JPWO2010038642A1 - 高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲットの製造方法及び高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜 - Google Patents
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- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 128
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 125
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 124
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 58
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 95
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 18
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 238000010313 vacuum arc remelting Methods 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 25
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 20
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 CuP Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000000829 induction skull melting Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract
Description
このため、高純度銅又は高純度銅合金ターゲット中に存在する微量の介在物については、問題視することはなく、これらを除去又は低減する検討は行なわれていなかった。また、ガス成分を極力制限した場合でも、それに起因する介在物がどのような形態で存在するかについて、特に関心をもつことはなかった。
しかし、従来認識されていたパーティクルの発生原因が解明され、それらが解決するにしたがって、他にもパーティクル発生原因が存在し、それを解決しない限り、高品質の成膜ができないという認識に至った。
換言すれば、現在の半導体用の銅配線を形成するためのスパッタリングターゲットは、このような高度の技術レベルにあると言える。
スパッタリング法は加速された荷電粒子がターゲット表面に衝突する時に運動量の交換によりターゲットを構成する原子が空間に放出されて対向する基板に堆積することを利用して基板上に皮膜を形成するものである。
スパッタリングターゲットは通常円盤状または矩形の板であり、スパッタリングにより各種半導体デバイスの電極、ゲート、素子、絶縁膜、保護膜等を基板上に形成するためのスパッタ源となる。
一般に、スパッタリングターゲットとしては、アルミニウム及びアルミニウム合金ターゲット、銅及び銅合金ターゲット、高融点金属及び合金ターゲット、金属シリサイドターゲット等が使用されている。
一方、スパッタリングによる成膜に際し、スパッタリングのターゲットエロージョン部にノジュールと呼ばれる数μmから数mmの大きさの突起物を生じることがある。そしてこれがスパッタ中に荷電粒子の衝撃により、はじけて基板上にパーティクル(クラスター状の粗大飛来物)を発生するという問題がある。
LSI半導体デバイスが高集積度化し、配線幅が0.25μm以下と微細化されつつある最近の状況下では、特に上記ノジュールからのパーティクル発生が重大な問題としてとらえられるようになった。
上記の通り、従来認識されていたパーティクルの発生原因が解明され、その多くは解決されているが、依然として十分でない点がある。それを解決しない限り、高品質の成膜を達成することができない。
特許文献1には、溶媒抽出で電解液を清浄化することが記載されている。
特許文献2には、キレート樹脂でSb、Bi除去することが記載されている。
特許文献3には、銅電解において、隔膜とニカワを添加し、電解面を平滑にして不純物の取込みを低減することが記載されている。
特許文献4には、銅電解において、アノライトを、活性炭と接触させてニカワを除去することが記載されている。
特許文献5には、銅電解において、再電解を実施することが記載されている。
特許文献6には、銅電解において、周期的逆電流電解で電極表面を平滑化して、懸濁物や電解液の巻き込みを防止することが記載されている。
特許文献7には、銅電解において、表面性状を改善するために高分子添加剤を添加すること及び尿素を含有する電解液を使用して銀、硫黄含有量の少ない高純度銅を製造することが記載されている。
純度6Nあるいはそれ以上の7Nなどの高純度銅ターゲットにおいても非金属介在物が存在する。一般に、アルミナやマグネシアなどの酸化物系の非金属介在物が、害のある不純物と考えられていた。これらは当然低減すべきものであるが、これらの酸化物系介在物よりもむしろ炭素系介在物が、半導体素子の(特に、0.18μm以下の)銅配線プロセスにおいて、特に悪影響を及ぼすことが明らかとなった。これらの非金属介在物を含むターゲットをスパッタリングして形成した膜中にパーティクルとして入り込む。
しかしながら、炭素系介在物(特にグラファイト)は、上記酸化物系介在物とは異なり、悪影響を及ぼす可能性が高い。その理由は、例えばグラファイトがスパッタリングで形成した膜中にパーティクルとして入り込んだとき、電気抵抗が低いので、このパーティクルを含む配線部分を検出することが困難であり、欠陥として認識することができないためと考えられる。したがって、従来はこの炭素系介在物(特にグラファイト)を事前に取り除くという方策をとることがなかった。
また、酸化物系介在物は成膜後の配線を形成する工程で、CMP(ケミカルメカニカルポリシング)により除去することは容易であるが、この炭素系介在物(特にグラファイト)は化学的に安定であるため除去されずに残り易く、一旦膜中に含まれると厄介な存在となる。
さらに、この高純度銅ターゲットを電解エッチングし、表面に現れる突起状の介在物をFIB−AESで分析したところ、およそ半数は炭素系介在物であることが明らかとなったのである。
この測定方法を具体的に説明すると、5gをサンプリングし、介在物が溶解しないように、ゆっくりと200ccの酸で溶解し、さらにこれを500ccになるように、純水で稀釈し、この10ccを取り、前記液中パーティクルカウンターで測定するものである。例えば、介在物の個数が800個/ccの場合では、10ccの中には0.1gのサンプルが分析されることになるので、介在物は8000個/gとなる。
なお、この非金属介在物又は炭素若しくは炭化物の炭素系介在物の個数について、前記の通り、液中パーティクルカウンターで測定したものであるが、同様の個数の分析が可能であれば、他の手段を用いることは、特に問題とはならないことは容易に理解されるであろう。
以上から、有害なP、S、C、O系介在物を低減させた高純度銅及び高純度銅合金を原料として使用し、この原料中の非金属介在物の存在形態を制御すると共に、特に炭素系介在物を減少させ、高純度銅又は高純度銅合金ターゲット自体の純度と組織を向上させることにより、スパッタリング成膜時の半導体デバイス配線の不良率を再現性よく低減することを課題とするものである。
1)純度6N以上、P、S、O、Cの各成分の含有量がそれぞれ1ppm以下である高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲットであって、粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物が30,000個/g以下であることを特徴とする高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット
2)粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物が15,000個/g以下であることを特徴とする上記1)記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット
3)粒径0.5μm以上20μm以下の炭素又は炭化物からなる介在物を15,000個/g以下であることを特徴とする上記1)記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット。
4)前記非金属介在物に占める炭素又は炭化物の割合が50%以下であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれかに記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット、を提供する。
5)純度が6N以上、P、S、O、Cの各成分の含有量がそれぞれ1ppm以下、粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物が30,000個/g以下である高純度銅又は高純度銅合金の原料を用い、この原料をコールドクルーシブル溶解法又は真空アーク再溶解法により溶解して、純度6N以上、炭素の含有量1ppm以下、粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物を30,000個/g以下とすることを特徴とする高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲットの製造方法
6)上記5)の高純度銅原料を用い、この原料に合金成分を加えて、コールドクルーシブル溶解法又は真空アーク再溶解法により溶解して、純度6N以上、炭素の含有量1ppm以下、粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物を30,000個/g以下とすることを特徴とする高純度銅合金スパッタリングターゲットの製造方法。
7)粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物を15,000個/g以下とすることを特徴とする上記5)又は6)記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲットの製造方法
8)粒径0.5μm以上20μm以下の炭素又は炭化物からなる介在物を15,000個/g以下とすることを特徴とする上記5)〜7)のいずれかに記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲットの製造方法
9)前記非金属介在物に占める炭素又は炭化物の割合が50%以下であることを特徴とする上記5)〜8)のいずれか一項に記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。
10)粒径0.05μm以上の炭素又は炭化物のパーティクル数が10個/平方インチ以下であることを特徴とする高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜
11)粒径0.05μm以上の炭素又は炭化物のパーティクル数が5個/平方インチ以下であることを特徴とする上記10)記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜、
12)上記10)または11)記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜を、銅配線としてもつ半導体デバイス、を提供する。
また、非金属介在物、特にSの混入の原因となる硫酸系の電解液は使わず、硝酸系または塩酸系の電解液とした。しかしながら、このようにしても不純物であるP、S、O、Cの多量の混入が認められた。したがって、この不純物増加の原因は電解液自体以外に原因を求める必要がある。
さらに電解液に含まれるP、S、OはCuP、CuS、CuOの浮遊物として存在し、これらの浮遊物が電解においてカソードで銅中に巻き込まれることがあり、これらが汚染の主な原因であることも分かった。
以上から、電解液に添加物を加えないことが重要であり、さらにカソードとアノードを隔膜で仕切ると共に、電解液をカソードに供給する直前に、活性炭のフィルターを通し、有機物と浮遊物の除去をおこなうことが必要であり、これが介在物の低減に有効であることが分かった。
本願発明で「非金属介在物」と称するのは、この銅組織の中に存在する固形物を意味する。そして、一旦これらが含まれると、溶解プロセスでは十分に取り除くことはできない。
この中で、炭素又は炭素を成分とする炭化物が、特に有害であるのは上記に述べた通りである。これらは、半導体製造プロセスに入ると、除去することは極めて困難となる。そして、これらの不純物は半導体装置の中で欠陥の原因となり、微細化に伴ってさらに大きな問題となる。
これは、配管やポンプを使用すること自体が汚染源となるからである。これらは、何気ないプロセスのように見えるが、本発明のように、少量かつ微細な非金属介在物の混入による特性悪化を防止するためには、このような電解精製プロセスにおいても、細心の注意が必要となる。
本発明の高純度銅は、これらの出発材料を原料とするものであるが、これをさらに純度が6N以上の高純度銅とし、かつP、S、O、Cの各成分の含有量がそれぞれ1ppm以下、そして該銅に含有する粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物を10,000個/g以下とすることが望ましい。より好ましくは5,000個/g以下である。
このようにして製造した高純度銅を用いてターゲットを作製する。
本願発明は高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲットに含有する粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物を30,000個/g以下とするものであるが、この非金属介在物の量が問題であり、原料となる高純度銅又は高純度銅合金中の非金属介在物が10,000個/gを超えると、ターゲット中にこの非金属介在物が問題になるほど多く存在することとなり、ターゲットのエロージョンに際して突起状の異物となり、その突起状異物に異常放電が発生し易くなる。これが、スパッタリングの際のパーティクル発生の原因となる。
特に、炭素又は炭化物からなる介在物の存在は有害なので、粒径0.5μm以上20μm以下の炭素又は炭化物を含有する非金属介在物を15,000個/g以下とすることが望ましいと言える。より好ましくは10,000個/g以下、さらに好ましくは5,000個/g以下とし、非金属介在物全体の50%以下であることが望ましい。この炭素又は炭化物は、上記の通り、有機物から汚染を受けることが多いので、電解精製において有機物の使用は避けなければならない。
合金元素としては、特に制限はないが、スパッタリングターゲットとしては、例えば通常添加されるAl、Ag、B、Cr、Ge、Mg、Mn、Nd、Si、Sn、Ti、Zrの元素を高純度銅に一種または二種以上を10%以下含有させて使用することができる。
特に半導体装置では、不純物であるUやTh等の放射性元素は放射線によるMOSへの影響、Na、K等のアルカリ金属、アルカリ土類金属はMOS界面特性の劣化、Fe、Ni、Co等の遷移金属または重金属は界面準位の発生や接合リークを起こし、これらが銅皮膜を通じて半導体装置への汚染となる可能性があるからである。
以上から、アルカリ金属、アルカリ土類金属については総量を5ppm以下、放射性元素の総量を1ppb以下、合金元素以外の不純物として含有する重金属、軽金属の総量を10ppm以下とするのが望ましい。
銅及び銅合金における介在物は主として酸化物、窒化物、炭化物、硫化物であり、原料の溶解、鋳造の過程で発生する。このため、溶解及び鋳造は非酸化性雰囲気中、好ましくは介在物源である酸素、窒素、硫黄の除去を効率的に行なうために真空中で行う。
真空アーク再溶解法では、高純度銅を電極とすることが好ましく、溶解原料と同等の介在物の少ない高純度銅を使用することがさらに好ましい。また、コールドクルーシブル溶解法では、溶解を補助するために高純度銅を電極とするアーク溶解機能を付加することも有効である。
銅合金ターゲットとする場合は、合金とするための添加元素を、この溶解の段階で添加し目的の銅合金とする。
上記の不純物および介在物を低減させた銅又は銅合金ターゲットを用いてスパッタリングすると、薄膜中にはターゲットの不純物および介在物を低減させたことが反映され、同等の不純物および介在物レベルの薄膜が得られる。
ターゲット原料については、純度が6N以上の高純度銅で、P、S、O、Cの各成分の含有量がそれぞれ1ppm以下、該銅に含有する粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物が10,000個/g以下である高純度銅を使用することが望ましい。
この高純度銅を製造するために、4N−Cuを原料アノードとし、硝酸系電解液で電解精製を行なった。その際、カソードとアノードは隔膜で分離させ、アノードから溶出したCuイオン含有電解液を抜き出し、カソードボックスに入れる直前に活性炭フィルターを通すことにより電解を行なった。
得られた電析銅を液中パーティクルカウンターで測定したところ、粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物が8,000個/g検出された。また、電析銅に含まれるP、S、O、Cはいずれも1ppm以下であった。
なお、フィルターを通常のポリプロピレンフィルター(ろ過精度0.5μm)で行なった場合、フィルターを使用せずにアノードから溶出したCuイオン含有電解液を抜き出し、カソードボックスに入れた場合、アノードボックスの直後に活性炭フィルターを配置して電解液を通し、配管とポンプを介してカソードボックスに戻した場合においては、いずれも、目的とする原料の純度を達成することができなかった。この意味で、原料の調整においても、高純度銅を製造することが必要である。
純度6N電解銅をさらに電解プロセスにて有機系介在物を低減させた上記の原料、すなわち、純度が6N以上の高純度銅で、P、S、O、Cの各成分の含有量がそれぞれ1ppm以下であり、液中パーティクルカウンターで測定した粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物が8,000個/gである高純度銅を使用した。
この原料50kgをコールドクルーシブル溶解してインゴットとし、均質化熱処理し、鍛造、圧延、熱処理の工程を経てスパッタリングターゲットを製造した。ターゲットの均質化熱処理、鍛造、圧延、熱処理の工程は、周知の方法を使用することができる。
すなわち粒径0.5μm以上20μm以下の炭素系介在物は8000個/gであった。このターゲットを使ってスパッタリングにより300mmウエハに銅の薄膜を成膜したところ、粒径0.05μm以上のパーティクルは17個/平方inchであった。この内、粒径0.05μm以上の炭素系パーティクルは10個/平方inchと少なく、良好なスパッタ膜を得ることが出来た。
実施例1と同じ原料50kgを、コールドクルーシブル溶解に真空誘導溶解を組み合わせて溶解してインゴットとし、同様に均質化熱処理し、鍛造、圧延、熱処理の工程を経てスパッタリングターゲットを製造した。
このターゲットを液中パーティクルカウンターで測定したところ、粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物は10,000個/gであった。
このターゲットを使ってスパッタリングにより300mmウエハに銅の薄膜を成膜したところ、粒径0.05μm以上のパーティクルは8個/平方inchであった。この内、粒径0.05μm以上の炭素系パーティクルは4個/平方inchと少なく、良好なスパッタ膜を得ることが出来た。
実施例1と同じ原料50kgを、高純度、高密度グラファイトるつぼを用いて真空誘導溶解で溶解しインゴットとし、実施例と同様に、均質化熱処理し、鍛造、圧延、熱処理の工程を経てスパッタリングターゲットを製造した。粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物は40,000個/gと多かった。
これを電解エッチングして表面に現れた突起状の介在物をFIB−AESで分析したところ80%が、主成分が炭素からなる介在物であった。すなわち、粒径0.5μm以上20μm以下の炭素系介在物は30,000個/g以上であった。
このターゲットを使ってスパッタリングにより300mmウエハ上に銅の薄膜を成膜したところ、粒径0.05μm以上のパーティクルは80個/平方Inchであった。また、これらをFIB−AESで分析したところ0.05μm以上の炭素系パーティクルは60個/平方inchであった。
したがって、LSI半導体デバイスが高集積度化し配線幅が0.25μm以下と微細化している状況下において、短絡や断線等の問題を防止できる銅配線等の形成に好適な高純度銅及び銅合金ターゲットに有用である。
Claims (12)
- 純度6N以上、P、S、O、Cの各成分の含有量がそれぞれ1ppm以下である高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲットであって、粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物が30,000個/g以下であることを特徴とする高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット。
- 粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物が15,000個/g以下であることを特徴とする請求項1記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット。
- 粒径0.5μm以上20μm以下の炭素又は炭化物からなる介在物が15,000個/g以下であることを特徴とする請求項1記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット。
- 前記非金属介在物に占める炭素又は炭化物の割合が50%以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット。
- 純度が6N以上、P、S、O、Cの各成分の含有量がそれぞれ1ppm以下、粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物が30,000個/g以下である高純度銅原料を用い、この原料をコールドクルーシブル溶解法又は真空アーク再溶解法により溶解して、純度6N以上、炭素の含有量1ppm以下、粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物を30,000個/g以下とすることを特徴とする高純度銅スパッタリングターゲットの製造方法。
- 請求項5の高純度銅原料を用い、この原料に合金成分を加えて、コールドクルーシブル溶解法又は真空アーク再溶解法により溶解して、純度6N以上、炭素の含有量1ppm以下、粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物を30,000個/g以下とすることを特徴とする高純度銅合金スパッタリングターゲットの製造方法。
- 粒径0.5μm以上20μm以下の非金属介在物を15,000個/g以下とすることを特徴とする請求項5又は6記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲットの製造方法。
- 粒径0.5μm以上20μm以下の炭素又は炭化物からなる介在物を15,000個/g以下とすることを特徴とする請求項5〜7のいずれか一項に記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記非金属介在物に占める炭素又は炭化物の割合が50%以下であることを特徴とする請求項5〜8のいずれか一項に記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲットの製造方法。
- 粒径0.05μm以上の炭素又は炭化物のパーティクル数が10個/平方インチ以下であることを特徴とする高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜。
- 粒径0.05μm以上の炭素又は炭化物のパーティクル数が5個/平方インチ以下であることを特徴とする請求項10記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜。
- 請求項10または請求項11記載の高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜を、銅配線としてもつ半導体デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008253052 | 2008-09-30 | ||
JP2008253052 | 2008-09-30 | ||
PCT/JP2009/066480 WO2010038642A1 (ja) | 2008-09-30 | 2009-09-24 | 高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲットの製造方法及び高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4680325B2 JP4680325B2 (ja) | 2011-05-11 |
JPWO2010038642A1 true JPWO2010038642A1 (ja) | 2012-03-01 |
Family
ID=42073407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010504359A Active JP4680325B2 (ja) | 2008-09-30 | 2009-09-24 | 高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲットの製造方法及び高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9441289B2 (ja) |
EP (2) | EP3128039B1 (ja) |
JP (1) | JP4680325B2 (ja) |
KR (1) | KR101290856B1 (ja) |
CN (1) | CN102165093B (ja) |
TW (1) | TWI437113B (ja) |
WO (1) | WO2010038642A1 (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8192596B2 (en) * | 2004-01-29 | 2012-06-05 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Ultrahigh-purity copper and process for producing the same |
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JP5441854B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2014-03-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | インジウムターゲットの製造方法及びインジウムターゲット |
JP5723171B2 (ja) * | 2011-02-04 | 2015-05-27 | 株式会社神戸製鋼所 | Al基合金スパッタリングターゲット |
CN103415633B (zh) | 2011-03-07 | 2015-09-09 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 铜或铜合金、接合线、铜的制造方法、铜合金的制造方法及接合线的制造方法 |
KR20140091734A (ko) | 2011-09-14 | 2014-07-22 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 구리망간 합금 스퍼터링 타깃 |
CN104053814B (zh) | 2012-01-12 | 2016-08-24 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 高纯度铜溅射靶 |
US9165750B2 (en) | 2012-01-23 | 2015-10-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | High purity copper—manganese alloy sputtering target |
US10297429B2 (en) | 2012-01-25 | 2019-05-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | High-purity copper-chromium alloy sputtering target |
JP5950632B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2016-07-13 | 古河電気工業株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
CN102703869A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-10-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 制备tft-lcd阵列基板铜导线用靶材的方法及靶材 |
JP6091911B2 (ja) * | 2013-01-29 | 2017-03-08 | 株式会社Shカッパープロダクツ | Cu−Mn合金スパッタリングターゲット材、Cu−Mn合金スパッタリングターゲット材の製造方法、および半導体素子 |
JP5893797B2 (ja) | 2013-03-07 | 2016-03-23 | Jx金属株式会社 | 銅合金スパッタリングターゲット |
JP5752736B2 (ja) * | 2013-04-08 | 2015-07-22 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリング用ターゲット |
US9922807B2 (en) | 2013-07-08 | 2018-03-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target and method for production thereof |
JP6727749B2 (ja) | 2013-07-11 | 2020-07-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲット |
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JP6636799B2 (ja) * | 2015-03-25 | 2020-01-29 | Jx金属株式会社 | 銅合金スパッタリングターゲット及びその評価方法 |
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JP6720087B2 (ja) * | 2015-05-21 | 2020-07-08 | Jx金属株式会社 | 銅合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP6661951B2 (ja) * | 2015-10-08 | 2020-03-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 高純度銅スパッタリングターゲット材 |
JP6651737B2 (ja) * | 2015-08-24 | 2020-02-19 | 三菱マテリアル株式会社 | 高純度銅スパッタリングターゲット材 |
JP6662087B2 (ja) * | 2016-02-22 | 2020-03-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 高純度銅スパッタリングターゲット材 |
JP6662088B2 (ja) * | 2016-02-22 | 2020-03-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 高純度銅スパッタリングターゲット材 |
JP6661953B2 (ja) * | 2015-10-08 | 2020-03-11 | 三菱マテリアル株式会社 | 高純度銅スパッタリングターゲット材 |
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2009
- 2009-09-24 EP EP16190070.9A patent/EP3128039B1/en active Active
- 2009-09-24 JP JP2010504359A patent/JP4680325B2/ja active Active
- 2009-09-24 EP EP09817676.1A patent/EP2330231B1/en active Active
- 2009-09-24 CN CN2009801382265A patent/CN102165093B/zh active Active
- 2009-09-24 US US13/063,050 patent/US9441289B2/en active Active
- 2009-09-24 KR KR1020117006082A patent/KR101290856B1/ko active IP Right Grant
- 2009-09-24 WO PCT/JP2009/066480 patent/WO2010038642A1/ja active Application Filing
- 2009-09-30 TW TW098133143A patent/TWI437113B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9441289B2 (en) | 2016-09-13 |
EP3128039A1 (en) | 2017-02-08 |
CN102165093A (zh) | 2011-08-24 |
CN102165093B (zh) | 2013-09-25 |
EP2330231A1 (en) | 2011-06-08 |
KR20110042235A (ko) | 2011-04-25 |
JP4680325B2 (ja) | 2011-05-11 |
TW201026869A (en) | 2010-07-16 |
EP2330231A4 (en) | 2012-11-21 |
KR101290856B1 (ko) | 2013-07-29 |
TWI437113B (zh) | 2014-05-11 |
EP2330231B1 (en) | 2017-02-22 |
EP3128039B1 (en) | 2019-05-01 |
WO2010038642A1 (ja) | 2010-04-08 |
US20110163447A1 (en) | 2011-07-07 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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