JPS63257762A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は電子写真用感光体に関し、光センサー等の光電
変換素子用材料にも応用できるものである。

［従来技術］ 従来電子写真方式において使用される感光体の光伝導性
素材として用いられているものにセレン、硫化カドミウ
ム、酸化亜鉛などの無機物質がある。ここにいう「電子
写真方式」とは一般に光導電性の感光体をまず暗所で、
例えばコロナ放電によって帯電させ、次いで像露光し、
露光部のみの電荷を選択的に逸散せしめて静電潜像を得
、この潜像部を染料、顔料などの着色材と高分子物質な
どの結合剤とから構成される検電微粒子（トナー）で現
像し可視化して画像を形成する様にした画像形成法の一
つである。

この様な電子写真法において感光体に要求される基本的
な特性としては （１）暗所で適当な電位に帯電できること。

（２）暗所において電荷の逸散が少いこと。

（３）光照射によって速やかに電荷を逸散せしめうろこ
と。

などが挙げられる。

ところ、で前記の無機物質はそれぞれが多くの長所をも
っていると同時にさまざまな欠点をも有しているのが事
実である。例えば現在広く用いられているセレン系（Ｓ
ｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ、Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ等）の
感光体は前記（１）〜（３）の条件は十分に満足するが
製造する条件がむずかしく、均一な感光層を得ることに
多大な努力を要するため、製造コストが高い。またその
物性上可撓性がなくベルト状に加工することがむずかし
い。

熱や機械的の衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要するな
どの欠点もある。硫化カドミウムや酸化亜鉛はそれらの
微粒子を結合剤としての樹脂に分散させて感光体として
用いられているが、平滑性、硬度、引張り強度、耐摩擦
性などの機械的な欠点があるためにそのままでは反復し
て使用することができない。

近年これら無機物質の欠点を改善するためにいろいろな
有機物質を用いた電子写真感光体が提案され実用に供さ
れているものもある。

例えばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールと２．４．７−ド
リニトロフルオレンー９−オンとからなる感光体（Ｕ　
Ｓ　Ｐ　３４８４７３７号明細書に記載）、ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾールをピリリウム塩系色素で増感した感
光体（ＪＰ４８−２５６５８号公報に記載）、有機顔料
を主成分とする感光体（Ｊ　ＯＰ　４７−３７５４３号
公報記載）、染料と樹脂とからなる共晶錯体を主成分と
する感光体（Ｊ　ＯＰ　４７−１０７３５号公報に記載
）などである。これらの感光体は優れた特性を有してお
り実用的にも価値が高いと思われるものであるが、電子
写真法において感光体に対するいろいろな要求を考慮す
ると、まだこれらの要求を十分に満足するものが得られ
ていないのが実状である。例えば現在量も一般的に実用
化されている導電性支持体上に電荷発生層（ＣＧＬ）、
電荷移動層 （ＣＴＬ）の順に積層した構成の感光体（第２図参照）
など、はとんどの有機電子写真感光体はマイナスのコロ
ナチャージによって負に帯電されて使用されている。マ
イナスのコロナチャージを行うと、プラスの場合と比較
して非常に多くのオゾンが発生し、このオゾンにより有
機感光体自身が劣化を受けてしまい、長期の安定性、信
頼性という点で問題が生じているし環境衛生の上からも
好ましくない。また正帯電の場合と比較して負帯電の制
御（チャージャ一方向に均一な帯電を行うこと）はむず
かしく、スコロトロン方式など正帯電よりもコストのか
かる方法をとらなければならないという欠点がある。ざ
らに前記第２図の構成における光減衰は電荷移動層を透
過した光が電荷発生層に到達し、その領域で電荷担体の
発生が起こりその電荷担体が電荷移動層へ注入され移動
するという機構により行われるので電荷移動層が高い電
荷移動能を持っていたとしても電荷発生層による電荷担
体の発生のために有効に用いられる光を吸収してしまう
と全体としては光減衰能力の高い感光体が１９られなく
なるので、各層の物質の選択余裕度が大きくないという
問題もある。

従来から感光体表面の機械的強度を向上させるために感
光層上に樹脂保護層を設ける工夫が数多く提案されてい
る。

例えば特開昭５７−３０８４３号では保護層樹脂中に金
属粉や金属酸化物等の固有抵抗低下剤で低抵抗化する事
によって残留電位の上昇を防ぐと共に、この低抵抗保護
層を高絶縁性樹脂、有機金属化合物等で帯電能力の向上
及び接着性向上の機能を付与した中間層を介して感光層
上に設ける試みをおこなって良い結果を得ている。ただ
し、これらの保護層は耐有機溶剤性を有する無機系の感
光層上には比較的容易に形成することができるが、有機
系電子写真感光体や光導電性微粒子を結合樹脂に分散さ
せた感光体など本来機械的強度が弱く保護層の必要な感
光層の上に形成する際には保護層塗工の際に用いる溶媒
等で感光層自体の樹脂等が溶解や変質を受けてしまうと
いった問題点があり、これらの感光体上に良好な保護層
を得られていないのが現状である。

［目　　的］ 本発明は上記従来技術の問題を解消し、゛正帯電で使用
することができ、光減衰能（光感度）が高く、かつ、耐
久性に優れた製造原価も高くない電子写真感光体を提供
することを目的と′している。

［構　成］ 上記目的を達成するための本発明の構成は、特許請求の
範囲に記載のとおりの電子写真感光体である。

以下に本発明を添付の図面を参照しながらさらに詳細に
説明する。第１図は本発明に係かる感光体の断面図を示
しており、そこに付された番号で１は導電性支持体、２
は電荷移動層（ＣＴＬ）、３は電荷発生層（ＣＧＬ）を
表わしている。

本発明における感光体は導電性支持体１上に特許請求の
範囲に記載の何れかの一般式で表わされる有機化合物を
含有する電荷移動層２とＡｓ−３ｅ系合金より成る電荷
発生層３との積層から成る感光層が設けられたものであ
る。この感光体では光が電荷発生層３に照射されるとそ
の領域で電荷担体の発生が起こり、一方電荷移動層２は
その電荷担体の注入を受け、その移動を行うもので光減
衰に必要な電荷担体の発生は電荷発生層（Ａｓ−３ｅ合
金層）　３で行われ、電荷担体の移動は電荷移動層２（
主として一般式で示される有機化合物が働く〉で行われ
る。

したがって第２図の構成の従来の有機電子写真感光体と
比較すると電荷発生層が上層に来ているために正帯電で
使用することができ、かつ光が電荷移動層を透過しない
で直接電荷発生層に照射されるので高効率で電荷担体が
発生されるようになる。また同時にこの構成であるため
に電荷移動層に透光性が必要という制約条件が無くなり
、電荷移動材料及び結合剤の選択余裕度が非常に拡大す
る。更に電荷発生層をＡｓ−３ｅ合金にしたことで有機
材料に比較して機械的強度に優れカールソンプロセスに
よる繰り返し使用に対し充分耐えられる様になる。（有
機材料による電荷発生層を最上層に形成した構成の感光
体では正帯電で機能する感光体とはなるが、機械的な強
度に欠けている為実際のカールソンプロセスでは使用に
耐えられない。） 第２−ａ図および第２−ｂ図は保護層を有する感光体の
断面図を示しており、そこに付された番号で１は導電性
支持体２は電荷移動層、３は電荷発生層、４は中間層、
５は保護層を表わしている。

この感光体も導電性支持体１上に一般式で表わされる化
合物を含有する電荷移動層２．３ｅ−Ａｓ系合金より成
る電荷発生層３、更にその上に保護層５あるいは中間層
４、保護層５の積層から成る感光層が設けられたもので
ある。

実際に本発明感光体を作製するには導電性支持体１上に
１種又は２種以上の一般式の有機化合物と結合剤とを溶
解した溶液を塗布し乾燥して電荷移動層２を形成し、こ
の上に電荷発生層材料であるＡｓ−３ｅ合金を真空蒸着
等の方法により製膜し電、荷発生層３とすれば良い。

電荷発生層３の厚さは５００五〜１０μｍ、好ましくは
２０００Ａ〜２μｍであり、電荷移動層２の厚さは３〜
１００μｍ好ましくは５〜５０μｍが適当である。また
電荷移動層２に占めるα−フェニルスチルベン系化合物
等の電荷輸送物質の量は１０〜９５重量％、好ましくは
３０〜９０重量％である。

電荷発生層として用いるＡｓ−３ｅ合金のＡｓ含有量は
０．５〜５０ｗｔ％でおり、好ましくは２０〜４０ｗｔ
％である。またハロゲン（ＩｏｒＣＩ等）も必要に応じ
含有していてもかまわない。ハロゲンの存在但は１０〜
１ｏｏｏｏｐｐｍが適当である。

３　ｅ　−Ａ　Ｓ系合金単層から成る無機系電子写真感
光体（膜厚５０〜６０μｍ）と比較して、本発明の電子
写真感光体では電荷発生層として非常に薄い膜厚しか必
要としないため、原材料の使用量が少くてすみコストの
点から有利となる。

なお本感光体の製造においては導電性支持体１として、
アルミニウムなｉの金属板やシリンダー又は金属箔、ア
ルミニウムなどの金属を蒸着してプラスチックフィルム
やプラスチックシリンダー、あるいは導電処理を施した
紙などが用いられる。

また上記電荷移動層の結合剤としてはポリアミド、ポリ
ウレタン、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、
ポリカーボネートなどの縮合樹脂ヤポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール アクリルアミドの様なビニル重合体などが用いられるが
、絶縁性でかつ接着性のある樹脂はすべて使用できる。

必要により可塑剤が結合剤に加えられるが、そうした可
塑剤としてはハロゲン化パラフィン、ポリ塩化ビフェニ
ル、ジメチルナフタリン、ジブチルフタレートなどが例
示できる。

更に中間層、保護層の積層に際しその材料及び製膜法に
ついては従来の公知の技術を利用することができる。

例えば中間層は保護層と感光層との接着性を高めると共
に帯電電荷を保護層と感光層との界面に止めて保護層か
らの電荷注入による帯電電位の低下を防止するための層
であるが、この様な機能を有する中間層の材料としては
例えばエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリ
酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂、シリコン
樹脂、フッ素樹脂等の各種有機高分子化合物；トリメチ
ルモノメトキシシラン、γーグリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、γーメタアクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン等のシランカップリング剤；チタンテトラ
ブトキサイド、アルミニウムトリプロポキサイド、ジル
コニウムテトラブトキサイド等の金属アルコキサイド：
チタンアセチルアセトネート、ジルニウムアセチルアセ
トネート等の金属アセチルアセトン錯体より形成される
高分子化合物を用いることができる。この中間層の厚さ
は通常１０μｍ以下、好ましくは１μｍ以下である。

保護層としては結着剤としての有機高分子化合物に有機
化合物又は無機化合物などの導電制御剤を添加したもの
が用いられる。導電制御剤の具体例としては有機化合物
としてはメタロセン化合物など、無機物質としてはＡｕ
，ＡＱ，Ｎｉ，ＡＩ等の金属粉末、酸化亜鉛、酸化チタ
ン、酸化スズ、酸化インジウム、酸化アンチモン含有酸
化スズ、酸化スズ含有酸化インジウムなどの金属酸化物
粉末が挙げられる。

これらの粉末の粒径は０．０５〜０．３μｍが好ましく
、またその使用量は結着樹脂１００重量部に対し２０〜
８０重量部が好ましい。一方これらの導電制御剤と併用
される結着樹脂としてはシリコン樹脂、ポリウレタン樹
脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、スチレン樹脂、エポキシ樹脂等の通常の市販の
樹脂が例示できる。この保護層の厚さは通常０．１〜１
０μｍ１好ましくは２〜７μｍである。この厚さが０．
１μｍ以下では保護層の機械的強度が弱く、かつ耐摩耗
性が小さく、長期の使用に対して保護膜としての効果が
なくなり、１０μｍ以上では保護層中に電荷が蓄積され
、くり返し使用時に残留電位が増大する。

更に以上の様にして得られる感光体には導電性支持体と
感光層との間に、必要に応じて接着層又はバリア層を設
けることができる。

これらの層に用いられる材料としてはポリアミド、ニト
ロセルロース、酸化アルミニウムなどであり、また膜厚
は１μｍ以下が好ましい。

本発明の感光体では正帯電での使用可能という点からＣ
ＧＬを最上層に設けたが、支持体（接着層・バリア層）
、ＣＧＬ．ＣＴＬの順に構成した場合には負帯電用の感
光体として機能することは言うまでもない。

以下、特許請求の範囲に記載の一般式で示される具体的
化合物（電荷移動層に含まれる）を例示する。

一般式■：α−フェニルスチルベン系化合物（一般式■
中の記号、ｎ、Ｒ２およびＡのみを第１表に示す。） 第１表 一般式■：ピラゾリン系化合物 （一般式■中の記号ｎ、Ｒｓ、ＲｅおよびＲ７のみを第
２表に示す。） 第２表 一般式■：フェニルじドラシン系化合物（一般式■に属
する化合物を第１〜１３　Ｊｉｍに分類し、各群毎にそ
の一般式中の置換基のみを下記第３表の１ないし、第３
表の１３に示す。） 第３表の１ Ｈ３ 第３表の２ 第３表の３ −第３表の４ 第３表の５ 第３表の６ 第３表の７ 第３表の８ 第３表の９ 第３表の１０ 第３表の１１ 第３表の１２ 第３表の１３ 一般式１ｖ：アントラセン誘導体 （一般式ＩＶ中の記号りのみを第４表に示す。）第４表 一般式Ｖニジフェニルメタン系化合物（一般式Ｖ中の記
号Ｒ＋ｏ、Ｒ＋＋のみを第５表に示す。〉第５表 以下、実施例によって本発明の感光体を具体的に説明す
る。なお、実施例に記載された各成分の母（部）はすべ
て重量部である。

実施例１ 電荷移動層形成液の組成 第１表Ｎ　０．５８の化合物　　　　　　２部ポリカー
ボネート（創脂［パンライト Ｃ−１４００、■帝人］　　２部 テトラヒドロフラン　　　　　　　１６部上記成分を混
合溶解し、更に全重量の１０万分の１のシリコーンオイ
ル［ＫＦ５０、信越化学！＋勾製］を加えた溶液にアル
ミニウム合金製シリンダー状支持体（外径８０ｕφ、長
さ３４０ｍｍ）　１を浸漬塗布し、８０’Ｃで２分間、
ついで１０５°Ｃで５分間乾燥して厚さ約２０μｍの電
荷移動層２を形成した。

こうして電荷移動層２が形成された支持体を第４図に示
す真空蒸着装置のマンドレル７にセットした。

第４図の真空蒸着装置は、支持体加熱用ヒーター８を備
えた、回転可能なマンドレル７とＣＧＬ材料（Ｓｅ−Ａ
ｓ合金）が入った蒸発源９を真空槽１１内に収容した装
置であって、マンドレル７は真空槽外に備えた支持体回
転用モーター１３によって回転され、蒸発源９は外部の
蒸発源用電源１２によって加熱される。真空漕１１内は
真空ポンプ１５によって排気され、真空計１４が備えら
れている。

上記真空槽内を１０’　Ｔｏｒｒ以下に排気し、支持体
温度８０℃に加熱保持した状態で蒸発源９を加熱し、Ａ
ｓを３５．５ｗｔ％含有した３ｅ−Ａｓ合金を膜厚が１
μｍになるように上記電荷移動Ｂ２の上に蒸着し、電荷
発生層３を形成し、感光体Ｎ０．１を作製した。

実施例２〜１３ 電荷移動物質を第１表の化合物Ｎｏ、１３．１８．２１
．３５．５９．６３．７２．７５．１１９．１２２．１
２３．１３３に示したものに代えた以外は実施例１とま
ったく同様にして感光体Ｎ０．２〜１３を作製した。

このようにして作製した感光体Ｎｏ、１〜１３について
暗順応後、静電特性を評価した。すなわち暗中でシリン
ダー状感光体を１１００Ｏｒｐで回転させ、＋６ｋＶの
コロナ放電により２０秒帯電した時の表面電位Ｖｍａｘ
　ｍを測定し、ついでタングステンランプで感光体表面
の照度が５（ｌｕｘ）になる様設定しである光で、表面
電位がａｏｏｖが１／１０の８０Ｖになるまでの時間（
ｓｅｃ）を求め、露光母Ｅ　１／１０（ｌｕｘ　−Ｓｅ
ｃ）を算出した。その結果を下記第６表に示す。

比較例１ 比較例として実施例１で用いたアルミ支持体上に支持体
温度を２１０℃に保持して、Ａｓを３５、５ｗｔ％含む
３ｅ−Ａｓ合金を６０μｍの膜厚に真空蒸着して電子写
真感光体を作製した。この感光体の静電特性を同様に評
価したところ、Ｖ　ｍａｘ　＝　１３００Ｖ　　Ｅ　１
／１０＝　１．１　ｌｕｘ　−ｓｅｃとなった。この様
に本発明の感光体はＳｅ−Ａｓ感光体と同等以上の感度
を非常に少い材料（Ｓｅ−Ａｓ合金）で達成できている
ことがわかる。

また上記の感光体Ｎｏ、１〜１３を市販の電子写真複写
機（普通紙リコピーＦＴ５５１０（１１リコー製）を用
いて帯電せしめた後原図を介して光照射を行って静電潜
像を形成せしめ、乾式現像剤を用いて現像し、得られた
画像（トナー画像）を普通紙上に静電転写し定着したと
ころ鮮明な画像が得られた。

実施例１４ 支持体としてアルミニウム蒸着したポリエチレンテレフ
タレート製エンドレスベルト（周長４５０ｍｍ巾３００
ｍｍ）を用い、実施例１と同様の電荷移動層溶液中に浸
漬塗布し膜厚２０μｍの電荷移動層を形成した。

次に真空蒸着装置のマンドレル（第４図）にこのベルト
をセットし、実施例１と同様にして電荷発生層を形成し
た。

この様にして作製した感光体は可撓性が非常に良＜　２
０ｍｍφの屈曲のくり返しをおこなってもＱＧＬ［のヒ
ビ割れやハクリは生じなかった。　　−また静電特性は
実施例１のＮＯ６１の感光体と同等であった。

比較例２ 実施例１４の支持体を真空蒸着装置のマンドレル（第４
図）にセットし、同一の３ｅ−Ａｓ合金を蒸着して６０
μｍ厚の感光体を作製しようとしたが、膜内体に可撓性
がないため、蒸着終了後支持体を取り出しても膜が支持
体に付着していなかった。（ヒビ割れてハクリしてしま
っていた） 実施例１５〜１９ 電荷移動物質を第２表の化合物Ｎ０１７．３．５．９．
１０に示したものに代えた以外は実施例１とまったく同
様にして感光体Ｎｏ、１５〜１９を作製した。

この様にして作製した感光体Ｎ　Ｏ，１５〜１９につい
て実施例Ｎｏ、１〜１３と同じ条件で静電特性を評価し
た。その結果を第７表に示す。

第７表 また上記の感光体Ｎ　０．１５〜１９を用いて実施例１
〜１３と同じ条件で、普通紙上に静電転写し定着したと
ころ鮮明な画像が１ｑられた。

実施例２０ 支持体としてアルミニウム蒸着したポリエチレンテレフ
タレート製エンドレスベルト（周長４５０ｍｍ巾３００
ｍｍ）を用い、実施例１５と同様の電荷移動層溶液中に
浸漬塗布し１１１７２０μｍの電荷移動層を形成した。

次に真空蒸着ｖｉ置のマンドレル（第４図〉にこのベル
トをセットし、実施例１と同様にして電荷発生層を形成
した。

この様にして作製した感光体は可撓性が非常に良く、２
０１１１ｍφの屈曲のくり返しをおこなってもＣＧＬ層
のヒビ割れヤハクリは生じなかった。

また、静電特性は実施例１５の感光体と同等であった。

実施例２１〜２５ 電荷移動物質を第３表の２ないし１０の化合物Ｎ　Ｏ，
３３，１０７，１４８，１５１，１５２に示したものに
代えた以外は実施例１とまったく同様にして感光体Ｎｏ
、２１〜２５を作製した。

こ様にして作製した感光体Ｎ０．２ｉ〜２５について実
施例１〜１３と同じ条件で静電特性を評価した。その結
果を第８表に示す。

第８表 また上記の感光体Ｎｏ、２１〜２５を用いて実施例１〜
１３と同じ条件で普通紙上に静電転写し定着したところ
鮮明な画像が得られた。

実施例２６ 支持体としてアルミニウム蒸着したポリエチレンテレフ
タレート製エンドレスベルト（周長４５０ｍｍ巾３００
ｍ１ｌｌ）を用い、実施例２１と同様の電荷移動層溶液
中に浸漬塗布し膜厚２０μｍの電荷移動層を形成した。

次に真空蒸着装置のマンドレル（第４図）にこのベルト
をセットし、実施例２１と同様にして電荷発生層を形成
した。

こめ様にして作製した感光体は可撓性が非常に良＜　２
０ｍｍφの屈曲のくり返しをおこなってもＣＧＬ層のと
ビ割れやハクリは生じなかった。

また静電特性は実施例２１の感光体と同等であった。

実施例２７〜３０ 電荷移動物質を第４表の化合物Ｎ　Ｏ，１１，１ｏ、１
２．１６に示したものに代えた以外は実施例１とまった
く同様にして感光体Ｎ０．２７〜３ｏを作製した。

この様にして作製した感光体Ｎ　０．２７〜３ｏについ
て暗順応後、静電特性を評価した。

すなわち、暗中でシリンダー状感光体をｉｏｏｏｒｐｍ
で回転させ、＋６に■のコロナ放電により２０秒帯電し
た時の表面電位Ｖｍａｘ（Ｖ）を測定し、ついでタング
ステンランプで感光体表面の照度が５（ｌｕｘ）になる
ように設定しておる光で、表面電位８００Ｖが１／２の
４００Ｖになるまでの時間（ｓｅｃ）を求め、露光量Ｅ
　１／２（ｌｕｘ　−Ｓｅｃ）を算出した。

その結果を第９表に示す。

第９表 また上記の感光体ＮＯ，２７〜３０を用いて実施例１〜
１３と同じ条件で普通紙上に静電転写し定着したところ
鮮明な画像が得られた。

実施例３１ 支持体としてアルミニウム蒸着したポリエチレンテレフ
タレート製エンドレスベルト（周長４５０ｍｍ巾３００
ｍｍ）を用い、実施例２７と同様の電荷移動層溶液中に
浸漬塗布し膜厚２０μｍの電荷移動層を形成した。

次に真空蒸着装置のマンドレル（第４図）にこのベルト
をセットし、実施例２７と同様にして電荷発生層を形成
した。

この様にして作成した感光体は可撓性が非常に良く、２
０ｍｍφの屈曲のくり返しを行っても００１層のヒビ割
れやハクリは生じなかった。

また静電特性は実施例２７の感光体と同等でおった。

実施例３２〜３８ 電荷移動物質を第５表の化合物Ｎ０．１〜７に示したも
のに代えた以外は実施例１とまったく同様にして感光体
Ｎ　０．３２〜３８を作製した。

この様にして作製した感光体Ｎ　０．３２〜３８につい
て実施例２７〜３０と同じ条件で静電特性を評価した。

その結果を下記第１０表に示す。

第１０表 また上記の感光体Ｎ０．３２〜３８を用いて実施例１〜
１３と同じ条件で普通紙上に静電転写し定着したところ
鮮明な画像が得られた。

実施例３９ 支持体としてアルミニウム蒸着したポリエチレンテレフ
タレート製エンドレスベルト（周長４５０ｍｍ巾３００
ｍｍ）を用い、実施例３２と同様の電荷移動層溶液中に
浸漬塗布し膜厚２０μｍの電荷移動層を形成した。

次に真空蒸着装置のマンドレル（第４図）にこのベルト
をセットし、実施例３２と同様にして電荷発生層を形成
した。

この様にして作成した感光体は可撓性が非常に良（２０
ｍｍφの屈曲のくり返しをおこなってもＣＧＬＩｉのヒ
ビ割れやハクリは生じなかった。

また静電特性は実施例３２の感光体と同等であった。

以下、保護層または中間層を有する感光体の実施例を示
す。

実施例４０ 実施例１と同じ条件で支持体上に電荷移動層と電荷発生
層を形成した。

更にこの電荷発生層上に下記の中間層形成液を塗布した
。

中間層形成液の組成 メチルシリルイソシアネート　　　１０部テトラシリル
イソシアネート　　　１０部酢酸ブチル　　　　　　　
　　　　８０部塗布法は浸漬法により、２５℃、６０Ｒ
Ｈで２時間乾燥し、厚さ約２００ＯＡの中間層を設けた
。

この中間層の上に保護層を形成した。

保護層形成液の組成 アクリルポリオール（スチレン−メタクリル酸−メタク
リル酸２ヒドロキシエチルの共重合体）１５部 酸化アンデモ２１０重母％を含有する酸化スズ粉末　　
　　　　　　　　　　　２０部上記原料に溶媒適当量を
加え、ボールミルで７２時間分散混合した後、ポリイソ
シアネート系硬化剤５部を加えて保護層形成液とした。

この保護層形成液を浸漬法によっそ上記中間層の上に塗
布し、８０°Ｃで２時間乾燥させ、厚さ約５μｍの保護
層を形成し、感光体を作製した。

これを感光体Ｎ　ｏ、　４０とした。

この感光体Ｎ　０．４０は中間層、保護層の形成時に電
荷移動層が溶剤等に溶解あるいは変質することはなかっ
た。

実施例４１〜５２ 電荷移動化合物を第１表の化合物Ｎ　ｏ、　１３．１８
．２１．３５．５９．６３．７２．７５、１１９、１２
２、１２３または１３３に示したものに代えた以外は実
施例４０とまったく同じ条件で感光体４１〜５２を作製
した。

こうして作製した感光体４０〜５２を実施例１〜１３と
同じ条件でその静電特性を評価した。

その結果を第１１表に示す。

第１１表 比較例３ 実施例１で用いたアルミ支持体上に支持体温度を２１０
’Ｃに保持してＡｓを３５．５ｆｆｉｆｆｉ％含む３ｅ
−Ａｓ合金を６０μｍの膜厚に真空蒸着して感光層を作
製した。

この感光層の上に実施例１と同様の方法として中間層、
保護層を形成し、電子写真感光体を作製した。この感光
体の静電特性を同様に評価したところ、Ｖｍａｘ　＝２
１００Ｖ、　Ｅ１／１０＝１．１１ｕｘ・ｓｅｃとなっ
た。

この様に本発明の感光体は３ｅ−Ａｓ系感光体と同等以
上の高感度を非常に少い材料（Ｓｅ−Ａｓ系合金）で達
成できていることがわかる。

上記実施例の感光体Ｎ　０．４０〜５２を市販の電子写
真複写機（普通紙リコピーＦＴ５５１０（床リコー製）
を用いて、帯電せしめた後原図を介して光照射を行って
静電潜像を形成ぜしめ、乾式現像′剤を用いて現像し得
られた画像（トナー画像）を普通紙上に静電転写し定着
したところ鮮明な画像が得られた。

この操作をくり返しおこなって耐久性を調べたところ、
いずれの感光体も３０万サイクルを過ぎても鮮明な画像
が得られた。

比較のためＮ　Ｏ，４０〜５２の感光体で中間層及び保
護層を設けなかったものについても同様のテストを行っ
た結果３万サイクルまでは良好な画像が得られたが、そ
れ以降は電荷発生層にキズがつき、スジ状の異常画像が
ではじめて実用上耐えられなくなってしまった。

この様に電荷発生層上に保護層を設けることによってそ
の耐久性が飛躍的に向上していることがわかる。

実施例５３ 実施例４０と全く同様にしてアルミ製シリンダー上に化
合物Ｎ　ｏ、　５８を含む電荷移動層、Ｓｅ−Ａｓ系合
金（Ａｓ含有ｆｆ１３５．５型開％）より成る電荷発生
層を形成した。更にこの上に実施例４０と同様にして中
間層を形成した。

次いでシリコン樹脂のりグロイン溶液（有効成分２０％
、商品名Ａ　Ｙ　４２−４４０、東しシリコン社製）７
０部、酸化アンチモン１０重量％含有酸化スズ粉末１０
部をボールミルで７２時間分散混合した溶液をディッピ
ング法にて塗布し乾１（８０’Ｃ２ｈｒ　）させ約５μ
の保護層を形成し、感光体Ｎ　ｏ、　５３を作製した。

この感光体の静電特性はＶｍａｘ　＝２１７０Ｖ、Ｅ　
１／１０＝　０．９＋ｔｊＸ　−ＳｅＣとなり非常に良
好で耐久性テストの結果も３０万サイクル時で異常は認
められず良好な耐久性を示した。

実施例５４〜５８ 電荷移動物質を第２表の化合物ＮＯ，７，３，５，１０
に示したものに代えた以外は、実施例４０とまったく同
様にして感光体Ｎ　０．５４〜５８を作製した。

こうして作製した感光体について、実施例１〜１３と同
じ条件で静電特性を評価した。

その結果を第１２表に示す。

第１２表 実施例５９ 電荷移動層が含有する化合物を第２表のＮｏ。

７に代えた以外はすべて実施例５３と同じ条件で感光体
Ｎ　ｏ、　５９を作製し、同じ条件で静電特性と耐久性
を試験したところ、実施例５３と同じ良好な結果が１ｑ
られた。

実施例６０〜６４ 電荷移動物質を第３表の２ないし１０の化合物ＮＯ，３
３，１０７、１４８，１５１、１５２に示したものに代
えた以外は、実施例４０とまったく同様にして感光体Ｎ
ｏ、６０．６１．６２．６３．６４を作製した。

こうして作製した感光体について、実施例１〜１３と同
じ条件で静電特性を評価した。

その結果を第１３表に示す。

第１３表 実施例６５ 電荷移動層が含有する化合物を第３表の２のＮＯ，３３
に代えた以外はすべて実施例５３と同じ条件で感光体Ｎ
　Ｏ，６５を作製し、同じ条件で静電特性と耐久性を試
験したところ、実施例５３と同じ良好な結果が得られた
。

実施例６６〜６９ 電荷移動物質を第４表の化合物ＮＯ，１０，１１，１２
，１６に示したものに代えた以外は、実施例４０とまっ
たく同様にして感光体Ｎ　ｏ、　６６．６７．６８．６
９を作製した。

こうして作製した感光体について、実施例２７〜３０と
同じ条件で静電特性を評価した。

その結果を第１４表に示す。

実施例７０ 電荷移動層が含有する化合物を第４表のＮｏ。

１１に代えた以外はすべて実施例５３と同じ条件で感光
体Ｎ　Ｏ，７０を作製し、同じ条件で静電特性と耐久性
を試験したところ、実施例５３と同じ良好な結果が得ら
れた。

実施例７１〜７７ 電荷移動物質を第５表の化合物Ｎ０．１〜７に示したも
のに代えた以外は、実施例４０とまったく同様にして感
光体Ｎ　Ｏ，７１〜７７を作製した。

こうして作製した感光体について、実施例２７〜３０と
同じ条件で静電特性を評価した。

その結果を第１５表に示す。

第１５表 実施例７８ 電荷移動層が含有する化合物を第５表のＮｏ。

１に代えた以外はすべて実施例５３と同じ条件で感光体
Ｎ　０．７８を作製し、同じ条件で静電特性と耐久性を
試験したところ、実施例５３と同じ良好な結果が得られ
た。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の感光体の構成を示す断面の模式図、 第２−ａ図および第２−ｂ図は、それぞれ本発明感光体
の他の実施例の構成を示す模式図、第３図は従来の感光
体の構成の一例を示す断面の模式図、 第４図は電荷発生層を真空蒸着する装置の構成を示す模
式図、 第５図は導電性支持体がベルト状である場合の説明図で
ある。 １・・・導電性支持体、２・・・電荷移動層（ＣＴＬ＞
、３・・・電荷発生層（ＣＧＬ）、４・・・中間層、５
・・・保Ｂ層、６・・・電荷移動層を形成した支持体、
７・・・マンドレル、８・・・支持体加熱用ヒーター、
９・・・蒸発源、１０−ＣＧ　Ｌ材料（Ｓｅ−Ａｓ合金
）１１・・・真空槽、１２・・・蒸発源用電源、１３・
・・支持体回転用モーター、１４・・・真空計、１５・
・・真空ポンプ。 特許出願人　株式会社リ　コ　− 代理人　弁理士　小　松　秀　岳 代理人　弁理士　埴　　　　　宏 ３・１図 第２−＆図　　　　　　　第２−ｂ間 第３図 第４図 第５図 手続補正帯　（帥 昭和６２年５月１８日 特許庁長官　　黒　１）明　雄　　殿 １、事件の表示　　　　　特願昭６２−９１０４５号２
、発明の名称　　　　　電子写真用感光体３、補正をす
る者 事件との関係　　　特許出願人 名　称　　　（６７４）　　株式会社リコー４、代理人 ５、補正命令の日付　　　　（自発） （１）明細書第２３頁、最下段Ｎ　Ｏ，５４の化学式に
補正する。 （２）同、第６０頁、下から第３行「こ様にして」を１
この様にして」に補正する。 （３）同、第６６頁第８行ｒ６０ＲＨＪを「６０％ＲＨ
Ｊに補正する。 （４）同、第７３頁、第１３表第３列表題中ｒＥ　１／
２Ｊをｒ　Ｅ　１／ＩＯＪに補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）導電性支持体上に順に電荷移動層（ＣＴＬ）電荷
   発生層（ＣＧＬ）を有する電子写真感光体において、上
   記電荷発生層がＳｅ−Ａｓ系合金より成り、電荷移動層
   中に、下記一般式 I で表わされるα−フェニルスチル
   ベン系化合物、一般式IIで表わされるピラゾリン系化合
   物、一般式IIIで表わされるフェニルヒドラゾン系化合
   物、一般式IVで表わされるアントラセン誘導体または一
   般式Ｖで表わされるジフェニルメタン系化合物の何れか
   に属する化合物を一種以上含有することを特徴とする電
   子写真用感光体。 一般式 I ▲数式、化学式、表等があります▼ ただし、上記一般式 I のうち Ａ：▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
   式、表等があります▼、 ９−アントリル基、置換または無置換のＮ −アルキルカルバゾル基の何れか、 上記Ａにおいて、 Ｒ＿１：水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
   ン、置換アミノ基［▲数式、化学式、表等があります▼
   （式 中Ｒ＿３およびＲ＿４はアルキル基、置換または無置換
   のアラルキル基、置換または 無置換のアリール基のうちの何れかを示 し、Ｒ＿３とＲ＿４とは環を形成してもよい）］のうち
   の何れかを示し、ｍが２以上の場 合は同一の基でも異なる基でもよい。 ｍ：０、１、２または３のうちの何れか、 である。 Ｒ＿２：水素原子、アルキル基、置換もしくは無置換の
   フェニル基のうちの何れかを示 す。 ｎ：０または１ 一般式II▲数式、化学式、表等があります▼ ただし、上記一般式IIのうち Ｒ＿５：水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基
   、ハロゲン、ニトロ基のうちの何れ か、 Ｒ＿６：水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基
   、ハロゲン、ニトロ基、アルキルア ミノ基、置換アルキルアミノ基のうちの何 れか、 Ｒ＿７：水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基
   、ハロゲン、ニトロ基、アルキルア ミノ基、置換アルキルアミノ基のうちの何 れか、 ｎ：０または１ を示す。 一般式▲数式、化学式、表等があります▼ ただし、上記一般式IIIのうち、 Ｒ＿８：水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基
   、ハロゲン、ニトロ基のうちの何れ か、 Ｒ＿９：置換または無置換のアルキル基、置換または無
   置換のアリール基のうちの何れか、 Ｂ：置換または無置換の芳香族炭化水素残基、置換また
   は無置換のヘテロ環残基のうちの 何れかである。 一般式IV ▲数式、化学式、表等があります▼ ただし、上記一般式IVのうち Ｄ：置換アリール基またはヘテロ環残基である。 一般式Ｖ ▲数式、化学式、表等があります▼ ただし、上記一般式Ｖのうち、 Ｒ＿１＿０：炭素数１〜１１のアルキル基のうちの何れ
   か、 Ｒ＿１＿１：水素、メチル基、ニトロ基またはハロゲン
   のうちの何れかである。 （２）電荷発生層がその表面に直接あるいは中間層を介
   して保護層を有する特許請求の範囲 （１）記載の電子写真用感光体。