CN107074562A - 五氯乙硅烷的制造方法以及采用该方法制造的五氯乙硅烷 - Google Patents

Abstract

本发明提供五氯乙硅烷的新型制造方法，通过该制造方法的实施，得到纯度为90质量％以上的五氯乙硅烷。该制造方法具备：高温反应工序，其中，在高温下使包含气化的四氯硅烷和氢气的原料气体反应，得到包含三氯硅烷的反应生成气体；五氯乙硅烷生成工序，其中，使高温反应工序中得到的反应生成气体与使通过该反应生成气体的冷却而产生的凝结液循环冷却而得到的冷却液接触而急冷，使五氯乙硅烷在凝结液中生成；和回收工序，其中将生成的五氯乙硅烷回收。

Description

五氯乙硅烷的制造方法以及采用该方法制造的五氯乙硅烷

技术领域

本发明一般涉及五氯乙硅烷的制造方法，更详细地说，涉及由三氯硅烷的制造工序得到五氯乙硅烷的制造方法。本发明也涉及采用该制造方法得到的五氯乙硅烷。

背景技术

总称为氯硅烷类的化合物作为形成半导体设备中的集成电路的多晶硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜等的原材料、太阳能电池、液晶或硅的制造原料等使用。从工业上利用的观点出发，以往氢或卤素原子与硅1个原子结合的化合物即甲硅烷类为氯硅烷类的代表性的化合物，不断在以工业规模进行生产、使用。另一方面，半导体设备制造技术的进展也可以说已达到了极限，但在高集成化的推进没有停滞的情况下，进一步为了进行其高密集度化，为了抑制通过集成电路形成中的加热所引起的杂质的扩散，能够在更低温下形成电路的原材料变得越来越必要。在这样的状况下，五氯乙硅烷与甲硅烷、二氯硅烷等甲硅烷类相比，作为可以在更低温下形成电路的原材料，与作为类似化合物的六氯乙硅烷一起受到关注，使用了其的集成电路的开发变得积极踊跃。

目前为止，对于制造五氯乙硅烷的方法尚未公开，但专利文献1中示出：作为包含五氯乙硅烷作为生成物的反应，在用于得到高纯度多晶硅的西门子法的排出气体、即将三氯硅烷和氢气导入硅生成反应炉中、反应后的排出气体中含有五氯乙硅烷。另外，专利文献2中记载了在由氯硅烷和氢气的多晶硅析出时的排气中存在五氯乙硅烷。进而，专利文献3中，也公开了在多晶硅制造工艺中产生的高沸点氯硅烷类含有物中除了四氯化二硅、六氯化二硅以外，还包含五氯化二硅(即，五氯乙硅烷)、八氯化三硅(即八氯丙硅烷)等。

专利文献1：日本特开2006-169012号公报

专利文献2：日本特表2009-528253号公报

专利文献3：日本特开2009-227577号公报

发明内容

本发明鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供能够有效利用三氯硅烷的制造工序的新型的五氯乙硅烷的制造方法，特别地，目的在于提供从在使包含气化的四氯硅烷和氢气的原料气体在高温下反应、制造三氯硅烷的工艺中副产的氯硅烷类的混合物中回收五氯乙硅烷的方法。

另外，本发明的目的也在于提供采用上述制造方法得到的高纯度的五氯乙硅烷。

即，如前面所述，目前为止已知在多晶硅制造工艺中副产的氯硅烷类中含有五氯乙硅烷。但是，以工业的利用为目的要从这些氯硅烷类中回收五氯乙硅烷的想法或其回收方法尚未公开，更不用说，尚未示出也可从使包含气化的四氯硅烷和氢气的原料气体在高温下反应而制造三氯硅烷的工艺中副产的氯硅烷类的混合物中得到。本发明人等锐意研究的结果，发现在上述这样的三氯硅烷的制造工艺中也能够从所生成的氯硅烷类的混合物中得到五氯乙硅烷，同时也可以控制该氯硅烷类的混合物中的五氯乙硅烷的浓度、每单位时间生成的质量，完成了本发明。

因此，根据本发明的一个方式，提供五氯乙硅烷的制造方法，其具备：高温反应工序，其中在高温下使包含气化了的四氯硅烷和氢气的原料气体反应，得到包含三氯硅烷的反应生成气体；五氯乙硅烷生成工序，其中，使高温反应工序中得到的反应生成气体与使通过该反应生成气体的冷却而生成的凝结液循环冷却而得到的冷却液接触而急冷，使五氯乙硅烷在凝结液中生成；和回收工序，其中，将生成的五氯乙硅烷回收。

其中，将使反应生成气体急冷而生成的液体称为冷凝液，将用冷却装置等进一步冷却该冷凝液而在反应生成气体的急冷中所使用的液体称为冷却液。

再有，上述高温反应工序通常在700～1400℃的范围的温度下实施。另外，反应生成气体的冷却温度必须为600℃以下，优选冷却到200℃以下，更优选冷却到30～60℃的温度范围。

本发明的一实施方式中，向冷却液和/或冷凝液中追加添加四氯硅烷，另外将冷却液和/或冷凝液抽出至循环体系外而作为抽出液回收。四氯硅烷的追加添加优选通过采用可调节供给速度的添加设备将四氯硅烷添加到用于急冷之前的冷却液和/或凝结液中而进行，冷却液和/或冷凝液向循环体系外的抽出可以在循环体系的任何场所，但优选设置可调节抽出速度的抽出设备来进行。

向冷却液和/或冷凝液中追加用的四氯硅烷的添加量，相对于原料用的四氯硅烷的供给速度1000L/h(气化前)，优选为10～10000L/h。将追加用的四氯硅烷添加到冷却液和/或冷凝液中的方法、场所等是任意的，在急冷中所使用的喷嘴的跟前的位置进行添加简便而优选。冷却液和/或冷凝液的抽出速度相对于原料用的四氯硅烷的供给速度1000L/h(气化前)，优选为5～1000L/h。对冷却液和/或冷凝液的抽出方法和场所也无特别限制，但从使冷却液循环的循环泵的出口以后的位置抽出简便而优选。通过分别调节向冷却液和冷凝液中追加用四氯硅烷的添加速度、冷却液和冷凝液的抽出速度，可以调节冷却液中所含的五氯乙硅烷的浓度、每单位时间生成的质量。

本发明的另一个实施方式中，在回收工序中，对抽出液进行蒸馏，得到纯度为90质量％以上的五氯乙硅烷。例如，一个实施方式中，在回收工序中，将抽出的冷凝液回收，进行浓缩而成为中间原料，进而通入蒸馏工序，从而能够得到进一步高纯度的五氯乙硅烷。冷凝液的回收设备、浓缩设备或蒸馏设备可以与冷凝液的抽出配管直接连接，也可以是彼此分立的独立的设备，并无特别限制。进而对将多个蒸馏设备连续地设置的情形的数目、将一个设备反复使用进行蒸馏的情形的蒸馏次数也无特别限制。因此，一个实施方式中，将抽出液贮存于也是具备加热装置的简单蒸馏罐的回收罐，在该回收罐(简单蒸馏罐)中将回收的抽出液加热而生成蒸发气体，将该气体导入浓缩塔，从该气体将三氯硅烷和四氯硅烷除去，浓缩为包含五氯乙硅烷的液体，将从该浓缩塔得到的含有五氯乙硅烷的液体根据需要进一步在蒸馏塔中进行蒸馏，得到纯度为90质量％以上的五氯乙硅烷。

其中，对蒸馏塔的样式并无特别限定，优选使用公知的多塔板蒸馏塔、填充蒸馏塔等。此时，为了提高五氯乙硅烷的纯度而反复蒸馏的情况下，可选择连续式、分批式(间歇式)等任何方式。为了将五氯乙硅烷的精制纯度设定得高，蒸馏塔的塔板数或理论塔板数(以下将两者一并称为塔板数)优选30段以上，更优选50段以上，进一步优选70段以上。不足30段的情况下，即使实施反复蒸馏操作，有时五氯乙硅烷的精制纯度也没有提高。进而，也可以将蒸馏的操作压力不仅设定为常压，而且设定为5～300mmHg、优选10～100mmHg的减压状态。

为了提高精制纯度，以规定的比率(称为回流比)使塔顶物质返回到蒸馏塔，但对回流比并无特别限定。另外，为了提高五氯乙硅烷的回收率，也可以将暂时不需要的塔顶液、罐残液作为原料再利用。

另外，使用填充塔进行蒸馏的情况下，对于为了扩大填充塔内的气液接触面积而使用的填充物的种类并无特别限制，能够使用任何规则填充物、不规则填充物。作为不规则填充物，能够使用拉西环、螺旋环、鲍尔环、十字环、海利-帕克填料、盘形填料(coil pack)、I型环、C型环、纳塔环等公知的填充物。

本发明的进一步的方式为通过蒸馏将上述冷凝液(抽出液)精制为纯度90质量％以上而得到的五氯乙硅烷。再有，五氯乙硅烷的精制纯度优选为90质量％以上，更优选为95质量％以上，进一步优选为99质量％以上。纯度不足90质量％的情况下，有时半导体制造工序中的成膜性变差。

附图说明

图1为用于说明本发明涉及的五氯乙硅烷的制造方法的流程图。

图2表示本发明的回收工序中使用的设备的一例，是表示将2段的蒸馏塔组合的蒸馏设备的流程图。

具体实施方式

使用图1中所示的概略图对本发明涉及的五氯乙硅烷的制造方法的一例进行说明。

图1的概略图包含：用于使原料用的四氯硅烷气化的蒸发器10，用于将包含气化了的原料用四氯硅烷和氢气的原料气体预加热的预热器20，用于在700～1400℃的范围的温度下使预加热的原料气体反应而得到反应生成气体的反应炉30，用于将反应生成气体冷却到600℃以下、优选200℃以下、更优选30～60℃的温度范围而得到包含五氯乙硅烷的冷凝液的急冷塔40，和用于从该冷凝液中回收五氯乙硅烷的回收装置50。进而，能够设置用于使该冷凝液循环的泵43，用于将该冷凝液冷却而成为冷却液的冷却装置44，和用于将冷却液吹入急冷塔的喷嘴42。进而，本发明中，能够使用具有可调节添加速度的机构的设备，在用49表示的位置将追加用四氯硅烷添加到循环的冷却液中。进而，本发明中，可以使用具有可调节抽出速度的机构的设备，在用45表示的位置将循环的冷凝液抽出。

再有，在本发明的制造方法中，一般地，优选地设置：用于从反应生成气体的冷却未冷凝气体中使三氯硅烷和四氯硅烷冷凝的冷凝器60，用于暂时地积存从冷凝器60被除去的冷凝液和从回收装置50被取出的低沸点物的罐70，和用于从由罐70导出的积存液中将三氯硅烷和四氯硅烷分馏的蒸馏塔80。回收装置50也作为从在急冷塔40中得到的冷凝液中使五氯乙硅烷、四氯硅烷气化而与未蒸发部分分离的简单蒸馏罐90发挥功能，优选地具备使从该简单蒸馏罐90所供给的五氯乙硅烷从其他低沸点物分离的浓缩塔100。本制造方法的例子中，是蒸发器10、预热器20、反应炉30构成高温反应工序、与其接续的急冷塔40、泵43、冷却装置44、喷嘴42构成急冷工序(五氯乙硅烷生成工序)的装置。

以下对于各装置进一步详细地说明。

＜蒸发器＞

蒸发器10为用于使原料用的四氯硅烷气化的装置，将气化的四氯硅烷从蒸发器10放出后，与氢气混合，供给至预热器20。

被供给至蒸发器10的四氯硅烷原液优选为高纯度的四氯硅烷，但比四氯硅烷沸点高的硅烷类可微量地混入。但是，这样的高沸点物作为未蒸发部分蓄积于蒸发器10的底部，妨碍四氯硅烷的气化，因此优选成为了积存于蒸发器10的底部的未蒸发部分能够从蒸发器10以间歇方式或连续方式除去的结构。就被除去的未蒸发部分而言，为了将同时被排出的可工业利用的四氯硅烷和五氯乙硅烷等回收，能够供给至回收装置50的蒸馏装置90。

蒸发器10中的原料用的四氯硅烷的加热温度在大气压下可以设为60～150℃、优选60～120℃。如果为该温度范围，能够在不使五氯乙硅烷等高沸点物气化的情况下，使四氯硅烷充分地蒸发。当然，如果蒸发器10是能够调节内部压力的类型的蒸发器，则与其相应地，用于使四氯硅烷气化的最佳温度从上述温度范围变动。

＜预热器＞

将用蒸发器10气化了的原料用的四氯硅烷与氢气混合，作为原料气体被供给至后述的反应炉30，但在送入反应炉30之前，在预热器20中进行加热以使接近反应炉30内部的温度。由此，能够使混合气体的温度与反应炉30内部的温度差缓和，不使反应炉30内部产生温度不均地提高反应炉30的转换效率，同时能够保护反应炉30免受局部的热应力的集中。另外，能够防止通过四氯硅烷与氢气的反应而生成、处于热平衡状态的三氯硅烷由于原料气体的流入导致的温度降低而返回四氯硅烷。再有，对于四氯硅烷与氢气的混合比，例如用摩尔比计，能够设为1：1～1：2。

＜反应炉＞

反应炉30具备：反应容器31，以将反应容器31的外侧包围的方式配置的长条的加热器32，和容纳反应容器31和加热器32的外筒容器33。通过用加热器32将反应容器31的外壁加热，从而在反应容器31内部在约700～1400℃的高温下使四氯硅烷与氢气的混合气体反应，从而主要进行三氯硅烷的生成。再有，该反应为热平衡反应，同时亚甲硅基、一氯硅烷、二氯硅烷、四氯硅烷、氢气、氯化氢等处于共存状态。进而，通过它们相互地反应，认为六氯乙硅烷、本发明的五氯乙硅烷也例如通过亚甲硅基与三氯硅烷反应而在该共存状态中生成并稳定地存在。

＜反应容器＞

反应容器31为用于在高温环境下使原料用的四氯硅烷与氢气反应的大致圆筒形状的容器，具有用于取入原料气体的原料气体导入口和用于导出反应生成气体的反应生成气体抽出口。本实施方式中，成为了将原料气体导入口设置于反应容器31的底部中央、将反应生成气体抽出口设置于反应容器31的上方的侧壁的构成。将抽出管34插入反应生成气体抽出口，将反应生成气体向反应炉30的外部排出。在外筒容器33中容纳反应容器31时，在与其原料气体导入口和反应生成气体抽出口对应的位置分别设置有原料气体导入开口部和反应生成气体抽出开口部。在反应生成气体抽出开口部设置有连接装置，与急冷塔40连接。抽出管34是经由外筒容器33的反应生成气体抽出开口部与反应容器31的反应生成气体抽出口连接的管状构件，将在反应容器31内生成的包含三氯硅烷的反应生成气体从抽出管34排出，供给至急冷塔40。

＜急冷塔＞

急冷塔40具有：圆筒状的金属制容器41，用于在金属制容器41内将冷却液向反应生成气体喷雾的喷雾装置，即将冷却液细分为微细的液滴的喷嘴42，和与积存于金属制容器41的底部的冷凝液一起取出并使其循环至喷嘴42的泵43，用于冷却冷凝液的冷却装置44，和将冷凝液的一部分抽出并送入回收装置50(简单蒸馏罐90)的管路45。

在管路45的中间能够设置例如控制阀这样的能够调节凝结液的抽出速度的机构。在急冷塔40的侧壁设置有用于与上述反应炉30连接的反应生成气体的抽出管34。喷嘴42以向着被导入急冷塔40的反应生成气体能够将冷却液喷雾的方式被设置于反应生成气体导入开口部的上部附近。另外，用于将冷却后也为气体状的反应生成气体的未冷凝气体供给至后述的冷凝器60的配管连接至急冷塔40的塔顶部。再有，图1的例子中，相对于急冷塔40的急冷部分，在上方部分设置填充层46，为了将通过该填充层46的被急冷的反应生成气体进一步冷却，也设置了供给冷却液的配管47。进而，为了防止从配管47供给的冷却液的一面坡流，在配管47的下部附近设置有分散盘。另外，通过从配管47供给冷却液，也具有防止金属制容器41、填充层46被高温的反应气体腐蚀的效果。进而通过使来自配管47的冷却液的供给速度变化，冷凝而液化的反应气体的量变化，因此能够将急冷塔的循环液量保持恒定。即，在急冷塔中循环的冷却液、凝结液减少的情况下，增加配管47的冷却液量以使冷凝气体增加，相反，在急冷塔中循环的冷却液、凝结液增加的情况下，可减少配管47的冷却液量以使冷凝气体减少。

冷凝液是积存于急冷塔40的金属制容器41的底部、经由罐48被抽出而使其连续地循环、通过冷却装置44被冷却而成为冷却液的液体，是主要含有四氯硅烷和三氯硅烷的混合液，本发明中，能够向该该冷却液中进一步添加追加用的四氯硅烷。因此，将追加用的四氯硅烷的导入管49连接至喷嘴42的基部。该导入管49在中间具有控制阀等，可以调节其供给速度。所添加的四氯硅烷可以从任何部位得到，例如能够利用从后述的蒸馏塔80所导出的四氯硅烷。

再有，对于向冷却液中的四氯硅烷的添加量，相对于1000L/h的原料四氯硅烷(气化前)，优选为10～10000L/h，更优选为10～5000L/h，进一步优选为100～500L/h。如果四氯硅烷的添加速度増加，具有凝结液(抽出液)中的五氯乙硅烷的浓度、每单位时间生成的质量减少的倾向。

再有，优选将冷却液的温度调节到50℃以下。如果将冷却液的温度调节到50℃以下，能够用短时间将反应生成气体的温度急冷，因此能够将根据热平衡移动而生成的三氯硅烷重返为四氯硅烷的逆反应冻止。

在反应炉30中生成的三氯硅烷、氯化氢、未反应的四氯硅烷、氢气等低沸点物即使在急冷塔40中被急冷也不会冷凝，作为未冷凝气体从急冷塔40的塔顶部被放出，被供给至冷凝器60。另一方面，将生成的六氯乙硅烷、五氯乙硅烷、一部分的四氯硅烷冷凝，混入冷却液中，在急冷塔40内与其他的副产物、杂质一起浓缩，被导入与急冷塔40的塔底连接的罐48，通过与罐48连接的泵43，经由循环管路作为冷却液被循环至喷嘴42，另一方面，一部分通过管路45被从循环体系抽出，送到回收装置50(简单蒸馏罐90)。管路45在中间具有控制阀等，可以调节凝结液的抽出速度。再有，为了应对循环中的液组成的变化而使液组成保持一定，进行经由管路45的冷却液的抽出，但在本发明中，为了调节五氯乙硅烷的生成量而进行。因此，出于该目的进行的冷却液的抽出速度相对于1000L/h的原料四氯硅烷(气化前)，优选为5～1000L/h，更优选为5～500L/h，进一步优选为5～100L/h。如果抽出量增加，则凝结液中的五氯乙硅烷的浓度降低，但由于抽出液量增加，因此具有五氯乙硅烷的每单位时间生成的质量自身增加的倾向。再有，五氯乙硅烷的每单位时间生成的质量通过用抽出速度乘以抽出的凝结液的比重1.5kg/L而算出。

＜冷凝器＞

从急冷塔40的塔顶部被取出的未冷凝气体在冷凝器60中主要被分为包含三氯硅烷、四氯硅烷的氯硅烷类冷凝液、与包含氢气和氯化氢的未冷凝成分。将被取出的氢气再使用于原料气体，将氯化氢另外回收而工业利用。将该氯硅烷类冷凝液暂时地贮存于罐70，然后输送至蒸馏塔80，进行三氯硅烷与四氯硅烷的分离。三氯硅烷能够作为用于甲硅烷制造的中间原料再循环使用，另外，四氯硅烷能够再次作为原料四氯硅烷再循环使用。

＜简单蒸馏罐(蒸馏装置、回收装置)＞

凝结液的回收装置50也为简单蒸馏罐90，简单蒸馏罐90具有用于加热的带夹套的金属制容器91，和用于以副产物不阻塞的方式使罐液循环的泵92。将用于将浓缩罐中气化的四氯硅烷、五氯乙硅烷供给至浓缩塔100的配管和将简单蒸馏罐90中没有蒸发的高沸点物供给至除害设备的配管连接至简单蒸馏罐90。将蒸发器10的未蒸发部分、急冷塔40的冷却液供给至该简单蒸馏罐90，在约150℃下加热，使四氯硅烷、五氯乙硅烷蒸发而供给至浓缩塔100，将其回收。另一方面，将未蒸发部分从简单蒸馏罐90以间歇式或连续式抽出，在除害设备中进行无害化处理。

＜浓缩塔＞

浓缩塔100可由具有重沸器的多塔板式蒸馏装置构成。从简单蒸馏罐90蒸发的气体在浓缩塔100中，将三氯硅烷、四氯硅烷大致分离并从塔顶排出。从塔底将没有完全分离的四氯硅烷、六氯乙硅烷、五氯乙硅烷、其他高沸点物质分离。将以四氯硅烷为主的低沸点物从浓缩塔100的塔顶放出，通过冷却装置冷却冷凝，暂时地贮存于罐70中，然后，输送到蒸馏塔80。另一方面，将以六氯乙硅烷、五氯乙硅烷为主的高沸点物从浓缩塔100的塔底部回收。本发明中通过将该回收液进一步蒸馏，从而能够制造纯度提高的五氯乙硅烷。

再有，通过适当地调节浓缩塔100的塔内温度和塔内压力，能够进一步提高塔底部的五氯乙硅烷的浓度。一个实例中，塔内温度为60～200℃的范围，特别优选60～150℃的范围。另外，塔内压力为大气压～0.3MPa(绝对压力)的范围，特别地，进一步优选维持在大气压～0.2MPa(绝对压力)的范围。

＜蒸馏塔＞

将输送到蒸馏塔80的、罐70的液体分离为三氯硅烷和四氯硅烷。得到的三氯硅烷能够作为用于甲硅烷制造的中间原料再循环使用，另外，四氯硅烷能够再次作为原料四氯硅烷再循环使用。

实施例

以下通过实施例对本发明详细地说明。不过，本实施例的具体的记述内容并不限定本发明。

＜实施例1＞

在具有图1的概略图中所示的构成的设备中，在表1-1、表1-2中所示的条件下运转，由四氯硅烷和氢气生成三氯硅烷的反应体系达到了稳定状态后，使急冷塔冷却液的温度为50℃，使急冷塔压力为0.1MPaG，使罐50的温度、压力为150℃、0.07MPaG，使浓缩塔100的温度、压力为100℃、0.1MPaG下运转，从浓缩塔100的塔底部回收样液。再有，以在急冷塔中循环的冷却液、冷凝液的总量没有变化的方式，调节了向急冷塔塔顶部供给的冷却液的供给速度。使用气相色谱测定了各样液中的五氯乙硅烷的生成浓度。将实施例1的结果一并示于表1-1、表1-2中，确认了在任一种运转条件下在冷却凝结液中都生成了五氯乙硅烷。再有，对五氯乙硅烷等硅烷化合物进行定量测定的气相色谱装置和测定条件如以下所示。

·装置主体、记录装置：GC-14B、C-R6A(岛津制作所株式会社制造)

·柱：PorapacQS(Waters Corporation制造)

·柱尺寸：内径长度2m

·柱温度条件：70℃～220℃

·载气：种类氦气，流量30mL/分钟

·气体采样器：0.5mL

·检测器：种类TCD

[表1-1]

[表1-2]

＜实施例2＞

将通过将在实施例1的表1-1、表1-2的(3)的条件下得到的样液进一步利用浓缩塔100再次进行蒸馏而使六氯乙硅烷减少而得到的液体特别是作为原料A从浓缩塔100的塔顶部回收。接下来，对于原料A，使用将图2中示出了其概略的2段的蒸馏塔组合而成的蒸馏设备，首先用塔板数30的蒸馏塔，设为回流比8，进行设定以将塔顶部温度保持在120℃，进行蒸馏操作，通过将低沸部分从塔顶除去，从而从塔底部得到中间原料A。进而接着，用塔板数30的蒸馏塔，设为回流比3，进行设定以将塔顶部温度保持在136℃，将中间原料A蒸馏，最终从塔顶部得到具有90质量％以上的纯度的五氯乙硅烷作为最终生成物，证实了本发明。将实施例2中使用的原料A、中间原料A、最终精制物A的组成示于表2中。最终生成物A中的五氯乙硅烷的浓度为97质量％。

[表2]

成分名称	原料A	中间原料A	最终精制物A
				四氯硅烷	11％	小于0.5％	小于0.5％
四氯乙硅烷	10％	小于0.5％	小于0.5％
				六氯二硅氧烷	4％	3％	3％
五氯乙硅烷	60％	80％	97％
				六氯乙硅烷	15％	17％	小于0.5％

(％为质量％)

＜实施例3＞

将在实施例1的表1-1、表1-2的(3)的条件下得到的样液特别是作为原料B从浓缩塔100的塔底部回收。接下来，对于原料B，使用将图2中示出了其概况的2段的蒸馏塔组合而成的蒸馏设备，首先用塔板数50的蒸馏塔，设为回流比10，进行设定以将塔顶部温度保持在120℃，进行蒸馏操作，通过将低沸部分从塔顶除去，从而从塔底部得到中间原料B-1。进而接着，用相同的蒸馏塔，即塔板数50的蒸馏塔，设为回流比5，进行设定以将塔顶部温度保持在135℃，从塔顶部得到了中间原料B-2。进而，使用第2段的塔板数70的蒸馏塔，设为回流比50，进行设定以将塔顶部温度保持在136℃，结果最终从塔底部得到具有90质量％以上的纯度的五氯乙硅烷作为最终生成物，证实了本发明。将实施例3中使用的原料B、中间原料B-1和B-2、最终精制物B的组成示于表3中。最终生成物B中的五氯乙硅烷的浓度为99.5质量％。

[表3]

(％为质量％)

附图标记说明

10 蒸发器

20 预热器

30 反应炉

31 反应容器

32 加热器

33 外筒容器

34 抽出管

40 急冷塔

41 金属制容器

42 喷嘴

43 泵

44 冷却装置

45 管路(调节装置)

46 填充层

47 配管

48 罐

49 导入管(调节装置)

50 回收装置

60 冷凝器

70 罐

80 蒸馏塔

90 简单蒸馏罐(蒸馏装置)

91 带夹套的金属制容器

92 泵

100 浓缩塔

Claims (6)

1.五氯乙硅烷的制造方法，其特征在于，具备：

高温反应工序，其中，在高温下使包含气化的四氯硅烷和氢气的原料气体反应，得到包含三氯硅烷的反应生成气体；

五氯乙硅烷生成工序，其中，使高温反应工序中得到的反应生成气体与使通过该反应生成气体的冷却而产生的凝结液循环冷却而得到的冷却液接触而急冷，使五氯乙硅烷在凝结液中生成；和

回收工序，其中将生成的五氯乙硅烷回收。

2.根据权利要求1所述的五氯乙硅烷的制造方法，其特征在于，在五氯乙硅烷生成工序中，向冷却液和/或冷凝液中追加添加四氯硅烷，另外将冷却液和/或冷凝液抽出至循环体系外而作为抽出液回收，调节抽出液中所含的五氯乙硅烷的浓度、每单位时间生成的质量。

3.根据权利要求2所述的五氯乙硅烷的制造方法，其特征在于，在回收工序中，对抽出液进行蒸馏，得到纯度为90质量％以上的五氯乙硅烷。

4.根据权利要求2所述的五氯乙硅烷的制造方法，其特征在于，在回收工序中，在具有加热装置的蒸馏装置中回收抽出液，加热而生成蒸发气体，将该气体导入浓缩塔，将三氯硅烷和四氯硅烷除去，得到含有五氯乙硅烷的液体。

5.根据权利要求4所述的五氯乙硅烷的制造方法，其特征在于，对由浓缩塔得到的含有五氯乙硅烷的液体进一步蒸馏，得到纯度为90质量％以上的五氯乙硅烷。

6.采用根据权利要求5所述的方法制造的纯度为90质量％以上的五氯乙硅烷。