KR100612561B1 - 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 17
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 15
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910008482 TiSiN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 4
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004491 TaAlN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/75—Electrodes comprising two or more layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28568—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising transition metals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법에 관한 것으로, 하부층과 저장 전극 사이에 폴리실리콘, 오믹 콘택층 및 확산 방지막의 구조로 형성되는 플러그에 귀금속층을 더 형성함으로써 마스크의 오정렬에 의한 확산 방지막의 노출을 방지하여 정전 용량의 저하를 방지할 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법이 제시된다.
캐패시터, 플러그, 확산 방지막, 귀금속층
Description
도 1(a) 내지 도 1(e)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법을 설명하기 위해 순차적으로 도시한 소자의 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11 : 반도체 기판 12 : 제 1 산화막
13 : 질화막 14 : 폴리실리콘막
15 : 티타늄 실리사이드막 16 : 확산 방지막
17 : 귀금속층 18 : 시드층
19 : 글루층 20 : 제 2 산화막
21 : Pt막(하부 전극) 22 : BST막
23 : 상부 전극
본 발명은 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법에 관한 것으로, 특히 하부층과 저장 전극 사이에 형성되는 플러그에 귀금속층을 형성함으로써 마스크의 오정렬에 의한 확산 방지막의 노출을 방지하여 정전 용량의 저하를 방지할 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법에 관한 것이다.
캐패시터의 제조 공정에서 하부 구조가 형성된 반도체 기판의 소정 영역과 저장 전극을 연결하기 위해 폴리실리콘, 오믹 콘택층 및 확산 방지막으로 구성된 플러그를 형성한다. 그런데, 캐패시터의 제조 공정은 설계상 플러그 콘택과 저장 전극간에 필연적으로 오정렬이 발생되기 때문에 플러그의 최상부층인 확산 방지막이 노출되는 문제점이 발생된다. 이렇게 확산 방지막이 노출되면 산소 분위기에서 고유전체막을 증착할 때 확산 방지막이 산화되어 유전체막의 유전율을 저하시키게 되어 캐패시터의 정전 용량을 저하시킨다. 이러한 문제점 때문에 저온에서 유전체막을 증착하고 열처리 공정을 실시하려 하고 있지만, 이러한 공정에 의해서도 고유전체막 특유의 높은 유전율을 얻지 못하여 셀당 요구되는 정전 용량을 얻지 못하고 있다. 한편, 스택 구조 이외에 공동 구조의 저장 전극을 형성하여 오정렬을 방지하는 방법을 모색하고 있으나, 디자인 룰이 감소함에 따라 캐패시터의 면적이 증가되어 스택형에 비해 높은 애스펙트비(aspect ratio)를 갖기 때문에 스택형보다 공정 마진이 줄어들고 있다.
따라서, 본 발명은 저장 전극을 형성하기 위한 마스크 및 식각 공정에서 오정렬이 발생되더라도 콘택 플러그의 확산 방지막의 노출을 방지할 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 소정의 구조가 형성된 반도체 기판 상부에 제 1 산화막 및 질화막을 형성한 후 상기 질화막 및 제 1 산화막의 소정 영역을 식각하여 상기 반도체 기판의 소정 영역을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀 내에 폴리실리콘막, 오믹 콘택층 및 확산 방지막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 확산 방지막을 소정 두께로 식각한 후 귀금속층을 형성하여 상기 콘택홀을 매립하는 단계와, 전체 구조 상부에 시드층, 글루층 및 제 2 산화막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제 2 산화막 및 글루층의 소정 영역을 식각하여 상기 시드층의 소정 영역을 노출시키는 단계와, 상기 제 2 산화막 및 글루층이 제거된 부분에 백금을 형성하여 하부 전극을 형성하는 단계와, 상기 제 2 산화막 및 글루층을 제거한 후 상기 백금 하부 전극을 마스크로 상기 시드층을 식각하는 단계와, 전체 구조 상부에 BST막을 형성한 후 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1(a) 내지 도 1(e)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 을 설명하기 위해 순차적으로 도시한 소자의 단면도이다.
도 1(a)를 참조하면, 반도체 소자를 제조하기 위한 소정의 구조가 형성된 반도체 기판(11) 상부에 제 1 산화막(12)을 형성하고, 그 상부에 제 1 산화막(12)과의 식각 선택비가 우수한 질화막(13)을 300∼1000Å의 두께로 형성한다. 질화막(13)과 제 1 산화막(12)의 소정 영역을 식각하여 반도체 기판(11)의 소정 영역을 노출시키는 콘택홀을 형성한다. 콘택홀이 매립되도록 전체 구조 상부에 500∼3000Å 정도의 두께로 폴리실리콘막(14)을 형성한다. 전면 과도 식각 공정을 실시하여 질화막(13) 상부에 형성된 폴리실리콘막(14)이 완전히 제거되고, 콘택홀에 매립된 폴리실리콘막(14)의 일부가 제거되도록 한다. 이때, 콘택홀의 상부로부터 500∼1500Å 정도의 깊이로 폴리실리콘막(14)이 형성되도록 식각 공정을 실시한다. 콘택홀을 포함한 전체 구조 상부에 Ti막을 형성한다. 열처리 공정을 실시하여 폴리실리콘막(14)의 실리콘 원자와 Ti막의 Ti 원자를 반응시켜 오믹 콘택층으로 작용하는 티타늄 실리사이드막(TiSix)(15)을 형성한다. 질화막(13) 상부에 잔류하는 Ti막을 습식 식각 공정으로 제거한다. 콘택홀을 포함한 전체 구조 상부에 확산 방지막(16)을 형성한 후 CMP 공정을 실시하여 평탄화시킨다. 확산 방지막(16)은 TiN막, TiSiN막, TiAlN막, TaSiN막 및 TaAlN막중 어느 하나로 형성한다.
도 1(b)를 참조하면, 질화막(13)과 식각 선택비가 높은 화학 가스, 예를들어 CF4를 이용한 건식 식각 공정에 의해 콘택홀내의 확산 방지막(16)을 소정 두께로 식각한다. 그리고 콘택홀이 완전히 매립되도록 전체 구조 상부에 Ru, Pt, Ir, SRO등 의 귀금속층(17)을 CVD 방법을 이용하여 형성한다. 질화막(13) 상부에 형성된 귀금속층(17)이 완전히 제거되고, 콘택홀내에만 귀금속층(17)이 잔류되도록 CMP 또는 전면 식각 공정을 실시한다.
도 1(c)를 참조하면, 전체 구조 상부에 시드층(seed layer)(18), 글루층(glue layer)(19) 및 제 2 산화막(20)을 형성한다. 시드층(18)은 Pt 또는 Ru를 50∼1000Å의 두께로 증착하여 형성하고, 글루층(19)은 TiN막, TiAlN막, TaN막, TaSiN막, TiSiN막, Al2O3막 및 TiO2막중 어느 하나를 50∼500Å의 두께로 증착하여 형성한다. 또한, 제 2 산화막(20)은 5000∼10000Å의 두께로 형성한다. 마스크 및 식각 공정을 실시하여 제 2 산화막(20) 및 글루층(19)의 소정 영역을 제거하고, 계속해서 시드층(18)의 일부를 제거한다. 제 2 산화막(20) 및 글루층(19)이 식각되어 형성된 패턴에 스택형 저장 전극을 형성하기 위한 Pt막(21)을 전기 도금법을 이용하여 3000∼10000Å의 두께로 형성한다. 전기도금법은 DC 또는 펄스 방법을 이용하며, 이때의 전류 밀도는 01.∼10㎃/㎠이다.
도 1(d)를 참조하면, 제 2 산화막(20)을 습식 식각 공정으로 제거하고, 저장 전극간의 절연을 위해 글루층(19) 및 시드층(18)을 건식 식각 공정으로 제거한다. 이때 저장 전극을 형성하기 위한 마스크 작업에서 오정렬이 발생하더라도 시드층(18) 하부에 귀금속층(17)이 형성되어 있어 확산 방지막(16)은 노출되지 않는다.
도 1(e)를 참조하면, 전체 구조 상부에 BST막(22)을 형성한 후 결정화를 증 가시켜 유전 특성을 확보하기 위해 급속 열처리 공정을 실시한다. 전체 구조 상부에 귀금속층을 형성하고 패터닝하여 상부 전극(23)을 형성한다. BST막(22)은 400∼600℃의 온도에서 150∼500Å의 두께로 형성하며, 급속 열처리 공정은 500∼700℃의 질소 분위기에서 30∼180초동안 실시한다. 또한, 상부 전극(23)은 Pt, Ru, SRO등의 귀금속으로 형성한다.
상술한 바와 같이 BST 캐패시터를 형성하면 오정렬이 발생하였어도 확산 방지막이 노출되지 않아 BST의 고온 어닐링 공정이 가능하여 신뢰성있는 캐패시터를 제조할 수 있을 뿐만 아니라 0.1㎛ 이하의 디바이스에서도 높은 정전 용량을 갖는 캐패시터를 제조할 수 있다.
Claims (15)
- 소정의 구조가 형성된 반도체 기판 상부에 제 1 산화막 및 질화막을 형성한 후 상기 질화막 및 제 1 산화막의 소정 영역을 식각하여 상기 반도체 기판의 소정 영역을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와,상기 콘택홀 내에 폴리실리콘막, 오믹 콘택층 및 확산 방지막을 순차적으로 형성하는 단계와,상기 확산 방지막을 소정 두께로 식각한 후 귀금속층을 형성하여 상기 콘택홀을 매립하는 단계와,전체 구조 상부에 시드층, 글루층 및 제 2 산화막을 순차적으로 형성하는 단계와,상기 제 2 산화막 및 글루층의 소정 영역을 식각하여 상기 시드층의 소정 영역을 노출시키는 단계와,상기 제 2 산화막 및 글루층이 제거된 부분에 백금을 형성하여 하부 전극을 형성하는 단계와,상기 제 2 산화막 및 글루층을 제거한 후 상기 백금 하부 전극을 마스크로 상기 시드층을 식각하는 단계와,전체 구조 상부에 BST막을 형성한 후 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 폴리실리콘막은 상기 콘택홀의 상부로부터 500 내지 1500Å의 깊이로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 오믹 콘택층은 티타늄 실리사이드막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 확산 방지막은 TiN막, TiSiN막, TiAlN막, TaSiN막 및 TaAlN막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 확산 방지막은 CF4를 이용한 건식 식각 공정에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 귀금속층은 Ru, Pt, Ir 및 SRO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 시드층은 Pt막 또는 Ru막을 50 내지 1000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 글루층은 TiN막, TiAlN막, TaN막, TaSiN막, TiSiN막, Al2O3막 및 TiO2막중 어느 하나를 50 내지 500Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 산화막은 5000 내지 10000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 백금층은 전기 도금법을 이용하여 3000 내지 10000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 전기도금법은 DC 또는 펄스 방법을 이용하며, 이때의 전류 밀도는 0.1 내지 10㎃/㎠인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 BST막은 400 내지 600℃의 온도에서 150 내지 500Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 BST막을 형성한 후 급속 열처리 공정을 싱시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 급속 열처리 공정은 500 내지 700℃의 질소 분위기에서 30 내지 180초동안 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극은 Pt, Ru 및 SRO중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000033617A KR100612561B1 (ko) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
| JP2001177625A JP4743371B2 (ja) | 2000-06-19 | 2001-06-12 | キャパシタ電極と接するプラグを有する半導体素子及びその製造方法 |
| GB0114388A GB2368972B (en) | 2000-06-19 | 2001-06-13 | Semiconductor memory device having plug contacted to capacitor electrode and method for fabricating the same |
| CNB011212268A CN1223001C (zh) | 2000-06-19 | 2001-06-14 | 具有接触电容器电极的插塞的半导体存储器及其制备方法 |
| US09/882,284 US6461913B2 (en) | 2000-06-19 | 2001-06-18 | Semiconductor memory device having plug contacted to a capacitor electrode and method for fabricating a capacitor of the semiconductor memory device |
| DE10130626A DE10130626B4 (de) | 2000-06-19 | 2001-06-18 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterspeicherelements mit einem mit einer Kondensatorelektrode verbundenen Anschluss |
| TW090116973A TW512528B (en) | 2000-06-19 | 2001-07-11 | Semiconductor memory device having plug contacted to capacitor electrode and method for fabricating the same |
| US10/217,401 US20040259307A1 (en) | 2000-06-19 | 2003-10-09 | Semiconductor memory device having plug contacted to a capacitor electrode and method for fabricating a capacitor of the semiconductor memory devcie |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000033617A KR100612561B1 (ko) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010113324A KR20010113324A (ko) | 2001-12-28 |
| KR100612561B1 true KR100612561B1 (ko) | 2006-08-11 |
Family
ID=19672519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000033617A KR100612561B1 (ko) | 2000-06-19 | 2000-06-19 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6461913B2 (ko) |
| JP (1) | JP4743371B2 (ko) |
| KR (1) | KR100612561B1 (ko) |
| CN (1) | CN1223001C (ko) |
| DE (1) | DE10130626B4 (ko) |
| GB (1) | GB2368972B (ko) |
| TW (1) | TW512528B (ko) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6451666B2 (en) * | 1999-12-27 | 2002-09-17 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd | Method for forming a lower electrode by using an electroplating method |
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| KR100390952B1 (ko) * | 2000-06-28 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 커패시터 제조 방법 |
| KR100646947B1 (ko) * | 2000-06-29 | 2006-11-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 커패시터 제조 방법 |
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-
2000
- 2000-06-19 KR KR1020000033617A patent/KR100612561B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-06-12 JP JP2001177625A patent/JP4743371B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-13 GB GB0114388A patent/GB2368972B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-14 CN CNB011212268A patent/CN1223001C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-18 US US09/882,284 patent/US6461913B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-18 DE DE10130626A patent/DE10130626B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-11 TW TW090116973A patent/TW512528B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-10-09 US US10/217,401 patent/US20040259307A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4743371B2 (ja) | 2011-08-10 |
| US6461913B2 (en) | 2002-10-08 |
| GB0114388D0 (en) | 2001-08-08 |
| JP2002026145A (ja) | 2002-01-25 |
| DE10130626B4 (de) | 2012-03-15 |
| KR20010113324A (ko) | 2001-12-28 |
| GB2368972A (en) | 2002-05-15 |
| TW512528B (en) | 2002-12-01 |
| US20040259307A1 (en) | 2004-12-23 |
| CN1330408A (zh) | 2002-01-09 |
| GB2368972B (en) | 2004-10-13 |
| CN1223001C (zh) | 2005-10-12 |
| DE10130626A1 (de) | 2002-01-31 |
| US20020030217A1 (en) | 2002-03-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120720 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130723 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140723 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150721 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160721 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170724 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |