JPH03264592A - 新規シリル化トリアリールアミン化合物、その製造方法、及びそれを含む電子写真感光体 - Google Patents
新規シリル化トリアリールアミン化合物、その製造方法、及びそれを含む電子写真感光体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規シリル化トリアリールアミン化合物、その
製造方法及び該新規シリル化トリアリールアミン化合物
を電荷輸送材として用いた高感度、高耐久性の電子写真
感光体に関するものである。
製造方法及び該新規シリル化トリアリールアミン化合物
を電荷輸送材として用いた高感度、高耐久性の電子写真
感光体に関するものである。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕近年、
電子写真方式を用いた複写機、プリンターの発展は目覚
ましく、用途に応じて様々な形態、種類、機能の機種が
開発され、それに対応してそれらに用いられる感光体も
多種多様のものが開発されつつある。
電子写真方式を用いた複写機、プリンターの発展は目覚
ましく、用途に応じて様々な形態、種類、機能の機種が
開発され、それに対応してそれらに用いられる感光体も
多種多様のものが開発されつつある。
従来、電子写真感光体としては、その感度、耐久性の面
から無機化合物が主として用いられてきた。例えば、酸
化亜鉛、硫化カドミウム、セレン等を挙げることができ
る。しかしながら、これらは有害物質を使用している場
合が多く、その廃棄が問題となり、公害をもたらす原因
となる。又、感度が良好なセレンを用いる場合、蒸着法
等により導電性基体上に薄膜を形成する必要があり、生
産性が劣り、コストアンプの原因となる。
から無機化合物が主として用いられてきた。例えば、酸
化亜鉛、硫化カドミウム、セレン等を挙げることができ
る。しかしながら、これらは有害物質を使用している場
合が多く、その廃棄が問題となり、公害をもたらす原因
となる。又、感度が良好なセレンを用いる場合、蒸着法
等により導電性基体上に薄膜を形成する必要があり、生
産性が劣り、コストアンプの原因となる。
近年、無公害性の無機物感光体としてアモルファスシリ
コンが注目され、その研究開発が進められている。しか
しながら、これらも感度については優れているが、薄膜
形成時において、主にプラズマCVD法を用いるため、
その生産性は極めて劣っており、感光体コスト、ランニ
ングコストとも大きなものとなっている。
コンが注目され、その研究開発が進められている。しか
しながら、これらも感度については優れているが、薄膜
形成時において、主にプラズマCVD法を用いるため、
その生産性は極めて劣っており、感光体コスト、ランニ
ングコストとも大きなものとなっている。
一方、有機感光体は、焼却が可能であり、無公害の利点
を有し、更に多くのものは塗工により薄膜形成が可能で
大量生産が容易である。それ故にコストが大幅に低減で
き、又、用途に応じて様々な形状に加工することができ
るという長所を有している。しかしながら、有機感光体
においては、その感度、耐久性に問題が残されており、
高感度、高耐久性の有機感光体の出現が強く望まれてい
る。
を有し、更に多くのものは塗工により薄膜形成が可能で
大量生産が容易である。それ故にコストが大幅に低減で
き、又、用途に応じて様々な形状に加工することができ
るという長所を有している。しかしながら、有機感光体
においては、その感度、耐久性に問題が残されており、
高感度、高耐久性の有機感光体の出現が強く望まれてい
る。
有機感光体の感度向上の手段として様々な方法が提案さ
れているが、現在では電荷発生層と電荷輸送層とに機能
が分離した主に二層構造の機能分離型感光体が主流とな
っている。例えば、露光により電荷発生層で発生した電
荷は、電荷輸送層に注入され、電荷輸送層中を通って表
面に輸送され、表面電荷を中和することにより感光体表
面に静電潜像が形成される。機能分離型は単層型に比し
て発生した電荷が捕獲される可能性が小さくなり、各層
がそれぞれの機能を阻害されることなく、効率良く電荷
が感光体表面に輸送され得る(アメリカ特許第2803
541号)。
れているが、現在では電荷発生層と電荷輸送層とに機能
が分離した主に二層構造の機能分離型感光体が主流とな
っている。例えば、露光により電荷発生層で発生した電
荷は、電荷輸送層に注入され、電荷輸送層中を通って表
面に輸送され、表面電荷を中和することにより感光体表
面に静電潜像が形成される。機能分離型は単層型に比し
て発生した電荷が捕獲される可能性が小さくなり、各層
がそれぞれの機能を阻害されることなく、効率良く電荷
が感光体表面に輸送され得る(アメリカ特許第2803
541号)。
電荷発生層に用いられる有機電荷発生材としては、照射
される光のエネルギーを吸収し、効率良く電荷を発生す
る化合物が選択使用されており、例えば、アゾ顔料(特
開昭54−14967号公報)、無金属フタロシアニン
顔料(特開昭60143346号公報)、金属フタロシ
アニン顔料(特開昭50−16538号公報)、スクェ
アリウム塩(特開昭53−27033号公報)等を挙げ
ることができる。
される光のエネルギーを吸収し、効率良く電荷を発生す
る化合物が選択使用されており、例えば、アゾ顔料(特
開昭54−14967号公報)、無金属フタロシアニン
顔料(特開昭60143346号公報)、金属フタロシ
アニン顔料(特開昭50−16538号公報)、スクェ
アリウム塩(特開昭53−27033号公報)等を挙げ
ることができる。
電荷輸送層に用いられる電荷輸送材としては電荷発生層
からの電荷の注入効率が大きく、更に電荷輸送層内での
電荷の移動度が大である化合物を選定する必要がある。
からの電荷の注入効率が大きく、更に電荷輸送層内での
電荷の移動度が大である化合物を選定する必要がある。
そのためには、イオン化ポテンシャルが小さい化合物、
カチオンラジカルが発生し易い化合物が選ばれ、例えば
、トリアリールアミン誘導体(特開昭53−47260
号公報)、ヒドラゾン誘導体(特開昭57−10184
4号公報)、オキサジアゾール誘導体(特公昭3454
66号公@)、ピラゾリン誘導体(特公昭52−418
8号公報)、スチルベン誘導体(特開昭5819804
3号公報)、トリフェニルメタン誘導体(特公昭45−
555号公報) 、1.3−ブタジェン誘導体(特開昭
62−287257号公報)等が提案されている。
カチオンラジカルが発生し易い化合物が選ばれ、例えば
、トリアリールアミン誘導体(特開昭53−47260
号公報)、ヒドラゾン誘導体(特開昭57−10184
4号公報)、オキサジアゾール誘導体(特公昭3454
66号公@)、ピラゾリン誘導体(特公昭52−418
8号公報)、スチルベン誘導体(特開昭5819804
3号公報)、トリフェニルメタン誘導体(特公昭45−
555号公報) 、1.3−ブタジェン誘導体(特開昭
62−287257号公報)等が提案されている。
しかしながら、これらの電荷移動度は無機物に比較する
と小さいものであり、感度もまだまだ満足できないもの
であり、更に改良された材料が求められていた。
と小さいものであり、感度もまだまだ満足できないもの
であり、更に改良された材料が求められていた。
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意研究の結果、本
発明を完成するに至った。
発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、一般式(1)で示される新規シリル化
トリアリールアミン化合物、 1 2 C式中、Art は置換されていてもよいアリーレン基
を示し、2つのAr、は同一でも異なっていてもよい。
トリアリールアミン化合物、 1 2 C式中、Art は置換されていてもよいアリーレン基
を示し、2つのAr、は同一でも異なっていてもよい。
Ar2は置換されていてもよいアリール基を示し、4つ
のAr、は同一でも異なっていてもよい。RI+ Rz
は、同一もしくは相異なって、置換されていてもよいア
ルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアリ
ール基を示す。)(1)と同じ。×1はハロゲン原子を
示す。)で示されるハロゲン化トリアリールアミンと有
機リチウム試薬とを反応せしめリチオ化し、次に一般式
RJzSiXJs (R1,R2は式(1)と同じ。
のAr、は同一でも異なっていてもよい。RI+ Rz
は、同一もしくは相異なって、置換されていてもよいア
ルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアリ
ール基を示す。)(1)と同じ。×1はハロゲン原子を
示す。)で示されるハロゲン化トリアリールアミンと有
機リチウム試薬とを反応せしめリチオ化し、次に一般式
RJzSiXJs (R1,R2は式(1)と同じ。
×2゜X、は同一もしくは相異なってハロゲン原子、メ
トキシ基又はエトキシ基を示す。)で示されるシラン化
合物を反応せしめることを特徴とする前記一般式(1)
で示される新規シリル化トリアリールアミン化合物の製
造方法、及び 金物を感光層中に含むことを特徴とする電子写真感光体
、及び前記一般式で示される新規シリル化トリアリール
アミン化合物と一般式(2)と同じ。XIはハロゲン原
子を示す。)で示されるハロゲン化トリアリールアミン
とマグネシウム金属とを反応せしめグリニヤール化し、
次に一般大R+RzSiXJs (R+、Rgは式(
1)と同じ。
トキシ基又はエトキシ基を示す。)で示されるシラン化
合物を反応せしめることを特徴とする前記一般式(1)
で示される新規シリル化トリアリールアミン化合物の製
造方法、及び 金物を感光層中に含むことを特徴とする電子写真感光体
、及び前記一般式で示される新規シリル化トリアリール
アミン化合物と一般式(2)と同じ。XIはハロゲン原
子を示す。)で示されるハロゲン化トリアリールアミン
とマグネシウム金属とを反応せしめグリニヤール化し、
次に一般大R+RzSiXJs (R+、Rgは式(
1)と同じ。
X□X、は、同一もしくは相異なってハロゲン原子、メ
トキシ基又はエトキシ基を示す。)で示されるシラン化
合物を反応せしめることを特徴とする前記一般式(1)
で示される新規シリル化トリアリールアミン化合物の製
造方法を提供するものであり、また本発明は、導電性支
持体とその上に形成された感光層とを必須の構成要素と
する電子写真感光体に於いて、前記一般式(1)で示さ
れる新規シリル化トリアリールアミン化(式中、 R3
+ Ra、 R5・R6,R7,Re、R9,RIGは
同一もしくは相異なって、水素原子、ハロゲン原子又は
アルキル基を示す。) で示される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂
とを感光層中に含むことを特徴とする電子写真感光体を
も提供するものである。
トキシ基又はエトキシ基を示す。)で示されるシラン化
合物を反応せしめることを特徴とする前記一般式(1)
で示される新規シリル化トリアリールアミン化合物の製
造方法を提供するものであり、また本発明は、導電性支
持体とその上に形成された感光層とを必須の構成要素と
する電子写真感光体に於いて、前記一般式(1)で示さ
れる新規シリル化トリアリールアミン化(式中、 R3
+ Ra、 R5・R6,R7,Re、R9,RIGは
同一もしくは相異なって、水素原子、ハロゲン原子又は
アルキル基を示す。) で示される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂
とを感光層中に含むことを特徴とする電子写真感光体を
も提供するものである。
(Ar、、Ar2は式(1)と同じ。Xlはハロゲン原
子を示す。)で示されるハロゲン化トリアリールアミン
化合物は、公知の任意の方法で容易に合成することがで
きる。例えば、(Ar2) JHで表されるジアリール
アミンとp−ジハロゲン化アリ0 −ル化合物とを用いウルマン反応により得ることができ
る(ヘリヒナ。36巻、 2382ページ(1903)
)。
子を示す。)で示されるハロゲン化トリアリールアミン
化合物は、公知の任意の方法で容易に合成することがで
きる。例えば、(Ar2) JHで表されるジアリール
アミンとp−ジハロゲン化アリ0 −ル化合物とを用いウルマン反応により得ることができ
る(ヘリヒナ。36巻、 2382ページ(1903)
)。
(1)と同じ)で表されるトリアリールアミン化合物を
公知のハロゲン化剤により直接ハロゲン化することによ
り得ることも可能である。ハロゲン原子としては特に限
定されず、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のいずれで
もよい。
公知のハロゲン化剤により直接ハロゲン化することによ
り得ることも可能である。ハロゲン原子としては特に限
定されず、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のいずれで
もよい。
(Ar、、 Arzは式(1)と同じ。X、はハロゲン
原子を示す。)で示されるハロゲン化トリアリールアミ
ンと有機リチウム試薬、又はマグネシウム金属とを反応
せしめ、ハロゲン原子のついた炭素原子をリチオ化、又
はグリニヤール化する。
原子を示す。)で示されるハロゲン化トリアリールアミ
ンと有機リチウム試薬、又はマグネシウム金属とを反応
せしめ、ハロゲン原子のついた炭素原子をリチオ化、又
はグリニヤール化する。
その方法としては公知の方法が用いられ、例えばリチオ
化する場合には、エーテル系溶剤に上記ハロゲン化トリ
アリールアミンを溶解せしめそこへ等モル量の有機リチ
ウム試薬を滴下せしめる。滴下温度は一50°C乃至1
00℃であり、必要に応じて冷却、加温を行う。用いら
れるエーテル系溶剤としては、ジエチルエーテル、エチ
レングリコールジメチルエーテル、エチレングリコール
ジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエー
テル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、ジイソプロピルエーテル、
ジ−n−ブチルエーテル等が用いられる。用いられる有
機リチウム試薬としては、例えば、n−ブチルリチウム
、5ec−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム、フェ
ニルリチウム、メチルリチウム、リチウムジイソプロピ
ルアミド等を挙げることができ、これらは任意の有機溶
剤にて希釈して用いられる。
化する場合には、エーテル系溶剤に上記ハロゲン化トリ
アリールアミンを溶解せしめそこへ等モル量の有機リチ
ウム試薬を滴下せしめる。滴下温度は一50°C乃至1
00℃であり、必要に応じて冷却、加温を行う。用いら
れるエーテル系溶剤としては、ジエチルエーテル、エチ
レングリコールジメチルエーテル、エチレングリコール
ジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエー
テル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、ジイソプロピルエーテル、
ジ−n−ブチルエーテル等が用いられる。用いられる有
機リチウム試薬としては、例えば、n−ブチルリチウム
、5ec−ブチルリチウム、t−ブチルリチウム、フェ
ニルリチウム、メチルリチウム、リチウムジイソプロピ
ルアミド等を挙げることができ、これらは任意の有機溶
剤にて希釈して用いられる。
グリニヤール化する場合にも、前記リチオ化溶剤と同様
の溶剤を用いることができ、まず等モル量乃至2倍モル
量のマグネシウム金属を溶剤と共に反応容器に入れ、そ
こへ上記のハロゲン化トリアリールアミンを溶剤で希釈
したちの1 2 を滴下し、必要に応じて冷却、加温を行いグリニヤール
化する。
の溶剤を用いることができ、まず等モル量乃至2倍モル
量のマグネシウム金属を溶剤と共に反応容器に入れ、そ
こへ上記のハロゲン化トリアリールアミンを溶剤で希釈
したちの1 2 を滴下し、必要に応じて冷却、加温を行いグリニヤール
化する。
リチオ化、又はグリニヤール化した溶液に一般式R1R
25iX2Xs (R11R2は式(1)と同じ。X
2X3は、同一もしくは相異なってハロゲン原子、メト
キシ基又はエトキシ基を示す。)で表されるジ活性シラ
ン化合物を滴下し反応せしめる。
25iX2Xs (R11R2は式(1)と同じ。X
2X3は、同一もしくは相異なってハロゲン原子、メト
キシ基又はエトキシ基を示す。)で表されるジ活性シラ
ン化合物を滴下し反応せしめる。
ここでRI+ Rzは式(1)と同じであるが、一般式
(1)で示される新規シリル化トリアリールアミン化合
物を電子写真感光体用の電荷輸送材として用いるために
は、このものが常温で固体である必要がある。そのため
には、R11R2が両者ともアルキル基である場合には
、炭素数が1乃至6でなければならない。RI+ Rz
のうち少なくとも一方がシクロアルキル基、アリール基
、もしくはアラルキル基の場合には特に限定されること
はない。X2+ Lは同一もしくは相異なってよく、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、もし
くはメトキシ基、エトキシ基を示すが、反応性の点から
ハロゲン原子であることが好ましい。
(1)で示される新規シリル化トリアリールアミン化合
物を電子写真感光体用の電荷輸送材として用いるために
は、このものが常温で固体である必要がある。そのため
には、R11R2が両者ともアルキル基である場合には
、炭素数が1乃至6でなければならない。RI+ Rz
のうち少なくとも一方がシクロアルキル基、アリール基
、もしくはアラルキル基の場合には特に限定されること
はない。X2+ Lは同一もしくは相異なってよく、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、もし
くはメトキシ基、エトキシ基を示すが、反応性の点から
ハロゲン原子であることが好ましい。
反応終了後、加水分解し、有機層を抽出、乾燥、溶剤除
去後、再結晶等により精製し、一般式(1)で示される
新規シリル化トリアリールアミン化合物を高収率で得る
ことができる。シリル化トリアリールアミン化合物とし
てはアメリカ特許第2960517号に公示されている
が、このものはモノシリル化トリフェニルアミン化合物
であり本発明における新規シリル化トリアリールアミン
化合物とは本質的に違いがあり、また常温で液体である
ため電子写真感光体用の材料としては不適である。また
、その製造法として、ブロモフェニルアルキルシラン化
合物とアミンのアルカリ金属塩とを反応せしめており、
その原材料の入手が困難であり、また、反応温度、反応
時間共により過酷な条件を必要とするものである。それ
に対して本発明に於ける新規シリル化トリアリールアミ
ン化合物の製造方法では、より安価な原料を用い更に室
温程度の温度で、短時間に貰収率で目的化合物が得られ
る。
去後、再結晶等により精製し、一般式(1)で示される
新規シリル化トリアリールアミン化合物を高収率で得る
ことができる。シリル化トリアリールアミン化合物とし
てはアメリカ特許第2960517号に公示されている
が、このものはモノシリル化トリフェニルアミン化合物
であり本発明における新規シリル化トリアリールアミン
化合物とは本質的に違いがあり、また常温で液体である
ため電子写真感光体用の材料としては不適である。また
、その製造法として、ブロモフェニルアルキルシラン化
合物とアミンのアルカリ金属塩とを反応せしめており、
その原材料の入手が困難であり、また、反応温度、反応
時間共により過酷な条件を必要とするものである。それ
に対して本発明に於ける新規シリル化トリアリールアミ
ン化合物の製造方法では、より安価な原料を用い更に室
温程度の温度で、短時間に貰収率で目的化合物が得られ
る。
3
4
以上のようにして得られる一般式(1)で示される新規
シリル化トリアリールアミン化合物のうち、常温で固体
のものはシリル基の電子供与性により正電荷移動度が大
きく、また電子写真プロセスにおいて発生するオゾン酸
化に対しても安定であり、高感度、高耐久性の電子写真
感光体を与えるものである。
シリル化トリアリールアミン化合物のうち、常温で固体
のものはシリル基の電子供与性により正電荷移動度が大
きく、また電子写真プロセスにおいて発生するオゾン酸
化に対しても安定であり、高感度、高耐久性の電子写真
感光体を与えるものである。
以下、一般式(1)で示される新規シリル化トリアリー
ルアミン化合物を具体的に例示するが、本発明はこれら
に限定されるものではない。
ルアミン化合物を具体的に例示するが、本発明はこれら
に限定されるものではない。
5
CO。
7
20
これらの化合物は、多くの溶剤に可溶であり、例えば、
ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリン、クロロヘ
ンゼン等の芳香族系溶剤;ジクロロメタン、クロロホル
ム、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、四塩
化炭素等のハロゲン系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸プロピル、ギ酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系
溶剤;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶剤
;ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジオキサン
、テトラヒドロフラン2 等のエーテル系溶剤;メタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコール等のアルコール系溶剤;ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド等に可溶である。
ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリン、クロロヘ
ンゼン等の芳香族系溶剤;ジクロロメタン、クロロホル
ム、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、四塩
化炭素等のハロゲン系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸プロピル、ギ酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系
溶剤;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶剤
;ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジオキサン
、テトラヒドロフラン2 等のエーテル系溶剤;メタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコール等のアルコール系溶剤;ジメチルホル
ムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド等に可溶である。
電子写真感光体を作成するにあたっては、導電性支持体
上に電荷発生層及び電荷輸送層を薄膜上に形成せしめる
。導電性支持体の基材としては、アルミニウム、ニッケ
ル等の金属、金属蒸着高分子フィルム、金属ラミネート
高分子フィルム等を用いることができ、ドラム状、シー
ト状、又はベルト状の形態で導電性支持体を形成する。
上に電荷発生層及び電荷輸送層を薄膜上に形成せしめる
。導電性支持体の基材としては、アルミニウム、ニッケ
ル等の金属、金属蒸着高分子フィルム、金属ラミネート
高分子フィルム等を用いることができ、ドラム状、シー
ト状、又はベルト状の形態で導電性支持体を形成する。
電荷発生層は、電荷発生材及び必要に応じて結合剤、添
加剤よりなり、蒸着法、プラズマCVD法、塗工法等の
方法で作成することができる。
加剤よりなり、蒸着法、プラズマCVD法、塗工法等の
方法で作成することができる。
電荷発生材としては、特に限定されることはなく照射さ
れる特定の波長の光を吸収し、効率よく電荷を発生し得
るものなら有機材料、無機材料のいずれも好適に使用す
ることができる。
れる特定の波長の光を吸収し、効率よく電荷を発生し得
るものなら有機材料、無機材料のいずれも好適に使用す
ることができる。
を機電荷発生材としては、例えば、ペリレン顔料、多環
牛ノン系顔料、無金属フタロシアニン顔料、金属フタロ
シアニン顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、チアピ
リリウム塩、スクェアリウム塩、アズレニウム顔料等が
挙げられ、これらは主として結合剤中に分散せしめ、塗
工により電荷発生層を形成することができる。無機電荷
発生材としては、セレン、セレン合金、硫化カドミウム
、酸化亜鉛、アモルファスシリコン、アモルファスシリ
コンカーバイド等が挙げられる。なかでも半導体レーザ
ー波長域ではX型無金属フタロシアニン顔料が、可視光
領域ではジブロモアントアントロン顔料がその感度の点
において最も優れている。
牛ノン系顔料、無金属フタロシアニン顔料、金属フタロ
シアニン顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、チアピ
リリウム塩、スクェアリウム塩、アズレニウム顔料等が
挙げられ、これらは主として結合剤中に分散せしめ、塗
工により電荷発生層を形成することができる。無機電荷
発生材としては、セレン、セレン合金、硫化カドミウム
、酸化亜鉛、アモルファスシリコン、アモルファスシリ
コンカーバイド等が挙げられる。なかでも半導体レーザ
ー波長域ではX型無金属フタロシアニン顔料が、可視光
領域ではジブロモアントアントロン顔料がその感度の点
において最も優れている。
形成された電荷発生層の膜厚は、0.1乃至2.0μが
好ましく、更に好ましくはo、i乃至1.0ItInで
ある。
好ましく、更に好ましくはo、i乃至1.0ItInで
ある。
次に該電荷発生層の上部に一般式(1)で示される新規
シリル化トリアリールアミン化合物を含む電荷輸送層を
薄膜状に形成せしめる。薄膜形成法としては、おもに塗
工法が用いられ、3 4 形成(1)で示される新規シリル化トリアリールアミン
化合物を、必要に応じて結合剤とともに溶剤に溶解し、
電荷発生層上に塗工せしめ、その後乾燥させればよい。
シリル化トリアリールアミン化合物を含む電荷輸送層を
薄膜状に形成せしめる。薄膜形成法としては、おもに塗
工法が用いられ、3 4 形成(1)で示される新規シリル化トリアリールアミン
化合物を、必要に応じて結合剤とともに溶剤に溶解し、
電荷発生層上に塗工せしめ、その後乾燥させればよい。
用いられる溶剤としては、上記の化合物及び必要に応じ
て用いられる結合剤が溶解し、かつ電荷発生層が溶解し
ない溶剤なら特に限定されることはない。
て用いられる結合剤が溶解し、かつ電荷発生層が溶解し
ない溶剤なら特に限定されることはない。
必要に応じて用いられる結合剤は、絶縁性樹脂なら特に
限定されることはなく、例えば、ポリカーボネート、ボ
リアリレート、ポリエステル、ポリアミド等の縮合系重
合体;ポリエチレン、ポリスチレン、スチレン−アクリ
ル共重合体、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ポリアクリロニトリル、ポリア
クリルアミド、アクリロニトリル−ブタジェン共重合体
、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体等の
付加重合体;ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、シ
リコン樹脂等が適宜用いられ、一種もしくは二種以上の
ものを混合して用いることができる。
限定されることはなく、例えば、ポリカーボネート、ボ
リアリレート、ポリエステル、ポリアミド等の縮合系重
合体;ポリエチレン、ポリスチレン、スチレン−アクリ
ル共重合体、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ポリアクリロニトリル、ポリア
クリルアミド、アクリロニトリル−ブタジェン共重合体
、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体等の
付加重合体;ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、シ
リコン樹脂等が適宜用いられ、一種もしくは二種以上の
ものを混合して用いることができる。
これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、特に一般式(
2) (式中、R3、R4、R6、R6、R1、R8,、R,
、RIGは同一もしくは相異なって、水素原子、ハロゲ
ン原子又はアルキル基を示す。) で示される繰り返し単位を存するポリカーボネート樹脂
(これは一般にポリカーボネートZ樹脂と称される)を
用いた場合に、塗料の保存安定性が優れ、塗工時の欠陥
発生が少なく好適である。
2) (式中、R3、R4、R6、R6、R1、R8,、R,
、RIGは同一もしくは相異なって、水素原子、ハロゲ
ン原子又はアルキル基を示す。) で示される繰り返し単位を存するポリカーボネート樹脂
(これは一般にポリカーボネートZ樹脂と称される)を
用いた場合に、塗料の保存安定性が優れ、塗工時の欠陥
発生が少なく好適である。
前記一般式(2)で示される繰り返し単位を有する化合
物のようにポリカーボネート樹脂の主鎖中にシクロヘキ
シル基を導入することによりその滑り抵抗を小さくでき
、又ガラス転移点を変化させることなく強靭さを増すこ
とが可能と5 6 なり、該ポリカーボネートZ樹脂を用いた電子写真感光
体は電子写真プロセスにおいてトナー紙、クリーニング
ブレードによる摩耗を最小限に抑えることが可能となる
。本発明に用いられる一般式(2)で示される繰り返し
単位を有するポリカーボネート樹脂を具体的に例示する
と次のものが挙げられるが本発明はこれらに限定される
ものではない。
物のようにポリカーボネート樹脂の主鎖中にシクロヘキ
シル基を導入することによりその滑り抵抗を小さくでき
、又ガラス転移点を変化させることなく強靭さを増すこ
とが可能と5 6 なり、該ポリカーボネートZ樹脂を用いた電子写真感光
体は電子写真プロセスにおいてトナー紙、クリーニング
ブレードによる摩耗を最小限に抑えることが可能となる
。本発明に用いられる一般式(2)で示される繰り返し
単位を有するポリカーボネート樹脂を具体的に例示する
と次のものが挙げられるが本発明はこれらに限定される
ものではない。
CH3CH3
I
CI
CI
CI
CI CI
これらポリカーボネートZ樹脂の分子量は数平均分子量
で5千乃至10万である。これよりも小さいと機械的強
度が得られなくなり、耐摩耗性は期待出来ない。また1
0万よりも大きいと塗工時に粘度が大きくなりすぎ作業
性の困難を生じる。ガラス転移点は50℃乃至200℃
であり、この範囲において耐摩耗性が改善される。これ
よりもガラス転移点が低いと環境特性が低下し好ましく
ない。また200℃よりも高いと脆さが生じるようにな
り摩耗劣化が激しくなる。
で5千乃至10万である。これよりも小さいと機械的強
度が得られなくなり、耐摩耗性は期待出来ない。また1
0万よりも大きいと塗工時に粘度が大きくなりすぎ作業
性の困難を生じる。ガラス転移点は50℃乃至200℃
であり、この範囲において耐摩耗性が改善される。これ
よりもガラス転移点が低いと環境特性が低下し好ましく
ない。また200℃よりも高いと脆さが生じるようにな
り摩耗劣化が激しくなる。
上記結合剤の使用量は一般式(1)で示される新規シリ
ル化トリアリールアミン化合物に対して7 8 0.1乃至3重量比であり好ましくは0.1乃至2重量
比である。結合剤の量がこれよりも大であると、電荷輸
送層における電荷輸送材濃度が小さくなり感度が悪くな
る。
ル化トリアリールアミン化合物に対して7 8 0.1乃至3重量比であり好ましくは0.1乃至2重量
比である。結合剤の量がこれよりも大であると、電荷輸
送層における電荷輸送材濃度が小さくなり感度が悪くな
る。
又、本発明においては、必要に応じて前記のような公知
の電荷輸送材を組み合わせて用いることも可能である。
の電荷輸送材を組み合わせて用いることも可能である。
電荷輸送層の塗工手段は限定されることはなく、例えば
、デイツプコーター、バーコーターカレンダーコーター
、グラビアコーター、スピンコーター等を適宜使用する
ことができ、又、電着塗装することも可能である。
、デイツプコーター、バーコーターカレンダーコーター
、グラビアコーター、スピンコーター等を適宜使用する
ことができ、又、電着塗装することも可能である。
このようにして形成される電荷輸送層の膜厚は、10乃
至50−が好ましく、更に好ましくは10乃至30μで
ある。膜厚が50−よりも大であると、電荷の輸送によ
り多くの時間を要するようになり、又、電荷が捕獲され
る確率も大となり感度低下の原因となる。一方、107
7+11より小であると、機械的強度が低下し、感光体
の寿命が短いものとなり好ましくない。以上のごとくに
して一般式(1)で示される化合物を電荷輸送層に含む
電子写真感光体を作製することができるが、本発明では
更に導電性支持体と電荷発生層の間に必要に応じて、下
引き層、接着層、バリヤー層等を設けることもでき、こ
れらの層には例えばポリビニルブチラール、フェノール
樹脂、ポリアミド樹脂等の、絶縁性樹脂や導電性無機微
粉末を絶縁性樹脂に分散させたもの、あるいはポリピロ
ールやポリチオフェンのような共役系高分子にイオンド
ープし導電性高分子にしたもの等いずれも使用すること
ができる。又、感光体表面に表面保護層を設けることも
でき、前記下引き層等と同様の材料を用いることができ
る。
至50−が好ましく、更に好ましくは10乃至30μで
ある。膜厚が50−よりも大であると、電荷の輸送によ
り多くの時間を要するようになり、又、電荷が捕獲され
る確率も大となり感度低下の原因となる。一方、107
7+11より小であると、機械的強度が低下し、感光体
の寿命が短いものとなり好ましくない。以上のごとくに
して一般式(1)で示される化合物を電荷輸送層に含む
電子写真感光体を作製することができるが、本発明では
更に導電性支持体と電荷発生層の間に必要に応じて、下
引き層、接着層、バリヤー層等を設けることもでき、こ
れらの層には例えばポリビニルブチラール、フェノール
樹脂、ポリアミド樹脂等の、絶縁性樹脂や導電性無機微
粉末を絶縁性樹脂に分散させたもの、あるいはポリピロ
ールやポリチオフェンのような共役系高分子にイオンド
ープし導電性高分子にしたもの等いずれも使用すること
ができる。又、感光体表面に表面保護層を設けることも
でき、前記下引き層等と同様の材料を用いることができ
る。
こうして得られた電子写真感光体の使用に際しては、ま
ず感光体表面をコロナ帯電器等により負に帯電せしめる
。帯電後、露光されることにより電荷発生層内で電荷が
発生し、正電荷が電荷輸送層内に注入され、これが電荷
輸送層中を通って表面にまで輸送され、表面の負電荷が
中和される。一方、露光されなかった部分には9 0 負電荷が残ることになる。正規現像の場合、正トナーが
用いられ、この負電荷が残った部分にトナーが付着し現
像されることになる。反転現像の場合は、負トナーが用
いられ、電荷が中和された部分にトナーが付着し、現像
されることになる。本発明における電子写真感光体はい
ずれの現像方法においても使用可能であり、高画質を与
えることができる。
ず感光体表面をコロナ帯電器等により負に帯電せしめる
。帯電後、露光されることにより電荷発生層内で電荷が
発生し、正電荷が電荷輸送層内に注入され、これが電荷
輸送層中を通って表面にまで輸送され、表面の負電荷が
中和される。一方、露光されなかった部分には9 0 負電荷が残ることになる。正規現像の場合、正トナーが
用いられ、この負電荷が残った部分にトナーが付着し現
像されることになる。反転現像の場合は、負トナーが用
いられ、電荷が中和された部分にトナーが付着し、現像
されることになる。本発明における電子写真感光体はい
ずれの現像方法においても使用可能であり、高画質を与
えることができる。
又、本発明においては、導電性支持体上にまず電荷輸送
層を設け、その上に電荷発生層を設けて電子写真感光体
を作成することもできる。
層を設け、その上に電荷発生層を設けて電子写真感光体
を作成することもできる。
この場合には、まず感光体表面を正に帯電せしめ、露光
後、発生した負電荷は感光体の表面電荷を中和し、正電
荷は電荷輸送層を通って導電性支持体に輸送されること
になる。
後、発生した負電荷は感光体の表面電荷を中和し、正電
荷は電荷輸送層を通って導電性支持体に輸送されること
になる。
又、本発明においては電荷発生材と電荷輸送材とを同一
層に含む単層型感光体とすることもでき、その場合には
電荷発注材と電荷輸送材とを結合剤とともに溶解し、分
散せしめ支持体上に10乃至30I!mの膜厚で塗工せ
しめればよい。
層に含む単層型感光体とすることもでき、その場合には
電荷発注材と電荷輸送材とを結合剤とともに溶解し、分
散せしめ支持体上に10乃至30I!mの膜厚で塗工せ
しめればよい。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例−1
撹拌装置、冷却管、窒素導入管、滴下漏斗を備え付けた
200mf4ツロフラスコに、4−ブロモトリフェニル
アミン6.5g (20mmol)を入れ窒素置換を行
った。そのものにジエチルエーテル100 m7を入れ
溶解せしめた。該エーテル溶液にn−ブチルリチウム1
2.5mf (’1.6Mヘキサン溶液、20mmol
)を室温でゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で1時
間撹拌し、次にこの反応混合物に、ジクロロジメチルシ
ラン1.3g (10mmol)のジエチルエーテル溶
液20−を還流条件下ゆっくり滴下した。滴下終了後、
反応混合物を2時間還流撹拌し反応を熟成した。その後
、水冷下、水を50−加えて加水分解を行い、エーテル
層を1 2 抽出し飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で1回、水で2回
洗浄し、次いで無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後
、ジエチルエーテルを溜去し、白色固体を得た。該白色
固体をn−ヘキサン/トルエン(1/1)で再結晶し目
的物を3.5g得た(収率67%)。
200mf4ツロフラスコに、4−ブロモトリフェニル
アミン6.5g (20mmol)を入れ窒素置換を行
った。そのものにジエチルエーテル100 m7を入れ
溶解せしめた。該エーテル溶液にn−ブチルリチウム1
2.5mf (’1.6Mヘキサン溶液、20mmol
)を室温でゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で1時
間撹拌し、次にこの反応混合物に、ジクロロジメチルシ
ラン1.3g (10mmol)のジエチルエーテル溶
液20−を還流条件下ゆっくり滴下した。滴下終了後、
反応混合物を2時間還流撹拌し反応を熟成した。その後
、水冷下、水を50−加えて加水分解を行い、エーテル
層を1 2 抽出し飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で1回、水で2回
洗浄し、次いで無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後
、ジエチルエーテルを溜去し、白色固体を得た。該白色
固体をn−ヘキサン/トルエン(1/1)で再結晶し目
的物を3.5g得た(収率67%)。
融点; 170.0〜172.0°C
元素分析; (CsIIHsJzSi)計算4M (%
) CB3.52 H6,23 N 5.13 Si 5.12 実施例−2 実測値(%) 83.26 6.42 5.33 4.99 撹拌装置、冷却管、窒素導入管、滴下漏斗を備え付けた
200m14ツロフラスコに、マグネシウム金属0.6
g (24,9mmol)を入れ窒素置換を行った。そ
のものにジエチルエーテルioo mZを入れ撹拌を開
始した。そこへ4−ブロモトリフェニルアミン6−5g
’ (20mmo+)を溶解したジエチルエーテル溶液
29m7をゆっくり滴下した。約5−滴下したところで
ゆるやかに還流が始まった。
) CB3.52 H6,23 N 5.13 Si 5.12 実施例−2 実測値(%) 83.26 6.42 5.33 4.99 撹拌装置、冷却管、窒素導入管、滴下漏斗を備え付けた
200m14ツロフラスコに、マグネシウム金属0.6
g (24,9mmol)を入れ窒素置換を行った。そ
のものにジエチルエーテルioo mZを入れ撹拌を開
始した。そこへ4−ブロモトリフェニルアミン6−5g
’ (20mmo+)を溶解したジエチルエーテル溶液
29m7をゆっくり滴下した。約5−滴下したところで
ゆるやかに還流が始まった。
還流させながら、さらにジエチルエーテル溶液の滴下を
続け、滴下終了後さらに1時間還流を行った。以上のよ
うにして得られたグリニヤール溶液を室温にまで戻し、
次にジクロロジエチルシラン1.6g (10mmol
)のジエチルエーテル溶液20m7を還流条件下ゆっく
り滴下した。滴下終了後、反応混合物を2時間還流撹拌
し反応を熟成した。その後、水を50@l加えて加水分
解し、エーテル層を抽出し飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液で1回、水で2回洗浄し、次いで無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。乾燥後、ジエチルエーテルを溜去し、白色
固体を得た。該白色固体をn−ヘキサン/トルエン(1
/1)で再結晶し目的物を7.8g得た(収率70%)
。
続け、滴下終了後さらに1時間還流を行った。以上のよ
うにして得られたグリニヤール溶液を室温にまで戻し、
次にジクロロジエチルシラン1.6g (10mmol
)のジエチルエーテル溶液20m7を還流条件下ゆっく
り滴下した。滴下終了後、反応混合物を2時間還流撹拌
し反応を熟成した。その後、水を50@l加えて加水分
解し、エーテル層を抽出し飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液で1回、水で2回洗浄し、次いで無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。乾燥後、ジエチルエーテルを溜去し、白色
固体を得た。該白色固体をn−ヘキサン/トルエン(1
/1)で再結晶し目的物を7.8g得た(収率70%)
。
融点i 153.5〜155.0℃
元素分析;(C4゜HssNzSt)
3
4
計算値(%) 実測値(%)
C83,6283,39
H6,626,74
N 4.88 5.19Si
4.88 4.68実施例−3〜21 例示化合物(5)、 (6)、 (9)、 (11)、
(13)、 (14)(17L (19)、 (22
)については実施例−Iと同様に、例示化合物(7)、
(8)、 (10)、 (12)、 (15L(16
)、 (18)、 (20)、 (21)、 (23)
については実施例−2と同様の方法で、それぞれ対応す
るクロルシランを用いて合成し、融点、元素分析値を測
定した。その結果を表−1に示した。
4.88 4.68実施例−3〜21 例示化合物(5)、 (6)、 (9)、 (11)、
(13)、 (14)(17L (19)、 (22
)については実施例−Iと同様に、例示化合物(7)、
(8)、 (10)、 (12)、 (15L(16
)、 (18)、 (20)、 (21)、 (23)
については実施例−2と同様の方法で、それぞれ対応す
るクロルシランを用いて合成し、融点、元素分析値を測
定した。その結果を表−1に示した。
実施例−22〜29
例示化合物(24)〜(31)については、実施例1に
おいて4−ブロモトリフェニルアミンの代わりに3−ブ
ロモトリアリールアミンを用い、それぞれ対応するジク
ロロシラン化合物と反応せしめることにより合成し、融
点、元素分析値を測定した。その結果を表−1に示した
。
おいて4−ブロモトリフェニルアミンの代わりに3−ブ
ロモトリアリールアミンを用い、それぞれ対応するジク
ロロシラン化合物と反応せしめることにより合成し、融
点、元素分析値を測定した。その結果を表−1に示した
。
5
7
表1続き
表1続き
実施例−30
X型無金属フタロシアニン4.1g、ポリビニルブチラ
ール(エスレックBM−2、積木化学■製)4.1g、
シクロへキサノン200g、ガラスピーズ(1φ) 6
50gをサンドミルに入れ、4時間溶解、分散を行い、
電荷発生層用塗料を作製した。該塗料用い、表面鏡面仕
上げしたアルミニウムシリンダー(30φ)に乾燥後の
膜厚が0.15−になるように浸漬塗工し、乾燥した。
ール(エスレックBM−2、積木化学■製)4.1g、
シクロへキサノン200g、ガラスピーズ(1φ) 6
50gをサンドミルに入れ、4時間溶解、分散を行い、
電荷発生層用塗料を作製した。該塗料用い、表面鏡面仕
上げしたアルミニウムシリンダー(30φ)に乾燥後の
膜厚が0.15−になるように浸漬塗工し、乾燥した。
次に式(3)で示されるシリル化トリフェニルアミン化
合物80g、式(32)で示される繰り返し単位を有す
るポリカーボネートZ樹脂(数平均分子量;5万)80
gをジオキサン450gに溶解し、電荷輸送層用塗料を
作製した。該塗料を用いて、先に電荷発生層を塗工した
アルミニウムシリンダーに乾燥後の膜厚が25pになる
ように浸漬塗工し、乾燥した。
合物80g、式(32)で示される繰り返し単位を有す
るポリカーボネートZ樹脂(数平均分子量;5万)80
gをジオキサン450gに溶解し、電荷輸送層用塗料を
作製した。該塗料を用いて、先に電荷発生層を塗工した
アルミニウムシリンダーに乾燥後の膜厚が25pになる
ように浸漬塗工し、乾燥した。
このようにして作成したドラム状電子写真感光体を用い
ドラムゼログラフィー試験機にて電子写真特性を評価し
た。−5,5kVのコロナ電圧9 わかった。
ドラムゼログラフィー試験機にて電子写真特性を評価し
た。−5,5kVのコロナ電圧9 わかった。
実施例−31〜34
実施例−30において電荷輸送材として式(3)で示さ
れるシリル化トリアリールアミンのかわりに表2に示し
た化合物を用いる以外は同様にして感光体を作製し、性
能評価を行った。その結果を表2に示した。
れるシリル化トリアリールアミンのかわりに表2に示し
た化合物を用いる以外は同様にして感光体を作製し、性
能評価を行った。その結果を表2に示した。
これかられかるように、いずれも初期、5万回繰り返し
後も感光体特性は優れたものであった。
後も感光体特性は優れたものであった。
またプリンター内装着での5万枚プリント試験後でも膜
厚の減少は、いずれの感光体においても見ることができ
ず高画像濃度を維持していた。
厚の減少は、いずれの感光体においても見ることができ
ず高画像濃度を維持していた。
1
で帯電させたところ、初期表面電位v0は一880vで
あった。暗所にて2秒放置後の表面電位v2は860v
となった。次いで発信波長790nmの半導体レーザー
を照射し、半減露光量E、/2を求めたとコロ0.33
μJ/Cl112テあり残留電位V、は−12,6Vで
あった。
あった。暗所にて2秒放置後の表面電位v2は860v
となった。次いで発信波長790nmの半導体レーザー
を照射し、半減露光量E、/2を求めたとコロ0.33
μJ/Cl112テあり残留電位V、は−12,6Vで
あった。
次に、5万回上記操作を繰り返した後、vo、v2、E
l/□、V、を測定したところ、それぞれ−860V
、 −840V、 0.34/IJ/Cl11”、−1
4,4V テあり、感光体の性能は殆ど衰えていなかっ
た。
l/□、V、を測定したところ、それぞれ−860V
、 −840V、 0.34/IJ/Cl11”、−1
4,4V テあり、感光体の性能は殆ど衰えていなかっ
た。
次に上記と同じ方法で作製した電子写真感光体をブレー
ドクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザービ
ームプリンターに装着しプリントテストを行った。
ドクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザービ
ームプリンターに装着しプリントテストを行った。
その結果、5万枚プリント後も膜厚の減少は殆ど見られ
ず、画像に影響を及ぼす傷も見当たらなかった。又、画
像も高画像濃度を維持し劣化は見られなかった。
ず、画像に影響を及ぼす傷も見当たらなかった。又、画
像も高画像濃度を維持し劣化は見られなかった。
このようにして本発明による電子写真感光体は感度、耐
久性の点で非常に優れていることが0 表 2 実施例−35〜37 実施例−30において式(32)で示される繰り返し単
位を有するポリカーボネートZ樹脂のがわりに表3に示
したポリカーボネートZ樹脂を用いる以外は同様にして
感光体を作製し、性能評価を行った。その結果を表3に
示した。
久性の点で非常に優れていることが0 表 2 実施例−35〜37 実施例−30において式(32)で示される繰り返し単
位を有するポリカーボネートZ樹脂のがわりに表3に示
したポリカーボネートZ樹脂を用いる以外は同様にして
感光体を作製し、性能評価を行った。その結果を表3に
示した。
これかられかるように、いずれも初期、5万2
回繰り返し後も感光体特性は優れたものであった。
またプリンター内装着での5万回プリント試験後でも膜
厚の減少は、いずれの感光体においても見ることができ
ず高画像濃度を維持していた。
厚の減少は、いずれの感光体においても見ることができ
ず高画像濃度を維持していた。
表 3
3
であった。暗所にて2秒放置後の表面電位v2は770
vとなった。次いで発信波長790nmの半導体レーザ
ーを照射し、半減露光量El/□を求めたところ0.4
6pJ/cm2であり残留電位V、は−25,6Vであ
った。
vとなった。次いで発信波長790nmの半導体レーザ
ーを照射し、半減露光量El/□を求めたところ0.4
6pJ/cm2であり残留電位V、は−25,6Vであ
った。
次に、5万回上記操作を繰り返した後、Vo。
V2. El/2. VRを測定したところ、それぞれ
−780V 、−750V、0.47μJ/cm”
−38,8Vであり、感光体の性能は殆ど衰えていなか
った。
−780V 、−750V、0.47μJ/cm”
−38,8Vであり、感光体の性能は殆ど衰えていなか
った。
次に上記と同じ方法で作製した電子写真感光体をブレー
ドクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザービ
ームプリンターに装着しプリントテストを行った。
ドクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザービ
ームプリンターに装着しプリントテストを行った。
その結果、5万枚プリント後も膜厚の減少は殆ど見られ
ず、画像に影響を及ぼす傷も見当たらなかった。
ず、画像に影響を及ぼす傷も見当たらなかった。
このように本発明による電子写真感光体は感度、耐久性
の点で非常に優れていることがわかった。
の点で非常に優れていることがわかった。
実施例−39
5
実施例−38
ポリアミド樹脂(アミラン CM −8000、東し製
)10gをメタノール/n−ブタノール(2/1 ’)
200gに溶解し下引き履用塗料を作製した。
)10gをメタノール/n−ブタノール(2/1 ’)
200gに溶解し下引き履用塗料を作製した。
該塗料を用い、表面鏡面仕上げしたアルミニウムシリン
ダー(30φ)に乾燥後の膜厚が0.10−になるよう
に浸漬塗工し、乾燥した。
ダー(30φ)に乾燥後の膜厚が0.10−になるよう
に浸漬塗工し、乾燥した。
次にX型無金属フタロシアニン20g、式(3)で示さ
れるシリル化トリフェニルアミン化合物80g1式(3
2)で示される繰り返し単位を有するポリカーボネート
Z樹脂(数平均分子量;5万)80g1ジオキサン45
0g、ガラスピーズ(1φ)650gをサンドミルに入
れ、4時間溶解、分散を行い単層用塗料を作製した。先
に下引き層を塗工したアルミニウムシリンダーに乾燥後
の膜厚が251!mになるように浸漬塗工し、乾燥した
。
れるシリル化トリフェニルアミン化合物80g1式(3
2)で示される繰り返し単位を有するポリカーボネート
Z樹脂(数平均分子量;5万)80g1ジオキサン45
0g、ガラスピーズ(1φ)650gをサンドミルに入
れ、4時間溶解、分散を行い単層用塗料を作製した。先
に下引き層を塗工したアルミニウムシリンダーに乾燥後
の膜厚が251!mになるように浸漬塗工し、乾燥した
。
このようにして作製したドラム状電子写真感光体を用い
ドラムゼログラフィー試験機にて電子写真特性を評価し
た。−5,5kVのコロナ電圧で帯電させたところ、初
期表面電位v0は一800V4 ジブロモアントアントロン5g、ブチラール樹脂(エス
レソクBM−2、積木化学■製)5gをシクロへキサノ
ン90−に溶解し、ボールミル中で24時間混練した。
ドラムゼログラフィー試験機にて電子写真特性を評価し
た。−5,5kVのコロナ電圧で帯電させたところ、初
期表面電位v0は一800V4 ジブロモアントアントロン5g、ブチラール樹脂(エス
レソクBM−2、積木化学■製)5gをシクロへキサノ
ン90−に溶解し、ボールミル中で24時間混練した。
得られた分散液をアルミ板上にバーコーターにて乾燥後
の膜厚が0.15/1mになるように塗布し、乾燥させ
、電荷発生層を形成した。
の膜厚が0.15/1mになるように塗布し、乾燥させ
、電荷発生層を形成した。
次に式(3)で示されるシリル化トリフェニルアミン化
合物5g、ポリカーボネート樹脂(レキサン131−1
11、エンジニアリングプラスチックス■製)5gをジ
オキサン90m1に溶解し、これをさきに形成した電荷
発生層上にブレードコーターにて乾燥後の膜厚が25I
rmになるように塗布して乾燥させ電荷輸送層を形成し
た。
合物5g、ポリカーボネート樹脂(レキサン131−1
11、エンジニアリングプラスチックス■製)5gをジ
オキサン90m1に溶解し、これをさきに形成した電荷
発生層上にブレードコーターにて乾燥後の膜厚が25I
rmになるように塗布して乾燥させ電荷輸送層を形成し
た。
このようにして作製した電子写真感光体を■川口電気製
作所型、静電複写紙試験装置EPA8100を用いて、
−5,5kVのコロナ電圧で帯電させたところ初期表面
電位V。は−780vであった。
作所型、静電複写紙試験装置EPA8100を用いて、
−5,5kVのコロナ電圧で帯電させたところ初期表面
電位V。は−780vであった。
暗所にて2秒放置後の表面電位v2は一770vとなっ
た。次いで照度51uxのハロゲンランプを照6 射し、半減露光量E、/2を求めたところ、1.2 l
ux・secであり残留電位VRは−12,5Vであっ
た。
た。次いで照度51uxのハロゲンランプを照6 射し、半減露光量E、/2を求めたところ、1.2 l
ux・secであり残留電位VRは−12,5Vであっ
た。
次に、5000回上記操作を繰り返した後、Vo、v2
、El/□、V+tを測定したところそれぞれ一770
V 、−770V、1.31ux−sec、−13,2
Vであり感光体としての性能は優れており、高い耐久性
を示すことが分かった。
、El/□、V+tを測定したところそれぞれ一770
V 、−770V、1.31ux−sec、−13,2
Vであり感光体としての性能は優れており、高い耐久性
を示すことが分かった。
実施例−40〜48
電荷輸送材として、それぞれ表4に示した化合物を用い
る以外は実施例−39と同様にして感光体を作製し、性
能評価を行った。その結果を表4に示した。
る以外は実施例−39と同様にして感光体を作製し、性
能評価を行った。その結果を表4に示した。
7
実施例−49〜51
X型無金属フタロシアニン5g、ブチラール樹脂(エス
レックBM−2、積木化学■製)5gをシクロへキサノ
ン90m1に溶解し、ボールミル中で24時間混練した
。得られた分散液をアルミ板上にバーコーターにて乾燥
後の膜厚が0.15−になるように塗布し、乾燥させ、
電荷発生層を形成した。
レックBM−2、積木化学■製)5gをシクロへキサノ
ン90m1に溶解し、ボールミル中で24時間混練した
。得られた分散液をアルミ板上にバーコーターにて乾燥
後の膜厚が0.15−になるように塗布し、乾燥させ、
電荷発生層を形成した。
次に式(24)、(26)又は(31)で示されるシリ
ル化トリアリールアミン化合物5g、ポリカーボネート
樹脂(レキサン131−111、エンジニアリングプラ
スチックス■製)5gをジオキサン90m1に溶解し、
これをさきに形成した電荷発生層上にブレードコーター
にて乾燥後の膜厚が25−になるように塗布して乾燥さ
せ電荷輸送層を形成した。
ル化トリアリールアミン化合物5g、ポリカーボネート
樹脂(レキサン131−111、エンジニアリングプラ
スチックス■製)5gをジオキサン90m1に溶解し、
これをさきに形成した電荷発生層上にブレードコーター
にて乾燥後の膜厚が25−になるように塗布して乾燥さ
せ電荷輸送層を形成した。
このようにして作製した電子写真感光体を照射光源とし
て発振波長790nmの半導体レーザーを用いる以外は
実施例39と同様にして評価を行った。
て発振波長790nmの半導体レーザーを用いる以外は
実施例39と同様にして評価を行った。
9
表
8
結果を表5に示す。
表
実施例52〜64
シリル化トリアリールアミン化合物として、それぞれ表
6に示した化合物を用いる以外は実施例49〜51と同
様にして感光体を作製し、性能評価を行った。
6に示した化合物を用いる以外は実施例49〜51と同
様にして感光体を作製し、性能評価を行った。
結果を表6に示す。
0
表
6
比較例−1
実施例−30において電荷輸送材として式(3)で示さ
れるシリル化トリアリールアミンのかわりに4.4’、
4” −1−リメチルトリフェニルアミンを用いる以外
は同様にして感光体を作製し、性能評価を行った。
れるシリル化トリアリールアミンのかわりに4.4’、
4” −1−リメチルトリフェニルアミンを用いる以外
は同様にして感光体を作製し、性能評価を行った。
ドラム状電子写真感光体を用いドラムゼログラフィー試
験機にて電子写真特性を評価した。
験機にて電子写真特性を評価した。
5.5kVのコロナ電圧で帯電させたところ、初期表面
電位v0は一880vであった。暗所にて2秒放置後の
表面電位v2は一870vとなった。次いで発信波長7
90nmの半導体レーザーを照射し、半減露光量El/
□を求めたところ0.89pJ/cm2であり残留電位
VRは−42,6Vであった。
電位v0は一880vであった。暗所にて2秒放置後の
表面電位v2は一870vとなった。次いで発信波長7
90nmの半導体レーザーを照射し、半減露光量El/
□を求めたところ0.89pJ/cm2であり残留電位
VRは−42,6Vであった。
次に、5万回上記操作を繰り返した後、vo。
Vz、 El/□、 VRを測定したところ、それぞれ
−860V 、−820V、0.94pJ/cm2、−
63.IVであり、感光体の性能は実施例−30と比較
して劣っていた。
−860V 、−820V、0.94pJ/cm2、−
63.IVであり、感光体の性能は実施例−30と比較
して劣っていた。
次に上記と同じ方法で作製した電子写真感光3
表6続き
2
体をブレードクリーニング方式で反転現像方式の市販の
レーザービームプリンターに装着しプリントテストを行
った。
レーザービームプリンターに装着しプリントテストを行
った。
その結果、5万枚プリント後も膜厚の減少は殆ど見られ
ず、画像に影響を及ぼす傷も見当たらず、耐摩耗性は優
れたものであったが、感度が良くないため画像濃度は薄
いものであった。
ず、画像に影響を及ぼす傷も見当たらず、耐摩耗性は優
れたものであったが、感度が良くないため画像濃度は薄
いものであった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式(1)で示される新規シリル化トリアリール
アミン化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中、Ar_1は置換されていてもよいアリーレン基
を示し、2つのAr_1は同一でも異なっていてもよい
。Ar_2は置換されていてもよいアリール基を示し、
4つのAr_2は同一でも異なっていてもよい。R_1
、R_2は、同一もしくは相異なって、置換されていて
もよいアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、
又はアリール基を示す。) 2 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(Ar_1、Ar_
2は 式(1)と同じ。X_1はハロゲン原子を示す。)で示
されるハロゲン化トリアリールアミンと有機リチウム試
薬とを反応せしめリチオ化し、次に一般式R_1R_2
SiX_2X_3(R_1、R_2は式(1)と同じ。 X_2、X_3は同一もしくは相異なってハロゲン原子
、メトキシ基又はエトキシ基を示す。)で示されるシラ
ン化合物を反応せしめることを特徴とする請求項1記載
の新規シリル化トリアリールアミン化合物の製造方法。 3 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(Ar_1、Ar_
2は 式(1)と同じ。X_1はハロゲン原子を示す。)で示
されるハロゲン化トリアリールアミンとマグネシウム金
属とを反応せしめグリニャール化し、次に一般式R_1
R_2SiX_2X_3(R_1、R_2は式(1)と
同じ。X_2、X_3は、同一もしくは相異なってハロ
ゲン原子、メトキシ基又はエトキシ基を示す。)で示さ
れるシラン化合物を反応せしめることを特徴とする請求
項1記載の新規シリル化トリアリールアミン化合物の製
造方法。 4 導電性支持体とその上に形成された感光層とを必須
の構成要素とする電子写真感光体に於いて、請求項1記
載の新規シリル化トリアリールアミン化合物を感光層中
に含むことを特徴とする電子写真感光体。 5 導電性支持体とその上に形成された感光層とを必須
の構成要素とする電子写真感光体に於いて、請求項1記
載の新規シリル化トリアリールアミン化合物、及び一般
式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼(2) (式中、R_3、R_4、R_5、R_6、R_7、R
_8、R_9、R_1_0は同一もしくは相異なって、
水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を示す。) で示される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂
を感光層中に含むことを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2064616A JPH03264592A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 新規シリル化トリアリールアミン化合物、その製造方法、及びそれを含む電子写真感光体 |
US07/666,204 US5187310A (en) | 1990-03-14 | 1991-03-07 | Organic silicon compound, method of its production, and photoreceptor for electrophotography incorporating it |
DE69111645T DE69111645D1 (de) | 1990-03-14 | 1991-03-13 | Neue Organosiliziumverbindungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und diese enthaltender Photorezeptor für die Elektrophotographie. |
EP91103838A EP0446895B1 (en) | 1990-03-14 | 1991-03-13 | Novel organic silicon compound, method of its production, and photoreceptor for electrophotography incorporating it |
US07/969,438 US5352554A (en) | 1990-03-14 | 1992-10-30 | Organic silicon compound, method of its production, and photoreceptor for electrophotography incorporating it |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2064616A JPH03264592A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 新規シリル化トリアリールアミン化合物、その製造方法、及びそれを含む電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03264592A true JPH03264592A (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=13263370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2064616A Pending JPH03264592A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-14 | 新規シリル化トリアリールアミン化合物、その製造方法、及びそれを含む電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03264592A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007531762A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-08 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 電荷輸送材料として使用するトリアリールアミン化合物 |
US8716697B2 (en) | 2004-02-20 | 2014-05-06 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electronic devices made with crosslinkable compounds and copolymers |
-
1990
- 1990-03-14 JP JP2064616A patent/JPH03264592A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8716697B2 (en) | 2004-02-20 | 2014-05-06 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electronic devices made with crosslinkable compounds and copolymers |
JP2007531762A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-08 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 電荷輸送材料として使用するトリアリールアミン化合物 |
US8236990B2 (en) | 2004-03-31 | 2012-08-07 | E I Du Pont De Nemours And Company | Triarylamine compounds, compositions and uses therefor |
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