JP3876253B2 - 高純度ニッケルの製造方法 - Google Patents
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Description
この発明は、ニッケル含有溶液を用いて電解精製により純度5N(99.999wt%)以上の高純度ニッケルを製造する方法、高純度ニッケル、同高純度ニッケルからなるスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットにより形成した薄膜に関する。
背景技術
一般に、高純度ニッケルは、アルカリ金属、放射性元素、遷移金属元素、ガス成分を極力減少させることが要求されており、VLSIの電極及び配線の形成、あるいは磁性薄膜を形成するための、特にスパッタリングターゲット材として広範囲に使用されている。
Na、K等のアルカリ金属はゲート絶縁膜中を容易に移動し、MOS−LSI界面特性の劣化原因となる。U,Th等の放射性元素は、放出するα線によって素子のソフトエラーの原因となる。一方、Fe等の遷移金属元素も界面接合部のトラブルの原因となる。
さらに、炭素、酸素などのガス成分も、スパッタリングの際のパーティクル発生原因となるため好ましくない。
一般に、5Nレベルの高純度ニッケルを製造する場合には、イオン交換や溶媒抽出等で溶液を精製し、これをさらに電解採取又は電解精製によって高純度化を行うことが普通であるが、このような溶媒抽出工程をとる方法は工程が複雑であり、また特殊な溶媒を必要とすることから抽出剤の安全を考慮する必要があるなど、効率的でないという問題があった。
5Nレベルの高純度ニッケルを製造する場合に、ニッケル含有溶液を用いて電解により製造するのが比較的簡単な方法と考えられるが、上記のような溶媒抽出等の工程を経るものは、必ずしも効率的とは言えなかった。
発明の開示
本発明は、鉄、炭素、酸素等が多く含有されるニッケル原料から、ニッケル含有溶液を用いて電解する簡便な方法を提供するものであり、同原料から純度5N(99.999wt%)以上の高純度ニッケルを効率的に製造する技術を提供することを目的としたものである。
上記問題点を解決するため、ニッケル含有溶液のアノライトから鉄等の不純物を水酸化物として除去し、除去後の液をカソライトとして使用することにより、能率良く高純度ニッケルを製造できるとの知見を得た。
この知見に基づき、本発明は
1.電解液としてニッケル含有溶液を用いて電解する際に、アノライトをpH2〜5に調整し、アノライトに含有されている鉄、コバルト、銅等の不純物を、酸化剤を入れて該不純物を水酸化物として沈殿除去するか、若しくは予備電解により該不純物を除去するか、又はNi箔を入れて置換反応により該不純物を除去するかの、いずれか1又は2以上の方法を組合せることにより不純物を除去した後、さらにフィルターを使用して不純物を除去し、除去後の液をカソライトとして使用し電解することを特徴とする高純度ニッケルの製造方法
2.アノードとカソードを隔膜で仕切り、アノライトを間歇的又は連続的に抜き出し、これに酸化剤を入れて鉄等の不純物を水酸化物として沈殿させた後、さらにフィルターを使用して不純物を除去し、除去後の液をカソード側に間歇的又は連続的に入れることを特徴とする上記1記載の高純度ニッケルの製造方法
3.アノードとカソードを隔膜で仕切り、アノライトを間歇的又は連続的に抜き出し、このアノライトを予備電解して鉄、コバルト、銅等の不純物を除去した後、さらにフィルターを使用して不純物を除去し、除去後の液をカソード側に間歇的又は連続的に入れることを特徴とする上記第1記載の高純度ニッケルの製造方法。
4.アノードとカソードを隔膜で仕切り、アノライトを間歇的又は連続的に抜き出し、このアノライトにニッケル箔を入れて置換反応により、鉄、コバルト、銅等の不純物を除去した後、さらにフィルターを使用して不純物を除去し、除去後の液をカソード側に間歇的又は連続的に入れることを特徴とする上記1記載の高純度ニッケルの製造方法。
5.フィルターとして活性炭を使用することを特徴とする上記1〜4のそれぞれに記載の高純度ニッケルの製造方法
6.フィルター通過後の、電解液中の鉄の濃度が1mg/L以下であることを特徴とする上記1〜5のそれぞれに記載の高純度ニッケルの製造方法
7.電解によって得られた電析ニッケルを電子ビーム溶解等の真空溶解を行うことを特徴とする上記1〜6のそれぞれに記載の高純度ニッケルの製造方法
8.削除
9.上記1〜7により製造したガス成分を除き5N(99.999wt%)以上であり、不純物としてO:30wtppm以下、C,N,S,P,Fがそれぞれ10wtppm以下であることを特徴とする高純度ニッケル、同高純度ニッケルからなるターゲット及び同ターゲットを使用してスパッタリングにより形成した薄膜
を提供するものである。
発明の実施の形態
図1に示す電解槽1を用い、4Nレベルの塊状のニッケル原料2をアノードバスケット3に入れてアノード5とし、カソード4にニッケル等を使用して電解を行う。ニッケル原料には、主として鉄、炭素、酸素等が多く含有されている。
電解に際しては、浴温10〜70°C、ニッケル濃度20〜120g/L、電流密度0.1〜10A/dm2で実施する。電流密度0.1A/dm2未満では生産性が悪く、また10A/dm2を超えるとノジュールが発生してしまい、アノード5とカソード4が接触するため好ましくないので、電流密度は0.1〜10A/dm2の範囲とする。
前記アノード5とカソード4は隔膜6で仕切り、アノライトを間歇的又は連続的に抜き出す。アノライトはpH2〜5に調整されている。カソードボックスは、隔膜を介して外側の液(アノライト)と分離している。抜き出したアノライトに酸化剤7を入れて鉄、コバルト、銅等の不純物を水酸化物として沈殿させる。すなわち、2価の鉄が酸化剤7により3価となりFe(OH)3として沈殿する。酸化剤7としては過酸化水素、硝酸等が使用できる。
また、抜き出したアノライトを予備電解槽に入れ、電解により鉄、コバルト、銅等の不純物を除去することができる。
さらにまた、抜き出したアノライトを置換槽に入れ、ニッケル箔を使用して電解液中の鉄、コバルト、銅等の不純物との置換を行いこれらの不純物を除去することができる。
図1は、酸化剤を入れる工程を示しているが、この工程7を予備電解又は置換方法の置き換えることにより、容易に除去できる。
上記の酸化剤、予備電解又は置換方法のそれぞれを組合せて該不純物を除去することもできる。
この沈殿物等の不純物を、フィルター8を使用して除去する。フィルターには、活性炭を使用するのが良い。活性炭のフィルター8は前記沈殿した酸化物等の不純物以外に、容器等から溶出する有機物を除去する効果もある。以上によって、電解液中の鉄の濃度を1mg/L以下とすることができる。
不純物の除去後、この液をカソード側に間歇的又は連続的に導入し、カソライトとして使用して電解精製する。
電流効率は80〜100%となる。以上によって、純度5Nの電析ニッケル(カソードに析出)が得られる。すなわち、ガス成分を除き5N(99.999wt%)以上であり、不純物としてO:30wtppm以下、C,N,S,P,F,Hをそれぞれ10wtppm以下とすることができる。
さらに、電解によって得られた電析ニッケルを電子ビーム溶解等の真空溶解を行うことができる。この真空溶解によって、Na、K等のアルカリ金属やその他の揮発性不純物及びガス成分を効果的に除去できる。
また、本発明においては、イオン交換樹脂や溶媒抽出を行っていないので、有機物が混入することがなく、有機溶媒に起因する不純物元素を抑制できる。
実施例及び比較例
次に、本発明の実施例について説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内で、実施例以外の態様あるいは変形を全て包含するものである。
(実施例1)
図1に示すような電解槽を用い、4Nレベルの塊状のニッケル原料1kgをアノードとし、カソードに2Nレベルのニッケル板を使用して電解を行った。原料の不純物の含有量を表1に示す。ニッケル原料には、主として鉄、炭素、酸素等が多く含有されている。
浴温50°C、硫酸系電解液で弗酸を1mol/Lを添加し、ニッケル濃度50g/L、電流密度2A/dm2、電解時間40hr実施した。
液のpHを2に調節した。この時、アノライトを間歇的に抜き出す。抜き出したアノライトに過酸化水素(H2O2)を入れて、2価の鉄を3価に変え、鉄等の不純物を水酸化物Fe(OH)3として沈殿させた。
さらに、この沈殿物等の不純物を、活性炭フィルターを使用して除去した。以上によって、電解液中の鉄の濃度が1mg/L以下とすることができた。
不純物の除去後、この液をカソード側すなわちカソードバスケット内に間歇的に導入し、カソライトとして使用して電解した。
電析ニッケル(カソードに析出)約1kgを得た。純度は5Nを達成した。すなわち、ガス成分を除き5N(99.999wt%)以上であり、不純物としてO:30wtppm以下、C,N,S,P,Fがそれぞれ10wtppm以下とすることができた。以上の結果を原料と対比して、表1に示す。
(実施例2)
実施例1と同じ電解槽を用い、4Nレベルの塊状の原料ニッケルをアノードとし、カソードに3Nレベルのニッケル板を使用して電解を行った。
浴温30°C、塩酸系電解液で、ニッケル濃度80g/L、電流密度5A/dm2、電解時間40hr実施した。
実施例1と同様に、液のpHを2に調節した。この時、アノライトを間歇的に抜き出す。抜き出したアノライトに過酸化水素(H2O2)を入れて、2価の鉄を3価に変え、鉄等の不純物を水酸化物Fe(OH)3として沈殿させた。
さらに、この沈殿物等の不純物を、活性炭フィルターを使用して除去した。以上によって、電解液中の鉄の濃度が1mg/L以下とすることができた。
不純物の除去後、この液をカソード側すなわちカソードバスケット内に間歇的に導入し、カソライトとして使用して電解した。
電析ニッケル(カソードに析出)約1kgを得た。この電析ニッケルをさらに電子ビーム溶解した。電子ビーム溶解条件は、1A、30kW、真空度2〜5×10−4mmHgで実施した。以上の結果を、同様に表1に示す。
(比較例1)
図1に示すような電解槽を用い、4Nレベルの塊状のニッケル原料1kgをアノードとし、カソードに3Nレベルのニッケル板を使用して電解を行った。原料の不純物の含有量を表1に示す。
浴温50°C、硫酸系電解液で弗酸を1mol/Lを添加し、ニッケル濃度50g/L、電流密度2A/dm2、電解時間40hr実施した。
液のpHを2は調節した。この時、アノライトを抜き出さず、そのまま電解を続けた。
電析ニッケル(カソードに析出)約1kgを得た。
以上の結果を、同様に表1に示す。
表1に示すように、実施例1では、原料の鉄50wtppmが2wtppmに、酸素200wtppmが20wtppmに、炭素50wtppmが10wtppm未満、C,N,S,P,F10wtppmをそれぞれ10wtppm未満とすることができた。
また、実施例2では、鉄1wtppm、酸素10wtppm未満、その他の不純物10wtppm未満とすることができた。
これに対し、比較例1では、C,N,S,P,F10wtppmをそれぞれ10wtppm未満とすることができたが、鉄50wtppm、また酸素60wtppmで実施例に比べ精製効果が劣り、特に鉄の除去が困難であった。
(実施例3)
3Nレベルの塊状のニッケル原料1kgをアノードとし、カソードに2Nレベルのアルミニウム板を使用して電解を行った。原料の不純物の含有量を表2に示す。このニッケル原料には、鉄、コバルト、銅、炭素、酸素等が多く含有されている。
電解条件は、浴温40°C、硫酸系電解液に塩酸を1mol/Lを添加し、ニッケル濃度100g/L、電流密度3A/dm2、電解時間25hr実施した。
液のpHは2.5に調節した。この時、アノライトを間歇的に抜き出す。抜き出したアノライトは、予備電解槽で電流密度0.1A/dm2で電解を行い、鉄、コバルト、銅等を除去した。
さらに、活性炭フィルターを使用して電解液中の有機物を除去した。以上によって、電解液中の鉄、コバルト、銅等の濃度を1mg/L以下にすることができた。
不純物の除去後、この液をカソード側すなわちカソードバスケット内に間歇的に導入し、カソライトとして使用して電解した。
その結果、電析ニッケル約1.1kgを得た。純度は5Nを達成した。すなわち、ガス成分を除き5N以上であり、不純物としてO:20wtppm、C,N,S,P,Fはそれぞれ10wtppm以下とすることができた。以上の結果を原料と対比して、表2に示す。
(実施例4)
3Nレベルの塊状のニッケル原料1kgをアノードとし、カソードに2Nレベルのチタン板を使用して電解を行った。原料の不純物の含有量を表2に示す。このニッケル原料には、鉄、コバルト、銅、炭素、酸素等が多く含有されている。
電解条件は、浴温60°C、硫酸系電解液に塩酸を1mol/Lを添加し、ニッケル濃度100g/L、電流密度1.5A/dm2、電解時間50hr実施した。
液のpHは2.7に調節した。この時、アノライトを間歇的に抜き出す。抜き出したアノライトは、置換槽で2NレベルのNi箔で電解液中の不純物との置換を行い、鉄、コバルト、銅等を除去した。
さらに、活性炭フィルターを使用して電解液中の有機物を除去した。以上によって、電解液中の鉄、コバルト、銅等の濃度を1mg/L以下にすることができた。
不純物の除去後、この液をカソード側すなわちカソードバスケット内に間歇的に導入し、カソライトとして使用して電解した。
その結果、電析ニッケル約1.1kgを得た。純度は5Nを達成した。すなわち、ガス成分を除き5N以上であり、不純物としてO:20wtppm、C,N,S,P,Fはそれぞれ10wtppm以下とすることができた。以上の結果を原料と対比して、同様に表2に示す。
(実施例5)
上記実施例3の工程において、アノライトを間歇的に抜き出し、抜き出したアノライトを予備電解槽で電流密度0.1A/dm2で電解を行い、これをさらに実施例4の置換槽における置換反応と同一の条件で鉄、コバルト、銅等の不純物を除去した(予備電解と置換反応の組合せ)。
そして、この工程以外は実施例3と同一の工程により電析ニッケル約1.1kgを得た。この結果、純度はガス成分を除き5N以上であり、不純物としてO:10wtppm、C,N,S,P,Fはそれぞれ10wtppm以下とすることができた。以上の結果を原料と対比して、同様に表2に示す。
以上から、本発明の、アノードとカソードを隔膜で仕切り、該アノライトを間歇的又は連続的に抜き出し、これに酸化剤を入れて鉄等の不純物を水酸化物として沈殿させ、さらにフィルターを使用して不純物を除去し、除去後の液をカソード側に間歇的又は連続的に入れて電解することは、鉄を効果的に除去し、高純度ニッケルを得る上で、簡便な方法でありかつ極めて有効であることが分かる。
発明の効果
以上に示すように、電解液としてニッケル含有溶液を用い、鉄、炭素、酸素等が多く含有されるニッケル原料から、ニッケル含有溶液を用いて電解精製する簡便な方法を提供するものであり、簡単な製造工程の改良により、同原料から純度5N(99.999wt%)以上の高純度ニッケルを効率的に製造できるという著しい効果を有する。
【図面の簡単な説明】
図1は、電解工程の概要を示す図である。
Claims (7)
- 電解液としてニッケル含有溶液を用いて電解する際に、アノードとカソードを隔膜で仕切り、アノード側にアノライトを、カソード側にカソライトを用いてなる電解槽において、アノライトをpH2〜5に調整し、アノライトに含有されている鉄、コバルト、銅等の不純物を、酸化剤を入れて該不純物を水酸化物として沈殿除去するか、若しくは予備電解により該不純物を除去するか、又はNi箔を入れて置換反応により該不純物を除去するかの、いずれか1又は2以上の方法を組合せることにより不純物を除去した後、さらにフィルターを使用して不純物を除去し、除去後の液をカソライトとして使用し電解することを特徴とする高純度ニッケルの製造方法。
- アノードとカソードを隔膜で仕切り、アノライトを間歇的又は連続的に抜き出し、これに酸化剤を入れて鉄等の不純物を水酸化物として沈殿させ、さらにフィルターを使用して不純物を除去し、除去後の液をカソード側に間歇的又は連続的に入れることを特徴とする請求項1記載の高純度ニッケルの製造方法。
- アノードとカソードを隔膜で仕切り、アノライトを間歇的又は連続的に抜き出し、このアノライトを予備電解して鉄、コバルト、銅等の不純物を除去した後、さらにフィルターを使用して不純物を除去し、除去後の液をカソード側に間歇的又は連続的に入れることを特徴とする請求項1記載の高純度ニッケルの製造方法。
- アノードとカソードを隔膜で仕切り、アノライトを間歇的又は連続的に抜き出し、このアノライトにニッケル箔を入れて置換反応により、鉄、コバルト、銅等の不純物を除去した後、さらにフィルターを使用して不純物を除去し、除去後の液をカソード側に間歇的又は連続的に入れることを特徴とする請求項1記載の高純度ニッケルの製造方法。
- フィルターとして活性炭を使用することを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の高純度ニッケルの製造方法。
- フィルター通過後の、電解液中の鉄の濃度が1mg/L以下であることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の高純度ニッケルの製造方法。
- 電解によって得られた電析ニッケルを電子ビーム溶解等の真空溶解を行うことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の高純度ニッケルの製造方法。
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