JP2006030865A - 電子写真感光体とこれを備えるプロセスカートリッジ及び電子写真装置 - Google Patents

Abstract

【課題】３８０〜４５０ｎｍの波長域でも高い感度特性を有する電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供すること。
【解決手段】導電性支持体及び該導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、感光層が下記一般式（Ｉ）で示される構造を有する化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。

【選択図】なし

Description

本発明は、電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関し、詳しくは画像の高解像度化が可能な短波長の半導体レーザーに適した電子写真感光体、該電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。

現在、レーザープリンター等に代表されるレーザーを光源として使用している電子写真装置において使用されているレーザーは、８００ｎｍ付近或は６８０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザーが主流である。近年、出力画像の高画質化に対するニーズの高まりから、高解像度化に向けた様々なアプローチがなされている。レーザーの波長もこの高解像度化に深く関わっており、レーザーの発振波長が短くなるほど、レーザーのスポット径を細くすることが可能となり、高解像度の潜像形成が可能となる（例えば、特許文献１参照）。

レーザー発振波長の短波長化には、幾つかの手法が挙げられる。

１つは、非線形光学材料を利用し、第２高調波発生（ＳＨＧ）を用いてレーザー光の波長を２分の１にするものである（例えば、特許文献２〜４参照）。この系は、一次光源として、既に技術が確立し高出力可能なＧａＡｓ系レーザーやＹＡＧレーザーを使用することができるため、長寿命化や大出力化が可能である。

もう１つは、ワイドギャップ半導体を用いるもので、ＳＨＧ利用のデバイスと比べ、装置の小型化が可能である。ＺｎＳｅ系半導体（例えば、特許文献５及び６参照）や、ＧａＮ系半導体（例えば、特許文献７及び８参照）を用いたレーザーが、その発光効率の高さから、以前から多くの研究の対象となっている。

しかし、これらの半導体レーザーは、素子構造、結晶成長条件、電極等の最適化が難しく、結晶中の欠陥等により、実用化に必須である室温での長時間発振が困難である。

これに対し、基盤等の技術革新が進み、１９９７年１０月には日亜化学工業（株）から、ＧａＮ系 半導体を用いたレーザーで１１５０時間連続発振（５０℃条件）が報告される等、実用化が目前に迫っている状態である。

一方、従来のレーザーを用いた電子写真装置に使用される電子写真感光体では、７００〜８００ｎｍ付近の波長域に大きな吸収帯を持ち実用的な感度特性を発現する材料が用いられてきた。具体的には無金属フタロシアニン、銅フタロシアニン及びチタニルフタロシアニン等の金属フタロシアニン及び一部のアゾ顔料等である。

しかし、従来のこうした長波長レーザー用の電荷発生材料は、３８０〜４５０ｎｍ付近には十分な吸収帯が無かったり、有っても波長依存性が強く安定して十分な感度を得ることが難しい等の問題がある。

３８０〜５００ｎｍのレーザーに適した電子写真感光体として、α型チタニルフタロシアニンを用いた単層乃至は電荷発生層を最表面層とした積層電子写真感光体が開示されているが（特許文献９参照）、本発明者等の検討によれば、この材料を用いた場合、感度が悪い上に、特に４００ｎｍ付近の光に対するメモリーが非常に大きいため、繰り返し使用した際の電子写真感光体の電位変動が大きいという問題があることが分かった。

又、アゾ顔料を使用している例もあるが（例えば、特許文献１０参照）、更なる高感度化が望まれている。

特開平９−２４００５１号公報 特開平９−２７５２４２号公報 特開平９−１８９９３０号公報 特開平５−３１３０３３号公報 特開平７−３２１４０９号公報 特開平６−３３４２７２号公報 特開平８−０８８４４１号公報 特開平７−３３５９７５号公報 特開平９−２４００５１号公報 特開２０００−１０５４７８号公報

本発明の目的は、３８０〜４５０ｎｍの波長域でも高い感度特性を有する電子写真感光体を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することにある。

本発明者等は、鋭意検討した結果、３８０〜４５０ｎｍの範囲に発信波長を有する露光光源を用いた場合でも、特定の化合物を電荷発生材料として電子写真感光体の感光層に含有させることで、高い感度特性を持たせることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。

前記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、導電性支持体及び該導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、
感光層が下記一般式（Ｉ）で示される構造を有する化合物を含有することを特徴とする。

（上記一般式（Ｉ）中、Ｃｐ１は下記一般式（II）又は（III ）で示されるカップラー残基を示し、Ｃｐ２は下記一般式（IV）で示されるカップラー残基を示し、Ａはカルボニル基：

（上記一般式（II）又は（III ）中、Ｂは置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環の二価の基又は置換若しくは無置換の複素環の二価の基を示す）

（上記一般式（IV）中、Ａｒは置換若しくは無置換のフェニル基を示し、ｎは１又は２の整数を示す）
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、３８０〜４５０ｎｍの範囲に発信波長を有する半導体レーザー光を露光光源として有する電子写真装置に用いられることを特徴とする。

請求項３記載の発明は、プロセスカートリッジを、請求項１記載の電子写真感光体、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段から成る群より選ばれる少なくとも１つの手段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるものとしたことを特徴とする。

請求項４記載の発明は、プロセスカートリッジを、請求項１記載の電子写真感光体、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段から成る群より選ばれる少なくとも１つの手段を一体に支持し、３８０〜４５０ｎｍの範囲に発信波長を有する半導体レーザー光を露光光源として有する電子写真装置本体に着脱自在であるものとしたことを特徴とする。

請求項５記載の発明は、電子写真装置を、請求項１記載の電子写真感光体、帯電手段、像露光手段、現像手段及び転写手段を有するものとしたことを特徴とする。

請求項６記載の発明は、電子写真装置を、請求項１記載の電子写真感光体、帯電手段、３８０〜４５０ｎｍの範囲に発信波長を有する半導体レーザー光を露光光源として有する像露光手段、現像手段及び転写手段を有するものとしたことを特徴とする。

本発明によれば、３８０〜４５０ｎｍの波長域でも高い感度特性を有する電子写真感光体を得ることができる。

又、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を得ることができる。

前記一般式（II）又は（III ）中のＢとしては、ベンゼン、ナフタレン、フルオレン、ピレン及びビフェニル等の芳香族炭化水素環の２価の環原子である水素を任意に２つ除去した２価の芳香族炭化水素環基；フラン、チオフェン、ピリジン、イソキノリン及びカルバゾール等の複素環の環原子である水素を任意に２つ除去した２価の複素環基が挙げられる。

前記Ｂ及び前記一般式（IV）中のＡｒで表されるフェニルの置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基及びトリフルオロメチルオキシ等のアルコキシ基；メチルアミノ基、ジメチルアミノ基及びジエチルアミノ基等のアルキルアミノ基；フェニルアミノ基及びジフェニルアミノ基等のアリールアミノ基；フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲン原子；ヒドロキシ基；ニトロ基；シアノ基；アセチル基；ベンゾイル基；トリフルオロメチル等のハロメチル基等が挙げられる。

以下に本発明の電子写真感光体に使用される、一般式（Ｉ）で示される化合物の例として、下記式（１）〜（１８）で示される化合物（以下、
それぞれ「化合物（１）〜（１８）と言う」を表１に挙げる。しかし、本発明がこれらに限定されるものではない。

次に、上記化合物を電子写真感光体における電荷発生材料として適用する場合を説明する。

本発明の電子写真感光体は、導電性支持体上に上記化合物含有した感光層が形成されている。前記感光層は、電荷発生層、電荷輸送層をこの順に積層した構成、電荷発生材料と電荷輸送材料をバインダー樹脂中に分散した単層型感光層より構成されるものの何れの構成を採ることも可能である。中でも、電荷発生層、電荷輸送層をこの順に積層した積層型感光層の構成が電子写真特性的に好ましい。

本発明の電子写真感光体の導電性支持体は、導電性を有するものであれば何れのものでも良い。

例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、インジウム、金及び白金等の金属から成る導電性支持体が挙げられる。その他には、アルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジウム、酸化スズ又は酸化インジウム−酸化スズ合金等の皮膜が真空蒸着法によって形成されたプラスチック（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂及びポリフッ化エチレン等）から成る導電性支持体；導電性粒子（例えば、アルミニウム粒子、酸化チタン粒子、酸化スズ粒子、酸化亜鉛粒子、カーボンブラック粒子及び銀粒子等）を適当なバインダー樹脂と共にプラスチック又は前記金属の上に被覆した導電性支持体；導電性粒子をプラスチックや紙に含浸させた支持体や導電性ポリマーを含むプラスチック等からなる支持体；等が挙げられる。

導電性支持体の形状としては円筒状又はフィルム状等が挙げられる。特に、円筒状のアルミニウムが機械強度、電子写真特性及びコストの点で優れていることから好ましい。円筒状のアルミニウムは、粗管のまま導電性支持体として用いても良いが、ホーニング等の物理処理、陽極酸化処理又は酸等を用いた化学処理を施したものを用いても良い。

導電性支持体と感光層の間にはバリヤー機能と接着機能を持つ下引き層を設けることもできる。下引き層の材料としては、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６１０、共重合ナイロン及びＮ−アルコキシメチル化ナイロン等）、ポリウレタン、にかわ、酸化アルミニウム及びゼラチン等が挙げられる。その膜厚は０．１〜１０μｍが好ましく、特には０．３〜３μｍが好ましい。下引き層はこれらの材料をそれぞれ適した溶剤に溶解して得た下引き層用塗布液を導電性支持体上に塗布し、乾燥することによって形成される。

単層型の感光層を形成する場合、電荷発生材料として前記一般式（Ｉ）で示される化合物と電荷輸送材料を過当なバインダー樹脂溶液中に混合して塗布液を得、該塗布液を導電性支持体（又は下引き層）上に塗布し乾燥させて単層型感光層を得る。

積層型感光層を形成する場合、電荷発生層として、前記一般式（Ｉ）で示される化合物を適当なバインダー樹脂と共に溶液に分散させ、この分散液を導電性支持体（又は下引き層）上に塗布しそれを乾燥させて形成する方法が挙げられる。

前記一般式（Ｉ）で示される化合物を電荷発生材料として用いる場合、その目的に応じて他の電荷発生材料と混合して用いることもできる。他の電荷発生材料としては、通常、電荷発生材料として用いられるものが挙げられ、具体的には、無金属フタロシアニン、チタニルフタロシアニン及びガルウムフタロシアニン等のフタロシアニン化合物；ジスアゾ及びトリスアゾ等のアゾ化合物；ペリレン化合物；多環キノン化合物；シアニン化合物等が用いられる。この場合、前記一般式（Ｉ）で示される化合物の割合は、電荷発生材料全体の５０質量％以上となることが好ましい。

単層感光層の場合、電荷発生材料（前記一般式（Ｉ）で示される化合物及び必要により他の電荷発生材料の合計）の含有量は、感光層全体の３〜３０質量％が好ましい。積層型感光層の場合、電荷発生材料の含有量は、電荷発生層全体の２０〜９０質量％が好ましく、更には５０〜８０質量％が好ましい。

積層型感光層の電荷輸送層は、主として電荷輸送材料とバインダー樹脂とを溶剤中に溶解させた塗布液を電荷発生層上に塗布し乾燥させて形成する。本発明に用いられる電荷輸送材料としては、一般的に電荷輸送材料として用いられる各種のトリアリールアミン系化合物、ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合物、ピラゾリン系化合物、オキサゾール系化合物、チアゾール系化合物及びトリアリルメタン系化合物等が挙げられる。

単層型感光層の場合、電荷輸送材料の含有量は、感光層全体の３０〜７０質量％が好ましい。積層型感光層の場合、電荷輸送材料の含有量は、電荷輸送層全体の２０〜８０質量％が好ましく、更には３０〜７０質量％が好ましい。

単層型感光層の場合、膜厚は５〜４０μｍが好ましく、特に１０〜３０μｍが好ましい。又、積層型感光層の場合、電荷発生層の膜厚は０．０１〜１０μｍが好ましく、特に０．１〜３μｍが好ましく、電荷輸送層の膜厚は５〜４０μｍが好ましく、特に１０〜３０μｍの範囲が好ましい。

単層型感光層、積層型感光層の電荷発生層及び電荷輸送層の各層に用いるバインダー樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリビニルカルバゾール、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、メラミン樹脂、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリサルホン、ポリアリレート、塩化ビニリデン、アクリロニトリル共重合体及びポリビニルベンザール等の樹脂が挙げられる。

又、各層に用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、 ジメトキシメタン、１, ４−ジオキサン及び１, ２−ジメトキシエタン等のエーテル系溶剤；シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン及びペンタノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル及び酢酸ブチル等のエステル系溶剤；トルエン、キシレン及びクロロベンゼン等の芳香族系溶剤；メタノール、プロパノール及びブタノール等のアルコール系溶剤；クロロホルム、
塩化メチレン及びジクロロエタン等のハロゲン系溶剤等が挙げられる。

感光層の塗布方法としては、ディッピング法、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法及びビームコーティング法等の塗布方法を挙げることができる。

感光層上には、必要に応じて保護的な層（以下「保護層」とも言う）を更に設けても良い。保護層は、ポリビニルブチラール、ポリエステル、ポリカーボネート（ポリカーボネートＺや変性ポリカーボネート等）ポリアミド、ポリイミド、ポリアリレート、ポリウレタン、スチレン−ブタジエンコポリマー、スチレン−アクリル酸コポリマー及びスチレン−アクリロニトリルコポリマー等の樹脂を適当な有機溶剤を用いて溶解して塗布液を得、該塗布液を感光層の上に塗布し、乾燥して形成させる。

保護層の膜厚は、０．０５〜２０μｍが好ましい。又、保護層中に導電性粒子や紫外線吸収剤及び耐磨耗性改良剤等を含ませても良い。導電性粒子としては、例えば、酸化錫粒子等の金属酸化物が好ましく用いられる。耐磨耗性改良剤としてはフッ素系樹脂微粉末、アルミナ、シリカ等が好ましく用いられる。

次に、本発明の電子写真感光体を用いた電子写真装置について説明する。

本発明の電子写真装置の１つの実施の形態を図１に示す。

図１において、１は本発明のドラム型の電子写真感光体であり、軸１ａを中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動する。該電子写真感光体１は、その回転過程で帯電手段２によりその周面に正又は負の所定電位の均一帯電を受け、次いで露光部３にて不図示の露光手段により露光光Ｌ（レーザービーム走査露光等）を受ける。これにより電子写真感光体周面に露光像に対応した静電潜像が順次形成されていく。その静電潜像は、次いで現像手段４でトナー像として現像され、そのトナー現像像がコロナ転写手段５により不図示の給紙部から電子写真感光体１と転写手段５との間に電子写真感光体１の回転と同期取りされて給送された転写材９の面に順次転写されていく。像転写を受けた転写材９は、電子写真感光体面から分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受けて複写物（コピー）として電子写真装置の機外へプリントアウトされる。像転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段６にて転写残りトナーの除去を受けて清浄面化され、前露光手段７により除電処理がされて、繰り返して像形成に使用される。

又、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段から成る群より選択された少なくとも１つの手段を感光体と一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在としたプロセスカートリッジも本発明の範囲内である。本発明のプロセスカートリッジの１つの実施の形態を図２に示す。

図２に示すプロセスカートリッジは、電子写真感光体１、帯電手段２及び現像手段４を容器２０に納めてプロセスカートリッジとし、このプロセスカートリッジは、レール等の案内手段１２により電子写真装置本体に対して着脱自在に構成されている。クリーニング手段６は、容器２０内に配置しても配置しなくても良い。

本発明のプロセスカートリッジ及び電子写真装置の別の実施の形態を図３に示す。

図３に示すように、本発明のプロセスカートリッジ及び電子写真装置は、帯電手段として直接帯電部材１０を用い、電圧印加された直接帯電部材１０を電子写真感光体１に接触させることにより電子写真感光体１の帯電を行っても良い（この帯電方法を、以下直接帯電と言う）。図３に示す本発明の装置では、電子写真感光体１上のトナー像も直接帯電部材２３で転写材９に転写される。即ち、電圧印加された直接帯電部材２３を転写材９に接触させることにより電子写真感光体１上のトナー像を転写材９に転写させる。

更に、本発明の電子写真装置は、図４に示すように、少なくとも電子写真感光体１及び直接帯電部材１０を第１の容器２１に納めて第１のプロセスカートリッジとし、少なくとも現像手段４を第２の容器２２に納めて第２のプロセスカートリッジとを有し、これらプロセスカートリッジが電子写真装置本体に対して着脱自在に構成されている形態であっても良い。又、図４における第１のプロセスカートリッジ（少なくとも電子写真感光体１及び直接帯電部材１０を第１の容器２１に納めた形態）は、本発明のプロセスカートリッジの１つの形態である。第１のプロセスカートリッジは、クリーニング手段６を容器２１内に配置しても配置しなくても良い。

露光光Ｌは、電子写真装置を複写機やプリンターとして使用する場合には、原稿からの反射光や透過光を用いる、或は原稿を読み取り信号化に従って、この信号により短波長域、特に３８０〜４５０ｎｍの半導体レーザーの走査を行うことにより行われる。

以下、実施例を用いて本発明を更に詳細に説明するが、これにより本発明が実施例に限定されるものではない。尚、以下の例中における「部」は「質量部」を示す。

（合成例１）化合物（１）の合成
ビーカーに水１００部、濃塩酸１７部と４, ４’−ジアミノベンゾフェノン５部を入れ、０℃まで冷却した溶液に、亜硝酸ソーダ３. ４部を水９部に溶かした液を液温を０〜５℃に保ちながらゆっくり１０分間かけて滴下した。１５分間攪拌した後カーボンろ過し、この溶液の中にホウフッ化ナトリウム１８部を水４５部に溶解した液を攪拌下に滴下した。析出したホウフッ化塩をろ過し、冷水で洗浄した後、アセトニトリルで洗浄し、室温で減圧乾燥し黄色粉末のホウフッ化塩を７. １部得た。

次に、ビーカーに下記式：

で示される化合物１. ４４部と下記式：

で示される化合物１. １部をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３５０部に溶解し０℃に冷却した溶液に、先に得たホウフッ化塩１. ５部を溶解し、直にＮ−メチルモルホリン０. ８５部を１分間かけて滴下し、液温を０〜５℃に保ちながら１時間攪拌、その後室温で２時間撹拌した後、析出した顔料をろ取し、ＤＭＦで４回、水で３回分散洗浄した後、凍結乾燥し、黄色顔料を２. ５部得た。

得られた黄色顔料の質量分析により、非対称カプラーの化合物（１）の分子量であるｍ／ｚ＝８９４が検出された。又、同じカプラーが左右にカップリングして生成した対称カプラーの分子量であるｍ／ｚ＝９８１とｍ／ｚ＝８０６も検出されており、混入量は不明であるが混合物として得られた。

質量分析はメーカー：ＢＲＵＫＥＲ、形式：ＲＥＦＬＥＸIII −ＴＯＦ、測定モード：ＮＥＧＡモードで測定を行った。
（実施例１）
アルミニウム支持体上にメトキシメチル化ナイロン（平均分子量３２０００）５部とアルコール可溶性共重合ナイロン（平均分子量２９０００）１０部をメタノール９５部に溶解した液をマイヤーバーで塗布し、乾燥後の膜厚０．４μｍの下引き層を形成した。

次に、合成例１で得た化合物（１）２部をテトラヒドロフラン４３部中に、直径０. ８±０. ３ｍｍφのガラスビーズ７５部と共にペイントシェーカーで２０時間撹拌して分散させ、これにポリビニルベンザール樹脂（ベンザール化度７７ｍｏｌ％）1 部をテトラヒドロフラン１０部に溶かした液を加え、更にペイントシェーカーで２時間撹拌して分散させ、これにテトラヒドロフラン４０部とシクロヘキサノン４０部を加えて希釈した。この分散液を電荷発生用塗布液として、下引き層の上に乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるようにマイヤーバーで塗布し、電荷発生層を形成した。

次いで、下記式で示されるトリフェニルアミン化合物 ９. ５部

とポリカーボネート樹脂（商品名：ユーピロンＺ２００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）社製）１０部をクロロベンゼン７０部に溶解して電荷輸送用塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が２０μｍとなるようにマイヤーバーで塗布し、電荷輸送層を形成し、実施例１の電子写真感光体を作製した。
（実施例２〜８）
電荷発生層の電荷発生材料として表２に示す化合物を用いた以外は、実施例１と同様にして実施例２〜８の電子写真感光体を作製した。尚、実施例２〜８で用いた化合物（２）、
（５）、（７）、（１１）、（１３）、（１５）、（１７）は、上述で例示した化合物（２）、 （５）、（７）、（１１）、（１３）、（１５）、（１７）と対応したものである。

＜比較例１＞
電荷発生層の電荷発生材料として下記式で示される特開昭５７−１７６０５５号公報に記載の比較化合物（Ａ）を用いた以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

＜比較例２＞
電荷発生層の電荷発生材料として下記式で示される特開２０００−１０５４７８号公報に記載の比較化合物（Ｂ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体を作製した。

＜比較例３＞
電荷発生層の電荷発生材料として下記式で示される特開昭６３−１９５６５７号公報に記載の比較化合物（Ｃ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体を作製した。

＜比較例４＞
電荷発生層の電荷発生材料として下記式で示される比較化合物（Ｄ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体を作製した。

＜比較例５＞
電荷発生層の電荷発生材料として下記式で示される比較化合物（Ｅ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体を作製した。

＜比較例６＞
電荷発生層の電荷発生材料として下記式で示される比較化合物（Ｆ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体を作製した。

＜比較例７＞
電荷発生層の電荷発生材料として下記式で示される比較化合物（Ｇ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体を作製した。

＜電子写真感光体の評価＞
作製した電子写真感光体についてその電子写真特性を１０ｃｍ²の導電性ガラスを用いて光放電特性を測定することによって評価した。光源としてハロゲンランプを波長４０３ｎｍの干渉フィルターで単色化したものを用いた。尚、試料である電子写真感光体への初期表面電位は−７００Ｖになるように調整されている。このとき表面電位が半分に減衰するのに必要な露光量Ｅ_1/２を測定した。この結果を表２に示す。

本発明の電子写真感光体を備えた電子写真装置の概略構成の例を示す図である。 本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の例を示す図である。 本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた別の電子写真装置の概略構成の例を示す図である。 本発明の電子写真感光体を有する第１のプロセスカートリッジと第２のプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の例を示す図である。

符号の説明

１ 電子写真感光体
１ａ 軸
２ 帯電手段
３ 露光部
４ 現像手段
５ コロナ転写手段
６ クリーリング手段
７ 前露光手段
８ 定着手段
９ 転写材
１０ 直接帯電部材
１２ 案内手段
２０，２１，２２ 容器
２３ 直接帯電部材
Ｌ レーザー光

Claims (6)

1. 導電性支持体及び該導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、
   感光層が下記一般式（Ｉ）で示される構造を有する化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
   

   

   （上記一般式（Ｉ）中、Ｃｐ１は下記一般式（II）又は（III ）で示されるカップラー残基を示し、Ｃｐ２は下記一般式（IV）で示されるカップラー残基を示し、Ａはカルボニル基：
   

   

   

   （上記一般式（II）又は（III ）中、Ｂは置換若しくは無置換の芳香族炭化水素環の二価の基又は置換若しくは無置換の複素環の二価の基を示す）
   

   

   （上記一般式（IV）中、Ａｒは置換若しくは無置換のフェニル基を示し、ｎは１又は２の整数を示す）
2. ３８０〜４５０ｎｍの範囲に発信波長を有する半導体レーザー光を露光光源として有する電子写真装置に用いられることを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。
3. 請求項１記載の電子写真感光体、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段から成る群より選ばれる少なくとも１つの手段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
4. 請求項１記載の電子写真感光体、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段から成る群より選ばれる少なくとも１つの手段を一体に支持し、３８０〜４５０ｎｍの範囲に発信波長を有する半導体レーザー光を露光光源として有する電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
5. 請求項１記載の電子写真感光体、帯電手段、像露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
6. 請求項１記載の電子写真感光体、帯電手段、３８０〜４５０ｎｍの範囲に発信波長を有する半導体レーザー光を露光光源として有する像露光手段、現像手段及び転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。

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