TW412447B - Method and apparatus for feeding a gas for epitaxial growth - Google Patents

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TW412447B
TW412447B TW087111823A TW87111823A TW412447B TW 412447 B TW412447 B TW 412447B TW 087111823 A TW087111823 A TW 087111823A TW 87111823 A TW87111823 A TW 87111823A TW 412447 B TW412447 B TW 412447B
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epitaxial growth
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TW087111823A
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Yoshiharu Toyama
Akiyoshi Kuroda
Tokuji Kiyama
Sumio Kida
Toshiharu Yoshida
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Mitsubishi Material Silicon
Mitsubishi Materials Polycryst
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Description

經濟部中失標準局負工消费合作社印製 412447 A7 B7五、發明説明(1 ) 本發明係闞於一種使液«原料汽化作為原料氣髑,而 胯其作為反應氣《供給至基晶生長UP it axial growth)用 反應爐之供給方法及其裝置。 供姶於此植磊驀生長用反應霣之反應氣《主要使用二 氯矽燒(SiH:Clt)、三氣矽烷(SUCl3}成四氣矽烷(SiCl·) 等液β原料氣化之氣β。上述之原料,除二氯矽烷外,在 室溫之大氣懕下均為液態。 以往,原料氣黷係輿載ff氣霣 (c a ! r i e r g a s)混合後 供給至反應爐。例如有如第4匾所示,將截《氣鱺3灌入 綱瓶1内之液鱷原料2中,使液fl原料冒泡(bubble)而 發生液«原料氣化之原料氣》及載»氣«3之混合氣鱺4, 然後將此混合氣«4直接供給至薄晶生長用反應鑪6中之 方法。另一種方法(未画示)係於上述所得之混合氣《4中 再混合稀釋用之氫,調成所定濃度之原科氣»之後,髁此 混合氣fi供姶至反患爐。更穸一種方法係於上述所得之混 合氣«4中注入磷等不純物(dopant)後供給至反車爐》 即,將上述之混合氣饉供給至反懕爐中,使在置於反應繾 内之單结晶矽基板上磊晶生畏形成矽單结晶薄麟。 然而t上述之»冒泡將混合氣«供給至反應爐之方法 具有下述之諸間囲: (1)考處由一個作槊貝搡作,使用一 fi具有可填充25 公斤液«原料之容積而縝璽量妁50公斤之上述_趄對複數 台之反應讓供給混合氣«時,混合氣蜃中所含之原料氣《 濃度易變化,導致各反應tt内之反應速度發生變化。因此 I-----------.'i-----ΓITT.· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙乐尺度適用中國國家標準(CNS > A4说格(210X297公釐) A7 412447 _ B7 五、發明説明(2 ) ,通常僅能由一個網瓶供給混合氣體至一台反應爐。 (2) 由於原料氣»之潦董取決於随液瀟而改變之液鑀 原料之蒸汽壓、網瓶之内懕及載醴氣髏之滾ft,因此原料 氣»之濃度控制植為複轤且困雞。 (3) 隨着液《原料之消耗,殘留於钃瓶内之液《原料 量減少時,冒泡產生之氣S與液體之接觴時間嫌短》同時 因冒泡時蒸發之液臞原料之潛热使液溫下降,専致發生之 原料氣髓之灞度降低,结果引起反應瀘内反應速度之下降。 (4) 由於S冒泡自液B原料生產原料氣《之搡作係一 種蒸钃,因此液艟原料所含之極微量之重金羼及高沸點不 纯物會殘留於液相中,而随着液«原科蒸發之進展,不纯 搀之濃度會相對的增高,结果冒泡所得之原料氣«中之不 纯钧量將嫌着液量之減少而增加。 (5) 因每當在換新的網Μ時,需將鋼瓶與反應爐之接 連口開放,此時大氣中之水护等會乘機進人氣«供給条統 中使磊晶生長之薄膜品質變壞》 (6) 另外,每當改換新的綱瓶後,在反應爐進行磊晶 生長之前,須為確認反應條件«行試襄轉(試車)。 為了解沬習知技術之上述缺點,本發明之第1目的為 提供一種可將磊晶生長用氣《輕易的設定於所希望之瀆度 及Κ力之方法及其装S。 本發明之第2目的為提供一種可自一台之氣儒供給装 置對複數之反應雄供給一定溻度之磊晶生長用氣«之方法 及其装置。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) ------------J------ I1Τ------^.. . . - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 412447 A7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 B7 __五、發明説明(3 ) 本發明之第3目的為提供一種不因更換新的鋼瓶受中 蹰而可連續的將高炖度之磊晶生畏用氣驩供姶至反應爐之 方法及其裝置。 為了埋成上述之目的,本發明提供之S晶生長用黑體 供給方法(申請専利範圃第1項)包括如下步《· -於氣化器中將液«原料加热至該液«之沸黏以上灌 度使其氣化之步»; -將氣化器氣化之原科氣》,在其驀鑌點K上之溫度 下一邊加热保溫,一邊調整該原料氣髑之潦量之步骤;及 -將上逑流量經諝整之原料氯體,在其凝讅點K上之 溫度下一邊加热保潘,一邊供給至磊勗生長用反«爐之步 驟》 依上述方法時,因不需實行Μ往之冒泡操作,而藉由 氣化器將液18原料氣化成所定濃度之氣»並調聱其流i, 故易將磊晶生畏用氣«?搜制於所希望之一定«度,而且由 一台之供給裝置供給至複數台之反應*。 又,依本發明提供之磊晶生長用氣《供給方法(申誚 專利範圍第2項)包括如下步驟: -於氣化器中膊液《原料加热至該液«之拥KM上滬 度使其氣化之步驟; -使氣化器氣化之原科氣髖與載鼉氣HK所定之澹度 混合之步»; -將原料氣體及載嫌氣體之混合氣β,在其凝嫌點Μ 上之潘度下一邊加热保溫,一邊調整該混合氣«之流量之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 412447 A7 B7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 五、發明説明(4 ) 步驟;及 -將上述流量經調整之混合氣«,在其凝繽黏Μ上之 溫度下一邊加热保溫,一邊供給至磊晶生長用反應爐之步 鼸。 依上述方法時,因不需實行以往之S泡搡作,而¥由 氣化器將液料原料氣化成所定濃度之原料氣體,並鞴混合 載A氣II調整該原科氣艚之禳度,故易將磊晶生長用氣醴 控制於一定《度,而由一台之供給装置供給至複數台之反 應霣。 又,依本發明提供之上述磊晶生長用氣艚供給方法中 ,其用Κ在氣化器中加热液體原料之媒體係該液鱷原枓之 沸黏以上之一定溫度之水(申謫専利範麵第3項)。 依上述方法,使用該液Β原科之沸點以上之一定漘度 之水加热氣化器時,加热租度之僱差極微小,坷確保所得 原料氧《之蒸之安定化。 再者,依本發明提供之磊晶生長用氣轚之供應裝置( 申請専利範圃第4項),如第1-3圈所示,包括: -用以將液體原料(20)加热至該液贗之嫌點Μ上潙度 而使其氣化之氣化器(19); -將氣化器(19)氣化之原料氣臞控制於所定之質最流 量Uass flow}之第1質董流悬控制器(36); -將載tt氣驩控制於所定之質fi流悬之第2霣ft潦量 控制器(41> ; -用以使上述各控制於所定之質最流量之原料氣體及 -7- (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印装 412447 A7 _B7 -_五、發明説明(5 ) 載暖氣fi混合之混合機{43); -用K調整原科氣艚及載髖氣理之混合氣«之潦量之 第1流最調節閥(48); -將上述淀量理調整之混合氣«供給至磊晶生長用反 應缠(51}之管路(49); -用以將氣化器(19)之原料氣《送出用管路2 5至上述 管路(49)之間之原料氣«及混合氣飜,在其«讅點K上之 溫度下加热保溫之裝置(53)。 依上述之藤晶生長用氣》之供給装置時,由於將氣化 之原料氣體及載級氣腰分別箱霣ft潦霣控制器(36、41)控 制後加Μ混合,故可將所希望濃度之磊晶生長用氣Η安定 的供給至反應域。 又,在本發明提供之上述磊晶生畏用氣«之供給裝置 中,將複數之氣化器(19)並排設置,並從此等複败之氣化 器中邇擇軍一之氣化器而由此氣器將原料氣«送至第1質 最流量控制器(36)(申請專利範園第5項)。 依此構成時,由於可交互的使用並排設置之氣化器, 故具有可將因長時間蒸發而在疲臞原料中殘存之重金軀及 高彿點不肫物進入原科氣《中之杇染防《於未然,將高姹 度之原料氣體理續送出至霣量潦馕控制器(36)之利點。 又,在本發明之上述磊晶生長用氣«之供給装置,設 置可使氣化器(13)氣化之原料氣髓滯留之第1缓衡槽(33) I利用上述第1質最潦量控制器(36),將由該第1緩衝檐 (33)送出之原料氣體控制於所定之質最流量(申請專利範 -8- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 缘— 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(2丨Ο X 297公釐) 經濟部中央標隼局貝工消费合作社印製 «2447 A7 B7 五、發明説明(6) 園第6項>。 依此構成時,具有珂薄該設置之媛衡槽(33>吸收原科 氣«之饜力變動之利黏。 又,依本發明之上述磊晶生長用氣臞之供姶装置,如 第3圓所示,其用Μ在氣化器(19)加热液豔原料(20)之媒 β為具有比該液《原料之沸黏以上之一定潘度之水(20, 並且備有一用Κ檢«氣化器(19)或第1媛衝檐(33)内之 原料氣級之壓力之懕力檢测器(27)、一用Μ調整送入氣化 器(19)中之液髖原料(20)之供姶霣之第2流最調節閥(18) 、及一根據懕力檢蘭器(27)之榇澜_出(output ),控制 第2淀量調節閥(18)之控制器(28)。 在一定之溫度加热之狀態時,在氣化器中液賵原料蒸 發產生之原料氣體之蒸氣壓具有一定值。但,隨着氣化器 内之氣β被消耗,氣化器内之懕力即下降。由於此下降, 潴存於氣化器之液«原料會蒸發至達到上逑所定之蒸氣懕 ,於是液量乃相對的減少。即,當上述之懕力檢测器(27) 檢出氣化器內之氣《壓降低至所定值Κ下時,控制器(28) 即判庸氣化器之氣髓已被送出至嫒街槽(33)、液髓原料之 蒸發進行、疲量已減少,而打開潦蛋調節閾將液艚原料供 給至氣化器(19)。 又,氣化器之氣fi停止消耗,而氣化器内之氣«Ε( 蒸氣壓)超過所定值時,氣鱧即《嫌至其壓力達到所定值 。即,當壓力檢餚器(27)檢出氣化器内之氣羅壓超過所定 值時,控制器(28)即判》氣化器之氣髓之送出已停止、在 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4B( 2丨0X297公釐) (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 - 經濟部中央樣準局員工消费合作杜印褽 412447 A7 __B7 _五、發明説明(7 ) 氣化器内發生氣鰱之凝鑲、液鼉有增加頷向,而鼷閉流量 調節賊<18)停止對氣化器(19>之流鼉應料之供姶。如是可 将氣化器(13)内之液面恒常維持於一定之水準,而且可 將氣化器送出之原料氣鱺之懕力控制於一定。 又.在本發明之上述磊晶生長用氣«之供給装置(申 請専利範鼸第4項)中,配置一用Μ使由混合器(43)送出 之混合氣艚浦留之第2鍰街槽(46),而根據此第2嫒街權 (46)内之混合氣Κ之懕力,藉第i度最調節閾(48)钃整灌 合氣fi之淀董。 因設有嬢街镩(46),故可藉其吸收混合氣臞之蹏力變 動,且根據該鍰街槽(46)内之懕力調整流量調節閥<48), 故可將一定度S之混合氣《供給至反應爐。 又,在本發明之上述聶晶生長用氣B之供給裝置(申 葫專昶範園第4或8項)中,其管路(43)係由一接連於 第1潆#調節閥(48)之主管路(493)及一用以連接該主管 尊(4 3a)及複歟之磊晶生長用反應《(51)之環狀管路(4Sb) 構成,使通遇主管路(49a)之混合氣*由雙方向潦入頊狀 管路(49b)中。 依此,使混合氣體由雙方向流入環狀管路(49b)中時 ,在設有複數台反應爐之場合,位於下流侧之反*«之混 合氣體之饜力損失可減低。 爰依画式說明本發明之可取實雎例於下: 如第1及2國所示,油罐車(10)係羥由管路(11)接 連於雔權(12)。本發明所使用之液通原科包括二氛矽烷( -10- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度通用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央樣準局負工消費合作社印策 A7 B7__五、發明説明(S ) SiH2Cl2)、三«矽烷(SiHCla)或四氯矽烷(SiCl*)等。 «槽(12)乃fi由管路(13)及轉換M(14)接連於複 数之供姶槽(16)(在園中顧示2個供給檐,但3個或K上 亦可)。於此等供給槽<16)經由管路(17)及涑最鼸節Μ (18)埋接有氣化器(19)。如此,對軍一黼檐(12)並渰G 設複數之氣化器<19)。 由第3國之詳细配置Η可知,此實施例所用之氣化器 U9)為多管式氣化器,液《原料(20)使用三氰矽烷( SiHCl3),而用Μ加熱該液髖原料之媒體係該液艚之梯貼 以上之一定溫度之水。此時使用之水》係考處供給於反應 爐所必要之原料氣fi壓力及在氣化器至反應爐之供給糸统 内損失之蜃力的合計壓力抉定。此乃由於液《原料之懕力 與沸黏有一定之鼷係。 舉例而言,三氯矽烷之沸點在大氣K下為31.8C,此 時之蒸氣B為760i*Bg。若需要使上述之合計K力昇至40 Bg K上之蒸氣壓(大氣上)時,則爾提升三«矽烷 之沸點並在氣化器内強制的加热三fE(矽烷。例如,需將上 述合計懕力設定在 4.2kg/ciB (取、3.2kg/c«*G、0.412MPa 、3090inflg)時,參考已知之三氯矽烷之蒸氣壓表,加熱 媒思之水之溢度至80TD,而利用其加热三氯矽烷。囿樣的 ,若霭將合計懕力設定於6.8kg/c·«(即,5.8kg/ci«G、 0.667MPa、5000iiHg)時,加热水溫至l〇〇t!而利用其加 热氣矽烷。由是可知,薄改麇加热媒B之水之灌度便可將 氣化氣艟之之懕力改變至所希Μ之值。 -11- ---------;---_t------?τ------^ • . (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐} 經濟部甲央標隼局負工消费合作社印製 412447 A7 _______B7 _ 五、發明説明(9 ) 管路(17)係經由轉換閾(21)及管路(22)連接至氣 化器(19)之底部。韓換《(21)之另一俩之管路(23)則 接連於回收榷。加熱媒》之热水(24)银由氣化器(19}之 下《部導入而由上爾部排出(如筋«所示在氣化器U9) 之頂部接逋有羥氣化之原料氣體之送出用管路(25)。在氣 化器(19)之另一 «部則装有液面計(26>而在氣化器(19> 之頂部内方K設有撿《氣化之原料氣臞之壓力之β力檢» 器(27};此壓力檢测器(27)之檐出输出係連接於控制器 (28),而該控制器(28)之控制_出逋接於流量調節H(18 )° 再參照第1及2·說明如下: 由二台氣化器(19、19)接出之管路(25)經由轉換Μ (31)及管路(32)埋接於媛衡播(33)。此埋衝榷(33}經由 管路(34)連接於霣躉潦量控制器(36)。又未画示, 亦百將上述之氣化器與緩衝楢一》化。在此埸合,在欺接 於二台級衝推之出口之二條管路之匯潦處裝設轉換Η »又 ,上逑之應力檢拥器(27)亦可如第3 Β所示,裝設於鍰 衡搆(33)内部。 在本實施例中,係以氬氣作為載«氣«(carrier gas )使用。除氫氣之外亦可使用諸如氮(He)等。載《氣體 係骷存於樯(37)中,而此槽經由管路(38)及加熱器(39) 壤接於質量流量控制器(41)。質量流量控制器(36)及(41) 乃S合其質量流量之控制貴設有複數届。在本實梅例分別 設有5涸。上述質量流量控制器(36)、(41)經由管路(42) -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐} (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I--- ·Ί 412447 A7 ___B7 五、發明説明(10 ) 接連至混合器(43),而此混合器(43) g由管路(44)接連 至缓街槽(46),间時此棰銜槽(48)纆由管接連於滾fiig 節 W (48)。 潦霣調節闊(48)經由管路(49)連接於複數之磊晶生 長用反應爐(51)。在本例中,反應缠共设1〇台〇管 路(49)係由接連於度量調節閥(48)之主管路(49a)及連 接該主管路(49a)與複敝之反應爐(51)之瑁狀管路(43b) 構成。在主管路(49a>與環狀管路(49b)之接鑛處設有分 SN(52),使來自主管路(49a)之混合氣》能如箭虢所示 ,由雙方向流入環狀管路(49b>中。在第2圓中醮無圓示 ,在氣化器(13>之原料氣«送出用管路(25>至管路(43)上 设有加热保灌手段(β3)(#照第1鼸),用以將原科氣髏及 混合氣體加熱至其凝縮點以上溫度並加以保溫。具»言之 ,嫒衝檐(33)、(46>、霣最流量控制器(36>、混合器(43) 及流量調節閥(48)分別由護套(未圈示> 所包覆,而在管 路25、32、34、42、44、47及43)上併設有加热保溫用 管,並於該護套及管中通上上述氣嫌之凝路點权上之湛度 之熱水。
經濟部中央標準局貝工消費合作社印I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 備有上述構成之供給装置係依下述步朦將赛晶生長用 氣髓供給至反應爐(5 1)。 如第2躍所示,由油嫌車〇〇)運來之液思原料(三氣 矽烷)經由管路移送至餹播(12)中。鯆檐(12)内之液Κ 原料經由轉換W(14)分送至二個供姶槽(16)中存放待用 e此二届供給播(16)係交互使用。 13 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 412447 A7 經濟部t央標準局貝工消费合作社印装 B7五、發明説明(11 ) 由第3画可知,此供給榷(16>之液鼉原料經逋量調 莳閥(18)調螫為所定潦董後,通遢轉換H(21}供給至氣 化器(19)内。此氣化器(19)之液《原料之液面水準係藉 液面計監視,Κ防止液髓原料之溢滾。將所定量之硖臞原 料存放後,在肽氣化器(19)中専入被控制在所定湛度(在 此賞雎例為lOOt;)之热水作為加热媒鹏。由於以热水替 代霣氣或蒸汽加热法加热液《原科,故加热溢度較安定》 藉其加熱,使液髖原料(三氯矽烷)在氣化器U9)内蒸發, 並利用壓力檢澜器(27)檢涸其蒸氣壓。控鯆器(28)即根據 該颸力檢測器之檢出输出控制流量調節HU8)調整潦Η 原料之三氯矽烷之供給嫌,而將氣化器(19)之液面水準及 氣化器內之氣»颳恒常控制於一定。此三《矽烷之氣《壓 被控制於如上所述之6.8kg/c·*(即,5.8kg/c*eG、0.667 MPa、 50 0 0 ··Η^) 〇 氣化之原料氣《(三氣矽烷)在級銜撺(J3)滯留而被饑 存,並在孩«(33)中吸收氣化之原料氣*之壓力變動。由 綬銜榷(33}送出之原料氣Η乃在質量流最控制器(36)將其 霣量潦ft控制於一定。又,由載髓氣鰱镏(37}出來而在加 热器(39}中被加热之載顦氣« (氢氣 > 亦在霣最滾霣控_器 (41)將其霣董流量控制於一定。在上述加熱器(39)中, 載髑氣fi係被加热至與原科氣ϋ同一灌度。在霣董潦量控 制器(36、41)之控制係S合反應魃要求之原料氣《濃度 而»行,如是可將氣«混合成所希望之濃度。 質量滾羅被控制之原料氣體(三氯矽烷)輿載S氣臁( -1 4 - (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0 X 297公釐) A7 412447 B7 五、發明説明(12 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 氩氣)乃於混合器(43)中混合後送入媛衢槽(46>滯留皤 存。在此播中可吸收混合氣钃之壓力變動。在該嫒衡檑( 46)中装有懕力檢瀰器(未匾示)》潦量調節閥(48)根據 該檐测器之檢出输出調整混合氣«之流霣。被調轚之一定 滚蓋之混合氣腰纆由分配»(52)分£於環狀管路(49a)之 雙方向。當設有禊數之反應雄(51)時,藉此雙方向之分配 ,可以減低下流供之反«爐之混合瘭«之壓力損失。即, 可將所定漘度之混合氣«安定的供給至複數之各個反應爐 (5 1)中,俾使設置在反應《之單结晶矽基板上璀以所定之 速度磊晶生長矽軍结晶薄縝。 又,當氣化器(13)在搡作且混合氣艟被供給至反*嫌 (51)期間,嫒衡槽(33、48)、質最浪ft控制器(3 6)、混合 器(43)、流最調節閥 U8)、管路{25、32、34、42、44、 47及49)之原料氣贜或混合氣體均被加热保灌於其篇雄點 K上之溫度,如此可防止混合氣II中之原料氣«之濃度變 動0 經濟部中央榡準扃舅工消費合作社印11 在氣化器(13)中實行一定期間之液《原料之蒸發嫌作 後,在另一個氣化器(13)實行同揉之蒸發操作,同時氣化 之原料氣體達所定之懕力時,切換轉換閥(31>。依此方式 時,可防止因長時間蒸發,在液«原料中偏析之重金鹰或 高沸點不純物進入原料氣B中之污染於未然,從而可缠續 不》使高纯度之原枓氣饈滯留於緩街懵(33)中。又,使用 通之潦«原料,如第3圓所示,薄切換轉換閥U1)轉送至 回收榷中。 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0乂:297公釐) 41244? 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 A7 __ B7五、發明説明(I3 ) 在上述之實腌例中,係將原料氣》及氣》混合後 供給至反應爐之型態者,但依本發明亦可不使用載艚氣β 而將原料氣艨U002)供給至反應爐。 由Μ上説明可知,因依本發明不理習知技術之冒抱步 骤(bubbling},而於氣化器將液艚原料氣化成所定灞度之 氣6並加以流量颺整,故能容易的將磊晶生長用氣«設定 於所希望之濃度及S力。同時,依本發明可依氣化器之容 稹製造原科氣》,故可藉一台之氣艚供給装罝,將一定瀟 度之磊晶生長用氣》安定的供給至複數之反應臚。 又,若將複數台之氣化器並排設置,朗可蠼免Μ往之 伴隨綱瓶之換装引起之諸如供氣中翬及影響磊晶生甚之薄 臟品質等各種缺失,能將高鈍度之磊晶生長用氣《連Μ且 安定的供給至反进tt。尤其,於氣化器將加熱媒體之潘度 設定於一定進行流《原料之氣化,並藉氣化器内之氣雇壓 力調整供給於氣k器之流«原科,則可將氣化器之液面恒 常控制於一定之水準。 画式之簡軍說明 第1釀為本發明磊晶生長用氣《之供給裝置之構成H; 第2圓為第1麗所示供給裝置之詳细構成圈; 第3麵為本發明上逑供給装置中之氣化器的構成·; 第4圖為晋知技術之磊晶生長用氣艨之供給裝置之構 (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 本纸张尺度適用中國國家標率(CNS ) A4洗格(2丨0X297公釐) 412447 A7 B7 五、發明説明(I4 ) 符號說明 12----儲槽 1 6 ....供給榷 18 ----第2流霣調節閥 19 ----氣化器 20....获K原料 2 4 ....热水 25----原料氣B送出用管路 27— —壓力檢«器 28— —控制器 33——第1鍰街榷 36----第i霣量淀最控制器 41----第2霣董流量控制器 43----混合器 ;3----第2媛衝楢 46----第1流量調節闕 49——混合氣》供給用管路 49a...主管路 經濟部t央標準局員工消費合作社印製 pn-i^i m I ϋ I - I Jn —i I 1 I m n T (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 49b...環狀管路 51——磊晶生畏用反應爐 53——加熱保澴手段 -17- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局貝工消費合作社中製 1. 一種磊晶生長用氣粗之供給方法,包括如下步驟: -於氣化器中將液髓原料加热至該液《之沸點以上溫 度使其氣化之步朦; -將氣化器氣化之原料氣艚,在其凝縮贴以上之溫度 下一邊加热保溫,一邊諝整該原料氣«之流量之步»;及 -將上述淀最經調整之原料氣»,在其凝籮點以上之 湛度下一邊加熱保溢,一邊供給至聶晶生長用反懕爐之步 2. —種聶晶生長用氣臏之供給方法,包括如下步«: -於氣化器中將液《原料加热至該液»之拂黏以上溢 度使其氣化之步》; -使氣化器氣化之原料氣艚與載β氣艟以所定之箱度 混合之步鼸; -將原科氣《及載<9氣艚之混合氣》,在其凝鏞點以 上之溫度下一邊加热保溫,一邊調整該混合氣*之滾最之 步驟;及 -將上述板量經調整之混合氣艟,在其凝嫌黏以上之 溫度下一邊加热保溫,一邊供給至磊晶生長用反應爐之步 驟。 3. 如申請專利範圃第1或2項之供給方法,其中用 以在該氣化器中加熱液《原料之媒Β係該液艚原料之株點 Κ上之一定溫度之水。 -18- 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4规格(2丨0X297公釐) ----.^---------it---------Sv, i (請先閩讀背面之注意事項再填寫本有) 經濟部中央標率局員工消费合作社印製 412447 a8 C8 D8々、申請專利範圍 4. 一種磊晶生長用氣通之供給装置,包括: -用以將液ffi原料(20)加热至該液艨之沸點以上溢度 而使其氣化之氣化器(19); -將氣化器(19)氣化之原料氣*控制於所定之質量流 ftUass flow)之第1霣量流量控制器(36>; -將載》氣靂控制於所定之質ft溁量之第2質5潦量 控制器U1); -用Μ使上述各控制於所定之質最流量之原料氣«及 載體氣fi混合之混合機(43); -用以調整原料氣»及載蠖氣Η之混合氣嫌之流量之 第1淀最調節閥(48); -將上述流量理調整之混合氣臞供給至磊晶生長用反 應爐(51)之管路(49); -用Μ將氣化器(13)之原科氣«送出用管路25至上述 诊路(49)之間之原料氣«及混合氣艚,在其凝雄點以上之 溫度下加热保溫之裝董(53)。 5. 如申謫專利範國第4項之供給裝置,其中將複數 之氣化器(19)並排設置,並從此等禊數之氣化器中選擇軍 一之氣化器而由此氣器將原料氣fi送至第1質置淀量控制 器(36)為其樽成者〇 6. 如申請専利範圃第4項之供給裝置,其中設置可 使氣化器(19)氣化之原料氣體滯留之第1鑀街槽(33),利 -19- (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) 412447 A8 B8 ' C8 _ D8 _ 六、申請專利範圍 用上逑第1質遒流矗控制器(36),將由該第1媛街檐(33) 送出之原科親體控制於所定之霣fi流量為其構成者。 7. 如申誧専利範園第4或8項之供給裝置,其中, 用以在氣化器(13)加热液賵原科(20)之媒嫌為具有比該液 « 髓原料之佛點K上之一定溫度之水(24),並且備有一用K 檢澜氣化器(19)或第1級街槽(33)內之原料氣«之壓力 之壓力檢拥器(27)、一用以諝整送入氣化器(19)中之液» 原料(20)之供給最之第2流最諝節«(18)、及一根據壓力 檢测器(27)之檢拥_出(output ),控制第2掇鼉調節閥 (18}之控制器(28)。 8. 如申請専利範園第4項之供給裝置,其中,配置 一用以使由混合器(43)送出之混合氣體滯留之第2强瘡播 (46),而根捶此第2嫒衡楢(46)内之混合氣^之壓力,躇 第1潦量調節閥(48)諝整混合氣«之流霣。 經濟部中央揉隼局貝工消費>作社印裝 3. 如申請専利範画第4或8項之供給裝置,其中, 管路U9)係由一接連於第1逋量調節閥(48)之主管路( 49a)及一用K3接該主管路(49a)及複數之磊晶生長用反 應爐(51)之環狀管路(49b)構成,使通通主管路(49a)之 混合氣植由雙方向流入環狀管路(49b)中。 -20- 適用中國國家揉準(CNS)A4洗格(210x297公董)
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