KR100650072B1 - 전자사진 감광체, 및 이를 사용하는 전자사진 장치 및프로세스 카트리지 - Google Patents

전자사진 감광체, 및 이를 사용하는 전자사진 장치 및프로세스 카트리지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 지지체 및 감광층을 갖는 전자사진 감광체에 관한 것이다.
지지체 및 감광층을 갖는 전자사진 감광체에서, 전자사진 감광체는 쓰기 광으로서 380 내지 500 nm의 파장을 갖는 반도체 레이저 광선을 이용하고, 감광층은 하기 화학식 (1)로 나타나는 비스아조 안료를 함유한다.
<화학식 1>
Figure 112006055073730-pat00001
여기서, A1, A2 및 A3은 동일하거나 상이할 수 있고, 각각은 독립적으로 치환기를 가질 수 있는 포화 또는 불포화 지방족 탄화수소기, 치환기를 가질 수 있는 방향족 탄화수소환기, 치환기를 가질 수 있는 헤테로시클릭환기, 또는 카르보닐 기를 나타내고; R1 및 R2는 동일하거나 상이할 수 있고, 각각은 독립적으로 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 또는 할로겐 원자를 나타내고; R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 각각은 독립적으로 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 치환기를 가질 수 있는 헤테로시클릭환기, 또는 치환기를 가질 수 있는 아르알킬기를 나타내고, 단 R3 및 R4, 및 R5 및 R6은 각각 화학식 중의 질소 원자를 통하여 시클릭 아미노기를 형 성할 수 있고; Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고; m1 및 m2는 각각 0 내지 4의 정수를 나타내고; 및 n1, n2 및 n3은 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타낸다.
전자사진 감광체, 전자사진 장치, 프로세스 카트리지

Description

전자사진 감광체, 및 이를 사용하는 전자사진 장치 및 프로세스 카트리지{ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, AND ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS AND PROCESS CARTRIDGE WHICH MAKE USE OF THE SAME}
도 1은 유기 감광체의 층 구성의 예를 나타내는 단면도.
도 2는 유기 감광체의 층 구성의 다른 예를 나타내는 단면도.
도 3은 유기 감광체의 층 구성의 또다른 예를 나타내는 단면도.
도 4는 전자사진 장치의 예를 나타내는 개략 단면도.
도 5는 프로세스 카트리지를 갖는 전자사진 장치의 예를 나타내는 개략 단면도.
도 6은 프로세스 카트리지를 갖는 전자사진 장치의 다른 예를 나타내는 개략 단면도.
도 7은 프로세스 카트리지를 갖는 전자사진 장치의 또다른 예를 나타내는 개략 단면도.
도 8은 실시예의 전자사진 감광체의 감도를 측정하는 방법의 예시도.
<도면의 주요 부분에 대한 설명>
a: 지지체
b: 감광층
c: 전하 발생층
d: 전하 수송층
e: 전하 발생 물질
1: 전자사진 감광체
2: 코로나 대전기
3: 레이저 노광 광학계
4: 현상 수단
5: 전사 수단
6: 크리닝 수단
7: 전사재 카세트
8a: 분리 집게
8b: 분리 푸쉬-업 롤러
9: 열 롤러 정착기
10: 트레이
11: 전노광 램프
12: 전위 센서
13: 광량 검지 수단
14: 털 브러쉬
15: 백-업 브러쉬
16: 오일-제거 롤러
17: 백-업 브러쉬
19: 수송 경로 스위치 가이드
20: 수송 수직 경로
21: 반전 경로
22: 중간 트레이
24: 편심 캠
5i: 캠 팔로워
30: 원고
31: 원고-고정 글라스
32: 노광 램프
33: 렌즈
34: 안내 수단
35, 36, 37: 용기
본 발명은 전자사진 프로세스를 사용하는 복사기, 프린터, 팩시밀리 또는 제판 시스템과 같은 화상 형성 장치 (전자사진 장치)에 관한 것이다.
최근, 화상 형성 장치로부터 출력되는 화상에 있어서 초고화질을 달성하기 위한 요구가 증가하기 때문에 각종 접근이 행해졌다. 특히, 전자사진 감광체의 표면 상에 정전 잠상을 형성하는 노광 프로세스가 전자사진 프로세스의 상류 측에 위치하고, 이는 화상 형성의 기초이다. 따라서, 이 프로세스는 전자사진 화상의 고화질을 달성하기 위한 특히 중요한 프로세스로 생각된다. 그후, 노광 프로세스 중의 빔 스팟 직경을 작게 만드는 것이 초고해상도의 달성을 가능하게 하고, 초고화질의 달성의 매우 효율적인 수단이다.
종래 사용되었던 근적외선 반도체 레이저는 약 650 내지 780 nm의 발진 파장 (lasing wavelength)을 갖고, 약 100 ㎛의 스팟 직경을 가졌다. 빔 스팟 직경을 작게 만들기 위하여 각종 광학 부재에 대해 개선이 이루어지고 있다고 해도 약 50 내지 80 ㎛가 한계였다. 또한 각종 광학 부재에 대해 개선이 빔 스팟 직경을 작게 한다고 해도, 빔 스팟의 윤곽을 선명하게 얻는 것이 어렵다. 이는 이하의 공식(48)으로 나타나는 레이저 빔의 회절 한계로부터 알려져 있다. 이하의 공식(48)은 빔 스팟의 빔 스팟 직경 (D)의 하한이 레이저 빔의 파장 (λ)에 비례함을 나타낸다. (NA는 렌즈의 개구수이다.)
D=1.22λ/N
따라서, 근년에 DVD 등에 실용적인 용도로 사용되는 단파장 청색 (자색) 반도체 레이저를 전자사진 장치의 노광 광원 (쓰기 광원)으로서 사용하는 것이 고려되고 있다 (일본 특허 출원 공개 번호 H9-240051호, 2 페이지, 제1항 참고). 종래 의 근적외선 반도체 레이저와 비교하여, 약 절반의 발진 파장 (380 내지 500 nm)을 갖는 청색 (자색) 반도체 레이저가 노광 광원으로서 사용되는 경우, 상기 공식(48)에 나타난 바와 같이 빔 스팟의 윤곽의 선명함이 유지되는 상태로 매우 작은 스팟 직경을 갖도록 빔 스팟이 제조될 수 있다. 그러므로, 이는 초고해상도의 달성을 가능하게 하고, 초고화질의 달성에 매우 효율적이다.
그러므로, 노광 광원으로서 청색 (자색) 반도체 레이저를 사용하는 것은, 전자사진 감광체의 표면이 스팟의 윤곽의 선명함이 유지되는 상태에서 스팟 직경이 약 40 ㎛ 이하인 레이저 빔으로 조사되는 것이 가능하게 한다.
따라서, 노광 광원으로서 상기 청색 (자색) 반도체 레이저를 갖고 작은 빔 스팟 직경을 갖도록 하는 전자사진 장치에 있어서, 화상 노광 장치의 광 조사에 대하여 일정 이상의 감도를 갖는 전자사진 감광체가 당연히 요구된다. 추가로, 전자사진 감광체가 조사되는 광을 효율적으로 사용하도록 하기 위하여, 감광체는 광원의 파장 영역에서 높은 분광 감도를 가질 것이 요구된다.
그러나, 전자사진 감광체는 광원의 파장 영역에서 그러한 높은 분광 감도를 거의 갖지 않는다. 예를 들어, 일본 특허 출원 공개 번호 H10-239956호, 5 페이지는 약 460 nm의 파장에서 최대 분광 감도를 갖는 무기 감광체인 셀레늄 (Se-Te) 감광체에 관한 보고를 개시한다.
그동안, 요즈음, 우수한 환경 적응성을 갖고 쉽게 제조되고 취급될 수 있고, 비용이 적게 드는 각종 장점을 갖는 유기 감광체에 주목하는 각종 연구가 이루어졌다.
예를 들어, 일본 특허 출원 공개 번호 H8-87124호 (2 페이지, 제1항 참조)는 본 발명과 유사한 구조를 갖는 커플러를 사용하는 아조 안료의 실시태양을 개시한다. 일본 특허 출원 공개 번호 H4-147265호 (8 페이지), H2-118581호 (14 페이지) 및 H4-81858호 (13 페이지)는 본 발명과 유사한 구조를 갖는 중심 골격을 사용하는 아조 안료의 실시태양을 개시한다. 그러나, 이러한 경우, 대상이 되는 것은 노광 수단으로서 할로겐 램프 등의 백색 광이고, 청색 (자색) 반도체 레이저를 대상으로 하는 용도에 적용되는 것은 전혀 개시된 바 없다.
청색 (자색) 반도체 레이저를 대상으로 하는 아조 안료에 관하여, 일본 특허 출원 공개 번호 H10-239956호 (3 페이지 및 6 페이지의 도 4)는 안트라퀴논계 아조 안료를 사용하는 실시태양을 개시하고, 일본 특허 출원 공개 번호 2002-14482호 (2 페이지, 제1항 내지 4항) 및 일본 특허 출원 공개 번호 2002-131951호 (2 및 3 페이지, 제1항)은 각종 중심 골격을 갖는 아조 안료를 사용하는 실시태양을 개시하고, 일본 특허 출원 공개 번호 2000-105478호는 각종 커플러를 갖는 아조 안료를 사용하는 실시태양을 개시한다. 그러나, 이러한 경우, 청색 (자색) 반도체 레이저에 대하여 충분한 감도를 갖는 것은 공보에 개시된 조합을 갖는 아조 안료에서는 나타나지 않았다.
따라서, 필요한 감도를 확보하기 위하여 레이저 광량이 극도로 다량인 상태로 화상이 출력되는 것을 따른다. 상기의 경우, 내구 전위 (running potential)가 내구를 통하여 안정한 초고화질의 화상을 출력하기에 불충분하게 크게 변화할 수 있다. 동시에, 재생 안정성에 대한 레이저의 신뢰성이 낮을 수 있고, 레이저 비용 이 고가일 수 있고, 레이저가 짧은 수명을 가질 수 있는 각종 단점이 있다. 더욱이, 레이저 파워에 한계가 있고, 적당한 감도가 항상 확보될 수가 없다.
전술한 이유 때문에, 380 내지 500 nm의 파장을 갖는 반도체 레이저 광원에 대하여 높은 분광 감도를 갖는 유기 사진 감광체의 용도를 모색해 왔다.
본 발명의 한 목적은 청색 (자색) 반도체 레이저 광원에 대한 높은 분광 감도를 갖고, 그것의 내구를 통하여 내구 전위의 변동을 덜 일으킬 수 있고, 안정한 고해상도를 갖는 화상을 형성할 수 있는 전자사진 감광체를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 전자사진 감광체를 갖는 전자사진 장치, 또는 프로세스 카트리지를 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여 아조 안료에 있어서 각종 중심 골격 및 각종 커플러의 다수의 조합을 합성하였고, 평가를 통하여 광범위한 연구를 하였다. 그 결과, 그들은 임의의 특정 구조를 갖는 중심 골격 및 임의의 특정 구조를 갖는 커플러로 구성된 임의의 특정 구조를 갖는 비스아조 안료를 그것의 감광층에 사용하는 전자사진 감광체가, 청색 (자색) 반도체 레이저 광원에 대하여 매우 높은 분광 감도를 갖는다는 것을 발견하였다. 이로써, 그들은 상기 문제점을 해결할 수 있었다.
임의의 특정 구조를 갖는 중심 골격은 벤조일 잔기를 말단에 갖는 중심 골격이고, 임의의 특정 구조를 갖는 커플러는 6-위치에 특정 치환기를 갖는 2-나프톨의 커플러이다.
더욱 구체적으로, 본 발명에 따르면, 지지체 및 감광층을 포함하고, 쓰기 광으로서 380 내지 500 nm의 파장을 갖는 반도체 레이저 광을 이용하는 전자사진 감광체를 제공하는데, 여기서 감광층은 이하의 화학식 (1)로 나타나는 비스아조 안료를 포함한다.
<화학식 1>
Figure 112006055073730-pat00002
여기서, A1, A2 및 A3은 동일하거나 상이할 수 있고, 각각은 독립적으로 치환기를 가질 수 있는 포화 또는 불포화 지방족 탄화수소기, 치환기를 가질 수 있는 방향족 탄화수소환기, 치환기를 가질 수 있는 헤테로시클릭환기, 또는 카르보닐 기를 나타내고; R1 및 R2는 동일하거나 상이할 수 있고, 각각은 독립적으로 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 또는 할로겐 원자를 나타내고; R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 각각은 독립적으로 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 치환기를 가질 수 있는 헤테로시클릭환기, 또는 치환기를 가질 수 있는 아르알킬기를 나타내고, 단 R3 및 R4, 및 R5 및 R6은 각각 화학식 중의 질소 원자를 통하여 시클릭 아미노기를 형성할 수 있고; Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고; m1 및 m2는 각각 0 내지 4의 정수를 나타내고; 및 n1, n2 및 n3은 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타낸다.
본 발명에 따르면, 상기 전자사진 감광체, 대전 수단, 380 내지 500 nm 파장을 갖는 반도체 레이저 광을 포함하는 노광 수단, 현상 수단 및 전사 수단을 포함하는 전자사진 장치를 또한 제공한다.
본 발명에 따르면, 일체로 지지되는 상기 전자사진 감광체, 대전 수단, 현상 수단 및 크리닝 수단으로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상의 수단을 포함하며, 전자사진 장치 본체에 착탈식으로 장착될 수 있는 프로세스 카트리지를 또한 제공한다.
본 발명에 따르면, 특정 구조를 갖는 비스아조 안료가 감광층에 사용되므로, 청색 (자색) 반도체 레이저 광원에 대한 높은 분광 감도를 가지며, 조사광을 효율적으로 이용할 수 있는 전자사진 감광체가 제공될 수 있다. 또한, 그것은 그것의 내구를 통하여 내구 전위 변동을 덜 일으킬 수 있고, 안정한 고해상도를 갖는 화상을 형성할 수 있다.
본 발명은 이하에서 상세하게 설명한다.
본 발명의 전자사진 감광체를 설명한다. 전자사진 감광체의 층 구성에 관하여, 도 1 내지 3에 나타난 임의의 공지된 층 구성일 수 있다. 이들 중, 바람직하게는 도 1에 나타난 층 구성일 수 있다. 도 1 내지 3에서, 문자 기호 a는 지지체; b, 감광층; c, 전하 발생층; d, 전하 수송층; 및 e, 전하 발생 물질을 의미한다.
지지체 및 그위에 겹쳐진 전하 발생층 및 전하 수송층을 이 순서로 포함하는 기능-분리형 유기 감광체에 관하여, 그것의 제조 방법을 이하에 기재한다.
지지체의 재료에 있어서, 그것들은 적어도 도전성을 갖는 것일 수 있다. 예를 들어, 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 아연, 스테인레스 스틸, 바나듐, 몰리브덴, 크롬, 티타늄, 니켈, 인듐, 금 및 백금을 사용할 수 있다. 임의의 이들 금속 또는 그것의 합금의 진공 증착에 의하여 그위에 피막-형성된 플라스틱 지지체 (예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리비닐 클로라이드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 또는 아크릴 수지 지지체); 상기 플라스틱, 금속 또는 합금으로 형성되고 적당한 결착 수지와 함께 도전성 입자 (예를 들어, 카본 블랙 또는 은 입자)로 그위에 코팅된 지지체; 및 도전성 입자를 플라스틱 또는 종이로 함침시켜 형성된 지지체를 사용할 수 있다.
지지체 상에, 지지체의 고르지 않음 또는 결함을 커버하기 위하여 또는 간섭 무늬를 방지하기 위한 의도로 도전층이 제공될 수 있다.
이 도전층은 결착 수지 중에 카본 블랙, 금속 입자 또는 금속 산화물 입자와 같은 도전성 입자를 분산하여 제조하는 분산액을 지지체에 코팅함으로써 형성할 수 있다. 도전층은 층 두께가 바람직하게는 1 ㎛ 내지 40 ㎛, 특히 바람직하게는 1 ㎛ 내지 30 ㎛일 수 있다.
알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 제조된 지지체 표면은 또한 호닝 (honing), 무심 연삭 (centerless grinding), 절삭 등에 의하여 세면화처리 (roughing)받을 수 있다. 추가로 상기 세면화처리에 의하여, 지지체의 표면은 적당한 조도 (roughness)를 갖도록 설계될 수 있고, 간섭 무늬에 대한 대항을 실행하도록 할 수 있다. 지지체는 바람직하게는 10 점 평균 조도 Rz jis 0.05 ㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.1 ㎛ 일 수 있다.
10 점 평균 조도 Rz jis는 JIS B 0610 (2001)에 따라서 서프코더 (SURFCORDER) SE-3500 (코사카 연구소 (Kosaka Laboratory Ltd.)에서 제조됨)으로 측정하고, 컷-오프 (cut-off)를 0.8 mm로, 측정 길이를 8 mm로 설정한다.
지지체 또는 도전층 상에 배리어로서의 기능 및 접착의 기능을 갖는 중간층이 또한 제공될 수 있다. 중간층의 재료로서, 폴리비닐 알코올, 폴리에틸렌 옥시드, 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 카세인, 폴리아미드, 아교 및 젤라틴을 사용할 수 있다. 이들 재료 중 임의의 것은 적당한 용매 중에 용해되고, 지지체 또는 도전층 상에 도포될 수 있다. 중간층의 층 두께는 바람직하게는 0.2 ㎛ 내지 3.0 ㎛일 수 있다.
지지체, 도전층 또는 중간층 상에, 전하 발생층이 제공된다.
전하 발생층은 지지체, 도전층 또는 중간층 상에, 결착 수지와 함께 적당한 용매 중의 전하 발생 물질을 분산하여 제조되는 유체를 도포하고; 건조시킴으로써 형성될 수 있다.
전하 발생 물질로서, 이하의 화학식 (1)로 나타나는 비스아조 안료가 사용된다.
Figure 112006055073730-pat00003
상기 화학식 (1)에서, A1, A2 및 A3은 동일하거나 상이할 수 있고, 각각은 독립적으로 치환기를 가질 수 있는 포화 또는 불포화 지방족 탄화수소기, 치환기를 가질 수 있는 방향족 탄화수소환기, 치환기를 가질 수 있는 헤테로시클릭환기, 또는 카르보닐 기를 나타내고; R1 및 R2는 동일하거나 상이할 수 있고, 각각은 독립적으로 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 또는 할로겐 원자를 나타내고; R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 각각은 독립적으로 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 아릴기, 치환기를 가질 수 있는 헤테로시클릭환기, 또는 치환기를 가질 수 있는 아르알킬기를 나타내고, 단 R3 및 R4, 및 R5 및 R6은 각각 화학식 중의 질소 원자를 통하여 시클릭 아미노기를 형성할 수 있고; Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고; m1 및 m2는 각각 0 내지 4의 정수를 나타내고; n1, n2 및 n3은 각각 독립적으로 0 또는 1을 나타낸다.
더욱 구체적으로, 상기 화학식 (1)의 A1, A2 및 A3에 의하여 나타나는 기는 각각 독립적으로 메틸렌, 에틸렌, 트리메틸렌 및 테트라메틸렌과 같은 포화 지방족 탄화수소기; 비닐렌 및 프로페닐렌과 같은 불포화 지방족 탄화수소기; 벤젠, 나프 탈렌, 플루오렌, 페난트렌, 안트라센 및 피렌과 같은 방향족 탄화수소환기; 푸란, 티오펜, 피리딘, 인돌, 벤조티아졸, 카르바졸, 아크리돈, 벤족사졸, 옥사디아졸 및 티아졸과 같은 헤테로시클릭환기; 및 카르보닐기를 포함할 수 있다.
이들 치환기 그룹은 메틸, 에틸, 프로필 및 부틸과 같은 알킬기; 메톡실, 에톡실 및 프로폭실과 같은 알콕실기; 불소 원자, 염소 원자 및 브롬 원자와 같은 할로겐 원자; 디메틸아미노 및 디에틸아미노와 같은 디알킬아미노기; 및 히드록실기, 니트로기, 시아노기, 및 할로메틸기를 포함할 수 있다.
각각 A1, A2 및 A3으로 나타나는 기는 더욱 바람직하게는 페닐렌기, 카르보닐기, 비닐렌기 및 메틸렌기를 포함할 수 있고, 이는 각각 이하의 화학식 (2)의 화학식들로 나타난다.
Figure 112006055073730-pat00004
그것은 더욱더 바람직하게는 이하의 화학식 (3)으로 나타나는 페닐렌기; 이하의 화학식 (4)로 나타나는 카르보닐기; 이하의 화학식 (5)로 나타나는 비닐렌기일 수 있다.
Figure 112006055073730-pat00005
Figure 112006055073730-pat00006
Figure 112006055073730-pat00007
R1 및 R2는 동일하거나 상이할 수 있고, 각각은 독립적으로 치환기를 가질 수 있는 메틸기 또는 에틸기와 같은 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 페닐기 또는 나프틸기와 같은 아릴기, 또는 불소 원자 또는 염소 원자와 같은 할로겐 원자를 나타낸다. 본 치환기는 메틸기 및 에틸기와 같은 알킬기, 페닐기 및 나프틸기와 같은 아릴기, 및 불소 원자 및 염소 원자와 같은 할로겐 원자를 포함할 수 있다. m1 및 m2는 각각 0 내지 4의 정수를 나타낸다.
R3, R4, R5 및 R6은 동일하거나 상이할 수 있고, 각각은 독립적으로 수소 원자, 치환기를 가질 수 있는 메틸기 또는 에틸기와 같은 알킬기, 치환기를 가질 수 있는 페닐기 또는 나프틸기와 같은 아릴기, 푸란, 티오펜, 피리딘, 인돌, 벤조티아졸, 카르바졸, 아크리돈, 벤족사졸, 옥사디아졸 또는 티아졸과 같은 헤테로시클릭환기; 또는 치환기를 가질 수 있는 벤질기 또는 페네틸기와 같은 아르알킬기를 나타낸다. 본 치환기는 메틸 및 에틸과 같은 알킬기; 메톡실 및 에톡실과 같은 알콕실기; 불소 원자 및 염소 원자와 같은 할로겐 원자; 디메틸아미노 및 디에틸아미노와 같은 디알킬아미노기; 히드록실기, 니트로기, 시아노기, 할로메틸기, 할로메톡 실기, 아세틸기 및 페닐카르바모일기를 포함할 수 있다. 또한, 이 페닐카르바모일기의 페닐기는 앞서 기재한 것과 같은 치환기를 추가로 가질 수 있다.
R3 및 R4, 및 R5 및 R6은 또한 각각 화학식 중의 질소 원자를 통하여 시클릭 아미노기를 형성할 수 있다. 환 중의 질소 원자를 함유하는 시클릭 아미노기는 피롤, 피롤린, 피롤리딘, 피롤리돈, 인돌, 인돌린, 카르바졸, 이미다졸, 피라졸, 피라졸린, 옥사진 및 페녹사진을 포함할 수 있다.
Z1 및 Z2는 각각 독립적으로 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다.
특히, R3 및 R5가 각각 수소 원자이고, Z1 및 Z2가 각각 산소 원자인 경우가 감도의 측면에서 바람직하다. R4 및 R6이 각각 독립적으로 치환기를 가질 수 있는 아릴기인 경우, 및 추가로 R4 및 R6이 각각 독립적으로 치환기를 가질 수 있는 페닐기인 경우가 감도의 측면에서 더욱 바람직하다. R4 및 R6이 각각 독립적으로 염소 원자, 불소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡실기, 아세틸기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상의 기로 치환된 페닐기인 경우가 감도의 측면에서 특히 바람직하다.
상기 화학식 (1)에 의하여 나타나는 아조 화합물 (비스아조 안료)를 더 구체적으로 기재하기 위하여, 이하의 (i) 내지 (xvi)로 주어진 구조를 갖는 화합물이 본 발명에 바람직하게 사용될 수 있다.
(i) n1, n2 및 n3이 0인 화합물.
(ii) n1, n2 및 n3이 0이고, 또한 R3 및 R5가 각각 수소 원자이고, R4 및 R6이 각각 독립적으로 염소 원자, 불소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡실기, 아세틸기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상으로 치환된 페닐기이고, Z1 및 Z2가 각각 산소 원자인 화합물.
(iii) n1이 1이고 n2 및 n3이 0이고, A1이 상기 화학식 (2)의 화학식들에 의하여 나타나는 기로 이루어진 군에서 선택되는 기인 화합물.
(iv) n1이 1이고 n2 및 n3이 각각 0이고, A1이 상기 화학식 (2)로 나타나는 기로 이루어진 군에서 선택되는 기이고, R3 및 R5가 각각 수소 원자이고, R4 및 R6이 각각 독립적으로 염소 원자, 불소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡실기, 아세틸기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상으로 치환된 페닐기이고, Z1 및 Z2가 각각 산소 원자인 화합물.
(v) n1이 1이고, n2 및 n3이 각각 0이고, A1이 상기 화학식 (3) 내지 (5)로 나타나는 임의의 하나의 기인 화합물.
(vi) n1이 1이고, n2 및 n3이 0이고, A1이 상기 화학식 (3) 내지 (5)로 나타나는 기에서 선택되는 기이고, R3 및 R5가 각각 수소 원자이고, R4 및 R6이 각각 독립적으로 염소 원자, 불소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡실기, 아세틸기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상으로 치환된 페닐기이고, Z1 및 Z2가 각각 산소 원자인 화합물.
(vii) n1 및 n2가 1이고 n3이 0이고, A1 및 A2가 각각 독립적으로 상기 화학식 (2)의 화학식들로 나타나는 기 중 임의의 하나인 화합물.
(viii) n1 및 n2가 1이고 n3이 0이고, A1 및 A2가 각각 독립적으로 상기 화학식 (2)의 화학식들로 나타나는 기로 이루어진 군에서 선택되는 기이고, R3 및 R5가 각각 수소 원자이고, R4 및 R6이 각각 독립적으로 염소 원자, 불소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡실기, 아세틸기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상으로 치환된 페닐기이고, Z1 및 Z2가 각각 산소 원자인 화합물.
(ix) n1 및 n2가 각각 1이고, n3이 0이고, A1이 상기 화학식 (3)으로 나타나는 기이고, A2가 상기 화학식 (4)로 나타나는 기인 화합물.
(x) n1 및 n2가 각각 1이고, n3이 0이고, A1이 상기 화학식 (3)으로 나타나는 기이고, A2가 상기 화학식 (4)로 나타나는 기이고, R3 및 R5가 각각 수소 원자이고, R4 및 R6이 각각 독립적으로 염소 원자, 불소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡실기, 아세틸기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상으로 치환된 페닐기이고, Z1 및 Z2가 각각 산소 원자 인 화합물.
(xi) n1 및 n2가 각각 1이고, n3이 0이고, A1이 상기 화학식 (6)으로 나타나는 기이고, A2가 상기 화학식 (4)로 나타나는 기인 화합물.
(xii) n1 및 n2가 각각 1이고, n3이 0이고, A1이 상기 화학식 (6)으로 나타나는 기이고, A2가 상기 화학식 (4)로 나타나는 기이고, R3 및 R5이 각각 수소 원자이고, R4 및 R6이 각각 독립적으로 염소 원자, 불소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡실기, 아세틸기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상으로 치환된 페닐기이고, Z1 및 Z2가 각각 산소 원자인 화합물.
(xiii) n1, n2 및 n3이 각각 1이고, A1, A2 및 A3이 각각 독립적으로 상기 화학식 (2)의 화학식들로 나타나는 기로 이루어진 군에서 선택되는 기인 화합물.
(xiv) n1, n2 및 n3이 각각 1이고, A1, A2 및 A3이 각각 독립적으로 상기 화학식 (2)의 화학식들로 나타나는 기로 이루어진 군에서 선택되는 기이고, R3 및 R5가 각각 수소 원자이고, R4 및 R6이 각각 독립적으로 염소 원자, 불소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡실기, 아세틸기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상으로 치환된 페닐기이고, Z1 및 Z2가 각각 산소 원자인 화합물.
(xv) n1, n2 및 n3이 각각 1이고, A1 및 A2가 각각 상기 화학식 (3)으로 나타나는 기이고, A3이 상기 화학식 (4)로 나타나는 기인 화합물.
(xvi) n1, n2 및 n3이 각각 1이고, A1 및 A2가 각각 상기 화학식 (3)으로 나타나는 기이고, A3이 상기 화학식 (4)로 나타나는 기이고, R3 및 R5가 각각 수소 원자이고, R4 및 R6이 각각 독립적으로 염소 원자, 불소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 니트로기, 트리플루오로메틸기, 트리플루오로메톡실기, 아세틸기 및 시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 이상으로 치환된 페닐기이고, Z1 및 Z2가 각각 산소 원자인 화합물.
모든 비스아조 안료는 또한 결정형일 수 있거나 무정형일 수 있는 결정을 가질 수 있다.
본 발명에 사용될 수 있는 비스아조 안료의 바람직한 예시 화합물은 이하에 열거한다. 예는 결코 이들에 한정되지 않는다. 비스아조 안료에 관한 구조식에 있어서, 화학식 (1)로 나타나는 것은 아조기 상의 치환의 위치에 따라서, 기본형 I, 기본형 II 및 기본형 III으로 분류되고, 및 A1 내지 A3, R1 내지 R6, Z1 및 Z2, 및 n1 내지 n3에 해당하는 잔기만을 각각의 기본형에 대하여 표 1 내지 14 (예시 화합물 1-1 내지 14-5)에 나열한다.
<기본형 I>
Figure 112006055073730-pat00008
<기본형 II>
Figure 112006055073730-pat00009
<기본형 III>
Figure 112006055073730-pat00010
Figure 112006055073730-pat00011
Figure 112006055073730-pat00012
Figure 112006055073730-pat00013
Figure 112006055073730-pat00014
Figure 112006055073730-pat00015
Figure 112006055073730-pat00016
Figure 112006055073730-pat00017
Figure 112006055073730-pat00018
Figure 112006055073730-pat00019
Figure 112006055073730-pat00020
Figure 112006055073730-pat00021
Figure 112006055073730-pat00022
Figure 112006055073730-pat00023
Figure 112006055073730-pat00024
상기 표 1 내지 14에 나타난 본 발명에 따른 비스아조 안료 중에서, 이하의 예시 화합물 번호의 비스아조 안료는 감광체의 정전 잠상을 형성하기 위한 쓰기 광으로서 사용되는 청색 (자색) 반도체 레이저 광에 대하여 특히 탁월한 감도를 갖고, 그러므로 그것들은 본 발명에 특히 바람직하게 사용될 수 있다.
예시 화합물 번호:
1-8, 1-11, 1-12, 1-13, 1-14, 1-15;
2-2, 2-4, 2-9, 2-10, 2-11, 2-12, 2-13, 2-14;
3-4;
6-1, 6-4, 6-11, 6-12, 6-13, 6-14;
7-3, 7-5, 7-11, 7-12, 7-13; 및
10-11.
추가로, 상기 예시 화합물 번호의 비스아조 화합물 중에서, 예시 화합물 번호 1-11 및 2-4에서 나타난 대칭 구조를 갖는 비스아조 화합물 및 예시 화합물 번호 1-12, 1-13, 1-14, 1-15, 2-9, 2-10, 2-11, 2-12, 2-13, 2-14 및 3-4에서 나타난 비대칭 구조를 갖는 비스아조 화합물은 쓰기 광으로서 백색 광이 사용될 때 또한 탁월한 감도를 갖는 감광체를 얻을 수 있는 것들이다.
상기 비스아조 안료는 2 종 이상의 유형의 조합으로서 사용될 수 있다. 또한 피릴륨 염료, 티아피릴륨 염료, 아줄레늄 염료, 티아시아닌 염료 및 퀴노시아닌 염료과 같은 양이온성 염료 (cationic dye), 스쿠알륨 염 염료, 상기 비스아조 안료 이외의 아조 안료, 안탄트론 안료, 디벤조피렌퀴논 안료 및 피란트론 안료와 같은 폴리시클릭 퀴논 안료, 인디고 안료, 퀴나크리돈 안료, 페릴렌 안료 및 프탈로시아닌 안료를 포함하는 전하-발생 물질이 임의로 상기의 것과 혼합물 형태로 사용가능하다.
전하 발생층을 형성하는데 사용되는 결착 수지는 포괄적인 절연성 수지 또는 유기 광도전성 중합체로부터 선택될 수 있다. 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 벤잘, 폴리아릴레이트, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 페녹시 수지, 셀룰로오스 수지, 아크릴 수지, 및 폴리우레탄, 및 이들 중 2 종 이상의 공중합체가 바람직하다. 이들 수지는 치환기를 가질 수 있다. 치환기로서, 할로겐 원자, 알킬기, 알콕실기, 니트로기, 시아노기, 트리플루오로메틸기 등이 바람직하다. 결착 수지는 또한 바람직하게는 전하 발생층의 전체 중량에 기초하여 80 중량% 이하, 및 더욱 바람직하게는 60 중량% 이하의 양으로 사용될 수 있다.
전하 발생층은 결착 수지 및 용매와 함께 전하 발생 물질을 분산하여 얻어지는 전하 발생층 도포액으로 코팅하고, 이어서 건조시킴으로써 형성될 수 있다. 분산의 방법으로서, 호모게나이저, 초음파, 볼 밀 (ball mill), 샌드 밀 (sand mill), 분쇄기 (attritor), 롤 밀 (roll mill) 등을 사용하는 방법이 이용가능하다. 전하 발생 물질 및 결착 수지는 바람직하게는 1:0.1 내지 1:4 (중량 비)의 범위의 비율일 수 있다.
전하 발생층 도포액에 사용되는 용매로서, 사용할 결착 수지 및 전하 발생 물질의 용해성 또는 분산 안정성을 고려하여 선택할 수 있다. 그것은 예를 들어, 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산 및 1,2-디메톡시에탄과 같은 에테르, 시클로헥사논, 메틸 에틸 케톤 및 펜타논과 같은 케톤, N,N-디메틸포름아미드과 같은 아민, 메틸 아세테이트 및 에틸 아세테이트와 같은 에스테르, 톨루엔, 크실렌 및 클로로벤젠과 같은 방향족, 메탄올, 에탄올 및 2-프로판올과 같은 알코올, 및 클로로포름, 메틸렌 클로라이드, 디클로로에틸렌, 사염화탄소 및 트리클로로에틸렌과 같은 지방족 할로겐화 탄화수소를 포함할 수 있다.
전하 발생층 도포액을 도포할 때, 침지코팅법 (dip coating), 스프레이 코팅 (spray coating), 스피너 코팅 (spinner coating), 롤러 코팅 (roller coating), 메이어 바 코팅 (Mayer bar coating) 및 블레이트 코팅 (blade coating)으로 예시되는 바와 같은 코팅 방법이 사용될 수 있다.
전하 발생층은 또한 바람직하게는 5 ㎛ 이하, 및 특히 더욱 바람직하게는 0.1 ㎛ 내지 2 ㎛의 층 두께일 수 있다.
전하 발생층에 대하여, 각종 유형일 수 있는 증감제, 산화방지제, 자외선 흡수제, 가소제, 증점제 등이 또한 임의로 첨가될 수 있다.
전하 수송층은 전하 발생층 상에 제공된다.
전하 수송층은 전기장의 존재시에 전하 발생층으로부터의 대전된 캐리어를 수용하고, 상기 물질을 수송하는 기능을 갖는다. 전하 수송층은 결착 수지와 함께 용매 중에 전하 수송 물질을 용해시켜 제조되는 코팅 용액으로 코팅하고, 이어서 건조시킴으로써 형성될 수 있다. 바람직하게는 5 ㎛ 내지 40 ㎛, 더욱 바람직하게는 5 ㎛ 내지 30 ㎛, 및 더욱 더 바람직하게는 5 ㎛ 내지 20 ㎛의 층 두께일 수 있다.
전하 수송 물질은 전자 수송 물질 및 홀 (hole)-수송 물질을 포함한다.
전자 수송 물질은 예를 들어, 2,4,7-트리니트로플루오레논, 2,4,5,7-테트라니트로플루오레논, 클로라닐 및 테트라시아노퀴노디메탄과 같은 전자 흡인성 재료, 및 이들 전자-흡인성 재료를 중합하여 얻는 것을 포함할 수 있다.
홀-수송 물질은 예를 들어, 피렌 및 안트라센과 같은 폴리시클릭 방향족 화합물, 카르바졸 화합물, 인돌 화합물, 옥사졸 화합물, 티아졸 화합물, 옥사디아졸 화합물, 피라졸 화합물, 피라졸린 화합물, 티아디아졸 화합물 및 트리아졸 화합물과 같은 헤테로시클릭 화합물, 히드라존 화합물, 스티릴 화합물, 벤지딘 화합물, 트리아릴메탄 화합물 및 트리페닐아민 화합물을 포함할 수 있다.
이들 전하 수송 물질 중 임의의 것은 단독으로 또는 2 종 이상의 종류의 조합으로 사용될 수 있다.
전하 수송 물질이 피막-형성 특성을 갖지 않는 경우, 적당한 결착 수지가 사용될 수 있다. 전하 수송층에 사용되는 결착 수지는 예를 들어, 아크릴 수지, 폴리아릴레이트, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 폴리스티렌, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체, 폴리아크릴아미드, 폴리아미드 및 염화 고무와 같은 절연성 수지, 및 폴리-N-비닐 카르바졸 및 폴리비닐 안트라센과 같은 유기 광도전성 중합체를 포함할 수 있다. 이들 중 임의의 1 종 또는 2 종 이상이 단독으로 또는 혼합물 또는 공중합체의 형태로 사용될 수 있다.
상기 전하 수송 물질로부터 유도된 기를 주쇄 또는 측쇄 중에 갖는 중합체 (예를 들어, 폴리-N-비닐 카르바졸, 폴리비닐 안트라센)와 같은 전하 수송 물질 및 결착 수지 둘다로서 기능하는 광도전성 수지가 사용될 수 있다.
그러나, 감광층이 도 1에서 나타난 층 형상을 갖고, 그중에 전하 발생층 및 전하 수송층이 이 순서로 지지체 상에 적층되고, 상기의 것이 전자사진 감광체에 사용되는 경우에, 사용되는 반도체 레이저의 발진 파장에 대하여 높은 투과성을 갖는 결착 수지 및 전하 수송 물질을 선택하는 것이 필요하다.
전하 수송층 코팅 용액 중에 사용되는 용매로서, 아세톤 및 메틸 에틸 케톤과 같은 케톤, 테트라히드로푸란 및 디메톡시메탄과 같은 에테르, 메틸 아세테이트 및 에틸 아세테이트와 같은 에스테르, 톨루엔 및 크실렌과 같은 방향족 탄화 수소, 및 클로로벤젠, 클로로포름 및 사염화탄소와 같은 할로겐 원자로 치환된 탄화수소를 사용할 수 있다.
전하 수송층 도포액을 도포할 때, 침지코팅법, 스프레이 코팅, 스피너 코팅, 롤러 코팅, 메이어 바 코팅 및 블레이드 코팅으로 예시되는 도포법을 사용할 수 있다.
전하 수송층에, 산화방지제, 자외선 흡수제, 가소제, 충전제 등을 또한 임의로 첨가할 수 있다.
감광층이 단층형인 경우, 상기 단층형 감광층은 전하 발생 물질 및 전하 수송 물질을 결착 수지 및 용매와 함께 분산하여 얻어지는 단층형 감광층 도포액을 코팅하고, 이어서 건조함으로써 형성될 수 있다.
또한, 보호층은 감광층을 기계적 외부 힘, 화학적 외부 힘 등으로부터 보호하고, 또한 전사성능 및 크리닝성능을 개선하려는 목적으로 감광층 상에 제공될 수 있다.
보호층은 용매 중에, 폴리비닐 부티랄, 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 폴리우레탄, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-아크릴산 공중합체 또는 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체와 같은 수지를 용해시켜서 얻는 보호층 도포액을 도포하고, 이어서 건조함으로써 형성될 수 있다.
보호층이 전하 수송능을 함께 갖도록 하기 위하여, 보호층은 또한 전하 수송능을 갖는 단량체 물질 또는 중합체형 전하 수송 물질을 각종 유형의 가교-결합 반응에 의하여 경화하여 형성될 수 있다. 경화가 이루어지는 반응은 라디칼 중합, 이온 중합, 열 중합, 광중합, 방사선 중합 (전자선 중합), 플라스마-보조 CVD 및 광-보조 CVD를 포함할 수 있다.
보호층에 도전성 입자, 자외선 흡수제, 내마모성 개량제 등을 추가로 함입할 수 있다. 도전성 입자로서, 산화 주석 입자로 예시되는 금속 산화물이 바람직하다. 내마모성 개량제로서, 불소 수지 미분말, 알루미나, 실리카 등이 바람직하다.
보호층의 층 두께는 바람직하게는 0.5 ㎛ 내지 20 ㎛, 특히 바람직하게는 1 ㎛ 내지 10 ㎛일 수 있다.
유기 감광체의 표면층은 도 1에 나타난 전하 수송층, 도 2에 나타난 전하 발생층, 및 도 3에 나타난 감광층을 의미한다.
다음으로, 본 발명의 전자사진 감광체를 갖는 전자사진 장치의 예는 개략 단면도로서 도 4에 나타난다. 도 4에 나타난 것은 풀-칼라 (full-color) 전자사진 장치이고, 이는 상부에 디지탈 풀-칼라-화상 리더 (reader) 부 및 하부에 디지탈 풀-칼라-화상 프린터부를 갖는다.
리더부에 있어서, 원고(30)를 원고-고정 글라스 (glass)(31) 상에 놓고, 노광 램프(32)로부터 노광 스캐닝하고, 이로써 원고(30)로부터 반사된 광학 화상이 렌즈(33)을 통하여 풀-칼라 센서(34) 상에 집광되고, 풀-칼라 색분해 화상 신호를 얻는다. 풀-칼라 색분해 화상 신호는 증폭 회로 (도시하지 않음)를 통하여 비디오 처리 유닛 (도시하지 않음)에 의하여 처리되고, 그후 프린터부로 향해진다.
프린터부에서, 참고 번호 1은 전자사진 감광체를 의미하고, 화살표의 방향에서 회전식으로 지지된다. 전자사진 감광체(1) 주위에, 전-노광 램프(11) (제전 수단; destaticizing means), 코로나 대전기(2) (대전 수단), 레이저 노광 광학계(3) (노광 수단), 전위 센서(12), 색이 다른 4 개의 현상기(4y, 4c, 4m 및 4Bk) (현상 수단), 전자사진 감광체의 표면 상의 광량 검지 수단(13), 전사 수단(5) 및 크리너(6) (크리닝 수단)가 제공된다.
레이저 노광 광학계(3)는 청색 (자색) 반도체 레이저를 갖는다. 그것의 발진 파장은 바람직하게는 380 nm 내지 500 nm, 더욱 바람직하게는 380 nm 내지 450 nm일 수 있다. 레이저의 유형으로서는, ZnSe 반도체 레이저 및 GaN 반도체 레이저가 바람직하다. 특히, GaN 레이저가 바람직하다. 레이저 노광 출력에 있어서, 바람직하게는 1 mW 이상, 더욱 바람직하게는 3 mW 이상, 특히 바람직하게는 5 mW 이상일 수 있다.
레이저 노광 광학계(3)에 있어서, 리더부로부터 보내진 화상 신호는 레이저 출력부 (도시하지 않음)에서 화상 스캐닝 노광을 위한 광학 신호로 전환되며, 이로써 전환된 레이저 빔은 다각형 미러(3a) 상으로 반사되고, 렌즈(3b) 및 미러(3c)를 통하여 전자사진 감광체(1)의 표면 상에 투영된다. 쓰기 피치 (writing pitch)는 약 400 dpi 내지 약 2,400 dpi로, 빔 스팟 직경은 약 15 ㎛ 내지 약 40 ㎛로 설정된다.
프린터부에서 화상을 형성하는 때에, 전자사진 감광체(1)는 화살표 방향으로 회전한다. 노광 램프(11)에 의하여 제전된 후에 전자사진 감광체(1)를 대전기(2)에 의하여 균일하게 음성으로 정전 대전하고, 그후 각 분해색에 대하여 광학 화상(E)를 조사하여, 전자사진 감광체(1)의 표면 상에 정전 잠상을 형성한다.
다음으로, 소정의 현상기를 작동하여 전자사진 감광체(1)의 표면 상에 정전 잠상을 현상하여, 수지를 기본 물질로서 구성한 1-성분 현상제 (토너) 또는 2-성분 현상제 (각각은 음성 토너를 사용함)을 사용하여 전자사진 감광체(1)의 표면 상에 현상 화상을 형성한다. 현상기는 편심 캠 (eccentric cams) (24y, 24c, 24m 및 24 Bk)을 작동하여 각각의 분해색에 따라서 택일적으로 전자사진 감광체(1)에 접근하도록 고정할 수 있다.
추가로, 전자사진 감광체(1)의 표면 상에 고정된 현상 화상은 1 장의 종이 (전사재)로 전사되고, 이는 전사재인 종이가 고정되어 있는 전사재 카세트(7)로부터, 수송계 및 전사 수단(5)을 통하여, 전자사진 감광체(1)에 대향하는 위치로 전사된다. 이 예에서, 전사 수단(5)은 전사 드럼(5a), 전사 대전기(5b), 1 장의 종이 (전사재)를 정전흡착하기 위한 흡착 대전기(5c), 거기에 대항하여 제공된 흡착 롤러(5g), 내측 대전기(5d), 및 외측 대전기(5e)를 갖는다. 회전구동할 수 있도록 축으로 지지된 전사 드럼(5a)은 유전체로 제조된 전사재 담지 시트(5f)를 갖고, 이는 그것의 외면 상의 개방 구역에서 원통형으로 일체적으로 연신된다. 전사재 담지 시트(5f)로서, 유전체 시트, 예를 들어 폴리카르보네이트 피막이 사용된다.
전사 드럼(5a)이 회전되면, 전자사진 감광체(1) 표면 상의 현상된 화상이 전사 대전기(5b)에 의하여 전사 드럼(5a)의 전사재 담지 시트(5f) 상에 고정된 종이 시트(전사재)로 전사된다.
이 방법으로, 원하는 수의 색 화상이 전사재 담지 시트(5f) 상에 흡착되고 수송된 종이 시트 (전사재)로 전사되고, 이로 인해 풀-칼라 화상이 형성된다.
풀-칼라 화상이 형성되는 경우, 이로 인해 4-색 현상된 화상의 전사가 완성되고, 이로써 종이 시트 (전사재)가 분리 집게 (separation claw)(8a), 분리 푸쉬-업 롤러(8b) 및 분리 대전기(5h)의 작용으로 전사 드럼(5a)로부터 분리되고, 그후 열 롤러 정착기(9)를 통하여 트레이(10)로 나간다.
그동안, 전사 후의 전자사진 감광체(1)는 크리너(6)로 표면 상에 잔류하는 토너를 제거하여 세척하고, 그후 화상 형성 단계를 다시 한다.
종이 시트 (전사재)의 양면에 화상을 형성하는 경우, 종이가 정착기(9)밖으로 배출된 직후, 수송 경로 스위치 가이드(19)를 구동하여 수송 수직 경로(20)를 통하여 반전 경로(21a)로 일단 종이를 안내하고, 그후 반전 롤러(21b)는 역으로 회전하여 롤러로 들어갈 때의 말단을 선두로 하여 종이 시트가 롤러로 보내지는 방향의 반대 방향으로 회수되도록 하고, 중간 트레이(22)에서 받는다. 그후, 화상은 상기 화상 형성 단계를 통하여 다른 면에도 다시 형성된다.
예를 들어, 분말이 전사 드럼(5a)의 전사재 담지 시트(5f)로 분산되고 부착되는 것을 방지하고, 오일이 종이 (전사재) 상으로 부착되는 것을 방지하기 위하여, 털 브러쉬(14) 및 전사재 담지 시트(5f)를 통하여 털 브러쉬(14)에 대향하여 고정된 백-업 브러쉬(15), 및 오일-제거 롤러(16) 및 전사재 담지 시트(5f)를 통하여 오일-제거 롤러(16)에 대향하여 고정된 백-업 브러쉬(17)의 작용으로 크리닝이 또한 수행된다. 상기 크리닝은 화상 형성 전 또는 화상 형성 후에 수행될 수 있거나, 잼 (종이 잼)이 일어나는 임의의 때에 수행될 수 있다.
또한 본 예에 있어서, 원하는 타이밍에서 편심 캠(25)을 작동하여 전사 드럼(5a)과 일체화된 캠 팔로워(5i)를 작동시켜, 이로써 전사재 담지 시트(5f)와 전자사진 감광체(1) 사이의 갭을 원하는대로 설정할 수 있다. 예를 들어, 준비 중이나 전원이 꺼진 때에, 전사 드럼(5a)과 전자사진 감광체(1) 사이의 간격이 유지된다.
다음으로, 본 발명의 전자사진 감광체를 갖는 프로세스 카트리지의 예는 개략 단면도로서 도 5에 나타나 있다.
도 5에 나타난 장치에서, 적어도 전자사진 감광체(1), 코로나 대전기(2) 및 현상 수단(4)을 용기(35)에 받아서 프로세스 카트리지를 제조한다. 프로세스 카트리지는 장치 본체에 레일과 같은 안내 수단(34)를 사용하여 착탈식으로 장착되도록 구성된다. 크리닝 수단(6)은 용기(35) 내에 반드시 제공될 필요는 없다.
또한 도 6 및 7에 나타난 바와 같이, 접촉 대전 부재(2a)는 대전 수단으로서 사용될 수 있고, 전압이 인가된 접촉 대전 부재(2a)는 전자사진 감광체(1)와 접촉하여 전자사진 감광체(1)를 정전적으로 대전시킬 수 있다 (이하에서, 이 대전법을 접촉 대전이라 지칭한다). 도 6 및 7에 나타난 장치에서, 전자사진 감광체에 고정된 토너 화상은 접촉 전사 수단(5i)에 의하여 전사재(7a)로 전사된다. 더욱 구체적으로, 전압이 인가된 접촉 전사 수단(5i)은 전사재(7a)와 접촉하여 전자사진 감광체 상에 고정된 토너 화상을 전사재(7a)로 전사한다.
또한, 도 7에 나타난 장치에서, 적어도 전자사진 감광체(1) 및 접촉 대전 부재(2a)를 제1 용기(36) 내에 받아서, 제1 프로세스 카트리지를 제조하고, 적어도 현상 수단(4)을 제2 용기(37) 내에 받아서 제2 프로세스 카트리지를 제조한다. 이러한 제1 프로세스 카트리지 및 제2 프로세스 카트리지는 장치 본체에 착탈식으로 장착되도록 구성된다. 크리닝 수단(6)은 용기(36) 내에 반드시 제공될 필요는 없다.
본 발명의 전자사진 감광체를 갖는 전자사진 장치에 사용되는 현상제 (토너)를 다음에 기재한다.
본 발명에 사용되는 토너는 바람직하게는 특정 입도 분포를 갖는다. 입자 직경이 5 ㎛ 이하의 토너 입자가 17 개수% 미만인 경우, 토너가 대량으로 소비되는 경향이 있다. 또한, 토너가 부피-평균 입자 직경 Dv (㎛)가 8 ㎛ 이상이고 중량-평균 입자 직경 D4 (㎛)가 9 ㎛ 이상인 경우, 100 ㎛ 이하의 도트의 해상성이 저하되는 경향이 있고, 이 경향은 본 발명에서 달성할 수 있는 15 내지 40 ㎛의 도트의 해상도에 있어서 더욱 현저하다. 상기 경우에, 심지어 다른 현상 조건 하에서 무리하게 설계된 현상을 수행하려 할 때에도, 두꺼운 라인 화상 또는 토너 분산이 일어나는 경향이 있거나 토너가 대량으로 소비되는 것과 같이 안정한 현상 성능을 얻기 어려울 수 있다.
한편, 입자 직경이 5 ㎛ 이하의 토너 입자가 90 개수%를 넘는 경우, 현상을 안정하게 수행하기 어려우며, 화상 밀도가 저하되는 어려움이 있다. 해상능을 더욱 향상시키기 위하여, 토너가 바람직하게는 3.0 ㎛≤Dv≤6.0 ㎛이고 3.5 ㎛≤D4≤6.5 ㎛인 미립자 직경을 갖는 토너일 수 있고, 더욱 바람직하게는 3.2 ㎛≤Dv≤5.8 ㎛이고 3.6 ㎛≤D4≤6.3 ㎛일 수 있다.
토너에 사용되는 결착 수지로서, 폴리스티렌, 스티렌-아크릴레이트 공중합체, 스티렌-메타크릴레이트 공중합체 및 스티렌-부타디엔 공중합체와 같은 스티렌 단독중합체 또는 공중합체, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 및 석유계 수지를 포함할 수 있다.
정착 시에 정착 부재로부터 이형성을 향상하고 정착성을 향상하려는 관점에서, 이하에 나타난 왁스를 토너에 합입시키는 것이 바람직하다. 왁스는 파라핀 왁스 및 그의 유도체, 미세결정성 왁스 및 그의 유도체, 피셔-트롭쉬 (Fischer-Tropsch) 왁스 및 그의 유도체, 폴리올레핀 왁스 및 그의 유도체 및 카르나우바 왁스 및 그의 유도체를 포함할 수 있다. 유도체는 산화물, 비닐 단량체와의 블록 공중합체, 및 그라프트 변성물을 포함한다. 이외에, 장쇄 알코올, 장쇄 지방산, 산 아미드 화합물, 에스테르 화합물, 케톤 화합물, 경화 피마자유 및 그의 유도체, 식물계 왁스, 동물계 왁스, 광물계 왁스 및 바세린 (petrolatum)이 또한 이용가능하다.
토너에 사용되는 착색제에 있어서, 통상적으로 알려진 무기 안료, 유기 염료 및 유기 안료가 사용될 수 있다. 이는 예를 들어, 카본 블랙, 아닐린 블랙, 아세틸렌 블랙, 나프톨 옐로우 (Naphthol Yellow), 한자 옐로우 (Hanza Yellow), 로다민 레이크 (Rhodamine Lake), 알리자린 레이크 (Alizarine Lake), 레드 아이롱 옥시드 (red iron oxide), 프탈로시아닌 블루 (Phthalocyanine Blue) 및 인단트렌 블루 (Indanthrene Blue)를 포함할 수 있다. 이중 임의의 것이 보통 결착 수지 100 중량부를 기준으로 0.5 내지 20 중량부의 양으로 사용될 수 있다.
자성체가 또한 토너 구성성분으로서 사용될 수 있다. 자성체는 철, 코발트, 니켈, 구리, 마그네슘, 망간, 알루미늄 또는 규소와 같은 원소를 함유하는 자성 금속 산화물을 포함할 수 있다. 이들 중, 사산화삼철 및 γ-철 산화물과 같은 자성 철 산화물로 주로 구성된 것이 바람직하다.
토너의 대전 조절의 목적으로, 니그로신 (Nigrosine) 염료, 4급 암모늄염, 살리실산 금속 착체, 살리실산 금속 염, 살리실산 유도체 금속 착체, 살리실산, 아세틸아세톤 등이 또한 사용가능하다.
본 발명의 전자사진 감광체를 갖는 전자사진 장치에 사용되는 토너는 바람직하게는 토너 입자 표면 상에 무기 미분말을 가질 수 있다. 이는 현상 효율, 정전 잠상의 재현성 및 전사 효율을 향상시키고, 포그 (fog)가 덜 일어나도록 하는데 효과적이다.
무기 미분말은 예를 들어서, 콜로이드성 실리카, 산화 티타늄, 산화 철, 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 티탄산 칼슘, 티탄산 바륨, 티탄산 스트론튬, 티탄산 마그네슘, 산화 세륨, 산화 지르코늄 등에서 형성된 미분말을 포함할 수 있다. 이들 중 1 종 또는 2 종 이상은 단독으로 또는 혼합물의 형태로 사용될 수 있다. 이들 중, 티타니아, 알루미나 및 실리카와 같은 산화물 또는 복산화물의 미분말이 바람직하다.
상기 무기 미분말은 또한 바람직하게는 소수화 처리를 받은 것이다. 특히, 무기 미분말은 바람직하게는 실란 커플화제 또는 실리콘 오일로 표면 처리를 받은 것일 수 있다. 상기 소수 처리의 방법에 있어서, 무기 미분말을 무기 미분말에 반응하거나 물리적으로 흡착할 수 있는 실란 커플화제 또는 티타늄 커플화제와 같은 유기 금속 화합물로 처리하는 방법, 및 무기 미분말을 실란 커플화제로 처리한 후 또는 실란 커플화제로 처리한 동시에 실리콘 오일과 같은 유기규소 화합물로 처리하는 방법을 사용할 수 있다.
무기 미립자는, BET 법에 따라서 측정한 질소 흡착에 따라서, BET 비표면적이 바람직하게는 30 m2/g 이상, 특히 50~400 m2/g 의 범위일 수 있다.
소수화 처리된 무기 미분말은, 토너 입자 100 중량부를 기준으로 바람직하게는 0.01 내지 8 중량부, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 5 중량부, 특히 더욱 더 바람직하게는 0.2 내지 3 중량부의 양으로 사용될 수 있다.
토너에, 실질적으로 토너에 악영향을 미치지 않는 한, 다른 첨가제가 추가로 첨가될 수 있다. 그들은, 예를 들어, 폴리테트라플루오로에틸렌 분말, 아연 스테아레이트 분말 및 폴리비닐리덴 플루오라이드 분말과 같은 윤활제 분말; 산화 세륨 분말, 탄화 규소 분말 및 티탄산 스트론튬 분말과 같은 연마제; 산화 티타늄 분말 및 산화 알루미늄 분말과 같은 유동-부여제; 케이크-방지제; 카본 블랙 분말, 산화 아연 분말 및 산화 주석 분말과 같은 도전성-부여제; 및 토너의 극성에 반대의 극성을 갖는 유기 미립자 및 무기 미립자와 같은 현상성 향상제를 포함할 수 있다.
토너를 제조하기 위하여, 공지의 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어, 결착 수지, 왁스, 금속 염 또는 금속 착체, 착색제로서 안료, 염료 또는 자성체, 및 임의로 전하조절제 및 다른 첨가제를 헨셀 믹서 (Henschel mixer) 또는 볼 밀과 같은 혼합기로 완전히 혼합되고, 그후 얻어진 혼합물을 가열 롤 (heat roll), 혼련기 (kneader) 또는 압출기 (extruder)와 같은 가열 혼련기로 용융-혼련하여 수지 등을 서로 용융시키고, 여기서 금속 화합물 및 안료, 염료 및 자성체를 분산하거나 용해시키도록 하고, 이어서 냉각 고체화 및 그후의 분쇄 및 엄밀한 분급을 한다. 이로써, 토너를 얻을 수 있다. 분급 공정에서, 생산성 효율의 측면에서 바람직하게는 다분할 분급기를 사용할 수 있다.
토너는 또한 중합가능 단량체, 착색제 등을 수성 매질 중에 현탁시키고 중합을 수행하여 직접 토너 입자를 제조하는 방법, 또는 유화 중합 등에 의하여 얻어진 중합체 미립자를 수성 매질 중에 분산시켜 그것이 착색제와 함께 회합 및 융착하게 하는 방법에 의하여 제조될 수 있다.
또한, 토너는 자성 1-성분 현상제 또는 비-자성 1-성분 현상제로서 사용될 수 있거나, 캐리어 입자와 혼합되어 2-성분 현상제로서 사용될 수 있다.
본 발명의 전자사진 감광체를 갖는 전자사진 장치의 현상 시스템으로서, 토너 함유 현상제를 전자사진 감광체의 표면과 접촉하게 하여, 반전 현상을 수행하게 하는 시스템이 바람직하다. 토너 및 자성 캐리어를 사용하는 자성-브러쉬 현상 방법을 사용하는 경우, 자성 캐리어로서 예를 들어, 자성 페라이트, 마그네타이트 또는 철 분말, 또는 그것을 아크릴 수지, 실리콘 수지 또는 불소 수지와 같은 수지로 코팅하여 얻은 것이 사용된다.
본 발명에 따라서, 청색 (자색) 반도체 레이저 광원에 대하여 높은 분광 감도를 갖고, 그것의 내구를 통하여 내구 전위 변동을 덜 일으키고, 안정한 고해상도 화상을 형성할 수 있는 전자사진 감광체가 제공된다.
본 발명에 따라서, 할로겐 램프와 같은 백색 광원에도 고감도인 전자사진 감광체가 또한 제공된다.
본 발명에 따라서, 상기 전자사진 감광체를 사용하여 고품질 전자사진 화상을 안정적으로 제공할 수 있는 전자사진 장치 및 그안에 사용가능한 프로세스 카트리지가 추가로 제공된다.
<실시예>
주어진 실시예에서 이하에서 본 발명을 더욱 자세히 설명하지만, 본 발명을 한정하지 않는다.
합성예 1
(예시 화합물 6-2의 합성)
이온교환수 (도전성: 1x10-4 S/m; 이하에서 동일하게 적용) 1,500 ml, 진한 염산 45.6 ml (0.5 몰) 및 4,4'-디아미노벤조일바이페닐 18 g (0.062 몰)을 3 리터 비이커에 넣고, 이를 0 ℃로 냉각시켰다. 이온교환수 22.5 ml 중의 아질산 나트륨 9.045 g (0.13 몰)을 용해시켜 제조된 용액을 액체 온도가 -1 내지 3 ℃로 유지되는 동안 26 분에 걸쳐 용액에 적가하였다. 그후, 결과 혼합물을 액체 온도 0 내지 5 ℃에서 60 분 동안 교반한 후, 활성탄 1.5 g을 거기에 첨가하고, 이를 5 분 동안 교반하고, 흡인 여과를 하였다. 이로써 얻어진 여과물을 액체 온도 0 내지 5 ℃로 유지하고, 거기에 이온교환수 80 ml 중에 소듐 보로플루오라이드 23.993 g (0.22 몰)를 용해시켜서 제조된 용액을 교반하면서 17 분에 걸쳐서 적가하고, 그후 이를 40 분 동안 교반하였다. 이로써 침전된 결정을 흡인 여과하였다. 다음으로, 얻어진 여과 생성물을 액체 온도 0 내지 5 ℃를 유지하면서 5 % 소듐 보로플루오라이드 수용액 600 ml로 40 분 동안 분산 세척하고, 이어서 흡인 여과하였다. 얻어진 여과 생성물을 액체 온도 0 내지 5 ℃를 유지하면서, 아세토니트릴 450 ml 및 이소프로필 에테르 1,000 ml의 혼합 용매로 40 분 동안 추가로 분산 세척하고, 이어서 흡인 여과하였다. 아세토니트릴 200 ml 및 이소프로필 에테르 500 ml의 혼합 용매로 2 회 여과기를 통하여 세척한 후, 여과 생성물을 실온에서 감압 건조하여, 보로플루오라이드를 얻었다 (수율: 22.63 g, 74.6 %; 분해점: 125.5 ℃).
다음으로, N,N-디메틸포름아미드 100 ml를 300-ml 비이커에 넣고, 하기 화학식을 갖는 화합물 2.43 g (0.0065 몰)을 거기에 용해시키고, 이어서 액체 온도 0 ℃로 냉각하였다. 그후, 상기 단계에서 얻어진 보로플루오라이드 1.5 g (0.0031 몰)을 거기에 첨가하고, 그후, 이를 1 분 동안 교반한 후에, N-메틸모르폴린 0.72 g (0.0071 몰)을 3 분에 걸쳐 적가하였다. 그후, 이를 액체 온도 0 내지 5 ℃에서 2 시간 동안 교반하였고, 실온에서 1 시간 동안 추가로 교반하였고, 이어서 흡인 여과하였다. N,N-디메틸포름아미드 200 ml로 2 회 여과기를 통하여 세척하였다. 나온 여과 생성물을 N,N-디메틸포름아미드 150 ml로 2 시간 동안 4 회 분산 세척하고, 추가로 이온교환수 200 ml로 2 시간 동안 4 회 분산 세척하고, 이어서 동결 건조하여 예시 화합물 6-2를 얻었다 (수율: 2.32 g, 70.9 %). 또한, 이상의 제조 단계를 모두 황색 광 하에서 수행하였다.
Figure 112006055073730-pat00025
실시예 1
전자사진 감광체를 이하의 방법으로 제조하였다. 이하에서, "부"는 "중량부"를 지칭한다.
10 %의 산화 안티몬을 함유하는 산화 주석으로 피복된 도전성 산화 티탄 입자 50 부, 페놀 수지 25 부, 메틸셀로솔브 20 부, 메탄올 5 부 및 실리콘 오일 (폴리디메틸실록산-폴리옥시알킬렌 공중합체; 수평균 분자량: 3,000) 0.002 부를 직경 0.8 mm의 유리 비드를 사용하는 샌드 밀로 2 시간 동안 분산하여, 도전층용 코팅 분산액을 제조하였다.
알루미늄 소관 (crude pipe) (ED 관) (쇼와 덴코 케이. 케이. (Showa Denko K.K.)로부터 입수 가능함; 직경 30 mm x 길이 357.5 mm; Rz jis: 0.8 ㎛) 상에 상기 도전층용 코팅 분산액을 침지코팅하고, 이어서 140 ℃에서 30 분 동안 건조하여 층 두께가 15 ㎛인 도전층을 형성하였다.
다음으로, 메톡시메틸화 나이론 수지 (수평균 분자량: 32,000) 30 부 및 알코올-용해성 공중합체 나일론 수지 (수평균 분자량: 29,000) 10 부를 메탄올 260 부 및 부탄올 40 부의 혼합 용매 중에 용해하여 제조된 중간층 피복 용액을 도전층 상에 침지코팅하고, 이어서 100 ℃에서 10 분 동안 건조하여 층 두께가 0.4 ㎛인 중간층을 형성하였다.
다음으로, 합성예 1에서 얻은 비스아조 안료 (예시 화합물 6-2) 10 부를 시클로헥사논 215 부에 첨가하고, 그후 직경 0.8 mm의 유리 비드를 사용한 샌드 밀로 20 ℃에서 20 시간 동안 전-분산하였다. 추가로, 폴리(비닐 아세테이트-코-비닐 알코올-코-비닐벤잘) (벤잘화도: 80 몰%; 중량 평균 분자량: 83,000) 5 부를 시클로헥사논 45 부 중에 용해하여 제조된 용액을 첨가하고, 샌드 밀로 20 ℃에서 2 시간 동안 분산하고, 이어서 메틸 에틸 케톤 325 부를 첨가하여 희석하여 전하 발생층 코팅 분산액을 제조하였다. 이 코팅 분산액을 중간층 상에 침지코팅하고, 이어서 80 ℃에서 10 분 동안 건조하여 층 두께가 0.30 ㎛인 전하 발생층을 형성하였다.
다음으로, 하기 화학식으로 나타나는 구조를 갖는 전하 수송 물질(A) 7 부 및 폴리카르보네이트 수지 (상표명: 이우필론 (IUPILON) Z-200; 미츠비시 엔지니어링 플라스틱스사 (Mitsubishi Engineering Plastics Co.)로부터 입수 가능함) 10 부를 모노클로로벤젠 70 부 및 메틸랄 5 부의 혼합 용매에 용해하여 전하 수송층 코팅 용액를 제조하고, 그후 이를 전하 발생층 상에 침지코팅하고, 이어서 120 ℃에서 1 시간 동안 건조하여 층 두께가 12 ㎛인 전하 수송층을 형성하였다.
Figure 112006055073730-pat00026
다음으로, 폴리테트라플루오로에틸렌 수지 미분말 (상표명: 루브론 (LUBRON) L-2; 다이킨 인더스트리스 엘티디 (Daikin Industries, Ltd.)로부터 입수 가능함) 3 부, 폴리카르보네이트 수지 (상표명: 이우필론 Z-800; 미츠비시 엔지니어링 플라스틱스사로부터 입수 가능함) 6 부, 콤브 (comb) 불소계 그라프트 중합체 (상표명: GF300; 토아고세이 케미칼 인더스트리사 엘티디 (Toagosei Chemical Industry Co. Ltd.)로부터 입수 가능함) 0.24 부, 모노클로로벤젠 120 부 및 메틸랄 80 부를 초고압 분산기로 분산 혼합하였다. 얻어진 분산액에 상기 나타난 전하 수송 물질 (A) 3 부를 첨가하고, 혼합하여 그것을 용해하였다. 결과 분산액 (보호층 코팅 분산액)을 전하 수송층 상에 스프레이-코팅하고, 이어서 80 ℃에서 10 분 동안 건조하고, 그후 120 ℃에서 50 분 동안 건조하였다. 그후, 표면을 연마 시트 (랩핑 테이프 (lapping tape); 연마 입자; 알루미나; 연마 입자 직경: #3000; 후지 포토 필름사 (Fuji Photo Film Co. Ltd.)에서 입수 가능함)을 사용하여 1 분 동안 연마하여 층 두께가 3 ㎛이고 10점 평균 조도가 Rz jis 0.7 ㎛인 보호층을 형성하여 전자사진 감광체를 얻었다.
다음으로, 이 전자사진 감광체에 기어 (gear) 및 플랜지 (flange)를 맞추고, 기어 및 플랜지를 갖는 감광체를 모노크롬 복사기 (GP-215; 캐논 인크. (Canon Inc.)에서 제조)에 장착하였다. 그것의 노광 수단의 레이저 노광 광학계에, 발진 파장이 403 nm이고 출력이 5 mW인 GaN 칩 (니시아 카가쿠 코교 케이.케이. (Nichia Kagaku Kogyo K.K.)에서 제조)을 탑재하고, 시스템을 빔 스팟이 28 ㎛이 되도록 개조하였다. 23 ℃/55 % RH의 환경에서 -700 V의 전하 전위 (Vd)로 설정하였을 때, -200 V의 명전위(Vl)에서의 광량을 감도 Δ500 (Vㆍcm2/μJ)로 간주하여 측정하였다. 그 결과, 이는 560 (Vㆍcm2/μJ)였다. 이로써, 매우 높은 감도를 갖는 전자사진 감광체를 얻었다.
실시예 2 내지 27
실시예 1에서 사용된 전자사진 감광체의 비스아조 안료를 각각 표 15에서 나타낸 예시 화합물로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 감도 Δ500 (Vㆍcm2/μJ)를 측정하였다. 그 결과, 표 15에 나타난 바와 같이 각각 매우 높은 감도를 갖는 전자사진 감광체가 얻어진다는 것을 확인하였다.
비교예 1 내지 6
실시예 1에서 사용된 전자사진 감광체 중의 비스아조 안료를 각각 이하의 화학식으로 나타나는 구조를 갖는 비교 비스아조 안료 (A) 내지 (F)로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 감도 Δ500 (Vㆍcm2/μJ)를 측정하였다. 그 결과, 표 15에서 나타난 바와 같이 각각 저감도를 갖는 전자사진 감광체 만이 얻어진다는 것을 확인하였다.
비교 비스아조 안료 (A)
Figure 112006055073730-pat00027
비교 비스아조 안료 (B)
Figure 112006055073730-pat00028
비교 비스아조 안료 (C)
Figure 112006055073730-pat00029
비교 비스아조 안료 (D)
Figure 112006055073730-pat00030
비교 비스아조 안료 (E)
Figure 112006055073730-pat00031
비교 비스아조 안료 (F)
Figure 112006055073730-pat00032
Figure 112006055073730-pat00033
Figure 112006055073730-pat00034
실시예 28
알루미늄 소관 (ED 관) (쇼와 덴코 케이.케이에서 입수 가능함; 30 mm 직경 x 370 mm 길이; Rz jis: 0.8 ㎛)을 액체-호닝 처리하여 얻은 실린더 (Rz jis: 1.8 ㎛) 상에, 6-66-610-12 사원계폴리아미드 공중합체 수지 5 부를 메탄올 70 부 및 부탄올 25 부의 혼합 용매 중에 용해하여 제조된 용액을 침지코팅하고, 이어서 100 ℃에서 10 분 동안 건조하여 층 두께가 0.5 ㎛인 중간층을 형성하였다.
다음으로, 비스아조 안료 (예시 화합물 1-8) 15 부를 테트라히드로푸란 215 부에 첨가하고, 그후 직경 1 mm인 유리 비드를 사용하는 샌드 밀로 25 ℃에서 40 시간 동안 전분산하였다. 추가로, 폴리(비닐 아세테이트-코-비닐 알코올-코-비닐(p-플루오로)벤잘) (벤잘화도: 85 몰%; 중량-평균 분자량:160,000) 5 부를 테트라히드로푸란 45 부 중에 용해하여 제조된 용액을 첨가하고, 이를 샌드 밀로 30 ℃에서 5 시간 동안 분산시키고, 이어서 테트로히드로푸란 150 부 및 시클로헥사논 175 부를 첨가하고 희석하여 전하 발생층 코팅 분산액을 제조하였다. 이 코팅 분산액을 중간층 상에 침지코팅하고, 이어서 90 ℃에서 10 분 동안 건조하여, 층 두께가 0.40 ㎛인 전하 발생층을 형성하였다.
다음으로, 이하의 화학식으로 나타나는 구조를 갖는 전하 수송 물질 (A) 8부,
Figure 112006055073730-pat00035
이하의 화학식으로 나타나는 구조를 갖는 전하 수송 물질 (B) 2 부,
Figure 112006055073730-pat00036
및 폴리카르보네이트 수지 (상표명: 이우필론 Z-400; 미츠비시 엔지니어링 플라스틱스사로부터 입수 가능함) 10 부를 모노클로로벤젠 70 부 중에 용해하여, 전하 수송층 코팅 용액을 제조하고, 그후 이를 전하 발생층 상에 침지코팅하고, 이어서 100 ℃에서 1 시간 동안 건조하여 층 두께가 10 ㎛인 전하 수송층을 형성하였다.
다음으로, 이하의 화학식으로 나타나는 구조를 갖는 전하 수송 물질 (C) 36 부,
Figure 112006055073730-pat00037
및 폴리테트라플루오로에틸렌 수지 미분말 (상표명: 루브론 L-2; 다이킨 인더스트리스 엘티디로부터 입수 가능함) 4 부를 n-프로필 알코올 60 부 중에서 혼합하였다. 그후, 이를 초고압 분산기로 분산 혼합하여, 보호층 코팅 분산액을 제조하였다. 이 코팅 분산액을 사용하여, 전하 수송층 상에 코팅하여 보호층을 형성하고, 그후 이를 질소 대기 중에서 가속 전압 150 kV 및 용량 1.5 Mrad 조건 하에서 전자선을 조사하였다. 그후, 이어서 감광체의 온도가 120 ℃인 조건 하에서 3 분 동안 가열 처리를 수행하였다. 이 처리에서, 산소 농도는 20 ppm이었다. 추가로, 감광체를 대기 중에서 110 ℃에서 1 시간 동안 후-처리하여 층 두께가 5 ㎛인 처리된 보호층을 형성하였다. 이로써, 전자사진 감광체를 얻었다.
이렇게 얻은 전자사진 감광체에 기어 및 플랜지를 맞추고, 기어 및 플랜지가 있는 감광체를 풀-칼라 복사기 (iRC3200, 캐논 인크에서 제조)에 장착하였다. 노광 수단의 레이저 노광 광학계에, 발진 파장이 407 nm이고 출력이 5 mW인 GaN 칩 (니시아 카가쿠 코교 케이.케이.에서 제조)을 탑재하고, 시스템을 빔 스팟이 32 ㎛이 되도록 개조하였다.
20 ℃/60 % RH의 환경에서, 전하 전위 (Vd), 명전위(Vl) 및 현상 바이어스 (Vbis)가 각각 -500 V, -200 V 및 -350 V가 되도록 설정하여, 1 도트 1 스페이스 화상 및 문자 (5 포인트) 화상을 출력하였다. 전하 전위 (Vd) 및 명전위(Vl)를 5,000 장 화상 출력 후에 측정하였다. 그 결과, 그것은 각각 -505 V 및 -215 V 였다. 이 화상 출력 중에, 초기 상태부터 5,000 장 화상 출력 완료 까지의 Vd 및 Vl의 변동 수준이 작은 (ΔVd = +5 V, ΔVl = +15 V;로 나타나고 이하에서 같다), 양호한 결과를 나타내었다. 또한 출력된 화상의 시각적 평가에 있어서, 초기 단계부터 5,000 장 화상 출력까지 도트 재현성 및 문자 재현성이 양호하고 고해상도를 갖는 풀-칼라 화상을 얻었다.
실시예 29 내지 32
실시예 28에서 사용된 전자사진 감광체의 비스아조 안료를 각각 표 16에 나타낸 예시 화합물로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 28과 동일한 방법으로 ΔVd 및 ΔVl의 측정 및 화상의 시각적 평가를 하였다. 그 결과, 표 16에 나타난 바와 같이, 내구 전위 변동이 실시예 28의 것과 같이 작았고, 고해상도를 갖는 풀-칼라 화상을 얻는다는 것을 확인하였다.
비교예 7 내지 12
실시예 28에서 사용된 전자사진 감광체의 비스아조 안료를 각각 표 16에서 나타낸 비스아조 안료로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 28과 동일한 방법으로 ΔVd 및 ΔVl의 측정 및 화상의 시각적 평가를 하였다. 그 결과, 표 16에 나타난 바와 같이, 비교예 8, 9 및 10에서, 감도가 너무 낮아 광량을 조절하여도 명전위를 -200 V로 설정할 수 없었고, 또한 비교예 7, 11 및 12에서 내구 전위 변동이 매우 커서 내구를 통하여 고해상도를 갖는 풀-칼라 화상이 얻어지지 않음을 확인하였다.
Figure 112006055073730-pat00038
실시예 33
실시예 28에서 사용된 전자사진 감광체 중의 전하 수송 물질을 전하 수송 물질(A) 8 부 및 전하 수송 물질(B) 2 부에서 하기 화학식으로 나타나는 구조를 갖는 전하 수송 물질 (D) 10 부로 변경한 것을 제외하고는, 실시예 28과 동일한 방법으로 ΔVd 및 ΔVl의 측정 및 화상의 시각적 평가를 하였다.
Figure 112006055073730-pat00039
그 결과, ΔVd = +5 V 이고 ΔVl = -10 V이고, 이로써 내구 전후의 내구 전위 변동이 작은, 양호한 결과를 나타나고, 또한 시각적 평가에서 내구를 통하여 고해상도를 갖는 풀-칼라 화상을 얻는다는 것을 확인하였다.
실시예 34
실시예 28에서 사용된 전자사진 감광체의 전하 수송층의 층 두께를 10 ㎛에서 15 ㎛로 변경하고 보호층을 형성하지 않는 것을 제외하고는, 실시예 28과 동일한 방법으로 ΔVd 및 ΔVl의 측정 및 화상의 시각적 평가를 하였다. 그 결과, ΔVd = 0 V이고 ΔVl = +5 V로 내구 전후에서 내구 전위 변동이 작은, 양호한 결과를 나타내고, 또한 화상의 시각적 평가에서 내구를 통하여 고해상도를 갖는 풀-칼라 화상을 얻는다는 것을 확인하였다.
실시예 35
실시예 29에서 사용되는 전자사진 감광체의 지지체를 알루미늄 소관 (ED 관)에서 절삭 알루미늄 실린더 (쇼와 덴코 케이.케이.에서 입수 가능함; 30 mm 직경 x 370 mm 길이; Rz jis: 1.5 ㎛)로 변경하고, 중간층을 형성하지 않고 실린더 상에 코팅하여 직접 전하 수송층을 형성하고, 전하 수송층의 층 두께를 0.4 ㎛에서 0.6 ㎛로 변경하는 것을 제외하고는, 실시예 29와 동일한 방법으로 ΔVd 및 ΔVl의 측정 및 화상의 시각적 평가를 하였다. 그 결과, ΔVd = -10 V이고 ΔVl = -20 V로 내구 전후에 내구 전위 변동이 작은, 양호한 결과를 나타내고, 또한 화상의 시각적 평가에서 내구를 통하여 고해상도를 갖는 풀-칼라 화상을 얻는다는 것을 확인하였다.
실시예 36
실시예 35에서 사용되는 전자사진 감광체의 전하 수송층의 두께를 10 ㎛에서 17 ㎛로 변경하고 보호층을 형성하지 않는 것을 제외하고는, 실시예 35와 동일한 방법으로 ΔVd 및 ΔVl의 측정 및 화상의 시각적 평가를 하였다. 그 결과, ΔVd = -5 V이고 ΔVl = -15 V로 내구 전후에 내구 전위 변동이 작은, 양호한 결과를 나타내고, 또한 화상의 시각적 평가에서 내구를 통하여 고해상도를 갖는 풀-칼라 화상을 얻는다는 것을 확인하였다.
실시예 37
실시예 29의 전자사진 감광체의 전하 발생층에서 실시예 29의 전자사진 감광체의 결착 수지를 폴리(비닐 아세테이트-코-비닐 알코올-코-비닐(p-플루오로)벤잘) (벤잘화도: 85 몰%; 중량-평균 분자량: 160,000) 5부에서 폴리비닐 부티랄 수지 (S-LEC BL-S, 세키수이 케미칼사 엘티디. (Sekisui Chemical Co. Ltd.)로부터 얻음) 3 부로 변경한 것을 제외하고, 실시예 29와 동일한 방법으로 ΔVd 및 ΔVl을 측정하고 화상의 시각적 평가를 하였다. 그 결과, ΔVd=-5 V 및 ΔVl=-10 V이고, 내구 전후의 내구 전위 변동이 작은, 양호한 결과를 나타내며, 화상의 시각적 평가에서 내구를 통하여 고해상도를 갖는 풀-칼라 화상이 얻어진다는 것을 확인하였다.
실시예 38
알루미늄 시트 상에서, 메탄올 95 부 중에 메톡시메틸화 나일론 (평균 분자량: 32,000) 5 부 및 알코올-용해성 공중합체 나일론 (평균 분자량: 29,000) 10 부를 용해하여 제조한 용액을 메이어 바 코팅으로 코팅하고, 이어서 100 ℃에서 10 분 동안 건조하여 층 두께가 1.0 ㎛인 서브층 (subbing layer)을 형성하였다.
다음으로, 비스아조 안료 (예시 화합물 1-11) 0.5 부를 직경 0.8 ±0.3 mm의 유리 비드 22.6 부와 함께 페인트 진탕기 (paint shaker)로 20 시간 동안 교반하면서 4-메톡시-4-메틸-2-펜탄온 9.5 부 중에서 분산시켰다. 얻어진 분산액에, 4-메톡시-4-메틸-2-펜탄온 0.9 부 중에 폴리(비닐 아세테이트-코-비닐 알코올-코-비닐벤잘) (벤잘화도: 80 몰%; 중량-평균 분자량: 83,000) 0.1 부를 용해하여 제조한 용액을 첨가하고, 이를 페인트 진탕기로 2 시간 동안 추가로 분산시키고, 이어서 메틸 에틸 케톤 12 부를 첨가하여 희석하였다. 얻어진 분산액을 전하 발생층 코팅 분산액으로서 사용하고, 메이어 바 코팅으로 서브층 상에 코팅하고, 이어서 60 ℃에서 10 분 동안 건조하여 층 두께가 0.2 ㎛인 전하 발생층을 형성하였다.
다음으로, 이하의 화학식으로 나타나는 구조를 갖는 전하 수송 물질 (A) 10 부 및 폴리카르보네이트 수지 (상표명: 이우필론 Z-200; 미츠비시 엔지니어링 플라스틱스사로부터 입수 가능함) 10 부를 클로로벤젠 70 부 중에 용해하여 전하 수송층 코팅 용액을 제조하였다. 그후 이 코팅 용액은 전하 발생층 상에 메이어 바 코팅으로 코팅하였고, 이어서 100 ℃에서 30 분 동안 건조하여 층 두께가 20 ㎛인 전하 수송층을 형성하였다. 이로써, 시트형 전자사진 감광체를 제조하였다.
Figure 112006055073730-pat00040
실시예 38에서 제조된 전자사진 감광체의 감도를 크기 10 cm2인 NESA 유리를 사용한 직접 전압 인가 시스템의 전자사진 감광체 감도 측정기로 측정하였다. 또한, 측정 순서에 있어서, 전자사진 감광체는 축전기로서 간주되고, 축전기 모델의 순서가 있다. 이 측정은 도 8에 나타난 바와 같이 진행하였다.
상세하게 설명하자면, 우선, 전자사진 감광체의 역사를 제거하기 위하여, 전자사진 감광체를 노광 (화상양식 노광) 및 전-노광 (pre-exposure light)으로 조사하고, 10 밀리초 후에, 소정의 전압 (Va)를 전자사진 감광체에 인가하였다. 다음으로, 20 밀리초 후에, 그것의 전위 (Vd + Vc)를 측정하였다. 측정 후에, 전자사진 감광체의 전위를 바닥으로 강하시켰다. 다음으로, 전위 (Vc)를 측정하였다. 이들 결과로부터의 Vd는 전자사진 감광체의 전위로서 간주되었다. 여기서, 20 밀리초 후에 Vd가 -700 V가 되었을 때, 전자사진 감광체를 노광 파장 (화상양식 노광 파장)에서 403 nm의 광으로 조사하고, 95 밀리초 후에, 그것의 표면 전위를 측정하였다. 광원으로서, 파장 403 nm의 간섭 여과기를 사용하여 단색이 되는 할로겐 램프를 사용하였다. NESA 감도는 표면 전위가 노광 (화상양식 노광)의 결과로 -200 V가 되는 광량으로부터 결정하였다. 그 결과, 매우 높은 감도인 820 (Vㆍcm2/μJ)였다.
실시예 39 내지 50
실시예 38에서 사용된 전자사진 감광체의 비스아조 안료를 각각 표 17에 나타낸 예시 화합물로 변경한 것을 제외하고는, 감도를 실시예 38과 동일한 방법으로 측정하였다. 그 결과, 전자사진 감광체가 표 17에 나타난 바와 같이 매우 높은 감도를 갖는다는 것을 확인하였다.
Figure 112006055073730-pat00041
실시예 51 내지 73
실시예 38에서 사용된 전자사진 감광체의 비스아조 안료를 각각 하기 표 18에 나타낸 예시 화합물로 변경한 것을 제외하고, 실시예 38과 동일한 방법으로 전자사진 감광체를 제조하였다. 다음으로, 실시예 38에서 사용된 전자사진 감광체 감도 측정기에서, 파장 403 nm의 간섭 여과기를 G54 칼라 여과기로 변경하고, 또한 NESA 감도에 있어서, 노광 (화상양식 노광)의 결과로서 표면 전위가 -200 V가 되는 광량으로부터 결정한 것을 노광 (화상양식 노광)의 결과로서 표면 전위가 -350 V가 되는 광량으로부터 결정한 것으로 변경하는 것을 제외하고는, 실시예 51 내지 73에 따른 전자사진 감광체의 각각의 감도를 실시예 38과 동일한 방법으로 측정하였다.
전자사진 감광체 (시트)는 추가로 아날로그 복사기 (NP6035, 캐논 인크에서 제조)의 실린더에 붙어 있다. 초기 단계의 암전위 Vd 및 명전위 Vd를 각각 -700 V 및 -200 V로 설정하고, 각각 감광체를 30,000 회 반복사용하고, 암전위의 변동 수준 (ΔVd) 및 명전위의 변동 수준 (ΔVl)을, 15 ℃/10 %RH (L/L)의 저온 및 저습도 환경 및 35 ℃/85 %RH (H/H)의 고온-고습도 환경의 2 종의 환경에서 측정하였다.
상기 측정의 결과를 표 18에서 함께 나타내었다. 표 18에서, 전위의 변동 수준의 음의 표시는 전위의 절대값이 감소함을 의미하고, 전위의 변동 수준의 양의표시는 전위의 절대값이 증가함을 의미한다.
하기의 표 18에 나타난 바와 같이, 본 실시예 각각에서 사용되는 비스아조 안료가 할로겐 광원 등의 백색 광 등에 대하여 높은 감도를 제공한다. 추가로, 고온 및 고습도 환경 및 저온 및 저습도 환경에서의 ΔVd 및 ΔVl의 전위 변동이 작았다. 실시예 51 내지 63의 비스아조 안료에 있어서, 그들은 매우 양호하여 특히 높은 감도 및 작은 전위 변동을 제공한다.
Figure 112006055073730-pat00042
Figure 112006055073730-pat00043
본 발명의 전자사진 감광체에서는, 특정 구조를 갖는 비스아조 안료가 감광층에 사용되므로, 청색 (자색) 반도체 레이저 광원에 대한 높은 분광 감도를 가지며 조사광을 효율적으로 이용할 수 있는 전자사진 감광체가 제공될 수 있다. 또한, 그것은 그것의 내구를 통하여 내구 전위 변동을 덜 일으킬 수 있고, 안정한 고해상도를 갖는 화상을 형성할 수 있다.

Claims (2)

  1. 지지체 및 감광층을 포함하고, 상기 감광층이 이하의 화학식 (7) 및 화학식 (8)로 나타나는 비스아조 안료들로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상을 포함하는 전자사진 감광체.
    <화학식 7>
    Figure 112006055073730-pat00044
    <화학식 8>
    Figure 112006055073730-pat00045
  2. 지지체 및 감광층을 포함하고, 상기 감광층이 이하의 화학식 (11) 내지 화학식 (21)로 나타나는 비스아조 안료들로 이루어진 군으로부터 선택된 1 종 이상을 포함하는 전자사진 감광체.
    <화학식 11>
    Figure 112006055073730-pat00046
    <화학식 12>
    Figure 112006055073730-pat00047
    <화학식 13>
    Figure 112006055073730-pat00048
    <화학식 14>
    Figure 112006055073730-pat00049
    <화학식 15>
    Figure 112006055073730-pat00050
    <화학식 16>
    Figure 112006055073730-pat00051
    <화학식 17>
    Figure 112006055073730-pat00052
    <화학식 18>
    Figure 112006055073730-pat00053
    <화학식 19>
    Figure 112006055073730-pat00054
    <화학식 20>
    Figure 112006055073730-pat00055
    <화학식 21>
    Figure 112006055073730-pat00056
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