JP2018054695A - 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 - Google Patents

電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2018054695A
JP2018054695A JP2016187083A JP2016187083A JP2018054695A JP 2018054695 A JP2018054695 A JP 2018054695A JP 2016187083 A JP2016187083 A JP 2016187083A JP 2016187083 A JP2016187083 A JP 2016187083A JP 2018054695 A JP2018054695 A JP 2018054695A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
transport material
layer
photosensitive layer
photosensitive member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016187083A
Other languages
English (en)
Inventor
佳祐 草野
Keisuke Kusano
佳祐 草野
中村 優
Yu Nakamura
優 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
Priority to JP2016187083A priority Critical patent/JP2018054695A/ja
Priority to US15/452,981 priority patent/US10152013B2/en
Priority to CN201710311780.5A priority patent/CN107870527A/zh
Publication of JP2018054695A publication Critical patent/JP2018054695A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/75Details relating to xerographic drum, band or plate, e.g. replacing, testing
    • G03G15/751Details relating to xerographic drum, band or plate, e.g. replacing, testing relating to drum
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/14Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for transferring a pattern to a second base
    • G03G15/16Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for transferring a pattern to a second base of a toner pattern, e.g. a powder pattern, e.g. magnetic transfer
    • G03G15/1605Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for transferring a pattern to a second base of a toner pattern, e.g. a powder pattern, e.g. magnetic transfer using at least one intermediate support
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • G03G5/0614Amines
    • G03G5/06142Amines arylamine
    • G03G5/06144Amines arylamine diamine
    • G03G5/061443Amines arylamine diamine benzidine
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • G03G5/0614Amines
    • G03G5/06142Amines arylamine
    • G03G5/06147Amines arylamine alkenylarylamine
    • G03G5/061473Amines arylamine alkenylarylamine plural alkenyl groups linked directly to the same aryl group
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0618Acyclic or carbocyclic compounds containing oxygen and nitrogen
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0666Dyes containing a methine or polymethine group
    • G03G5/0672Dyes containing a methine or polymethine group containing two or more methine or polymethine groups
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0696Phthalocyanines
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G2215/00Apparatus for electrophotographic processes
    • G03G2215/00953Electrographic recording members
    • G03G2215/00957Compositions

Abstract

【課題】ゴーストの発生が抑制され、かつ高感度である電子写真感光体の提供。
【解決手段】導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた単層型の感光層であって、結着樹脂と、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも1種であり、前記結着樹脂に対する含有量が0.9質量%以上1.8質量%以下である電荷発生材料と、電子輸送材料と、正孔輸送材料と、を含み、波長1000nmにおける吸光係数が0.008以下である感光層と、
を有する電子写真感光体。
【選択図】なし

Description

本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。
特許文献1には、「導電性支持体上に、少なくとも電荷発生層と電荷輸送層を積層してなる電子写真感光体において、この電荷発生層が少なくとも2層以上積層した電荷発生層であり、かつ、電荷発生層中の電荷発生物質濃度が、電荷輸送層から最もはなれた側から電荷輸送層側に向かって順次大きくなっている」電子写真感光体が開示されている。
特許文献2には、「導電性支持体上に、少なくとも電荷発生物質と電荷輸送物質を共に含有してなる感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が少なくとも2層以上積層した感光層であり、かつ、感光層の各層中のバインダー樹脂に対する電荷発生物質濃度が、作像形成のための露光入射側の最もはなれた側から近い側に向かって、順次高くなっている」電子写真感光体が開示されている。
特許文献3には、「接触帯電方式を採用した電子写真プロセスに用いられ、導電性基板上に有機感光層を備えており、この有機感光層が電荷発生層上に電荷輸送層を形成した積層構成であり、前記電荷輸送層が結着樹脂、電荷輸送剤および酸化防止剤を含有してなり、電荷輸送層の表面近傍の層領域を第2層領域とし、この第2層領域より導電性基板側を第1層領域としたとき、第1層領域に比べて第2層領域に酸化防止剤を多く含有した」接触帯電用感光体が開示されている。
特許文献4には、「作像形成のための露光入射光を支持体側から入射する電子写真プロセスに用いる電子写真用感光体であって、導電性支持体上に、少なくとも電荷発生物質としてのアゾ顔料と電荷輸送物質を共に含有してなる感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が少なくとも2層以上積層した感光層であり、かつ、感光層の各層中の電荷輸送物質濃度が、支持体側から最もはなれた側から近い側に向かって、順次高くなっている」電子写真感光体が開示されている。
特許文献5には、「導電性支持体と、前記導電性支持体上に配置された感光層と、前記導電性支持体と前記感光層との間に配置された中間層と、を有する電子写真感光体であって、前記中間層が、金属酸化物粒子と、バインダ樹脂とを含み、前記金属酸化物粒子が、特定の一般式で表されるアルコキシシランオリゴマーによって表面処理されている」電子写真感光体が開示され、さらに、「前記感光層が、チタニルフタロシアニン顔料と2,3−ブタンジオール付加体チタニルフタロシアニン顔料との混合物を含み、かつ、前記感光層の反射スペクトルから換算して得られる780nmにおける吸光度(Abs780)と700nmにおける吸光度(Abs700)との比(Abs780/Abs700)が0.8〜1.1である」ことが開示されている。
特許文献6には、「導電性支持体上に少なくとも電荷発生物質を含有する感光層を有する電子写真感光体の製造方法において、該電荷発生物質が、チタニルフタロシアニンと(2R,3R)−2,3−ブタンジオール又は(2S,3S)−2,3−ブタンジオール少なくともいずれかとの付加体を含有する顔料であって、該顔料を超音波で分散した分散液を塗布することによって該感光層を形成する」電子写真感光体の製造方法が開示され、さらに、「前記感光層の分光吸収スペクトルが600nm以上850nm以下の領域に極大吸収値を有し、且つ780nmにおける吸光度(Abs780)と750nmにおける吸光度(Abs750)との比率(Abs780/Abs750)が0.6以上1.2以下である」ことが開示されている。
特開平05−265232号公報 特許第3289050号公報 特許第3218663号公報 特許第3246680号公報 特開2013−050603号公報 特開2012−042848号公報
単層型感光体は、その単層型の感光層内に、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と電子輸送材料とを含有する構成である。
ところで、感光層中の電荷発生材料の含有量を増加させた感光体は、感度が向上し易くなる。しかしながら、この電荷発生材料の含有量を増加させた感光体を用いて画像を形成すると、前の画像形成サイクル(画像を形成する一連の工程)で形成された画像(前画像)の履歴が残ることで生じる残像現象(以下、「ゴースト」と称する)が発生してしまうことがある。
その一方で、ゴーストの発生抑制のために、感光層中の電荷発生材料の含有量を低減させると、目標とする光感度を保持し難くなる。
そこで、本発明の課題は、結着樹脂と、電荷発生材料と、電子輸送材料と、正孔輸送材料と、を含む単層型の感光層を有する正帯電有機感光体において、電荷発生材料の結着樹脂に対する含有量が0.9質量%未満もしくは1.8質量%を超える場合、又は波長1000nmにおける吸光係数が0.008を超える場合に比べて、ゴーストの発生が抑制され、かつ高感度である電子写真感光体を提供することである。
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項1に係る発明は、
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた単層型の感光層であって、結着樹脂と、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも1種であり、前記結着樹脂に対する含有量が0.9質量%以上1.8質量%以下である電荷発生材料と、電子輸送材料と、正孔輸送材料と、を含み、波長1000nmにおける吸光係数が0.008以下である感光層と、
を有する電子写真感光体である。
請求項2に係る発明は、
前記電荷発生材料は、V型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料である請求項1に記載の電子写真感光体である。
請求項3に係る発明は、
前記正孔輸送材料が、下記一般式(1)で表される正孔輸送材料である請求項1又は請求項2に記載の電子写真感光体である。
一般式(1)中、R、R、R、R、R、及びRは、各々独立に、水素原子、低
級アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ハロゲン原子、又は、低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロゲン原子から選ばれる置換基を有していてもよいフェニル基を示す。m及びnは、各々独立に0又は1を示す。
請求項4に係る発明は、
前記電子輸送材料が、下記一般式(2)で表される電子輸送材料である請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の電子写真感光体である。
一般式(2)中、R11、R12、R13、R14、R15、R16、及びR17は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアラルキル基を示す。R18は、アルキル基、−L19−O−R20で示される基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ただし、L19はアルキレン基を示し、R20はアルキル基を示す。
請求項5に係る発明は、
導電性基体上に、結着樹脂と、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも1種であり、前記結着樹脂に対する含有量が0.9質量%以上1.8質量%以下である電荷発生材料と、電子輸送材料と、正孔輸送材料と、を含み、波長830nmにおける吸光度A830および波長1000nmにおける吸光度A1000の吸光度比A1000/A830が、25以下である感光層形成用塗布液を塗布し、乾燥させて単層型の感光層を形成する感光層形成工程を有する電子写真感光体の製造方法である。
請求項6に係る発明は、
請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジである。
請求項7に係る発明は、
請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置である。
請求項1に係る発明によれば、結着樹脂と、電荷発生材料と、電子輸送材料と、正孔輸送材料と、を含む単層型の感光層を有する正帯電有機感光体において、電荷発生材料の結着樹脂に対する含有量が0.9質量%未満もしくは1.8質量%を超える場合、又は波長1000nmにおける吸光係数が0.008を超える場合に比べて、ゴーストの発生が抑制され、かつ高感度である電子写真感光体が提供される。
請求項2に係る発明によれば、電荷発生材料として、X型無金属フタロシアニン顔料のみを用いた場合に比べて、高感度である電子写真感光体が提供される。
請求項3に係る発明によれば、正孔輸送材料として、正孔輸送剤ETM3、又はN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1’]ビフェニル−4,4’−ジアミンのみ用いた場合に比べて、高感度である電子写真感光体が提供される。
請求項4に係る発明によれば、電子輸送材料として、3,3’,5,5’−テトラ−tert−ブチル−4,4’−ジフェノキノン、又は3,3’−ジ−tert−ペンチル−ジナフトキノンのみ用いた場合に比べて、高感度である電子写真感光体が提供される。
請求項5に係る発明によれば、結着樹脂と、電荷発生材料と、電子輸送材料と、正孔輸送材料と、を含む単層型の感光層を有する正帯電有機感光体において、電荷発生材料の結着樹脂に対する含有量が0.9質量%未満もしくは1.8質量%を超える場合、又は吸光度比A1000/A830が25を超える場合に比べて、ゴーストの発生が抑制され、かつ高感度である電子写真感光体の製造方法が提供される。
請求項6、又は請求項7に係る発明によれば、結着樹脂と、電荷発生材料と、電子輸送材料と、正孔輸送材料と、を含む単層型の感光層を有する正帯電有機感光体において、電荷発生材料の結着樹脂に対する含有量が0.9質量%未満もしくは1.8質量%を超える場合、又は波長1000nmにおける吸光係数が0.008を超える場合に比べて、ゴーストの発生が抑制され、かつ高感度である電子写真感光体が抑制される電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジ、又は画像形成装置が提供される。
本実施形態に係る電子写真感光体を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図である。 他の本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図である。 (A)乃至(C)はそれぞれゴースト評価の基準を示す説明図である。
以下、本発明の一例である実施形態について説明する。
[電子写真感光体]
本実施形態に係る電子写真感光体は、導電性基体を備え、導電性基体上に単層型の感光層を有する正帯電有機感光体(以下、単に「感光体」又は「単層型感光体」と称することがある)である。
そして、単層型の感光層は、結着樹脂と、電荷発生材料と、電子輸送材料と、正孔輸送材料と、を含有し、電荷発生材料は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも1種であり、結着樹脂に対する含有量が0.9質量%以上1.8質量%以下である。
また、単層型の感光層は、波長1000nmにおける吸光係数が0.008以下である。
なお、単層型の感光層とは、電荷発生能と共に、正孔輸送性及び電子輸送性を持つ感光層である。
単層型感光体は、その単層型の感光層内に、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と電子輸送材料とを含有する構成である。
ところで、感光層中の電荷発生材料の含有量を増加させると、感光体の感度が向上し易くなる。しかしながら、電荷発生材料の含有量を増加させると、暗条件において、感光層中で熱励起電荷(以下、「熱励起キャリア」と称する)の発生が多くなり易く、感光体の帯電維持性等の特性が低下し易くなる。そして、感光層中の電荷発生材料の含有量を増加させた感光体を用いて画像を形成すると、ゴーストが発生してしまうことがある。
その一方で、ゴーストの発生抑制のために、電荷発生材料の含有量を低減させると、目標とする光感度を保持し難くなる。
これに対し、本実施形態に係る感光体は、上記構成により、ゴーストの発生が抑制され、かつ高感度である。この理由は、次のように推測される。
本実施形態に係る感光体は、感光層中の電荷発生材料が低減されているため、熱励起キャリアの発生が低減される。
また、波長1000nmにおける吸光係数が0.008以下を示す感光層では、感光層に含有している電荷発生材料による光の散乱が少なくなり、光が透過しやすくなっている。これは、感光層中の電荷発生材料が、粒径が小さく、比表面積が増大しており、分散状態が高まっているためであると考えられる。そして、感光層中の電荷発生材料の分散性が高まっていることにより、感光層中の電荷発生材料の含有量が低減されているとしても、光感度が高まりやすく、電荷発生効率が向上する。その結果、上記構成を有する感光体では、ゴーストの発生が抑制され、高感度であると考えられる。
以上の理由から、本実施形態に係る感光体は、ゴーストの発生が抑制され、かつ高感度であると推測される。
なお、本実施形態に係る感光体は、単層型の感光層に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも1種の電荷発生材料、一般式(1)で表される正孔輸送材料、一般式(2)で表される電子輸送材料を含む場合、高感度化され易くなる。つまり、本実施形態に係る感光体は、単層型の感光層に、上記の電荷発生材料、電子輸送材料、及び正孔輸送材料を含む場合、ゴースト発生の抑制および高感度化がより実現され易くなる。
また、本実施形態に係る感光体の製造方法では、導電性基体上に、結着樹脂と、電荷発生材料と、電子輸送材料と、正孔輸送材料と、を含む感光層形成用塗布液を塗布し、乾燥させて単層型の感光層を形成する感光層形成工程を有する。
特に、感光層形成用塗布液中の電荷発生材料は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも1種であり、前記結着樹脂に対する含有量が0.9質量%以上1.8質量%以下である。また、感光層形成用塗布液の波長830nmにおける吸光度A830と、波長1000nmにおける吸光度A1000との吸光度比A1000/A830が、25以下になるように調整し、感光層形成用塗布液中の電荷発生材料の分散状態が制御されている。
ここで、吸光度比A1000/A830は、感光層形成用塗布液中での電荷発生材料の分散状態を表す指標である。感光層形成用塗布液の830nmでの吸光度は、電荷発生材料(フタロシアニン顔料)特有の吸光度を表す。また、1000nmでの吸光度は、感光層形成用塗布液中での電荷発生材料の分散状態を表す。
感光層形成用塗布液中での電荷発生材料の分散状態を良化させることにより、電荷発生材料の粒径が小さくなり、電荷発生材料の比表面積が増加すると、電荷発生材料による光の散乱が少なくなるため、感光層形成用塗布液は光が透過しやすくなる。それにより、吸光度A1000の値は小さくなるため、吸光度比A1000/A830は25以下を満たすようになる。
一方、電荷発生材料の分散状態が低く、電荷発生材料の粒径が小さくならず、比表面積が大きい状態では、感光層形成用塗布液中での電荷発生材料による光の散乱が多くなり、感光層形成用塗布液は光が透過し難くなる。そのため、吸光度A1000の値は大きくなり、吸光度比A1000/A830は25を超えるようになる。
そして、電荷発生材料の分散性が制御された吸光度比A1000/A830が25以下となる感光層形成用塗布液では、吸光度比A1000/A830が25を超える感光層形成用塗布液と比較して、電荷発生材料の分散状態が向上している。そして、電荷発生材料の分散状態が向上した感光層形成用塗布液を用いて形成した感光層は、感光層中の電荷発生材料の分散状態が良化するため、電荷発生材料の含有量が低減されているとしても、得られた感光体は高感度となる。
また、感光層形成用塗布液中の電荷発生材料の含有量は、結着樹脂に対して0.9質量%以上1.8質量%以下であり、電荷発生材料の含有量が低減されているため、この感光層形成用塗布液を用いて得た感光層では、熱励起キャリアの発生が低減される。
その結果、上記構成を有する感光層形成用塗布液を、導電性基体上に塗布、乾燥して単層型の感光層を形成する感光体の製造方法では、ゴーストの発生が抑制され、かつ高感度である感光体が得られると推測される。
以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る電子写真感光体を詳細に説明する。
図1は、本実施形態に係る電子写真感光体7の一部の断面を概略的に示している。
図1に示した電子写真感光体7は、例えば、導電性基体3を備え、導電性基体3上に、下引層1及び単層型の感光層2がこの順で設けられて構成されている。
なお、下引層1は、必要に応じて設けられる層である。すなわち、単層型の感光層2は、導電性基体3上に直接設けられていてもよく、下引層1を介して設けられてもよい。
また、必要に応じてその他の層を設けてもよい。具体的には、例えば、必要に応じて、単層型の感光層2上に保護層を設けてもよい。
以下、本実施形態に係る電子写真感光体の各層について詳細に説明する。なお、符号は省略して説明する。
(導電性基体)
導電性基体としては、例えば、金属(アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等)又は合金(ステンレス鋼等)を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物(例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等)、金属(例えばアルミニウム、パラジウム、金等)又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が1013Ωcm未満であることをいう。
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さRaで0.04μm以上0.5μm以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
陽極酸化による粗面化処理は、金属製(例えばアルミニウム製)の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中(ニッケル等の金属塩を加えてもよい)で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、0.3μm以上15μm以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が10質量%以上11質量%以下の範囲、クロム酸が3質量%以上5質量%以下の範囲、フッ酸が0.5質量%以上2質量%以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は13.5質量%以上18質量%以下の範囲がよい。処理温度は例えば42℃以上48℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、0.3μm以上15μm以下が好ましい。
ベーマイト処理は、例えば90℃以上100℃以下の純水中に5分から60分間浸漬すること、又は90℃以上120℃以下の加熱水蒸気に5分から60分間接触させて行う。被膜の膜厚は、0.1μm以上5μm以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
(下引層)
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗(体積抵抗率)10Ωcm以上1011Ωcm以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
無機粒子のBET法による比表面積は、例えば、10m/g以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、50nm以上2000nm以下(好ましくは60nm以上1000nm以下)がよい。
無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、10質量%以上80質量%以下であることが好ましく、より好ましくは40質量%以上80質量%以下である。
無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを2種以上混合して用いてもよい。
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
シランカップリング剤は、2種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピル−トリス(2−メトキシエトキシ)シラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して0.5質量%以上10質量%以下が好ましい。
ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物(アクセプター化合物)を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物;テトラシアノキノジメタン系化合物;2,4,7−トリニトロフルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノン等のフルオレノン化合物;2−(4−ビフェニル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物;キサントン系化合物;チオフェン化合物;3,3’,5,5’テトラ−t−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物;等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に100℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に100℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して0.01質量%以上20質量%以下がよく、好ましくは0.01質量%以上10質量%以下である。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂(例えばポリビニルブチラール等)、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物;ジルコニウムキレート化合物;チタニウムキレート化合物;アルミニウムキレート化合物;チタニウムアルコキシド化合物;有機チタニウム化合物;シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂(例えばポリアニリン等)等も挙げられる。
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂;ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも1種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を2種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピル−トリス(2−メトキシエトキシ)シラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルメトキシシラン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ(2−エチルヘキシル)チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)等が挙げられる。
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
下引層は、ビッカース硬度が35以上であることがよい。
下引層の表面粗さ(十点平均粗さ)は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの1/(4n)(nは上層の屈折率)から1/2までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、iso−プロパノール、n−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは15μm以上、より好ましくは20μm以上50μm以下の範囲内に設定される。
(中間層)
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂(例えばポリビニルブチラール等)、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは0.1μm以上3μm以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
(単層型の感光層)
単層型の感光層は、結着樹脂と、電荷発生材料と、電子輸送材料と、正孔輸送材料と、を含む。単層型の感光層は、必要に応じてその他添加剤を含んでもよい。
そして、電荷発生材料は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも1種であり、前記結着樹脂に対する含有量が0.9質量%以上1.8質量%以下である。
また、単層型の感光層は、波長1000nmにおける吸光係数が0.008以下である。
−感光層の波長1000nmにおける吸光係数−
単層型の感光層は、波長1000nmにおける吸光係数が0.008以下である。ゴーストの発生をより抑制し、かつ、より高感度の感光体を得る点で、0.007以下が好ましい。
なお、波長1000nmにおける吸光係数は、次のようにして求める。
測定対象となる感光体から感光層を剥がし取り、小片を切り出してエポキシ樹脂に包埋・固化させ、ミクロトームにより切片を調製して、測定用試料とする。そして、分光光度計(UV−2600、島津製作所社製)により1000nmにおける吸光度A1000を測定する。A1000の数値を感光層の膜厚で割って、波長1000nmにおける吸光係数を算出する。
波長1000nmにおける吸光係数に制御する方法としては、例えば、後述する感光層形成工程において、感光層形成用塗布液の調製により制御する方法が挙げられる。
−結着樹脂−
結着樹脂としては、特に制限はないが、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの結着樹脂は、単独又は2種以上混合して用いてもよい。
これら結着樹脂の中でも、感光層の機械的強度等の観点から、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂が好ましい。
また、感光層の成膜性の観点から、粘度平均分子量30000以上80000以下のポリカーボネート樹脂、及び粘度平均分子量30000以上80000以下のポリアリレート樹脂の少なくとも1種を用いることがよい。
なお、ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量の測定方法としては、例えば、次の方法により測定される。樹脂1gをメチレンクロライド100cmに溶解し、25℃の測定環境下でウベローデ粘度計により、その比粘度ηspを測定し、ηsp/c=〔η〕+0.45〔η〕cの関係式(ただしcは濃度(g/cm)より極限粘度〔η〕(cm/g)をもとめ、H.Schnellによって与えられている式、〔η〕=1.23×10−4Mv0.83の関係式より粘度平均分子量Mvを求める。
結着樹脂の感光層の全固形分に対する含有量は、35質量%以上60質量%以下であることがよく、好ましくは20質量%以上35質量%以下である。
−電荷発生材料−
電荷発生材料としては、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも1種が用いられる。電荷発生材料は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料のいずれか1種を使用してもよく、2種を併用してもよい。
・ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、特に制限はないが、感光体の高感度化の観点から、V型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がよい。
特に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、例えば、600nm以上900nm以下の波長域での分光吸収スペクトルにおいて、810nm以上839nm以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がより優れた分散性が得られる観点から好ましい。電子写真感光体の材料として用いた場合に、優れた分散性と、十分な感度、帯電性及び暗減衰特性とが得られ易くなる。
また、上記の810nm以上839nm以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、平均粒径が特定の範囲であり、且つ、BET比表面積が特定の範囲であることが好ましい。具体的には、平均粒径が0.20μm以下であることが好ましく、0.01μm以上0.15μm以下であることがより好ましい。一方、BET比表面積が45m/g以上であることが好ましく、50m/g以上であることがより好ましく、55m/g以上120m/g以下であることが特に好ましい。平均粒径は、体積平均粒径(d50平均粒径)でレーザ回折散乱式粒度分布測定装置(LA−700、堀場製作所社製)にて測定した値である。また、BET式比表面積測定器(島津製作所製:フローソープII2300)を用い窒素置換法にて測定した値である。
ここで、平均粒径が0.20μmより大きい場合、又は比表面積が45m/g未満である場合は、顔料粒子が粗大化しているか、又は顔料粒子の凝集体が形成される場合がある。そして、分散性や、感度、帯電性及び暗減衰特性といった特性に欠陥が生じやすい場合があり、それにより画質欠陥を生じ易くなることがある。
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の最大粒径(一次粒子径の最大値)は、1.2μm以下であることが好ましく、1.0μm以下であることがより好ましく、より好ましくは0.3μm以下である。かかる最大粒径が上記範囲を超えると、黒点が発生しやすい。
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、感光体が蛍光灯などに暴露されたことに起因する濃度ムラを抑制する観点から、平均粒径が0.2μm以下、最大粒径が1.2μm以下であり、且つ、比表面積値が45m/g以上であることが好ましい。
ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、CuKα特性X線を用いたX線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度(2θ±0.2°)が少なくとも7.3°、16.0°、24.9°、28.0°に回折ピークを有するV型であることが好ましい。
・クロロガリウムフタロシアニン顔料
クロロガリウムフタロシアニン顔料としては、特に制限はないが、電子写真感光体材料として優れた感度が得られる、ブラッグ角度(2θ±0.2°)7.4°、16.6°、25.5°及び28.3°に回折ピークを有するものであることが好ましい。
クロロガリウムフタロシアニン顔料の好適な分光吸収スペクトルの最大ピーク波長、平均粒径、最大粒径、及び比表面積値は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料と同様である。
電荷発生材料の含有量は、結着樹脂に対して0.9質量%以上1.8質量%以下である。ゴーストの発生をより抑制し、かつ、より高感度の感光体を得る点で、0.9質量%以上1.5質量%以下が好ましい。
−正孔輸送材料−
正孔輸送材料としては、特に制限はないが、例えば、2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール等のオキサジアゾール誘導体;1,3,5−トリフェニル−ピラゾリン、1−[ピリジル−(2)]−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノスチリル)ピラゾリン等のピラゾリン誘導体;トリフェニルアミン、N,N′−ビス(3,4−ジメチルフェニル)ビフェニル−4−アミン、トリ(p−メチルフェニル)アミニル−4−アミン、ジベンジルアニリン等の芳香族第3級アミノ化合物;N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−N,N′−ジフェニルベンジジン等の芳香族第3級ジアミノ化合物、3−(4′−ジメチルアミノフェニル)−5,6−ジ−(4′−メトキシフェニル)−1,2,4−トリアジン等の1,2,4−トリアジン誘導体;4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン誘導体;2−フェニル−4−スチリル−キナゾリン等のキナゾリン誘導体;6−ヒドロキシ−2,3−ジ(p−メトキシフェニル)ベンゾフラン等のベンゾフラン誘導体;p−(2,2−ジフェニルビニル)−N,N−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン誘導体;エナミン誘導体;N−エチルカルバゾール等のカルバゾール誘導体;ポリ−N−ビニルカルバゾール及びその誘導体等;上記した化合物で構成される基を主鎖又は側鎖に有する重合体;などが挙げられる。これらの正孔輸送材料は、1種又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
正孔輸送材料の具体例としては、例えば、下記一般式(B−1)で示される化合物及び下記一般式(B−2)で示される化合物、及び下記一般式(B−3)で示される化合物が挙げられる。さらに、下記一般式(1)で表される化合物が挙げられる。これらの中でも、電荷移動度の観点から、下記一般式(1)で表される正孔輸送材料が適用されることが好ましい。
一般式(B−1)中、RB1は、水素原子またはメチル基を示す。n11は1または2を示す。ArB1およびArB2は各々独立に置換若しくは未置換のアリール基、−C−C(RB3)=C(RB4)(RB5)、または−C−CH=CH−CH=C(RB6)(RB7)を示し、RB3乃至RB7はそれぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、または置換若しくは未置換のアリール基を表す。置換基としてはハロゲン原子、炭素数1以上5以下のアルキル基、炭素数1以上5以下のアルコキシ基、または炭素数1以上3以下のアルキル基で置換された置換アミノ基を示す。
一般式(B−2)中、RB8およびRB8’は同一でも異なってもよく、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1以上5以下のアルキル基、炭素数1以上5以下のアルコキシ基、を示す。RB9、RB9’、RB10、およびRB10’は同一でも異なってもよく、各々独立にハロゲン原子、炭素数1以上5以下のアルキル基、炭素数1以上5以下のアルコキシ基、炭素数1以上2以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは未置換のアリール基、−C(RB11)=C(RB12)(RB13)、または−CH=CH−CH=C(RB14)(RB15)を示し、RB11乃至RB15は各々独立に水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、または置換若しくは未置換のアリール基を表す。m12、m13、n12およびn13は各々独立に0以上2以下の整数を示す。
一般式(B−3)中、RB16およびRB16’は同一でも異なってもよく、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1以上5以下のアルキル基、炭素数1以上5以下のアルコキシ基、を示す。RB17、RB17’、RB18、およびRB18’は同一でも異なってもよく、各々独立にハロゲン原子、炭素数1以上5以下のアルキル基、炭素数1以上5以下のアルコキシ基、炭素数1以上2以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは未置換のアリール基、−C(RB19)=C(RB20)(RB21)、または−CH=CH−CH=C(RB22)(RB23)を示し、RB19乃至RB23は各々独立に水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、または置換若しくは未置換のアリール基を表す。m14、m15、n14およびn15は各々独立に0以上2以下の整数を示す。
ここで、一般式(B−1)で示される化合物、一般式(B−2)で示される化合物、及び一般式(B−3)で示される化合物のうち、特に、「−C−CH=CH−CH=C(RB)(RB)」を有する一般式(B−1)で示される化合物、及び「−CH=CH−CH=C(RB14)(RB15)」を有する一般式(B−2)で示される化合物が好ましい。
一般式(1)中、R、R、R、R、R、及びRは、各々独立に、水素原子、低級アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ハロゲン原子、又は、低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロゲン原子から選ばれる置換基を有していてもよいフェニル基を示す。m及びnは、各々独立に、0又は1を示す。
一般式(1)中、R〜Rが示す低級アルキル基としては、例えば、直鎖状又は分岐状で、炭素数1以上4以下のアルキル基が挙げられ、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。
これらの中でも、低級アルキル基としては、メチル基、エチル基が好ましい。
一般式(1)中、R〜Rが示すアルコキシ基としては、例えば、炭素数1以上4以下のアルコキシ基が挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。
一般式(1)中、R〜Rが示すハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
一般式(1)中、R〜Rが示すフェニル基としては、例えば、未置換のフェニル基;p−トリル基、2,4−ジメチルフェニル基等の低級アルキル基置換のフェニル基;p−メトキシフェニル基等の低級アルコキシ基置換のフェニル基;p−クロロフェニル基等のハロゲン原子置換のフェニル基等が挙げられる。
なお、フェニル基に置換し得る置換基としては、例えば、R〜Rが示す低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。
一般式(1)の正孔輸送材料の中でも、高感度化の観点から、m及びnが1を示す正孔輸送材料が好ましく、R〜Rが各々独立に、水素原子、低級アルキル基、又はアルコキシ基を示し、m及びnが1を示す正孔輸送材料がより好ましい。
以下、一般式(1)の正孔輸送材料の例示化合物を示すがこれに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物(1−番号)と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物15は、「例示化合物(1−15)」と以下表記する。
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。
・4−Me:フェニル基の4−位に置換するメチル基
・3−Me:フェニル基の3−位に置換するメチル基
・4−Cl:フェニル基の4−位に置換する塩素原子
・4−MeO:フェニル基の4−位に置換するメトキシ基
・4−F:フェニル基の4−位に置換するフッ素原子
・4−Pr:フェニル基の4−位に置換するプロピル基
・4−PhO:フェニル基の4−位に置換するフェノキシ基
一般式(1)の正孔輸送材料は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を組合せて用いてもよい。また、一般式(1)で表される正孔輸送材料を用いる場合、一般式(1)で表される正孔輸送材料以外の正孔輸送材料と併用してもよい。
なお、式(1)の正孔輸送材料以外の他の正孔輸送材料を含有させる場合の含有量としては、正孔輸送材料全体に対し、例えば25質量%以下の範囲が挙げられる。
正孔輸送材料の含有量は、結着樹脂に対して10質量%以上98質量%以下がよく、好ましくは60質量%以上95質量%以下、より好ましくは70質量%以上90質量%以下である。
なお、この正孔輸送材料の含有量は、2種以上の正孔輸送材料を併用した場合、それらの正孔輸送材料全体の含有量である。
−電子輸送材料−
電子輸送材料は、電子輸送材料としては、特に制限はないが、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物;テトラシアノキノジメタン系化合物;2,4,7−トリニトロフルオレノン、9−ジシアノメチレン−9−フルオレノン−4−カルボン酸オクチル、9−フルオレノン−4−カルボン酸オクチル、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノン等のフルオレノン化合物;2−(4−ビフェニル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ジエチルアミノフェニル)1,3,4−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物;キサントン系化合物;チオフェン化合物;3,3’−ジ−tert−ペンチル-ジナフトキノン等のジナフトキノン化合物;3,3’−ジ−tert−ブチル−5,5’−ジメチルジフェノキノン、3,3’,5,5’−テトラ−tert−ブチル−4,4’−ジフェノキノン等のジフェノキノン化合物;上記した化合物で構成される基を主鎖又は側鎖に有する重合体;などが挙げられる。これらの電子輸送材料は、1種又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも、高感度化等の点で、フルオレノン化合物が好ましく、フルオレノン化合物の中でも、下記一般式(2)で示される化合物が好ましい。
以下、下記一般式(2)で示される電子輸送材料について説明する。
一般式(2)中、R11、R12、R13、R14、R15、R16、及びR17は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアラルキル基を示す。R18は、アルキル基、−L19−O−R20で示される基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ただし、L19はアルキレン基を示し、R20はアルキル基を示す。
一般式(2)中、R11〜R17が示すハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
一般式(2)中、R11〜R17が示すアルキル基としては、例えば、直鎖状又は分岐状で、炭素数1以上4以下(好ましくは1以上3以下)のアルキル基が挙げられ、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。
一般式(2)中、R11〜R17が示すアルコキシ基としては、例えば、炭素数1以上4以下(好ましくは1以上3以下)のアルコキシ基が挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。
一般式(2)中、R11〜R17が示すアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基等が挙げられる。これらの中でも、R11〜R17が示すアリール基としては、フェニル基が好ましい。
一般式(2)中、R11〜R17が示すアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等が挙げられる。
一般式(2)中、R18が示すアルキル基としては、例えば、炭素数1以上12以下(好ましくは炭素数5以上10以下)の直鎖状のアルキル基、炭素数3以上10以下(好ましくは炭素数5以上10以下)の分岐状のアルキル基が挙げられる。
炭素数1以上12以下の直鎖状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル、n−ウンデシル、n−ドデシル基等が挙げられる。
炭素数3以上10以下の分岐状のアルキル基としては、例えば、イソプロピル基、
イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、イソヘキシル基、sec−ヘキシル基、tert−ヘキシル基、イソヘプチル基、sec−ヘプチル基、tert−ヘプチル基、イソオクチル基、sec−オクチル基、tert−オクチル基、イソノニル基、sec−ノニル基、tert−ノニル基、イソデシル基、sec−デシル基、tert−デシル基等が挙げられる。
一般式(2)中、R18が示す−L19−O−R20で示される基は、L19がアルキレン基を示し、R20は、アルキル基を示す。
19が示すアルキレン基としては、直鎖状又は分岐状の炭素数1以上12以下のアルキレン基が挙げられ、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基、n−ブチレン基、イソブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、n−ペンチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、tert−ペンチレン基等が挙げられる。
20が示すアルキル基としては、上記R11〜R17が示すアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式(2)中、R18が示すアリール基としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基等が挙げられる。
なお、R18が示すアリール基は、アルキル基で置換されたアルキル置換アリール基であることが、溶解性の観点で好ましい。アルキル置換アリール基のアルキル基としては、R11〜R17が示すアルキル基と同様の基が挙げられる。
一般式(2)中、R18が示すアラルキル基としては、−L21−Arで示される基が挙げられる。但し、L21は、アルキレン基を示す、Arは、アリール基を示す。
21が示すアルキレン基としては、直鎖状又は分岐状の炭素数1以上12以下のアルキレン基が挙げられ、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基、n−ブチレン基、イソブチレン基、sec−ブチレン基、tert−ブチレン基、n−ペンチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、tert−ペンチレン基等が挙げられる。
Arが示すアリール基としては、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基エチルフェニル基等が挙げられる。
一般式(2)中、R18が示すアラルキル基として具体的には、ベンジル基、メチルベンジル基、ジメチルベンジル基、フェニルエチル基、メチルフェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基等が挙げられる。
一般式(2)の電子輸送材料としては、高感度化の観点から、R18が炭素数5以上10以下の分岐状のアルキル基又はアラルキル基を示す電子輸送材料が好ましく、特に、R11〜R17が各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基を示し、かつ、R18が炭素数5以上10以下の分岐状のアルキル基又はアラルキル基を示す電子輸送材料が好ましい。
以下、一般式(2)の電子輸送材料の例示化合物を示すが、これに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物(2−番号)と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物15は、「例示化合物(2−15)」と以下表記する。
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。
・Ph:フェニル基
一般式(2)の電子輸送材料は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を組合せて用いてもよい。また、一般式(2)で表される電子輸送材料を用いる場合、一般式(2)で表される電子輸送材料以外の電子輸送材料と併用してもよい。
なお、一般式(2)で表される電子輸送材料以外の電子輸送材料を含有させる場合の含有量としては、電子輸送材料全体に対し、10質量%以下の範囲であることが好ましい。
電子輸送材料の含有量は、結着樹脂に対して10質量%以上70質量%以下がよく、好ましくは15質量%以上50質量%以下、より好ましくは20質量%以上40質量%以下である。
なお、この電子輸送材料の含有量は、2種以上の電子輸送材料を併用した場合、それらの電子輸送材料全体の含有量である。
−正孔輸送材料と電子輸送材料との比率−
正孔輸送材料と電子輸送材料との比率は、質量比(正孔輸送材料/電子輸送材料)で、50/50以上90/10以下が好ましく、より好ましくは60/40以上80/20以下である。
なお、本比率は、他の電荷輸送材料を併用した場合、その合計での比率である。
−その他添加剤−
単層型の感光層には、界面活性剤、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の周知のその他添加剤を含んでいてもよい。また、単層型の感光層が表面層となる場合、フッ素樹脂粒子、シリコーンオイル等を含んでいてもよい。
(感光体の製造方法)
感光体の製造方法は、導電性基体の表面に、結着樹脂、電荷発生材料、電子輸送材料、及び正孔輸送材料を含む感光層形成用塗布液を塗布し、乾燥させて、単層型の感光層を形成する感光層形成工程を有する。電荷発生材料は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも1種であり、結着樹脂に対する含有量が0.9質量%以上1.8質量%以下である。
そして、感光層形成用塗布液は、波長830nmにおける吸光度A830と、波長1000nmにおける吸光度A1000との吸光度比A1000/A830が、25以下である。
本実施形態の感光体の製造方法は、波長1000nmにおける吸光係数が0.008以下である感光層を有する感光体を製造する方法として好適である。
なお、感光体の製造方法は、必要に応じて、導電性基体上に、下引層を形成する下引層形成工程、単層型の感光層上に保護層を形成する工程を有していてもよい。
−吸光度比A1000/A830−
感光層形成用塗布液は、波長830nmにおける吸光度A830と、波長1000nmにおける吸光度A1000との吸光度比A1000/A830が25以下である。より高感度にする点で、吸光度比が22以下であることがよく、吸光度比が20以下であることが好ましく、15以下であることがより好ましい。
なお、吸光度比(A1000/A830)の値は、次のようにして求める。感光層形成用塗布液を吸光度A830が、0.95以上1.05以下となるように希釈し、分光光度計にて測定する。さらに、測定波長を1000nmに設定して吸光度A1000を測定する。そして、得られたA1000とA830の値から、吸光度比(A1000/A830)を求める。
具体的には、感光層形成用塗布液の試料を採取し、測定用試料を準備する。次に、測定用試料を吸光度A830が、0.95以上1.05以下となるように希釈して、分光光度計(UV−2600、島津製作所社製)により測定し、吸光度A830の値を得る。また、分光光度計の測定波長を1000nmに設定して、測定用試料を測定し、吸光度A1000の値を得る。得られたA830の値およびA1000の値から、吸光度比(A1000/A830)を算出する。
吸光度比A1000/A830を25以下に制御する方法としては、例えば、感光層形成工程において、感光層形成用塗布液中に電荷発生材料等の粒子を分散させる分散条件等が挙げられる。また、粒子を分散させる前処理(例えば、超音波処理等)条件も挙げられ、これらの条件の組み合わせで制御し得る。
−単層型の感光層形成工程−
感光層形成工程は、上記成分を溶剤に加えた感光層形成用塗布液を用いて形成される。具体的には、上記成分を溶剤に加えた後、粒子を分散させて得られた感光層形成用塗布液を導電性基体上に塗布し、乾燥して単層型の感光層が形成される。
溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類、アセトン、2−ブタノン等のケトン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は単独又は2種以上混合して用いる。
感光層形成用塗布液中に粒子(例えば電荷発生材料)を分散させる方法としては、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル、ダイノーミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
これらの中でも、吸光度比A1000/A830が25以下に制御し易くなる点で、サンドミル等のメディア分散機よりも、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機を用いることが好ましい。
感光層形成用塗布液を下引層上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。
単層型の感光層の膜厚は、好ましくは5μm以上60μm以下、より好ましくは5μm以上50μm以下、さらに好ましくは10μm以上40μm以下の範囲に設定される。
(その他の層)
本実施形態に係る感光体には、前術の通り、必要に応じてその他の層を設けてもよい。その他の層としては、例えば、感光層上に最表面層として設けられる保護層が挙げられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善したりする目的で設けられる。そのため、保護層は、硬化膜(架橋膜)で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記1)又は2)に示す層が挙げられる。
1)反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層(つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層)
2)非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層(つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層)
反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−OH、−OR[但し、Rはアルキル基を示す]、−NH、−SH、−COOH、−SiRQ1 3−Qn(ORQ2Qn[但し、RQ1は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、RQ2は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Qnは1〜3の整数を表す]等の周知の反応性基が挙げられる。
連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、スチリル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。
反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。
これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。
保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。
保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤;イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は2種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
保護層形成用塗布液を感光層上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
保護層の膜厚は、例えば、好ましくは1μm以上20μm以下、より好ましくは2μm以上10μm以下の範囲内に設定される。
[画像形成装置(及びプロセスカートリッジ)]
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置;電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置;電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置;トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置;トナー像の転写後、帯電前に像保持体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置;電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、像保持体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式(液体現像剤を利用した現像方式)の画像形成装置のいずれであってもよい。
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して脱着されるカートリッジ構造(プロセスカートリッジ)であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
図2は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置100は、図2に示すように、電子写真感光体7を備えるプロセスカートリッジ300と、露光装置9(静電潜像形成手段の一例)と、転写装置40(一次転写装置)と、中間転写体50とを備える。なお、画像形成装置100において、露光装置9はプロセスカートリッジ300の開口部から電子写真感光体7に露光し得る位置に配置されており、転写装置40は中間転写体50を介して電子写真感光体7に対向する位置に配置されており、中間転写体50はその一部が電子写真感光体7に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体50に転写されたトナー像を記録媒体(例えば用紙)に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体50、転写装置40(一次転写装置)、及び二次転写装置(不図示)が転写手段の一例に相当する。
図2におけるプロセスカートリッジ300は、ハウジング内に、電子写真感光体7、帯電装置8(帯電手段の一例)、現像装置11(現像手段の一例)、及びクリーニング装置13(クリーニング手段の一例)を一体に支持している。クリーニング装置13は、クリーニングブレード(クリーニング部材の一例)131を有しており、クリーニングブレード131は、電子写真感光体7の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード131の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード131と併用してもよい。
なお、図2には、画像形成装置として、潤滑材14を電子写真感光体7の表面に供給する繊維状部材132(ロール状)、及び、クリーニングを補助する繊維状部材133(平ブラシ状)を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
−帯電装置−
帯電装置8としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
−露光装置−
露光装置9としては、例えば、電子写真感光体7表面に、半導体レーザ光、LED光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、780nm付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、600nm台の発振波長レーザや青色レーザとして400nm以上450nm以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
−現像装置−
現像装置11としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置11としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体7に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
現像装置11に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
−クリーニング装置−
クリーニング装置13は、クリーニングブレード131を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
−転写装置−
転写装置40としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
−中間転写体−
中間転写体50としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの(中間転写ベルト)が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
図3は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図3に示す画像形成装置120は、プロセスカートリッジ300を4つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置120では、中間転写体50上に4つのプロセスカートリッジ300がそれぞれ並列に配置されており、1色に付き1つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置120は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置100と同様の構成を有している。
なお、本実施形態に係る画像形成装置100は、上記構成に限られず、例えば、電子写真感光体7の周囲であって、転写装置40よりも電子写真感光体7の回転方向下流側でクリーニング装置13よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、残留したトナーの極性を揃え、クリーニングブラシで除去しやすくするための第1除電装置を設けた形態であってもよいし、クリーニング装置13よりも電子写真感光体の回転方向下流側で帯電装置8よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、電子写真感光体7の表面を除電する第2除電装置を設けた形態であってもよい。
また、本実施形態に係る画像形成装置100は、上記構成に限れず、周知の構成、例えば、電子写真感光体7に形成したトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の画像形成装置を採用してもよい。
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。なお、特に断りがないかぎり、「部」は「質量部」、「%」は「質量%」であることを示す。
<実施例1>
−感光層の形成−
電荷発生材料として下記表1に示すヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料0.8質量部と、結着樹脂としてビスフェノールZポリカーボネート樹脂(粘度平均分子量:5万、47.2質量部と、電子輸送材料として下記表1に示す電子輸送材料18質量部と、正孔輸送材料として下記表1に示す正孔輸送材料34質量部と、溶媒としてのテトラヒドロフラン250質量部と、からなる混合物を、高圧ホモジナイザーにて、処理圧50MPaで分散液を衝突方式で5回分散し、感光層形成用塗布液を得た。
なお、表1の各例における電荷発生材料、電子輸送材料、及び正孔輸送材料の含有量(質量%)は、結着樹脂(固形分)に対する量である。
得られた感光層形成用塗布液を、浸漬塗布法にて、直径30mm、長さ244.5mm、肉厚1mmのアルミニウム基材上に塗布し、135℃において35分間の乾燥硬化を行い、厚さ30μmの単層型の感光層を形成した。
以上の工程を経て、実施例1の電子写真感光体を作製した。
<実施例2〜12、比較例1〜4>
表1、2に記載の含有量となるように、電子輸送材料の種類と量、正孔輸送材料の種類と量、電荷発生材料の種類と量、及び、感光層形成用塗布液の処理条件を変更した以外は、実施例1と同様にして、各例の電子写真感光体を作製した。
<比較例5>
電荷発生材料として、下記表2に示すヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料0.4質量部、およびクロロガリウムフタロシアニン顔料0.4質量部と、結着樹脂としてビスフェノールZポリカーボネート樹脂(粘度平均分子量:5万)47.2質量部と、表1に示す電子輸送材料18質量部と、表1に示す正孔輸送材料34質量部と、溶剤としてテトラヒドロフラン250部と、からなる混合物を、直径1mmφのガラスビーズを用いてサンドミルにて4時間分散し、感光層形成用塗布液を得た。
得られた感光層形成用塗布液を、浸漬塗布法にて、直径30mm、長さ244.5mm、肉厚1mmのアルミニウム基材上に塗布し、140℃、30分の乾燥硬化を行い、厚さ30μmの単層型の感光層を形成した。
以上の工程を経て、比較例5の電子写真感光体を作製した。
<比較例6>
比較例5において、サンドミルをダイノーミルに代えた以外は比較例5と同様にして、比較例6の感光体を得た。
<評価>
得られた各電子写真感光体について、以下の評価を行った。その結果を表1に示す。
−波長1000nmにおける吸光係数の評価−
既述の方法にしたがって測定した。
−感光層形成用塗布液の吸光度比の評価−
既述の方法にしたがって測定し、(A1000/A830)を算出した。
−感光体感度評価−
感光体の感度の評価は、+800Vに帯電させたときの半減露光量として評価した。具体的には、静電複写紙試験装置(エレクトロスタティックアナライザーEPA−8100、川口電気社製)を用いて、20℃、40%RHの環境下、+800Vに帯電させた後、タングステンランプの光を、モノクロメーターを用いて800nmの単色光にし、感光体表面上で1μW/cmになるように調整して、照射した。そして、帯電直後における感光体表面の表面電位Vo(V)、感光体表面の光照射により表面電位が1/2×Vo(V)となる半減露光量E1/2(μJ/cm)を測定した。評価基準は、以下の通りである。
A: 半減露光量が0.15μJ/cm以下であった。
B: 半減露光量が0.15μJ/cmを超え0.18μJ/cm以下であった。
C: 半減露光量が0.18μJ/cmを超え0.20μJ/cm以下であった。
D: 半減露光量が0.20μJ/cmを超えていた。
(ゴースト評価)
各例で作製した電子写真感光体を、それぞれ画像形成装置Brother社製HL5340Dに装着し、28℃、85%RHの高温高湿環境下にて100枚画像形成後、形成された画像でのゴーストの発生について、以下の方法により評価した。
図4に示すように、Gの文字と黒領域(黒べた部分)を有するパターンのチャートの画像を形成し、黒べた部分でのGの文字の現れ具合を目視にて観察し、以下の基準で評価した。
ゴースト評価は、図4(A)に示すごとく、「G」の文字と「黒ベタ領域」とを有するパターンのチャートの画像を形成し、黒ベタ領域における「G」の文字(ゴースト)の現れ具合を目視にて観察し、以下の基準で評価した。
A: 図4(A)のごとく、黒ベタ領域には「G」の文字が確認されない。
B: 図4(B)のごとく、黒ベタ領域には「G」の文字が若干確認される。
C: 図4(C)のごとく、黒ベタ領域には「G」の文字がはっきり確認される。
なお、表1、表2中の略称の詳細は以下の通りである。
−電荷発生材料−
・CGM1(ClGaPC):クロロガリウムフタロシアニン:CuKα特性X線を用いたX線回折スペクトルのブラッグ角度(2θ±0.2°)が少なくとも7.4°、16.6°、25.5°、28.3°の位置に回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン顔料(600nm以上900nm以下の波長域での分光吸収スペクトルにおける最大ピーク波長=780nm、平均粒径=0.15μm、最大粒径=0.2μm、比表面積値=56m/g)
・CGM2(HOGaPC): ヒドロキシガリウムフタロシアニン(V型):CuKα特性X線を用いたX線回折スペクトルのブラッグ角度(2θ±0.2°)が少なくとも7.3°、16.0°、24.9°、28.0°の位置に回折ピークを有するV型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料(600nm以上900nm以下の波長域での分光吸収スペクトルにおける最大ピーク波長=820nm、平均粒径=0.12μm、最大粒径=0.2μm、比表面積値=60m/g)
・CGM3(H2PC):X型無金属フタロシアニン顔料(フタロシアニン骨格の中心に2個の水素原子が配位したフタロシアニン)
−正孔輸送材料−
・HTM1: 一般式(1)で表される正孔輸送材料の例示化合物(1−41)
・HTM2: 一般式(1)で表される正孔輸送材料の例示化合物(1−1)
・HTM3: 下記構造の正孔輸送材料HTM3
・HTM4: 下記構造の正孔輸送材料HTM4
(N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1’]ビフェニル−4,4’−ジアミン)
−電子輸送材料−
・ETM1: 一般式(2)で表される電子輸送材料の例示化合物(2−11)
・ETM2: 一般式(2)で表される電子輸送材料の例示化合物(2−14)
・ETM3:下記構造の電子輸送材料ETM3
(3,3’,5,5’−テトラ−tert−ブチル−4,4’−ジフェノキノン)
・ETM4:下記構造の電子輸送材料ETM4
(3,3’−ジ−tert−ペンチル−ジナフトキノン)
1 下引層、2 感光層、3 導電性基体、7 電子写真感光体、8 帯電装置、9 露光装置、11 現像装置、13 クリーニング装置、14 潤滑材、40 転写装置、50 中間転写体、100 画像形成装置、120 画像形成装置、131 クリーニングブレード、132 繊維状部材、133 繊維状部材、300 プロセスカートリッジ

Claims (7)

  1. 導電性基体と、
    前記導電性基体上に設けられた単層型の感光層であって、結着樹脂と、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも1種であり、前記結着樹脂に対する含有量が0.9質量%以上1.8質量%以下である電荷発生材料と、電子輸送材料と、正孔輸送材料と、を含み、波長1000nmにおける吸光係数が0.008以下である感光層と、
    を有する電子写真感光体。
  2. 前記電荷発生材料は、V型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料である請求項1に記載の電子写真感光体。
  3. 前記正孔輸送材料が、下記一般式(1)で表される正孔輸送材料である請求項1又は請求項2に記載の電子写真感光体。

    (一般式(1)中、R、R、R、R、R、及びRは、各々独立に、水素原子、低級アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ハロゲン原子、又は、低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロゲン原子から選ばれる置換基を有していてもよいフェニル基を示す。m及びnは、各々独立に0又は1を示す。)
  4. 前記電子輸送材料が、下記一般式(2)で表される電子輸送材料である請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の電子写真感光体。

    (一般式(2)中、R11、R12、R13、R14、R15、R16、及びR17は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアラルキル基を示す。R18は、アルキル基、−L19−O−R20で示される基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ただし、L19はアルキレン基を示し、R20はアルキル基を示す。)
  5. 導電性基体上に、結着樹脂と、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも1種であり、前記結着樹脂に対する含有量が0.9質量%以上1.8質量%以下である電荷発生材料と、電子輸送材料と、正孔輸送材料と、を含み、波長830nmにおける吸光度A830および波長1000nmにおける吸光度A1000の吸光度比A1000/A830が、25以下である感光層形成用塗布液を塗布し、乾燥させて単層型の感光層を形成する感光層形成工程を有する電子写真感光体の製造方法。
  6. 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の電子写真感光体を備え、
    画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
  7. 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の電子写真感光体と、
    前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
    帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
    トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
    前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
    を備える画像形成装置。
JP2016187083A 2016-09-26 2016-09-26 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 Pending JP2018054695A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016187083A JP2018054695A (ja) 2016-09-26 2016-09-26 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
US15/452,981 US10152013B2 (en) 2016-09-26 2017-03-08 Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus
CN201710311780.5A CN107870527A (zh) 2016-09-26 2017-05-05 电子照相感光体、处理盒和图像形成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016187083A JP2018054695A (ja) 2016-09-26 2016-09-26 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018054695A true JP2018054695A (ja) 2018-04-05

Family

ID=61686140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016187083A Pending JP2018054695A (ja) 2016-09-26 2016-09-26 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10152013B2 (ja)
JP (1) JP2018054695A (ja)
CN (1) CN107870527A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10517021B2 (en) 2016-06-30 2019-12-24 Evolve Cellular Inc. Long term evolution-primary WiFi (LTE-PW)
US11129906B1 (en) 2016-12-07 2021-09-28 David Gordon Bermudes Chimeric protein toxins for expression by therapeutic bacteria
US10991185B1 (en) 2020-07-20 2021-04-27 Abbott Laboratories Digital pass verification systems and methods

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1097088A (ja) * 1996-09-25 1998-04-14 Fuji Xerox Co Ltd 感光体塗布液の検査方法およびその製造方法並びに電子写真感光体の製造方法および電子写真感光体
JP2004348092A (ja) * 2003-03-24 2004-12-09 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体及びこれを用いたカラー画像形成装置
JP2013200418A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び、画像形成装置
JP2013231867A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP2015084052A (ja) * 2013-10-25 2015-04-30 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
JP2015166782A (ja) * 2014-03-03 2015-09-24 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置
JP2016038445A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP2016065888A (ja) * 2014-09-22 2016-04-28 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、画像形成装置、およびプロセスカートリッジ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3218663B2 (ja) 1992-02-14 2001-10-15 ミノルタ株式会社 接触帯電用感光体
JP3289050B2 (ja) 1992-09-11 2002-06-04 株式会社リコー 電子写真感光体
JP3246680B2 (ja) 1992-09-11 2002-01-15 株式会社リコー 電子写真感光体
DE602004014499D1 (de) * 2003-11-18 2008-07-31 Kyocera Mita Corp Nassentwicklungs-elektrographie-fotorezeptor und nassentwicklungs-bilderzeugungseinrichtung
JP2012042848A (ja) 2010-08-23 2012-03-01 Konica Minolta Business Technologies Inc 電子写真感光体の製造方法
JP5589993B2 (ja) 2011-08-31 2014-09-17 コニカミノルタ株式会社 電子写真感光体、それを含むプロセスカートリッジおよび画像形成装置
JP6503667B2 (ja) * 2014-09-18 2019-04-24 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1097088A (ja) * 1996-09-25 1998-04-14 Fuji Xerox Co Ltd 感光体塗布液の検査方法およびその製造方法並びに電子写真感光体の製造方法および電子写真感光体
JP2004348092A (ja) * 2003-03-24 2004-12-09 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体及びこれを用いたカラー画像形成装置
JP2013200418A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び、画像形成装置
JP2013231867A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP2015084052A (ja) * 2013-10-25 2015-04-30 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
JP2015166782A (ja) * 2014-03-03 2015-09-24 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置
JP2016038445A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP2016065888A (ja) * 2014-09-22 2016-04-28 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、画像形成装置、およびプロセスカートリッジ

Also Published As

Publication number Publication date
US20180088516A1 (en) 2018-03-29
CN107870527A (zh) 2018-04-03
US10152013B2 (en) 2018-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6357823B2 (ja) 電子写真感光体、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
JP6413548B2 (ja) 電子写真感光体、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
CN105911822B (zh) 电子照相感光体、处理盒和成像装置
US20180081287A1 (en) Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus
JP2015184462A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP2017049459A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP2016065888A (ja) 電子写真感光体、画像形成装置、およびプロセスカートリッジ
JP6485161B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
US10152013B2 (en) Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus
JP6402527B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP2016066062A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP6503667B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP6307968B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP2017049425A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP6464863B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置
JP6136996B2 (ja) 電子写真感光体、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
JP6428343B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
US9829812B2 (en) Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus
JP6620461B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP6372274B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置
JP6172006B2 (ja) 画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
JP6724655B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP2017161653A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP2017161639A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP2015175909A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190910

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200729

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200908

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210126