으로부터 전하를 수용하여 비교적 고효율 및 적은 전하 손실로 물질의 두께를 통한 전하의 이동을 촉진할 수 있는 물질을 의미하는 것이다. 정공 수송 조성물은 애노드로부터 양전하를 수용하여 이것을 수송할 수 있다. 전자 수송 조성물은 캐쏘드로부터 음전하를 수용하여 이것을 수송할 수 있다.
단독으로 사용되어 본원에서 개시되고 청구되는 특정 화학식을 갖는 조성물을 나타내는 "조성물"이라는 용어는 화합물, 단량체, 이량체, 올리고머 및 이의 중합체 뿐만 아니라 용액, 분산액, 액체 및 고체 혼합물을 포함하는 것으로 해석된다.
"켄칭 방지 조성물"이라는 용어는 광활성층의 활성 상태로부터 인접층으로의 에너지의 전달 및 전자의 전달을 방해하거나 지연시키거나 감소시키는 물질을 의미하는 것이다.
"광활성"이라는 용어는 전기발광, 발광 및/또는 감광성을 나타내는 임의의 물질을 칭한다.
"기"라는 용어는 화합물의 부분, 예를 들어 유기 화합물의 치환체를 의미한다. "헤테로"라는 접두사는 1개 이상의 탄소 원자가 상이한 원자로 대체됨을 나타낸다.
"알킬"이라는 용어는 하나의 부착점을 갖는 지방족 탄화수소로부터 유래된, 비치환 또는 치환될 수 있는 기를 의미한다. "헤테로알킬"이라는 용어는 1개 이상의 헤테로원자 및 하나의 부착점을 갖는 지방족 탄화수소로부터 유래된, 치환 또는 비치환될 수 있는 기를 의미한다.
"알킬렌"이라는 용어는 지방족 탄화수소로부터 유래되고 2개 이상의 부착점을 갖는 기를 의미한다. "헤테로알킬렌"이라는 용어는 1개 이상의 헤테로원자를 갖고 2개 이상의 부착점을 갖는 지방족 탄화수소로부터 유래된 기를 의미한다.
"알케닐"이라는 용어는 1개 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖고 1개의 부착점을 갖는 탄화수소로부터 유래된, 비치환 또는 치환될 수 있는 기를 의미한다.
"알키닐" 이라는 용어는 1개 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 갖고 하나의 부착점을 갖는 탄화수소로부터 유래된, 비치환 또는 치환될 수 있는 기를 의미한다. "알케닐렌"이라는 용어는 1개 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖고 2개 이상의 부착점을 갖는 탄화수소로부터 유래된, 비치환 또는 치환될 수 있는 기를 의미한다. "알키닐렌"이라는 용어는 1개 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 갖고 2개 이상의 부착점을 갖는 탄화수소로부터 유래된, 비치환 또는 치환될 수 있는 기를 의미한다.
"헤테로알케닐", "헤테로알케닐렌", "헤테로알키닐" 및 "헤테로알키닐렌" 이라는 용어는 1개 이상의 헤테로원자를 갖는 유사 기를 의미한다.
"아릴"이라는 용어는 1개의 부착점을 갖는 방향족 탄화수소로부터 유래된, 치환 또는 비치환될 수 있는 기를 의미한다. "헤테로아릴"이라는 용어는 1개 이상의 헤테로원자를 갖고 1개의 부착점을 작는 방향족 기로부터 유래된, 치환 또는 비치환될 수 있는 기를 의미한다.
다른 언급이 없으면, 모든 기는 비치환 또는 치환될 수 있다. "인접하는"이라는 어구가 디바이스에서 층을 나타내는데 사용되는 경우, 1개의 층은 다른 층의 바로 옆에 있다는 것을 필수적으로 의미하지는 않는다. 다른 한편, "인접 R 기"라는 어구는 화학식에서 서로 옆에 있는 R 기를 나타내는데 사용된다 (즉, 결합에 의해 연결된 원자 상에 있는 R 기). "이웃하는" 이라는 용어는 고리 또는 쇄 상의 인접 원자를 의미한다.
"화합물"이라는 용어는 물리적 수단에 의해 분리될 수 없는 원자로 이루어진 분자로 구성된 전기적 비하전 물질을 의미한다.
"중합체"라는 용어는 올리고머류를 포함하고 2개 이상의 단량체 단위를 갖는 물질을 포함하는 것을 의도한다. 추가로, IUPAC 번호매김 체계 (주기율표의 족은 왼쪽에서 오른쪽으로 1-18로 번호매김)이 사용된다 (문헌 [CRC Handbook of Chemi stry and Physics, 81st Edition, 2000]).
본원에서 사용되는 "용액 가공"은 액체 매체로부터의 침착을 포함하는 공정을 의미한다. 액체 매체는 용액, 분산액, 유탁액 또는 다른 형태일 수 있다.
"필름"이라는 용어는 목적하는 영역을 피복하는 코팅을 나타낸다. 상기 영역은 전체 디스플레이 만큼 넓거나, 또는 단일 서브-픽셀 만큼 작을 수 있다. 필름은 임의의 통상적인 침착 기술에 의해 형성될 수 있다. 전형적인 침착 기술은 비제한적으로, 연속 침착 기술, 예를 들어 스핀 코팅, 그라비어 코팅, 커튼 코팅, 딥 코팅, 슬롯-다이 코팅, 분무-코팅, 및 연속 노즐 코팅; 및 불연속 침착 기술, 예를 들어 잉크 젯 인쇄, 그라비어 인쇄, 및 스크린 인쇄를 포함한다.
본원에서 사용되는 "포함한다(comprises, includes)", "포함하는(comprising)", "비롯한(including)", "갖는다(has)", "갖는(having)"이라는 용어 또는 이의 다른 변형은 비-배타적 내포를 포괄하는 의도이다. 예를 들어, 상기 리스트의 요소를 포함하는 공정, 방법, 물품 또는 장치는 이들 요소 만으로 제한되지 않고 상기 공정, 방법, 물품, 또는 장치로 명시적으로 열거되지 않거나 고유한 다른 요소를 포함할 수 있다. 또한, 반대로 명시적으로 언급되지 않으면, "또는(or)"은 내포적 또는 배타적 또는을 나타낸다. 예를 들어, 조건 A 또는 B는 하기 중 임의의 하나를 만족한다; A가 참 (또는 존재)이고 B가 거짓 (또는 비존재)임, A가 거짓(또는 비존재)이고 B가 참 (또는 존재)임, 및 A와 B 모두 참 (또는 존재)임.
또한, "정관사(the)", "부정관사(a 또는 an)"은 본 발명의 요소 및 성분을 기술하기 위해 사용된다. 이것은 단지 편의를 위한 것이고 본 발명의 일반적인 원칙을 제공한다. 이것은 하나 또는 하나 이상을 포함하고 달리 명백하게 의도하지 않으면 단수는 복수를 포함하는 것으로 이해해야 한다.
하기 실시예는 본 발명의 특정 특징 및 이점을 예시한다. 이것은 본 발명의 예시이지, 이를 제한하고자 함이 아니다. 달리 표시되지 않는 한, 모든 %는 중량%이다.
실시예 1
이 실시예는 한 예시적인 화합물의 제조를 예시한다.
Figure 112006067371723-pct00018
비닐 요도도아세테이트의 합성
기계적 교반기 및 질소 입구-출구가 장치된 100 mL 둥근 바닥 플라스크에 아세톤 50 mL 중 비닐 클로로아세테이트 (3.83 g, 31.8 mmol)을 도입하였다. 소듐 요오다이드 (39.4 mmol)를 첨가하고 반응 개시로 적당한 온도 상승이 일어났다. 반응물을 실온에서 2일 동안 교반하고 이어서 회전 증발기에서 농축하였다. 잔류물을 디에틸 에테르 100 mL 중에 용해하고 물 100 mL로 2회, 소듐 비술파이트 10 중량% 수용액으로 1회, 물 100 mL로 1회 및 NaCl 포화 수용액 100 mL로 1회 세척하였다. 유기층을 MgS04로 건조하고, 여과하고 회전 증발기에서 농축하였다. 잔류물을 고 진공 라인에서 더 농축하여 연분홍 오일로서 생성물 5.6 g을 수득하였다. 수율은 82%이었다.
비닐-4-(N,N-디페닐아미노)신나메이트의 합성
질소 입구-출구, 자석 교반기 및 첨가 깔때기가 장치된 100 mL 둥근 바닥 플라스크에 무수 테트라히드로푸란 50 mL 중 비닐 요오도아세테이트 (5.6 g, 26 mmol) 및 트리페닐포스핀 (6.9 g, 26 mmol)을 도입하였다. 반응 혼합물에 질소를 퍼징하고 16시간 동안 교반한 후 빙조에서 6℃로 냉각하였다. 소듐 히드라이드 (1.0 g, 25 mmol)을 첨가하고 반응 온도를 실온으로 올렸다. 실온에서 4시간 동안 교반한 후, 무수 THF 40 mL 중에 용해된 4-디페닐아미노벤즈알데히드 (5.4 g, 20 mmol)을 30분에 걸쳐 교반하면서 반응 혼합물에 적가하였다. 실온에서 5일 동안 교반 한 후, 반응 혼합물을 디에틸 에테르 50 mL로 희석하고 분액 깔대기에 옮겼다. 추가 300mL의 에테르를 분액 깔대기에 첨가하고 합한 에테르 용액을 물 100 mL로 3회 및 NaCl 포화 용액 100 mL로 1회 세척하였다. 유기 층을 MgS04로 건조하고, 여과하고, 회전 증발기로 농축하였다. 잔류물을 고 진공 라인에서 더 건조하여 갈색 오일로서 조 생성물을 수득하였다. 플래시 컬럼 크로마토그래피 (실리카 겔; 3:7 디클로로메탄:헥산)로 정제한 후 담황색 오일로서 순수 생성물 5.5 g을 수득하였다. 생성물 수율은 81%이었다.
폴리[비닐-4-(N,N-디페닐아미노)신나메이트]의 합성
깨끗한, 건조된 25 mL 쉬렌크(Schlenk) 튜브에 자석 교반 바 및 고무 시일을 장치한 후 비닐-4-(N,N-디페닐아미노)신나메이트 (0.86 g, 2.5 mmol), 바조(Vazo) 52 (5 mg, 0.8 몰%) 및 테트라히드로푸란 (0.86 g)을 도입하였다. 쉬렌크 튜브를 밀봉하고 질소 하에서 3번의 동결-펌프-해동 싸이클로 탈기하고 이어서 밀봉하였다. 내용물을 57℃로 설정된 항온 오일조에서 48시간 동안 가열하였다. 이후에, 냉각하고 테트라히드로푸란 3 mL로 희석하였다. 교반하면서 헥산 80 mL로부터 침전시켜 중합체를 단리하였다. 플래시 컬럼 크로마토그래피 (중성 알루미나; 1:1 헥산:디클로로메탄)로 중합체를 추가로 정제하였다. 용매를 제거한 후, 황색 고체 220 mg을 수득하였다. 수율은 25.5%이었다. 상기 방식으로 수득된 중합체는 단량체가 존재하지 않았다. 겔 투과 크로마토그래피로 중합체의 분자량을 측정하였다. Mw=280,900; Mn=52,300; Mw/Mn=5.37.
실시예 2
Figure 112006067371723-pct00019
4-(N,N-디페닐아미노)신남산의 합성
140℃로 가열된 건조 오븐 안에서 모든 초자를 건조하였다. 고 진공 라인에 서 P2O5로 말론산을 건조한 후 질소 퍼징된 글러브박스에 보관하였다. 입수하여 글러브박스에 보관된 피리딘 (알드리치(Aldrich), 무수, 99.8%) 및 피페리딘을 사용하였다. 교반 바, 컨덴서 및 질소 입구-출구가 장치된 100 mL 둥근 바닥 플라스크에서 말론산 (2.3 g, 22.0 mmol)을 피리딘 20 mL 중에 용해하였다. 4-(N,N-디페닐아미노)벤즈알데히드 (5.0 g, 18.3 mmol) 및 추가로 피리딘 20 mL을 첨가하여 용액을 수득하였다. 피페리딘 (0.18 mL, 1.8 mmol)을 첨가하고 이 용액을 가열 환류 시켰다. 25시간 동안 가열한 후, 말론산 (0.60 g, 5.8 mmol)을 첨가하고 추가 2.5시간 동안 계속 가열하였고, 이후에는 반응이 더이상 관찰되지 않았다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각한 후 빙수 중 12 N HCl (1:5)의 교반 혼합물 중에 부었다. 혼합물을 여과하고 고체를 물 20 mL로 3회 헹구었다. 고체를 수집하고 4℃에서 5:3 헥산:EtOAc로부터 재결정화하여 조 생성물을 정제하였다. 모액을 농축하고 7:3 헥산:에틸 아세테이트로부터 유사한 방식으로 재결정화하였다. 합한 고체는 담갈색 분말 3.1 g이었다. 수율은 55%이었다.
4-(N,N-디페닐아미노)신나모일 클로라이드의 합성
자석 교반기 및 질소 입구-출구가 장치된 50 mL 둥근 바닥 플라스크에 디클로로메탄 15 mL 중 4-(N,N-디페닐아미노)신남산 (1.0 g, 3.2 mmol)을 도입하였다. 티오닐 클로라이드 (0.35 mL, 4.8 mmol) 이어서 N,N-디메틸포름아미드 12.4 mL를 첨가하였다. 바로 염산 가스 방출이 시작되었고 교반 1시간 이내에 멈추었다. 용액을 3시간 동안 교반하고 이어서 회전 증발기로 농축하였다. 생성물을 고 진공 라인으로 옮기고 진공 하에서 잔류 용매를 제거하였다. 갈색 고체로 생성물을 수득하고 임의의 추가 정제 없이 질소 하에서 보관하였다.

Claims (37)

  1. 화학식 (I)을 갖는 화합물.
    <화학식 I>
    Figure 112011078759989-pct00020
    상기 식 중, n은 1 이상의 정수이고 R1은 아릴, 헤테로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 또는 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택되고; R3은 H 및 R1로부터 선택되고; R2는 H, 아릴, 알킬, 플루오로알킬, Cl, Br, I, 헤테로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 아릴, 헤테로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로아릴 또는 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기, 가교성 기, 및 화학식 (II)의 아릴아미노 기로부터 선택되며;
    <화학식 II>
    Figure 112011078759989-pct00021
    (상기 식 중, R4는 아릴, H, R1, 알킬, 및 플루오로알킬로부터 선택되고; R7은 아릴, 헤테로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로아릴 또는 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택됨)
    E는 O, S, (SiR5R6)m (여기서, m 은 1 내지 20의 정수임), (CR5R6)m (여기서, m은 1 내지 20의 정수임), 및 이의 조합으로부터 선택되며, R5 및 R6은 각각 독립적으로 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 가교성 기, 및 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 또는 플루오로아릴옥시에 부착된 가교성 기로부터 선택되되, E가 (CR5R6)m이고 n이 1보다 크고 m이 1인 경우, R5 및 R6 중 하나 이상은 수소 또는 탄화수소가 아니고,
    여기서, 상기 가교성 기는 비닐기, 아크릴레이트기, 프로페닐, 아크릴로일, 메타크릴로일, 시클릭 에테르 및 실록산으로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    상기 화합물은 이러한 가교성 기를 하나 이상 함유한다.
  2. 제 1항에 있어서, 화학식 (I)의 화합물 중 1개 이상의 방향족 고리가 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 및 비닐기, 아크릴레이트기, 프로페닐, 아크릴로일, 메타크릴로일, 시클릭 에테르 및 실록산으로 이루어진 군으로부터 선택된 가교성 기로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 하나 이상의 치환체를 갖는 화합물.
  3. 제 1항에 있어서, R5 및 R6이 함께 비-방향족 고리를 형성하는 화합물.
  4. 제 1항에 있어서, 화학식 (I)의 화합물에서 2개의 이웃하는 방향족 고리 상의 2개 이상의 치환체가 함께 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성하는 화합물.
  5. 제 1항에 있어서, 단일 고리 상의 인접한 치환체가 연결되어 융합 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성하는 화합물.
  6. 제 1항에 있어서, R1이 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸, 신나메이트 및 칼콘기로부터 선택되는 화합물.
  7. 제 1항에 있어서, n이 1, R2가 H이고, R3이 페닐, 1-나프틸, 2-나프틸 및 스티릴로부터 선택되는 화합물.
  8. 화학식 (III)의 화합물.
    <화학식 III>
    Figure 112011078759989-pct00022
    상기 식 중, n은 1 이상의 정수이고, R1은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택되고, R2는 H, 아릴, 알킬, 플루오로알킬, Cl, Br, I, 헤테로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 아릴, 헤테로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로아릴 또는 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기, 가교성 기, 및 화학식 (II)의 아릴아미노로부터 선택되고;
    <화학식 II>
    Figure 112011078759989-pct00023
    (상기 식 중, R4는 아릴, H, R1, 알킬, 및 플루오로알킬로부터 선택되며; R7은 아릴, 헤테로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택됨)
    E는 O, S, (SiR5R6)m (여기서, m 은 1 내지 20의 정수임), (CR5R6)m (여기서, m은 1 내지 20의 정수임), 및 이의 조합으로부터 선택되고, R5 및 R6은 각각 독립적으로 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 가교성 기, 및 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 또는 플루오로아릴옥시에 부착된 가교성 기로부터 선택되되, E가 (CR5R6)m이고 n이 1보다 크고 m이 1인 경우, R5 및 R6 중 하나 이상은 수소 또는 탄화수소가 아니고,
    여기서, 상기 가교성 기는 비닐기, 아크릴레이트기, 프로페닐, 아크릴로일, 메타크릴로일, 시클릭 에테르 및 실록산으로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    상기 화합물은 이러한 가교성 기를 하나 이상 함유한다.
  9. 제 8항에 있어서, R5 및 R6이 함께 비-방향족 고리를 형성하는 화합물.
  10. 제 8항에 있어서, 화학식 (III)의 화합물 중 1개 이상의 방향족 고리가 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 및 비닐기, 아크릴레이트기, 프로페닐, 아크릴로일, 메타크릴로일, 시클릭 에테르 및 실록산으로 이루어진 군으로부터 선택된 가교성 기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환체를 갖는 화합물.
  11. 제 8항에 있어서, 화학식 (III)의 화합물에서 2개의 이웃하는 방향족 고리 상의 2개 이상의 치환체가 함께 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성하는 화합물.
  12. 제 8항에 있어서, 단일 고리 상의 인접 치환체가 연결되어 융합 방향족 또는 비-방향족 고리를 형성하는 화합물.
  13. 제 8항에 있어서, R1이 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택되는 화합물.
  14. 제 8항에 있어서, n이 1이고, R2가 화학식 (II)의 아릴아미노 (여기서, R4는 아릴, H, R1, 알킬 및 플루오로알킬로부터 선택됨)인 화합물.
  15. 제 8항에 있어서, n이 1이고, R1이 페닐, 1-나프틸 또는 2-나프틸로부터 선택되고 R2가 스티릴 또는 신나메이트, 또는 화학식 (II)의 아릴아미노 (여기서, R4는 아릴, H, 스티릴 및 신나메이트로부터 선택됨)인 화합물.
  16. 제 8항에 있어서, R1이 페닐, 1-나프틸 및 2-나프틸로부터 선택되고 R2가 H 및 아릴로부터 선택되고, E가 (CR5R6)m (여기서 R5는 알킬, 아릴, 및 알콕시로부터 선택되고 R6은 가교성 기임)로부터 선택되는 화합물.
  17. 화학식 (IV)의 화합물.
    <화학식 IV>
    Figure 112011078759989-pct00024
    상기 식 중, R1은 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택되고; R2는 H, 아릴, 알킬, 플루오로알킬, Cl, Br, I, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 아릴, 헤테로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기, 가교성 기, 및 화학식 (II)의 아릴아미노부터 선택되며;
    <화학식 II>
    Figure 112011078759989-pct00025
    (상기 식 중, R4는 아릴, H, R1, 알킬, 및 플루오로알킬로부터 선택되고; R7은 아릴, 헤테로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로아릴, 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴, 및 아릴, 헤테로아릴, 플루오로아릴, 및 1개 이상의 불소 원자로 치환된 플루오로헤테로아릴에 부착된 가교성 기로부터 선택됨)
    E는 O, S, (SiR5R6)m (여기서, m 은 1 내지 20의 정수임), (CR5R6)m (여기서, m은 1 내지 20의 정수임), 및 이의 조합으로부터 선택되고, R5 및 R6은 각각 독립적으로 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 가교성 기, 및 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시 또는 플루오로아릴옥시에 부착된 가교성 기로부터 선택되되, E가 (CR5R6)m이고 n이 1보다 크고 m이 1인 경우, R5 및 R6 중 하나 이상은 수소 또는 탄화수소가 아니고,
    여기서, 상기 가교성 기는 비닐기, 아크릴레이트기, 프로페닐, 아크릴로일, 메타크릴로일, 시클릭 에테르 및 실록산으로 이루어진 군으로부터 선택되며,
    상기 화합물은 이러한 가교성 기를 하나 이상 함유한다.
  18. 제 17항에 있어서, 화학식 (I) 화합물 중 1개 이상의 방향족 고리가 H, F, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 플루오로알킬, 플루오로아릴, 플루오로알콕시, 플루오로아릴옥시, 및 비닐기, 아크릴레이트기, 프로페닐, 아크릴로일, 메타크릴로일, 시클릭 에테르 및 실록산으로부터 선택된 가교성 기로 이루어진 군으로부터 선택된 치환체를 갖는 화합물.
  19. 제 17항에 있어서, R1이 페닐, 1-나프틸, 및 2-나프틸로부터 선택되는 화합물.
  20. 제 17항에 있어서, n이 1, R2가 H이고, R3이 페닐, 1-나프틸, 2-나프틸 및 스티릴로부터 선택되거나, 또는 n이 1이고, R1이 페닐, 1-나프틸 및 2-나프틸로부터 선택되고 R2가 스티릴 또는 신나메이트인 화합물.
  21. 제 17항에 있어서, R5 및 R6이 함께 비-방향족 고리를 형성하는 화합물.
  22. 제 1항에 따르는 1종 이상의 화합물 및 제 8항에 따르는 1종 이상의 화합물을 공중합하여 제조된 공중합체를 포함하는 화합물.
  23. 제 1항에 따르는 화합물을 포함하는 조성물.
  24. 제 8항에 따르는 화합물을 포함하는 조성물.
  25. 제 17항에 따르는 화합물을 포함하는 조성물.
  26. 제 1항에 따르는 조성물을 포함하는 1개 이상의 층을 갖는 전자 디바이스.
  27. 제 8항에 따르는 조성물을 포함하는 1개 이상의 층을 갖는 전자 디바이스.
  28. 제 17항에 따르는 조성물을 포함하는 1개 이상의 층을 갖는 전자 디바이스.
  29. 제 26항에 있어서, 층이 전하 수송층인 디바이스.
  30. 제 26항에 있어서, 층이 발광층인 디바이스.
  31. 제 27항에 있어서, 층이 전하 수송 층인 디바이스.
  32. 제 27항에 있어서, 층이 발광층인 디바이스.
  33. 제 28항에 있어서, 층이 전하 수송층인 디바이스.
  34. 제 28항에 있어서, 층이 발광층인 디바이스.
  35. 제 26항에 있어서, 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이, 레이저 다이오드, 광검출기, 광전도성 전지, 포토레지스터, 포토스위치, 포토트랜지스터, 포토튜브, IR-검출기, 광기전력 디바이스, 태양 전지, 광센서, 광전도체, 전기사진 디바이스, 트랜지스터, 또는 다이오드로부터 선택되는 디바이스.
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Families Citing this family (121)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004029133A1 (en) 2002-09-24 2004-04-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications
US7317047B2 (en) * 2002-09-24 2008-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
JP4509787B2 (ja) * 2002-09-24 2010-07-21 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー ポリマー酸コロイドを伴って製造される水分散性ポリチオフェン
WO2004029176A1 (en) * 2002-09-24 2004-04-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof
US7390438B2 (en) * 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
US7365230B2 (en) 2004-02-20 2008-04-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Cross-linkable polymers and electronic devices made with such polymers
US7351358B2 (en) 2004-03-17 2008-04-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
JP5214237B2 (ja) * 2004-03-31 2013-06-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電荷輸送材料として使用するトリアリールアミン化合物
US7504769B2 (en) * 2004-12-16 2009-03-17 E. I. Du Pont De Nemours + Company Aromatic chalcogen compounds and their use
US20070181874A1 (en) * 2004-12-30 2007-08-09 Shiva Prakash Charge transport layers and organic electron devices comprising same
KR101356296B1 (ko) 2005-06-28 2014-02-06 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 높은 일 함수의 투명한 도체
WO2007002740A2 (en) 2005-06-28 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Buffer compositions
US8440324B2 (en) * 2005-12-27 2013-05-14 E I Du Pont De Nemours And Company Compositions comprising novel copolymers and electronic devices made with such compositions
US20070170401A1 (en) * 2005-12-28 2007-07-26 Che-Hsiung Hsu Cationic compositions of electrically conducting polymers doped with fully-fluorinated acid polymers
EP2412699A1 (en) * 2005-12-28 2012-02-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions comprising novel compounds and electronic devices made with such compositions
EP2041222B1 (en) 2006-06-30 2012-12-05 E.I. Du Pont De Nemours And Company Stabilized compositions of conductive polymers and partially-fluorinated acid polymers
US8242223B2 (en) 2006-08-24 2012-08-14 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport polymers
US20080061685A1 (en) * 2006-08-24 2008-03-13 Chesterfield Reid J Organic electronic devices
WO2008063466A2 (en) * 2006-11-13 2008-05-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device
TWI467823B (zh) * 2006-12-08 2015-01-01 Universal Display Corp 可交聯之銥錯合物及使用其之有機發光裝置
US8115378B2 (en) * 2006-12-28 2012-02-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Tetra-substituted chrysenes for luminescent applications
US20080166564A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-10 Vsevolod Rostovtsev Derivatized monomers for making conductive polymers, and devices made with such polymers
US20080191172A1 (en) 2006-12-29 2008-08-14 Che-Hsiung Hsu High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers
US8257836B2 (en) 2006-12-29 2012-09-04 E I Du Pont De Nemours And Company Di-substituted pyrenes for luminescent applications
US20080193773A1 (en) * 2006-12-29 2008-08-14 Che-Hsiung Hsu Compositions of electrically conducting polymers made with ultra-pure fully -fluorinated acid polymers
US8465848B2 (en) * 2006-12-29 2013-06-18 E I Du Pont De Nemours And Company Benzofluorenes for luminescent applications
US20080166566A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-10 Shiva Prakash Process for forming an organic light-emitting diode and devices made by the process
US7821637B1 (en) 2007-02-22 2010-10-26 J.A. Woollam Co., Inc. System for controlling intensity of a beam of electromagnetic radiation and method for investigating materials with low specular reflectance and/or are depolarizing
US20080213624A1 (en) * 2007-02-28 2008-09-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device
US8241526B2 (en) 2007-05-18 2012-08-14 E I Du Pont De Nemours And Company Aqueous dispersions of electrically conducting polymers containing high boiling solvent and additives
US20080286566A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Shiva Prakash Process for forming an organic light-emitting diode and devices made by the process
KR101554750B1 (ko) 2007-06-01 2015-09-22 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 진청색 발광 용도를 위한 크라이센
EP2162425B1 (en) * 2007-06-01 2011-12-07 E. I. Du Pont de Nemours and Company Blue luminescent materials
CN102617266A (zh) 2007-06-01 2012-08-01 E.I.内穆尔杜邦公司 电荷传输化合物和含该化合物的材料
JP5466150B2 (ja) * 2007-06-01 2014-04-09 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 緑色発光材料
WO2008150940A1 (en) * 2007-06-01 2008-12-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Chrysenes for green luminescent applications
US20100224866A1 (en) * 2007-10-23 2010-09-09 E.I.Du Pont De Nemours And Company Ternary emissive layers for luminescent applications
JP4936069B2 (ja) * 2007-10-31 2012-05-23 株式会社デンソー モータ制御装置
US8063399B2 (en) 2007-11-19 2011-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US20090142556A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for forming an organic electronic device including an organic device layer
US8040048B2 (en) * 2007-12-12 2011-10-18 Lang Charles D Process for forming an organic electronic device including an organic device layer
US8212239B2 (en) 2007-12-13 2012-07-03 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8216753B2 (en) 2007-12-13 2012-07-10 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8115200B2 (en) * 2007-12-13 2012-02-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8067764B2 (en) * 2007-12-17 2011-11-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8461291B2 (en) * 2007-12-17 2013-06-11 E I Du Pont De Nemours And Company Organic electroactive materials and an organic electronic device having an electroactive layer utilizing the same material
US8308988B2 (en) 2007-12-17 2012-11-13 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US8192848B2 (en) * 2008-01-11 2012-06-05 E I Du Pont De Nemours And Company Substituted pyrenes and associated production methods for luminescent applications
US8343381B1 (en) 2008-05-16 2013-01-01 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport composition
WO2009158555A2 (en) 2008-06-26 2009-12-30 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
US20110085325A1 (en) * 2008-06-26 2011-04-14 Daniel David Lecloux Organic light-emitting diode luminaires
US8643000B2 (en) * 2008-11-18 2014-02-04 E I Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device with low-reflectance electrode
JP5687628B2 (ja) * 2008-11-19 2015-03-18 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ 青色または緑色ルミネセンス用途のクリセン化合物
JP2012510540A (ja) * 2008-12-01 2012-05-10 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電気活性材料
EP2352801B1 (en) * 2008-12-01 2017-06-21 E. I. du Pont de Nemours and Company Electroactive materials
KR20140116526A (ko) * 2008-12-04 2014-10-02 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기활성 재료
WO2010077713A2 (en) * 2008-12-09 2010-07-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive polymer compositions
CN102239526B (zh) * 2008-12-09 2013-07-24 E.I.内穆尔杜邦公司 导电聚合物组合物
US8932733B2 (en) * 2008-12-19 2015-01-13 E I Du Pont De Nemours And Company Chrysene derivative host materials
TW201038532A (en) * 2008-12-19 2010-11-01 Du Pont Anthracene compounds for luminescent applications
US8531100B2 (en) * 2008-12-22 2013-09-10 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for luminescent applications
US20100187500A1 (en) * 2008-12-23 2010-07-29 E.I.Du Pont De Nemours And Company Carbon structures bonded to layers within an electronic device
US8759818B2 (en) * 2009-02-27 2014-06-24 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for electronic applications
EP2401341B1 (en) * 2009-02-27 2017-01-18 E. I. du Pont de Nemours and Company Deuterated compounds for electronic applications
TW201100480A (en) 2009-03-12 2011-01-01 Du Pont Electrically conductive polymer compositions for coating applications
KR101582707B1 (ko) 2009-04-03 2016-01-05 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기활성 재료
CN102395628B (zh) 2009-04-21 2016-01-20 E.I.内穆尔杜邦公司 导电聚合物组合物和由其制得的膜
US8945427B2 (en) 2009-04-24 2015-02-03 E I Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive polymer compositions and films made therefrom
EP2432848A4 (en) * 2009-05-19 2012-12-05 Du Pont DETERIOR COMPOUNDS FOR ELECTRONIC APPLICATIONS
EP2671936B1 (en) 2009-05-19 2015-06-24 E. I. du Pont de Nemours and Company Chrysene compounds for luminescent applications
EP2449054A4 (en) 2009-07-01 2013-05-29 Du Pont CHRYSENE COMPOUNDS FOR LUMINESCENT APPLICATIONS
US8592239B2 (en) * 2009-07-27 2013-11-26 E I Du Pont De Nemours And Company Process and materials for making contained layers and devices made with same
CN102834483B (zh) * 2009-08-13 2015-07-15 E.I.内穆尔杜邦公司 *衍生物材料
WO2011028482A2 (en) * 2009-08-24 2011-03-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
TW201121116A (en) * 2009-08-24 2011-06-16 Du Pont Organic light-emitting diode luminaires
US20110204336A1 (en) * 2009-08-24 2011-08-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diode luminaires
JP2013502743A (ja) * 2009-08-24 2013-01-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 有機発光ダイオード照明器具
CN102510889B (zh) 2009-09-29 2015-11-25 E.I.内穆尔杜邦公司 用于发光应用的氘代化合物
JP2013508380A (ja) 2009-10-19 2013-03-07 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子用途用のトリアリールアミン化合物
JP2013508375A (ja) 2009-10-19 2013-03-07 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子用途用のトリアリールアミン化合物
CN102596950A (zh) * 2009-10-29 2012-07-18 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子应用的氘代化合物
US8674343B2 (en) 2009-10-29 2014-03-18 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
US8716700B2 (en) 2009-10-29 2014-05-06 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
KR20120113721A (ko) * 2009-10-29 2012-10-15 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 유기 발광 다이오드 조명기구
US8716699B2 (en) * 2009-10-29 2014-05-06 E I Du Pont De Nemours And Company Organic light-emitting diodes having white light emission
TW201119976A (en) * 2009-12-09 2011-06-16 Du Pont Deuterated compound as part of a combination of compounds for electronic applications
US8282861B2 (en) * 2009-12-21 2012-10-09 Che-Hsiung Hsu Electrically conductive polymer compositions
US8465849B2 (en) * 2009-12-21 2013-06-18 E I Du Pont De Nemours And Company Deuterated zirconium compound for electronic applications
US8617720B2 (en) 2009-12-21 2013-12-31 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive composition and electronic device made with the composition
US20110147717A1 (en) 2009-12-21 2011-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Deuterated compounds for luminescent applications
TW201204687A (en) 2010-06-17 2012-02-01 Du Pont Electroactive materials
TW201200975A (en) 2010-06-17 2012-01-01 Du Pont Process and materials for making contained layers and devices made with same
EP2588527B1 (en) 2010-07-02 2017-10-25 Nissan Chemical Industries, Ltd. Hole transport compositions and related devices and methods (i)
WO2012083301A1 (en) 2010-12-17 2012-06-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Anthracene derivative compounds for electronic applications
TW201229003A (en) 2010-12-17 2012-07-16 Du Pont Anthracene derivative compounds for electronic applications
TW201229204A (en) 2010-12-17 2012-07-16 Du Pont Anthracene derivative compounds for electronic applications
KR101924661B1 (ko) 2010-12-20 2018-12-03 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 전기활성 재료
US9293716B2 (en) 2010-12-20 2016-03-22 Ei Du Pont De Nemours And Company Compositions for electronic applications
WO2012087977A1 (en) 2010-12-20 2012-06-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process and materials for making contained layers and devices made with same
KR20130143627A (ko) 2010-12-21 2013-12-31 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 유기 전기활성 재료 침적용 액체 조성물
JP2013098401A (ja) 2011-11-02 2013-05-20 Renesas Electronics Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法および薄膜
US8546617B1 (en) 2012-03-23 2013-10-01 Empire Technology Development Llc Dioxaborinanes and uses thereof
US9290598B2 (en) 2012-03-29 2016-03-22 Empire Technology Development Llc Dioxaborinane co-polymers and uses thereof
EP2850668B1 (en) 2012-05-15 2019-11-20 Nissan Chemical Corporation Hole transport materials including oled applications
US9095141B2 (en) 2012-07-31 2015-08-04 Empire Technology Development Llc Antifouling compositions including dioxaborinanes and uses thereof
CN104838513B (zh) 2012-12-13 2018-03-13 E.I.内穆尔杜邦公司 用于制备内含层的方法和材料以及由其制成的设备
US9947872B2 (en) 2014-07-15 2018-04-17 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport materials
KR102283559B1 (ko) 2014-10-31 2021-07-28 주식회사 엘지화학 전기활성 재료
WO2016081583A1 (en) 2014-11-20 2016-05-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Hole transport materials
US11683979B2 (en) 2015-02-03 2023-06-20 Lg Chem, Ltd. Electroactive materials
US9972783B2 (en) 2015-03-25 2018-05-15 E I Du Pont De Nemours And Company High energy triarylamine compounds for hole transport materials
US9954174B2 (en) 2015-05-06 2018-04-24 E I Du Pont De Nemours And Company Hole transport materials
US10897025B2 (en) 2015-05-26 2021-01-19 Lg Chem, Ltd. Electroactive materials
US20170025609A1 (en) 2015-07-20 2017-01-26 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
US10862037B2 (en) 2015-10-16 2020-12-08 Lg Chem, Ltd. Electroactive materials
CN109153771B (zh) 2016-05-27 2022-04-12 株式会社Lg化学 导电聚合物组合物中的二杂胺
US9966542B2 (en) 2016-06-02 2018-05-08 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
CN109427939B (zh) * 2017-08-24 2021-04-13 Tcl科技集团股份有限公司 一种qled器件及其制备方法
EP3790862A4 (en) 2018-05-08 2022-01-05 Colorado State University Research Foundation METHOD OF MAKING ARYL CARBON-NITROGEN BONDINGS USING LIGHT AND PHOTOREACTORS TO PERFORM SUCH REACTIONS
TWI832882B (zh) 2018-08-08 2024-02-21 美商杜邦電子股份有限公司 用於電子裝置中之聚合物
WO2021096496A1 (en) * 2019-11-12 2021-05-20 Colorado State University Research Foundation Methods for forming aryl carbon-nitrogen bonds using light and photoreactors useful for conducting such reactions

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08292586A (ja) * 1995-04-21 1996-11-05 Hodogaya Chem Co Ltd 電子写真用感光体
JPH10251633A (ja) * 1997-03-17 1998-09-22 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH10265773A (ja) * 1997-03-24 1998-10-06 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔注入材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2004005406A2 (en) * 2002-07-10 2004-01-15 E.I. Du Pont De Nemours And Company Charge transport compositions on the basis of triarylmethanes and their use in electronic devices

Family Cites Families (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL268155A (ko) 1960-08-22
DE2356370C2 (de) 1973-11-12 1983-05-11 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
CA1084647A (en) * 1974-02-21 1980-08-26 Shigeyoshi Hara Nitrogen-containing aromatic polymers and process for their preparation
GB1505409A (en) 1974-12-20 1978-03-30 Eastman Kodak Co Photoconductive compositions
CA1098755A (en) 1976-04-02 1981-04-07 Milan Stolka Imaging member with n,n'-diphenyl-n,n'-bis (phenylmethyl)-¬1,1'-biphenyl|-4,4'-diamine in the charge transport layer
US4047949A (en) 1976-11-01 1977-09-13 Xerox Corporation Composite layered imaging member for electrophotography
US4047948A (en) 1976-11-01 1977-09-13 Xerox Corporation Composite layered imaging member for electrophotography
US4265990A (en) 1977-05-04 1981-05-05 Xerox Corporation Imaging system with a diamine charge transport material in a polycarbonate resin
US4346158A (en) 1978-12-04 1982-08-24 Xerox Corporation Imaging system with a diamine charge transport material in a polycarbonate resin
US4299897A (en) 1978-12-15 1981-11-10 Xerox Corporation Aromatic amino charge transport layer in electrophotography
US4233384A (en) 1979-04-30 1980-11-11 Xerox Corporation Imaging system using novel charge transport layer
US4322487A (en) 1979-08-08 1982-03-30 Eastman Kodak Company Composite electrically photosensitive particles for electrophoretic migration imaging process
US4714779A (en) 1980-11-20 1987-12-22 Xerox Corporation Aromatic aryl amine polymers
US4517354A (en) 1981-07-06 1985-05-14 Plastics Engineering Company Polysulfone compositions and derivatives thereof
US4504564A (en) 1984-01-03 1985-03-12 Xerox Corporation Method for the preparation of photoconductive compositions
US4665000A (en) * 1984-10-19 1987-05-12 Xerox Corporation Photoresponsive devices containing aromatic ether hole transport layers
JPS61228450A (ja) 1985-04-03 1986-10-11 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
US4933245A (en) 1986-09-18 1990-06-12 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor
US4933053A (en) 1987-02-05 1990-06-12 Ciba-Geigy Corporation Carbazole-containing, electrically conductive polysiloxanes
JPS63257762A (ja) 1987-04-15 1988-10-25 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
US4801517A (en) 1987-06-10 1989-01-31 Xerox Corporation Polyarylamine compounds and systems utilizing polyarylamine compounds
US4931371A (en) 1987-11-24 1990-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member
US4946754A (en) 1988-11-21 1990-08-07 Xerox Corporation Photoconductive imaging members with diaryl biarylylamine charge transporting components
JPH02282263A (ja) 1988-12-09 1990-11-19 Nippon Oil Co Ltd ホール輸送材料
JP2692925B2 (ja) 1989-01-20 1997-12-17 キヤノン株式会社 電子写真感光体
CA2010770A1 (en) 1989-03-09 1990-09-09 Dinesh N. Khanna Bis-n,n' nitro or amino benzoyl aminophenols
US4937165A (en) 1989-04-03 1990-06-26 Xerox Corporation Photoconductive imaging members with N,N-bis(biarylyl)aniline charge transport polymers
US5077142A (en) 1989-04-20 1991-12-31 Ricoh Company, Ltd. Electroluminescent devices
JPH03102361A (ja) 1989-09-18 1991-04-26 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JPH03158862A (ja) 1989-11-17 1991-07-08 Mitsubishi Kasei Corp 電子写真用感光体
JPH03203739A (ja) 1989-12-29 1991-09-05 Mitsubishi Kasei Corp 電子写真用感光体
JPH03208057A (ja) 1990-01-09 1991-09-11 Mitsubishi Kasei Corp 電子写真用感光体
JPH03264592A (ja) 1990-03-14 1991-11-25 Kao Corp 新規シリル化トリアリールアミン化合物、その製造方法、及びそれを含む電子写真感光体
JPH03290665A (ja) 1990-04-06 1991-12-20 Kao Corp 電子写真感光体
US5155200A (en) 1990-04-20 1992-10-13 Xerox Corporation Polyarylamine polymers
JPH0421688A (ja) 1990-05-12 1992-01-24 Kao Corp 新規有機ケイ素化合物、その製造方法及びそれを用いた電子写真感光体
JPH04182656A (ja) 1990-11-19 1992-06-30 Canon Inc 電子写真感光体、該電子写真感光体を備えた電子写真装置並びにファクシミリ
JP2957286B2 (ja) 1990-12-26 1999-10-04 三井化学株式会社 感光体
JP2518974B2 (ja) 1991-03-29 1996-07-31 三田工業株式会社 ベンジジン誘導体及びそれを用いた感光体
US5237045A (en) 1992-01-09 1993-08-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Curing phthalonitrile resins with acid and amine
US5652067A (en) * 1992-09-10 1997-07-29 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US5846681A (en) 1992-09-30 1998-12-08 Xerox Corporation Multilayer imaging member having improved substrate
US5449564A (en) 1992-10-29 1995-09-12 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent element having improved durability
EP0650955B1 (en) 1993-11-01 1998-08-19 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Amine compound and electro-luminescence device comprising same
EP0666298A3 (en) 1994-02-08 1995-11-15 Tdk Corp Organic electroluminescent element and compound used therein.
US5681664A (en) 1994-08-04 1997-10-28 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Hole-transporting material and use thereof
US5554450A (en) 1995-03-08 1996-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high thermal stability
US5708130A (en) 1995-07-28 1998-01-13 The Dow Chemical Company 2,7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers
JP3916269B2 (ja) * 1995-11-06 2007-05-16 東レ・ダウコーニング株式会社 有機ケイ素変性電荷輸送性化合物及び該化合物を含有する電荷輸送能を有する硬化性組成物
US5789128A (en) 1995-12-15 1998-08-04 Ricoh Company, Ltd. Electrophotographic photoconductor and aromatic polycarbonate resin for use therein
US5677097A (en) * 1996-01-18 1997-10-14 Fuji Xerox Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor
US5929194A (en) * 1996-02-23 1999-07-27 The Dow Chemical Company Crosslinkable or chain extendable polyarylpolyamines and films thereof
US6939625B2 (en) * 1996-06-25 2005-09-06 Nôrthwestern University Organic light-emitting diodes and methods for assembly and enhanced charge injection
US5763110A (en) 1996-09-03 1998-06-09 Xerox Corporation Electroluminescent devices comprising polynuclear arylamines
US5681679A (en) 1996-09-27 1997-10-28 Xerox Corporation Overcoated electrophotographic imaging member with resilient charge transport layer
WO1998016581A1 (en) 1996-10-15 1998-04-23 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions containing particles of highly fluorinated ion exchange polymer
DE19643097A1 (de) 1996-10-18 1998-04-23 Basf Ag Vernetzbare Triarylaminverbindungen und deren Verwendung als Ladungstransportmaterialien
US6020426A (en) * 1996-11-01 2000-02-01 Fuji Xerox Co., Ltd. Charge-transporting copolymer, method of forming charge-transporting copolymer, electrophotographic photosensitive body, and electrophotographic device
JP3606025B2 (ja) 1996-12-16 2005-01-05 東洋インキ製造株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US5891587A (en) 1997-02-27 1999-04-06 Xerox Corporation Electroluminescent devices
DE69804529T2 (de) 1997-05-19 2002-10-02 Canon Kk Organisches Material und elektrolumineszente Vorrichtung dasselbe nutzend
US5882829A (en) 1997-06-30 1999-03-16 Xerox Corporation Photoreceptor containing improved charge transporting small molecule
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
DE69824439T2 (de) * 1997-10-23 2005-06-16 Isis Innovation Ltd., Summertown Lichtemittierende dendrimere
JP4545243B2 (ja) 1997-12-16 2010-09-15 チッソ株式会社 ジアミノナフタレン誘導体、及びそれを用いた有機電界発光素子
JP4392869B2 (ja) * 1997-12-24 2010-01-06 ダウ コ−ニング コ−ポレ−ション ハイドロカーボンオキシシリル基を有するトリアリールアミンの製造方法
US20010017155A1 (en) * 1998-04-09 2001-08-30 Erika Bellmann Hole-transporting polymers
US6361885B1 (en) 1998-04-10 2002-03-26 Organic Display Technology Organic electroluminescent materials and device made from such materials
JP3806260B2 (ja) 1998-06-10 2006-08-09 株式会社リコー アルデヒド化合物とその製造方法
DE69929067D1 (de) 1998-07-09 2006-01-26 Chisso Corp Silol-derivate und organisches elektolumineszenzelement, das diese enthält
JP3180802B2 (ja) 1998-07-16 2001-06-25 住友電気工業株式会社 トリフェニルアミン誘導体とそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4136209B2 (ja) 1998-07-31 2008-08-20 キヤノン株式会社 電子写真装置
JP2000056490A (ja) 1998-08-10 2000-02-25 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
US6143452A (en) * 1998-09-29 2000-11-07 Konica Corporation Electrophotographic photoreceptor
US6107452A (en) * 1998-10-09 2000-08-22 International Business Machines Corporation Thermally and/or photochemically crosslinked electroactive polymers in the manufacture of opto-electronic devices
US5976744A (en) * 1998-10-29 1999-11-02 Xerox Corporation Photoreceptor overcoatings containing hydroxy functionalized aromatic diamine, hydroxy functionalized triarylamine and crosslinked acrylated polyamide
JP3496541B2 (ja) 1998-11-11 2004-02-16 富士ゼロックス株式会社 電荷輸送性ポリエステルおよびそれを用いた有機電子デバイス
US6107439A (en) * 1998-12-22 2000-08-22 Xerox Corporation Cross linked conducting compositions
JP4213832B2 (ja) 1999-02-08 2009-01-21 富士フイルム株式会社 有機発光素子材料、それを使用した有機発光素子およびスチリルアミン化合物
US6689491B1 (en) 1999-02-08 2004-02-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Luminescent device material, luminescent device using the same, and amine compound
US6008399A (en) 1999-03-11 1999-12-28 Mobil Oil Corporation Process for preparing organic carbonates
EP1729327B2 (en) 1999-05-13 2022-08-10 The Trustees Of Princeton University Use of a phosphorescent iridium compound as emissive molecule in an organic light emitting device
JP2001060010A (ja) 1999-08-24 2001-03-06 Fuji Xerox Co Ltd 短波長レーザ用電子写真感光体及びそれを用いた画像形成装置
JP4442960B2 (ja) * 1999-09-22 2010-03-31 ケミプロ化成株式会社 新規な二量体型テトラフェニレンジアミンを用いた有機エレクトロルミネッセント素子
EP1933395B2 (en) 1999-12-01 2019-08-07 The Trustees of Princeton University Complexes of form L2IrX
JP4144987B2 (ja) 1999-12-16 2008-09-03 富士フイルム株式会社 有機発光素子材料およびそれらを用いた有機発光素子
US6821645B2 (en) 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
JP3886381B2 (ja) 2000-01-05 2007-02-28 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 高分子及びその製造方法と使用
JP2001279237A (ja) 2000-03-31 2001-10-10 Fuji Photo Film Co Ltd 有機発光素子材料、新規アミン化合物、新規ヘテロ環化合物、およびそれらを用いた有機発光素子
US6207334B1 (en) 2000-05-12 2001-03-27 Xerox Corporation Photoreceptor with improved combination of overcoat layer and charge transport layer
WO2002001653A2 (en) 2000-06-28 2002-01-03 Emagin Corporation Organic light emitting diode devices using aromatic amine compounds with high and tunable glass transition temperatures
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
EP1325671B1 (en) 2000-08-11 2012-10-24 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP4344494B2 (ja) * 2000-08-24 2009-10-14 富士フイルム株式会社 発光素子及び新規重合体子
JP2002075654A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Fuji Xerox Co Ltd 有機電界発光素子
JP4569997B2 (ja) * 2000-09-07 2010-10-27 凸版印刷株式会社 高分子電荷輸送材料及びそれの製造方法及びそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
JP4154140B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物
JP4955877B2 (ja) 2000-09-28 2012-06-20 保土谷化学工業株式会社 ポリアミノフルオレン誘導体
JP2002167365A (ja) 2000-11-30 2002-06-11 Hodogaya Chem Co Ltd ビスフェニルシクロヘキサン誘導体
JP2002212150A (ja) 2001-01-22 2002-07-31 Canon Inc トリアリールアミン化合物、並びに該トリアリールアミン化合物を用いた重合膜、有機発光素子及びその製造方法
JP2002235077A (ja) 2001-02-08 2002-08-23 Nippon Steel Chem Co Ltd 有機ｅｌ材料及びそれを用いた有機ｅｌ素子
DE10109463B4 (de) 2001-02-27 2009-04-16 Sensient Imaging Technologies Gmbh Neue Triarylamin-Tetramere und ihr Einsatz in elektrofotografischen und organischen elektroluminiszenten Vorrichtungen
US6830831B2 (en) * 2001-06-29 2004-12-14 University Of Hull Light emitter for a display
EP1284258B1 (en) 2001-08-17 2006-02-08 MERCK PATENT GmbH Mono-, oligo- and polyalkylidenefluorenes and their use as charge transport materials
JP4366032B2 (ja) 2001-09-19 2009-11-18 オリヱント化学工業株式会社 トリフェニルアミンダイマー混合体
KR100577179B1 (ko) 2001-10-30 2006-05-10 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자
JP3996036B2 (ja) 2001-11-19 2007-10-24 三菱化学株式会社 芳香族ジアミン含有高分子化合物およびそれを用いる有機電界発光素子
US6913862B2 (en) * 2001-12-21 2005-07-05 Canon Kabushiki Kaisha Phenolic compound, novel resol resin, cured products thereof, electrophotographic photosensitive member containing them, and process cartridge and electrophotographic apparatus which have the electrophotographic photosensitive member
JP2003257676A (ja) 2001-12-26 2003-09-12 Fuji Photo Film Co Ltd 導電性高分子を含有する層を有する有機電界発光素子
DE10203328A1 (de) 2002-01-28 2003-08-07 Syntec Ges Fuer Chemie Und Tec Neue Triarylamin-Derivate mit raumfüllenden Flügelgruppen und ihre Einsatz in elektro-fotografischen und organischen elektrolumineszenten Vorrichtungen
JP4363050B2 (ja) 2002-01-31 2009-11-11 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7205366B2 (en) * 2002-04-02 2007-04-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Hole transport polymers and devices made with such polymers
US6830830B2 (en) 2002-04-18 2004-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Semiconducting hole injection materials for organic light emitting devices
US7241512B2 (en) * 2002-04-19 2007-07-10 3M Innovative Properties Company Electroluminescent materials and methods of manufacture and use
US6964833B2 (en) * 2002-05-31 2005-11-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Linked dihydrazone-based charge transport compounds
JP4321012B2 (ja) * 2002-06-21 2009-08-26 富士ゼロックス株式会社 有機電界発光素子
US20040004433A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
US7013403B2 (en) 2002-07-19 2006-03-14 Sun Microsystems, Inc. Synthesizing a pixel clock with extremely close channel spacing
JP2004067970A (ja) 2002-08-09 2004-03-04 Tosoh Corp 新規トリアリールアミンポリマー、その製造方法及びその用途
JP2004093794A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Canon Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4142404B2 (ja) * 2002-11-06 2008-09-03 出光興産株式会社 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004176024A (ja) 2002-11-29 2004-06-24 Toyo Ink Mfg Co Ltd 発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3944066B2 (ja) 2002-12-02 2007-07-11 キヤノン株式会社 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置
EP1464691B1 (en) 2003-03-26 2013-10-02 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator, and display
JP4487587B2 (ja) 2003-05-27 2010-06-23 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP4604592B2 (ja) 2003-07-29 2011-01-05 三菱化学株式会社 アリールアミン誘導体の製造方法及びそれに用いるメタノール誘導体
JP4581355B2 (ja) 2003-09-09 2010-11-17 東洋インキ製造株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6960418B2 (en) * 2003-10-23 2005-11-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Organophotoreceptor with charge transport material with two N,N,N-trisubstituted-amino groups
JP2005221539A (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Konica Minolta Business Technologies Inc 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置及び画像形成方法
JP2005220088A (ja) 2004-02-06 2005-08-18 Chemiprokasei Kaisha Ltd ケイ素含有多価アミン、それよりなるホール輸送材料およびそれを用いた有機ｅｌ素子
US7960587B2 (en) 2004-02-19 2011-06-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions comprising novel compounds and electronic devices made with such compositions
US7365230B2 (en) 2004-02-20 2008-04-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Cross-linkable polymers and electronic devices made with such polymers
JP4407536B2 (ja) 2004-03-01 2010-02-03 三菱化学株式会社 アリールアミン系化合物、並びにそれを用いた電子写真感光体及び画像形成装置
JP4956885B2 (ja) 2004-03-10 2012-06-20 富士ゼロックス株式会社 有機電界発光素子
JP5214237B2 (ja) 2004-03-31 2013-06-19 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電荷輸送材料として使用するトリアリールアミン化合物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08292586A (ja) * 1995-04-21 1996-11-05 Hodogaya Chem Co Ltd 電子写真用感光体
JPH10251633A (ja) * 1997-03-17 1998-09-22 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH10265773A (ja) * 1997-03-24 1998-10-06 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔注入材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2004005406A2 (en) * 2002-07-10 2004-01-15 E.I. Du Pont De Nemours And Company Charge transport compositions on the basis of triarylmethanes and their use in electronic devices

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