KR100603130B1

KR100603130B1 - 고순도 니켈의 제조방법, 고순도 니켈, 동 고순도 니켈로부터 이루어진 스퍼터링 타겟트 및 이 스퍼터링 타겟트에 의해 형성된 박막

Info

Publication number: KR100603130B1
Application number: KR1020047001269A
Authority: KR
Inventors: 신도유이치로; 타케모토코우이찌
Original assignee: 닛코킨조쿠 가부시키가이샤
Priority date: 2001-08-01
Filing date: 2001-10-22
Publication date: 2006-07-20
Also published as: KR20040019079A; JP2007046157A; US7435325B2; TWI243215B; CN1489642A; EP1413651A4; US20090004498A1; EP2450474A1; JP3876253B2; CN1715454A; US20040069652A1; JPWO2003014421A1; EP1413651A1; JP4840808B2; WO2003014421A1

Abstract

전해액으로서 니켈 함유 용액을 사용하여 전해할 시에, 애노라이트를 pH 2∼5로 조정하며, 애노라이트에 함유되어 있는 철, 코발트, 동 등의 불순물을 산화제를 넣어서, 이 불순물을 수산화물로서 침전 제거하든지, 혹은 예비 전해에 의해 이 불순물을 제거하든지, 또는 Ni 박을 넣어서 치환 반응에 의해 이 불순물을 제거하든지의 어느 것이나 1 또는 2 이상의 방법을 조합하는 것에 의해 불순물을 제거한 후, 다시 필터를 사용하여 불순물을 제거하고, 제거 후의 액을 캐소라이트로서 사용하여 전해한다. 불순물이 많이 함유된 니켈 원료로부터 니켈 함유 용액을 사용하여 전해 정제하는 간편한 방법에 관한 것이며, 순도 5N(99.999 wt%) 이상의 고순도 니켈을 효율적으로 제조하는 기술을 제공한다.

고순도 니켈 스퍼터링 타겟트

Description

고순도 니켈의 제조방법, 고순도 니켈, 동 고순도 니켈로부터 이루어진 스퍼터링 타겟트 및 이 스퍼터링 타겟트에 의해 형성된 박막{METHOD FOR PRODUCING HIGH PURITY NICKEL, HIGH PURITY NICKEL, SPUTTERING TARGET COMPRISING THE HIGH PURITY NICKEL, AND THIN FILM FORMED BY USING SAID SPUTTERING TARGET}

이 발명은, 니켈 함유 용액을 사용하여 전해 정제에 의해 순도 5N(99.999 wt

%) 이상의 고순도 니켈을 제조하는 방법, 고순도 니켈, 동(同) 고순도 니켈로부터 이루어진 스퍼터링 타겟트 및 이 스퍼터링 타겟트에 의해 형성된 박막에 관한 것이다.

일반적으로, 고순도 니켈은 알칼리 금속, 방사성 원소, 천이금속 원소, 가스 성분을 극력 감소시키는 것이 요구되고 있으며, VLSI의 전극 및 배선의 형성 혹은 자성(磁性) 박막을 형성하기 위한, 특히 스퍼터링 타겟트재(材)로서 넓은 범위로 사용되고 있다.

Na, K 등의 알칼리 금속은 게이트 절연막 중을 용이하게 이동하여 MOS-LSI 계면 특성의 열화 원인으로 된다. U, Th 등의 방사성 원소는 방출하는 α선에 의해 소자의 소프트 에러의 원인으로 된다. 한편, Fe 등의 천이금속 원소도 계면 접합부의 트러블의 원인이 된다.

또한, 탄소, 산소 등의 가스 성분도 스퍼터링 시의 파티클 발생 원인으로 되기 때문에 바람직하지 못하다.

일반적으로, 5N 레벨의 고순도 니켈을 제조하는 경우에는, 이온 교환이나 용매 추출(抽出) 등으로 용액을 정제하여, 이것을 다시 전해 채취 또는 전해 정제에 의해서 고순도화를 행하는 것이 보통이지만, 이러한 용매 추출 공정을 하는 방법은 공정이 복잡하며, 또한 특수한 용매를 필요로 하기 때문에, 추출제의 안전을 고려할 필요가 있는 등의 효율적이지 못하다는 문제가 있었다.

5N 레벨의 고순도 니켈을 제조하는 경우에, 니켈 함유 용액을 사용하여 전해에 의해 제조하는 것이 비교적 간단한 방법으로 생각되어 지지만, 상기와 같은 용매 추출 등의 공정을 거치는 것이 반드시 효율적이라고는 말할 수 없었다.

(발명의 개시)

본 발명은, 철, 탄소, 산소 등이 많이 함유된 니켈 원료로부터 니켈 함유 용액을 사용하여 전해하는 간편한 방법을 제공하는 것이며, 동 원료로부터 순도 5N(99.999 wt%) 이상의 고순도 니켈을 효율적으로 제조하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한 것이다.

상기의 문제점을 해결하기 위하여, 니켈 함유 용액의 애노라이트(양극액;ano

lyte)로부터 철 등의 불순물을 수산화물로서 제거하며, 제거 후의 액을 캐소라이트

(음극액)로서 사용함으로써, 능률 좋게 고순도 니켈을 제조할 수 있다는 것을 알아냈다.

이 알아낸 것에 기초하여, 본 발명은,

1. 전해액으로서 니켈 함유 용액을 사용하여 전해할 시에, 애노라이트를 pH 2∼5로

조정하며, 애노라이트에 함유되어 있는 철, 코발트, 동 등의 불순물을 산화제를

넣어서 이 불순물을 수산화물로서 침전 제거하든지, 혹은 예비 전해에 의해 이

불순물을 제거하든지, 또는 Ni 박(箔)을 넣어서 치환반응에 의해 이 불순물을

제거하든지의 어느 것이나 1 또는 2 이상의 방법을 조합하는 것에 의해 불순물

을 제거한 후, 다시 필터를 사용하여 불순물을 제거하고, 제거 후의 액을 캐소

라이트로서 사용하여 전해하는 것을 특징으로 하는 고순도 니켈의 제조방법.

2. 애노드와 캐소드를 격막(膈膜)으로서 구분하고, 애노라이트를 간헐적 또는 연속

적으로 빼내어, 이것에 산화제를 넣어서 철 등의 불순물을 수산화물로서 침전시

킨 후, 다시 필터를 사용하여 불순물을 제거하고, 제거 후의 액을 캐소드 측에

간헐적 또는 연속적으로 넣는 것을 특징으로 하는 상기 1 기재의 고순도 니켈의

제조방법.

3. 애노드와 캐소드를 격막으로서 구분하고, 애노라이트를 간헐적 또는 연속적으로

빼내어, 이 애노라이트를 예비 전해하여 철, 코발트, 동 등의 불순물을 제거한

후, 다시 필터를 사용하여 불순물을 제거하고, 제거 후의 액을 캐소드 측에 간

헐적 또는 연속적으로 넣는 것을 특징으로 하는 상기 1 기재의 고순도 니켈의

제조방법.

4. 애노드와 캐소드를 격막으로서 구분하고, 애노라이트를 간헐적 또는 연속적으로

빼내어, 이 애노라이트에 니켈 박을 넣어서 치환반응에 의해, 철, 코발트, 동

등의 불순물을 제거한 후, 다시 필터를 사용하여 불순물을 제거하고, 제거 후의

액을 캐소드 측에 간헐적 또는 연속적으로 넣는 것을 특징으로 하는 상기 1 기

재의 고순도 니켈의 제조방법.

5. 필터로서 활성탄을 사용하는 것을 특징으로 하는 상기 1∼4의 각각에 기재된 고

순도 니켈의 제조방법.

6. 필터 통과 후의 전해액 중의 철의 농도가 1 mg/L 이하인 것을 특징으로 하는 상

기 1∼5의 각각에 기재된 고순도 니켈의 제조방법.

7. 전해에 의해서 얻어진 전석(전기 석출) 니켈을 전자 빔 용해 등의 진공 용해를

행하는 것을 특징으로 하는 상기 1∼6의 각각에 기재된 고순도 니켈의 제조방

법.

삭제

9. 상기 1∼7에 의해 제조된 가스 성분을 제외한 5N(99.999 wt%) 이상이며, 불순물

로서 O는 30 wt ppm 이하, C, N, S, P, F가 각각 10 wt ppm 이하인 것을 특징으

로 하는 고순도 니켈, 동 고순도 니켈로부터 이루어진 타켓트 및 동 타겟트를

사용하여 스퍼터링에 의해 형성된 박막.

을 제공하는 것이다.

(발명의 실시의 형태)

도1에 나타내는 전해조 1을 사용하여 4N 레벨의 괴상(傀狀)의 니켈 원료 2를 애노드 바스켓트 3에 넣어 애노드 5로 하며, 캐소드 4에 니켈 등을 사용하여 전해를 행한다. 니켈 원료에는 주로 철, 탄소, 산소 등이 많이 함유되어 있다.

전해 시에는 욕온 10∼70℃, 니켈 농도 20∼120 g/L, 전류밀도 0.1∼10 A/d㎡로 실시한다. 전류밀도 0.1 A/d㎡ 미만에서는 생산성이 나쁘고, 또한 10 A/d㎡를 초과하면 노줄이 발생해버려 애노드 5와 캐소드 4가 접촉하기 때문에 바람직하지 못하므로, 전류밀도는 0.1∼10 A/d㎡의 범위로 한다.

상기 애노드 5와 캐소드 4는 격막(膈膜) 6으로서 구분하고, 애노라이트를 간헐적 또는 연속적으로 빼낸다. 애노라이트는 pH 2∼5로 조정되어 있다. 캐소드 박스(box)는 격막을 통하여 외측의 액(애노라이트)과 분리되어 있다. 빼낸 애노라이트에 산화제 7을 넣어 철, 코발트, 동 등의 불순물을 수산화물로서 침전시킨다. 즉, 2가(價)의 철이 산화제 7에 의해 3가(價)로 되어 Fe(OH)₃로서 침전한다. 산화제 7로서는 과산화수소, 초산 등을 사용할 수 있다.

또한, 빼낸 애노라이트를 예비 전해조에 넣어, 전해에 의해 철, 코발트, 동 등의 불순물을 제거할 수 있다.

또한, 빼낸 애노라이트를 치환 조(槽)에 넣어, 니켈 박(箔)을 사용하여 전해액 중의 철, 코발트, 동 등의 불순물과의 치환을 행하여, 이들의 불순물을 제거할 수 있다.

도1은, 산화제를 넣는 공정을 나타내고 있지만, 이 공정 7을 예비 전해 또는 치환방법을 바꿈으로서 용이하게 제거할 수 있다.

상기의 산화제, 예비전해 또는 치환방법의 각각을 조합하여, 이 불순물을 제거할 수도 있다.

이 침전물 등의 불순물을 필터 8을 사용하여 제거한다. 필터에는 활성탄을 사용하는 것이 좋다. 활성탄의 필터 8은 상기 침전한 산화물 등의 불순물 이외에 용기 등으로부터 용출하는 유기물을 제거하는 효과도 있다. 이상에 의해, 전해액 중의 철의 농도를 1 mg/L 이하로 하는 것이 가능하다.

불순물의 제거 후, 이 액을 캐소드 측에 간헐적 또는 연속적으로 도입하여, 캐소드라이트로서 사용하여 전해 정제한다.

전류 효율은 80∼100%로 되었다. 이상에 의해, 순도 5N의 전석 니켈(캐소드에 석출)이 얻어졌다. 즉, 가스 성분을 제외한 5N(99.999 wt%) 이상이며, 불순물로서 O는 30 wt ppm 이하, C, N, S, P, F, H를 각각 10 wt ppm 이하로 할 수 있다.

더욱이, 전해에 의해서 얻어진 전석 니켈을 전자 빔 용해 등의 진공 용해를 행할 수 있다. 이 진공용해에 의해 Na, K 등의 알칼리 금속이나 그 밖의 휘발성 불순물 및 가스 성분을 효과적으로 제거할 수 있다.

또, 본 발명에 있어서는 이온 교환 수지나 용매추출을 행하지 않기 때문에, 유기물이 혼입되는 것이 없고, 유기 용매에 기인하는 불순물 원소를 억제할 수 있다.

도 1은 전해 공정의 개요을 나타내는 도이다.

다음에, 본 발명의 실시예에 관해서 설명한다. 또한, 본 실시예는 어디까지나 일례이고, 이 예에 제한되는 것이 아니다. 즉, 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서, 실시예 이외의 태양 혹은 변형을 전부 포함하는 것이다.

(실시예1)

도1에 나타낸 바와 같은 전해조를 사용하여, 4N 레벨의 괴상(塊狀)의 니켈 원료 1㎏을 애노드로 하고, 캐소드에 2N 레벨의 니켈 판(板)을 사용하여 전해를 행하였다. 원료의 불순물의 함유량을 표1에 나타낸다. 니켈 원료에는 주로 철, 탄소, 산소 등이 많이 함유되어 있다.

욕온 50℃, 황산계(硫酸系) 전해액에서 불산을 1 mol/L을 첨가하여, 니켈 농도 50 g/L, 전류밀도 2 A/d㎡, 전해시간 40 hr 실시하였다.

액의 pH를 2로 조절하였다. 이 때, 애노라이트를 간헐적으로 빼낸다. 빼낸 애노라이트에 과산화수소(H₂O₂)를 넣어, 2가(價)의 철을 3가로 바꾸어, 철 등의 불순물을 수산화물 Fe(OH)₃로 하여 침전시켰다.

다시, 이 침전물 등의 불순물을 활성탄 필터를 사용하여 제거하였다. 이상에 의해, 전해액 중의 철의 농도가 1 mg/L 이하로 할 수 있었다.

불순물의 제거 후, 이 액을 캐소드측 즉, 캐소드 바스켓트 내에 건헐적으로 도입하여 캐소라이트로서 사용하여 전해하였다.

전석 니켈(캐소드에 석출) 약 1kg을 얻었다. 순도는 5N을 달성하였다. 즉, 가스 성분을 제외한 5N(99.999 wt%) 이상이며, 불순물로서 O는 30 wt ppm 이하, C, N, S, P, F가 각각 10 wt ppm 이하로 할 수 있었다. 이상의 결과를 원료와 대비하여 표1에 나타낸다.

(실시예2)

실시예1과 같이 전해조를 사용하여, 4N 레벨의 괴상의 원료 니켈을 애노드로 하고, 캐소드에 3N 레벨의 니켈 판을 사용하여 전해를 행하였다.

욕온은 30℃, 염산계 전해액에서 니켈 농도 80 g/L, 전류밀도 5 A/dm² , 전해시간 40 hr로 실시하였다.

실시예1과 동일하게 액의 pH를 2로 조절하였다. 이 때, 애노라이트를 간헐적으로 빼낸다. 빼낸 애노라이트에 과산화수소(H₂O₂)를 넣어, 2가의 철을 3가로 바꾸 어, 철 등의 불순물을 수산화물 Fe(OH)₃로 하여 침전시켰다.

다시, 이 침전물 등의 불순물을 활성탄 필터를 사용하여 제거하였다. 이상에 의해 전해액 중의 철의 농도가 1 g/L 이하로 할 수 있었다.

불순물의 제거 후, 이 액을 캐소드측 즉, 캐소드 바스켓트 내에 간헐적으로 도입하여 캐소드로서 사용하여 전해하였다.

전석 니켈(캐소드에 석출) 약 1kg을 얻었다. 이 전석 니켈을 다시 전자 빔 용해하였다. 전자 빔 용해조건은 1A, 30kW, 진공도 2∼5×10^-4mmHg에서 실시하였다. 이상의 결과를 다같이 표1에 나타낸다.

(비교예1)

도1에 나타낸 바와 같은 전해조를 사용하여, 4N 레벨의 괴상의 니켈 원료 1kg을 애노드로 하고, 캐소드에 3N 레벨의 니켈 판을 사용하여 전해를 행하였다. 원료의 불순물의 함유량을 표1에 나타낸다.

욕온은 50℃, 황산계 전해액에서 불산을 1 mol/L을 첨가하며, 니켈 농도 50 g/L, 전류 밀도 2 A/dm², 전해 시간 40 hr 실시하였다. 액의 pH를 2로 조절하였다. 이 때, 애노라이트를 빼내지 않고 그대로 전해를 계속하였다.

전석 니켈(캐소드에 석출) 약 1kg을 얻었다.

이상의 결과를 다같이 표1에 나타낸다.

표1에 나타낸 바와 같이, 실시예1에서는 원료의 철 50 wt ppm이 2 wt ppm으로, 산소 200 wt ppm이 20 wt ppm으로, 탄소 50 wt ppm이 10 wt ppm 미만, C, N, S, P, F 10 wt ppm을 각각 10 wt ppm 미만으로 할 수 있었다.

또한, 실시예2에서는 철 1 wt ppm, 산소 10 wt ppm 미만, 그 밖의 불순물 10 wt ppm 미만으로 할 수 있었다.

이에 대하여, 비교예1에서는 C, N, S, P, F 10 wt ppm을 각각 10 wt ppm 미만으로 할 수가 있지만, 철 50 wt ppm, 또, 산소 60 wt ppm에서 실시예에 비해 정제효과가 떨어지며, 특히 철의 제거가 곤란하였다.

(실시예3)

3N 레벨의 괴상의 니켈 원료 1kg을 애노드로 하고, 캐소드에 2N 레벨의 알루미늄 판을 사용하여 전해를 행하였다. 원료의 불순물의 함유량을 표2에 나타낸다. 이 니켈 원료에는 철, 코발트, 동, 탄소, 산소 등이 많이 함유되어 있다.

전해 조건은, 욕온 40℃, 황산계 전해액에 염산을 1 mol/L을 첨가하고, 니켈 농도 100 g/L, 전류 밀도 3 A/dm², 전해 시간 25 hr 실시하였다.

액의 pH는 2.5로 조절하였다. 이 때, 애노라이트를 간헐적으로 빼내었다. 빼낸 애노라이트는 예비 전해조에서 전류밀도 0.1 A/dm²으로 전해를 행하고, 철, 코발트, 동 등을 제거하였다.

다시, 활성탄 필터를 사용하여 전해액 중의 유기물을 제거하였다.

이상에 의해, 전해액 중의 철, 코발트, 동 등의 농도를 1 mg/L 이하로 할 수 있었다.

불순물의 제거 후, 이 액을 캐소드측 즉, 캐소드 바스켓트 내에 간헐적으로 도입하여 캐소라이트로서 사용하여 전해하였다.

그 결과, 전석 니켈 약 1.1kg을 얻었다. 순도는 5N을 달성하였다. 즉, 가스 성분을 제외한 5N 이상이며, 불순물로서 O는 20 wt ppm, C, N, S, P, F는 각각 10 wt ppm 이하로 할 수 있었다. 이상의 결과를 원료와 대비하여 표2에 나타낸다.

(실시예4)

3N 레벨의 괴상의 니켈 원료 1kg을 애노드로 하고, 캐소드에 2N 레벨의 티탄 판을 사용하여 전해를 행하였다. 원료의 불순물의 함유량을 표2에 나타낸다. 이 니켈 원료에는 철, 코발트, 동, 탄소, 산소 등이 많이 함유되어 있다.

전해 조건은, 욕온 60℃, 황산계 전해액에 염산을 1 mol/L을 첨가하고, 니켈 농도 100 g/L, 전류 밀도 1.5 A/dm², 전해 시간 50 hr 실시하였다.

액의 pH는 2.7로 조절하였다. 이 때, 애노라이트를 간헐적으로 빼내었다. 빼낸 애노라이트는 치환조에서 2N 레벨의 Ni 박으로 전해액 중의 불순물과의 치환을 행하고, 철, 코발트, 동 등을 제거하였다.

그 결과, 전석 니켈 약 1.1kg을 얻었다. 순도는 5N을 달성하였다. 즉, 가스 성분을 제외한 5N 이상이며, 불순물로서 O는 20 wt ppm, C, N, S, P, F는 각각 10 wt ppm 이하로 할 수 있었다. 이상의 결과를 원료와 대비하여, 다같이 표2에 나타낸다.

(실시예5)

상기 실시예3의 공정에 있어서, 애노라이트를 간헐적으로 빼내어, 빼낸 애노라이트를 예비 전해조에서 전류밀도 0.1 A/dm²으로 전해를 행하며, 이를 다시 실시예4의 치환조에 있어서 치환반응과 동일한 조건으로 철, 코발트, 동 등의 불순물을 제거하였다(예비 전해와 치환반응의 조합).

그리고, 이 공정 이외는 실시예3과 동일한 공정에 의해 전석 니켈 약 1.1 kg을 얻었다. 그 결과, 순도는 가스 성분을 제외한 5N 이상이며, 불순물로서 O는 10 wt ppm, C, N, S, P, F는 각각 10 wt ppm 이하로 할 수 있었다. 이상의 결과를 원료와 대비하여, 다같이 표2에 나타낸다.

이상으로부터, 본 발명의 애노드와 캐소드를 격막으로서 구분하고, 이 애노라이트를 간헐적 또는 연속적으로 빼내어, 이것에 산화제를 넣어서 철 등의 불순물을 수산화물로서 침전시키며, 다시 필터를 사용하여 불순물을 제거하고, 제거 후의 액을 캐소드 측에 간헐적 또는 연속적으로 넣어 전해하는 것은, 철을 효과적으로 제거하고, 고순도 니켈을 얻을 뿐만 아니라, 간편한 방법이고 또한 극히 유효한 것임을 알 수 있다.

이상에서 나타낸 바와 같이, 전해액으로서 니켈 함유 용액을 사용하여 철, 탄소, 산소 등이 많이 함유된 니켈 원료로부터 니켈 함유 용액을 사용하여 전해 정제하는 간편한 방법을 제공하는 것이며, 간편한 제조공정의 개량에 의해, 동(同) 원료로부터 순도 5N(99.999 wt%) 이상의 고순도 니켈을 효율적으로 제조할 수 있다는 현저한 효과를 가지고 있다.

Claims

전해액으로서 니켈 함유 용액을 사용하여 전해할 시에, 애노라이트를 pH 2∼5로 조정하며, 애노라이트에 함유되어 있는 철, 코발트, 동 등의 불순물을 산화제를 넣어서, 이 불순물을 수산화물로서 침전 제거하든지, 혹은 예비 전해에 의해 이 불순물을 제거하든지, 또는 Ni 박을 넣어서 치환반응에 의해 이 불순물을 제거하든지의 어느 것이나 1 또는 2 이상의 방법을 조합하는 것에 의해 불순물을 제거한 후, 다시 필터를 사용하여 불순물을 제거하고, 제거 후의 액을 캐소라이트로서 사용하여 전해하는 것을 특징으로 하는 고순도 니켈의 제조방법.
제1항에 있어서, 애노드와 캐소드를 격막(膈膜)으로서 구분하고, 애노라이트를 간헐적 또는 연속적으로 빼내어, 이것에 산화제를 넣어서 철 등의 불순물을 수산화물로서 침전시킨 후, 다시 필터를 사용하여 불순물을 제거하고, 제거 후의 액을 캐소드 측에 간헐적 또는 연속적으로 넣는 것을 특징으로 하는 고순도 니켈의 제조방법.
제1항에 있어서, 애노드와 캐소드를 격막으로서 구분하고, 애노라이트를 간헐적 또는 연속적으로 빼내어, 이 애노라이트를 예비 전해하여 철, 코발트, 동 등의 불순물을 제거한 후, 다시 필터를 사용하여 불순물을 제거하고, 제거 후의 액을 캐소드 측에 간헐적 또는 연속적으로 넣는 것을 특징으로 하는 고순도 니켈의 제조방법.
제1항에 있어서, 애노드와 캐소드를 격막으로서 구분하고, 애노라이트를 간헐적 또는 연속적으로 빼내어, 이 애노라이트에 니켈 박을 넣어서 치환반응에 의해, 철, 코발트, 동 등의 불순물을 제거한 후, 다시 필터를 사용하여 불순물을 제거하고, 제거 후의 액을 캐소드 측에 간헐적 또는 연속적으로 넣는 것을 특징으로 하는 고순도 니켈의 제조방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 필터로서 활성탄을 사용하는 것을 특징으로 하는 고순도 니켈의 제조방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 필터 통과 후의 전해액 중의 철의 농도가 1 mg/L 이하인 것을 특징으로 하는 고순도 니켈의 제조방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 전해에 의해서 얻어진 전석 니켈을 전자 빔 용해 등의 진공 용해를 행하는 것을 특징으로 하는 고순도 니켈의 제조방법.
삭제
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 제조한 가스 성분을 제외한 5N(99.999

wt%) 이상이며, 불순물로서 O는 30 wt ppm 이하, C, N, S, P, F가 각각 10 wt ppm 이하인 것을 특징으로 하는 고순도 니켈, 동 고순도 니켈로부터 이루어진 타켓트 및 동 타겟트를 사용하여 스퍼터링에 의해 형성된 박막.