JPH0421687A - 新規有機ケイ素化合物、その製造方法及びそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents
新規有機ケイ素化合物、その製造方法及びそれを用いた電子写真感光体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規シリルメチル化トリアリールアミン化合物
、その製造方法及び該新規シリルメチル化トリアリール
アミン化合物を電荷輸送材として用いた高感度、高耐久
性の電子写真感光体に関するものである。
、その製造方法及び該新規シリルメチル化トリアリール
アミン化合物を電荷輸送材として用いた高感度、高耐久
性の電子写真感光体に関するものである。
近年、電子写真方式を用いた複写機、プリンターの発展
は目覚ましく、用途に応じて様々な形態、種類、機能の
機種が開発され、それに対応してそれらに用いられる感
光体も多種多様のものが開発されつつある。
は目覚ましく、用途に応じて様々な形態、種類、機能の
機種が開発され、それに対応してそれらに用いられる感
光体も多種多様のものが開発されつつある。
従来、電子写真感光体としては、その感度、耐久性の面
から無機化合物が主として用いられてきた。例えば、酸
化亜鉛、硫化カドミウム、セレン等を挙げることができ
る。しかしながら、これらは有害物質を使用している場
合が多く、その廃棄が問題となり、公害をもたらす原因
となる。又、感度が良好なセレンを用いる場合、蒸着法
等により導電性基体上に薄膜を形成する必要があり、生
産性が劣り、コストアップの原因となる。
から無機化合物が主として用いられてきた。例えば、酸
化亜鉛、硫化カドミウム、セレン等を挙げることができ
る。しかしながら、これらは有害物質を使用している場
合が多く、その廃棄が問題となり、公害をもたらす原因
となる。又、感度が良好なセレンを用いる場合、蒸着法
等により導電性基体上に薄膜を形成する必要があり、生
産性が劣り、コストアップの原因となる。
近年、無公害性の無機物感光体としてアモルファスシリ
コンが注目され、その研究開発が進められている。しか
しながら、これらも感度については優れているが、薄膜
形成時において、主にプラズマCVD法を用いるため、
その生産性は極めて劣っており、感光体コスト、ランニ
ングコストとも大きなものとなっている。
コンが注目され、その研究開発が進められている。しか
しながら、これらも感度については優れているが、薄膜
形成時において、主にプラズマCVD法を用いるため、
その生産性は極めて劣っており、感光体コスト、ランニ
ングコストとも大きなものとなっている。
方、有機感光体は、焼却が可能であり、無公害の利点を
有し、更に多くのものは塗工により薄膜形成が可能で大
量生産が容易である。それ故にコストが大幅に低減でき
、又、用途に応じて様々な形状に加工することができる
という長所を有している。しかしながら、有機感光体に
おいては、その感度、耐久性に問題が残されており、高
感度、高耐久性の有機感光体の出現が強く望まれている
。
有し、更に多くのものは塗工により薄膜形成が可能で大
量生産が容易である。それ故にコストが大幅に低減でき
、又、用途に応じて様々な形状に加工することができる
という長所を有している。しかしながら、有機感光体に
おいては、その感度、耐久性に問題が残されており、高
感度、高耐久性の有機感光体の出現が強く望まれている
。
有機感光体の感度向上の手段として様々な方法が提案さ
れているが、現在では電荷発生層と電荷輸送層とに機能
が分離した主に二層構造の機能分離型感光体が主流とな
っている。例えば、露光により電荷発生層で発生した電
荷は、電荷輸送層に注入され、電荷輸送層中を通って表
面に輸送され、表面電荷を中和することにより感光体表
面に静電潜像が形成される。機能分離型は単層型に比し
て発生した電荷が捕獲される可能性が小さくなり、各層
がそれぞれの機能を阻害されることなく、効率よく電荷
が感光体表面に輸送され得る(アメリー力特許第280
3541号)。
れているが、現在では電荷発生層と電荷輸送層とに機能
が分離した主に二層構造の機能分離型感光体が主流とな
っている。例えば、露光により電荷発生層で発生した電
荷は、電荷輸送層に注入され、電荷輸送層中を通って表
面に輸送され、表面電荷を中和することにより感光体表
面に静電潜像が形成される。機能分離型は単層型に比し
て発生した電荷が捕獲される可能性が小さくなり、各層
がそれぞれの機能を阻害されることなく、効率よく電荷
が感光体表面に輸送され得る(アメリー力特許第280
3541号)。
電荷発生層に用いられる有機電荷発生材とじては5.照
射される光のエネルギーを吸収し、効率よく電荷を発生
する化合物が選択使用されており、例えば、アゾ顔料(
特開昭54−14967号公報)、無金属フタロシアニ
ン顔料(特開昭60−143346号公報)、金属フタ
ロシアニン顔料(特開昭50−16538号公報)、ス
クェアリウム塩(特開昭53−27033号公報)等を
挙げることができる。
射される光のエネルギーを吸収し、効率よく電荷を発生
する化合物が選択使用されており、例えば、アゾ顔料(
特開昭54−14967号公報)、無金属フタロシアニ
ン顔料(特開昭60−143346号公報)、金属フタ
ロシアニン顔料(特開昭50−16538号公報)、ス
クェアリウム塩(特開昭53−27033号公報)等を
挙げることができる。
電荷輸送層に用いられる電荷輸送材としては電荷発生層
からの電荷の注入効率が大きく、更に電荷輸送層内での
電荷の移動度が大である化合物を選定する必要がある。
からの電荷の注入効率が大きく、更に電荷輸送層内での
電荷の移動度が大である化合物を選定する必要がある。
そのためには、イオン化ポテンシャルが小さい化合物、
カチオンラジカルが発生し易い化合物が選ばれ、例えば
、トリアリールアミン誘導体(特開昭53−47260
号公報)、ヒドラゾン誘導体く特開昭57−10184
4号公報)、オキサジアゾール誘導体(特公昭34−5
466号公報)、ピラゾリン誘導体(特公昭52−41
88号公報)、スチルベン誘導体(特開昭58−198
043号公報)、ドーリフェニルメタン誘導体(特公昭
45−555号公報)、1.3−ブタジェン誘導体(特
開昭62−287257号公報)等が提案されている。
カチオンラジカルが発生し易い化合物が選ばれ、例えば
、トリアリールアミン誘導体(特開昭53−47260
号公報)、ヒドラゾン誘導体く特開昭57−10184
4号公報)、オキサジアゾール誘導体(特公昭34−5
466号公報)、ピラゾリン誘導体(特公昭52−41
88号公報)、スチルベン誘導体(特開昭58−198
043号公報)、ドーリフェニルメタン誘導体(特公昭
45−555号公報)、1.3−ブタジェン誘導体(特
開昭62−287257号公報)等が提案されている。
しかしながら、前記の如くこれら有機感光体の電荷移動
度は、無機物感光体に比較すると小さいものであり、感
度の点においてまだまだ満足できるものではない。
度は、無機物感光体に比較すると小さいものであり、感
度の点においてまだまだ満足できるものではない。
また、帯電、露光、現像、転写、除電という一連の電子
写真プロセスにおいて、感光体は極めて過酷な条件下に
おかれ、特にその耐オゾン性、耐摩耗性が大きな問題と
なり、これらの耐久性が要求されているが、満足できる
ものは未だ得られていない。
写真プロセスにおいて、感光体は極めて過酷な条件下に
おかれ、特にその耐オゾン性、耐摩耗性が大きな問題と
なり、これらの耐久性が要求されているが、満足できる
ものは未だ得られていない。
なかでも、トリアリールアミン誘導体については多くの
誘導体の開発が試みられている。例えば、モノトリアリ
ールアミン(特開昭57−195254号公報、特開平
1−11f1147号公報、特開平1−118142号
公報)、ヒス(ジアリールアミノ)−ベンゼン(特開昭
55−144250号公報、特開平1−118144号
公報、−特開平1−118146号公報)、ビストリア
リール−アミン(特開昭53−27033号公報、特開
昭56−35140号公報、特開昭56−52756号
公報、特開平1−142647号公報)等が挙げられる
。
誘導体の開発が試みられている。例えば、モノトリアリ
ールアミン(特開昭57−195254号公報、特開平
1−11f1147号公報、特開平1−118142号
公報)、ヒス(ジアリールアミノ)−ベンゼン(特開昭
55−144250号公報、特開平1−118144号
公報、−特開平1−118146号公報)、ビストリア
リール−アミン(特開昭53−27033号公報、特開
昭56−35140号公報、特開昭56−52756号
公報、特開平1−142647号公報)等が挙げられる
。
しかしながら、モノトリアリールアミンは一般に合成は
容易であるも、電荷移動度が充分でなく、また、安定性
に欠けるという問題があり、ビス(ジアリールアミノ)
−ベンゼン及びビストリアリールアミンは一般に、電荷
移動度はある程度優れているものの、安定性に欠け、ま
た合成が容易でないという問題がある。また、これらの
トリアリールアミン誘導体はいずれも結着樹脂との相溶
性がないことも問題点として指摘されていた。
容易であるも、電荷移動度が充分でなく、また、安定性
に欠けるという問題があり、ビス(ジアリールアミノ)
−ベンゼン及びビストリアリールアミンは一般に、電荷
移動度はある程度優れているものの、安定性に欠け、ま
た合成が容易でないという問題がある。また、これらの
トリアリールアミン誘導体はいずれも結着樹脂との相溶
性がないことも問題点として指摘されていた。
このように、トリアリールアミン誘導体等の従来の有機
感光体には多くの問題点がみられ、これらを改良するこ
とが当該技術分野で強く要請されているのが実情である
。
感光体には多くの問題点がみられ、これらを改良するこ
とが当該技術分野で強く要請されているのが実情である
。
本発明の目的は、まさにこの点にあり、かかる課題を解
消するものとして、優れた電荷移動度と安定性を有し、
かつ結着樹脂との相溶性を有する電荷輸送材として有益
な新規化合物を提供することにある。
消するものとして、優れた電荷移動度と安定性を有し、
かつ結着樹脂との相溶性を有する電荷輸送材として有益
な新規化合物を提供することにある。
本発明の他の目的は、当該新規化合物の製造方法を提供
することにある。
することにある。
本発明のさらに他の目的は、当該新規化合物を電荷輸送
材として用いた高感度、高耐久性の電子写真感光体を提
供することにある。
材として用いた高感度、高耐久性の電子写真感光体を提
供することにある。
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、
本発明を完成するに至った。
本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、
一般式(I)で示される新規シリルメチル化トリアリー
ルアミン化合物、 CH,5i−R2 r R3 (式中、 r は置換されていてもよいアリーレン 基を示し、3つのArは同一でも異なっていてもよい。
ルアミン化合物、 CH,5i−R2 r R3 (式中、 r は置換されていてもよいアリーレン 基を示し、3つのArは同一でも異なっていてもよい。
R’、R’、R’は同一もしくは相異なる、アルキル基
、アラルキル基又はアリール基を示し、これらのR’、
R’、R3で示される基は置換されていてもよい。)に
関し、また当該新規シリルメチル化トリアリールアミン
化合物の製造方法及びそれを用いた電子写真感光体に関
する。
、アラルキル基又はアリール基を示し、これらのR’、
R’、R3で示される基は置換されていてもよい。)に
関し、また当該新規シリルメチル化トリアリールアミン
化合物の製造方法及びそれを用いた電子写真感光体に関
する。
前記一般式(I)において、Arで表されるアリーレン
基トしては、フェニレン、ナフチレン、アトスラニロン
等が例示され、好ましくはフェニレンである。Arは置
換されていてもよいが、置換基としては通常、アルキル
基が挙げられ、メチル、エチルが例示される。
基トしては、フェニレン、ナフチレン、アトスラニロン
等が例示され、好ましくはフェニレンである。Arは置
換されていてもよいが、置換基としては通常、アルキル
基が挙げられ、メチル、エチルが例示される。
R’ R2,R’はアルキル基、アラルキル基又はア
リール基を表すが、アルキル基としては、炭素数1〜6
の直鎮もしくは分枝のアルキル基であり、具体的にはメ
チル、エチル、n−プロピル、Aソプロピル、n−ブチ
ル等が挙げられ、好ましくはメチル、エチルである。
リール基を表すが、アルキル基としては、炭素数1〜6
の直鎮もしくは分枝のアルキル基であり、具体的にはメ
チル、エチル、n−プロピル、Aソプロピル、n−ブチ
ル等が挙げられ、好ましくはメチル、エチルである。
R1,R2、R3がアラルキル基である場合、Tリール
基部分が無置換もしくはアルキル基等で置換されたフェ
ニル等が挙げられ、アルキレン基部分としては、炭素数
1〜4のものが挙げられ、好ましくはメチレンである。
基部分が無置換もしくはアルキル基等で置換されたフェ
ニル等が挙げられ、アルキレン基部分としては、炭素数
1〜4のものが挙げられ、好ましくはメチレンである。
具体的には、ベンジル、p−メチルベンジル等が挙げら
れる。
れる。
R’、R2,R3がアリール基である場合、アリール基
が無置換もしくはアルキル基等で置換されたフェニル等
が挙げられる。
が無置換もしくはアルキル基等で置換されたフェニル等
が挙げられる。
ここで、R’、R2,R’は同一もしくは相異なる基で
あるが、R’、R2,R3のうち一つでも異なる場合、
又は同一であっても炭素数が5以上のアルキル基である
場合には、一般式(I)で示される当該新規シリルメチ
ル化トリアリールアミン化合物は常温で液体もしくはグ
リース状である。その他の場合には、いずれも常温で固
体である 本発明における一般式(I)で示される新規シールメチ
ル化トリアリールアミン化合物は、次の(a)、 (
b)の方法により製造することができる。即ち、 (a)ニ一般式(II)で示されるグリニヤール試薬と
単官能性シラン化合物を反応させることによる製造方法
。
あるが、R’、R2,R3のうち一つでも異なる場合、
又は同一であっても炭素数が5以上のアルキル基である
場合には、一般式(I)で示される当該新規シリルメチ
ル化トリアリールアミン化合物は常温で液体もしくはグ
リース状である。その他の場合には、いずれも常温で固
体である 本発明における一般式(I)で示される新規シールメチ
ル化トリアリールアミン化合物は、次の(a)、 (
b)の方法により製造することができる。即ち、 (a)ニ一般式(II)で示されるグリニヤール試薬と
単官能性シラン化合物を反応させることによる製造方法
。
LMgX2
【
Ar
(式中、Arは式(I)と同じ意味を有し、X2はハロ
ゲン原子を示す。) 一般式(II)において、x2で表されるハロゲン原子
としては、塩素、臭素、ヨウ素のいずれでもよい。
ゲン原子を示す。) 一般式(II)において、x2で表されるハロゲン原子
としては、塩素、臭素、ヨウ素のいずれでもよい。
本発明に用いられる一般式(I[)で示されるグリニヤ
ール試薬は、トリス(ハロゲノメチル)トリアリールア
ミン化合物とマグネシウム金属とを原料にして公知の方
法で得ることができる。即ち、エーテル系溶剤中でトリ
ス(ハロゲノメチル)トリアリールアミン化合物とマグ
ネシウム金属により、一般式(n)で示されるグリニヤ
ール試薬を調製する。トリス(ハロゲノメチル)トリア
リールアミン化合物は、トリアリールアミン化合物を公
知の方法でハロゲノメチル化することにより容易に得る
ことができる。エーテル系溶剤としては、例えばジエチ
ルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エ
チレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジイソプ
ロピルエーテル、ジ−n−ブチルエーテル等を挙げるこ
とができ、好ましくはジエチルエーテル、テトラヒドロ
フランを用いるのが良い。
ール試薬は、トリス(ハロゲノメチル)トリアリールア
ミン化合物とマグネシウム金属とを原料にして公知の方
法で得ることができる。即ち、エーテル系溶剤中でトリ
ス(ハロゲノメチル)トリアリールアミン化合物とマグ
ネシウム金属により、一般式(n)で示されるグリニヤ
ール試薬を調製する。トリス(ハロゲノメチル)トリア
リールアミン化合物は、トリアリールアミン化合物を公
知の方法でハロゲノメチル化することにより容易に得る
ことができる。エーテル系溶剤としては、例えばジエチ
ルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エ
チレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジイソプ
ロピルエーテル、ジ−n−ブチルエーテル等を挙げるこ
とができ、好ましくはジエチルエーテル、テトラヒドロ
フランを用いるのが良い。
このようにして得られたグリニヤール試薬のエーテル系
溶剤溶液に、一般式(I[I)X’SiR’R2R3(
I[) (式中、RI、R2,R3は式(I)と同じ意味を有し
、Xlはハロゲン原子又はアルコキシ基を示す。−)で
示される単官能性シラン化合物を、必要に応じて前記エ
ーテル系溶剤に希釈して滴下する。
溶剤溶液に、一般式(I[I)X’SiR’R2R3(
I[) (式中、RI、R2,R3は式(I)と同じ意味を有し
、Xlはハロゲン原子又はアルコキシ基を示す。−)で
示される単官能性シラン化合物を、必要に応じて前記エ
ーテル系溶剤に希釈して滴下する。
ここで、X′がハロゲン原子を表す場合は、塩素、臭素
、ヨウ素のいずれでもよい。また、アルコキシ基を表す
場合としては、直鎮もしくは分枝状のいずれでも良く、
その炭素数としては1〜4が好ましく、例えばメトキシ
、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブトキ
シ等が例示される。このようにxlはハロゲン原子又は
アルコキシ基を示すが、反応性の面からハロゲン原子が
好ましい。
、ヨウ素のいずれでもよい。また、アルコキシ基を表す
場合としては、直鎮もしくは分枝状のいずれでも良く、
その炭素数としては1〜4が好ましく、例えばメトキシ
、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブトキ
シ等が例示される。このようにxlはハロゲン原子又は
アルコキシ基を示すが、反応性の面からハロゲン原子が
好ましい。
滴下する量としては、通常グリニヤール試薬に対して2
.5倍モル乃至4倍モルであり、好ましくは3倍モルで
ある。滴下時間は通常、30分間乃至5時間であるが、
好ましくは30分間乃至2時間である。また、滴下温度
としては、通常−50℃乃至100℃であるが、好まし
くは一10℃乃至50℃であり、必要に応じて冷却、加
温を行なう。滴下−終了後反応を熟成し、その後加水分
解を行い常法に従い処理することにより、一般式(I)
で示される新規シリルメチル化トリアリールアミン化合
物を高収率で得ることができる。
.5倍モル乃至4倍モルであり、好ましくは3倍モルで
ある。滴下時間は通常、30分間乃至5時間であるが、
好ましくは30分間乃至2時間である。また、滴下温度
としては、通常−50℃乃至100℃であるが、好まし
くは一10℃乃至50℃であり、必要に応じて冷却、加
温を行なう。滴下−終了後反応を熟成し、その後加水分
解を行い常法に従い処理することにより、一般式(I)
で示される新規シリルメチル化トリアリールアミン化合
物を高収率で得ることができる。
(b)ニ一般式(TV)で示される化合物とトリス(ハ
ロゲノアリール)アミン化合物をグリニヤールカップリ
ング反応させることによる製造方法。
ロゲノアリール)アミン化合物をグリニヤールカップリ
ング反応させることによる製造方法。
R’R’R3SiCH2MgX3(TV)(式中、R’
、R2,R3は式(I)と同じ意味を有し、X3はハロ
ゲン原子を示す。)一般式(rV)において、X3はハ
ロゲン原子を示し、塩素、臭素、ヨウ素原子いずれでも
よい。
、R2,R3は式(I)と同じ意味を有し、X3はハロ
ゲン原子を示す。)一般式(rV)において、X3はハ
ロゲン原子を示し、塩素、臭素、ヨウ素原子いずれでも
よい。
一般式(rV)で示される化合物は、
R’R”R’5ICH2X3
(式中、R’、R2,R3は式(I)と同じ意味を有し
、X3はハロゲン原子を示す。)とマグネクラム金属に
より前記エーテル系溶剤の存在下、公知の方法にてグリ
ニヤール化することにより得ることができる。
、X3はハロゲン原子を示す。)とマグネクラム金属に
より前記エーテル系溶剤の存在下、公知の方法にてグリ
ニヤール化することにより得ることができる。
このようにして得られた一般式(IV)で示される化合
物のエーテル溶液にグリニヤールカップリング触媒をい
れ、そこにトリス(ハロゲノアIJ −ル)アミン化合
物のエーテル溶液を滴下し反応を行なう。
物のエーテル溶液にグリニヤールカップリング触媒をい
れ、そこにトリス(ハロゲノアIJ −ル)アミン化合
物のエーテル溶液を滴下し反応を行なう。
トリス(ハロゲノアリール)アミン化合物は公知の任意
の方法で合成することができる。例えば、モノハロゲノ
アリールアミン化合物とジハロゲン化アリール化合物と
を用いウルマン反応により得ることができる(ベリヒテ
、36巻、2382ページ、(1903))。
の方法で合成することができる。例えば、モノハロゲノ
アリールアミン化合物とジハロゲン化アリール化合物と
を用いウルマン反応により得ることができる(ベリヒテ
、36巻、2382ページ、(1903))。
又、トリアリールアミン化合物を公知のハロゲン化剤に
より直接ハロゲン化することにより得ることも可能であ
る。ハロゲン原子としては特に限定されず、塩素、臭素
、ヨウ素原子のいずれでもよい。
より直接ハロゲン化することにより得ることも可能であ
る。ハロゲン原子としては特に限定されず、塩素、臭素
、ヨウ素原子のいずれでもよい。
滴下する量としては、通常グリニヤール試薬に対して0
.5倍モル乃至1.0倍モルであり、好ましくは0,8
倍モル乃至1.0倍モルである。滴下時間は通常、15
分間乃至3時間であるが、好ましくは15分間乃至1時
間である。また、滴下温度としては、通常−50℃乃至
100℃であるが、好ましくは0℃乃至50℃であり、
必要に応じて冷却、加温を行なう。グリニヤールカップ
リング触媒としては公知の遷移金属触媒が用いられ(化
学の領域、増刊117号、45頁)、例えばL 12C
uCj!4、CuB rXCu(、j’SN i C1
z(d p p e)2(dppe−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)エタン)、NiCβ2(dppp)2(d
ppp=ビス(ジフェニルホスフィノ)フロパン)、N
iCβ2(dmpe)z(dmpe−ビス(ジメチルホ
スフィノ)エタン)、N1(12(PPh3)2 (
Ph=フェニル基) 、N1Cj’2 、Pd (P
Ph3)4、AgBr、AgNO3等を挙げることがで
きるが、好ましくはNi錯体又はPd錯体である。
.5倍モル乃至1.0倍モルであり、好ましくは0,8
倍モル乃至1.0倍モルである。滴下時間は通常、15
分間乃至3時間であるが、好ましくは15分間乃至1時
間である。また、滴下温度としては、通常−50℃乃至
100℃であるが、好ましくは0℃乃至50℃であり、
必要に応じて冷却、加温を行なう。グリニヤールカップ
リング触媒としては公知の遷移金属触媒が用いられ(化
学の領域、増刊117号、45頁)、例えばL 12C
uCj!4、CuB rXCu(、j’SN i C1
z(d p p e)2(dppe−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)エタン)、NiCβ2(dppp)2(d
ppp=ビス(ジフェニルホスフィノ)フロパン)、N
iCβ2(dmpe)z(dmpe−ビス(ジメチルホ
スフィノ)エタン)、N1(12(PPh3)2 (
Ph=フェニル基) 、N1Cj’2 、Pd (P
Ph3)4、AgBr、AgNO3等を挙げることがで
きるが、好ましくはNi錯体又はPd錯体である。
これらのグリニヤールカップリング触媒の使用量は、ト
リス(ハロゲノアリール)アミン化合物]こ対して通常
、10ppm乃至5%(重量比)の割合で加えればよい
。
リス(ハロゲノアリール)アミン化合物]こ対して通常
、10ppm乃至5%(重量比)の割合で加えればよい
。
滴下終了後、反応混合物を通常還流条件で加熱熟成する
。反応終了後、常法に従い処理することにより、一般式
(I)で示される新規シリルメチル化トリアリールアミ
ン化合物を高収率で得ることができる。
。反応終了後、常法に従い処理することにより、一般式
(I)で示される新規シリルメチル化トリアリールアミ
ン化合物を高収率で得ることができる。
以上のようにして得られる一般式(I)に示されるシリ
ルメチル化トリアリールアミン化合物のうち、特に常温
で固体のものは、シリルメチル基の超共役効果によりカ
チオンラジカルが安定化され、正電荷移動度が大きくな
り、電子写真感光体用の電荷輸送材としては好適である
。シリルメチル化アリール化合物は、従来よりカチオン
ラジカル安定化合物として多く知られているが(例えば
、ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリ
ー、29巻、33頁、1971年)、いずれもトリメチ
ルシリルメチルベンゼン、トリメチルシリルメチルアニ
リン等のベンゼン誘導体であり、本発明ではトリアリー
ルアミン誘導体とすること1こより、−層カチオンラジ
カルを安定化させることができ、電荷移動度を更に大き
くすることが可能となった。
ルメチル化トリアリールアミン化合物のうち、特に常温
で固体のものは、シリルメチル基の超共役効果によりカ
チオンラジカルが安定化され、正電荷移動度が大きくな
り、電子写真感光体用の電荷輸送材としては好適である
。シリルメチル化アリール化合物は、従来よりカチオン
ラジカル安定化合物として多く知られているが(例えば
、ジャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリ
ー、29巻、33頁、1971年)、いずれもトリメチ
ルシリルメチルベンゼン、トリメチルシリルメチルアニ
リン等のベンゼン誘導体であり、本発明ではトリアリー
ルアミン誘導体とすること1こより、−層カチオンラジ
カルを安定化させることができ、電荷移動度を更に大き
くすることが可能となった。
又、これらの化合物は電子写真プロセスにおいて発生す
るオゾン酸化に対しても安定であり、高感度、高耐久性
の電子写真感光体を与えるものである。
るオゾン酸化に対しても安定であり、高感度、高耐久性
の電子写真感光体を与えるものである。
以下、一般式(I)で示される新規シリルメチル化トリ
アリールアミン化合物を具体的に例示するが(化合物(
1)〜(21) ’) 、本発明はこれらに限定される
ものではない。
アリールアミン化合物を具体的に例示するが(化合物(
1)〜(21) ’) 、本発明はこれらに限定される
ものではない。
これらの化合物は、多くの溶剤に可溶であり、例えば、
ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリン、クロロベ
ンゼン等の芳香族系溶剤;ジクロロメタン、クロロホル
ム、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、四塩
化炭素等のハロゲン系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸プロピル、ギ酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系
溶剤;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶剤
;ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジオキサン
、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤;メタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール
系溶剤;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド
、ジメチルスルホキシド等に可溶である。
ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリン、クロロベ
ンゼン等の芳香族系溶剤;ジクロロメタン、クロロホル
ム、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、四塩
化炭素等のハロゲン系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸プロピル、ギ酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系
溶剤;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶剤
;ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジオキサン
、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤;メタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール
系溶剤;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド
、ジメチルスルホキシド等に可溶である。
電子写真感光体を作製するにあたっては、例えば、導電
性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送層を薄膜上に形成
せしめる。導電性支持体の基材としては、アルミニウム
、ニッケル等の金属、金属蒸着高分子フィルム、金属ラ
ミネート高分子フィルム等を用いることができ、ドラム
状、シート状又はベルト状の形態で導電性支持体を形成
する。
性支持体上に電荷発生層及び電荷輸送層を薄膜上に形成
せしめる。導電性支持体の基材としては、アルミニウム
、ニッケル等の金属、金属蒸着高分子フィルム、金属ラ
ミネート高分子フィルム等を用いることができ、ドラム
状、シート状又はベルト状の形態で導電性支持体を形成
する。
電荷発生層は、電荷発生材及び必要に応じて結合剤、添
加剤よりなり、蒸着法、プラズマCVD法、塗工法等の
方法で作製することができる。
加剤よりなり、蒸着法、プラズマCVD法、塗工法等の
方法で作製することができる。
電荷発生材としては、特に限定されることはなく照射さ
れる特定の波長の光を吸収し、効率よく電荷を発生し得
るものなら有機材料、無機材料のいずれも好適に使用す
ることができるが、無機材料の場合は前記の如く、公害
の問題や経済性に問題があるため、かかる観点において
有機材料を用いることが好ましい。
れる特定の波長の光を吸収し、効率よく電荷を発生し得
るものなら有機材料、無機材料のいずれも好適に使用す
ることができるが、無機材料の場合は前記の如く、公害
の問題や経済性に問題があるため、かかる観点において
有機材料を用いることが好ましい。
有機電荷発生材としては、例えば、ペリレン顔料、多環
中ノン系顔料、無金属フタロシアニン顔料、金属フタロ
シアニン顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、チアピ
リリウム塩、スクェアリウム塩、アズレニウム顔料等が
挙げられ、これらは主として結合剤中に分散せしめ、塗
工により電荷発生層を形成することができる。無機電荷
発生材としては、セレン、セレン合金、硫化カドミウム
、酸化亜鉛、アモルファスシリコン、アモルファスシリ
コンカーバイド等が挙げられる。なかでも半導体レーザ
ー波長域では、特にX型無金属フタロシアニン顔料が、
可視光領域ではジブロモアントアントロン顔料がその感
度の点において最も優れている。
中ノン系顔料、無金属フタロシアニン顔料、金属フタロ
シアニン顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、チアピ
リリウム塩、スクェアリウム塩、アズレニウム顔料等が
挙げられ、これらは主として結合剤中に分散せしめ、塗
工により電荷発生層を形成することができる。無機電荷
発生材としては、セレン、セレン合金、硫化カドミウム
、酸化亜鉛、アモルファスシリコン、アモルファスシリ
コンカーバイド等が挙げられる。なかでも半導体レーザ
ー波長域では、特にX型無金属フタロシアニン顔料が、
可視光領域ではジブロモアントアントロン顔料がその感
度の点において最も優れている。
形成された電荷発生層の膜厚は、0.1乃至2.0μm
が好ましく、更に好ましくは0.1乃至1.0μmであ
る。
が好ましく、更に好ましくは0.1乃至1.0μmであ
る。
次に該電荷発生層の上部に、一般式(I)で示される新
規シリルメチル化トリアリールアミン化合物を含む電荷
輸送層を薄膜状に形成せしめる。
規シリルメチル化トリアリールアミン化合物を含む電荷
輸送層を薄膜状に形成せしめる。
薄膜形成法としては、おもに塗工法が用いられ、一般式
(I)で示される新規シリルメチル化トリアリールアミ
ン化合物を、必要に応じて結合剤とともに溶剤に溶解し
、電荷発生層上に塗工せしめ、その後乾燥させればよい
。
(I)で示される新規シリルメチル化トリアリールアミ
ン化合物を、必要に応じて結合剤とともに溶剤に溶解し
、電荷発生層上に塗工せしめ、その後乾燥させればよい
。
用いられる溶剤としては、上記の化合物及び必要に応じ
て用いられる結合剤が溶解し、かつ電荷発生層が溶解し
ない溶剤なら特に限定されることはない。
て用いられる結合剤が溶解し、かつ電荷発生層が溶解し
ない溶剤なら特に限定されることはない。
必要に応じて用いられる結合剤は、絶縁性樹脂なら特に
限定されることはなく、例えば、ポリカーボネート、ポ
リ了りレート、ポリエステル、ポリアミド等の縮合系重
合体;ポリエチレン、ポリスチレン、スチレン−アクリ
ル共重合体、ポリ了クリレート、ポリメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ポリアクリロニトリル、ポリア
クリルアミド、アクリロニトリル−ブタジェン共重合体
、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
等の付加重合体;ポリスルホン、ポリエーテルスルホン
、シリコン樹脂等が適宜用いられ、種もしくは二種以上
のものを混合して用いることガできる。
限定されることはなく、例えば、ポリカーボネート、ポ
リ了りレート、ポリエステル、ポリアミド等の縮合系重
合体;ポリエチレン、ポリスチレン、スチレン−アクリ
ル共重合体、ポリ了クリレート、ポリメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ポリアクリロニトリル、ポリア
クリルアミド、アクリロニトリル−ブタジェン共重合体
、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
等の付加重合体;ポリスルホン、ポリエーテルスルホン
、シリコン樹脂等が適宜用いられ、種もしくは二種以上
のものを混合して用いることガできる。
これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、特に一般式
(式中、R’、R5,RF′、R’、R8,R9RIQ
、 R1+は同一もしくは相異なる、水素原子、ハロ
ゲン原子又はアルキル基を示す。)で示される繰り返し
単位を有するポリカーボネート樹脂(これは一般にポリ
カーボネートZ樹脂と称される)を用いた場合に、塗料
の保存安定性が優れ、塗工時の欠陥発生が少なく好適で
ある。
、 R1+は同一もしくは相異なる、水素原子、ハロ
ゲン原子又はアルキル基を示す。)で示される繰り返し
単位を有するポリカーボネート樹脂(これは一般にポリ
カーボネートZ樹脂と称される)を用いた場合に、塗料
の保存安定性が優れ、塗工時の欠陥発生が少なく好適で
ある。
一般式(V)において、R4〜RI +は同一もしくは
相異なる、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を示
すが、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素原子のいずれでもよく、好ましくは塩素原子である
。また、アルキル基を示す場合は、炭素数1〜4の直鎖
もしくは分枝のアルキル基であり、具体的にはメチル、
エチル、nプロピル、イソプロピル、n−ブチル等が挙
げられ、好ましくはメチルである。
相異なる、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を示
すが、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素原子のいずれでもよく、好ましくは塩素原子である
。また、アルキル基を示す場合は、炭素数1〜4の直鎖
もしくは分枝のアルキル基であり、具体的にはメチル、
エチル、nプロピル、イソプロピル、n−ブチル等が挙
げられ、好ましくはメチルである。
このようなポリカーボネー)Z樹脂は、公知の方法によ
り容易に得ることができ(アンゲバンテ・ケミ−168
巻、633頁(1956年))、又は市販のものとして
三菱瓦斯化学■製又は帝人化成■製等を用いても良い。
り容易に得ることができ(アンゲバンテ・ケミ−168
巻、633頁(1956年))、又は市販のものとして
三菱瓦斯化学■製又は帝人化成■製等を用いても良い。
前記−最大(V)で示される繰り返し単位を有する化合
物のようにポリカーボネート樹脂の主鎖中にシクロヘキ
シル基を導入することにより、その滑り抵抗を少なくで
き、又ガラス転移点を変化させることなく強靭さを増す
ことが可能となり、該ポリカーボネー)Z樹脂を用いた
電子写真感光体は電子写真プロセスにおいて、トナー、
紙、クリーニングブレード等による摩耗を最小限に抑え
ることが可能となる。本発明に用いられる一般式(V)
で示される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂
を具体的に例示すると次のものが挙げられるが、本発明
はこれらに限定されるもので1まない。
物のようにポリカーボネート樹脂の主鎖中にシクロヘキ
シル基を導入することにより、その滑り抵抗を少なくで
き、又ガラス転移点を変化させることなく強靭さを増す
ことが可能となり、該ポリカーボネー)Z樹脂を用いた
電子写真感光体は電子写真プロセスにおいて、トナー、
紙、クリーニングブレード等による摩耗を最小限に抑え
ることが可能となる。本発明に用いられる一般式(V)
で示される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂
を具体的に例示すると次のものが挙げられるが、本発明
はこれらに限定されるもので1まない。
これらのポリカーボネー)Z樹脂の分子量は数平均分子
量で5千乃至10万が好ましい。これよりも小さいと機
械的強度が得られなくなり、耐摩耗性は期待できない。
量で5千乃至10万が好ましい。これよりも小さいと機
械的強度が得られなくなり、耐摩耗性は期待できない。
また10万よりも大きいと塗工時に粘度が大きくなりす
ぎ、作業性の困難を生じる。ガラス転移点は50℃乃至
200℃であり、この範囲において耐摩耗性が改善され
る。これよりもガラス転移点が低いと環境特性が低下し
好ましくない。また200℃よりも高いと脆さが生じる
ようになり、摩耗劣化が激しくなる。
ぎ、作業性の困難を生じる。ガラス転移点は50℃乃至
200℃であり、この範囲において耐摩耗性が改善され
る。これよりもガラス転移点が低いと環境特性が低下し
好ましくない。また200℃よりも高いと脆さが生じる
ようになり、摩耗劣化が激しくなる。
上記結合剤の使用量は一般式(I)で示される新規シリ
ルメチル化トリアリールアミン化合物に対して0.1乃
至3重量比であり、好ましくは0.1乃至2重量比であ
る。結合剤の量がこれよりも大であると、電荷輸送層に
おける電荷輸送材濃度が小さくなり、感度が悪くなる。
ルメチル化トリアリールアミン化合物に対して0.1乃
至3重量比であり、好ましくは0.1乃至2重量比であ
る。結合剤の量がこれよりも大であると、電荷輸送層に
おける電荷輸送材濃度が小さくなり、感度が悪くなる。
又、本発明においては、必要に応じて前記の公知の電荷
輸送材を組み合わせて用いることもでき−る。
輸送材を組み合わせて用いることもでき−る。
電荷輸送層の塗工手段は、特に限定されることはなく、
例えば、デイツプコーター、バーコータ、カレンダーコ
ーター、グラビアコーター、スピンコーター、等を適宜
使用することができ、又、電着塗装することも可能であ
る。
例えば、デイツプコーター、バーコータ、カレンダーコ
ーター、グラビアコーター、スピンコーター、等を適宜
使用することができ、又、電着塗装することも可能であ
る。
このようにして形成される電荷輸送層の膜厚は、10乃
至50μmが好ましく、更に好ましくは10乃至30μ
mである。膜厚が50μmよりも大であると、電荷の輸
送により多くの時間を要するようになり、又、電荷が捕
獲される確率も大となり感度低下の原因となる。一方、
10μmより小であると、機械的強度が低下し、感光体
の寿命が短いものとなり好ましくない。
至50μmが好ましく、更に好ましくは10乃至30μ
mである。膜厚が50μmよりも大であると、電荷の輸
送により多くの時間を要するようになり、又、電荷が捕
獲される確率も大となり感度低下の原因となる。一方、
10μmより小であると、機械的強度が低下し、感光体
の寿命が短いものとなり好ましくない。
以上のごとくにして一般式(I)で示される新規シリル
メチル化トリアリールアミン化合物を電荷輸送層に含む
電子写真感光体を作製することができるが、本発明では
更に導電性支持体と電荷発生層の間に必要に応じて、下
引き層、接着層、バリヤー層等を設けることもでき、こ
れらの層には例えばポリビニルブチラール、フェノール
樹脂、ポリアミド樹脂等の絶縁性樹脂や、導電性無機微
粉末を絶縁性樹脂に分散させたもの、あるいはポリピロ
ールやポリチオフェンのような共役系高分子にイオンド
ープし導電性高分子にしたもの等いずれも使用すること
ができる。又、感光体表面に表面保護層を設けることも
でき、前8己下引き層等と同様の材料を用いることがで
きる。
メチル化トリアリールアミン化合物を電荷輸送層に含む
電子写真感光体を作製することができるが、本発明では
更に導電性支持体と電荷発生層の間に必要に応じて、下
引き層、接着層、バリヤー層等を設けることもでき、こ
れらの層には例えばポリビニルブチラール、フェノール
樹脂、ポリアミド樹脂等の絶縁性樹脂や、導電性無機微
粉末を絶縁性樹脂に分散させたもの、あるいはポリピロ
ールやポリチオフェンのような共役系高分子にイオンド
ープし導電性高分子にしたもの等いずれも使用すること
ができる。又、感光体表面に表面保護層を設けることも
でき、前8己下引き層等と同様の材料を用いることがで
きる。
こうして得られた電子写真感光体の使用に際しては、ま
ず感光体表面をコロナ帯電器等により負に帯電せしめる
。帯電後、露光されることにより電荷発生層内で電荷が
発生し、正電荷が電荷輸送層内に注入され、これが電荷
輸送層中を通って表面にまで輸送され、表面の負電荷が
中和される。
ず感光体表面をコロナ帯電器等により負に帯電せしめる
。帯電後、露光されることにより電荷発生層内で電荷が
発生し、正電荷が電荷輸送層内に注入され、これが電荷
輸送層中を通って表面にまで輸送され、表面の負電荷が
中和される。
一方、露光されなかった部分には負電荷が残ることにな
る。正規現像の場合、正帯電トナーが用いられ、この負
電荷が残った部分にトナーが付着し現像されることにな
る。反転現像の場合は、負帯電トナーが用いられ、電荷
が中和された部分にトナーが付着し、現像されることに
なる。本発明に$ける電子写真感光体はいずれの現像方
法においても使用可能であり、高画質を与えることがで
きる。
る。正規現像の場合、正帯電トナーが用いられ、この負
電荷が残った部分にトナーが付着し現像されることにな
る。反転現像の場合は、負帯電トナーが用いられ、電荷
が中和された部分にトナーが付着し、現像されることに
なる。本発明に$ける電子写真感光体はいずれの現像方
法においても使用可能であり、高画質を与えることがで
きる。
又、本発明においては、導電性支持体上にまず電荷輸送
層を設け、その上に電荷発生層を設けて電子写真感光体
を作製することもできる。この場合には、まず感光体表
面を正に帯電せしめ、露光後、発生した負電荷は感光体
の表面電荷を中和し、正電荷は電荷輸送層を通って導電
性支持体に輸送されることになる。
層を設け、その上に電荷発生層を設けて電子写真感光体
を作製することもできる。この場合には、まず感光体表
面を正に帯電せしめ、露光後、発生した負電荷は感光体
の表面電荷を中和し、正電荷は電荷輸送層を通って導電
性支持体に輸送されることになる。
又、本発明においては、電荷発生材と電荷輸送材とを同
一層に含む単層型感光体とすることもでき、その場合に
は電荷発生材と電荷輸送材とを結合剤とともに、溶解、
分散せしめ、支持体上にIO乃至30μmの膜厚で塗工
せしめればよい。
一層に含む単層型感光体とすることもでき、その場合に
は電荷発生材と電荷輸送材とを結合剤とともに、溶解、
分散せしめ、支持体上にIO乃至30μmの膜厚で塗工
せしめればよい。
以下、実施例、比較例により本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例−1
−4,4°、4”−トリス(トリメチルシリルメチル)
トリフェニルアミン(例示化合物(1)の合成) 撹拌装置、冷却管、窒素導入管、滴下漏斗を備え付けた
200m1’14ツロフラスコにマグネシウム金属1.
0 g (40mmo 1)を入れ窒素置換を行った。
トリフェニルアミン(例示化合物(1)の合成) 撹拌装置、冷却管、窒素導入管、滴下漏斗を備え付けた
200m1’14ツロフラスコにマグネシウム金属1.
0 g (40mmo 1)を入れ窒素置換を行った。
ついでジエチルエーテル100−を入れ撹拌を開始した
。そこへ4,4°94”−トリス(クロロメチル)トリ
フェニルアミン3.9g(IQmmol)を溶解したジ
エチルエーテル溶液20rnlをゆっくり滴下した。約
51n1滴下したところでゆるやかに還流が始まった。
。そこへ4,4°94”−トリス(クロロメチル)トリ
フェニルアミン3.9g(IQmmol)を溶解したジ
エチルエーテル溶液20rnlをゆっくり滴下した。約
51n1滴下したところでゆるやかに還流が始まった。
還流させながら、さらにジエチルエーテル溶液の滴下を
続け、滴下終了後、更に1時間還流を行った。以上のよ
うにして得られたグリニヤール試薬溶液を室温にまで戻
し、次にクロロトリメチルシラン3.3g(30mmo
l)のジエチルエーテル溶液20m1を水冷下ゆっくり
滴下した。滴下終了後、反応混合物を2時間還流し反応
を熟成した。その後、水50mj!を氷冷下漬下し加水
分解を行った。次に、エーテつし層を抽出し飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液で1回、水で2回洗浄し、ついで無
水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後、ジエチルエーテ
ルを溜去し白色固体を得た。該白色固体をn−ヘキサン
/トルエン(2/1)で再結晶し目的物を3.6g得た
(収率71%)。
続け、滴下終了後、更に1時間還流を行った。以上のよ
うにして得られたグリニヤール試薬溶液を室温にまで戻
し、次にクロロトリメチルシラン3.3g(30mmo
l)のジエチルエーテル溶液20m1を水冷下ゆっくり
滴下した。滴下終了後、反応混合物を2時間還流し反応
を熟成した。その後、水50mj!を氷冷下漬下し加水
分解を行った。次に、エーテつし層を抽出し飽和炭酸水
素ナトリウム水溶液で1回、水で2回洗浄し、ついで無
水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後、ジエチルエーテ
ルを溜去し白色固体を得た。該白色固体をn−ヘキサン
/トルエン(2/1)で再結晶し目的物を3.6g得た
(収率71%)。
融点;145.0〜146.8℃
元素分析; (C,、H,5NS i3)計算値(%
) 実測値(%) C71゜57 71.29 H8,958,99 N 2.78 2.66S i
16.70 17.06実施例−2 4.4”、4”−トリス (トリエチルシリルメチル)
トリフェニルアミン(例示化合物(2)の合成) 撹拌装置、冷却管、窒素導入管、滴下漏斗を備え付けた
2 00ml!4ツロフラスコにマグネシウム金属1.
0 g (40mmo 1)を入れ窒素置換を行ちた。
) 実測値(%) C71゜57 71.29 H8,958,99 N 2.78 2.66S i
16.70 17.06実施例−2 4.4”、4”−トリス (トリエチルシリルメチル)
トリフェニルアミン(例示化合物(2)の合成) 撹拌装置、冷却管、窒素導入管、滴下漏斗を備え付けた
2 00ml!4ツロフラスコにマグネシウム金属1.
0 g (40mmo 1)を入れ窒素置換を行ちた。
ついでジエチルエーテル100m1を入れ撹拌を開始し
た。そこへクロロメチルトリエチルシラン4.9 g
(30mmo 1)を溶解したジエチルエーテル溶液2
0rn1をゆっくり滴下した。約5rn1滴下したとこ
ろでゆるやかに還流が始まった。還流させながら、さら
にジエチルエーテル溶液の滴下を続け、滴下終了後、更
に1時間還流を行った。
た。そこへクロロメチルトリエチルシラン4.9 g
(30mmo 1)を溶解したジエチルエーテル溶液2
0rn1をゆっくり滴下した。約5rn1滴下したとこ
ろでゆるやかに還流が始まった。還流させながら、さら
にジエチルエーテル溶液の滴下を続け、滴下終了後、更
に1時間還流を行った。
以上のようにして得られたグリニヤール試薬溶液を室温
にまで戻し、次にNiNiC12(dppe)5を室温
で加えた。次に、4. 4’、4”−トリブロモトリフ
ェニルアミン4.8 g (10mmo l)のジエチ
ルエーテル溶液20−を水冷下ゆっくり滴下した。滴下
終了後、反応混合物を8時間還流し反応を熟成した。そ
の後、水50m1l!を氷冷下漬下し加水分解を行った
。次に、エーテル層を抽出し飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液で1回、水で2回洗浄し、ついで無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。
にまで戻し、次にNiNiC12(dppe)5を室温
で加えた。次に、4. 4’、4”−トリブロモトリフ
ェニルアミン4.8 g (10mmo l)のジエチ
ルエーテル溶液20−を水冷下ゆっくり滴下した。滴下
終了後、反応混合物を8時間還流し反応を熟成した。そ
の後、水50m1l!を氷冷下漬下し加水分解を行った
。次に、エーテル層を抽出し飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液で1回、水で2回洗浄し、ついで無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。
乾燥後、ジエチルエーテルを溜去し白色固体を得た。該
白色固体をn−ヘキサン/トルエン(5/1)で再結晶
し目的物を4.8g得た(収率76葛)。
白色固体をn−ヘキサン/トルエン(5/1)で再結晶
し目的物を4.8g得た(収率76葛)。
融点、128.6〜130.4℃
元素分析; (C3,H,、NS i= )計算値(
%) 実測値(%) C74,4074,20 H10,0210,23 N 2.23 2.11S i
13.35 13.46実施例−3〜10 例示化合物(3)、(5)、(6)、(8)、(10)
については、実施例−1と同様の方法でそれぞれ対応す
るトリス(クロロメチル)トリアリールアミン化合物、
及びクロロシラン化合物を用い、又例示化合物(4)、
(7)、(9)については、実施例−2と同様の方法で
それぞれ対応するトリブロモトリアリールアミン化合物
、及びクロロメチルシラン化合物を用いて合成し、融点
測定及び元素分析を行なった。その結果を表−1に示し
た。
%) 実測値(%) C74,4074,20 H10,0210,23 N 2.23 2.11S i
13.35 13.46実施例−3〜10 例示化合物(3)、(5)、(6)、(8)、(10)
については、実施例−1と同様の方法でそれぞれ対応す
るトリス(クロロメチル)トリアリールアミン化合物、
及びクロロシラン化合物を用い、又例示化合物(4)、
(7)、(9)については、実施例−2と同様の方法で
それぞれ対応するトリブロモトリアリールアミン化合物
、及びクロロメチルシラン化合物を用いて合成し、融点
測定及び元素分析を行なった。その結果を表−1に示し
た。
表−1
実施例−11
x型無金属フタロシアニン4.1g、ポリビニルブチラ
ール(エスレックBM−2、積木化学側製)4.1g、
シクロへキサノン200g、ガラスピーズ(1φ)65
0gをサンドミルに入れ、4時間溶解、分散を行い、電
荷発生層用塗料を作製した。
ール(エスレックBM−2、積木化学側製)4.1g、
シクロへキサノン200g、ガラスピーズ(1φ)65
0gをサンドミルに入れ、4時間溶解、分散を行い、電
荷発生層用塗料を作製した。
該塗料を用い表面鏡面仕上げしたアルミニウムシリンダ
ー(40φ)に乾燥後の膜厚が0.15μmになるよう
に浸漬塗工し、乾燥した。
ー(40φ)に乾燥後の膜厚が0.15μmになるよう
に浸漬塗工し、乾燥した。
次に、実施例−1で合成した例示化合物(1)80g1
式(22)で示される繰り返し単位を有するポリカーボ
ネー)Z樹脂(数平均分子量;5万)80gをジオキサ
ン450gに溶解し、電荷輸送層用塗料を作製した。該
塗料を用いて、先に電荷発生層を塗工したアルミニウム
シリンダーに乾燥後の膜厚が25μmになるように浸漬
塗工し、乾燥した。
式(22)で示される繰り返し単位を有するポリカーボ
ネー)Z樹脂(数平均分子量;5万)80gをジオキサ
ン450gに溶解し、電荷輸送層用塗料を作製した。該
塗料を用いて、先に電荷発生層を塗工したアルミニウム
シリンダーに乾燥後の膜厚が25μmになるように浸漬
塗工し、乾燥した。
このようにして作製したドラム状電子写真感光体を用い
、ドラムゼログラフィー試験機にて電子写真特性を評価
した。−5,5k Vのコロナ電圧で帯電させたところ
、初期表面電位V。は−88(Vであった。暗所にて2
秒放置後の表面電位V2は一870Vとなった。ついで
発信波長790rmの半導体レーザーを照射し、半減露
光量El、□を求ぬたところ、0.28μJ / cv
lであり、残留1位VRは−8,8Vであった。
、ドラムゼログラフィー試験機にて電子写真特性を評価
した。−5,5k Vのコロナ電圧で帯電させたところ
、初期表面電位V。は−88(Vであった。暗所にて2
秒放置後の表面電位V2は一870Vとなった。ついで
発信波長790rmの半導体レーザーを照射し、半減露
光量El、□を求ぬたところ、0.28μJ / cv
lであり、残留1位VRは−8,8Vであった。
次に、5万回上記操作を繰り返した後、Vo、V 2
、E l/2 、V nを測定したところ、それぞt。
、E l/2 、V nを測定したところ、それぞt。
−860V、 −850V、 0.28μJ/crl、
−16,5Vであり、感光体の性能は殆ど衰えてぃな
力った。
−16,5Vであり、感光体の性能は殆ど衰えてぃな
力った。
次に、上記と同じ方法で作製した電子写真感光体をブレ
ードクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザー
ビームプリンターに装着しプリントテストを行った。そ
の結果、5万枚プリント後も膜厚の減少は殆ど見られず
、画像に影響を及ぼす傷も見あたらなかった。又、画像
も高画像濃度を維持し劣化はみられなかった。
ードクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザー
ビームプリンターに装着しプリントテストを行った。そ
の結果、5万枚プリント後も膜厚の減少は殆ど見られず
、画像に影響を及ぼす傷も見あたらなかった。又、画像
も高画像濃度を維持し劣化はみられなかった。
このようにして本発明による電子写真感光体は感度、耐
久性の点で非常に優れていることが分かった。
久性の点で非常に優れていることが分かった。
実施例−12〜15
実施例−11において電荷輸送材として例示化合物(1
)のかわりに、表−2に示した化合物を用いる以外は同
様にして感光体を作製し、性能評価を行った。その結果
を表−2に示した。
)のかわりに、表−2に示した化合物を用いる以外は同
様にして感光体を作製し、性能評価を行った。その結果
を表−2に示した。
これかられかるように、いずれも初期、5万回繰り返し
後も感光体特性は優れたものであった。
後も感光体特性は優れたものであった。
また、プリンター内装着での5万枚プリント試験後でも
膜厚の減少はいずれの感光体においても見ることができ
ず、高画像濃度を維持していた。
膜厚の減少はいずれの感光体においても見ることができ
ず、高画像濃度を維持していた。
表−2
図下余白〕
実施例−16〜18
実施例−11において、式(22)で示される繰り返し
単位を有するポリカーボネートZ樹脂のかわりに、表−
3に示したポリカーボネートZ樹脂を用いる以外は同様
にして感光体を作製し、性能評価を行った。その結果を
表−3に示した。
単位を有するポリカーボネートZ樹脂のかわりに、表−
3に示したポリカーボネートZ樹脂を用いる以外は同様
にして感光体を作製し、性能評価を行った。その結果を
表−3に示した。
これかられかるように、いずれも初期、5万回繰り返し
後も感光体特性は優れたものであった。
後も感光体特性は優れたものであった。
また、プリンター内装着での5万回プリント試験後でも
膜厚の減少は、いずれの感光体においても見ることがで
きず高画像濃度を維持していた。
膜厚の減少は、いずれの感光体においても見ることがで
きず高画像濃度を維持していた。
表−3
実施例−19
ポリアミド樹脂(アミランCM−8000、東し■製)
10gをメタノール/n−ブタノール(2/1)200
gに溶解し、下引き履用塗料を作製した。該塗料を用い
表面鏡面仕上げしたアルミニウムシリンダー(40φ)
に乾燥後の膜厚が0.1μmになるように浸漬塗工し、
乾燥した。
10gをメタノール/n−ブタノール(2/1)200
gに溶解し、下引き履用塗料を作製した。該塗料を用い
表面鏡面仕上げしたアルミニウムシリンダー(40φ)
に乾燥後の膜厚が0.1μmになるように浸漬塗工し、
乾燥した。
次に、X型無金属フタロシアニン20g、例示化合物(
1)80g、式(22)で示される繰り返し単位を有す
るポリカーボネー)Z樹脂(数平均分子量;5万)80
g、ジオキサン450g。
1)80g、式(22)で示される繰り返し単位を有す
るポリカーボネー)Z樹脂(数平均分子量;5万)80
g、ジオキサン450g。
ガラスピーズ(1φ)650gをサンドミルに入れ、4
時間溶解、分散を行い、単層用塗料を作製した。該塗料
を用い、先に下引き層を塗工したアルミニウムシリンダ
ー(40φ)に乾燥後の膜厚が25μmになるように浸
漬塗工し、乾燥した。
時間溶解、分散を行い、単層用塗料を作製した。該塗料
を用い、先に下引き層を塗工したアルミニウムシリンダ
ー(40φ)に乾燥後の膜厚が25μmになるように浸
漬塗工し、乾燥した。
このようにして作製したドラム状電子写真感光体を用い
、ドラムゼログラフィー試験機にて電子写真特性を評価
した。−5,5k Vのコロナ電圧で帯電させたところ
、初期表面電位V。は−880■であった。暗所にて2
秒放置後の表面電位V2は一850Vとなった。ついで
発信波長790.nmの半導体レーザーを照射し、半減
露光量E172を求めたところ、0.34μJ/crl
であり、残留電位VRは−18,I Vであった。
、ドラムゼログラフィー試験機にて電子写真特性を評価
した。−5,5k Vのコロナ電圧で帯電させたところ
、初期表面電位V。は−880■であった。暗所にて2
秒放置後の表面電位V2は一850Vとなった。ついで
発信波長790.nmの半導体レーザーを照射し、半減
露光量E172を求めたところ、0.34μJ/crl
であり、残留電位VRは−18,I Vであった。
次に、5万回上記操作を繰り返した後、VolV 2
、E l/2 、Vllを測定したところ、それぞれ−
860V、 −830V、 0.35ttJ/c、tl
、 −25,6Vであり、感光体の性能は殆ど衰えてい
なかった。
、E l/2 、Vllを測定したところ、それぞれ−
860V、 −830V、 0.35ttJ/c、tl
、 −25,6Vであり、感光体の性能は殆ど衰えてい
なかった。
次に、上記と同じ方法で作製した電子写真感光体をブレ
ードクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザー
ビームプリンターに装着しプリントテストを行った。そ
の結果、5万枚プリント後も膜厚の減少は殆ど見られず
、画像に影響を及ぼす傷も見あたらなかった。又、画像
も高画像濃度を維持し劣化はみられなかった。
ードクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザー
ビームプリンターに装着しプリントテストを行った。そ
の結果、5万枚プリント後も膜厚の減少は殆ど見られず
、画像に影響を及ぼす傷も見あたらなかった。又、画像
も高画像濃度を維持し劣化はみられなかった。
このようにして本発明による電子写真感光体は感度、耐
久性の点で非常に優れていることが分かった。
久性の点で非常に優れていることが分かった。
実施例−20
ジブロモアントアントロン5g1ブチラール樹脂(エス
レックBM−2.積水化学■製5gをシクロへキサノン
90rn1.に溶解、分散しボールミル中で24時間混
練した。得られた分散液をアルミ板上にバーコーターに
て乾燥後の膜厚が0.15μmになるように塗布し、乾
燥させ、電荷発生層を形成した。次に、例示化合物(1
)5g、ポリカーボネートA樹脂(レキサン131−1
11、エンジニアリングプラスチックス■製)5gをジ
オキサン90m1に溶解し、これをさきに形成した電荷
発生層上にブレードコーターにて乾燥後の膜厚が25μ
mになるように塗布して乾燥させ電荷輸送層を形成した
。
レックBM−2.積水化学■製5gをシクロへキサノン
90rn1.に溶解、分散しボールミル中で24時間混
練した。得られた分散液をアルミ板上にバーコーターに
て乾燥後の膜厚が0.15μmになるように塗布し、乾
燥させ、電荷発生層を形成した。次に、例示化合物(1
)5g、ポリカーボネートA樹脂(レキサン131−1
11、エンジニアリングプラスチックス■製)5gをジ
オキサン90m1に溶解し、これをさきに形成した電荷
発生層上にブレードコーターにて乾燥後の膜厚が25μ
mになるように塗布して乾燥させ電荷輸送層を形成した
。
このようにして作製した電子写真感光体を■ノ日電気製
作所製、静電複写紙試験装置EPA−8100を用いて
、−5,5kVのコロナ電圧で帯電させたところ、初期
表面電位V。は−870Vであった。暗所にて2秒放置
後の表面電位V2は850Vとなった。ついで照度51
uxのハロゲンランプを照射し、半減露光量E1/2を
求ぬたところ、0.91uX−8eCであり、残留電位
VRは−9,3Vであった。
作所製、静電複写紙試験装置EPA−8100を用いて
、−5,5kVのコロナ電圧で帯電させたところ、初期
表面電位V。は−870Vであった。暗所にて2秒放置
後の表面電位V2は850Vとなった。ついで照度51
uxのハロゲンランプを照射し、半減露光量E1/2を
求ぬたところ、0.91uX−8eCであり、残留電位
VRは−9,3Vであった。
次に、5千回上記摸作を繰り返した後、VO。
V 2 、E l/2 、V iを測定したところ、そ
れぞれ870V、−850V、1.01ux−sec。
れぞれ870V、−850V、1.01ux−sec。
−10,5Vであり、感光体の性能は殆ど衰えていなか
った。
った。
実施例−21〜24
実施例−20において電荷輸送材として例示化合物(1
)のかわりに、表−4に示した化合物を用いる以外は同
様にして感光体を作製し、性能評価を行った。その結果
を表−4に示した。
)のかわりに、表−4に示した化合物を用いる以外は同
様にして感光体を作製し、性能評価を行った。その結果
を表−4に示した。
表−4
実施例−25〜35
例示化合物(11)、(12)、(13)、(14)、
(15)、(16)、(17)、(18)、(19)、
(20)、(21)につし)で(ま、実施例−1または
実施例−2と同様の方法1こより合成することができる
。
(15)、(16)、(17)、(18)、(19)、
(20)、(21)につし)で(ま、実施例−1または
実施例−2と同様の方法1こより合成することができる
。
また、実施例−11、実施例−19、実施伊j−20に
おいて、電荷輸送材として例示化合物(1)のかわりに
、これら例示化合物(11)〜(21)を用いる以外は
同様にして感光体を作製し、性能評価を行なうと、実施
例−11、実施例19、実施例−20の場合と同様に、
感度、耐久性の点で非常に優れた結果が得られる。
おいて、電荷輸送材として例示化合物(1)のかわりに
、これら例示化合物(11)〜(21)を用いる以外は
同様にして感光体を作製し、性能評価を行なうと、実施
例−11、実施例19、実施例−20の場合と同様に、
感度、耐久性の点で非常に優れた結果が得られる。
比較例−1
実施例−11において電荷輸送材として例示化合物(1
)のかわりに、4.4°、4”−トリメチルトリフェニ
ルアミンを用いる以外は同様にして感光体を作製し、性
能評価を行った。
)のかわりに、4.4°、4”−トリメチルトリフェニ
ルアミンを用いる以外は同様にして感光体を作製し、性
能評価を行った。
−5,5kVのコロナ電圧で帯電させたところ、初期表
面電位V。は−880Vであった。暗所にて2秒放置後
の表面電位V2は一860Vとなった。ついで発信波長
790nmの半導体レーザーを照射し、半減露光量El
、□を求めたところ、0゜89μJ/cnfであり、残
留電位V、は−42,6Vであった。
面電位V。は−880Vであった。暗所にて2秒放置後
の表面電位V2は一860Vとなった。ついで発信波長
790nmの半導体レーザーを照射し、半減露光量El
、□を求めたところ、0゜89μJ/cnfであり、残
留電位V、は−42,6Vであった。
一次に、5万回上記操作を繰り返した後、Vo1V2、
El/□、VRを測定したところ、それぞれ−860V
、 −820V、 0.94μJ/crl、 −
63,1vであり、感光体の性能は実施例−11に比較
して劣っていた。
El/□、VRを測定したところ、それぞれ−860V
、 −820V、 0.94μJ/crl、 −
63,1vであり、感光体の性能は実施例−11に比較
して劣っていた。
次に、上記と同じ方法で作製した電子写真感光体をブレ
ードクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザー
ビームプリンターに装着しプリントテストを行った。そ
の結果、5万枚プリント後も膜厚の減少は殆ど見られず
、画像に影響を及ぼす傷も見あたらなかったが、感度が
悪いため画像濃度は薄いものであった。
ードクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザー
ビームプリンターに装着しプリントテストを行った。そ
の結果、5万枚プリント後も膜厚の減少は殆ど見られず
、画像に影響を及ぼす傷も見あたらなかったが、感度が
悪いため画像濃度は薄いものであった。
Claims (5)
- (1)一般式( I )で示される新規シリルメチル化ト
リアリールアミン化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Arは置換されていてもよいアリーレン基を示
し、3つのArは同一でも異なっていてもよい。R^1
、R^2、R^3は同一もしくは相異なる、アルキル基
、アラルキル基又はアリール基を示し、これらのR^1
、R^2、R^3で示される基は置換されていてもよい
。) - (2)一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、Arは式( I )と同じ意味を有し、X^2は
ハロゲン原子を示す。) で示されるグリニャール試薬と、一般式(III)X^1
SiR^1R^2R^3(III) (式中、R^1、R^2、R^3は式( I )と同じ意
味を有し、X^1はハロゲン原子又はアルコキシ基を示
す。) で示される単官能シラン化合物を反応せしめることを特
徴とする請求項(1)記載の新規シリルメチル化トリア
リールアミン化合物の製造方法。 - (3)一般式(IV) R^1R^2R^3SiCH_2MgX^3(IV)(式
中、R^1、R^2、R^3は式( I )と同じ意味を
有し、X^3はハロゲン原子を示す。) で示される化合物とトリス(ハロゲノアリール)アミン
化合物をカップリング触媒の存在下、グリニャールカッ
プリング反応せしめることを特徴とする請求項(1)記
載の新規シリルメチル化トリアリールアミン化合物の製
造方法。 - (4)導電性支持体とその上に形成された感光層とを必
須の構成要素とする電子写真感光体において、請求項(
1)記載の新規シリルメチル化トリアリールアミン化合
物を感光層中に含むことを特徴とする電子写真感光体。 - (5)導電性支持体とその上に形成された感光層とを必
須の構成要素とする電子写真感光体において、請求項(
1)記載の新規シリルメチル化トリアリールアミン化合
物及び一般式(V)で示される繰り返し単位を有するポ
リカーボネート樹脂を感光層中に含むことを特徴とする
電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼(V) (式中、R^4、R^5、R^6、R^7、R^8、R
^9、R^1^0、R^1^1は同一もしくは相異なる
、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を示す。)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2122541A JPH0421687A (ja) | 1990-05-12 | 1990-05-12 | 新規有機ケイ素化合物、その製造方法及びそれを用いた電子写真感光体 |
US07/696,201 US5290963A (en) | 1990-05-12 | 1991-05-06 | Organic silicon compound, method of its production, and photoreceptor for electrophotography incorporating it |
EP91107621A EP0457212A1 (en) | 1990-05-12 | 1991-05-10 | Novel organic silicon compound, method of its production, and photoreceptor for electrophotography incorporating it |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2122541A JPH0421687A (ja) | 1990-05-12 | 1990-05-12 | 新規有機ケイ素化合物、その製造方法及びそれを用いた電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0421687A true JPH0421687A (ja) | 1992-01-24 |
Family
ID=14838426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2122541A Pending JPH0421687A (ja) | 1990-05-12 | 1990-05-12 | 新規有機ケイ素化合物、その製造方法及びそれを用いた電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0421687A (ja) |
-
1990
- 1990-05-12 JP JP2122541A patent/JPH0421687A/ja active Pending
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