CN102766903A - 气体浓度控制装置、系统和方法 - Google Patents

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崔娟娟
程朝阳
刘俊豪
马超
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Abstract

本发明的气体浓度控制系统以及方法扩展性强，可根据具体工艺灵活进行控制模式以及控制参数的配置，控制精度高，可靠性、可重复性和稳定性好。该气体浓度控制方法在软件设计思想上完全采用模块化结构，模块功能分明，对外仅公开接口，安全性能好，提高了代码的复用性。

Description

气体浓度控制装置、系统和方法
技术领域
本发明涉及半导体工艺气体浓度控制领域，特别涉及气度浓度控制装置、系统和方法。
背景技术
硅片是一种重要的半导体材料，它的加工工艺，特别是外延工艺，随着硅片直径增大，集成电路的结构越来越复杂，器件的性能要求越来越高，硅外延片在硅材料中的比重越来越大，同时对其参数的要求也进一步提高。其中外延层厚度是一个关键参数，因而必须精确控制。例如，控制外延层厚度以保证埋层的外扩散和自掺杂不会消耗外延层，另外，一些双极型器件的参数，如击穿电压、结电容、晶体管增益和交流特性，都取决于外延层厚度。根据Grove外延膜生长模型，外延膜的生长速率正比于气体中反应物的摩尔分数，因而精确控制控制源气体浓度就至关重要。目前的外延工艺多数采用粗略控制，或者是采用液体气相控制器（LVC）作为气体浓度控制器件。但是，这些控制方法的稳定性，均匀性和可重复性差，其控制效果会随着工艺条件的不同而产生波动，从而降低外延片的成品率。
发明内容
（一）要解决的技术问题
本发明的目的是设计一种控制精度高、使用范围广泛的气体浓度控制装置、系统及其控制方法，以克服现有技术的不足。
（二）技术方案
一种气体浓度控制装置，所述装置包括：
进口气路单元，用于控制、过滤、调节以及显示进口气体压力，并将处理后的气体送入源瓶；
源瓶，用于存放源气体；
出口气路单元，用于控制以及显示出口气体压力，并将源瓶出口的混合气体送入气体浓度检测单元；
气体浓度检测单元，用于检测气体的携带源浓度，并将混合气体通过流量控制单元；
流量控制单元，用于控制混合气体流量，并将混合气体通入工艺腔室。
其中，所述进口气路单元中，依次连接有单向阀，手动阀，过滤器，调压阀，压力表及其显示单元，气动阀。
其中，所述出口气路单元中，依次连接有压力表及其显示单元，手动阀。
其中，所述气体浓度检测单元为气体浓度传感器。
其中，所述流量控制单元为质量流量控制器。
一种基于装置的控制系统，所述系统包括：
上位机，用于将流量初始设定值以及斜率发送至与其相连的PLC，并接收由PLC传送的实际流量反馈值；
PLC，通过网络与上位机通讯以传输数据，并将接收到的上位机数据经过解析运算后发送至流量控制模块，并接收由流量控制模块传送的实际流量反馈值；
流量控制模块，用于接收PLC发送的流量数据，并控制阀门开度控制气体流量；
气体浓度检测模块，用于检测流量控制模块输出的气体浓度，并将浓度值传送至与其相连的气体浓度控制模块；
气体浓度控制模块，用于对气体浓度检测模块传送的浓度值以及设定的目标浓度值进行解析运算，从而对流量控制模块的输出值进行动态闭环调整。
其中，所述PLC包括：
转换单元，用于将所述上位机数据转换为所述流量控制模块可接收的信号；
同时，将所述流量控制单元反馈的信号转换为所述上位机可接收的信号。
其中，所述流量控制模块为质量流量控制器。
其中，所述气体浓度检测模块为气体浓度传感器。
其中，所述气体浓度控制模块为气体浓度控制器。
一种基于系统的DEVICENET控制方法，所述方法包括如下步骤：
S11．系统初始化，并设定目标浓度值；
S12．上位机将流量控制模块的初始设定值以及斜率发送至PLC；
S13．PLC将接收到的上位机数据经过运算后发送至流量控制模块；
S14．流量控制模块接收PLC发送的流量值，并控制阀门开度控制气体流量；
S15．气体浓度检测模块根据流量控制模块的输出，来检测气体浓度，并将浓度值传送至气体浓度控制模块；
S16．气体浓度控制模块根据实际浓度值与目标浓度值计算出调整倍数，并将调整倍数发送至PLC；
S17．PLC根据流量控制模块的流量反馈值以及调整倍数计算出流量控制模块新的设定值，并经过解析运算将新的设定值发送至流量控制模块；
S18．流量控制模块接收PLC发送的新设定值，并控制阀门开度控制气体流量。
其中，所述步骤S11系统初始化的内容包括：连接上下位机通讯，配置数据库，并在系统上电时将所有设定值以及斜率清零。
其中，所述步骤S13中运算的方法为移位和/或等解析。
一种基于系统的模拟量控制方法，所述方法包括如下步骤：
S21．系统初始化，并设定目标浓度值；
S22．上位机将流量控制模块的初始设定值发送至PLC；
S23．PLC将接收到的上位机数据经过解析运算后发送至气体浓度控制模块；
S24．气体浓度控制模块将接收到的数据发送至流量控制模块；
S25．流量控制模块接收气体浓度控制模块发送的数据，并控制阀门开度以控制气体流量；
S26．气体浓度检测模块根据流量控制模块的输出，来检测气体浓度，并将浓度值传送至气体浓度控制模块；
S27．气体浓度控制模块根据实际浓度值与目标浓度值计算出新的流量设定值，并将新的流量设定值发送至流量控制模块；
S28．流量控制模块接收气体浓度控制模块发送的新的流量设定值，并控制阀门开度控制气体流量。
其中，所述步骤S21系统初始化的内容包括：连接上下位机通讯，配置数据库，并在系统上电时将所有设定值以及斜率清零。
其中，所述步骤S22-S28中的数据为电压值。
（三）有益效果
本发明的气体浓度控制系统以及方法扩展性强，可根据具体工艺灵活进行控制模式以及控制参数的配置，控制精度高，可靠性、可重复性和稳定性好。该气体浓度控制方法在软件设计思想上完全采用模块化结构，模块功能分明，对外仅公开接口，安全性能好，提高了代码的复用性。
附图说明
图1为本发明一种实施方式的气路原理示意图;
图2为本发明一种实施方式的气路总装配示意图；
图3为本发明一种实施方式的DEVICENET总线控制系统结构示意图；
图4为本发明一种实施方式的模拟量控制系统结构示意图；
图5为本发明一种实施方式的DEVICENET总线控制方法流程图；
图6为本发明一种实施方式的模拟量控制方法流程图。
图1中：⑴单向阀；⑵手动阀；⑶过滤器；⑷调压阀；⑸压力表显示单元；⑹压力表；⑺气动阀；⑻源瓶；⑼气体浓度传感器；⑽质量流量控制器
图2中：⑴气体浓度控制器；⑵单向阀；⑶手动阀；⑷过滤器；⑸调压阀；⑹压力表；⑺气动阀；⑻源瓶；⑼质量流量控制器；⑽气体浓度传感器；⑾压力表显示单元。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
如图1所示，为本发明提供的装置的气路原理示意图。该装置包括：
进口气路控制单元：包括单向阀，手动阀，过滤器，调压阀，压力表以及气动阀门，用于控制、过滤、调节以及显示进口气体压力，并将处理好的气体通入源瓶中；
出口气路控制单元：包括压力表及其显示单元和手动阀，用于控制以及显示出口气体压力，并将源瓶出口混合气体通入气体浓度检测单元；
气体浓度检测单元：用于检测携带源气体的浓度，并与流量控制单元相连；
流量控制单元：用于控制气体流量，并将混合气体通入工艺腔室。
而依据该装置所设计的监控系统包括：上位机，用于将流量控制模块的初始设定值以及斜率发送至与其相连的可PLC，并接收由PLC传送的实际流量反馈值；
PLC，通过网络与上位机通讯以传输数据，将接收到的上位机数据经过解析运算后发送至流量控制模块，并接收由流量控制模块传送的实际流量反馈值；
流量控制模块，接收PLC发送的流量值，并控制阀门开度控制气体流量；
气体浓度检测模块，根据流量控制模块的输出检测出气体浓度，并将浓度信号传送至与其相连的气体浓度控制模块；
气体浓度控制模块，根据气体浓度检测模块传送的浓度值以及目标浓度值经过解析运算对流量控制模块的输出值进行动态闭环调整。
相应的，PLC包括：转换单元，用于将所述上位机数据转换为所述流量控制模块可接收的信号；同时，将所述流量控制单元反馈的信号转换为所述上位机可接收的信号。气体浓度控制模块为气体浓度控制器，气体浓度检测模块为气体浓度传感器，流量控制模块为质量流量控制器（MFC）。
本发明一种实施方式的气体浓度控制系统以及方法应用于外延炉工艺中，外延工艺中一种常用的硅源SiHCl3（TCS）蒸汽压低，在常温下呈液态，存放于源瓶中（BUBBLER），需要通过H2鼓泡来导入反应腔室，因其价格相对便宜，且有快速的生长率（可达到5um/min），因此在硅外延片生产中得到了广泛的应用。当使用H2携带TCS进入反应腔室时，会有多种因素导致所携带源气体的浓度发生变化，比如源瓶的温度，液位，压力等，任何一个或多个参数发生变化时，进入工艺腔室的源气体浓度都会不同，从而影响成膜厚度。
本实例以源瓶温度变化为例，以对其不进行控制以及分别采用DEVI CENET总线控制方法和模拟量控制方法进行控制的工艺效果对比进行详述。
工艺参数：TCS源瓶温度：20℃，TCS源瓶压力：1500Torr，TCS源瓶液位：90%，TCS浓度：33.07%，携带TCS目标浓度值：17.41g/min，H2初始流量设定值：15.00SLM
当TCS源瓶温度变化为21℃，TCS源瓶压力以及液位保持不变，H2初始流量设定值也保持不变时，因为温度的升高，TCS的浓度随之升高为34.33%，如果不进行控制，实际携带TCS浓度值为17.84g/min，高于目标浓度值0.43g/min，影响了成膜的厚度。
当采用DEVICENET总线控制方法进行控制时，步骤为：
S11．完成整个系统的初始化工作，上下位机采用以太网通讯，数据库配置等功能，系统上电时将所有设定值以及斜率清零，设置目标浓度值17.41g/min；
S12．上位机1将流量控制模块3的初始设定值15.00SLM对应的十进制数以及斜率发送至与其相连的PLC2；
S13．PLC2将接收到的上位机1数据经过高低8位互换后发送至流量控制模块3；
S14．流量控制模块3接收PLC2发送的流量值，并控制阀门开度控制气体流量；
S15．气体浓度检测模块4根据流量控制模块3的输出检测出气体浓度17.84g/min，并将浓度信号传送至气体浓度控制模块5；
S16．气体浓度控制模块5根据实际浓度值与目标浓度值计算出调整倍数0.9759，并将数据发送至PLC2；
S17．PLC2根据流量反馈值以及调整倍数计算出流量控制模块3新的设定值14.80SLM，并将新的设定值发送至流量控制模块3；
S18．流量控制模块3接收到PLC2发送的新设定值，最终控制实际携带TCS浓度值达到目标浓度值17.41g/min，保证了成膜的厚度。
当采用模拟量控制方法进行控制时，步骤为：
S21．完成整个系统的初始化工作，上下位机通讯连接，数据库配置等功能，系统上电时将所有设定值以及斜率清零，设置目标浓度值17.41g/min；
S22．上位机1将流量控制模块3的初始设定值15.00SLM对应的电压值3.75V以及斜率发送至与其相连的PLC2；
S23．PLC2将接收到的上位机数据经过解析运算后发送至气体浓度控制模块5；
S24．气体浓度控制模块5将接收到的电压值发送至流量控制模块3；
S25．流量控制模块3接收气体浓度控制模块5发送的电压值，并控制阀门开度控制气体流量；
S26．气体浓度检测模块4根据流量控制模块3的输出检测出气体浓度17.84g/min，并将浓度信号传送至气体浓度控制模块5；
S27．气体浓度控制模块5根据实际浓度值与目标浓度值计算出新的流量设定值3.66V，并将数据发送至流量控制模块3；
S28．流量控制模块3接收气体浓度控制模块5发送的新设定值，最终控制实际携带TCS浓度值达到目标浓度值17.41g/min，保证了成膜的厚度。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (16)

1.一种气体浓度控制装置，其特征在于，所述装置包括：
进口气路单元，用于控制、过滤、调节以及显示进口气体压力，并将处理后的气体送入源瓶；
源瓶，用于存放源气体；
出口气路单元，用于控制以及显示出口气体压力，并将源瓶出口的混合气体送入气体浓度检测单元；
气体浓度检测单元，用于检测气体的携带源浓度，并将混合气体通过流量控制单元；
流量控制单元，用于控制混合气体流量，并将混合气体通入工艺腔室。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述进口气路单元中，依次连接有单向阀，手动阀，过滤器，调压阀，压力表及其显示单元，气动阀。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述出口气路单元中，依次连接有压力表及其显示单元，手动阀。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述气体浓度检测单元为气体浓度传感器。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述流量控制单元为质量流量控制器。
6.一种基于权利要求1所述装置的控制系统，其特征在于，所述系统包括：
上位机，用于将流量初始设定值以及斜率发送至与其相连的PLC，并接收由PLC传送的实际流量反馈值；
PLC，通过网络与上位机通讯以传输数据，并将接收到的上位机数据经过解析运算后发送至流量控制模块，并接收由流量控制模块传送的实际流量反馈值；
流量控制模块，用于接收PLC发送的流量数据，并控制阀门开度控制气体流量；
气体浓度检测模块，用于检测流量控制模块输出的气体浓度，并将浓度值传送至与其相连的气体浓度控制模块；
气体浓度控制模块，用于对气体浓度检测模块传送的浓度值以及设定的目标浓度值进行解析运算，从而对流量控制模块的输出值进行动态闭环调整。
7.如权利要求6所述的系统，其特征在于，所述PLC包括：
转换单元，用于将所述上位机数据转换为所述流量控制模块可接收的信号；
同时，将所述流量控制单元反馈的信号转换为所述上位机可接收的信号。
8.如权利要求6所述的系统，其特征在于，所述流量控制模块为质量流量控制器。
9.如权利要求6所述的系统，其特征在于，所述气体浓度检测模块为气体浓度传感器。
10.如权利要求6所述的系统，其特征在于，所述气体浓度控制模块为气体浓度控制器。
11.一种基于权利要求6所述的系统的DEVICENET控制方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
S11．系统初始化，并设定目标浓度值；
S12．上位机将流量控制模块的初始设定值以及斜率发送至PLC；
S13．PLC将接收到的上位机数据经过运算后发送至流量控制模块；
S14．流量控制模块接收PLC发送的流量值，并控制阀门开度控制气体流量；
S15．气体浓度检测模块根据流量控制模块的输出，来检测气体浓度，并将浓度值传送至气体浓度控制模块；
S16．气体浓度控制模块根据实际浓度值与目标浓度值计算出调整倍数，并将调整倍数发送至PLC；
S17．PLC根据流量控制模块的流量反馈值以及调整倍数计算出流量控制模块新的设定值，并经过解析运算将新的设定值发送至流量控制模块；
S18．流量控制模块接收PLC发送的新设定值，并控制阀门开度控制气体流量。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述步骤S11系统初始化的内容包括：连接上下位机通讯，配置数据库，并在系统上电时将所有设定值以及斜率清零。
13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述步骤S13中运算的方法为移位和/或等解析。
14.一种基于权利要求6所述的系统的模拟量控制方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
S21．系统初始化，并设定目标浓度值；
S22．上位机将流量控制模块的初始设定值发送至PLC；
S23．PLC将接收到的上位机数据经过解析运算后发送至气体浓度控制模块；
S24．气体浓度控制模块将接收到的数据发送至流量控制模块；
S25．流量控制模块接收气体浓度控制模块发送的数据，并控制阀门开度以控制气体流量；
S26．气体浓度检测模块根据流量控制模块的输出，来检测气体浓度，并将浓度值传送至气体浓度控制模块；
S27．气体浓度控制模块根据实际浓度值与目标浓度值计算出新的流量设定值，并将新的流量设定值发送至流量控制模块；
S28．流量控制模块接收气体浓度控制模块发送的新的流量设定值，并控制阀门开度控制气体流量。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述步骤S21系统初始化的内容包括：连接上下位机通讯，配置数据库，并在系统上电时将所有设定值以及斜率清零。
16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述步骤S22-S28中的数据为电压值。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110034011A (zh) * 2019-04-23 2019-07-19 湖南艾科威智能装备有限公司 一种适用于低压扩散炉的源压控制方法及系统
CN111308981A (zh) * 2018-12-11 2020-06-19 上海先进半导体制造股份有限公司 源瓶控制器监控系统
CN111394789A (zh) * 2020-04-16 2020-07-10 北京北方华创微电子装备有限公司 化学气相沉积设备的进气结构、进气方法及设备
CN113161265A (zh) * 2021-04-16 2021-07-23 北京北方华创微电子装备有限公司 气体浓度控制方法、气体浓度控制装置及半导体设备
CN113805616A (zh) * 2021-09-30 2021-12-17 深圳市科曼医疗设备有限公司 一种气体浓度调节装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0696472A1 (en) * 1994-08-05 1996-02-14 Shin-Etsu Handotai Company Limited Method and apparatus for supply of liquid raw material gas
CN1224773A (zh) * 1998-01-27 1999-08-04 三菱硅材料株式会社 外延生长用气体的供给方法及其装置
CN1493717A (zh) * 2002-09-19 2004-05-05 ��Խ��ѧ��ҵ��ʽ���� 液体有机金属化合物的蒸发/进料系统
US20050095859A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Precursor delivery system with rate control
CN100335889C (zh) * 2002-09-19 2007-09-05 信越化学工业株式会社 有机金属化合物的蒸发和进料系统
CN101962757A (zh) * 2009-03-27 2011-02-02 罗门哈斯电子材料有限公司 在基材上形成薄膜的方法和设备
CN202705565U (zh) * 2012-07-03 2013-01-30 北京七星华创电子股份有限公司 气体浓度控制装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0696472A1 (en) * 1994-08-05 1996-02-14 Shin-Etsu Handotai Company Limited Method and apparatus for supply of liquid raw material gas
CN1224773A (zh) * 1998-01-27 1999-08-04 三菱硅材料株式会社 外延生长用气体的供给方法及其装置
CN1493717A (zh) * 2002-09-19 2004-05-05 ��Խ��ѧ��ҵ��ʽ���� 液体有机金属化合物的蒸发/进料系统
CN100335889C (zh) * 2002-09-19 2007-09-05 信越化学工业株式会社 有机金属化合物的蒸发和进料系统
US20050095859A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Precursor delivery system with rate control
CN101962757A (zh) * 2009-03-27 2011-02-02 罗门哈斯电子材料有限公司 在基材上形成薄膜的方法和设备
CN202705565U (zh) * 2012-07-03 2013-01-30 北京七星华创电子股份有限公司 气体浓度控制装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111308981A (zh) * 2018-12-11 2020-06-19 上海先进半导体制造股份有限公司 源瓶控制器监控系统
CN111308981B (zh) * 2018-12-11 2024-01-02 上海先进半导体制造有限公司 源瓶控制器监控系统
CN110034011A (zh) * 2019-04-23 2019-07-19 湖南艾科威智能装备有限公司 一种适用于低压扩散炉的源压控制方法及系统
CN111394789A (zh) * 2020-04-16 2020-07-10 北京北方华创微电子装备有限公司 化学气相沉积设备的进气结构、进气方法及设备
CN113161265A (zh) * 2021-04-16 2021-07-23 北京北方华创微电子装备有限公司 气体浓度控制方法、气体浓度控制装置及半导体设备
CN113161265B (zh) * 2021-04-16 2024-04-16 北京北方华创微电子装备有限公司 气体浓度控制方法、气体浓度控制装置及半导体设备
CN113805616A (zh) * 2021-09-30 2021-12-17 深圳市科曼医疗设备有限公司 一种气体浓度调节装置

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