KR100265017B1 - 에피택셜 성장용 기체의 공급 방법 및 그의장치 - Google Patents

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다까시 야마모또
데쯔야 아쯔미
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가와이 겐이찌
미쯔비시 마테리알 실리콘 가부시끼가이샤
우메하라 미쯔히로
미쯔비시 마테리알 폴리실리콘 가부시끼가이샤
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Abstract

기화기에서 액체 원료를 그의 비점 이상의 온도로 가열하여 기화시킨 원료 기체와 담체 기체를 혼합기에서 소정 농도로 혼합시킨다. 이 혼합 기체를 그의 응축점을 초과하는 온도로 가열 보온하면서 혼합 기체의 유량을 조정한다. 그 후 이 혼합 기체를 그의 응축점을 초과하는 온도로 가열 보온하면서 에피택셜 성장용 반응로에 공급한다. 기화기에서 가열 매체의 온도를 일정하게 유지하여 액체 원료를 기화시키고 기화기 내부의 기압으로 기화기 내로의 액체 원료의 공급량을 조정하면 액면 수준을 일정하게 제어할 수 있다.

Description

에피택셜 성장용 기체의 공급 방법 및 그의 장치
본 발명은 액체 원료를 기화시켜 원료 기체로 하고 상기 원료 기체를 반응 기체로 하여 에피택셜 (epitaxial) 성장용 반응로 내로 공급하기 위한 방법 및 그의 장치에 관한 것이다.
상기 종류의 에피택셜 성장용 반응로에 공급되는 반응 기체로는 디클로로실란 (SiH2Cl2), 트리클로로실란 (SiHCl3) 또는 테트라클로로실란 (SiCl4) 등의 액체 원료를 기화시킨 것이 주로 사용된다. 디클로로실란을 제외한 상기 원료는 실온의 대기압 하에서 액체이다.
종래에는 원료 기체로서의 반응 기체를 담체 기체와 혼합시켜 이 혼합 기체를 반응로에 공급하였다. 예를 들어 도 4에 예시되어 있는 바와 같이 상기 혼합 기체를 공급하는 방법으로는 기체 실린더 (1)에 넣어진 액체 원료 (2)에 담체 기체 (3)을 취입시켜 액체 원료 (2)를 버블링 (bubbling)시킴으로써 액체 원료를 기화시킨 원료 기체와 담체 기체 (3)과의 혼합 기체 (4)를 발생시키고, 이 혼합 기체를 에피택셜 성장용 반응로 (6)에 그대로 공급하는 방법이 있다. 다른 방법으로는 도면에 예시되어 있지는 않지만 혼합 기체에 다시 희석용의 수소를 혼합시켜 소정의 원료 기체 농도로 한 후 이 혼합 기체를 반응로에 공급하는 방법 및 혼합 기체에 다시 인 등의 도판트 (dopant)를 주입시켜 그 결과 생성된 기체를 반응로에 공급하는 방법 등이 있다. 상기와 같은 방식으로 혼합 기체를 반응로에 공급함으로써 반응로에 설비된 단결정 실리콘 기판상의 실리콘 단결정 박막을 에피택셜 성장시킨다.
상기에 기술된 버블링에 의한 혼합 기체의 공급 방법에는 하기의 문제점들이 있다.
1) 작업원에 의한 취급을 고려하여 25 kg의 액체 원료 충전용의 용적을 갖는 총중량 약 50 kg의 기체 실린더를 사용하여 단일 기체 실린더로 복수개의 반응로 내로 혼합 기체를 공급하는 경우, 혼합 기체 중에 함유되는 원료 기체의 농도가 쉽게 변화하여 반응로에서의 각각의 반응 속도가 변동된다. 따라서 혼합 기체는 통상 단일 기체 실린더로부터 단지 1개의 반응로에만 공급될 수 있다.
2) 원료 기체의 유량은 액체의 온도에 의존적으로 변화하는 액체 원료의 증기압, 기체 실린더 내의 압력, 및 담체 기체의 유량에 의존적이다. 그 결과 원료 기체의 농도 제어는 복잡하게 된다.
3) 액체 원료가 소비되어 기체 실린더 내의 액체 원료의 잔류량이 감소하면 버블링에 의해 생성된 기체와 액체 원료와의 접촉 시간이 단축되고 버블링시에 증발되는 액체 원료의 잠열에 의해 액체 원료의 온도가 저하된다. 따라서 발생되는 원료 기체의 농도가 감소된다. 그 결과 반응로에서의 반응 속도도 또한 저하된다.
4) 버블링시킴으로써 액체 원료로부터 원료 기체를 생성시키는 공정은 일종의 증류 공정이기 때문에 액체 원료에 함유되는 극히 미량의 중금속 및 고비점의 불순물이 이 액체 중에 잔존하게 된다. 따라서 액체 원료의 증발이 진행될수록 상기 액체 내의 불순물의 농도가 상대적으로 증가한다. 그 결과 버블링으로 수득되는 원료 기체 중의 불순물 양은 액체의 양이 감소할수록 증가한다.
5) 기체 실린더를 교환할 때마다 기체 실린더와 반응로와의 접속구는 대기에 개방된다. 따라서 대기 중의 수분과 같은 물질이 기체 공급계에 들어갈 경우 에피택셜 성장된 박막의 품질을 악화시킨다.
6) 기체 실린더를 교환할 때마다 반응로에서의 에피택셜 성장의 반응 조건을 확인하기 위한 시운전을 할 필요가 있다.
본 발명의 목적은 에피택셜 성장용 기체를 원하는 농도 및 원하는 압력으로 용이하게 설정하기 위한 방법 및 그의 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 단일 기체 공급 장치로부터 복수개의 반응로에 일정 농도의 에피택셜 성장용 기체를 공급하는 방법 및 그의 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 기체 실린더를 교환함으로써 중단되는 것 없이 고순도의 에피택셜 성장용 기체를 연속적으로 공급하는 방법 및 그의 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 에피택셜 성장용 기체의 공급 장치의 구성도.
도 2는 도 1에 예시된 공급 장치의 상세한 구성도.
도 3은 상기 장치의 기화기의 구성도.
도 4는 종래의 에피택셜 성장용 기체의 공급 장치의 구성도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
10. 콘테이너
11, 13, 17, 22, 25, 32, 34, 38, 42, 44, 47 및 49. 관로
12. 저장 탱크
14, 21 및 31. 개폐 밸브
16. 공급 탱크
18. 제2 유량 조정 밸브
19. 기화기
20. 액체 원료
24. 가열수
25. 원료 기체 송출용 관로
26. 액면계
27. 압력 감지 장치
28. 제어기
33. 제1 완충 탱크
36. 제1 질량 유량 제어기
37. 담체 기체 탱크
39. 가열기
41. 제2 질량 유량 제어기
43. 혼합기
46. 제2 완충 탱크
48. 제1 유량 조정 밸브
49. 혼합 기체 공급용 관로
49a. 주 관로
49b. 루프상 관로
51. 에피택셜 성장용 반응로
52. 분배 밸브
53. 가열 보온 수단
상기에 기술된 목적들을 이루기 위하여 본 발명에 따른 에피택셜 성장용 기체의 공급 방법은
액체 원료를 기화기에서 그의 비점 이상의 온도로 가열하여 기화시키는 공정,
기화기에서 기화시킨 원료 기체를 그의 응축점을 초과하는 온도로 가열 보온하면서 원료 기체의 유량을 조정하는 공정, 및
유량이 조정된 원료 기체를 그의 응축점을 초과하는 온도로 가열 보온하면서 에피택셜 성장용 반응로에 공급하는 공정을 포함한다.
본 발명에 따른 에피택셜 성장용 기체를 공급하는 다른 방법은 또한
기화기에서 액체 원료를 그의 비점 이상의 온도로 가열하여 기화시키는 공정,
기화기에서 기화시킨 원료 기체와 담체 기체를 소정의 농도로 혼합시키는 공정,
원료 기체와 담체 기체와의 혼합 기체를 그의 응축점을 초과하는 온도로 가열 보온하면서 혼합 기체의 유량을 조정하는 공정, 및
유량 조정된 혼합 기체를 그의 응축점을 초과하는 온도로 가열 보온하면서 에피택셜 성장용 반응로에 공급하는 공정을 포함한다.
또한 본 발명에 따른 에피택셜 성장용 기체의 공급 장치는
액체 원료를 그의 비점 이상의 온도로 가열하여 기화시키는 기화기,
기화기에서 기화된 원료 기체를 소정의 질량 유량으로 제어하는 제1 질량 유량 제어기,
담체 기체를 소정의 질량 유량으로 제어하는 제2 질량 유량 제어기,
각각 소정의 질량 유량으로 제어된 원료 기체와 담체 기체를 혼합시키는 혼합기,
원료 기체와 담체 기체와의 혼합 기체의 유량을 조정하는 제1 유량 조정 밸브,
유량 조정된 혼합 기체를 에피택셜 성장용 반응로에 공급하는 관로 (管路), 및
기화기의 원료 기체 공급용 관로로부터 반응로용의 유량 조정된 혼합 기체 공급용 관로에 이르기까지 원료 기체 및 혼합 기체를 그의 응축점을 초과하는 온도로 가열 보호하는 수단을 포함한다.
바람직한 실시 형태의 상세한 설명
본 발명에 따른 바람직한 실시 형태를 하기에 기술한다.
본 발명에 따른 에피택셜 성장용 기체의 공급 방법에 대한 바람직한 실시 형태에 있어서, 기화기에서 액체 원료를 가열시키는 매체는 비점 온도가 본 액체 원료의 비점 이상인 물이다.
비점의 온도가 액체 원료의 비점 이상인 물로 기화기를 가열시키면 가열 온도의 분산이 더 적어지므로 이 가열 온도에 의해 결정되는 원료 기체의 승압이 안정화된다.
본 발명에 따른 공급 장치의 바람직한 실시 형태에 있어서, 복수개의 기화기는 병렬식으로 설비되며 이들 복수개의 기화기로부터 선택된 단일 기화기로부터 제1 질량 유량 제어기로 원료 기체가 송출된다.
복수개의 기화기를 설비하고 이들을 번갈아 사용함으로써 장시간의 증발로 액체 원료 중에 남아있는 중금속 및 고비점의 불순물이 원료 기체 중으로 확산되어 이 기체를 오염시키는 것을 방지할 수 있다. 따라서 고순도의 원료 기체를 연속적으로 질량 유량 제어기 내로 송출할 수 있다.
본 발명에 따른 공급 장치의 바람직한 실시 형태에 있어서, 기화기에서 기화시킨 원료 기체를 저장하는 제1 완충 탱크가 설비되며 여기에서 제1 완충 탱크로부터 송출된 원료 기체가 소정의 질량 유량을 갖도록 제1 질량 유량 제어기로 제어된다.
제1 완충 탱크를 배치함으로써 원료 기체의 압력 변동이 흡수될 수 있다.
본 발명에 따른 공급 장치의 바람직한 실시 형태에 있어서, 기화기에서 액체 원료를 가열시키는 매체는 비점의 온도가 이 액체의 비점 이상인 물이고, 상기 실시 형태에서는 기화기 또는 제1 완충 탱크 내부의 원료 기체의 압력을 검출하는 압력 감지 장치, 기화기로 공급되는 액체 원료의 양을 조정하기 위한 제2 유량 조정 밸브, 및 압력 감지 장치의 검출 출력에 기초한 제2 유량 조정 밸브의 제어기가 더 설비되어 있다.
일정 온도로 가열되는 상태 하에서는 기화기에서 액체 원료를 증발시킴으로써 수득되는 이 기체의 증기압은 소정치가 된다. 기화기의 기체가 소비되면 기화기 내의 압력은 강하된다. 상기와 같이 강하되면 기화기에 저장된 액체 원료는 상기 소정의 증기압에 이를때까지 증발하고 이 액체의 양은 감소된다. 즉 기화기 내의 기압이 소정치 미만으로 강하된 것을 압력 감지 장치가 검출하면 기화기 내의 기체가 제1 완충 탱크에 공급되고 액체 원료의 증발이 진행됨으로써 액체의 양이 감소되었음을 제어기가 판단하여 제2 유량 조정 밸브를 열어 액체 원료를 기화기에 공급한다.
기화기에서 기체의 소비가 중단되어 기화기 내의 기압 (증기압)이 소정치를 초과할 경우 이 기체는 응축되어 기압이 소정치가 되도록 한다. 즉 기화기 내의 기압이 소정치를 초과한 것을 압력 검출 장치가 검출하면 기화기로부터의 기체의 공급이 중단되고 기화기 내에서 기체가 응축되어 액체 양이 증가하는 경향을 판단한 제어기가 제2 유량 조정 밸브를 닫아 액체 원료가 기화기 내로 공급되는 것을 중단시킨다. 이것은 기화기의 액면 수준이 일정하게 유지되도록 하고 기화기로부터 송출되는 원료 기체의 압력이 일정하게 제어되게 한다.
본 발명에 따른 공급 장치의 바람직한 실시 형태에서는 혼합기에서 혼합되는 혼합 기체를 저장하기 위한 제2 완충 탱크가 또한 설비되어 있으며, 여기에서 혼합 기체의 유량은 제2 완충 탱크 내의 혼합 기체의 압력을 기초로 하여 제1 유량 조정 밸브로 조정된다.
제2 완충 탱크를 배치함으로써 혼합 기체의 압력 변동이 흡수될 수 있다. 제2 완충 탱크 내의 압력을 기초로 하여 제1 유량 조정 밸브를 조정함으로써 일정 유량의 혼합 기체를 반응로에 공급할 수 있다.
본 발명에 따른 공급 장치의 바람직한 실시 형태에 있어서, 관로는 제1 유량 조정 밸브에 접속되어 있는 주 관로와, 이 주 관로를 복수개의 에피택셜 성장용 반응로에 접속시키는 루프상 관로로 이루어지며, 주 관로를 통과하는 혼합 기체는 루프상 관로 내로 두 방향으로 유입될 수 있다.
복수개의 반응로가 설비된 경우 혼합 기체를 루프상 관로 내로 두 방향으로 유입시킴으로써 하류측 반응로에서의 혼합 기체의 압력 손실을 감소시킬 수 있다.
첨부된 도면을 참조로 하여 하기에서 본 발명이 더 구체적으로 기술된다.
도 1 및 도 2에 예시되어 있는 바와 같이 콘테이너 (10)은 관로 (11)을 통하여 저장 탱크 (12)에 접속된다. 본 발명에 사용되는 액체 원료로는 예를 들어 디클로로실란 (SiH2Cl2), 트리클로로실란 (SiHCl3) 및 테트라클로로실란 (SiCl4)이 있다.
저장 탱크 (12)에는 관로 (13) 및 개폐 밸브 (14)를 통하여 복수개의 공급 탱크 (16)이 접속되어 있다. 도면에서는 2개의 공급 탱크가 예시되어 있지만, 3개 이상의 탱크가 사용될 수 있다. 공급 탱크 (16)에는 각각 관로 (17) 및 유량 조정 밸브 (18)을 통하여 기화기 (19)가 접속되어 있다. 따라서 단일 저장 탱크 (12)에 대하여 복수개의 기화기 (19)가 병렬식으로 제공되어 있다.
도 3에 더 상세하게 예시되어 있는 바와 같이 본 실시 형태에 있어서 기화기 (19)는 다관식 기화기이다. 액체 원료 (20)으로는 트리클로로실란 (SiHCl3)이 사용된다. 상기 액체 원료를 가열시키는 매체로는 비점의 온도가 이 액체 이상인 일정 온도의 물이 사용된다. 상기 온도는 반응로에 공급되는 데 필요한 원료 기체의 압력과 기화기로부터 반응로까지 연장되는 공급 계통에서 손실되는 압력을 합한 총 압력을 고려하여 결정되는데 이는 액체 원료의 압력과 그의 비점이 서로 상관 관계가 있기 때문이다.
트리클로로실란의 비점은 대기압 하에서 31.8℃이고 그의 증기압은 760 mmHg이다. 상기 총 압력을 760 mmHg 이상 (대기압 이상)으로 상승시키기 위하여 트리클로로실란의 비점을 상승시키고 기화기 내에서 트리클로로실란을 강제적으로 가열할 필요가 있다. 예를 들어 총 압력으로 4.2 kg/cm2(즉, 3.2 kg/cm2G, 0.412 MPa, 3090 mmHg)의 압력이 필요할 경우 공지의 트리클로로실란의 증기압 표를 참조로 하여 가열 매체로서 물을 80℃로 가열한 후 이 물로 트리클로로실란을 가열한다. 유사하게 총 압력으로서 6.8 kg/cm2(즉, 5.8 kg/cm2G, 0.667 MPa, 5000 mmHg)의 압력이 필요할 경우 물을 100℃로 가열한 후 이 물로 트리클로로실란을 가열한다. 상기와 같이 가열 매체로서의 물의 온도를 변경시킴으로써 기화 기체의 압력을 원하는 수치로 변경시킬 수 있다.
관로 (17)은 개폐 밸브 (21) 및 관로 (22)를 통하여 기화기 (19)의 기저부에 접속되어 있다. 개폐 밸브 (21)의 다른 말단에 접속된 관로 (23)은 도시되어 있지 않은 회수 탱크에 접속되어 있다. 가열 매체로서의 가열수 (24)는 기화기 (19)의 하측부로부터 도입되고 상측부로부터 배출된다. 기화기 (19)의 정상부에는 기화된 원료 기체의 송출용 관로 (25)가 접속되어 있다. 기화기 (19)의 다른 측면부에는 액면계 (26)이 제공되어 있다. 기화기 (19)의 상부의 내부에는 기화된 원료 기체의 압력을 검출하는 압력 감지 장치 (27)이 설비되어 있다. 이 압력 감지 장치 (27)로부터의 검출 출력은 제어기 (28)에 접속되어 있다. 제어기 (28)의 제어 출력은 유량 조정 밸브 (18)에 접속되어 있다.
도 1 및 도 2에 있어서, 2대의 기화기 (19)로부터의 관로 (25)는 개폐 밸브 (31) 및 관로 (32)를 통하여 완충 탱크 (33)에 접속되어 있다. 탱크 (33)에는 관로 (34)를 통하여 질량 유량 제어기 (36)이 접속되어 있다. 도시되어 있지는 않지만 기화기를 완충 탱크와 일체화시킬 수 있다. 이 경우 2개의 완충 탱크의 송출구에 접속되어 있는 2개의 관로가 합류하는 위치에 개폐 밸브가 설비되어 있다. 도 3에 예시된 바와 같이 압력 감지 장치 (27)을 완충 탱크의 내부에 설비할 수 있다.
상기 실시 형태에 있어서 수소 기체를 담체 기체로서 사용한다. 수소 기체 외에 헬륨 (He) 기체와 같은 기체를 사용할 수 있다. 담체 기체는 탱크 (37)에 저장된다. 이 담체 기체 탱크 (37)에는 관로 (38) 및 가열기 (39)를 통하여 질량 유량 제어기 (41)이 접속되어 있다. 질량 유량 제어기 (36) 및 (41)의 갯수는 그의 질량 유량 제어량에 따라 결정된다. 상기 실시 형태에 있어서, 5개의 질량 유량 제어기를 각각 설비할 수 있다. 질량 유량 제어기 (36) 및 (41)은 관로 (42)를 통하여 혼합기 (43)에 접속된다. 완충 탱크 (46)은 관로 (44)를 통하여 혼합기 (43)에 접속된다. 이 완충 탱크 (46)에는 관로 (47)을 통하여 유량 조정 밸브 (48)이 접속되어 있다.
에피택셜 성장용의 복수개의 반응로 (51)은 관로 (49)를 통하여 유량 조정 밸브 (48)에 접속된다. 상기 실시 형태에 있어서 10개의 반응로가 설비된다. 관로 (49)는 유량 조정 밸브 (48)에 접속된 주 관로 (49a)와, 주 관로 (49a)를 반응로 (51)에 접속시키는 루프상 관로 (49b)로 이루어진다. 주 관로 (49a)와 루프상 관로 (49b)의 합류 위치에는 분배 밸브 (52)가 설비되어 있어 도 1 및 도 2에서 화살표로 예시되어 있듯이 주 관로 (49a)를 통과하는 혼합 기체가 양방향을 따라 루프상 관로 (49b) 내로 유입된다. 도 2에 예시되어 있지는 않지만 도 1에 예시되어 있듯이 기화기 (19)의 원료 기체 송출용 관로 (25)로부터 관로 (49)에 이르기까지 원료 기체 및 혼합 기체를 그의 응축점을 초과하는 온도로 가열시키고 보온하는 가열 보온 수단 (53)이 설비되어 있다. 구체적으로는, 어느 도면에도 도시되어 있지는 않지만, 완충 탱크 (33) 및 (46), 질량 유량 제어기 (36), 혼합기 (43) 및 유량 조정 밸브 (48)은 각각 쟈켓으로 싸여 있으며, 관로 (25), (32), (34), (42), (44), (47) 및 (49)에는 가열 보온용 파이프가 병렬식으로 설비되어 있다. 상기에 기술된 기체의 응축점을 초과하는 온도의 가열수를 쟈켓 및 파이프에 통과시킬 수 있다.
상기에 기술된 공급 장치에 있어서, 에피택셜 성장용 기체는 하기 공정에 따라 반응로 (51)에 공급된다.
도 2에 예시되어 있는 바와 같이 콘테이너 (10)에 운송된 액체 원료 (트리클로로실란)은 관로 (11)을 통하여 저장 탱크 (12)에 이송되어 여기에 저장된다. 탱크 (12) 내의 액체 원료는 개폐 밸브 (14)로 2개의 공급 탱크 (16)으로 분배되어 여기에 저장된다. 2개의 공급 탱크 (16)은 교대로 사용된다.
도 3에 예시되어 있듯이, 공급 탱크 (16)의 액체 원료는 유량 조정 밸브 (18)에 의해 소정의 유량으로 조정된 후 개폐 밸브 (21)을 통하여 기화기 (19) 내로 공급된다. 기화기 (19)의 액체 원료의 액면 수준은 액면계 (26)에 의해 감시되어 액체 원료가 범람하는 것을 방지한다. 본 실시 형태에 있어서, 소정량의 액체 원료가 저장된 후 기화기 (19) 내로 100℃의 일정 온도로 제어된 가열수가 가열 매체로서 도입된다. 액체 원료를 전기 또는 스팀으로 가열시키는 대신 가열수로 가열함으로써 가열 온도를 더 안정하게 유지시킬 수 있다. 가열에 의해 기화기 (19)에서 액체 원료인 트리클로로실란이 증발되어 압력 감지 장치 (27)에 의해 그의 증기압이 검출된다. 제어기 (28)은 압력 감지 장치 (27)의 검출 출력에 따라 유량 조정 밸브 (18)을 제어하여 액체 원료, 즉 트리클로로실란의 공급량을 조정할 수 있다. 상기와 같이 기화기 (19)의 액면 수준 및 기화기 내의 기압이 일정하게 유지되도록 조정된다. 상기에 기술한 바와 같이 트리클로로실란의 기압은 6.8 kg/cm2(5.8 kg/cm2G, 0.667 MPa, 5000 mmHg)으로 제어된다.
기화된 원료 기체 (트리클로로실란 기체)는 완충 탱크 (33)에 저장되어 여기에서 보관된다. 상기에 의해 원료 기체의 압력 변동이 흡수될 수 있다. 완충 탱크 (33)으로부터 송출된 원료 기체는 질량 유량 제어기 (36)에 의해 그 질량 유량이 일정하게 제어된다. 또한 담체 기체 탱크 (37)로부터 공급되고 가열기 (39)로 가열된 담체 기체 (수소 기체)도 질량 유량 제어기 (41)에 의해 그의 질량 유량이 일정하게 제어된다. 가열기 (39)는 담체 기체가 원료 기체의 온도와 동일한 온도로 가열되게 한다. 질량 유량 제어기 (36) 및 (41)에 의한 제어는 반응로에서 요구되는 원료 기체의 농도에 의존적으로 수행된다. 이것은 원하는 농도로 기체를 혼합시킬 수 있게 한다.
질량 유량이 제어된 원료 기체 (트리클로로실란) 및 담체 기체 (수소 기체)는 혼합기 (43)에서 혼합시키고 완충 탱크 (46)에 보관함으로써 혼합 기체의 압력 변동을 흡수한다. 어느 도면에서도 도시되어 있지는 않지만 완충 탱크 (46)의 내부에는 압력 감지 장치가 설비되어 이 감지 장치로부터의 검출 출력을 기초로 하여 유량 조정 밸브 (48)이 완충 탱크 (46)으로부터 송출되는 혼합 기체의 유량을 조정한다. 일정 유량으로 조정된 혼합 기체는 분배 밸브 (52)에 의해 루프상 관로 (49b) 내로 두 방향으로 분배된다. 상기와 같이 두 방향으로 분배됨으로써 복수개의 반응로가 설비된 경우 하류측 반응로에 있어서 혼합 기체의 압력 손실을 감소시킬 수 있다. 달리 말하자면 복수개의 반응로 (51) 내로 각각 소정 농도의 혼합 기체가 안정하게 공급됨으로써 반응로에 설비된 단결정 실리콘 기판상에 실리콘 단결정 박막이 소정의 속도로 에피택셜 성장한다.
기화기 (19)가 작동되고 혼합 기체가 반응로 (51)에 공급되는 기간 동안 완충 탱크 (33) 및 (46), 질량 유량 제어기 (36), 혼합기 (43), 유량 조정 밸브 (48)과, 관로 (25), (32), (34), (42), (44), (47) 및 (49)는 원료 기체 또는 혼합 기체의 응축점을 초과하는 온도로 가열 보온시킨다. 상기에 의해 혼합 기체 중의 원료 기체의 농도 변동이 방지된다.
단일 기화기 (19)에서 액체 원료의 증발 조작이 일정 기간 행해진 후 다른 기화기 (19)에서 액체 원료를 증발시킨다. 다른 기화기에서 기화시킨 원료 기체가 소정치의 압력에 도달하는 시점에서 개폐 밸브 (31)을 개폐시킴으로써 장시간의 증발에 의해 액체 원료 중에 남게 되는 중금속 및 고비점의 불순물의 원료 기체 중으로의 오염을 방지할 수 있고 고순도의 원료 기체를 연속적으로 완충 탱크 (33)에 저장되게 할 수 있다. 사용되는 액체 원료는 도 3에 예시된 개폐 밸브 (21)를 개폐시킴으로써 배출되고, 도시되지 않은 회수 탱크로 송출된다.
본 실시 형태에 있어서, 원료 기체와 담체 기체는 혼합되어 반응로에 공급된다. 그러나 본 발명에서는 담체 기체를 함유하지 않는 원료 기체만을 반응로에 공급할 수 있다.
상기에 기술한 바와 같이 본 발명은 종래의 버블링 방식이 아닌, 액체 원료를 기화기에서 소정 농도로 기화시킴으로써 이 액체 원료의 유량을 조정하고 에피택셜 성장용 기체의 농도치 및 압력치를 원하는 수치로 용이하게 설정할 수 있게 한다. 또한 기화기의 용적에 따라 원료 기체를 생성시킴으로써 단일 기체 공급 장치로부터 복수개의 반응로 내로 일정 농도의 에피택셜 성장용 기체를 안정하게 공급할 수 있다.
또한 종래 기체 실린더의 교환에 의한 중단 없이 고순도의 에피택셜 성장용 기체를 연속적으로 공급할 수 있다. 특히 기화기에서 가열 매체의 온도를 일정하게 유지하는 조건 하에서 액체 원료를 기화시키고 기화기 내의 기압을 제어함으로써 기화기 내로의 액체 원료의 공급량을 조정한다면 기화기의 액면 수준을 일정하게 제어할 수 있다.

Claims (10)

  1. 기화기에서 액체 원료를 그의 비점 이상의 온도로 가열하여 기화시키는 공정,
    기화기에서 기화된 원료 기체를 그의 응축점을 초과하는 온도로 가열 보온하면서 상기 원료 기체의 유량을 조정하는 공정, 및
    유량 조정된 원료 기체를 그의 응축점을 초과하는 온도로 가열 보온하면서 에피택셜 성장용 반응로 내로 공급하는 공정을 포함하는 에피택셜 성장용 기체의 공급 방법.
  2. 기화기에서 액체 원료를 그의 비점 이상의 온도로 가열하여 기화시키는 공정,
    기화기에서 기화된 원료 기체와 담체 기체를 소정의 농도로 혼합시키는 공정,
    원료 기체와 담체 기체와의 혼합 기체를 그의 응축점을 초과하는 온도로 가열 보온하면서 상기 혼합 기체의 유량을 조정하는 공정, 및
    유량 조정된 혼합 기체를 그의 응축점을 초과하는 온도로 가열 보온하면서 에피택셜 성장용 반응로 내로 공급하는 공정을 포함하는 에피택셜 성장용 기체의 공급 방법.
  3. 제1항에 있어서, 기화기에서 액체 원료를 가열시키는 매체가 상기 액체 원료의 비점 이상 온도의 물인 방법.
  4. 제2항에 있어서, 기화기에서 액체 원료를 가열시키는 매체가 상기 액체 원료의 비점 이상 온도의 물인 방법.
  5. 액체 원료를 그의 비점 이상의 온도로 가열하여 기화시키는 기화기,
    기화기에서 기화된 원료 기체를 소정의 질량 유량으로 제어하는 제1 질량 유량 제어기,
    담체 기체를 소정의 질량 유량으로 제어하는 제2 질량 유량 제어기,
    각각 소정의 질량 유량으로 제어된 원료 기체와 담체 기체를 혼합시키는 혼합기,
    원료 기체와 담체 기체로 구성된 혼합 기체의 유량을 조정하는 제1 유량 조정 밸브,
    유량 조정된 혼합 기체를 에피택셜 성장용 반응로에 공급하는 관로, 및
    기화기의 원료 기체 공급용 관로로부터 반응로의 유량 조정된 혼합 기체 공급용 관로에 이르기까지 원료 기체 및 혼합 기체를 그의 응축점을 초과하는 온도로 가열 보온하는 수단이 구비된 에피택셜 성장용 기체의 공급 장치.
  6. 제5항에 있어서, 복수개의 기화기가 병력식으로 구비되어 있고 상기 복수개의 기화기로부터 선택된 단일 기화기로부터 상기 제1 질량 유량 제어기로 원료 기체를 송출하는 것인 공급 장치.
  7. 제5항에 있어서, 기화기에서 기화된 원료 기체를 저장하기 위한 제1 완충 탱크가 구비되어 있고 상기 제1 완충 탱크로부터 송출된 원료 기체를 제1 질량 유량 제어기를 사용하여 소정의 질량 유량으로 제어하는 것인 공급 장치.
  8. 제7항에 있어서, 기화기에서 액체 원료를 가열하는 매체가 상기 액체의 비점 이상의 온도인 물이고 상기 기화기 또는 제1 완충 탱크 내부의 원료 기체의 압력을 검출하는 압력 감지 장치, 상기 기화기로의 액체 원료의 공급량을 조정하는 제2 유량 조정 밸브, 상기 압력 감지 장치의 검출 출력을 기초로 하여 상기 제2 유량 조정 밸브를 제어하는 제어기가 더 구비된 공급 장치.
  9. 제5항에 있어서, 혼합기에서 혼합된 기체를 저장하기 위한 제2 완충 탱크가 더 구비되어 있고 상기 제2 완충 탱크 내의 혼합 기체의 압력을 기초로 하여 상기 혼합 기체의 유량을 제1 유량 조정 밸브로 조정하는 것인 공급 장치.
  10. 제5항에 있어서, 관로가 제1 유량 조정 밸브에 접속된 주 관로 및 복수개의 에피택셜 성장용 반응로에 이 주 관로를 접속시키는 루프상 관로로 이루어지고, 주 관로를 통과하는 혼합 기체가 두 방향으로 루프상 관로 내로 유입될 수 있는 것인 공급 장치.
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Families Citing this family (263)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6174371B1 (en) * 1997-10-06 2001-01-16 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
US6217659B1 (en) * 1998-10-16 2001-04-17 Air Products And Chemical, Inc. Dynamic blending gas delivery system and method
GB9929279D0 (en) * 1999-12-11 2000-02-02 Epichem Ltd An improved method of and apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to a plurality of epitaxial reactor sites
EP1329540A3 (en) * 2000-07-03 2003-11-05 Epichem Limited An apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to epitaxial reactor sites
GB2432371B (en) 2005-11-17 2011-06-15 Epichem Ltd Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
US20080264332A1 (en) * 2007-04-25 2008-10-30 Fareed Sepehry-Fard Method, system, and apparatus for doping and for multi-chamber high-throughput solid-phase epitaxy deposition process
JP2009084625A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 原料ガスの供給システム及び成膜装置
JP5461786B2 (ja) * 2008-04-01 2014-04-02 株式会社フジキン 気化器を備えたガス供給装置
BRMU8903104U2 (pt) * 2008-04-28 2013-01-08 Blew Chip Holdings Pty Ltd melhoramento em composto explosivo
US8217124B2 (en) * 2009-01-16 2012-07-10 Basell Polyolefine Gmbh Ethylene polymerization in a high pressure reactor with improved initiator feeding
KR20100119346A (ko) * 2009-04-30 2010-11-09 한국에이에스엠지니텍 주식회사 증착 장치
CN102597310B (zh) 2009-11-02 2015-02-04 西格玛-奥吉奇有限责任公司 固态前体输送组件以及相关方法
CN102086966B (zh) * 2009-12-03 2013-06-19 无锡华润上华半导体有限公司 外延设备气体的供应方法及装置
US20110300050A1 (en) * 2010-06-08 2011-12-08 Memc Electronic Materials, Inc. Trichlorosilane Vaporization System
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5824372B2 (ja) * 2012-01-25 2015-11-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びプロセス状態の確認方法
CN102766903A (zh) * 2012-07-03 2012-11-07 北京七星华创电子股份有限公司 气体浓度控制装置、系统和方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
CN103305817B (zh) * 2013-05-30 2016-03-02 中国科学技术大学 一种管式炉外延系统
JP6503293B2 (ja) * 2013-07-26 2019-04-17 株式会社 テクノ・バンダリー 連続蒸留式トリクロロシラン気化供給装置および連続蒸留式トリクロロシランガス気化方法
JP5859586B2 (ja) * 2013-12-27 2016-02-10 株式会社日立国際電気 基板処理システム、半導体装置の製造方法および記録媒体
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP2016134569A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社東芝 半導体製造装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP6675865B2 (ja) * 2015-12-11 2020-04-08 株式会社堀場エステック 液体材料気化装置
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
JP6695701B2 (ja) * 2016-02-03 2020-05-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液気化装置と基板処理装置
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10087523B2 (en) * 2016-05-20 2018-10-02 Lam Research Corporation Vapor delivery method and apparatus for solid and liquid precursors
JP6409021B2 (ja) * 2016-05-20 2018-10-17 日本エア・リキード株式会社 昇華ガス供給システムおよび昇華ガス供給方法
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
CN106152775B (zh) * 2016-07-08 2018-04-24 东南大学 一种真空管式炉系统
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
CN107815730A (zh) * 2016-09-14 2018-03-20 上海新昇半导体科技有限公司 掺杂气体缓冲装置、掺杂气体供给装置及方法
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) * 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
KR102639507B1 (ko) * 2017-05-11 2024-02-23 가부시키가이샤 호리바 에스텍 액체 재료 기화 공급 장치 및 제어 프로그램
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
JP6826666B2 (ja) * 2017-07-28 2021-02-03 京セラ株式会社 センサモジュール
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846960B (zh) * 2019-10-04 2024-07-01 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 低揮發性前驅物的供應系統
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
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US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
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US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
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US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
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CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN114686852A (zh) * 2020-12-28 2022-07-01 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 镀膜系统、供料设备及其方法
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1298086B (de) * 1965-07-28 1969-06-26 Siemens Ag Verfahren zur Dosierung von SiCl oder SiHCl3 in einem Wasserstoffstrom bei der Silicium-Epitaxie
US3634150A (en) * 1969-06-25 1972-01-11 Gen Electric Method for forming epitaxial crystals or wafers in selected regions of substrates
US4422888A (en) * 1981-02-27 1983-12-27 Xerox Corporation Method for successfully depositing doped II-VI epitaxial layers by organometallic chemical vapor deposition
JPS59172717A (ja) * 1983-03-22 1984-09-29 Nec Corp 半導体気相成長装置
FR2569207B1 (fr) * 1984-08-14 1986-11-14 Mellet Robert Procede et dispositif d'obtention d'un courant gazeux contenant un compose a l'etat de vapeur, utilisable notamment pour introduire ce compose dans un reacteur d'epitaxie
AU590327B2 (en) * 1985-09-09 1989-11-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of growth of thin film layer for use in a composite semiconductor
EP0252755A1 (en) * 1986-07-11 1988-01-13 Unvala Limited Chemical vapour deposition
US4985281A (en) * 1988-08-22 1991-01-15 Santa Barbara Research Center Elemental mercury source for metal-organic chemical vapor deposition
DE69006809T2 (de) * 1989-09-12 1994-09-15 Shinetsu Chemical Co Vorrichtung für die Verdampfung und Bereitstellung von Organometallverbindungen.
JPH03141192A (ja) * 1989-10-26 1991-06-17 Fujitsu Ltd 気相成長装置および気相成長方法
US5356673A (en) * 1991-03-18 1994-10-18 Jet Process Corporation Evaporation system and method for gas jet deposition of thin film materials
JP3156326B2 (ja) * 1992-01-07 2001-04-16 富士通株式会社 半導体成長装置およびそれによる半導体成長方法
JP2797233B2 (ja) * 1992-07-01 1998-09-17 富士通株式会社 薄膜成長装置
JPH06295862A (ja) * 1992-11-20 1994-10-21 Mitsubishi Electric Corp 化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器
JP3174856B2 (ja) * 1993-05-07 2001-06-11 日本エア・リキード株式会社 混合ガス供給装置
JPH0718449A (ja) * 1993-07-02 1995-01-20 Hitachi Ltd 高温気体定流量発生装置およびプロセス装置
US5451258A (en) * 1994-05-11 1995-09-19 Materials Research Corporation Apparatus and method for improved delivery of vaporized reactant gases to a reaction chamber
KR100246712B1 (ko) * 1994-06-02 2000-03-15 구마모토 마사히로 화합물 단결정의 제조방법 및 제조장치
JP3122311B2 (ja) * 1994-06-29 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 成膜処理室への液体材料供給装置及びその使用方法
JPH0897147A (ja) * 1994-09-29 1996-04-12 Mitsubishi Electric Corp エピタキシャル結晶成長装置
JP3601153B2 (ja) * 1995-12-27 2004-12-15 東京エレクトロン株式会社 処理ガス供給装置のクリーニング方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1508283A (zh) 2004-06-30
EP0931861A1 (en) 1999-07-28
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US6039809A (en) 2000-03-21
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DE69804422D1 (de) 2002-05-02
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