TWI243215B - Method for producing high purity nickel - Google Patents
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Description
A7 1243215 .五、發明說明(丨) [技術領域] 本發明係關於使用含鎳溶液藉由電解精製來製造純度 5N(99.999重量%)以上之高純度鎳之方法、高純度鎳、由 該高純度鎳所構成之濺鍍靶以及利用該濺鍍靶所形成之薄 膜。 [習知技術] 一般,高純度鎳被要求儘可能減少鹼金屬、放射性元 素、過渡金屬元素、以及氣體成分,其使用在VLSI之電 極與配線之形成、或是磁性薄膜之形成方面,特別是廣泛 地使用做爲濺鑛靶材。
Na、K等之鹼金屬容易在閘極絕緣膜中移動,成爲 MOS — LSI界面特性惡化之原因。U,Th等之放射性元素會 因爲所放出之 射線成爲元件之軟錯誤(soft eiror)的原因 。另一方面,Fe等之過渡金屬元素也會成爲界面接合部之 問題發生的原因。 再者,碳、氧等之氣體成分也成爲濺鍍之際之粒子發 生原因,故非所喜好者。 一般來說,在製造5N等級之高純度鎳之際,通常係 以離子交換或溶劑萃取等來精製溶液,然後對其進一步利 用電解採收或電解精製來進行高純度化,不過採用此種溶 劑萃取製程之方法在製程上複雜,又必須用特殊的溶劑而 須考量到萃取劑之安全性,此皆導致了效率不佳之問題。 於製造5N等級之高純度鎳之際,雖考慮使用含鎳溶 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 一~ --------------------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1243215 _____B7 _ •五、發明說明(> ) 液藉由電解來製造之此種相對簡單的方法,但前述溶劑萃 取等之製程的採行,不能說是有效率的做法。 [發明之揭示] 本發明係提供一種從含有許多鐵、碳、氧等之鎳原料 利用含鎳溶液來進行電解之簡便的方法,其目的在於提供 一種能從該原料高效率地製造純度5N(99.999重量%)以上 之高純度鎳的技術。 爲了解決上述問題,本發明者得到了以下之見解:自 含鎳溶液之陽極電解液將鐵等之雜質以氫氧化物的形式去 除,將去除後之液體當作陰極電解液來使用,則可高能率 地來製造高純度鎳。 基於此見解,本發明係提供: 1·一種高純度鎳之製造方法,其特徵在於,使用含鎳 溶液做爲電解液來進行電解之際,將陽極電解液pH調整 爲2〜5,然後對陽極電解液中所含之鐵、鈷、銅等之雜質 ,採用將:加入氧化劑使得該雜質以氫氧化物的形式沉澱 去除之方法、利用預備電解將該雜質去除之方法、或是放 入Ni箔藉置換反應來去除該雜質之方法中1或2以上之方 法加以組合來去除雜質之後,進一步使用過濾器來去除雜 質,將經過去除之液體當作陰極電解液來使用而進行電解 〇 2 ·如上述1 gH載之局純度錬之製造方法,係將陽極與 陰極以隔膜來分隔,將陽極電解液以間歇方式或連續方式 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1111111. A7 1243215 ___ B7 _____ •五、發明說明()) 抽出,對抽出液加入氧化劑使得鐵等之雜質以氫氧化物的 形式沉澱,進一步使用過濾器來去除雜質,經去除之液體 以間歇方式或連續方式進入陰極側° 3. 如上述1記載之高純度鎳之製造方法’係將陽極與 陰極以隔膜來分隔,將陽極電解液以間歇方式或連續方式 抽出,對該陽極電解液進行預備電解來去除鐵、鈷、銅等 之雜質之後,進一步使用過濾器來去除雜質,經去除之液 體以間歇方式或連續方式進入陰極側。 4. 如上述1記載之高純度鎳之製造方法,係將陽極與 陰極以隔膜來分隔,將陽極電解液以間歇方式或連續方式 抽出,於該陽極電解液中放入鎳箔藉由置換反應來去除鐵 、鈷、銅等之雜質之後,進一步使用過濾器來去除雜質’ 經去除之液體以間歇方式或連續方式進入陰極側。 5. 如上述1〜4分別記載之高純度鎳之製造方法’其中 ,過濾器係使用活性碳。 6. 如上述1〜4分別記載之局純度錬之製造方法’其中 ,於通過過濾器之後,電解液中之鐵的濃度爲1mg/L以下 〇 7. 如上述1〜4分別記載之高純度鎳之製造方法’其中 ,藉由電解所得之電析鎳係進行電子束熔解等之真空熔解 〇 8. —種高純度鎳、由該高純度鎳所構成之靶以及使用 該靶以濺鍍所形成之薄膜,係由上述1〜1 2分別記載之方法 所製造之不考慮氣體成分之純度爲5N(99.999重量%)以上 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I eM9 n ϋ ϋ n 一:OJ n i— n ϋ ϋ n ϋ I · 1 2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 1243215 ____B7 __ •五、發明說明(^ ) ,在雜質方面〇 : 30wtppm以下、又c,N,S,P,F分別爲 lOwtppm以下者。 [圖式之簡單說明] 圖1所示係電解製程之槪要之圖。 [發明之實施形態] 使用圖1所示之電解槽1,將4N等級之塊狀鎳原料2 放入陽極籃(basket)3當作陽極5,在陰極4方面使用鎳等 進行電解。在鎳原料中主要係含有許多鐵、碳、氧等。 於電解之際,係以浴溫10〜7(TC、鎳濃度20〜120g/L、 電流密度〇·1〜l〇A/dm2來實施。若電流密度未滿〇.:[ A/dm2 則生產性不佳,若超過l〇A/dm2則會發生結球(n〇dule),陽 極5與陰極4會接觸,皆爲不希望見到的情況,是以將電 流密度控制在0.1〜l〇A/dm2之範圍爲佳。 前述陽極5與陰極4係以隔膜6來做分隔,將陽極電 解液以間歇方式或連續方式抽出。陽極電解液係調整成 pH2〜5。陽極盒係隔著隔膜而與外側之液(陽極電解液)呈分 離。對所抽出之陽極電解液加入氧化劑7使得鐵、鈷、銅 等之雜質以氫氧化物的形式沉澱。亦即,2價鐵會受到氧 化劑7之作用而成爲3償以Fe(OH)3的形式沉澱。做爲氧 化劑7可使用過氧化氫、硝酸等。 又,可將抽出之陽極電解液置入預備電解槽中,利用 電解將鐵、鈷、銅等之雜質去除。 7 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------· A7 1243215 .五、發明說明($ ) 再者,可將抽出之陽極電解液置入置換槽中’使用鎳 箔與電解液中之鐵、鈷、銅等之雜質做置換來將該等雜質 去除。 圖1係顯示加入氧化劑之製程,此氧化劑7可藉由預 備電解或置換方法之置換來輕易地去除。 可將上述之氧化劑、預備電解或置換方法之個別組合 來去除該雜質。 此沉澱物之雜質係使用過濾器8來去除。於過瀘器中 使用活性碳爲佳。活性碳之過濾器8除了去除前述沉澱之 氧化物等之雜質以外,尙具有將自容器等所溶出之有機物 去除之效果。藉此,可將電解液中之鐵濃度控制在Img/L 以下。 於雜質之去除後,將該液體以間歇方式或連續方式導 入陰極側,當作陰極電解液來進行電解精製。 電流效率係成爲80〜100%。藉此,可得到純度5N之 電析鎳(析出於陰極)。亦即,不考慮氣體成分之純度爲 5N(99.999重量%)以上,在雜質方面〇 : 30wtppm以下, 又 C,N,S,P,F,H 分別爲 lOwtppm 以下。 再者,利用電解所得之電析鎳可進行電子束熔解等之 真空熔解。藉由此真空熔解,可有效地去除Na、K等之鹼 金屬以及其他之揮發性雜質以及氣體成分。 又,於本發明中,由於未進行離子交換樹脂或溶劑萃 取,所以不會混入有機物,可抑制有機溶劑所產生之雜質 元素。 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公楚) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^1 ϋ tmamm n n —a— n 0V. a ϋ I n ϋ ϋ II ϋ ι A7 1243215 五、發明說明(b ) (實施例與比較例) 其次,說明本發明之實施例。又,本實施例充其量不 過爲一例,本發明並不受限於此例。亦即,在本發明之技 術思想的範圍內,包含所有實施例以外之態樣或是變形。 (實施例1) 使用圖1所示之電解槽,將4N等級之塊狀鎳原料lkg 當作陽極,於陰極方面則使用2N等級之鎳板,進行電解 。原料之雜質含量係示於表1。在鎳原料中主要係含有許 多鐵、碳、氧等。 於浴溫50°C之硫酸系電解液添加氫氟酸lmol/L,以鎳 濃度50g/L、電流密度2A/dm2、電解時間40小時來實施電 解。 將浴液pH調整爲2。此時,將陽極電解液間歇性地抽 出。對所抽出之陽極電解液加入過氧化氫(H202),將2價 之鐵轉變爲3價,使得鐵等之雜質以氫氧化物Fe(0H)3的 形式沉澱。 再者,將該沉澱物等之雜質以活性碳過濾器來去除。 藉此,電解液中之鐵濃度可控制在lmg/L以下。 於雜質去除後,將此液體以間歇的方式導入陰極側(亦 即陰極籃內),當作陰極電解液來使用而進行電解。 得到電析鎳(於陰極析出)約lkg。純度達成5N。亦即 ’不考慮氣體成分之純度爲5N(99.999重量%)以上,在雜 質方面 Ο : 30wtppm 以下,又 C,N,S,P,F,H 分別爲 l〇wtppm 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
n I n 11 in H 一 0V I n ϋ ϋ ϋ ϋ i·— n I A7
1243215 ___----_ 五、發明說明(Ί ) 以下。以上之結果係與原料做對比而示於表i。
Fe 0 C~ ^ N S P F 面料 50 200 50 10 10 10 10 實施例1 2 20 <10 <10 <10 <10 <10 一 <10^^ 實施例2 1 <10 <10 <10 <10 <10 <10 比較例1 50 60 <10 <10 <10 <10 <10 <10^ (實施例2) 與實施例1同樣使用電解槽,將4N等級之塊狀原料 鎳當作陽極,於陰極方面則使用3N等級之鎳板,進行電 解。 於浴溫30°C之鹽酸系電解液中,以鎳濃度80g/L、電 流密度A/dm2 ·、電解時間40小時來實施電解。 與實施例1同樣,將浴液pH調整爲2。此時,將陽極 電解液間歇性地抽出。對所抽出之陽極電解液加入過氧化 氫(H202),將2價之鐵轉變爲3價,使得鐵等之雜質以氫 氧化物Fe(OH)3的形式沉澱。 再者,將該沉澱物等之雜質以活性碳過濾器來去除° 藉此,電解液中之鐵濃度可控制在lmg/L以下。 於雜質去除後,將此液體以間歇的方式導入陰極側(亦 即陰極籃內),當作陰極電解液來使用而進行電解。 得到電析鎳(於陰極析出)約1kg。對此電析鎳進一步進 10 __ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) Γ%先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂--------- A7 1243215 __B7___ 五、發明說明(I ) 行電子束熔解。電子束熔解之條件係1A、30 kW、真空度 2〜5xl〇_4mmHg來實施。以上之結果同樣地示於表1。 (比較例1) 使用圖1所示之電解槽,將4N等級之塊狀鎳原料ikg 當作陽極,於陰極方面則使用3N等級之鎳板,進行電解 。原料之雜質含量係示於表1。 於浴溫50°C之硫酸系電解液添加氫氟酸lmol/L,以鎳 濃度50g/L、電流密度2A/dm2、電解時間40小時來實施電 解。 將浴液pH調整爲2。此時,不將陽極電解液抽出,而 是在該狀態下持續電解。 得到電析鎳(於陰極析出)約lkg。 以上之結果同樣地示於表1。 如表1所示般,在實施例1中,原料鐵50wtppm可成 爲 2wtppm、氧 200wtppm 可成爲 20wtppm、碳 50wtppm 可 成爲 lOwtppm、C,N,S,P,F lOwtppm 可成爲 lOwtppm 以下 ο 又,在實施例2中,鐵可成爲lwtppm、氧可成爲 lOwtppm以下、其他雜質可成爲lOwtppm以下。 相對於此,在比較例1中,C,N,S,P,F lOwtppm雖分別 可成爲lOwtppm以下,但鐵50wtppm、氧60wtppm相較於 實施例在精製效果上不佳,特別是很難去除鐵。 11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 H *ϋ flu mmee ϋ I μμ μμ ημι I I 雪· A7 1243215 五、發明說明(4 ) (實施例3) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將3N等級之塊狀鎳原料lkg當作陽極,於陰極方面 則使用2N等級之鋁板,進行電解。原料之雜質含量係示 於表2。在鎳原料中主要係含有許多鐵、銘、銅、碳、氧 等。 電解條件,係於浴溫40°C之硫酸系電解液添加鹽酸 lmol/L,以鎳濃度l〇〇g/L、電流密度3A/dm2、電解時間 25小時來實施電解。 將浴液pH調整爲2.5。此時,將陽極電解液間歇性地 抽出。所抽出之陽極電解液係在預備電解槽以電流密度 Ο-lA/dm2進行電解,去除鐵、鈷、銅等。 再者,將電解液中之有機物以活性碳過濾器來去除。 藉此’電解液中之鐵、鈷、銅濃度可控制在lmg/L以下。 Μ雜質去除後,將此液體以間歇的方式導入陰極側(亦 亟籃內),當作陰極電解液來使用而進行電解。 其結果,得到電析鎳約1.1kg。純度達成5N。亦即, 不考慮氣體成分之純度爲5N以上,在雜質方面Ο : 2〇wtPpm ’又c,N,S,P,F分別爲10wtppm以下。以上之結 果係與原料做對比而示於表2。 (實施例4) 將3N等級之塊狀鎳原料ikg當作陽極,於陰極方面 貝1Η吏用2N等級之鈦板,進行電解。原料之雜質含量係示 於表2。在鎳原料中主要係含有許多鐵、鈷、銅、碳、氧 ___ 12 本氏張尺度適用中_家標準(cns)a4規格X观公爱) A7 1243215 _____B7____ 五、發明說明() 等。 電解條件,係於浴溫60°C之硫酸系電解液添加鹽酸 lmol/L,以鎳濃度l〇〇g/L、電流密度1.5A/dm2、電解時間 50小時來實施電解。 將浴液pH調整爲2.7。此時,將陽極電解液間歇性地 抽出。所抽出之陽極電解液係在置換槽以2N等級之Ni箔 與電解液中之雜質做交換,去除鐵、鈷、銅等。 再者,將電解液中之有機物以活性碳過濾器來去除。 藉此,電解液中之鐵、鈷、銅濃度可控制在lmg/L以下。 於雜質去除後,將此液體以間歇的方式導入陰極側(亦 即陰極籃內),當作陰極電解液來使用而進行電解。 其結果,得到電析鎳約1.1kg。純度達成5N。亦即, 不考慮氣體成分之純度爲5N以上,在雜質方面0: 20wtppm,又C,N,S,P,F分別爲lOwtppm以下。以上之結 果係與原料做對比同樣地示於表2。 (實施例5) 於上述實施例3之製程中,將陽極電解液間歇性地抽 出,所抽出之陽極電解液係在預備電解槽以電流密度 Ο.ΙΑ/dm2進行電解,將之於實施例4之置換槽中以相同置 換反應之條件來去除鐵、鈷、銅等之雜質(與預備電解做置 換反應之組合)。 再者,除此製程以外藉由與實施例3同一製程得到電 析鎳約1.1kg。純度達成5N。亦即,不考慮氣體成分之純 13 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -
n n n am— I I 一 οτ ϋ I n 1 1B1 n I
1243215 •五、發明說明(η ) 度爲5N以上,在雜質方面〇 : 1〇wtppm,又c,N,S,P,F分 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 別爲lOwtppm以下。以上之結果係與原料做對比同樣地示 於表2。 表2
Fe Co ^ 0 C Ν S Ρ F Η 原料^ 30 20 〜 ϊΓ~~ 150 40 10 10 10 10 10 實施例3 3 1 1 20 <10 <10 <10 <10 <10 <10 實施例4 5 2 Τ' 20 <10 <10 <10 <10 <10 <10 實施例5 1 1 03 ~ 10 <10 <10 <10 <10 <10 <10 由以上可知,本發明將陽極與陰極以隔膜來分隔,將 該陽極電解液以間歇方式或連續方式抽出,所抽出之液體 加入氧化劑使得鐵等之雜質以氫氧化物的形式沉澱,進一 步利用過濾器來去除雜質,去除後之液體以間歇方式或連 續方式導入陰極側進行電解之做法,在有效地去除鐵、得 到高純度鎳之方面爲一種簡便且其爲有效的方法。 [發明效果] 如上所示,本發明係提供一種使用含鎳溶液做爲電解 液,從含有許多鐵、碳、氧等之鎳原料利用含鎳溶液來進 行電解精製之方法,其藉由簡單之製程的改善’能從該原 料高效率地製造純度5Ν(99·999重量%)以上之高純度鎳, 此爲本發明之顯著效果。 14 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 1243215 、五、發明說明(Γ>) [符號說明] 1 電解槽 2 Ni原料 3 陽極籃 4 陰極 5 陽極 6 隔膜 7 氧化劑 8 過濾器 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
1243215 § D8 ,: _ ί' ) ;; - .· .... . ’:’」 ’* ^ l ' 一― ' n -——--- ; " 圓 . ; .. •六、申請專利範圍 _ 1. 一種高純度鎳之製造方法,其特徵在於,使用含鎳 溶液做爲電解液來進行電解之際,將陽極電解液pH調整 爲2〜5,然後對陽極電解液中所含之鐵.、鈷、銅等之雜質 ,採用將:加入由過氧化氫以及/或是硝酸所構成之氧化劑 使得該雜質以氫氧化物的形式沉澱去除之方法、利用預備 電解將該雜質去除之方法、或是放入Ni箔藉置換反應來去 除該雜質之方法中1或2以上之方法加以組合來去除雜質 之後,進一步使用過濾器來去除雜質,使得通過過瀘器後 之電解液中之鐵濃度爲lmg/L以下,將經過去除之液體當 作陰極電解液來使用,以浴溫10〜70°C、鎳濃度20〜120g/L 、電流密度0.1〜10A/dm2來進行電解。 2. 如申請專利範圍第1項之高純度鎳之製造方法,係 將陽極與陰極以隔膜來分隔,將陽極電解液以間歇方式或 連續方式抽出,對抽出液加入氧化劑使得鐵等之雜質以氫 氧化物的形式沉澱,進一步使用過濾器來去除雜質,經去 除之液體以間歇方式或連續方式進入陰極側。 3. 如申請專利範圍第1項之高純度鎳之製造方法,係 將陽極與陰極以隔膜來分隔,將陽極電解液以間歇方式或 連續方式抽出,對該陽極電解液進行預備電解來去除鐵、 鈷、銅等之雜質之後,進一步使用過濾器來去除雜質,經 去除之液體以間歇方式或連續方式進入陰極側。 4. 如申請專利範圍第1項之高純度鎳之製造方法,係 將陽極與陰極以隔膜來分隔,將陽極電解液以間歇方式或 連續方式抽出,於該陽極電解液中放入鎳箔藉由置換反應 1 _____—________— 度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 訂: 線 ABCD 1243215 六、申請專利範圍 來去除鐵、鈷、銅等之雜質之後,進一步使用過濾器來去 除雜質,經去除之液體以間歇方式或連續方式進入陰極側 〇 5·如申請專利範圍第1〜4項中任一項之高純度鎳之製 造方法,其中,過濾器係使用活性碳。 6.如申請專利範圍第5項之高純度鎳之製造方法 ’其中,於通過過濾器之後,電解液中之鐵的濃度爲 lnig/L 以下。 • 7.如申請專利範圍第1〜4項中任一項之高純度鎳之製 造方法,其中,藉由電解所得之電析鎳係進行電子束熔解 等之真空熔解。 8·如申請專利範圍第5項之高純度鎳之製造方法,其 + ’藉由電解所得之電析鎳係進行電子束熔解等之真空熔 9·如申請專利範圍第1項之高純度鎳之製造方法,其 中’藉由電解所得之電析鎳係進行電子束熔解等之真空熔 解。 如申請專利範圍第6項之高純度鎳之製造方法,其 中’藉由電解所得之電析鎳係進行電子束熔解等之真空溶 解0 2 — (請先閲讀背面之注意事项再填寫本頁^> 訂: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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