JPH03271296A - 新規シリル化トリアリールアミン化合物、その製造法、及びそれを含む電子写真感光体 - Google Patents
新規シリル化トリアリールアミン化合物、その製造法、及びそれを含む電子写真感光体Info
- Publication number
- JPH03271296A JPH03271296A JP2065725A JP6572590A JPH03271296A JP H03271296 A JPH03271296 A JP H03271296A JP 2065725 A JP2065725 A JP 2065725A JP 6572590 A JP6572590 A JP 6572590A JP H03271296 A JPH03271296 A JP H03271296A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- general formula
- triarylamine compound
- same
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- -1 triarylamine compound Chemical class 0.000 title claims abstract description 49
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 claims abstract description 7
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims abstract description 7
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 125000001979 organolithium group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 57
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 25
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 16
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 abstract 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 9
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KEEKMOIRJUWKNK-CABZTGNLSA-N (2S)-2-[[2-[(4R)-4-(difluoromethyl)-2-oxo-1,3-thiazolidin-3-yl]-5,6-dihydroimidazo[1,2-d][1,4]benzoxazepin-9-yl]amino]propanamide Chemical compound FC([C@H]1N(C(SC1)=O)C=1N=C2N(CCOC3=C2C=CC(=C3)N[C@H](C(=O)N)C)C=1)F KEEKMOIRJUWKNK-CABZTGNLSA-N 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- DCFKHNIGBAHNSS-UHFFFAOYSA-N chloro(triethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(CC)CC DCFKHNIGBAHNSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000002140 halogenating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006138 lithiation reaction Methods 0.000 description 2
- ZCSHNCUQKCANBX-UHFFFAOYSA-N lithium diisopropylamide Chemical compound [Li+].CC(C)[N-]C(C)C ZCSHNCUQKCANBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N methyl formate Chemical compound COC=O TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- PLFFHJWXOGYWPR-HEDMGYOXSA-N (4r)-4-[(3r,3as,5ar,5br,7as,11as,11br,13ar,13bs)-5a,5b,8,8,11a,13b-hexamethyl-1,2,3,3a,4,5,6,7,7a,9,10,11,11b,12,13,13a-hexadecahydrocyclopenta[a]chrysen-3-yl]pentan-1-ol Chemical group C([C@]1(C)[C@H]2CC[C@H]34)CCC(C)(C)[C@@H]1CC[C@@]2(C)[C@]4(C)CC[C@@H]1[C@]3(C)CC[C@@H]1[C@@H](CCCO)C PLFFHJWXOGYWPR-HEDMGYOXSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920004142 LEXAN™ Polymers 0.000 description 1
- 239000004418 Lexan Substances 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006887 Ullmann reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N carbon tetrachloride Substances ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N formic acid ethyl ester Natural products CCOC=O WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N lithium;2-methylpropane Chemical compound [Li+].C[C-](C)C UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGOPGODQLGJZGL-UHFFFAOYSA-N lithium;butane Chemical compound [Li+].CC[CH-]C WGOPGODQLGJZGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- DVSDBMFJEQPWNO-UHFFFAOYSA-N methyllithium Chemical compound C[Li] DVSDBMFJEQPWNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- NHKJPPKXDNZFBJ-UHFFFAOYSA-N phenyllithium Chemical compound [Li]C1=CC=CC=C1 NHKJPPKXDNZFBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006149 polyester-amide block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920001909 styrene-acrylic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規シリル化トリアリールアミン化合物、その
製造法及び該新規シリル化トリアリールアミン化合物を
電荷輸送材として用いた高感度、高耐久性の電子写真感
光体に関するものである。
製造法及び該新規シリル化トリアリールアミン化合物を
電荷輸送材として用いた高感度、高耐久性の電子写真感
光体に関するものである。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕近年、
電子写真方式を用いた複写機、プリンターの発展は目覚
ましく、用途に応じて様々な形態、種類、機能の機種が
開発され、それに対応してそれらに用いられる感光体も
多種多様のものが開発されつつある。
電子写真方式を用いた複写機、プリンターの発展は目覚
ましく、用途に応じて様々な形態、種類、機能の機種が
開発され、それに対応してそれらに用いられる感光体も
多種多様のものが開発されつつある。
従来、電子写真感光体としては、その感度、耐久性の面
から無機化合物が主として用いられてきた。例えば、酸
化亜鉛、硫化カドミウム、セレン等を挙げることができ
る。しかしながら、これらは有害物質を使用している場
合が多く、その廃棄が問題となり、公害をもたらす原因
となる。又、感度が良好なセレンを用いる場合、蒸着法
等により導電性基体上に薄膜を形成する必要があり、生
産性が劣り、コストアップの原因となる。
から無機化合物が主として用いられてきた。例えば、酸
化亜鉛、硫化カドミウム、セレン等を挙げることができ
る。しかしながら、これらは有害物質を使用している場
合が多く、その廃棄が問題となり、公害をもたらす原因
となる。又、感度が良好なセレンを用いる場合、蒸着法
等により導電性基体上に薄膜を形成する必要があり、生
産性が劣り、コストアップの原因となる。
近年、無公害性の無機物感光体としてアモルファスシリ
コンが注目され、その研究開発が進められている。しか
しながら、これらも感度については優れているが、薄膜
形成時において、主にプラズマCVD法を用いるため、
その生産性は極めて劣っており、感光体コスト、ランニ
ングコストとも大きなものとなっている。
コンが注目され、その研究開発が進められている。しか
しながら、これらも感度については優れているが、薄膜
形成時において、主にプラズマCVD法を用いるため、
その生産性は極めて劣っており、感光体コスト、ランニ
ングコストとも大きなものとなっている。
一方、有機感光体は、焼却が可能であり、無公害の利点
を有し、更に多くのものは塗工により薄膜形成が可能で
大量生産が容易である。それ故にコストが大幅に低減で
き、又、用途に応じて様々な形状に加工することができ
るという長所を有している。しかしながら、有機感光体
においては、その感度、耐久性に問題が残されており、
高感度、高耐久性の有機感光体の出現が強く望まれてい
る。
を有し、更に多くのものは塗工により薄膜形成が可能で
大量生産が容易である。それ故にコストが大幅に低減で
き、又、用途に応じて様々な形状に加工することができ
るという長所を有している。しかしながら、有機感光体
においては、その感度、耐久性に問題が残されており、
高感度、高耐久性の有機感光体の出現が強く望まれてい
る。
有機感光体の感度向上の手段として様々な方法が提案さ
れているが、現在では電荷発生層と電荷輸送層とに機能
が分離した主に二層構造の機能分離型感光体が主流とな
っている。例えば、露光により電荷発生層で発生した電
荷は、電荷輸送層に注入され、電荷輸送層中を通って表
面に輸送され、表面電荷を中和することにより感光体表
面に静電潜像が形成される。機能分離型は単層型に比し
て発生した電荷が捕獲される可能性が小さくなり、各層
がそれぞれの機能を阻害されることなく、効率良く電荷
が感光体表面に輸送され得る(アメリカ特許第2803
541号)。
れているが、現在では電荷発生層と電荷輸送層とに機能
が分離した主に二層構造の機能分離型感光体が主流とな
っている。例えば、露光により電荷発生層で発生した電
荷は、電荷輸送層に注入され、電荷輸送層中を通って表
面に輸送され、表面電荷を中和することにより感光体表
面に静電潜像が形成される。機能分離型は単層型に比し
て発生した電荷が捕獲される可能性が小さくなり、各層
がそれぞれの機能を阻害されることなく、効率良く電荷
が感光体表面に輸送され得る(アメリカ特許第2803
541号)。
電荷発生層に用いられる有機電荷発生材としては、照射
される光のエネルギーを吸収し、効率良く電荷を発生す
る化合物が選択使用されており、例えば、アゾ顔料(特
開昭54−14967号公報)、無金属フタロシアニン
顔料(特開昭60−143346号公報)、金属フタロ
シアニン顔料(特開昭50−16538号公報)、スク
ェアリウム塩(特開昭53−27033号公報)等を挙
げることができる。
される光のエネルギーを吸収し、効率良く電荷を発生す
る化合物が選択使用されており、例えば、アゾ顔料(特
開昭54−14967号公報)、無金属フタロシアニン
顔料(特開昭60−143346号公報)、金属フタロ
シアニン顔料(特開昭50−16538号公報)、スク
ェアリウム塩(特開昭53−27033号公報)等を挙
げることができる。
電荷輸送層に用いられる電荷輸送材としては電荷発生層
からの電荷の注入効率が大きく、更に電荷輸送層内での
電荷の移動度が大である化合物を選定する必要がある。
からの電荷の注入効率が大きく、更に電荷輸送層内での
電荷の移動度が大である化合物を選定する必要がある。
そのためには、イオン化ポテンシャルが小さい化合物、
カチオンラジカルが発生し易い化合物が選ばれ、例えば
、トリアリールアミン誘導体(特開昭53−47260
号公報)、ヒドラゾン誘導体(特開昭57−10184
4号公報)、オキサジアゾール誘導体(特公昭34−5
466号公報)、ピラゾリン誘導体(特公昭52418
8号公報)、スチルベン誘導体(特開昭58−1980
43号公報)、トリフェニルメタン誘導体(特公昭45
−555号公報)、1.3−ブタジェン誘導体(特開昭
62−287257号公報)等が提案されている。
カチオンラジカルが発生し易い化合物が選ばれ、例えば
、トリアリールアミン誘導体(特開昭53−47260
号公報)、ヒドラゾン誘導体(特開昭57−10184
4号公報)、オキサジアゾール誘導体(特公昭34−5
466号公報)、ピラゾリン誘導体(特公昭52418
8号公報)、スチルベン誘導体(特開昭58−1980
43号公報)、トリフェニルメタン誘導体(特公昭45
−555号公報)、1.3−ブタジェン誘導体(特開昭
62−287257号公報)等が提案されている。
しかしながら、これらの電荷移動度は無機物に比較する
と小さいものであり、感度もまだまだ満足できないもの
であり、更に改良された材料が求められていた、 〔課題を解決するための手段〕 本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意研究の結果、本
発明を完成するに至った。
と小さいものであり、感度もまだまだ満足できないもの
であり、更に改良された材料が求められていた、 〔課題を解決するための手段〕 本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意研究の結果、本
発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、一般式(1)で示される新規シリル化
トリアリールアミン化合物、 R。
トリアリールアミン化合物、 R。
RZ−Si−R3
Ar、 (1)3
1
(式中、Ar、、Ar、、Ar、は同一もしくは相異な
って、アリーレン基を示し、R5、FIt、 R3は同
一もしくは相異なって、置換されていてもよいアルキル
基、アラルキル基、又は了り一ル基を示す。) 一般式(2) %式% (式中、Ar、、Ar、、Ar3は式(1)と同じ。X
ls Xt、X、はハロゲン原子を示す) で示されるトリハロゲン化トリアリ−ルアξン化合物と
有機リチウム試薬とを反応せしめてリチオ化し、次に一
般式R1RJ1SiX4(R+、R2、R1は式(1)
と同じ、 X4はハロゲン原子、メトキシ基又はエトキ
シ基を示す。)で示されるシラン化合物とを反応せしめ
ることを特徴とする前記一般式(1)で示され、るシリ
ル化トリアリールアミン化合物の製造法、及び前記一般
式(2〉で示されるトリハロゲン化トリアリ−ルア旦ン
化合物とマグネシウム金属とを反応せしめグリニヤール
化し、次に一般式RIRzR2SiX4(R1R21R
3は式(1)と同じ。X4はハロゲン原子、メトキシ基
又はエトキシ基を示す。)で示されるシラン化合物とを
反応せしめることを特徴とする前記一般式(1)で示さ
れる新規シリル化トリアリ−ルアくン化合物の製造法を
提供するものであり、また、本発明は、導電性支持体と
その上に形成された感光層とを必須の構成要素とする電
子写真感光体に於いて、前記一般式(1)で示される新
規シリル化トリアリールアミン化合物を感光層中に含む
ことを特徴とする電子写真感光体、前記一般式(1)で
示される新規シリル化トリアリールアミン化合物と、一
般式(3) %式% (式中、Ra、R5,R1R?、 R□R9+ R1°
+ R1+は同一もしくは相異なって、水素原子、ノ\
ロゲン原子又はアルキル基を示す。) で示される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂
とを感光層中に含むことを特徴とする電子写真感光体を
も提供するものである。
って、アリーレン基を示し、R5、FIt、 R3は同
一もしくは相異なって、置換されていてもよいアルキル
基、アラルキル基、又は了り一ル基を示す。) 一般式(2) %式% (式中、Ar、、Ar、、Ar3は式(1)と同じ。X
ls Xt、X、はハロゲン原子を示す) で示されるトリハロゲン化トリアリ−ルアξン化合物と
有機リチウム試薬とを反応せしめてリチオ化し、次に一
般式R1RJ1SiX4(R+、R2、R1は式(1)
と同じ、 X4はハロゲン原子、メトキシ基又はエトキ
シ基を示す。)で示されるシラン化合物とを反応せしめ
ることを特徴とする前記一般式(1)で示され、るシリ
ル化トリアリールアミン化合物の製造法、及び前記一般
式(2〉で示されるトリハロゲン化トリアリ−ルア旦ン
化合物とマグネシウム金属とを反応せしめグリニヤール
化し、次に一般式RIRzR2SiX4(R1R21R
3は式(1)と同じ。X4はハロゲン原子、メトキシ基
又はエトキシ基を示す。)で示されるシラン化合物とを
反応せしめることを特徴とする前記一般式(1)で示さ
れる新規シリル化トリアリ−ルアくン化合物の製造法を
提供するものであり、また、本発明は、導電性支持体と
その上に形成された感光層とを必須の構成要素とする電
子写真感光体に於いて、前記一般式(1)で示される新
規シリル化トリアリールアミン化合物を感光層中に含む
ことを特徴とする電子写真感光体、前記一般式(1)で
示される新規シリル化トリアリールアミン化合物と、一
般式(3) %式% (式中、Ra、R5,R1R?、 R□R9+ R1°
+ R1+は同一もしくは相異なって、水素原子、ノ\
ロゲン原子又はアルキル基を示す。) で示される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂
とを感光層中に含むことを特徴とする電子写真感光体を
も提供するものである。
本発明で用いられる前記一般式(2)で示されるトリハ
ロゲン化トリアリールアミン化合物は、公知の任意の方
法で容易に合成することができる。例えば、X+1rJ
Hz (Xt+ Ar、は式(2)と同じ)で表され
るハロゲン化アリールアミンとp−ジハロゲン化アリー
ル化合物とを用いウルマン反応により得ることができる
(ベリヒテ。
ロゲン化トリアリールアミン化合物は、公知の任意の方
法で容易に合成することができる。例えば、X+1rJ
Hz (Xt+ Ar、は式(2)と同じ)で表され
るハロゲン化アリールアミンとp−ジハロゲン化アリー
ル化合物とを用いウルマン反応により得ることができる
(ベリヒテ。
36巻、 2382ページ(1903) )。又、トリ
アリールアミン化合物を公知のハロゲン化剤により直接
ハロゲン化することにより得ることも可能である。ハロ
ゲン原子としては特に限定されず、塩素原子、臭素原子
、ヨウ素原子のいずれでもよい。
アリールアミン化合物を公知のハロゲン化剤により直接
ハロゲン化することにより得ることも可能である。ハロ
ゲン原子としては特に限定されず、塩素原子、臭素原子
、ヨウ素原子のいずれでもよい。
本発明ではまず一般式(2)で示されるトリハロゲン化
トリアリールアミン化合物と有機リチウム試薬又はマグ
ネシウム金属とを反応せしめ、ハロゲン原子のついた炭
素原子をリチオ化、又はグリニヤール化する。その方法
としては公知の方法が用いられ、例えばリチオ化する場
合には、エーテル系溶剤に一般式(2)で示されるトリ
ハロゲン化トリアリールアミン化合物を溶解させ、そこ
へ等モル量の有機リチウム試薬を滴下する。滴下温度は
一50°C乃至100℃であり、必要に応じて冷却、加
温を行う。用いられるエーテル系溶剤としては、ジエチ
ルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エ
チレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジイソプ
ロピルエーテル、ジ−nブチルエーテル等が用いられる
。用いられる有機リチウム試薬としては、例えば、n−
ブチルリチウム、S−ブチルリチウム、t−ブチルリチ
ウム、フェニルリチウム、メチルリチウム、リチウムジ
イソプロピルアミド等を挙げることができ、これらは任
意の有機溶剤にて希釈して用いられる。
トリアリールアミン化合物と有機リチウム試薬又はマグ
ネシウム金属とを反応せしめ、ハロゲン原子のついた炭
素原子をリチオ化、又はグリニヤール化する。その方法
としては公知の方法が用いられ、例えばリチオ化する場
合には、エーテル系溶剤に一般式(2)で示されるトリ
ハロゲン化トリアリールアミン化合物を溶解させ、そこ
へ等モル量の有機リチウム試薬を滴下する。滴下温度は
一50°C乃至100℃であり、必要に応じて冷却、加
温を行う。用いられるエーテル系溶剤としては、ジエチ
ルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エ
チレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチル
エーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジイソプ
ロピルエーテル、ジ−nブチルエーテル等が用いられる
。用いられる有機リチウム試薬としては、例えば、n−
ブチルリチウム、S−ブチルリチウム、t−ブチルリチ
ウム、フェニルリチウム、メチルリチウム、リチウムジ
イソプロピルアミド等を挙げることができ、これらは任
意の有機溶剤にて希釈して用いられる。
グリニヤール化する場合にも、前記リチオ化溶剤と同様
の溶剤を用いることができ、まず等モル量乃至2倍モル
量のマグネシウム金属を溶剤と共に反応容器に入れ、そ
こへ一般式(2)で示されるトリハロゲン化トリアリー
ルアミン化合物を溶剤で希釈したものを滴下し、必要に
応じて冷却、加温を行いグリニヤール化する。
の溶剤を用いることができ、まず等モル量乃至2倍モル
量のマグネシウム金属を溶剤と共に反応容器に入れ、そ
こへ一般式(2)で示されるトリハロゲン化トリアリー
ルアミン化合物を溶剤で希釈したものを滴下し、必要に
応じて冷却、加温を行いグリニヤール化する。
リチオ化、又はグリニヤール化した溶液に一形式R+R
tRzSiX4(R+、lh、R3は式(1)と同し。
tRzSiX4(R+、lh、R3は式(1)と同し。
X4は、ハロゲン原子、メトキシ基又はエトキシ基を示
す。)で表されるモノ活性シラン化合物を滴下し反応せ
しめる。ここでR+、Rg、Rsは式(1)と同しであ
るが、一般式(1)で示される新規シリル化トリアリ−
ルア旦ン化合物を電子写真感光体用の電荷輸送材として
用いるためには、このものが常温で固体である必要があ
る。そのためには、R8R7R5は同一であって置換さ
れてもよい了り一ル基、アラルキル基、または炭素数4
以下のアルキル基であるのが好ましい。
す。)で表されるモノ活性シラン化合物を滴下し反応せ
しめる。ここでR+、Rg、Rsは式(1)と同しであ
るが、一般式(1)で示される新規シリル化トリアリ−
ルア旦ン化合物を電子写真感光体用の電荷輸送材として
用いるためには、このものが常温で固体である必要があ
る。そのためには、R8R7R5は同一であって置換さ
れてもよい了り一ル基、アラルキル基、または炭素数4
以下のアルキル基であるのが好ましい。
R,、R2,R3が一つでも異なる場合、または炭素数
が5以上のアルキル基の場合には一般式(1)で示され
る新規シリル化トリアリールアミン化合物は常温で液体
、もしくはグリース状となる。
が5以上のアルキル基の場合には一般式(1)で示され
る新規シリル化トリアリールアミン化合物は常温で液体
、もしくはグリース状となる。
x4は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原
子、もしくはメトキシ基、エトキシ基を示すが、反応性
の点からハロゲン原子であることが好ましい。
子、もしくはメトキシ基、エトキシ基を示すが、反応性
の点からハロゲン原子であることが好ましい。
反応終了後、加水分解し、有機層を抽出、乾燥、溶剤除
去後、再結晶等により精製し一般式(1)で示される新
規シリル化トリアリールアミン化合物を高収率で得るこ
とができる。シリル化トリアリールアミン化合物として
はアメリカ特許第2960517号に公示されているが
、このものはモノシリル化トリフェニルアミン化合物で
あり、本発明における新規シリル化トリアリ−ルア亀ン
化合物とは本質的に違いがあり、また常温で液体である
ため電子写真感光体用の材料としては不適である。また
、その製造法として、ブロモフェニルアルキルシラン化
合物とアミンのアルカリ金属塩とを反応せしめており、
その原材料の入手が困難であり、また、反応温度、反応
時間共により過酷な条件を必要とするものである。それ
に対して本発明に於ける新規シリル化トリアリールアミ
ン化合物の製造法では、より安価な原料を用い更に室温
程度の温度で、短時間に高収率で目的化合物が得られる
。
去後、再結晶等により精製し一般式(1)で示される新
規シリル化トリアリールアミン化合物を高収率で得るこ
とができる。シリル化トリアリールアミン化合物として
はアメリカ特許第2960517号に公示されているが
、このものはモノシリル化トリフェニルアミン化合物で
あり、本発明における新規シリル化トリアリ−ルア亀ン
化合物とは本質的に違いがあり、また常温で液体である
ため電子写真感光体用の材料としては不適である。また
、その製造法として、ブロモフェニルアルキルシラン化
合物とアミンのアルカリ金属塩とを反応せしめており、
その原材料の入手が困難であり、また、反応温度、反応
時間共により過酷な条件を必要とするものである。それ
に対して本発明に於ける新規シリル化トリアリールアミ
ン化合物の製造法では、より安価な原料を用い更に室温
程度の温度で、短時間に高収率で目的化合物が得られる
。
以上のようにして得られる一般式(1)で示される新規
シリル化トリアリ−ルアξン化合物のうち常温で固体の
ものはシリル基の電子供与性により正電荷移動度が大き
く、また電子写真プロセスにおいて発生するオゾン酸化
に対しても安定であり、高感度、高耐久性の電子写真感
光体を与えるものである。なかでも一般式(1)におい
てRI+ lh、 R3が炭素数4以下のアルキル基で
あるものが最も感度が優れている。
シリル化トリアリ−ルアξン化合物のうち常温で固体の
ものはシリル基の電子供与性により正電荷移動度が大き
く、また電子写真プロセスにおいて発生するオゾン酸化
に対しても安定であり、高感度、高耐久性の電子写真感
光体を与えるものである。なかでも一般式(1)におい
てRI+ lh、 R3が炭素数4以下のアルキル基で
あるものが最も感度が優れている。
以下、一般式(1)で示される新規シリル化トリアリー
ルアミン化合物を具体的に例示するが、本発明はこれら
に限定されるものではない。
ルアミン化合物を具体的に例示するが、本発明はこれら
に限定されるものではない。
Si (i
C3H7)s
Si (CH:l) :+
5i(CtHs)3
St(n
C3H?) 2
Si(n
CJ+s)*
st (CJs) x
Si(n−CJ*)s
Si (C1h) 3
CJs
Sf (CzHs) 3
これらの化合物は、多くの溶剤に可溶であり、例エバ、
ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリン、クロロベ
ンゼン等の芳香族系溶剤ニジクロロメタン、クロロホル
ム、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、四塩
化炭素等のハロゲン系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸プロピル、ギ酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系
溶剤;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶剤
;ジエチルエーテル、ジプロビルエーテル、ジオキサン
、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤;メタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール
系溶剤;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド
、ジメチルスルホキシド等に可溶である。
ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラリン、クロロベ
ンゼン等の芳香族系溶剤ニジクロロメタン、クロロホル
ム、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、四塩
化炭素等のハロゲン系溶剤;酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸プロピル、ギ酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系
溶剤;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶剤
;ジエチルエーテル、ジプロビルエーテル、ジオキサン
、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤;メタノール
、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール
系溶剤;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド
、ジメチルスルホキシド等に可溶である。
電子写真感光体を作製するにあたっては、導電性支持体
上に電荷発生層及び電荷輸送層を薄膜上に形成せしめる
。導電性支持体の基材としては、アルミニウム、ニッケ
ル等の金属、金属蒸着高分子フィルム、金属ラミネート
高分子フィルム等を用いることができ、ドラム状、シー
ト状、又はベルト状の形態で導電性支持体を形成する。
上に電荷発生層及び電荷輸送層を薄膜上に形成せしめる
。導電性支持体の基材としては、アルミニウム、ニッケ
ル等の金属、金属蒸着高分子フィルム、金属ラミネート
高分子フィルム等を用いることができ、ドラム状、シー
ト状、又はベルト状の形態で導電性支持体を形成する。
電荷発生層は、電荷発生材及び必要に応じて結合剤、添
加剤よりなり、蒸着法、プラズマCVD法、塗工法等の
方法で作製することができる。
加剤よりなり、蒸着法、プラズマCVD法、塗工法等の
方法で作製することができる。
電荷発生材としては、特に限定されることはなく照射さ
れる特定の波長の光を吸収し、効率よく電荷を発生し得
るものなら有機材料、無機材料のいずれも好適に使用す
ることができる。
れる特定の波長の光を吸収し、効率よく電荷を発生し得
るものなら有機材料、無機材料のいずれも好適に使用す
ることができる。
有機電荷発生材としては、例えは、ペリレン顔料、多環
キノン系顔料、無金属フタロシアニン顔料、金属フタロ
シアニン顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、チアピ
リリウム塩、スクェアリウム塩、アズレニウム顔料等が
挙げられ、これらは主として結合剤中に分散せしめ、塗
工により電荷発生層を形成することができる。無機電荷
発生材としては、セレン、セレン合金、硫化カドミウム
、酸化亜鉛、アモルファスシリコン、アモルファスシリ
コンカーバイド等が挙げられる。なかでも半導体レーザ
ー波長域ではX型無金属フタロシアニン顔料、可視光領
域ではジブロモアントアントロン顔料がその感度の点で
最も優れている。
キノン系顔料、無金属フタロシアニン顔料、金属フタロ
シアニン顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、チアピ
リリウム塩、スクェアリウム塩、アズレニウム顔料等が
挙げられ、これらは主として結合剤中に分散せしめ、塗
工により電荷発生層を形成することができる。無機電荷
発生材としては、セレン、セレン合金、硫化カドミウム
、酸化亜鉛、アモルファスシリコン、アモルファスシリ
コンカーバイド等が挙げられる。なかでも半導体レーザ
ー波長域ではX型無金属フタロシアニン顔料、可視光領
域ではジブロモアントアントロン顔料がその感度の点で
最も優れている。
形成された電荷発生層の膜厚は、0.1乃至2.0−が
好ましく、更に好ましくは0.1乃至1.OIIImで
ある。
好ましく、更に好ましくは0.1乃至1.OIIImで
ある。
次に該電荷発生層の上部に一般式(1〉で示される新規
シリル化トリアリールアミン化合物を含む電荷輸送層を
薄膜状に形成せしめる。薄膜形成法としては、おもに塗
工法が用いられ、一般式(1)で示される新規シリル化
トリアリールアミン化合物を、必要に応じて結合剤とと
もに溶剤に溶解し、電荷発生層上に塗工せしめ、その後
乾燥させればよい。
シリル化トリアリールアミン化合物を含む電荷輸送層を
薄膜状に形成せしめる。薄膜形成法としては、おもに塗
工法が用いられ、一般式(1)で示される新規シリル化
トリアリールアミン化合物を、必要に応じて結合剤とと
もに溶剤に溶解し、電荷発生層上に塗工せしめ、その後
乾燥させればよい。
用いられる溶剤としては、上記の化合物及び必要に応じ
て用いられる結合剤が溶解し、かつ電荷発生層が溶解し
ない溶剤なら特に限定されることはない。
て用いられる結合剤が溶解し、かつ電荷発生層が溶解し
ない溶剤なら特に限定されることはない。
必要に応じて用いられる結合剤は、絶縁性樹脂なら特に
限定されることはなく、例えば、ポリカーボネート、ボ
リアリレート、ポリエステル、ポリアミド等の縮合系重
合体:ポリエチレン、ポリスチレン、スチレン−アクリ
ル共重合体、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ポリアクリロニトリル、ポリア
クリルアミド、アクリロニトリル−ブタジェン共重合体
、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体等
の付加重合体:ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、
シリコン樹脂等が適宜用いられ一種もしくは二種以上の
ものを混合して用いることができる。
限定されることはなく、例えば、ポリカーボネート、ボ
リアリレート、ポリエステル、ポリアミド等の縮合系重
合体:ポリエチレン、ポリスチレン、スチレン−アクリ
ル共重合体、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、
ポリビニルブチラール、ポリアクリロニトリル、ポリア
クリルアミド、アクリロニトリル−ブタジェン共重合体
、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体等
の付加重合体:ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、
シリコン樹脂等が適宜用いられ一種もしくは二種以上の
ものを混合して用いることができる。
これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、特に一般式(
3) %式% (式中、R4、R2、R4、R7、R8、R1、R11
1、R11は同一もしくは相異なって、水素原子、ハロ
ゲン原子又はアルキル基を示す、) で示される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂
(これは一般にポリカーボネートZ樹脂と称されている
)を用いた場合に、塗料の保存安定性が優れ、塗工時の
欠陥発生が少なく好適である。
3) %式% (式中、R4、R2、R4、R7、R8、R1、R11
1、R11は同一もしくは相異なって、水素原子、ハロ
ゲン原子又はアルキル基を示す、) で示される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂
(これは一般にポリカーボネートZ樹脂と称されている
)を用いた場合に、塗料の保存安定性が優れ、塗工時の
欠陥発生が少なく好適である。
前記一般式(3)で示される繰り返し単位を有する化合
物のようにポリカーボネート樹脂の主鎖中にシクロヘキ
シル基を導入することによりその滑り抵抗を小さくでき
、又ガラス転移点を変化させることなく強靭さを増すこ
とが可能となり、該ポリカーボネートZ樹脂を用いた電
子写真感光体は電子写真プロセスにおいてトナー紙、ク
リーニングブレードによる摩耗を最小限に抑えることが
可能となる。本発明に用いられる一般式(3)で示され
る繰り返し単位を有するポリカーボネートZ樹脂を具体
的に例示すると次のものが挙げられる。が本発明はこれ
らに限定されるものではない。
物のようにポリカーボネート樹脂の主鎖中にシクロヘキ
シル基を導入することによりその滑り抵抗を小さくでき
、又ガラス転移点を変化させることなく強靭さを増すこ
とが可能となり、該ポリカーボネートZ樹脂を用いた電
子写真感光体は電子写真プロセスにおいてトナー紙、ク
リーニングブレードによる摩耗を最小限に抑えることが
可能となる。本発明に用いられる一般式(3)で示され
る繰り返し単位を有するポリカーボネートZ樹脂を具体
的に例示すると次のものが挙げられる。が本発明はこれ
らに限定されるものではない。
CHs CHz
CI CI
これらポリカーボネートZ樹脂の分子量は数平均分子量
で5千乃至10万である。これよりも小さいと機械的強
度が得られなくなり、耐摩耗性は期待出来ない。また1
0万よりも大きいと塗工時に粘度が大きくなりすぎ作業
性の困難を生じる。ガラス転移点は50°C乃至200
″Cであり、この範囲において耐摩耗性が改善される。
で5千乃至10万である。これよりも小さいと機械的強
度が得られなくなり、耐摩耗性は期待出来ない。また1
0万よりも大きいと塗工時に粘度が大きくなりすぎ作業
性の困難を生じる。ガラス転移点は50°C乃至200
″Cであり、この範囲において耐摩耗性が改善される。
これよりもガラス転移点が低いと環境特性が低下し好ま
しくない。また200 ’Cよりも高いと脆さが生じる
ようになり摩耗劣化が激しくなる。
しくない。また200 ’Cよりも高いと脆さが生じる
ようになり摩耗劣化が激しくなる。
上記結合剤の使用量は一般式(1)で示される新規シリ
ル化トリアリールアミン化合物に対して0.1乃至3重
量比であり好ましくは0.1乃至2重量比である。結合
剤の量がこれよりも大であると、電荷輸送層における電
荷輸送材濃度が小さくなり感度が悪くなる。
ル化トリアリールアミン化合物に対して0.1乃至3重
量比であり好ましくは0.1乃至2重量比である。結合
剤の量がこれよりも大であると、電荷輸送層における電
荷輸送材濃度が小さくなり感度が悪くなる。
又、本発明においては、必要に応じて前記のような公知
の電荷輸送材を組み合わせて用いることも可能である。
の電荷輸送材を組み合わせて用いることも可能である。
電荷輸送層の塗工手段は限定されることはなく、例えば
、デイツプコーター、バーコーターカレンダーコーター
、グラビアコーター、スピンコーター、等を適宜使用す
ることができ、又、電着塗装することも可能である。
、デイツプコーター、バーコーターカレンダーコーター
、グラビアコーター、スピンコーター、等を適宜使用す
ることができ、又、電着塗装することも可能である。
このようにして形成される電荷輸送層の膜厚は、lO乃
至50−が好ましく、更に好ましくは10乃至30−で
ある、膜厚が50−よりも大であると、電荷の輸送によ
り多くの時間を要するようになり、又、電荷が捕獲され
る確率も大となり感度低下の原因となる。一方、10.
mより小であると、機械的強度が低下し、感光体の寿命
が短いものとなり好ましくない0以上のごとくにして一
般式(1)で示される化合物を電荷輸送層に含む電子写
真感光体を作製することができるが、本発明では更に導
電性支持体と電荷発生層の間に必要に応じて、下引き層
、接着層、バリヤー層等を設けることもでき、これらの
層には例えばポリビニルブチラール、フェノール樹脂、
ポリアミド樹脂等の、絶縁性樹脂や導電性無機微粉末を
絶縁性樹脂に分散させたもの、あるいはポリピロールや
ポリチオフェンのような共役系高分子にイオンドープし
導電性高分子にしたもの等いずれも使用することができ
る。又、感光体表面に表面保護層を設けることもでき、
前記下引き層等と同様の材料を用いることができる。
至50−が好ましく、更に好ましくは10乃至30−で
ある、膜厚が50−よりも大であると、電荷の輸送によ
り多くの時間を要するようになり、又、電荷が捕獲され
る確率も大となり感度低下の原因となる。一方、10.
mより小であると、機械的強度が低下し、感光体の寿命
が短いものとなり好ましくない0以上のごとくにして一
般式(1)で示される化合物を電荷輸送層に含む電子写
真感光体を作製することができるが、本発明では更に導
電性支持体と電荷発生層の間に必要に応じて、下引き層
、接着層、バリヤー層等を設けることもでき、これらの
層には例えばポリビニルブチラール、フェノール樹脂、
ポリアミド樹脂等の、絶縁性樹脂や導電性無機微粉末を
絶縁性樹脂に分散させたもの、あるいはポリピロールや
ポリチオフェンのような共役系高分子にイオンドープし
導電性高分子にしたもの等いずれも使用することができ
る。又、感光体表面に表面保護層を設けることもでき、
前記下引き層等と同様の材料を用いることができる。
こうして得られた電子写真感光体の使用に際しては、ま
ず感光体表面をコロナ帯電器等により負に帯電せしめる
。帯電後、露光されることにより電荷発生層内で電荷が
発生し、正電荷が電荷輸送層内に注入され、これが電荷
輸送層中を通って表面にまで輸送され、表面の負電荷が
中和される。一方、露光されなかった部分には負電荷が
残ることになる。正規現像の場合、正トナーが用いられ
、この負電荷が残った部分にトナーが付着し現像される
ことになる。反転現像の場合は、負トナーが用いられ、
電荷が中和された部分にトナーが付着し、現像されるこ
とになる。本発明における電子写真感光体はいずれの現
像方法においても使用可能であり、高画質を与えること
ができる。
ず感光体表面をコロナ帯電器等により負に帯電せしめる
。帯電後、露光されることにより電荷発生層内で電荷が
発生し、正電荷が電荷輸送層内に注入され、これが電荷
輸送層中を通って表面にまで輸送され、表面の負電荷が
中和される。一方、露光されなかった部分には負電荷が
残ることになる。正規現像の場合、正トナーが用いられ
、この負電荷が残った部分にトナーが付着し現像される
ことになる。反転現像の場合は、負トナーが用いられ、
電荷が中和された部分にトナーが付着し、現像されるこ
とになる。本発明における電子写真感光体はいずれの現
像方法においても使用可能であり、高画質を与えること
ができる。
又、本発明においては、導電性支持体上にまず電荷輸送
層を設け、その上に電荷発生層を設けて電子写真感光体
を作製することもできる。
層を設け、その上に電荷発生層を設けて電子写真感光体
を作製することもできる。
この場合には、まず感光体表面を正に帯電せしめ、露光
後、発生した負電荷は感光体の表面電荷を中和し、正電
荷は電荷輸送層を通って導電性支持体に輸送されること
になる。
後、発生した負電荷は感光体の表面電荷を中和し、正電
荷は電荷輸送層を通って導電性支持体に輸送されること
になる。
又、本発明においては電荷発生材と電荷輸送材とを同一
層に含む単層型感光体とすることもでき、その場合には
電荷発生材と電荷輸送材とを結合剤とともに溶解、分散
せしめ支持体上に10乃至30−の膜厚で塗工せしめれ
ばよい。
層に含む単層型感光体とすることもでき、その場合には
電荷発生材と電荷輸送材とを結合剤とともに溶解、分散
せしめ支持体上に10乃至30−の膜厚で塗工せしめれ
ばよい。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例−1
撹拌装置、冷却管、窒素導入管、滴下漏斗を備え付けた
200d4ツロフラスコに、4.4’、4”−トリブロ
モトリフェニルアミン4.Og (8,3m5ol)を
入れ窒素置換を行った。そのものにジエチルエーテル1
00−を入れ溶解せしめた。該エーテル溶液にn−ブチ
ルリチウム16d (1,6Mヘキサン溶液、25.6
mmol)を室温でゆっくり滴下した。
200d4ツロフラスコに、4.4’、4”−トリブロ
モトリフェニルアミン4.Og (8,3m5ol)を
入れ窒素置換を行った。そのものにジエチルエーテル1
00−を入れ溶解せしめた。該エーテル溶液にn−ブチ
ルリチウム16d (1,6Mヘキサン溶液、25.6
mmol)を室温でゆっくり滴下した。
滴下終了後、室温で1時間撹拌し、次にこの反応混合物
に、トリエチルクロロシラン3.8g (24,9mm
ol)のジエチルエーテル溶液20−を還流条件下ゆっ
くり滴下した。滴下終了後、反応混合物を2時間還流撹
拌し熟成させた。その後、水冷下50@lの水を加えて
加水分解し、エーテル層を抽出し飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液で1回、水で2回洗浄し、次いで無水硫酸ナト
リウムで乾燥した。乾燥後、ジエチルエーテルを溜置し
、白色固体を得た。該白色固体をn−ヘキサンで再結晶
し目的物を4.2g得た(収率87%)。
に、トリエチルクロロシラン3.8g (24,9mm
ol)のジエチルエーテル溶液20−を還流条件下ゆっ
くり滴下した。滴下終了後、反応混合物を2時間還流撹
拌し熟成させた。その後、水冷下50@lの水を加えて
加水分解し、エーテル層を抽出し飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液で1回、水で2回洗浄し、次いで無水硫酸ナト
リウムで乾燥した。乾燥後、ジエチルエーテルを溜置し
、白色固体を得た。該白色固体をn−ヘキサンで再結晶
し目的物を4.2g得た(収率87%)。
融点? 154.0〜156.0℃
元素分析; CC3hHsrNSis)計算値(%)
C73,59
H9,71
N 2.39
Si 14.31
実施例−2
実測値(%)
73.10
9.87
2.25
14.78
撹拌装置、冷却管、窒素導入管、滴下漏斗を備え付けた
200d4ツロフラスコに、マグネシウム金属0.6g
(24,9+u+ol)を入れ窒素置換を行った。そ
のものにジエチルエーテル100−を入れ撹拌を開始し
た。そのものに4.4’、4”−トリブロモトリフェニ
ルアミン4.Og (8,3wmol)を溶解したジエ
チルエーテル溶液20−をゆっくり滴下した。約5−滴
下したところでゆるやかな還流が始まった。還流させな
がら、さらにジエチルエーテル溶液の滴下を続け、滴下
終了後さらに1時間還流を行った。以上のようにして得
られたグリニヤール溶液を室温にまで戻し、次にトリメ
チルクロロシラン2.7g (24,9auwol)の
ジエチルエーテル溶液20−を還流条件下ゆっくり滴下
した0滴下終了後、反応混合物を2時間還流撹拌し反応
を熟成した。その後、水冷下50s7の水を加えて加水
分解し、エーテル層を抽出し飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液で1回、水で2回洗浄し、次いで無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。乾燥後、ジエチルエーテルを溜置し、白
色固体を得たam白色固体をn−ヘキサンで再結晶し目
的物を2.8g得た(収率74%)。
200d4ツロフラスコに、マグネシウム金属0.6g
(24,9+u+ol)を入れ窒素置換を行った。そ
のものにジエチルエーテル100−を入れ撹拌を開始し
た。そのものに4.4’、4”−トリブロモトリフェニ
ルアミン4.Og (8,3wmol)を溶解したジエ
チルエーテル溶液20−をゆっくり滴下した。約5−滴
下したところでゆるやかな還流が始まった。還流させな
がら、さらにジエチルエーテル溶液の滴下を続け、滴下
終了後さらに1時間還流を行った。以上のようにして得
られたグリニヤール溶液を室温にまで戻し、次にトリメ
チルクロロシラン2.7g (24,9auwol)の
ジエチルエーテル溶液20−を還流条件下ゆっくり滴下
した0滴下終了後、反応混合物を2時間還流撹拌し反応
を熟成した。その後、水冷下50s7の水を加えて加水
分解し、エーテル層を抽出し飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液で1回、水で2回洗浄し、次いで無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。乾燥後、ジエチルエーテルを溜置し、白
色固体を得たam白色固体をn−ヘキサンで再結晶し目
的物を2.8g得た(収率74%)。
融点; 156.0〜159.0 ”C元素分析: (
CztHzJSis) 計算値(%) 実測値(%) C70,2870,19 H8,468,52 N 3.04 3.14Si
18.22 18.15実施例−3〜21 例示化合物(6)、 (7)、 (9)、 (11)、
(12)、 (14)。
CztHzJSis) 計算値(%) 実測値(%) C70,2870,19 H8,468,52 N 3.04 3.14Si
18.22 18.15実施例−3〜21 例示化合物(6)、 (7)、 (9)、 (11)、
(12)、 (14)。
(17)、 (18)、 (21)、 (23)につい
ては実施例−lと同様に、例示化合物(8)、 (10
)、 (13)、 (15)。
ては実施例−lと同様に、例示化合物(8)、 (10
)、 (13)、 (15)。
(16)、 (19)、 (20)、 (22)、 (
24)については実施例−2と同様の方法で、それぞれ
対応するクロルシランを用いて合成した。固定のものは
融点測定及び元素分析を行った。液体のものは蒸留もし
くはカラム精製を行い、更に元素分析を行った。
24)については実施例−2と同様の方法で、それぞれ
対応するクロルシランを用いて合成した。固定のものは
融点測定及び元素分析を行った。液体のものは蒸留もし
くはカラム精製を行い、更に元素分析を行った。
結果を表−1に示す。
表
表−1の続き
実施例−22
x 型=金属フタロシアニン4.1g、ポリビニルブチ
ラール(エスレックBM−2、積木化学■製)4.1g
、シクロヘキサノン200g、ガラスピーズ(1φ)
650gをサンドミルに入れ、4時間溶解、分散を行い
、電荷発生層用塗料を作製した。該塗料を用い、表面鏡
面仕上げしたアルミニウムシリンダー(30φ)に乾燥
後の膜厚が0.15−になるように浸漬塗工し、乾燥し
た。
ラール(エスレックBM−2、積木化学■製)4.1g
、シクロヘキサノン200g、ガラスピーズ(1φ)
650gをサンドミルに入れ、4時間溶解、分散を行い
、電荷発生層用塗料を作製した。該塗料を用い、表面鏡
面仕上げしたアルミニウムシリンダー(30φ)に乾燥
後の膜厚が0.15−になるように浸漬塗工し、乾燥し
た。
次に、式(4)で示されるシリル化トリアリ−ルアξン
化合物80g1式(25)で示される繰り返し単位を有
するポリカーボネートZ樹脂(数平均分子量;5万)
sog 、ジオキサン450gに溶解し、電荷輸送層用
塗料を作製した。該塗料を用いて、先に電荷発生層を塗
工したアルミニウムシリンダーに乾燥後の膜厚が251
aになるように浸漬塗工し、乾燥した。
化合物80g1式(25)で示される繰り返し単位を有
するポリカーボネートZ樹脂(数平均分子量;5万)
sog 、ジオキサン450gに溶解し、電荷輸送層用
塗料を作製した。該塗料を用いて、先に電荷発生層を塗
工したアルミニウムシリンダーに乾燥後の膜厚が251
aになるように浸漬塗工し、乾燥した。
このようにして作製したドラム状電子写真感光体を用い
ドラムゼログラフィー試験機にて電子写真特性を評価し
た。−5,5kVのコロナ電圧で帯電させたところ、初
期表面電位V0は一880Vであった。暗所にて2秒放
置後の表面電位v2は一870Vとなった。次いで発信
波長790n*の半導体レーザーを照射し、半減露光量
Lzzを求めたところ0.34ω/C−であり残留電位
V、は−12,3Vであった。
ドラムゼログラフィー試験機にて電子写真特性を評価し
た。−5,5kVのコロナ電圧で帯電させたところ、初
期表面電位V0は一880Vであった。暗所にて2秒放
置後の表面電位v2は一870Vとなった。次いで発信
波長790n*の半導体レーザーを照射し、半減露光量
Lzzを求めたところ0.34ω/C−であり残留電位
V、は−12,3Vであった。
次に5万回上記操作を繰り返した後、vo、v2、Lz
z、v、lを測定したところ、それぞれ−860V。
z、v、lを測定したところ、それぞれ−860V。
830v、0.34IIJ/ cm” 、 −21,
OV T:あり、感光体の性能は殆ど衰えていなかった
。
OV T:あり、感光体の性能は殆ど衰えていなかった
。
次に上記と同し方法で作製した電子写真感光体をブレー
ドクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザービ
ームプリンターに装着しプリントテストを行った。
ドクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザービ
ームプリンターに装着しプリントテストを行った。
その結果、5万枚プリント後も膜厚の減少は殆ど見られ
ず、画像に影響を及ぼす傷も見当たらなかった。又、画
像も高画像濃度を維持し劣化は見られなかった。
ず、画像に影響を及ぼす傷も見当たらなかった。又、画
像も高画像濃度を維持し劣化は見られなかった。
このように本発明による電子写真感光体は感度、耐久性
の点で非常に優れていることがゎかった。
の点で非常に優れていることがゎかった。
実施例−23〜26
実施例−1において電荷輸送材として式(4)で示され
るシリル化トリアリールアミン化合物のかわりに表−2
に示した化合物を用いる以外は同様にして感光体を作製
し、性能評価を行った。その結果を表−2に未した。
るシリル化トリアリールアミン化合物のかわりに表−2
に示した化合物を用いる以外は同様にして感光体を作製
し、性能評価を行った。その結果を表−2に未した。
これかられかるように、いずれも初期、5万回繰り返し
後も感光体特性は優れたものであった。
後も感光体特性は優れたものであった。
またプリンター内装着での5万回プリント試験後でも膜
厚の減少は、いずれの感光体においても見ることができ
ず高画像濃度を維持していた。
厚の減少は、いずれの感光体においても見ることができ
ず高画像濃度を維持していた。
表
回繰り返し後も感光体特性は優れたものであった。
また、プリンター内装着での5万回プリント試験後でも
膜Nの減少は、いずれの感光体においても見ることがで
きず高画像濃度を維持していた。
膜Nの減少は、いずれの感光体においても見ることがで
きず高画像濃度を維持していた。
表 3
実施例−27〜30
実施例−22において式(25)で示される繰り返し単
位を有するポリカーボネートZ樹脂のかわりに表−3に
示したポリカーボネートZ樹脂を用いる以外は同様にし
て感光体を作製し、性能評価を行った。その結果を表3
に示した。
位を有するポリカーボネートZ樹脂のかわりに表−3に
示したポリカーボネートZ樹脂を用いる以外は同様にし
て感光体を作製し、性能評価を行った。その結果を表3
に示した。
これかられかるように、いずれも初期、5万実施例−3
1 ポリアミド樹脂(ア稟ラン C?l −8000、東し
製) 10gをメタノール/n−ブタノール(2/1
) 200gに溶解し下引き要用塗料を作製した。
1 ポリアミド樹脂(ア稟ラン C?l −8000、東し
製) 10gをメタノール/n−ブタノール(2/1
) 200gに溶解し下引き要用塗料を作製した。
該塗料を用い、表面鏡面仕上げしたアルミニウムシリン
ダー(30φ)に乾燥後の膜厚が0.10μになるよう
に浸漬塗工し、乾燥した。
ダー(30φ)に乾燥後の膜厚が0.10μになるよう
に浸漬塗工し、乾燥した。
次にX型無金属フタロシアニン20g 、式(4)で示
されるシリル化トリフェニルアミン化合物80g 、式
(25)で示される繰り返し単位を有するポリカーボネ
ートz樹脂(数平均分子量;5万)80g 、ジオキサ
ン450g、ガラスピーズ(1φ)650gをサンドミ
ルに入れ、4時間溶解、分散を行い単層用塗料を作製し
た。先に下引き層を塗工したアルミニウムシリンダーに
乾燥後の膜厚が25−になるように浸漬塗工し、乾燥し
た。
されるシリル化トリフェニルアミン化合物80g 、式
(25)で示される繰り返し単位を有するポリカーボネ
ートz樹脂(数平均分子量;5万)80g 、ジオキサ
ン450g、ガラスピーズ(1φ)650gをサンドミ
ルに入れ、4時間溶解、分散を行い単層用塗料を作製し
た。先に下引き層を塗工したアルミニウムシリンダーに
乾燥後の膜厚が25−になるように浸漬塗工し、乾燥し
た。
このようにして作製したドラム状電子写真感光体を用い
ドラムゼログラフィー試験機にて電子写真特性を評価し
た。−5,5kVのコロナ電圧で帯電させたところ、初
期表面電位v0は一840Vであった。暗所にて2秒放
置後の表面電位v2は一820νとなった。次いで発信
波長790ns+の半導体レーザーを照射し、半減露光
量E、72を求めたところQ、53pJ/C−であり残
留電位vmは−24,6Vであった。
ドラムゼログラフィー試験機にて電子写真特性を評価し
た。−5,5kVのコロナ電圧で帯電させたところ、初
期表面電位v0は一840Vであった。暗所にて2秒放
置後の表面電位v2は一820νとなった。次いで発信
波長790ns+の半導体レーザーを照射し、半減露光
量E、72を求めたところQ、53pJ/C−であり残
留電位vmは−24,6Vであった。
次に、5万回上記操作を繰り返した後、vo、VZs
L12、VRを測定したところ、それぞれ−830V
、 −810V、 0.54μJ/cm” −30,
2Vであり、感光体の性能は殆ど衰えていなかった。
L12、VRを測定したところ、それぞれ−830V
、 −810V、 0.54μJ/cm” −30,
2Vであり、感光体の性能は殆ど衰えていなかった。
次に上記と同じ方法で作製した電子写真感光体をブレー
ドクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザービ
ームプリンターに装着しプリントテストを行った。
ドクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザービ
ームプリンターに装着しプリントテストを行った。
その結果、5万枚プリント後も膜厚の減少は殆ど見られ
ず、画像に影響を及ぼす傷も見当たらなかった。
ず、画像に影響を及ぼす傷も見当たらなかった。
このようにして本発明による電子写真感光体は感度、耐
久性の点で非常に優れていることがわかった。
久性の点で非常に優れていることがわかった。
実施例−32
ジブロモアントアントロン5g1ブチラール樹脂(エス
レックBM−2、種水化学■製)5gをシロクヘキサノ
ン90@1に溶解し、ボールミル中で24時間混練した
。得られた分散液をアルξ板上にバーコーターにて乾燥
後の膜厚が0.151mになるように塗布し、乾燥させ
、電荷発生層を形成した。
レックBM−2、種水化学■製)5gをシロクヘキサノ
ン90@1に溶解し、ボールミル中で24時間混練した
。得られた分散液をアルξ板上にバーコーターにて乾燥
後の膜厚が0.151mになるように塗布し、乾燥させ
、電荷発生層を形成した。
次に式(5)で示されるシリル化トリフェニルアミン化
合物5g、ポリカーボネート樹脂(レキサン131−1
11、エンジニアリングプラスチックス■製)5gをジ
オキサン90−に溶解し、これをさきに形成した電荷発
生層上にブレードコーターにて乾燥後の膜厚が25−に
なるように塗布して乾燥させ電荷輸送層を形成した。
合物5g、ポリカーボネート樹脂(レキサン131−1
11、エンジニアリングプラスチックス■製)5gをジ
オキサン90−に溶解し、これをさきに形成した電荷発
生層上にブレードコーターにて乾燥後の膜厚が25−に
なるように塗布して乾燥させ電荷輸送層を形成した。
このようにして作製した電子写真感光体を■川口電気製
作新製、静電複写紙試験装置EPA8100を用いて、
−5,5kVのコロナ電圧で帯電させたところ初期表面
電位v0は一810Vであった。
作新製、静電複写紙試験装置EPA8100を用いて、
−5,5kVのコロナ電圧で帯電させたところ初期表面
電位v0は一810Vであった。
暗所にて2秒放置後の表面電位v2は一790Vとなっ
た0次いで照度5 luxのハロゲンランプを照射し
、半減露光量E、/2を求めたところ、1.2 lux
・5ec)であり、残留電位vlは−11,5Vであっ
た。
た0次いで照度5 luxのハロゲンランプを照射し
、半減露光量E、/2を求めたところ、1.2 lux
・5ec)であり、残留電位vlは−11,5Vであっ
た。
次に、5000回上記操作を繰り返した後、vo、v2
、El/□、Vtを測定したところそれぞれ一780V
、−770V、1.21ux−sec、−13,7V
であり、感光体としての性能は殆ど衰えておらず、高い
耐久性を示すことがわかった。
、El/□、Vtを測定したところそれぞれ一780V
、−770V、1.21ux−sec、−13,7V
であり、感光体としての性能は殆ど衰えておらず、高い
耐久性を示すことがわかった。
実施例−33〜37
電荷輸送材として、それぞれ表−4に示した化合物を用
いる以外は実施例−32と同様にして感光体を作製し、
性能評価を行った。その結果を表−4に示した。
いる以外は実施例−32と同様にして感光体を作製し、
性能評価を行った。その結果を表−4に示した。
表
4
した、性能評価は、光源として照度5 luxのハロ
ゲンランプの代わりに発振波長790n−の半導体レー
ザーを用いて実施例−32と同様に行った。
ゲンランプの代わりに発振波長790n−の半導体レー
ザーを用いて実施例−32と同様に行った。
結果を表−5に示す。
表 5
実施例38〜41
電荷発生材としてジブロモアントアントロンの代わりに
X型無金属フタロシアニンを用い、電荷輸送材として表
−5に示す化合物を用いる以外は、実施例−32と同様
にして感光体を作製比較例=1 実施例−22において電荷輸送剤として式(4)で示さ
れるシリル化トリアリールアミン化合物のかわりに4.
4’、4“−トリメチルトリフェニルアミンを用いる以
外は同様にして感光体を作製し、性能評価を行った。
X型無金属フタロシアニンを用い、電荷輸送材として表
−5に示す化合物を用いる以外は、実施例−32と同様
にして感光体を作製比較例=1 実施例−22において電荷輸送剤として式(4)で示さ
れるシリル化トリアリールアミン化合物のかわりに4.
4’、4“−トリメチルトリフェニルアミンを用いる以
外は同様にして感光体を作製し、性能評価を行った。
ドラム状電子写真感光体を用いドラムゼログラフィー試
験機にて電子写真特性を評価した。
験機にて電子写真特性を評価した。
5.5kVのコロナ電圧で帯電させたところ、初期表面
電位v0は一880Vであった。暗所にて2秒放置後の
表面電位v2は一870vとなった。次いで発信波長7
90n*の半導体レーザーを照射し、半減露光量E1/
2を求めたところ0.89.J/cm”であり残留電位
vlIは−42,6Vであった。
電位v0は一880Vであった。暗所にて2秒放置後の
表面電位v2は一870vとなった。次いで発信波長7
90n*の半導体レーザーを照射し、半減露光量E1/
2を求めたところ0.89.J/cm”であり残留電位
vlIは−42,6Vであった。
次に、5万回上記操作を繰り返した後、vo、V’s
EI/l、vlIを測定したとコロ、それぞれ−860
V 、−820V、0.944 / c+w” 6
3. IVであり、感光体の性能は実施例−22と比較
して劣っていた。
EI/l、vlIを測定したとコロ、それぞれ−860
V 、−820V、0.944 / c+w” 6
3. IVであり、感光体の性能は実施例−22と比較
して劣っていた。
次に上記と同じ方法で作製した電子写真感光体をブレー
ドクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザービ
ームプリンターに装着しプリントテストを行った。
ドクリーニング方式で反転現像方式の市販のレーザービ
ームプリンターに装着しプリントテストを行った。
その結果、5万枚プリント後も膜厚の減少は殆ど見られ
ず、画像に影響を及ぼす傷も見当たらず、耐摩耗性は優
れたものであったが、感度が良くないため画像濃度は薄
いものであった。
ず、画像に影響を及ぼす傷も見当たらず、耐摩耗性は優
れたものであったが、感度が良くないため画像濃度は薄
いものであった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式(1)で示される新規シリル化トリアリール
アミン化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中、Ar_1、Ar_2、Ar_3は同一もしくは
相異なって、アリーレン基を示し、R_1、R_2、R
_3は同一もしくは相異なって、置換されていてもよい
アルキル基、アラルキル基、又はアリール基を示す。) 2 一般式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼(2) (式中、Ar_1、Ar_2、Ar_3は式(1)と同
じ。X_1、X_2、X_3はハロゲン原子を示す) で示されるトリハロゲン化トリアリールアミン化合物と
有機リチウム試薬とを反応せしめてリチオ化し、次に一
般式R_1R_2R_3SiX_4(R_1、R_2、
R_3は式(1)と同じ。X_4はハロゲン原子、メト
キシ基又はエトキシ基を示す。)で示されるシラン化合
物とを反応せしめることを特徴とする請求項1記載の新
規シリル化トリアリールアミン化合物の製造法。 3 一般式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼(2) (式中、Ar_1、Ar_2、Ar_3は式(1)と同
じ。X_1、X_2、X_3はハロゲン原子を示す) で示されるトリハロゲン化トリアリールアミン化合物と
マグネシウム金属とを反応せしめグリニャール化し、次
に一般式R_1R_2R_3SiX_4(R_1、R_
2、R_3は式(1)と同じ。X_4は、ハロゲン原子
、メトキシ基又はエトキシ基を示す。)で示されるシラ
ン化合物とを反応せしめることを特徴とする請求項1記
載の新規シリル化トリアリールアミン化合物の製造法。 4 導電性支持体とその上に形成された感光層とを必須
の構成要素とする電子写真感光体に於いて、請求項1記
載の新規シリル化トリアリールアミン化合物を感光層中
に含むことを特徴とする電子写真感光体。 5 導電性支持体とその上に形成された感光層とを必須
の構成要素とする電子写真感光体に於いて、請求項1記
載の新規シリル化トリアリールアミン化合物、及び一般
式(3) ▲数式、化学式、表等があります▼(3) (式中、R_4、R_5、R_6、R_7、R_8、R
_9、R_1_0、R_1_1は同一もしくは相異なっ
て、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を示す。) で示される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂
を感光層中に含むことを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2065725A JPH03271296A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 新規シリル化トリアリールアミン化合物、その製造法、及びそれを含む電子写真感光体 |
US07/666,204 US5187310A (en) | 1990-03-14 | 1991-03-07 | Organic silicon compound, method of its production, and photoreceptor for electrophotography incorporating it |
EP91103838A EP0446895B1 (en) | 1990-03-14 | 1991-03-13 | Novel organic silicon compound, method of its production, and photoreceptor for electrophotography incorporating it |
DE69111645T DE69111645D1 (de) | 1990-03-14 | 1991-03-13 | Neue Organosiliziumverbindungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und diese enthaltender Photorezeptor für die Elektrophotographie. |
US07/969,438 US5352554A (en) | 1990-03-14 | 1992-10-30 | Organic silicon compound, method of its production, and photoreceptor for electrophotography incorporating it |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2065725A JPH03271296A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 新規シリル化トリアリールアミン化合物、その製造法、及びそれを含む電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03271296A true JPH03271296A (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=13295284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2065725A Pending JPH03271296A (ja) | 1990-03-14 | 1990-03-16 | 新規シリル化トリアリールアミン化合物、その製造法、及びそれを含む電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03271296A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007058035A1 (ja) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2007234997A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Canon Inc | 有機発光素子 |
US7365198B2 (en) | 2006-03-02 | 2008-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Silyl compound, light emitting material, and organic light emitting device using the same |
US7929209B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element and method of manufacturing optical element with each of first and second layers having a repetition structure |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP2065725A patent/JPH03271296A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007058035A1 (ja) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2007137837A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7705183B2 (en) | 2005-11-21 | 2010-04-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device employing the same |
US7929209B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical element and method of manufacturing optical element with each of first and second layers having a repetition structure |
JP2007234997A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Canon Inc | 有機発光素子 |
US7365198B2 (en) | 2006-03-02 | 2008-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Silyl compound, light emitting material, and organic light emitting device using the same |
US7740958B2 (en) | 2006-03-02 | 2010-06-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4365960B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 | |
EP0446895B1 (en) | Novel organic silicon compound, method of its production, and photoreceptor for electrophotography incorporating it | |
JPH01134457A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH01134456A (ja) | 電子写真感光体 | |
JP2000147814A5 (ja) | ||
JPH01134462A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH05224439A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JP4164175B2 (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置、並びに、電子写真感光体の製造方法 | |
JPH05107784A (ja) | 電子写真感光体 | |
JP2001166516A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 | |
US5290963A (en) | Organic silicon compound, method of its production, and photoreceptor for electrophotography incorporating it | |
JPH0580550A (ja) | 電子写真感光体 | |
JP2001166517A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 | |
JPH03271296A (ja) | 新規シリル化トリアリールアミン化合物、その製造法、及びそれを含む電子写真感光体 | |
JPH0421688A (ja) | 新規有機ケイ素化合物、その製造方法及びそれを用いた電子写真感光体 | |
JPH02282262A (ja) | 電子写真感光体 | |
US6653034B2 (en) | Stilbeneamine derivative and electrophotosensitive material using the same | |
JPH03264592A (ja) | 新規シリル化トリアリールアミン化合物、その製造方法、及びそれを含む電子写真感光体 | |
JPH0315853A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH03264593A (ja) | 新規シリル化トリアリールアミン化合物とその製造法、並びにそれを含む電子写真感光体 | |
JPH03290665A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH02285356A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH05224442A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH02285358A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH0284657A (ja) | 電子写真感光体 |