JPH0718449A

JPH0718449A - 高温気体定流量発生装置およびプロセス装置

Info

Publication number: JPH0718449A
Application number: JP16437193A
Authority: JP
Inventors: Keiichi Kanebori; 恵一兼堀; Kazushige Imagawa; 一重今川; Yasuhiro Mitsui; 泰裕三井; Hiroshi Miki; 浩史三木
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-07-02
Filing date: 1993-07-02
Publication date: 1995-01-20

Abstract

(57)【要約】【目的】高温気体の発生量を正確に制御し、プロセス
容器等の被供給部に一定量の流量を供給する。【構成】高温気体の原料１を高温気体発生源２に収
め、高温気体発生源２の周囲にヒータ３を設け、高温気
体発生源２とプロセス容器４とを供給管７によって接続
し、供給管７に高温気体の発生量を非破壊検出法を用い
て検出する発生量検出器１２を設け、供給管７の発生量
検出器１２の上流側に高温気体流量制御器１３を設け、
高温気体流量制御器１３を発生量検出器１２の信号によ
り制御手段１４を介して制御する。【効果】高温気体を利用するプロセス装置の使用可能
分野の拡大、生産性の向上が達成され、またその結果プ
ロセス装置により製造された原材料を用いて製造するデ
バイス、装置の性能も大幅に向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は高温気体定流量発生装
置、高温気体定流量発生装置を有するプロセス装置すな
わち化学気相成長法による薄膜製造装置、厚膜製造装
置、粉末製造装置、線材製造装置、標準濃度ガス製造装
置、エッチング装置、重合体製造装置等のプロセス装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の銅薄膜を作成するプロセス装置と
しては、金属銅を原料とする蒸着法ないし分子線エピタ
キシー法を用いた装置がある。しかしながら、これらの
装置では、蒸発温度が約１０００℃程度となるため、蒸
発機構の複雑化や短寿命が問題となっている。そこで、
原料の蒸発温度が２００℃前後の高温気体定流量発生装
置を有するプロセス装置すなわち化学気相成長法による
プロセス装置が提案されている。

【０００３】化学気相成長法によるプロセス装置におい
ては、用いる気体すなわち高温気体を一定流量に制御
し、反応装置などのプロセス容器に導入する。この高温
気体の発生装置すなわち高温気体定流量発生装置には、
高温気体発生源とプロセス容器との圧力差を利用する高
温気体定流量発生装置すなわち圧力差利用高温気体定流
量発生装置と、キャリアガスと呼ばれるプロセス自体に
は関係しない気体を高温気体発生源に流通させる高温気
体定流量発生装置すなわちキャリアガス利用高温気体定
流量発生装置とがある。

【０００４】図５は従来の圧力差利用高温気体定流量発
生装置を有するプロセス装置を示す概略図である。図に
示すように、高温気体の原料１が高温気体発生源２に収
められ、高温気体発生源２の周囲にヒータ３が設けら
れ、高温気体発生源２とプロセス容器４とが供給管７に
よって接続されている。

【０００５】この高温気体定流量発生装置においては、
予備実験によりヒータ３の温度と高温気体の発生量との
関係を測定しておき、ヒータ３の温度を制御することに
より高温気体の発生量を制御する。

【０００６】図６は従来のキャリアガス利用高温気体定
流量発生装置を有するプロセス装置を示す概略図であ
る。図に示すように、キャリアガスボンベ３７がキャリ
アガス配管３６により高温気体発生源２に接続され、キ
ャリアガス配管３６にマスフローコントローラ８が設け
られている。

【０００７】この高温気体定流量発生装置においては、
予備実験によりヒータ３の温度、キャリアガスの流量と
高温気体の発生量との関係を測定しておき、ヒータ３の
温度、キャリアガスの流量を制御することにより高温気
体の発生量を制御する。

【０００８】しかし、これらの高温気体定流量発生装置
においては、温度一定では蒸発速度が一定であるという
仮定が成立しなくなった場合には、原理的に高温気体の
発生量が制御できなくなる。事実、固体からの昇華によ
り高温気体を供給する場合には、温度一定では蒸発速度
が一定であるという仮定が成立しなくなることがよく知
られている。このため、高温気体の発生量を正確に制御
することができない。

【０００９】図７は従来の他の圧力差利用高温気体定流
量発生装置を有するプロセス装置を示す概略図である。
図に示すように、供給管７に水晶振動子式膜厚測定器を
有する発生量検出器５が設けられ、発生量検出器５の検
出信号が制御手段６に入力され、制御手段６によってヒ
ータ３が制御される。

【００１０】この高温気体定流量発生装置においては、
高温気体の発生量に応じてヒータ３の温度を制御するか
ら、高温気体の発生量を制御することができる。

【００１１】図８は従来の他のキャリアガス利用高温気
体定流量発生装置を有するプロセス装置を示す概略図で
ある。図に示すように、供給管７に水晶振動子式膜厚測
定器を有する発生量検出器９が設けられ、キャリアガス
配管３６にキャリアガス流量制御器１０が設けられ、発
生量検出器９の検出信号が制御手段１１に入力され、制
御手段１１によってキャリアガス流量制御器１０が制御
される。

【００１２】この高温気体定流量発生装置においては、
高温気体の発生量に応じてキャリアガスの流量を制御す
るから、高温気体の発生量を制御することができる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図７、図８に
示した高温気体定流量発生装置、プロセス装置において
は、水晶振動子式膜厚測定器を有する発生量検出器５、
９によって高温気体の発生量を検出しており、検出時に
水晶振動子に高温気体を析出させるから、検出時に高温
気体の発生量が減少する。また、図７に示した高温気体
定流量発生装置、プロセス装置においては、高温気体の
発生量に応じてヒータ３の温度を制御するから、高温気
体の発生量制御の応答性が遅いので、高温気体の発生量
の制御を正確に行なうことができない。また、図８に示
した高温気体定流量発生装置、プロセス装置において
は、キャリアガスの流量を変化させた場合には、プロセ
ス容器４に供給される全流量が変化するから、プロセス
容器４に一定量の流量を供給することができない。

【００１４】この発明は上述の課題を解決するために成
されたもので、高温気体の発生量を正確に制御すること
ができる高温気体定流量発生装置、高温気体定流量発生
装置を有するプロセス装置、被供給部に一定量の流量を
供給することができるキャリアガス利用高温気体定流量
発生装置、キャリアガス利用高温気体定流量発生装置を
有するプロセス装置を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明においては、高温気体発生源から被供給部
に高温気体を供給する高温気体定流量発生装置におい
て、上記高温気体の発生量を非破壊検出法を用いて検出
する発生量検出器の信号により制御する。

【００１６】また、圧力差を利用して高温気体発生源か
ら被供給部に高温気体を供給する高温気体定流量発生装
置において、上記高温気体の発生量を非破壊検出法を用
いて検出する発生量検出器と、上記高温気体発生源と上
記被供給部との間に設けられかつ上記発生量検出器の信
号により制御される高温気体流量制御器とを設ける。

【００１７】また、キャリアガスを利用して高温気体発
生源から被供給部に高温気体を供給する高温気体定流量
発生装置において、上記高温気体の発生量を非破壊検出
法を用いて検出する発生量検出器と、上記高温気体発生
源と接続されたキャリアガス配管と、上記被供給部と接
続された流量調節用ガス配管と、上記キャリアガス配管
に設けられかつ上記発生量検出器の信号により制御され
るキャリアガス流量制御器と、上記流量調節用ガス配管
に設けられかつ上記発生量検出器の信号により制御され
る流量調節用ガス流量制御器とを設ける。

【００１８】これらの場合、上記発生量検出器として、
上記高温気体の発生量を熱伝導率測定法、光吸収法また
は光発光法を用いて検出するものを使用する。

【００１９】また、上記発生量検出器として、上記高温
気体の発生量を光集束系、光多重反射系の少なくとも一
方を備えた光吸収法または光発光法を用いて検出するも
のを使用する。

【００２０】また、プロセス装置において、上記の高温
気体定流量発生装置を設ける。

【００２１】

【作用】この高温気体定流量発生装置、高温気体定流量
発生装置を有するプロセス装置においては、非破壊検出
法を用いて検出する発生量検出器により高温気体の発生
量を検出するから、発生量検出器による検出時に高温気
体の発生量が減少することがない。

【００２２】また、圧力差利用高温気体定流量発生装
置、圧力差利用高温気体定流量発生装置を有するプロセ
ス装置においては、高温気体発生源と被供給部との間に
設けられた高温気体流量制御器により流量を制御するか
ら、高温気体の発生量制御の応答性が速い。

【００２３】また、キャリアガス利用高温気体定流量発
生装置、キャリアガス利用高温気体定流量発生装置を有
するプロセス装置においては、発生量検出器の信号によ
りキャリアガス流量制御器、流量調節用ガス流量制御器
を制御するから、キャリアガス配管を流れるキャリアガ
スの流量を変化させた場合にも、キャリアガスの流量の
変化に応じて流量調節用ガスの流量を変化させれば、被
供給部に供給される全流量が変化しない。

【００２４】

【実施例】図１はこの発明に係る圧力差利用高温気体定
流量発生装置を有するプロセス装置を示す概略図であ
る。図に示すように、供給管７に高温気体の発生量を熱
伝導率測定法、光吸収法、光発光法等の非破壊検出法す
なわち高温気体の性質を変えずかつ高温気体の量を変化
させない検出法を用いて検出する発生量検出器１２が設
けられ、発生量検出器１２は耐熱部品で構成されてい
る。供給管７の発生量検出器１２の上流側には高温気体
流量制御器１３が設けられ、高温気体流量制御器１３は
発生量検出器１２の信号により制御手段１４を介して制
御される。

【００２５】この圧力差利用高温気体定流量発生装置、
プロセス装置においては、非破壊検出法を用いて検出す
る発生量検出器１２により高温気体の発生量を検出する
から、発生量検出器１２による検出時に高温気体の発生
量が減少することがない。また、高温気体発生源２とプ
ロセス容器４との間に設けられた高温気体流量制御器１
３により流量を制御するから、高温気体の発生量制御の
応答性が速い。このため、高温気体の発生量を正確に制
御することができる。

【００２６】図２はこの発明に係る圧力差利用高温気体
定流量発生装置を有する有機金属錯体原料分子線エピタ
キシー装置を示す概略図である。図に示すように、図１
に示した定流量発生装置に高真空容器１５が接続され、
高真空容器１５に真空ポンプ（図示せず）と接続された
排気管１６が設けられ、高真空容器１５に水素源、水蒸
気源（図示せず）と接続された導入管１７、１８が設け
られ、高真空容器１５にヒータ１９が設けられ、ヒータ
１９の近傍に基板２０が設けられている。

【００２７】つぎに、図２に示した有機金属錯体原料分
子線エピタキシー装置により銅薄膜を形成する場合につ
いて説明する。まず、ヒータ１９により基板２０を４０
０℃に保温するとともに、高真空容器１５内部の供給管
７の先端を２００℃に保温する。この状態で、高真空容
器１５に高温気体定流量発生装置からジ−ピバロイルメ
タン−銅（Ｃｕ(Ｃ₁₁Ｈ₁₉Ｏ₂)₂）を導入するとともに、
導入口１７、１８から反応ガスに用いる水素と水蒸気と
を導入する。この場合、高温気体発生源２の温度を原料
の熱分解が生ずることがなくかつ蒸気圧が十分高くなる
１６０℃とし、高温バルブからなる高温気体流量制御器
１３の開放度を制御して、Ｃｕ(Ｃ₁₁Ｈ₁ ₉Ｏ₂)₂の発生量
を１ｃｃ／分とする。また、水素の導入量を２０ｃｃ／
分、水蒸気の導入量を１ｃｃ／分とする。すると、基板
２０に銅薄膜が形成される。得られた銅薄膜の２０℃に
おける比抵抗は２×１０μｍ⁶ｏｈｍ・ｃｍで、銅の物
性値としての比抵抗とほぼ一致した。この装置では銅の
原料であるジ−ピバロイルメタン−銅、水素、水蒸気の
導入速度を定常的に制御可能であるから、膜形成の再現
性は十分高い。

【００２８】図３はこの発明に係るキャリアガス利用高
温気体定流量発生装置を有するプロセス装置を示す概略
図である。図に示すように、キャリアガスボンベ３７が
キャリアガス配管２１により高温気体発生源２に接続さ
れ、キャリアガス配管２１にキャリアガス流量制御器３
８が設けられ、キャリアガスボンベ３７が流量調整用ガ
ス配管２２により供給管７に接続され、流量調整用ガス
配管２２に流量調整用ガス流量制御器２３が設けられ、
供給管７に高温気体の発生量を熱伝導率測定法、光吸収
法、光発光法等の非破壊検出法すなわち高温気体の性質
を変えずかつ高温気体の量を変化させない検出法を用い
て検出する発生量検出器２４が設けられ、発生量検出器
２４は耐熱部品で構成され、キャリアガス流量制御器３
８、流量調整用ガス流量制御器２３は発生量検出器２４
の信号により制御手段２５を介して制御される。

【００２９】この高温気体定流量発生装置、プロセス装
置においては、非破壊検出法を用いて検出する発生量検
出器２４により高温気体の発生量を検出するから、発生
量検出器２４による検出時に高温気体の発生量が減少す
ることがないので、高温気体の発生量を正確に制御する
ことができる。また、発生量検出器２４の信号によりキ
ャリアガス流量制御器３８、流量調整用ガス流量制御器
２３を制御するから、キャリアガス配管２１を流れるキ
ャリアガスの流量を変化させた場合にも、キャリアガス
配管２１を流れるキャリアガスの流量の変化に対応して
流量調整用ガス配管２２を流れる流量調整用ガスの流量
を変化させれば、プロセス容器４に供給される全流量が
変化しないから、プロセス容器４に一定量の流量を供給
することができる。

【００３０】図４はこの発明に係るキャリアガス利用高
温気体定流量発生装置を有する化学気相成長法装置を示
す概略図である。図に示すように、図３に示した構成の
キャリアガス利用高温気体定流量発生装置２６〜２８の
供給管７が反応管２９に接続され、反応管２９に真空ポ
ンプ（図示せず）と接続された排気管３０が設けられ、
酸素源（図示せず）と接続された酸素ガス配管３１が導
入口３３を介して反応管２９に接続され、酸素ガス配管
３１にマスフローコントローラ３２が設けられ、反応管
２９の周囲にヒータ３４が設けられ、反応管２９内に基
板３５が設けられている。

【００３１】つぎに、図４に示した化学気相成長法装置
により酸化物超電導体ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_xの薄膜を成長さ
せる場合について説明する。まず、キャリアガス利用高
温気体定流量発生装置２６〜２８の部品と配管およびキ
ャリアガス利用高温気体定流量発生装置２６〜２８から
反応管２９までの部品と配管の温度を２８０℃とし、ま
たヒータ３４により酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からな
る基板３５の温度を７００℃にする。そして、キャリア
ガス利用高温気体定流量発生装置２６〜２８の原料には
トリス−ジピバロイルメタナート−イットリウム（Ｙ
(ＤＰＭ)₃）、ビス−ジピバロイルメタナート−バリウ
ム（Ｂａ(ＤＰＭ)₂）、ビス−ジピバロイルメタナート
−銅（Ｃｕ(ＤＰＭ)₂）を用い、Ｙ(ＤＰＭ)₃の高温気体
発生源温度を１２０℃とし、Ｂａ(ＤＰＭ)₂の高温気体
発生源温度を２４０℃とし、Ｃｕ(ＤＰＭ)₂の高温気体
発生源温度を１３０℃とし、キャリアガスには各原料と
もＨｅを用い、キャリアガスと流量調整用ガスとの合計
流量を５０ｃｍ³／分とし、キャリアガスの流量、流量
調整用ガスの流量をＹ(ＤＰＭ)₃で２２〜２８ｃｍ³／
分、Ｂａ(ＤＰＭ)₂で１４〜３６ｃｍ³／分、Ｃｕ(ＤＰ
Ｍ)₂で１９〜３１ｃｍ³／分とする。また、マスフロー
コントローラ３２により酸素ガスの流量を１００ｃｍ³
／分とし、酸素ガスを２８０℃に予備加熱して反応管２
９に導入する。すると、基板３５上に酸化物超電導体Ｙ
Ｂａ₂Ｃｕ₃Ｏ_xの薄膜が成長する。なお、反応後のガス
は排気管３０から排気される。

【００３２】上記装置により成長させたＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ
_xの薄膜は、臨界温度約９０Ｋ、７７Ｋでの臨界電流約
１０⁶Ａ／ｃｍ²と高い超電導特性を示し、かつ膜成長を
１日８時間づつ６ヶ月間継続しても変化は認められなか
った。なお、膜成長を継続するにともなってキャリアガ
スと流量調整用ガスとの流量比が変化し、高温気体発生
源の温度を一定としておいても原料の蒸発速度が変化し
ていることが確かめられた。また、気相成長中に原料の
蒸発速度が変化したとしても、高温気体の発生量を正確
に制御することができ、しかも反応管２９に供給される
全流量を一定にすることができから、膜の組成制御を正
確に行なうことができ、酸化物超電導体薄膜成長の安定
性を大幅に向上することができ、酸化物超電導体薄膜を
用いて製造する超電導量子磁束干渉素子の性能と安定性
を大幅に改善できる。

【００３３】つぎに、図４に示した化学気相成長法装置
により次世代のシリコン半導体メモリのキャパシタ膜と
して期待されている強誘電体Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ₃の
薄膜を成長させる場合について説明する。まず、キャリ
アガス利用高温気体定流量発生装置２６〜２８の部品と
配管およびキャリアガス利用高温気体定流量発生装置２
６〜２８から反応管２９までの部品と配管の温度を２６
０℃とし、またヒータ３４により熱酸化シリコンの上に
白金を成長させた基板３５の温度を５５０℃にする。そ
して、キャリアガス利用高温気体定流量発生装置２６〜
２８の原料にはビス−ジピバロイルメタナート−鉛（Ｐ
ｂ(ＤＰＭ)₂）、テトラ−ジピバロイルメタナート−ジ
ルコニウム（Ｚｒ(ＤＰＭ)₄）、ビス−ジピバロイルメ
タナート−ビス−クロロ−チタン（Ｔｉ(ＤＰＭ)₂Ｃ
ｌ₂）を用い、Ｐｂ(ＤＰＭ)₂の高温気体発生源温度を１
５０℃とし、Ｚｒ(ＤＰＭ)₄の高温気体発生源温度を１
７０℃とし、Ｔｉ(ＤＰＭ)₂Ｃｌ₂の高温気体発生源温度
を１８０℃とし、キャリアガスには各原料ともＨｅを用
い、キャリアガスと流量調整用ガスとの合計流量を５０
ｃｍ³／分とし、キャリアガスの流量、流量調整用ガス
の流量をＰｂ(ＤＰＭ)₂で２７〜２３ｃｍ³／分、Ｚｒ
(ＤＰＭ)₄で２３〜２７ｃｍ³／分、Ｔｉ(ＤＰＭ)₂Ｃｌ₂
で１９〜３１ｃｍ³／分とする。また、水蒸気を０．５
％添加した酸素ガスを２６０℃に予備加熱して反応管２
９に導入し、マスフローコントローラ３２により酸素ガ
スの流量を１００ｃｍ³／分とする。すると、基板３５
上に強誘電体Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ₃の薄膜が成長す
る。なお、反応後のガスは排気管３０から排気される。

【００３４】上記装置によりＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ₃の
薄膜の成長を１００回繰返し、それぞれの比誘電率を測
定したところ、８００±５０と高い値で優れた再現性を
示した。この結果を組成制御性で評価すると、組成制御
性は±３％の範囲に納められたことになる。また、キャ
リアガスと流量調整用ガスとの流量比は成長を繰り返す
にともなって変化し、高温気体発生源を一定温度として
おいても発生量が変化していることが確認された。すな
わち、この発明を用いなければ膜特性の再現性が低下す
ることがわかった。以上のように、この発明によれば、
次世代シリコン半導体メモリの重要な要素部分となる高
誘電率の薄膜を化学気相成長法により再現性よく成長で
きることになる。化学気相成長法は段差の被覆性に優れ
るという特長をも有しており、この発明は次世代シリコ
ン半導体メモリの生産に重要な技術となる。

【００３５】なお、上述実施例においては、化学気相成
長法により薄膜を成長させたが、基板温度を高くし、ま
たは成長速度を速くするなど、成長条件を制御すること
により、厚膜や粉体を成長することが可能であり、成長
させる形状を線状として線材を製造することも可能であ
る。また、図２、図４に示した装置は高温気体が金属ハ
ロゲン化物のようなエッチング剤でも取り扱うことは可
能であり、この場合には高性能のエッチング装置として
機能し、また高温気体が重合体の原料であれば、重合体
製造装置となる。また、高温気体濃度が所定濃度の混合
気体を供給できるから、高性能の標準濃度ガス製造装置
を製造することも可能となる。

【００３６】また、図３に示した装置で発生量検出器に
熱伝導率測定法を用いる場合、高温気体とキャリアガス
との混合ガスの熱伝導率のみを測定して発生量を制御す
ることも可能であるが、キャリアガスの熱伝導率を測定
し、高温気体を含む混合ガスとの差を検出する方法を用
いれば、熱伝導率変化の感度が向上し、制御性を一層向
上することができる。また、発生量検出器に吸収分光法
や発光分光法を用いた場合は、光集束系や多重反射系を
用いることにより感度が向上し、流量制御の制御性が向
上する。

【００３７】また、図３に示した装置では、流量調節用
ガスとしてキャリアガスと同一のガスを用いたが、流量
調節用ガスとしてキャリアガスとは別種のガスを用いて
もよい。また、図３に示した装置では、流量調整用ガス
配管２２を供給管７に接続したが、流量調整用ガス配管
をプロセス容器４に接続してもよい。

【００３８】また、高温気体の発生量の経時変化を測定
することにより、高温気体定流量発生装置の状態をモニ
ターすることが可能となり、たとえば一定温度での高温
気体の発生量が減少して、流量制御器の動作限界に近づ
いた場合や、キャリアガス流量が大幅に増加した場合に
は、もとの流出抵抗やキャリアガス流量に戻すことがで
きるように、高温気体発生源の温度を上げるというよう
な高温気体発生源の状態制御も可能となる。

【００３９】また、以上の例は高温気体が一種類の場合
の例であるが、高温気体が複数となる場合にも適用可能
である。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る高
温気体定流量発生装置、高温気体定流量発生装置を有す
るプロセス装置においては、発生量検出器による検出時
に高温気体の発生量が減少することがないから、高温気
体の発生量を正確に制御することができる。

【００４１】この発明に係る圧力差利用高温気体定流量
発生装置、圧力差利用高温気体定流量発生装置を有する
プロセス装置においては、高温気体の発生量制御の応答
性が速いから、高温気体の発生量を正確に制御すること
ができる。

【００４２】また、この発明に係る圧力差利用高温気体
定流量発生装置、圧力差利用高温気体定流量発生装置を
有するプロセス装置においては、キャリアガス配管を流
れるキャリアガスの流量を変化させた場合にも、被供給
部に供給される全流量が変化しないから、被供給部に一
定量の流量を供給することができる。

【００４３】このように、高温気体の発生量の制御性が
大幅に向上され、これにより化学気相成長法による薄
膜、厚膜、粉末、線材製造装置、標準濃度ガス製造装
置、エッチング装置、重合体製造装置等の高温気体を利
用するプロセス装置の使用可能分野の拡大、生産性の向
上が達成される。また、その結果これらのプロセス装置
により製造された原材料を用いて製造するデバイス、装
置の性能も大幅に向上するという効果も得られる。そし
てとくに、酸化物超電導体や強誘電体など特性が組成に
敏感で高度の組成制御性を必要とする材料の化学気相成
長法にこの発明の効果は顕著である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る圧力差利用高温気体定流量発生
装置を有するプロセス装置を示す概略図である。

【図２】この発明に係る圧力差利用高温気体定流量発生
装置を有する有機金属錯体原料分子線エピタキシー装置
を示す概略図である。

【図３】この発明に係るキャリアガス利用高温気体定流
量発生装置を有するプロセス装置を示す概略図である。

【図４】この発明に係るキャリアガス利用高温気体定流
量発生装置を有する化学気相成長法装置を示す概略図で
ある。

【図５】従来の圧力差利用高温気体定流量発生装置を有
するプロセス装置を示す概略図である。

【図６】従来のキャリアガス利用高温気体定流量発生装
置を有するプロセス装置を示す概略図である。

【図７】従来の他の圧力差利用高温気体定流量発生装置
を有するプロセス装置を示す概略図である。

【図８】従来の他のキャリアガス利用高温気体定流量発
生装置を有するプロセス装置を示す概略図である。

【符号の説明】

２…高温気体発生源４…プロセス容器１２…発生量検出器１３…高温気体流量制御器１５…高真空容器２１…キャリアガス配管２２…流量調整用ガス配管２３…流量調整用ガス流量制御器２４…発生量検出器２６…キャリアガス利用高温気体定流量発生装置２７…キャリアガス利用高温気体定流量発生装置２８…キャリアガス利用高温気体定流量発生装置２９…反応管３８…キャリアガス流量制御器

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者三木浩史東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】高温気体発生源から被供給部に高温気体を
供給する高温気体定流量発生装置において、上記高温気
体の発生量を非破壊検出法を用いて検出する発生量検出
器の信号により制御することを特徴とする高温気体定流
量発生装置。
【請求項２】圧力差を利用して高温気体発生源から被供
給部に高温気体を供給する高温気体定流量発生装置にお
いて、上記高温気体の発生量を非破壊検出法を用いて検
出する発生量検出器と、上記高温気体発生源と上記被供
給部との間に設けられかつ上記発生量検出器の信号によ
り制御される高温気体流量制御器とを具備することを特
徴とする高温気体定流量発生装置。
【請求項３】キャリアガスを利用して高温気体発生源か
ら被供給部に高温気体を供給する高温気体定流量発生装
置において、上記高温気体の発生量を非破壊検出法を用
いて検出する発生量検出器と、上記高温気体発生源と接
続されたキャリアガス配管と、上記被供給部と接続され
た流量調節用ガス配管と、上記キャリアガス配管に設け
られかつ上記発生量検出器の信号により制御されるキャ
リアガス流量制御器と、上記流量調節用ガス配管に設け
られかつ上記発生量検出器の信号により制御される流量
調節用ガス流量制御器とを具備することを特徴とする高
温気体定流量発生装置。
【請求項４】上記発生量検出器として、上記高温気体の
発生量を熱伝導率測定法、光吸収法または光発光法を用
いて検出するものを使用したことを特徴とする請求項
１、請求項２または請求項３に記載の高温気体定流量発
生装置。
【請求項５】上記発生量検出器として、上記高温気体の
発生量を光集束系、光多重反射系の少なくとも一方を備
えた光吸収法または光発光法を用いて検出するものを使
用したことを特徴とする請求項１、請求項２または請求
項３に記載の高温気体定流量発生装置。
【請求項６】請求項１、請求項２、請求項３、請求項４
または請求項５に記載の高温気体定流量発生装置を有す
ることを特徴とするプロセス装置。