JP6786949B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置に関するものである。

特許文献１には、導電性基体上に、少なくとも電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、及びバインダー樹脂を含む単層構造の感光層が形成されており、接触帯電方式の帯電部を備える画像形成装置において像保持体として使用される正帯電単層型電子写真感光体であって、前記電子輸送剤は、還元電位が−０．８５〜−０．５５Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ＋）である正帯電単層型電子写真感光体が開示されている。
特許文献２には、導電性基体上に直接又は下引き層を介して単層の有機感光層を設けてなり、その感光層は少なくとも電荷発生物質、有機正孔移動物質及び有機アクセプタ性化合物が結着剤中に分散され、かつ、該電荷発生物質の電子親和力（Ｅａ）値が該有機アクセプタ性化合物のＥａ値と同程度もしくはそれより小さいものである単層型電子写真感光体が開示されている。
特許文献３には、導電性基体上に直接又は下引き層を介して単層の有機感光層を設けてなり、その感光層は少なくとも電荷発生物質、有機正孔移動物質及び有機アクセプタ性化合物が結着剤中に分散され、かつ、該電荷発生物質のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）値が該有機正孔移動物質のＩｐ値と同程度もしくはそれより小さいものである単層型電子写真感光体が開示されている。

特開２０１２−２０８２３２号公報 特開平０６−１１０２２０号公報 特開平０６−２１４４０６号公報

導電性基体上に単層型の感光層を有する電子写真感光体としては、低コスト化の点から、下引層を有さず、導電性基体上に単層型の感光層が直接設けられていることが多い。その一方で、導電性基体上に単層型の感光層が直接設けられた感光体を用いた場合には、色点が発生することがあった。

そこで、本発明は、下引層を介さず導電性基体上に単層型の感光層が直接設けられた電子写真感光体において、感光層に膜厚２ｎｍおよび電極面積が９．３×１０^−１ｃｍ^２になるように金電極を設け、温度３３℃、湿度８０％の環境下において、感光層と導電性基体との間に、金電極がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値Ｉａ［Ａ／ｃｍ^２］と、感光層と導電性基体との間に、導電性基体がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値Ｉｂ［Ａ／ｃｍ^２］との差分ΔＩａｂが、５．５×１０^−８［Ａ／ｃｍ^２］未満、又は９．２×１０^−８［Ａ／ｃｍ^２］を超える場合に比べ、色点の発生を抑制する電子写真感光体を提供することを課題とする。

前記課題を解決するための具体的手段には、下記の態様が含まれる。

請求項１に係る発明は、
導電性基体と、
前記導電性基体上に直接設けられ、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と電子輸送材料とを含有する単層型の感光層と、
を有し、
前記導電性基体の仕事関数Ｉｐと前記電荷発生材料の電子親和力Ｅａとの差分ΔＥａ−Ｉｐが−０．１ｅＶ以上＋０．１ｅＶ以下の範囲であり、
前記感光層に膜厚２ｎｍおよび電極面積が９．３×１０^−１ｃｍ^２になるように金電極を設け、温度３３℃、湿度８０％の環境下において、前記感光層と前記導電性基体との間に、前記金電極がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値Ｉａ［Ａ／ｃｍ^２］と、前記感光層と前記導電性基体との間に、前記導電性基体がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値Ｉｂ［Ａ／ｃｍ^２］との差分ΔＩａｂが、５．５×１０^−８［Ａ／ｃｍ^２］以上９．２×１０^−８［Ａ／ｃｍ^２］以下の範囲内である電子写真感光体である。

請求項２に係る発明は、
前記感光層が、前記電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも１種の電荷発生材料、前記正孔輸送材料として、下記一般式（１）で表される正孔輸送材料、及び前記電子輸送材料として、下記一般式（２）で表される電子輸送材料を含有する請求項１に記載の電子写真感光体である。

一般式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、及びＲ^６は、各々独立に、水素原子、低級アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ハロゲン原子、又は、低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロゲン原子から選ばれる置換基を有していてもよいフェニル基を示す。ｍ及びｎは、各々独立に、０又は１を示す。

一般式（２）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６及びＲ^１７は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又はアリール基を表し、Ｒ^１８はアルキル基、−Ｌ^１９−Ｏ−Ｒ^２０、アリール基、又はアラルキル基を表す。ただし、Ｌ^１９はアルキレン基を示し、Ｒ^２０はアルキル基を表す。

請求項３に係る発明は、
請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。

請求項４に係る発明は、
請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。

請求項１、２に係る発明によれば、下引層を介さず導電性基体上に単層型の感光層が直接設けられた電子写真感光体において、感光層に膜厚２ｎｍおよび電極面積が９．３×１０^−１ｃｍ^２になるように金電極を設け、温度３３℃、湿度８０％の環境下において、感光層と導電性基体との間に、金電極がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値Ｉａ［Ａ／ｃｍ^２］と、感光層と導電性基体との間に、導電性基体がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値Ｉｂ［Ａ／ｃｍ^２］との差分ΔＩａｂが、５．５×１０^−８［Ａ／ｃｍ^２］未満、又は９．２×１０^−８［Ａ／ｃｍ^２］を超える場合に比べ、色点の発生を抑制する電子写真感光体が提供される。

請求項３又は４に係る発明によれば、感光層に膜厚２ｎｍおよび電極面積が９．３×１０^−１ｃｍ^２になるように金電極を設け、温度３３℃、湿度８０％の環境下において、感光層と導電性基体との間に、金電極がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値Ｉａ［Ａ／ｃｍ^２］と、感光層と導電性基体との間に、導電性基体がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値Ｉｂ［Ａ／ｃｍ^２］との差分ΔＩａｂが、５．５×１０^−８［Ａ／ｃｍ^２］未満、又は９．２×１０^−８［Ａ／ｃｍ^２］を超える場合に比べ、色点の発生を抑制する電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジ又は画像形成装置が提供される。

本実施形態に係る電子写真感光体を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。

以下、本発明の一例である実施形態について説明する。

＜電子写真感光体＞
本実施形態に係る電子写真感光体（以下、「感光体」と称することがある）は、導電性基体上に、下引層を介さず、導電性基体上に直接設けられた単層型の感光層を有する正帯電有機感光体（以下、「単層型感光体」と称することがある）である。単層型の感光層は、結着樹脂と、電荷発生材料と、正孔輸送材料と、電子輸送材料とを含む。
そして、導電性基体の仕事関数Ｉｐと電荷発生材料の電子親和力（Ｅａ）との差分ΔＥａ−Ｉｐが−０．１ｅＶ以上＋０．１ｅＶ以下の範囲であり、感光層に膜厚２ｎｍおよび電極面積が９．３×１０^−１ｃｍ^２になるように金電極を設け、温度３３℃、湿度８０％の環境下において、前記感光層と前記導電性基体との間に、前記金電極がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値Ｉａ［Ａ／ｃｍ^２］と、前記感光層と前記導電性基体との間に、前記導電性基体がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値Ｉｂ［Ａ／ｃｍ^２］との差分ΔＩａｂが、５．５×１０^−８［Ａ／ｃｍ^２］以上９．２×１０^−８［Ａ／ｃｍ^２］以下の範囲内である。
なお、単層型の感光層とは、電荷発生能と共に、正孔輸送性及び電子輸送性を持つ感光層である。単層型の感光層は、且つ、感光体の最表面を構成する。

単層型感光体は、積層型の感光層を有する感光体に比べて、塗布工程が少なく製造コストが安価であるという利点もあり、近年、例えば、廉価帯の画像形成装置に適用する感光体として注目されている。
この単層型感光体は、低コスト化を考慮して、下引層を有さず、導電性基体上に、感光層が直接設けられていることが多い。導電性基体上に、感光層が直接設けられた感光体としては、例えば、陽極酸化処理を施した導電性基体を用いることがある。陽極酸化処理を施した導電性基体を用いることで、色点などの画質欠陥が抑制されやすくなるが、陽極酸化処理を行うことで、感光体を製造するための工数が増えるため、製造コストの上昇につながる。

ところで、単層型感光体は、色点などの画質欠陥を抑制したうえで、さらなる低コスト化が求められている。そこで、低コスト化のために、例えば、陽極酸化処理を施していない導電性基体上に、感光層を直接設けることが考えられる。しかしながら、陽極酸化処理を施していない導電性基体上に、下引層を介さず、単層型の感光層を直接設けた感光体とした場合、この単層型感光体は、例えば、感光層から導電性基体への電荷の漏れ（リーク）が発生し易くなる。そして、電荷の漏れの影響により、画質欠陥が発生することがある。また、高温高湿環境（例えば、３３℃、８０％ＲＨ）下において、繰り返し画像を形成すると、導電性基体に腐食が発生し易くなる場合がある。導電性基体に腐食が発生すると、腐食に起因して単層型の感光層には局所的な電荷漏れが発生し易くなり、色点の発生が顕著になり易い。

これに対して、本実施形態の感光体は、上記構成により、例えば、陽極酸化処理を施していない導電性基体上に感光層を直接設けた場合であっても、色点の発生が抑制される。その理由は、定かではないが、以下に示すように推測される。

導電性基体の仕事関数と電荷発生材料の電子親和力との差ΔＥａ−Ｉｐが−０．１ｅＶ以上＋０．１ｅＶ以下の範囲であると、感光層中の電荷発生材料による障壁が大きくなることで、感光層から導電性基体への電荷漏れが抑制される（リーク耐性が向上する）と考えられる。
また、ΔＥａ−Ｉｐが上記範囲を満足することで、導電性基体の腐食の発生が抑制され易くなり、高温高湿環境下による腐食の影響を受け難くなる。さらに、例えば、感光層形成用塗布液を塗布したときに、導電性基体と化学反応を起こすことによって腐食することも抑制され得る。

一方、単層型の感光層に膜厚２ｎｍおよび電極面積が９．３×１０^−１ｃｍ^２になるように金電極を設け、温度３３℃、湿度８０％の環境下において、感光層と導電性基体との間に、金電極がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値Ｉａ［Ａ／ｃｍ^２］と、感光層と導電性基体との間に、導電性基体がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値Ｉｂ［Ａ／ｃｍ^２］との差分ΔＩａｂは、５．５×１０^−８［Ａ／ｃｍ^２］以上９．２×１０^−８［Ａ／ｃｍ^２］以下の範囲である。ΔＩａｂは、感光層から導電性基体へ注入される注入電流を示すものであり、ΔＩａｂを上記範囲とすることで、感光層から導電性基体へ注入される注入電流が適性範囲となる。その結果、色点の発生が抑制されると考えられる。

以上から、本実施形態に係る電子写真感光体は、上記構成により、感光層から導電性基体への電荷漏れが抑制され（リーク耐性が向上し）、導電性基体への注入電流が適性化されるため、色点の発生が抑制されると推測される。

ここで、上記のΔＥａ−ＩｐおよびΔＩａｂの測定方法について説明する。ΔＥａ−ＩｐおよびΔＩａｂは下記に示す方法によって測定される。

（ΔＥａ−Ｉｐ）
−導電性基体の仕事関数Ｉｐの測定−
導電性基体（例えばアルミニウム製基体）の仕事関数の測定には、理研計器社製光電子分光装置（ＡＣ−２）を使用する。２０℃、４０％ＲＨの環境下において、低エネルギー電子計数方式で、検値範囲３．４ｅＶ以上６．２ｅＶ以下（３６４ｎｍ以下２００ｎｍ以上）、照射光量は５０ｎＷで測定を行い、照射光のエネルギーと電子放出数の平方根より光電子放出しきいからイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）を見積もる。

そして、電荷発生材料固有の値である電子親和力Ｅａから、上記で求められた導電性基体の仕事関数Ｉｐを差し引いてΔＥａ−Ｉｐを求める。

なお、導電性基体の仕事関数は、例えば、後述する導電性基体の洗浄によって調整し得る。また、電荷発生材料の電子親和力Ｅａは、電荷発生材料の固有の値である。したがって、ΔＥａ−Ｉｐは、例えば、洗浄した導電性基体と、感光層に用いる電荷発生材料の種類との組み合わせによって制御し得る。

（ΔＩａｂ）
−ΔＩａｂの測定−
ΔＩａｂの測定には、３３℃、８０％ＲＨの環境下において、東陽テクニカ社製の強誘電体特性評価システムの直流ＩＶ測定を使用する。感光層表面には、面積が９．３×１０^−１ｃｍ^２になるように、予め、厚さ２ｎｍの金電極をスパッタで作製する。そして、感光層と導電性基体との間に、金電極がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値をＩａ［Ａ／ｃｍ^２］とする。また、感光層と導電性基体との間に、導電性基体がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値をＩｂ［Ａ／ｃｍ^２］とする。このときの両者の差分ΔＩａｂを求める。ΔＩａｂは、感光層から導電性基体への注入電流として評価する。
ここで、本明細書中において、ΔＩａｂは、Ｉａ［Ａ／ｃｍ^２］−Ｉｂ［Ａ／ｃｍ^２］で表される値である。

なお、ΔＩａｂは、例えば、表面を洗浄した導電性基体と、感光層の組成（例えば、電荷発生材料の種類、２種以上用いた場合はそれらの比率）との組み合わせによって制御し得る。

以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る電子写真感光体を詳細に説明する。
図１は、本実施形態に係る電子写真感光体７の一部の断面を概略的に示している。
図１に示した電子写真感光体７は、例えば、導電性基体３を備え、導電性基体３上に、単層型の感光層２が直接設けられて構成されている。
また、電子写真感光体７は、例えば、必要に応じて、単層型の感光層２上に保護層を設けてもよい。

以下、本実施形態に係る電子写真感光体の各層について詳細に説明する。なお、符号は省略して説明する。

（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ未満であることをいう。
本実施形態における導電性基体としては、金属製又は合金製の板、ドラム、ベルト等が好ましく、アルミニウム製の板、ドラム、ベルト等がより好ましい。

導電性基体の仕事関数（Ｉｐ）は、電荷漏れを抑制し、色点の発生を抑制する点で、例えば、３．８０ｅＶ以上４．０５ｅＶ以下（好ましくは、３．８０ｅＶ以上３．９０ｅＶ以下）であることがよい。

導電性基体の仕事関数Ｉｐは、例えば、導電性基体の表面をｐＨ７．０以上９．５以下の水（以下、「弱アルカリ水」とも称する）で洗浄することで制御し得る。導電性基体は、少なくとも感光層が設けられる表面が弱アルカリ水に接触すればよい。

導電性基体の表面を洗浄する水のｐＨが７．０未満であると、導電性基体表面が酸化されやすくなり、導電性基体が腐食しやすくなる。一方、水のｐＨが９．５超であると、導電性基体の表面が劣化しやすくなる。導電性基体の洗浄に用いる水のｐＨの範囲は、好ましくはｐＨ７．０以上９．０以下であり、より好ましくは７．０超８．５以下であり、さらに好ましくは、７．０超８．０以下である。
なお、水のｐＨは水温によって変動するが、本実施形態においては、導電性基体を洗浄する（接触する）ときの水のｐＨが上記範囲であることがよい。

弱アルカリ水は、例えば、水を逆浸透膜で処理することにより調製し得る。水のｐＨは、例えば、水を電気分解することにより調整し得る。

弱アルカリ水の温度は、特に限定されないが、例えば、２５℃以上７０℃以下であることがよく、３５℃以上６５℃以下が好ましく、４５℃以上５０℃以下がより好ましい。

導電性基体を弱アルカリ水で洗浄する方法としては、例えば、弱アルカリ水に導電性基体を浸漬する方法、導電性基体に弱アルカリ水を吹きかける方法等が挙げられる。導電性基体を弱アルカリ水で洗浄する回数は、１回でもよく２回以上の複数回行なってもよい。具体的には、例えば、導電性基体を弱アルカリ水に浸漬することを複数回行ってもよい。

導電性基体と弱アルカリ水とが接触している時間は、特に限定されないが、例えば、１０秒間以上１８０秒間以下であることがよく、３０秒間以上１２０秒間以下が好ましく、６０秒間以上１００秒間以下がより好ましい。

導電性基体の洗浄後、導電性基体表面に接触した弱アルカリ水は、導電性基体表面から除去されることが望ましい。導電性基体表面から弱アルカリ水を除去する方法としては、例えば、熱処理により弱アルカリ水を蒸発させる方法が挙げられる。

本実施形態に係る製造方法は、導電性基体を洗浄する前（導電性基体を洗浄する工程）に他の工程を有していてもよい。他の工程としては、導電性基体の表面を脱脂洗浄する工程；脱脂洗浄した導電性基体を水で洗浄する工程；水で洗浄した導電性基体をさらに水ですすぐ工程；など、金属製部材に施される公知の工程が挙げられる。

なお、一例として、弱アルカリ水（ｐＨ８．１）で洗浄した後の導電性基体のごく表面は、Ｃ：Ｏ：Ａｌの比率が４５．６：２４．９：２９．５であった。
測定方法としては、導電性基体を１ｃｍ四方に切り出し、蛍光Ｘ線分析（ＸＰＳ）を使用して表面の付着成分を分析した。初めは、サンプルをワイドで測定し、観測されたピーク値からＣ、Ｏ、Ａｌの３つを抜き出し、続いてこれらの成分をナローで測定した時の比率を採用した。

（単層型の感光層）
単層型の感光層は、結着樹脂と、電荷発生材料と、正孔輸送材料と、電子輸送材料とを含み、必要に応じてその他添加剤を含んでもよい。

−結着樹脂−
結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上混合して用いてもよい。

これら結着樹脂の中でも、感光層の機械的強度等の観点から、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂が好ましい。
また、感光層の成膜性の観点から、粘度平均分子量３００００以上８００００以下のポリカーボネート樹脂、及び粘度平均分子量３００００以上８００００以下のポリアリレート樹脂の少なくとも１種を用いることがよい。

なお、粘度平均分子量は、下記の方法により測定される値である。樹脂１ｇをメチレンクロライド１００ｃｍ^３に溶解し、２５℃の測定環境下でウベローデ粘度計により、比粘度ηｓｐを測定する。そして、ηｓｐ／ｃ＝〔η〕＋０．４５〔η〕^２ｃの関係式（但しｃは濃度（ｇ／ｃｍ^３））から極限粘度〔η〕（ｃｍ^３／ｇ）を求め、Ｈ．Ｓｃｈｎｅｌｌによって与えられている関係式〔η〕＝１．２３×１０^−４Ｍｖ^０．８３から粘度平均分子量Ｍｖを求める。

感光層の全固形分に対する結着樹脂の含有量は、例えば、３５質量％以上６０質量％以下、望ましくは４０質量％以上５５質量％以下である。

−電荷発生材料−
電荷発生材料としては、前述のΔＥａ−Ｉｐの範囲内を満たすものであれば、特に限定されるものでない。
電荷発生材料の電子親和力（Ｅａ）は、電荷漏れを抑制し、色点の発生を抑制する点で、例えば、３．８ｅＶ以上４．０ｅＶ以下（好ましくは、３．８ｅＶ以上３．９ｅＶ以下）であることがよい。

なお、電荷発生材料は、電子親和力（Ｅａ）の異なる電荷発生材料を２種以上用いてもよい。この場合、電荷発生材料の電子親和力（Ｅａ）は、感光層に含まれる電荷発生材料のうち、最も含有比率（質量比）の高い電荷発生材料の電子親和力（Ｅａ）を示す。一方、含有比率が同じ場合は、各々の電荷発生材料の電子親和力（Ｅａ）の平均値を表す。
以下、電荷発生材料について詳細に説明する。

電荷発生材料としては、例えば、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。

これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることがよい。具体的には、例えば、ヒドロキシガリウムフタロシアニン；クロロガリウムフタロシアニン；ジクロロスズフタロシアニン；チタニルフタロシアニンが挙げられる。

一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；ビスアゾ顔料等を用いることがよい。

すなわち、電荷発生材料としては、例えば３８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の露光波長の光源を用いる場合には無機顔料を用いることがよく、７００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の露光波長の光源を用いる場合には、金属及び無金属フタロシアニン顔料を用いことがよい。

中でも、電荷発生材料としては、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも１種を用いることが望ましい。これらの電荷発生材料としては、単独又は２種以上混合して用いてもよい。感光体の高感度化の点から、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がよい。
なお、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料を併用する場合には、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料とクロロガリウムフタロシアニン顔料との比率は、質量比で、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料：クロロガリウムフタロシアニン顔料＝９：１乃至３：７（好ましくは９：１乃至６：４）であることがよい。

ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、特に制限はないが、Ｖ型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がよい。
特に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料としては、例えば、６００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の波長域での分光吸収スペクトルにおいて、８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料がより優れた分散性が得られる観点から望ましい。

また、上記の８１０ｎｍ以上８３９ｎｍ以下の範囲に最大ピーク波長を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、平均粒径が特定の範囲であり、且つ、ＢＥＴ比表面積が特定の範囲であることが好ましい。具体的には、平均粒径が０．２０μｍ以下であることが好ましく、０．０１μｍ以上０．１５μｍ以下であることがより好ましい。一方、ＢＥＴ比表面積は４５ｍ^２／ｇ以上であることが好ましく、５０ｍ^２／ｇ以上であることがより好ましく、５５ｍ^２／ｇ以上１２０ｍ^２／ｇ以下であることがさらに好ましい。平均粒径は、体積平均粒径であり、レーザ回折散乱式粒度分布測定装置（堀場製作所ＬＡ−７００）にて測定した値である。ＢＥＴ比表面積は、流動式比表面積自動測定装置（島津製作所フローソープＩＩ２３００）を用い窒素置換法にて測定した値である。

ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の最大粒径（一次粒径の最大値）は、１．２μｍ以下が好ましく、１．０μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ以下が更に好ましい。

ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、平均粒径が０．２μｍ以下であり、且つ、最大粒径が１．２μｍ以下であり、且つ、ＢＥＴ比表面積が４５ｍ^２／ｇ以上であることが好ましい。

ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料は、ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜、１６．０゜、２４．９゜、２８．０゜に回折ピークを有するＶ型であることが好ましい。

一方、クロロガリウムフタロシアニン顔料としては、感光層の感度の点から、ブラッグ角度（２θ±０．２°）７．４°、１６．６°、２５．５°、２８．３°に回折ピークを有する化合物が好ましい。クロロガリウムフタロシアニン顔料の最大ピーク波長、平均粒径、最大粒径、及びＢＥＴ比表面積の好ましい範囲は、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料と同様である。

電荷発生材料は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

単層型の感光層の全固形分に対する電荷発生材料の含有量は、１質量％以上５質量％以下がよく、１．２質量％以上４．５質量％以下であることが望ましい。

−正孔輸送材料−
正孔輸送材料としては、特に制限はないが、例えば、２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール誘導体；１，３，５−トリフェニル−ピラゾリン、１−［ピリジル−（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリン等のピラゾリン誘導体；トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミン、トリ（ｐ−メチルフェニル）アミニル−４−アミン、ジベンジルアニリン等の芳香族第３級アミノ化合物；Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン等の芳香族第３級ジアミノ化合物、３−（４′−ジメチルアミノフェニル）−５，６−ジ−（４′−メトキシフェニル）−１，２，４−トリアジン等の１，２，４−トリアジン誘導体；４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン誘導体；２−フェニル−４−スチリル−キナゾリン等のキナゾリン誘導体；６−ヒドロキシ−２，３−ジ（ｐ−メトキシフェニル）ベンゾフラン等のベンゾフラン誘導体；ｐ−（２，２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン誘導体；エナミン誘導体；Ｎ−エチルカルバゾール等のカルバゾール誘導体；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びその誘導体等；上記した化合物で構成される基を主鎖又は側鎖に有する重合体；などが挙げられる。これらの正孔輸送材料は、１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
正孔輸送材料の具体例としては、例えば、下記一般式（Ｂ−１）で示される化合物及び下記一般式（Ｂ−２）で示される化合物が挙げられる。さらに、下記一般式（１）で表される化合物が挙げられる。これらの中でも、電荷移動度の観点から、下記一般式（１）で表される正孔輸送材料が適用されることが好ましい。

一般式（Ｂ−１）中、Ｒ^Ｂ１は、水素原子またはメチル基を示す。ｎ１１は１または２を示す。Ａｒ^Ｂ１およびＡｒ^Ｂ２は各々独立に置換若しくは未置換のアリール基、−Ｃ_６Ｈ_４−Ｃ（Ｒ^Ｂ３）＝Ｃ（Ｒ^Ｂ４）（Ｒ^Ｂ５）、または−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｂ６）（Ｒ^Ｂ７）を示し、Ｒ^Ｂ３乃至Ｒ^Ｂ７はそれぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、または置換若しくは未置換のアリール基を表す。置換基としてはハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、または炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基を示す。

一般式（Ｂ−２）中、Ｒ^Ｂ８およびＲ^Ｂ８’は同一でも異なってもよく、各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、を示す。Ｒ^Ｂ９、Ｒ^Ｂ９’、Ｒ^Ｂ１０、およびＲ^Ｂ１０’は同一でも異なってもよく、各々独立にハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは未置換のアリール基、−Ｃ（Ｒ^Ｂ１１）＝Ｃ（Ｒ^Ｂ１２）（Ｒ^Ｂ１３）、または−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｂ１４）（Ｒ^Ｂ１５）を示し、Ｒ^Ｂ１１乃至Ｒ^Ｂ１５は各々独立に水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基、または置換若しくは未置換のアリール基を表す。ｍ１２、ｍ１３、ｎ１２およびｎ１３は各々独立に０以上２以下の整数を示す。

ここで、一般式（Ｂ−１）で示される化合物及び一般式（Ｂ−２）で示される化合物のうち、特に、「−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｂ６）（Ｒ^Ｂ７）」を有する一般式（Ｂ−１）で示される化合物、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｂ１４）（Ｒ^Ｂ１５）」を有する一般式（Ｂ−２）で示される化合物が好ましい。

以下、一般式（Ｂ−１）で示される化合物及び一般式（Ｂ−２）で示される化合物の具体例として、下記構造式（ＨＴ−Ａ）〜（ＨＴ−Ｇ）を挙げるが、正孔輸送材料は、これらに限られるものではない。

一般式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、及びＲ^６は、各々独立に、水素原子、低級アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ハロゲン原子、又は、低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロゲン原子から選ばれる置換基を有していてもよいフェニル基を示す。ｍ及びｎは、各々独立に、０又は１を示す。

一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^６が示す低級アルキル基としては、例えば、直鎖状又は分岐状で、炭素数１以上４以下のアルキル基が挙げられ、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。
これらの中でも、低級アルキル基としては、メチル基、エチル基が好ましい。

一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^６が示すアルコキシ基としては、例えば、炭素数１以上４以下のアルコキシ基が挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。

一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^６が示すハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^６が示すフェニル基としては、例えば、未置換のフェニル基；ｐ−トリル基、２，４−ジメチルフェニル基等の低級アルキル基置換のフェニル基；ｐ−メトキシフェニル基等の低級アルコキシ基置換のフェニル基；ｐ−クロロフェニル基等のハロゲン原子置換のフェニル基等が挙げられる。
なお、フェニル基に置換し得る置換基としては、例えば、Ｒ^１〜Ｒ^６が示す低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子が挙げられる。

一般式（１）の正孔輸送材料の中でも、高感度化の点から、ｍ及びｎが１を示す正孔輸送材料が好ましく、Ｒ^１〜Ｒ^６が各々独立に、水素原子、炭素数１以上４以下の低級アルキル基、又はアルコキシ基を示し、ｍ及びｎが１を示す正孔輸送材料がより好ましい。

以下に、一般式（１）で表される化合物の例示として化合物（１−１）〜（１−６４）を挙げるが、これに限定されるわけではない。置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示す。

なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。
・４−Ｍｅ：フェニル基の４−位に置換するメチル基
・３−Ｍｅ：フェニル基の３−位に置換するメチル基
・４−Ｃｌ：フェニル基の４−位に置換する塩素原子
・４−ＭｅＯ：フェニル基の４−位に置換するメトキシ基
・４−Ｆ：フェニル基の４−位に置換するフッ素原子
・４−Ｐｒ：フェニル基の４−位に置換するプロピル基
・４−ＰｈＯ：フェニル基の４−位に置換するフェノキシ基

−電子輸送材料−
電子輸送材料としては、特に制限はないが、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、９−ジシアノメチレン−９−フルオレノン−４−カルボン酸オクチル等のフルオレノン系化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン系化合物；３，３’−ジ−ｔｅｒｔ−ペンチル−ジナフトキノン等のジナフトキノン系化合物；３，３’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−５，５’−ジメチルジフェノキノン、３，３’，５，５’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４’−ジフェノキノン等のジフェノキノン系化合物；上記した化合物で構成される基を主鎖又は側鎖に有する重合体；などが挙げられる。これらの電子輸送材料は、１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

電子輸送材料としては、高感度の点から、下記の一般式（２）で表される化合物が好ましい。

一般式（２）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、及びＲ^１７は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアラルキル基を示す。Ｒ^１８は、アルキル基、−Ｌ^１９−Ｏ−Ｒ^２０、アリール基、又はアラルキル基を表す。ただし、Ｌ^１９はアルキレン基を示し、Ｒ^２０はアルキル基を表す。

一般式（２）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

一般式（２）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すアルキル基としては、例えば、直鎖状又は分岐状で、炭素数１以上４以下（好ましくは１以上３以下）のアルキル基が挙げられ、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。

一般式（２）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すアルコキシ基としては、例えば、炭素数１以上４以下（好ましくは１以上３以下）のアルコキシ基が挙げられ、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。

一般式（２）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基等が挙げられる。これらの中でも、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すアリール基としては、フェニル基が好ましい。
一般式（２）中、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等が挙げられる。

一般式（２）中、Ｒ^１８が示すアルキル基としては、例えば、炭素数１以上１２以下（好ましくは炭素数５以上１０以下）の直鎖状のアルキル基、炭素数３以上１０以下（好ましくは炭素数５以上１０以下）の分岐状のアルキル基が挙げられる。
炭素数１以上１２以下の直鎖状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル基等が挙げられる。
炭素数３以上１０以下の分岐状のアルキル基としては、例えば、イソプロピル基、
イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。

一般式（２）中、Ｒ^１８が示す−Ｌ^１９−Ｏ−Ｒ^２０で示される基は、Ｌ^１９がアルキレン基を示し、Ｒ^２０は、アルキル基を示す。
Ｌ^１９が示すアルキレン基としては、直鎖状又は分岐状の炭素数１以上１２以下のアルキレン基が挙げられ、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基等が挙げられる。
Ｒ^２０が示すアルキル基としては、上記Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すアルキル基と同様の基が挙げられる。

一般式（２）中、Ｒ^１８が示すアリール基としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基等が挙げられる。
なお、Ｒ^１８が示すアリール基は、アルキル基で置換されたアルキル置換アリール基であることが、溶解性の観点で好ましい。アルキル置換アリール基のアルキル基としては、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が示すアルキル基と同様の基が挙げられる。

一般式（２）中、Ｒ^１８が示すアラルキル基としては、−Ｌ^２１−Ａｒで示される基が挙げられる。但し、Ｌ^２１は、アルキレン基を示す、Ａｒは、アリール基を示す。
Ｌ^２１が示すアルキレン基としては、直鎖状又は分岐状の炭素数１以上１２以下のアルキレン基が挙げられ、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基等が挙げられる。
Ａｒが示すアリール基としては、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基等が挙げられる。

一般式（２）中、Ｒ^１８が示すアラルキル基として具体的には、ベンジル基、メチルベンジル基、ジメチルベンジル基、フェニルエチル基、メチルフェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基等が挙げられる。

一般式（２）の電子輸送材料としては、高感度化の点から、Ｒ^１８が炭素数５以上１０以下のアルキル基又はアラルキル基を示す電子輸送材料が好ましく、特に、Ｒ^１１〜Ｒ^１７が各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、又はアルキル基を示し、かつ、Ｒ^１８が炭素数５以上１０以下のアルキル基又はアラルキル基を示す電子輸送材料が好ましい。

以下、一般式（２）の電子輸送材料の例示化合物を示すが、これに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物（２−番号）と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物１５は、「例示化合物（２−１５）」と以下表記する。

なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。
・Ｐｈ：フェニル基

電子輸送材料の具体例としては、一般式（２）で表される電子輸送材料の他に、その他の電子輸送材料として、例えば、下記構造式（ＥＴ−Ａ）〜（ＥＴ−Ｅ）で示される化合物も挙げられる。

一般式（２）の電子輸送材料は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を組合せて用いてもよい。また、一般式（２）で表される電子輸送材料を用いる場合、一般式（２）で表される電子輸送材料と、一般式（２）で表される電子輸送材料以外の電子輸送材料（例えば、上記の構造式（ＥＴ−Ａ）〜（ＥＴ−Ｅ）で示される化合物の電子輸送材料）とを併用してもよい。
なお、一般式（２）で表される電子輸送材料以外の電子輸送材料を含有させる場合の含有量としては、電子輸送材料全体に対し、１０質量％以下の範囲であることが好ましい。

感光層の全固形分に対する全電子輸送材料の含有量は、４質量％以上３０質量％以下がよく、好ましくは６質量％以上２０質量％以下である。

−正孔輸送材料と電子輸送材料との質量比−
正孔輸送材料と電子輸送材料との比率は、質量比（正孔輸送材料／電子輸送材料）で、５０／５０以上９０／１０以下が望ましく、より望ましくは６０／４０以上８０／２０以下である。

−その他添加剤−
単層型の感光層は、酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤、フッ素樹脂粒子、シリコーンオイル等の公知の添加剤を含んでいてもよい。

本実施形態に係る感光体は、色点の発生を抑制する点で、単層型の感光層が、前述のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも１種の電荷発生材料と、正孔輸送剤と、前述の一般式（２）で表される電子輸送材料とを含むことが好ましい。また、同様の点で、単層型の感光層は、これらの電荷発生材料と電子輸送材料とを含むことに加えて、さらに、前述の一般式（１）で表される正孔輸送材料とを含むことが好ましい。

−単層型の感光層の形成−
単層型の感光層は、上記成分を溶剤に加えた感光層形成用塗布液を用いて形成される。
溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類、アセトン、２−ブタノン等のケトン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は単独又は２種以上混合して用いる。

感光層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。

感光層形成用塗布液を塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。

単層型の感光層の膜厚は、好ましくは５μｍ以上６０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲に設定される。

＜画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）＞
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に像保持体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。

中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、像保持体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。

なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。

図２は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図２に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。

図２におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。

なお、図２には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。

−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。

−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。

−現像装置−
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。

現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。

−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。

−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。

−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。

図３は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図３に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。

なお、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限られず、例えば、電子写真感光体７の周囲であって、転写装置４０よりも電子写真感光体７の回転方向下流側でクリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、残留したトナーの極性を揃え、クリーニングブラシで除去しやすくするための第１除電装置を設けた形態であってもよいし、クリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向下流側で帯電装置８よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、電子写真感光体７の表面を除電する第２除電装置を設けた形態であってもよい。

また、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限れず、周知の構成、例えば、電子写真感光体７に形成したトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の画像形成装置を採用してもよい。

以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
以下の説明において、特に断りのない限り、「部」は質量基準である。

＜実施例１＞
電荷発生材料としてＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３°、１６．０°、２４．９°、２８．０°の位置に回折ピークを有するＶ型のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（ＣＧ１）、及びＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．４°、１６．６°、２５．５°、２８．３°の位置に回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン顔料（ＣＧ２）を合計で１．５質量部（ＣＧ１：ＣＧ２＝３．５：６．５（質量比））と、表１に示す電子輸送材料を８質量部と、表１に示す正孔輸送材料を３６質量部と、結着樹脂としてビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：４．５万）５４．５質量部と、溶剤としてテトラヒドロフラン２５０質量部とを混合し、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散処理を行い、感光層形成用塗布液を得た。

アルミニウム製基体（直径３０ｍｍ、長さ２４４．５ｍｍ、肉厚０．７ｍｍの管状）を用意した。このアルミニウム製基体を、ｐＨ８．１の水を入れた水槽に浸してアルミニウム製基体の洗浄を行った。水槽から出したアルミニウム製基体を乾燥させた後、感光層形成用塗布液をアルミニウム製基体に浸漬塗布し、１２５℃で２４分間の乾燥を行い、層厚２２μｍの単層型の感光層を形成して、感光体を作製した。
なお、導電性基体の仕事関数、ΔＥａ−Ｉｐ、及びΔＩａｂは既述の方法で測定した。

＜実施例２〜８、比較例１〜４＞
表１に従って、導電性基体の洗浄条件及び感光層の組成を変更した以外は、実施例１と同様にして感光体を作製した。

＜参考例＞
アルミニウム製基体（直径３０ｍｍ、長さ２４４．５ｍｍ、肉厚０．７ｍｍの管状）を用意した。センタレス研磨装置により研磨した後、２質量％水酸化ナトリウム溶液で表面処理、中和処理、及び純水洗浄をこの順に実施した。次に、１０質量％硫酸溶液によりシリンダー表面に陽極酸化処理（電流密度１．０Ａ／ｄｍ^２）を行い、陽極酸化皮膜を形成した。水洗後、１質量％酢酸ニッケル溶液８０℃に２０分間浸漬して封孔処理を行った。さらに、純水洗浄、乾燥処理を行い、陽極酸化皮膜を備えたアルミニウム製基体を得た。
陽極酸化皮膜を備えたアルミニウム製基体に、実施例１と同様の手順で作製した感光層形成用塗布液を浸漬塗布し、１２５℃で２４分間の乾燥を行い、層厚２２μｍの単層型の感光層を形成して、感光体を作製した。

＜評価＞
各例の感光体について、以下の評価を行った。その結果を表１に示す。

［感光体の感度の評価］
感光体の感度の評価は、＋８００Ｖに帯電させたときの半減露光量として評価した。具体的には、静電複写紙試験装置（エレクトロスタティックアナライザーＥＰＡ−８１００、川口電機製作所社製）を用いて、２０℃、４０％ＲＨの環境下、＋８００に帯電させた後、タングステンランプの光を、モノクロメーターを用いて８００ｎｍの単色光にし、感光体表面上で１μＷ／ｃｍ^２になるように調整して、照射した。
そして、帯電直後における感光体表面の表面電位Ｖ０（Ｖ）、感光体表面の光照射により表面電位が１／２×Ｖ０（Ｖ）となる半減露光量Ｅ_１／２（μＪ／ｃｍ^２）を測定した。
なお、感光体の感度の評価基準は、０．２μＪ／ｃｍ^２以下の半減露光量が得られたとき、高感度化されたと評価した。結果を表２に示す。
Ａ（○）：０．２μＪ／ｃｍ^２以下
Ｂ（×）：０．２μＪ／ｃｍ^２超

［画質（色点）評価］
画質評価は、Ｂｒｏｔｈｅｒ社製ＨＬ５３４０Ｄを用い、白ベタ画像５０枚を形成後、静電複写紙試験装置（エレクトロスタティックアナライザーＥＰＡ−８１００、川口電機製作所社製）を用いて、３３℃、８０％ＲＨの環境下、測定ドラムを＋１３００Ｖに帯電させた。その後、Ｂｒｏｔｈｅｒ社製ＨＬ５３４０Ｄを用い、再度白ベタ画像１０枚を形成し、ドラムのリーク（漏れ）発生箇所と対応している画質３枚目の色点の個数を基準に評価した。
なお、評価結果がＧ３およびＧ４であると実用上問題を生ずることがあると評価した。
−評価基準−
Ｇ０：色点０個（リーク欠陥なし）
Ｇ１：色点３個以下（リーク欠陥が３個以下）
Ｇ２：色点４個以上７個以下
Ｇ３：色点８個以上１０個以下
Ｇ４：色点１１個以上

なお、表１の略称等の詳細は以下の通りである。
−電荷発生材料−
・ＣＧ１：Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料。ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３°、１６．０°、２４．９°、２８．０°の位置に回折ピークを有する。６００ｎｍから９００ｎｍの波長域での分光吸収スペクトルにおける最大ピーク波長８２０ｎｍ、平均粒径０．１２μｍ、最大粒径０．２μｍ、ＢＥＴ比表面積６０ｍ^２／ｇ。
・ＣＧ２：クロロガリウムフタロシアニン顔料。ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．４°、１６．６°、２５．５°、２８．３°の位置に回折ピークを有する。６００ｎｍから９００ｎｍの波長域での分光吸収スペクトルにおける最大ピーク波長７８０ｎｍ、平均粒径０．１５μｍ、最大粒径０．２μｍ、ＢＥＴ比表面積５６ｍ^２／ｇ。
・ＣＧ３：Ｙ型のチタニルフタロシアニン顔料。ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも９．６°、２７．３°の位置に回折ピークを有する。

−電子輸送材料−
・ＥＴ−１：一般式（２）で表される電子輸送材料の例示化合物（２−２）
・ＥＴ−２：構造式（ＥＴ−Ｃ）で表される電子輸送材料

−正孔輸送材料−
・ＨＴ−１：構造式（ＨＴ−Ｄ）で表される正孔輸送材料
・ＨＴ−２：一般式（１）で表される正孔輸送材料の例示化合物（１−１）

２ 感光層、３ 導電性基体、７ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、１４ 潤滑材、４０ 転写装置、５０ 中間転写体、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３１ クリーニングブレード、１３２ 繊維状部材（ロール状）、１３３ 繊維状部材（平ブラシ状）、３００ プロセスカートリッジ

Claims (4)

1. 導電性基体と、
   前記導電性基体上に直接設けられ、結着樹脂と電荷発生材料と正孔輸送材料と電子輸送材料とを含有する単層型の感光層と、
   を有し、
   前記導電性基体の仕事関数Ｉｐと前記電荷発生材料の電子親和力Ｅａとの差分ΔＥａ−Ｉｐが−０．１ｅＶ以上＋０．１ｅＶ以下の範囲であり、
   前記感光層に膜厚２ｎｍおよび電極面積が９．３×１０^−１ｃｍ^２になるように金電極を設け、温度３３℃、湿度８０％の環境下において、前記感光層と前記導電性基体との間に、前記金電極がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値Ｉａ［Ａ／ｃｍ^２］と、前記感光層と前記導電性基体との間に、前記導電性基体がプラスとなる電圧を印加して、２７Ｖ／μｍの電場をかけたときに流れる単位面積当たりの電流値Ｉｂ［Ａ／ｃｍ^２］との差分ΔＩａｂが、５．５×１０^−８［Ａ／ｃｍ^２］以上９．２×１０^−８［Ａ／ｃｍ^２］以下の範囲内である電子写真感光体。
2. 前記感光層が、前記電荷発生材料として、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料及びクロロガリウムフタロシアニン顔料から選択される少なくとも１種の電荷発生材料、前記正孔輸送材料として、下記一般式（１）で表される正孔輸送材料、及び前記電子輸送材料として、下記一般式（２）で表される電子輸送材料を含有する請求項１に記載の電子写真感光体。
   
   （一般式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、及びＲ^６は、各々独立に、水素原子、低級アルキル基、アルコキシ基、フェノキシ基、ハロゲン原子、又は、低級アルキル基、低級アルコキシ基及びハロゲン原子から選ばれる置換基を有していてもよいフェニル基を示す。ｍ及びｎは、各々独立に、０又は１を示す。）
   
   （一般式（２）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６及びＲ^１７は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又はアリール基を表し、Ｒ^１８はアルキル基、−Ｌ^１９−Ｏ−Ｒ^２０、アリール基、又はアラルキル基を表す。ただし、Ｌ^１９はアルキレン基を示し、Ｒ^２０はアルキル基を表す。）
3. 請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体を備え、
   画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
4. 請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体と、
   前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
   帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
   トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
   前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
   を備える画像形成装置。