CN202705565U - 气体浓度控制装置 - Google Patents

气体浓度控制装置 Download PDF

Info

Publication number
CN202705565U
CN202705565U CN 201220320628 CN201220320628U CN202705565U CN 202705565 U CN202705565 U CN 202705565U CN 201220320628 CN201220320628 CN 201220320628 CN 201220320628 U CN201220320628 U CN 201220320628U CN 202705565 U CN202705565 U CN 202705565U
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
unit
gas concentration
outlet
control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN 201220320628
Other languages
English (en)
Inventor
崔娟娟
程朝阳
刘俊豪
马超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd
Original Assignee
Beijing Sevenstar Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Sevenstar Electronics Co Ltd filed Critical Beijing Sevenstar Electronics Co Ltd
Priority to CN 201220320628 priority Critical patent/CN202705565U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202705565U publication Critical patent/CN202705565U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

本实用新型提供了一种气体浓度控制装置，所述装置包括：进口气路单元，用于控制、过滤、调节以及显示进口气体压力，并将处理后的气体送入源瓶；源瓶，用于存放源气体；出口气路单元，用于控制以及显示出口气体压力，并将源瓶出口的混合气体送入气体浓度检测单元；气体浓度检测单元，用于检测气体的携带源浓度，并将混合气体通过流量控制单元；流量控制单元，用于控制混合气体流量，并将混合气体通入工艺腔室。本实用新型的气体浓度控制装置扩展性强，控制精度高，可靠性、可重复性和稳定性好。

Description

气体浓度控制装置
技术领域
本实用新型涉及半导体工艺气体浓度控制领域，特别涉及气度浓度控制装置、系统和方法。
背景技术
硅片是一种重要的半导体材料，它的加工工艺，特别是外延工艺，随着硅片直径增大，集成电路的结构越来越复杂，器件的性能要求越来越高，硅外延片在硅材料中的比重越来越大，同时对其参数的要求也进一步提高。其中外延层厚度是一个关键参数，因而必须精确控制。例如，控制外延层厚度以保证埋层的外扩散和自掺杂不会消耗外延层，另外，一些双极型器件的参数，如击穿电压、结电容、晶体管增益和交流特性，都取决于外延层厚度。根据Grove外延膜生长模型，外延膜的生长速率正比于气体中反应物的摩尔分数，因而精确控制控制源气体浓度就至关重要。目前的外延工艺多数采用粗略控制，或者是采用液体气相控制器（LVC）作为气体浓度控制器件。但是，这些控制方法的稳定性，均匀性和可重复性差，其控制效果会随着工艺条件的不同而产生波动，从而降低外延片的成品率。
实用新型内容
（一）要解决的技术问题
本实用新型的目的是设计一种控制精度高、使用范围广泛的气体浓度控制装置、系统及其控制方法，以克服现有技术的不足。
（二）技术方案
一种气体浓度控制装置，所述装置包括：
进口气路单元，用于控制、过滤、调节以及显示进口气体压力，并将处理后的气体送入源瓶；
源瓶，用于存放源气体；
出口气路单元，用于控制以及显示出口气体压力，并将源瓶出口的混合气体送入气体浓度检测单元；
气体浓度检测单元，用于检测气体的携带源浓度，并将混合气体通过流量控制单元；
流量控制单元，用于控制混合气体流量，并将混合气体通入工艺腔室。
其中，所述进口气路单元中，依次连接有单向阀，手动阀，过滤器，调压阀，压力表及其显示单元，气动阀。
其中，所述出口气路单元中，依次连接有压力表及其显示单元，手动阀。
其中，所述气体浓度检测单元为气体浓度传感器。
其中，所述流量控制单元为质量流量控制器。
（三）有益效果
本实用新型的气体浓度控制装置扩展性强，控制精度高，可靠性、可重复性和稳定性好。
附图说明
图1为本实用新型一种实施方式的气路原理示意图;
图1中：(1)单向阀；(2)手动阀；(3)过滤器；(4)调压阀；(5)压力表显示单元；(6)压力表；(7)气动阀；(8)源瓶；(90气体浓度传感器；(10)质量流量控制器。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
如图1所示，为本实用新型提供的装置的气路原理示意图。该装置包括：
进口气路控制单元：包括单向阀(1)，手动阀(2)，过滤器(3)，调压阀(4)，压力表(6)以及气动阀门(7)，用于控制、过滤、调节以及显示进口气体压力，并将处理好的气体通入源瓶中；
出口气路控制单元：包括压力表(6)及其显示单元(5)和手动阀(2)，用于控制以及显示出口气体压力，并将源瓶(8)出口混合气体通入气体浓度检测单元；
气体浓度检测单元：用于检测携带源气体的浓度，并与流量控制单元相连；
流量控制单元：用于控制气体流量，并将混合气体通入工艺腔室。
以上实施方式仅用于说明本实用新型，而并非对本实用新型的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本实用新型的范畴，本实用新型的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (5)

1.一种气体浓度控制装置，其特征在于，所述装置包括：
进口气路单元，用于控制、过滤、调节以及显示进口气体压力，并将处理后的气体送入源瓶；
源瓶，用于存放源气体；
出口气路单元，用于控制以及显示出口气体压力，并将源瓶出口的混合气体送入气体浓度检测单元；
气体浓度检测单元，用于检测气体的携带源浓度，并将混合气体通过流量控制单元；
流量控制单元，用于控制混合气体流量，并将混合气体通入工艺腔室。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述进口气路单元中，依次连接有单向阀，手动阀，过滤器，调压阀，压力表及其显示单元，气动阀。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述出口气路单元中，依次连接有压力表及其显示单元，手动阀。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述气体浓度检测单元为气体浓度传感器。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述流量控制单元为质量流量控制器。
CN 201220320628 2012-07-03 2012-07-03 气体浓度控制装置 Expired - Lifetime CN202705565U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201220320628 CN202705565U (zh) 2012-07-03 2012-07-03 气体浓度控制装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201220320628 CN202705565U (zh) 2012-07-03 2012-07-03 气体浓度控制装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202705565U true CN202705565U (zh) 2013-01-30

Family

ID=47585886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201220320628 Expired - Lifetime CN202705565U (zh) 2012-07-03 2012-07-03 气体浓度控制装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202705565U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102766903A (zh) * 2012-07-03 2012-11-07 北京七星华创电子股份有限公司 气体浓度控制装置、系统和方法
CN111101111A (zh) * 2019-12-09 2020-05-05 金瑞泓微电子(衢州)有限公司 一种可稳定硅源浓度的自动控制系统及其控制方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102766903A (zh) * 2012-07-03 2012-11-07 北京七星华创电子股份有限公司 气体浓度控制装置、系统和方法
CN111101111A (zh) * 2019-12-09 2020-05-05 金瑞泓微电子(衢州)有限公司 一种可稳定硅源浓度的自动控制系统及其控制方法
CN111101111B (zh) * 2019-12-09 2022-05-27 金瑞泓微电子(衢州)有限公司 一种可稳定硅源浓度的自动控制系统及其控制方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN202705565U (zh) 气体浓度控制装置
CN204214707U (zh) 一种用于分析三氯氢硅中痕量杂质的前处理装置
MX2016006463A (es) Dispositivo y metodo para detectar gas.
CN102732956A (zh) 一种用于MOCVD设备GaN外延MO源供给系统
CN105588916A (zh) 一种流动和静态两用气体传感器测试系统
CN104906993B (zh) 一种瓦斯气体自动掺混装置及掺混方法
CN106803480A (zh) 常压下p+衬底上生长n‑硅外延片的方法及外延片的应用
CN102766903A (zh) 气体浓度控制装置、系统和方法
CN104465297A (zh) 一种并联双离子迁移管的气体控制方法
CN105448639A (zh) 一种差分式离子迁移谱进样气路及其控制方法
CN203112919U (zh) 气相处理装置
TWM450053U (zh) 具流量控制之晶圓載具氣體填充裝置
CN202252209U (zh) 无源恒流装置
CN203820458U (zh) 一种变压吸附制氮输出装置
CN206208850U (zh) Pid检测仪和检测系统
US9885648B2 (en) Particle detecting apparatus
CN202116308U (zh) 一种小型生产氮气的装置
CN207351867U (zh) 一种可在线检测的气体膜分离装置
CN103466656B (zh) 一种膜吸收法制备超净高纯氨水的方法
CN202854018U (zh) 一种测试膜对气体分离性能的装置
CN204215278U (zh) 质量流量控制器
CN108287570B (zh) 一种自动化仪表控制大孔树脂液面的装置及方法
CN206583834U (zh) 一种真空及气氛控制样品管
CN214895111U (zh) 一种电子气体纯度分析检测控制装置
CN214097300U (zh) 一种超纯氨在线分析装置

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 100015 Jiuxianqiao Chaoyang District, East Beijing Road, building M2, floor 1, No. 2

Patentee after: North China Science and technology group Limited by Share Ltd.

Address before: 100015 Jiuxianqiao Chaoyang District, East Beijing Road, building M2, floor 1, No. 2

Patentee before: BEIJING SEVENSTAR ELECTRONIC Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180323

Address after: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, Wenchang Road, No. 8, No.

Patentee after: BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT Co.,Ltd.

Address before: 100015 Jiuxianqiao Chaoyang District, East Beijing Road, building M2, floor 1, No. 2

Patentee before: North China Science and technology group Limited by Share Ltd.

TR01 Transfer of patent right
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20130130

CX01 Expiry of patent term