JP3095730B2 - 高純度コバルトの製造方法 - Google Patents
高純度コバルトの製造方法Info
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Description
方法に関するものであり、特に複数段電解精製法と溶媒
抽出法とを組合せることにより半導体デバイス製造用の
コバルト・スパッタリングターゲット材等として重要で
ある5N以上の高純度のコバルトの製造のための電解精
製方法に関する。本発明により精製された高純度コバル
トは、特に鉄及びニッケルを含め半導体デバイスに有害
な金属不純物が要求量以下に低減されており、半導体デ
バイス製造用のコバルト・スパッタリングターゲット材
等として好適である。
としてシリコンが主に用いられてきたが、LSIの高集
積化に伴い、モリブデン、タングステン等のシリサイド
に置き換えられつつあり、更には最近ではチタン及びコ
バルトのシリサイドの活用に関心が高まりつつある。ま
た、従来から用いられてきたアルミニウムやアルミニウ
ム合金に替えてコバルトを配線材として用いる試みも進
んでいる。こうしたコバルト及びコバルトシリサイド製
電極や配線は代表的に、コバルト製ターゲットをアルゴ
ン中で、必要に応じシリコンターゲットと共にスパッタ
することにより形成される。
イス部材は、信頼性のある半導体動作性能を保証するた
めには、半導体デバイスに有害な金属不純物が最小限し
か含まれていないことが重要である。そのためには、コ
バルトターゲットの純度を確保すること、すなわちター
ゲット原料自体の高純度化が必須である。半導体デバイ
スに有害な不純物は主として、(1)Na、K、Li等
のアルカリ金属、(2)U、Th等の放射性金属及び
(3)Fe、Ni等の重金属である。Na、K、Li等
のアルカリ金属は、ゲート絶縁膜中を容易に移動し、M
OS−LSI界面特性の劣化の原因となる。U、Th等
の放射性金属は、それから放出されるα線によって素子
のソフトエラーの原因となる。Fe、Ni等の重金属は
界面接合部におけるリーク現象の原因となる。
0.1ppm以下、放射性元素含有率が0.1ppb以
下そして重金属含有率が10ppm以下であることが要
望されている。
コバルト塊は、数ppm〜数十ppmの鉄そして数百p
pmのニッケルその他の不純物を含有している。高純度
コバルトの製造方法としては、純度の低いコバルトを電
気化学的に溶解し、イオン交換法を用いて、コバルト水
溶液中の不純物を取り除き、溶液を濃縮して、さらに電
解採取により高純度電解コバルトを製造する方法が、例
えばBourahla,Acad.Sci,Ser,
C.278(10)679−680(1974)に記載
されている。しかし、この方法は、バッチ式であり、従
って少量生産向きであリ、工程が多くコストが高い等の
問題があった。
として、不溶性のアノードを用いて電解液を電気分解し
てカソードに目的金属を析出させる方法である。そのた
め、例えば硫酸コバルト水溶液からのコバルトの電解採
取法においては、アノードにおける酸素ガス発生のため
の過電圧が必要であり、目的金属を可溶性アノードとし
て電解してカソードに目的金属を析出させる電解精製法
と比較して、上記の問題以外にも槽電圧が約2V程度高
くなり、又コバルト濃度及びpH調整が必要である等種
々の問題点があった。
製法では不純物であるニッケル及び鉄とコバルトとの標
準電極電位が非常に近いため、電解精製法による高純度
化は難しいとされてきた。
ゲット等の用途に適したニッケル及び鉄等の不純物を最
小限しか含まない5N(99.999%、以下単に5N
と記す)レベル以上の水準の高純度のコバルト製造技術
を開発することである。
ルト水溶液を電解液としてアノードからカソード上に精
製コバルト金属を電析させる電解槽を第1段から最終段
まで複数段用いてコバルトの段階的精製を基本とし、そ
こに、各段のアノードはその前の段で得られたカソード
を使用し、電解液は最終段から第1段に向けて間欠的或
いは連続的に流しつつ、第1段の電解槽からの電解液を
溶媒抽出により主としてニッケルを除去した後最終段に
循環し、そして最終段において電解液を溶媒抽出により
主として鉄を除去することにより、更には最終段から回
収したカソードを真空溶解することにより、ニッケル及
び鉄等の不純物を最小限しか含まない5Nレベル以上の
水準の高純度のコバルトを容易に製造することができる
ことを見出した。
カソード上に精製コバルト金属を電析させる電解槽を第
1段から最終段まで複数段用いてコバルトの段階的精製
による高純度コバルト製造方法であって、電解液は最終
段から第1段に向けて間欠的或いは連続的に流し、第1
段の電解槽からの電解液を溶媒抽出により主としてニッ
ケルを除去した後最終段に循環し、第1段のアノードは
粗コバルト金属を使用しそして第2段以降の各段のアノ
ードはその前の段で得られたカソードを使用し、そして
最終段において間欠的に或いは連続的に電解液を抜き出
して溶媒抽出により主として鉄を除去し、そして最終段
のカソードを回収することを特徴とする高純度コバルト
の製造方法、 (2)硫酸コバルト水溶液を電解液としてアノードから
カソード上に精製コバルト金属を電析させる電解槽を第
1段から最終段まで複数段用いてコバルトの段階的精製
による高純度コバルト製造方法であって、電解液は最終
段から第1段に向けて間欠的或いは連続的に流し、第1
段の電解槽からの電解液を溶媒抽出により主としてニッ
ケルを除去した後最終段に循環し、第1段のアノードは
粗コバルト金属を使用しそして第2段以降の各段のアノ
ードはその前の段で得られたカソードを使用し、そして
最終段において間欠的に或いは連続的に電解液を抜き出
して溶媒抽出により主として鉄を除去し、最終段のカソ
ードを回収し、そして回収したカソードを真空溶解する
ことを特徴とする高純度コバルトの製造方法を提供する
ものである。
いは連続的に流し、電析したコバルトを純度に応じて次
段の電解液中の不純物濃度の低い電解槽のアノードとし
て用い、第1段の電解槽からの電解液を溶媒抽出により
主としてニッケルを除去した後最終段に循環しそして最
終段において電解液を溶媒抽出により主として鉄を除去
することにより電解作用及び溶媒抽出作用により重金属
及び放射性元素を除去し、そして最終段の回収したカソ
ードを真空溶解することにより揮発性のアルカリ金属を
除去する。
てアノードからカソード上に精製コバルト金属を電析さ
せる3段の電解槽1、2、3を用いてコバルトの段階的
精製による高純度コバルト製造方法を示す流れ図であ
る。電解槽の材質は、不純物の溶出が少ない塩化ビニ
ル、ポリプロピレン、ポリエチレン等が好ましい。電解
液は最終段である第3段から第1段に向けて間欠的或い
は連続的に流される。従って、下流にいくほど電解液中
の不純物濃度は高くなる。第1段の電解槽からの不純物
の多くなった電解液は、必要に応じ、コバルトを補加し
た後、溶媒抽出ステージ4において溶媒抽出により主と
してニッケルを除去した後最終段に循環される。第1段
の電解槽1では、3N程度の純度の粗コバルト塊をアノ
ードボックスに装入したものをアノードA1としそして
コバルト、チタン等を種板とするカソードC1の間で電
解精製が行われる。なお、コバルトを種板とする場合に
は、予め本方法等で製造した所定の純度のコバルト板を
使用すれば良い(以下、同様)。コバルトがカソードC
1上に電析する。第2段の電解槽2では、電析したカソ
ードC1をアノードA2として用いて、同様にカソード
C2上に電析を行う。第3段の電解槽3では、第2段の
電析したカソードC2をアノードA3として用いてカソ
ードC3上に電析を行う。第3段は、隔膜5を用いて電
解槽をアノライトとカソライトに仕切り、アノードA3
とカソードC3とがそれぞれに配置されている。アノラ
イトからの電解液を溶媒抽出ステージ6において溶媒抽
出により主として鉄を除去した後、カソライトに循環す
る。そして最終段の電析カソードC3が回収される。
硫酸コバルト水溶液である。その電解液中の最適コバル
ト濃度は、一般に40〜140g/lであり、より好ま
しくは、70〜120g/lである。40g/l未満で
は、水素の発生量が多くなるため電流効率が非常に悪く
なり、また電析コバルト中の不純物濃度も上がるため好
ましくない。140g/lを超えると、硫酸コバルトが
析出して電析状態に悪影響を及ぼすため好ましくない。
〜3であり、より好ましくは1.5〜2.5である。p
H0.5未満では、水素の発生量が多くなり電流効率が
非常に低下するため好ましくない。pH3を超えると、
電析コバルト中の不純物、特にニッケルの含有量が急激
に増加するため好ましくない。
〜1A/cm2 である。0.001A/cm2 未満であ
れば、生産性が低下し、効率的でない。他方、1A/c
m2を超えると、電析コバルト中の不純物濃度が上がり
さらに電流効率も低くなり好ましくない。
く、より好ましくは、35〜55℃である。10℃未満
であれば、電流効率が低下し、好ましくない。65℃を
超えると、電解液の蒸発が多くなり、電解液中のコバル
ト濃度が変動したり、硫酸コバルトが析出したりして好
ましくない。
濃度は、電析コバルト中の不純物含有量に予想以上に強
く影響を及ぼすことが判明した。図2は、電解液中のニ
ッケル平均濃度と電析コバルト中のニッケル濃度の関係
を示したグラフである。液中のニッケル平均濃度(平均
濃度とは電解開始時と電解終了時の濃度の平均値であ
る)と電析コバルト中のニッケル含有量の関係式を求め
たところ、Y=0.78Xで表わされることが判明し
た。これより、5N以上を目指すには、電析コバルト中
のニッケル含有量を10ppm未満、より安全を考えて
1ppm以下にする必要があり、この場合電解液中のニ
ッケルの平均濃度を1.3mg/l以下にしなければな
らないことがわかる。
に対してニッケルを主とする不純物優先抽出の溶媒とし
て、アルキルリン酸と非キレート系のアルキルオキシム
の混合系が最適である。アルキルリン酸としては、D2
EHPA等を挙げることができる。非キレート系のアル
キルオキシムとして、2エチルヘキサナールオキシム
(EHO)、3,5,5−トリメチルヘキサナールオキ
シム(TMHO)等を挙げることができる。希釈剤とし
ては、ノルマルパラフィン、キシレン等使用できる。な
お、抽出剤と希釈剤のみの場合、抽出及び逆抽出等にお
いて、有機相の相分離、有機金属塩の析出、エマルジョ
ンの生成、粘度の上昇等の問題が発生する場合がある。
この様な場合、調整剤を加えることにより、上記の様な
問題点を解消できることがある。代表的な調整剤とし
て、トリデカノール等がある。この溶媒抽出操作後、活
性炭等を用いて液中の油を除去して、電解液として使用
する。
物を優先抽出するための抽出剤の使用可能な組成範囲は
次の通りである: アルキルリン酸:0.2〜2モル/l アルキルオキシム:0.5〜4モル/l 調整剤:0.5〜4容積% 稀釈剤:残部 そして、Niを含む電解液からNiを抽出して電解液中
のNi濃度を低減させるためには、公知の方法で電解液
のpH、O/A比、抽出段数等を決めれば良い。例え
ば、Ni濃度80mg/lの電解液の場合、pH=2、
O/A=2、そして抽出段数を6段とすれば、Ni濃度
を0.1mg/lとすることができる。なお、Niの逆
抽出は例えば硫酸を用いれば良い。
鉄の除去を行う。原料中の鉄がそのまま移行して電析す
るので、本発明では最終段において鉄を主として除去す
るために、アノライトの電解液を抜き出し、アルキルリ
ン酸等の抽出剤を用いての溶媒抽出が行われ、必要に応
じ、活性炭等で油を除去した後カソライトに循環され
る。アルキルリン酸としては、D2EHPA、PC88
A等が代表例である。
先抽出するための抽出剤の使用可能な組成範囲は次の通
りである: アルキルリン酸:0.2〜2モル/l 調整剤:0.5〜4容積% 稀釈剤:残部 そして、Feを含む電解液からFeを抽出し、電解液中
のFe濃度を低減させるためには、公知の方法で電解液
のpH、O/A比、抽出段数等を決めれば良い。例え
ば、Fe濃度0.04mg/lの電解液の場合、pH=
2、O/A=1、そして抽出段数を1段とすれば、Fe
濃度を0.01mg/l以下とすることができる。な
お、Feの逆抽出は例えば硫酸、塩酸、シュウ酸等を用
いれば良い。
均約40〜50mg/lとされ、この場合電析コバルト
のNi含有量は約30〜40ppmである。第2段電解
槽のNi不純物濃度は例えば平均約4〜5mg/lとさ
れ、この場合電析コバルトのNi含有量は約3〜4pp
mである。第3段電解槽のNi不純物濃度は例えば平均
約0.5〜1mg/lとされ、この場合回収された電析
コバルトのNi含有量は約1ppm以下である。なお、
この操作において、各電解槽の液は連続的に流しても良
いが、電解液流量のコントロールの必要性等を考慮に入
れると、生産量が少ない場合にはバッチ式で(間欠的
に)行うのが簡便である。
ト中には、不純物、特に放射性元素が0.1ppb以下
そしてニッケル及び鉄含有量が10ppm以下、特には
0.5ppm以下に低減されている。
ンビーム溶解等の真空溶解方法で溶解し、そこに含まれ
るNa、K等の揮発性元素が取り除かれる。エレクトロ
ンビーム溶解は、電極(ここでは電析Co)をまず作製
し、それを再溶解して高純度のインゴットを得る方法で
ある。電極の高温での溶解中、揮発成分が蒸発する。例
えば、次の条件で、エレクトロンビーム溶解が実施され
る: 電流:0.7A 電圧:20V 真空度:10-5mmHg 溶解量:5kg 時間:2hr
た場合の例を示す。表1に示す純度の粗コバルト塊を第
1段の電解槽においてアノードボックスに装入した。カ
ソード種板としては厚さ2mm×巾200mm×長さ3
00mmのコバルト板を用いた。第1段電解槽のNi濃
度は平均15mg/lであった。電解液中のCo濃度は
約100g/lであった。電解は、温度:約50℃、p
H:2そしてカソード電流密度:0.02A/cm2 と
して実施した。これによって得た電析コバルトカソード
を隔膜でアノライトとカソライトに仕切った第2段の電
解槽のアノライトに装入した。カソライトのカソードと
しては、第1段と同じくカソード種板としての厚さ2m
m×巾200mm×長さ300mmのコバルト板を用い
た。第2段の電解槽での電解条件は第1段と同じとし
た。第1段の電解槽からの電解後液をD2EHPAを
0.5mol/l、EHOを2mol/l、トリデカノ
ールを2vol%そして残りをノルマルパラフィンとし
た抽出液を用いて溶媒抽出(pH=2、O/A=2、抽
出段数=6段)により主にNi除去後活性炭で油を除去
した後第2段の電解液として用いた。第2段の電解槽に
おいては、アノライトから電解液を連続的に抜き出し、
D2EHPAを0.5mol/l、トリデカノールを2
vol%そして残りをノルマルパラフィンとした抽出液
を用いて溶媒抽出(pH=2、O/A=1、抽出段数=
1段)により主にFeを除去後(Fe<0.01mg/
l)、活性炭で油を除去した後カソライトに循環させ
た。第2段の電解槽のNi濃度は平均0.64mg/
l、Fe濃度は平均0.01mg/l未満であった。な
お、電着したCo量は8.7kgであった。第2段での
電析コバルトの不純物含有量を表1に示す。第2段の電
解槽から回収した電析カソードをエレクトロンビーム溶
解した後の不純物含有量をも表1に示す。
た場合の例を示す。実施例1と同じ純度の粗コバルト塊
を第1段の電解槽においてアノードボックスに装入し
た。カソード種板としては厚さ2mm×巾200mm×
長さ300mmのコバルト板を用いた。第1段電解槽の
Ni濃度は平均43mg/lであった。電解液中のCo
濃度は約100g/lであった。電解は、温度:約50
℃、pH:2そしてカソード電流密度:0.02A/c
m2 として実施した。第1段階電解槽で得られた電析カ
ソードを第2段電解槽のアノードとして使用し、同じく
コバルト製種板を用いて第1段と同じ電解条件で第2段
電解槽で更に電解を行った。第2段電解槽のNi濃度は
平均5mg/lであった。これによって得た電析コバル
トカソードを隔膜でアノライトとカソライトに仕切った
第3段の電解槽のアノライトに装入した。カソライトの
カソードとしては、第1段と同じくカソード種板として
の厚さ2mm×巾200mm×長さ300mmのコバル
ト板を用いた。第3段の電解槽での電解条件は第1段と
同じとした。第3段電解槽のNi濃度は平均0.6mg
/l、Fe濃度は平均0.01mg/l未満であった。
第1段の電解槽からの電解後液をD2EHPAを0.5
mol/l、EHOを2mol/l、トリデカノールを
2vol%そして残りをノルマルパラフィンとした抽出
液を用いて溶媒抽出(pH=2、O/A=2、抽出段数
=6段)により主にNi除去後(Ni=0.1mg/
l)、活性炭で油を除去した後第3段の電解液として用
いた。第3段の電解槽においては、アノライトから電解
液を連続的に抜き出し、D2EHPAを0.5mol/
l、トリデカノールを2vol%そして残りをノルマル
パラフィンとした抽出液を用いて溶媒抽出(pH=2、
O/A=1、抽出段数=1段)により主にFeを除去後
(Fe<0.01mg/l)、活性炭で油を除去した後
カソライトに循環させた。粗コバルト並びに第1、2及
び3段で得られた電析コバルトの不純物含有量を表2に
示す。なお、電着したCo量は23.4kgであった。
第3段の電解槽から回収した電析カソードをエレクトロ
ンビーム溶解した後の不純物含有量をも表2に示す。
した高純度コバルトが、電解精製により容易に得ること
ができ、得られた高純度コバルトは、半導体デバイス製
造用のターゲット用材料として好適である。電解液を再
循環しているために廃液の量が少なくてすみ、電流効率
が高く、処理量を大きくすることができ、段数による純
度に応じた製品を製造することができる。
ある。
ルト中のニッケル含有量の関係を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項1】 硫酸コバルト水溶液を電解液としてアノ
ードからカソード上に精製コバルト金属を電析させる電
解槽を第1段から最終段まで複数段用いてコバルトの段
階的精製による高純度コバルト製造方法であって、電解
液は最終段から第1段に向けて間欠的或いは連続的に流
し、第1段の電解槽からの電解液を溶媒抽出により主と
してニッケルを除去した後最終段に循環し、第1段のア
ノードは粗コバルト金属を使用しそして第2段以降の各
段のアノードはその前の段で得られたカソードを使用
し、そして最終段において間欠的に或いは連続的に電解
液を抜き出して溶媒抽出により主として鉄を除去し、そ
して最終段のカソードを回収することを特徴とする高純
度コバルトの製造方法。 - 【請求項2】 硫酸コバルト水溶液を電解液としてアノ
ードからカソード上に精製コバルト金属を電析させる電
解槽を第1段から最終段まで複数段用いてコバルトの段
階的精製による高純度コバルト製造方法であって、電解
液は最終段から第1段に向けて間欠的或いは連続的に流
し、第1段の電解槽からの電解液を溶媒抽出により主と
してニッケルを除去した後最終段に循環し、第1段のア
ノードは粗コバルト金属を使用しそして第2段以降の各
段のアノードはその前の段で得られたカソードを使用
し、そして最終段において間欠的に或いは連続的に電解
液を抜き出して溶媒抽出により主として鉄を除去し、最
終段のカソードを回収し、そして回収したカソードを真
空溶解することを特徴とする高純度コバルトの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10302338A JP3095730B2 (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 高純度コバルトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10302338A JP3095730B2 (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 高純度コバルトの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16739393A Division JPH073486A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 高純度コバルト及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11193483A JPH11193483A (ja) | 1999-07-21 |
JP3095730B2 true JP3095730B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=17907739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10302338A Expired - Lifetime JP3095730B2 (ja) | 1998-10-23 | 1998-10-23 | 高純度コバルトの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3095730B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
CN113026056B (zh) * | 2021-03-08 | 2023-10-24 | 成都盛威兴科新材料研究院合伙企业(有限合伙) | 一种采用钴中间品二次电解生产电解钴的方法 |
-
1998
- 1998-10-23 JP JP10302338A patent/JP3095730B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11193483A (ja) | 1999-07-21 |
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