JP6935674B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 - Google Patents
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Description
外周面における表面粗さの最大高さ(Rmax)が4.0μm以下であり、開口径に対する深さの比(深さ/開口径)が0.03以上0.12以下の凹部が外周面に存在する導電性支持体と、
前記導電性支持体上に設けられ、膜厚が20μm以上であり、弾性率が4.5GPa以上である単層型の感光層と、
を有する電子写真感光体。
前記感光層の外周面における中心線平均粗さ(Ra)が0.05μm以上0.3μm以下である<1>に記載の電子写真感光体。
前記導電性支持体の厚みが0.4mm以上0.6mm以下である<1>又は<2>に記載の電子写真感光体。
前記導電性支持体の外周面における表面粗さの最大高さ(Rmax)が3.0μm以上である<1>〜<3>のいずれか1つに記載の電子写真感光体。
前記導電性支持体がインパクトプレス加工品である、<1>〜<4>のいずれか1つに記載の電子写真感光体。
前記導電性支持体がしごき加工を施したインパクトプレス加工品である、<5>に記載の電子写真感光体。
<1>〜<6>のいずれか1つに記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。
<1>〜<6>のいずれか1つに記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
本実施形態に係る感光体は、導電性支持体と、導電性支持体上に設けられた感光層と、を有する。そして、導電性支持体は、外周面における表面粗さの最大高さ(Rmax)が4.0μm以下であり、かつ、開口径に対する深さの比(深さ/開口径)が0.03以上0.12以下の凹部が外周面に存在する。また、感光層は、膜厚が20μm以上であり、かつ、弾性率が4.5GPa以上である。
以下、導電性支持体の外周面における表面粗さの最大高さ(Rmax)を単に「導電性支持体の最大高さ」ともいう。
なお、凹部における「開口径」及び「深さ」は、導電性支持体の外周面全体を自動表面検査機を用いて検査し、得られた凹部の分布データを得る。そして、得られた凹部分布データに基づいて凹部の位置を特定しながら、レーザ顕微鏡を用いて、開口径が100μm以上の凹部について、開口径と深さを測定する。
以下、開口径に対する深さの比(深さ/開口径)を「アスペクト比」ともいう。
感光体7Aにおいて、導電性支持体4の外周面には、凹部4a、4b、4cが点在している。凹部4a、4b、4cはいずれもアスペクト比が0.03以上0.12以下である。
そして、単層型の感光層6には、導電性支持体4の外周面に存在する凹部4a、4bが反映した凹部6a、6bが点在している。なお、凹部6a、6bはいずれもアスペクト比が0.030以下である。
具体的には、例えば、感光層が積層型の場合は、層を設けるごとに、設けた層の外周面に現れる凹部のアスペクト比は小さくなっていく。そのため、導電性支持体の最大高さが4.0μm以下であれば、感光層の外周面に導電性支持体の凹部が反映されないか、反映されたとしても現れた凹部のアスペクト比が小さいため、画像における点欠陥の発生が抑制される。
しかしながら、感光層が単層型の場合は、導電性支持体に設ける層の数が少ないため、設けた層の外周面に現れる凹部のアスペクト比が小さくなりにくい。そのため、導電性支持体の最大高さを4.0μm以下に抑えても、アスペクト比が0.03以上0.12以下の凹部が導電性支持体の外周面に存在している場合は、その凹部が感光層の外周面に反映されやすく、点欠陥が発生することがある。
本実施形態に係る導電性支持体について「導電性」とは、体積抵抗率が1013Ωcm未満を意味する。
導電性支持体の厚みは、特に、0.4mm以上0.6mm以下であることが好ましく、0.45mm以上0.55mm以下であることがより好ましい。導電性支持体の厚みが上記範囲であることにより、上記範囲よりも薄い場合に比べて感光体の強度を確保しやすく、上記範囲よりも厚い場合に比べて導電性支持体の硬度が高すぎず、衝撃を吸収しやすくなることで、感光層の傷やめくれが抑制される。
図2は、金属塊にインパクトプレス加工を施して中空円筒体を成形する工程の一例を示している。図2(A)に示すように、ダイ(雌型)20に設けられている円形孔24に、潤滑剤を表面に付与した円盤状の金属塊30を置く。次いで、図2(B)に示すように、金属塊30を円柱状のパンチ(雄型)21でプレスして中空円筒体4Aに成形する。次いで、図2(C)に示すように、ストリッパー22の中央孔23を通してパンチ21を引き上げることにより、パンチ21を中空円筒体4Aから引き抜く。
金属塊30の表面に付与する潤滑剤としては、脂肪酸金属塩(例えば、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸アルミニウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸マグネシウム、ラウリン酸亜鉛、ラウリン酸カリウム);長鎖脂肪酸と多価アルコールのエステル(例えば、炭素数5乃至22の脂肪酸と、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール等の多価アルコールのエステル);液状炭化水素系ポリマー(例えば、ポリブテン、ポリイソブチレン、イソブテンとノルマルブテンの共重合ポリマー、イソブテンとイソプロピレンの共重合ポリマー、イソブテンとブタジエンの共重合ポリマー、ノルマルブテンとスチレンの共重合ポリマー、ノルマルブテンとイソプロピレンの共重合ポリマー);などが挙げられる。金属塊30の表面に付与する潤滑剤としては、中空円筒体4Aの外周面の凹凸を軽減する観点からは、脂肪酸金属塩が好ましい。
潤滑剤の付与量としては、中空円筒体4Aの外周面の凹凸を軽減する観点から、0.15mg/cm2以上0.5mg/cm2以下が好ましく、0.2mg/cm2以上0.4mg/cm2以下がより好ましい。
図3は、中空円筒体にしごき加工を施す工程の一例を示している。図3は、図3(A)に示す絞り加工を施した後、図3(B)に示すしごき加工を行う例を示している。
導電性支持体の最大高さは、前記の通り4.0μm以下であるが、3.0μm以上4.0μm以下であることが好ましい。導電性支持体の最大高さが3.0μm以上であることにより、干渉縞が発生しにくく、干渉縞に起因する画像濃度ムラの発生が抑制される。
導電性支持体の最大高さは、点欠陥の抑制及び干渉縞に起因する画像濃度ムラの抑制の観点から、3.0μm以上3.8μm以下がより好ましく、3.2μm以上3.6μm以下がさらに好ましい。
また、導電性支持体の外周面には、開口径が400μmを超える凹部及びアスペクト比が0.12μmを超える凹部のいずれも存在しないことが好ましい。つまり、最大開口径が400μm以下であり、かつ、最大アスペクト比が0.12以下であることが好ましい。
また、成形加工後の導電性支持体の表面を検査して、導電性支持体の最大高さ、凹部の最大アスペクト比、及び凹部の最大開口径が前記範囲である導電性支持体を選択してもよい。
単層型の感光層は、例えば、結着樹脂と、電荷発生材料と、電荷輸送材料として正孔輸送材料及び電子輸送材料と、を含み、必要に応じてその他添加剤を含んでもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの結着樹脂は1種を単独で又は2種以上混合して用いてもよい。
また、単層型の感光層の弾性率を4.5GPaに制御する観点からは、結着樹脂として、ポリカーボネート樹脂が好ましい。
なお、粘度平均分子量は、下記の方法により測定される値である。樹脂1gをメチレンクロライド100cm3に溶解し、25℃の測定環境下でウベローデ粘度計により、比粘度ηspを測定する。そして、ηsp/c=〔η〕+0.45〔η〕2cの関係式(但しcは濃度(g/cm3))から極限粘度〔η〕(cm3/g)を求め、H.Schnellによって与えられている関係式〔η〕=1.23×10−4Mv0.83から粘度平均分子量Mvを求める。
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料;ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料;ペリレン顔料;ピロロピロール顔料;フタロシアニン顔料;酸化亜鉛;三方晶系セレン等が挙げられる。
なお、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料を併用する場合には、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料とクロロガリウムフタロシアニン顔料との比率は、質量比で、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料:クロロガリウムフタロシアニン顔料=9:1乃至3:7(好ましくは9:1乃至6:4)であることがよい。
特に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、例えば、600nm以上900nm以下の波長域での分光吸収スペクトルにおいて、810nm以上839nm以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がより優れた分散性が得られる観点から望ましい。
なお、電荷発生材料を複数種用いた場合、上記電荷発生材料の含有量は、用いたすべての電荷発生材料における合計含有量を意味する。
正孔輸送材料としては、特に制限はないが、例えば、2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール等のオキサジアゾール誘導体;1,3,5−トリフェニル−ピラゾリン、1−[ピリジル−(2)]−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノスチリル)ピラゾリン等のピラゾリン誘導体;トリフェニルアミン、N,N′−ビス(3,4−ジメチルフェニル)ビフェニル−4−アミン、トリ(p−メチルフェニル)アミニル−4−アミン、ジベンジルアニリン等の芳香族第3級アミノ化合物;N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−N,N′−ジフェニルベンジジン等の芳香族第3級ジアミノ化合物、3−(4′−ジメチルアミノフェニル)−5,6−ジ−(4′−メトキシフェニル)−1,2,4−トリアジン等の1,2,4−トリアジン誘導体;4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン誘導体;2−フェニル−4−スチリル−キナゾリン等のキナゾリン誘導体;6−ヒドロキシ−2,3−ジ(p−メトキシフェニル)ベンゾフラン等のベンゾフラン誘導体;p−(2,2−ジフェニルビニル)−N,N−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン誘導体;エナミン誘導体;N−エチルカルバゾール等のカルバゾール誘導体;ポリ−N−ビニルカルバゾール及びその誘導体等;上記した化合物で構成される基を主鎖又は側鎖に有する重合体;などが挙げられる。これらの正孔輸送材料は、1種又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
正孔輸送材料の具体例としては、例えば、下記一般式(B−1)で示される化合物及び下記一般式(B−2)で示される化合物が挙げられる。さらに、下記一般式(1)で表される化合物が挙げられる。これらの中でも、電荷移動度の観点から、下記一般式(1)で表される正孔輸送材料が適用されることが好ましい。
これらの中でも、低級アルキル基としては、メチル基、エチル基が好ましい。
なお、フェニル基に置換し得る置換基としては、例えば、R1〜R6が示す低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。
・4−Me:フェニル基の4−位に置換するメチル基
・3−Me:フェニル基の3−位に置換するメチル基
・4−Cl:フェニル基の4−位に置換する塩素原子
・4−MeO:フェニル基の4−位に置換するメトキシ基
・4−F:フェニル基の4−位に置換するフッ素原子
・4−Pr:フェニル基の4−位に置換するプロピル基
・4−PhO:フェニル基の4−位に置換するフェノキシ基
電子輸送材料としては、特に制限はないが、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物;テトラシアノキノジメタン系化合物;2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノン、9−ジシアノメチレン−9−フルオレノン−4−カルボン酸オクチル等のフルオレノン系化合物;2−(4−ビフェニル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ジエチルアミノフェニル)1,3,4−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物;キサントン系化合物;チオフェン系化合物;3,3’−ジ−tert−ペンチル−ジナフトキノン等のジナフトキノン系化合物;3,3’−ジ−tert−ブチル−5,5’−ジメチルジフェノキノン、3,3’,5,5’−テトラ−tert−ブチル−4,4’−ジフェノキノン等のジフェノキノン系化合物;上記した化合物で構成される基を主鎖又は側鎖に有する重合体;などが挙げられる。これらの電子輸送材料は、1種又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
一般式(2)中、R11〜R17が示すアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等が挙げられる。
炭素数1以上12以下の直鎖状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル、n−ウンデシル、n−ドデシル基等が挙げられる。
炭素数3以上10以下の分岐状のアルキル基としては、例えば、イソプロピル基、
イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、イソヘキシル基、sec−ヘキシル基、tert−ヘキシル基、イソヘプチル基、sec−ヘプチル基、tert−ヘプチル基、イソオクチル基、sec−オクチル基、tert−オクチル基、イソノニル基、sec−ノニル基、tert−ノニル基、イソデシル基、sec−デシル基、tert−デシル基等が挙げられる。
L19が示すアルキレン基としては、直鎖状又は分岐状の炭素数1以上12以下のアルキレン基が挙げられ、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基、n−ブチレン基、イソブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、n−ペンチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、tert−ペンチレン基等が挙げられる。
R20が示すアルキル基としては、上記R11〜R17が示すアルキル基と同様の基が挙げられる。
なお、R18が示すアリール基は、アルキル基で置換されたアルキル置換アリール基であることが、溶解性の観点で好ましい。アルキル置換アリール基のアルキル基としては、R11〜R17が示すアルキル基と同様の基が挙げられる。
L21が示すアルキレン基としては、直鎖状又は分岐状の炭素数1以上12以下のアルキレン基が挙げられ、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基、n−ブチレン基、イソブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、n−ペンチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、tert−ペンチレン基等が挙げられる。
Arが示すアリール基としては、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基等が挙げられる。
・Ph:フェニル基
なお、一般式(2)で表される電子輸送材料以外の電子輸送材料を含有させる場合の含有量としては、電子輸送材料全体に対し、10質量%以下の範囲であることが好ましい。
正孔輸送材料と電子輸送材料との比率は、質量比(正孔輸送材料/電子輸送材料)で、50/50以上90/10以下が望ましく、より望ましくは60/40以上80/20以下である。
単層型の感光層は、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤、フッ素樹脂粒子、シリコーンオイル等の公知の添加剤を含んでいてもよい。
単層型の感光層は、上記成分を溶剤に加えた感光層形成用塗布液を用いて形成される。具体的には、例えば、導電性支持体上に感光層形成用塗布液の塗膜を形成し、塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで、単層型の感光層が形成される。
単層型の感光層の膜厚は、前記の通り、点欠陥抑制の観点から20μm以上であり、好ましくは20μm以上40μm以下である。単層型の感光層の膜厚が上記範囲であることにより、上記範囲よりも厚い場合に比べ、現像・転写性に有利という利点がある。単層型の感光層の膜厚は、点欠陥抑制の観点から、より好ましくは20μm以上35μm以下、さらに好ましくは20μm以上30μm以下の範囲に設定される。
なお、単層型の感光層の膜厚は、感光層形成用塗布液の塗膜の厚みを調整することにより制御される。
また、膜厚の測定は、例えば渦電流式膜厚測定装置(フィッシャー・インストルメンツ社製)を用いて行う。
なお、単層型の感光層の弾性率は、用いる結着樹脂種の選択により制御してもよく、感光層形成用塗布液の塗膜を乾燥させる条件(具体的には、例えば、乾燥温度及び乾燥時間等)により制御してもよい。つまり、塗膜を乾燥させる工程における乾燥温度及び乾燥時間を調整することで、塗膜の乾燥速度を制御し、得られる感光層の弾性率を制御してもよい。乾燥温度としては、例えば110℃以上150℃以下が挙げられ、乾燥時間としては、例えば10分以上40分以下が挙げられる。
また、単層型の感光層の弾性率の測定は、次のように測定する。具体的には、測定対象となる感光層の一部をカッター等で5mm×20mmに切り出し、測定試料を採取する。この採取した測定試料に対して、セイコーインスツルメント社製粘弾性測定装置DMSを用いて、測定環境:40℃、周波数:0.5Hzの条件で測定する。
なお、感光層の平均粗さは、JIS B0601(1982)で規定されている「中心線平均粗さ(Ra)」である。また、感光層の平均粗さの測定は、表面粗さ計サーフコム1400A(東京精密社製)を用い、JIS B0601(1982)に準拠し、評価長さLn=4.0mm、基準長さL=0.8mm、カットオフ値=0.8mmの条件で行う。
また、単層型の外周面に存在する凹部の開口径の最大値は、540μm以下が好ましく、535μm以下がより好ましく、530μm以下がさらに好ましい。
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置100は、図4に示すように、電子写真感光体7を備えるプロセスカートリッジ300と、露光装置9(静電潜像形成手段の一例)と、転写装置40(一次転写装置)と、中間転写体50とを備える。なお、画像形成装置100において、露光装置9はプロセスカートリッジ300の開口部から電子写真感光体7に露光し得る位置に配置されており、転写装置40は中間転写体50を介して電子写真感光体7に対向する位置に配置されており、中間転写体50はその一部が電子写真感光体7に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体50に転写されたトナー像を記録媒体(例えば用紙)に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体50、転写装置40(一次転写装置)、及び二次転写装置(不図示)が転写手段の一例に相当する。
帯電装置8としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
露光装置9としては、例えば、電子写真感光体7表面に、半導体レーザ光、LED光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、780nm付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、600nm台の発振波長レーザや青色レーザとして400nm以上450nm以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
現像装置11としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置11としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体7に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
クリーニング装置13は、クリーニングブレード131を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
転写装置40としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
中間転写体50としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの(中間転写ベルト)が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
図5に示す画像形成装置120は、プロセスカートリッジ300を4つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置120では、中間転写体50上に4つのプロセスカートリッジ300がそれぞれ並列に配置されており、1色に付き1つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置120は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置100と同様の構成を有している。
厚さ14mmの金属板(アルミニウム純度99.7%以上、JIS呼称A1070合金)を打ち抜き加工して、直径34mm、厚さ14mmの金属塊を作製した。
潤滑剤の付与量及び厚み(肉厚)を表1に示すように変えた以外は、導電性支持体1と同様にして、導電性支持体2〜5を作製した。
得られた導電性支持体の最大高さ(すなわち、導電性支持体の外周面における表面粗さの最大高さ(Rmax))を前述の方法で測定した。結果を表1(表1中の「Rmax(μm)」)に示す。
また、得られた導電性支持体の外周面全体を、前述の自動表面検査機を用いて検査し、凹部の分布データを得た。凹部分布データに基づいて凹部の位置を特定しながら、レーザ顕微鏡を用いて、開口径が100μm以上の凹部について、開口径と深さを測定した。測定した凹部のなかで、開口径が最大の凹部の寸法と、アスペクト比が最大の凹部の寸法とを表1に示す。
電荷発生材料として下記に示すヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料3質量部と、結着樹脂としてビスフェノールZポリカーボネート樹脂(粘度平均分子量:5万)47質量部と、電子輸送材料として一般式(2)で表される電子輸送材料(前記例示化合物(2−2))15質量部と、正孔輸送材料として一般式(B−1)で表される正孔輸送材料(前記例示化合物(HT-D))を35質量部と、溶媒としてテトラヒドロフラン250質量部と、からなる混合物を、直径1mmφのガラスビーズを用いてサンドミルにて4時間分散し、感光層形成用塗布液を得た。
・HOGaPC(V型): Cukα特性X線を用いたX線回折スペクトルのブラッグ角度(2θ±0.2°)が少なくとも7.3゜、16.0゜、24.9゜、28.0゜の位置に回折ピークを有するV型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料(600nm以上900nm以下の波長域での分光吸収スペクトルにおける最大ピーク波長= 820 nm、平均粒径=0.12μm、最大粒径=0.2μm、比表面積値=60m2/g)
以上の工程を経て、感光体1を作製した。
感光層の厚さを表2に示すようにした以外は、感光体1と同様にして、感光体2を作製した。
導電性支持体1の代わりに導電性支持体2を用いた以外は、感光体1と同様にして、感光体3を作製した。
感光層形成用塗布液を塗布した後の乾燥硬化を、140℃で30分行う代わりに、130℃で30分行った以外は、感光体1と同様にして、感光体4を作製した。
導電性支持体1の代わりに導電性支持体3を用いた以外は、感光体1と同様にして、感光体5を作製した。
導電性支持体1の代わりに導電性支持体4を用いた以外は、感光体1と同様にして、感光体6を作製した。
導電性支持体1の代わりに導電性支持体5を用いた以外は、感光体1と同様にして、感光体7を作製した。
感光層の厚さを表2に示すようにした以外は、感光体1と同様にして、感光体9を作製した。
感光層形成用塗布液を塗布した後の乾燥硬化を、140℃で30分行う代わりに、150℃で30分行った以外は、感光体1と同様にして、感光体10を作製した。
得られた感光体における感光層の弾性率を前述の方法により測定した。結果を表2(表2中の「弾性率(GPa)」)に示す。
また、得られた感光体における感光層の外周面における中心線平均粗さ(Ra)を前述の方法により測定した。結果を表2(表2中の「Ra(μm)」)に示す。
得られた各電子写真感光体について、以下の評価を行った。その結果を表2に示す。
なお、画質評価は、Brother社製HL5340Dを用い、30℃、80%RHの高温高湿下において50%ハーフトーン画像を出力し、初期(1枚目)の画像と30000枚目の画像における画質を以下の基準で評価した。
G1(◎):感光体ピッチの濃度ムラなし
G2(○):感光体ピッチの極軽微な濃度ムラ発生(問題のない範囲)
G3(△):感光体ピッチの軽微な濃度ムラ発生(問題のない範囲)
G4(×):感光体ピッチの濃度ムラ発生(問題になる範囲)
G1(◎):目視で点欠陥なし
G2(○):目視で若干の点欠陥が確認されるが問題のない範囲
G3(△):目視で点欠陥が確認され問題になる範囲
G4(×):目視で明確な点欠陥が確認され問題になる範囲
・割れ評価基準
G1(○):未発生
G2(×):目視で割れが確認できる
Claims (8)
- 外周面における表面粗さの最大高さ(Rmax)が4.0μm以下であり、開口径に対する深さの比(深さ/開口径)が0.03以上0.12以下の凹部が外周面に存在し、該凹部における開口径に対する深さの比(深さ/開口径)の最大値が0.06以上である導電性支持体と、
前記導電性支持体上に設けられ、膜厚が20μm以上であり、弾性率が4.5GPa以上である単層型の感光層と、
を有する電子写真感光体。 - 前記感光層の外周面における中心線平均粗さ(Ra)が0.05μm以上0.3μm以下である請求項1に記載の電子写真感光体。
- 前記導電性支持体の厚みが0.4mm以上0.6mm以下である請求項1又は請求項2に記載の電子写真感光体。
- 前記導電性支持体の外周面における表面粗さの最大高さ(Rmax)が3.0μm以上である請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記導電性支持体がインパクトプレス加工品である、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記導電性支持体がしごき加工を施したインパクトプレス加工品である、請求項5に記載の電子写真感光体。
- 請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。 - 請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
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