JPS6184389A - 高純度電気銅の製造方法 - Google Patents
高純度電気銅の製造方法Info
- Publication number
- JPS6184389A JPS6184389A JP59204346A JP20434684A JPS6184389A JP S6184389 A JPS6184389 A JP S6184389A JP 59204346 A JP59204346 A JP 59204346A JP 20434684 A JP20434684 A JP 20434684A JP S6184389 A JPS6184389 A JP S6184389A
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- Japan
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- copper
- electrolytic
- high purity
- electrolytic copper
- sulfuric acid
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分骨〕
本発明は、純度99.999重量%以上の高純度銅を電
解精製法により製造する方法に関する。
解精製法により製造する方法に関する。
従来、銅の電解精製では一般的に銅濃度1.0〜50
g/l 、遊離硫酸濃度150〜220 g/lの電解
液中で陽極として純度99%前後の粗銅を用い陰極に純
銅を使用して、液温50〜70C1陰極電流密度1〜3
Al6.mで電解し、陰極上に純銅(電気銅)を析出
させて回収している。得られる電気銅は主な不純物とし
てS z Afg % O(それぞれ)6〜10T’l
)m%010〜20 ppm等を含むために、その純度
は99.99重量%程度である。
g/l 、遊離硫酸濃度150〜220 g/lの電解
液中で陽極として純度99%前後の粗銅を用い陰極に純
銅を使用して、液温50〜70C1陰極電流密度1〜3
Al6.mで電解し、陰極上に純銅(電気銅)を析出
させて回収している。得られる電気銅は主な不純物とし
てS z Afg % O(それぞれ)6〜10T’l
)m%010〜20 ppm等を含むために、その純度
は99.99重量%程度である。
′よりS含有量が低い電気銅を製造するために添加剤と
して分子量が100〜1000のポIJ エチレングリ
コールを使用した例(特開昭57−16188号公報)
水溶性芳香族アゾ化合物を使用した例(特開昭57−1
6187号公報)があるが、精製粗銅を原料とし、硫酸
酸性の硫酸銅溶液を電解液とする電解ではS含有量を、
約8 ppm士で減少させるのが限度であり−その他不
純物例えばA(<、O等の減少は特別な対策がなされて
いないために期待できない等の問題がある。
して分子量が100〜1000のポIJ エチレングリ
コールを使用した例(特開昭57−16188号公報)
水溶性芳香族アゾ化合物を使用した例(特開昭57−1
6187号公報)があるが、精製粗銅を原料とし、硫酸
酸性の硫酸銅溶液を電解液とする電解ではS含有量を、
約8 ppm士で減少させるのが限度であり−その他不
純物例えばA(<、O等の減少は特別な対策がなされて
いないために期待できない等の問題がある。
発明者等は従来の銅の電解精製においてS、Ag等不純
物の混入原因を考察検討し種々調査した結果、従来の銅
の電解精製においては・Sは析出結晶粒界への電解液中
の硫酸根物質の混入、及び添加剤として使用するチオ尿
素の吸着、還元にょる析出銅の硫化等の原因により共析
し、AgはCuと共に溶解した後に陽極近傍における二
次反応により生成したセレン化銀等のスライムを、陰極
上に電気銅を析出させる際に噛み込んだり、溶解してイ
オン状態のものが電気化学的な還元により電気銅へ混入
する等の原因により共析する。また、陰極に析出する純
銅の結晶が粗大化する電解条件では、前記した様な結晶
粒界に電解液が残留することによる不純物の混入、瘤、
あるいはデンドライト状突起が生じて電気的短絡やスラ
イムの混入の現象を生じてしまう。この対策としてチオ
尿素等の有機添加剤を使用するが、この場合は前記した
様なSの共析のみならずCの共析が起こる可能性がある
。
物の混入原因を考察検討し種々調査した結果、従来の銅
の電解精製においては・Sは析出結晶粒界への電解液中
の硫酸根物質の混入、及び添加剤として使用するチオ尿
素の吸着、還元にょる析出銅の硫化等の原因により共析
し、AgはCuと共に溶解した後に陽極近傍における二
次反応により生成したセレン化銀等のスライムを、陰極
上に電気銅を析出させる際に噛み込んだり、溶解してイ
オン状態のものが電気化学的な還元により電気銅へ混入
する等の原因により共析する。また、陰極に析出する純
銅の結晶が粗大化する電解条件では、前記した様な結晶
粒界に電解液が残留することによる不純物の混入、瘤、
あるいはデンドライト状突起が生じて電気的短絡やスラ
イムの混入の現象を生じてしまう。この対策としてチオ
尿素等の有機添加剤を使用するが、この場合は前記した
様なSの共析のみならずCの共析が起こる可能性がある
。
本発明はこのような問題を解決し、従来の生産性が高く
、且つ操業管理も容易な硫酸酸性電解液による電解法を
活用し、SXAg等不純物を減少させ、純度99.99
9重量%以上の高純度銅を効率的に製造する方法を提供
することにある。
、且つ操業管理も容易な硫酸酸性電解液による電解法を
活用し、SXAg等不純物を減少させ、純度99.99
9重量%以上の高純度銅を効率的に製造する方法を提供
することにある。
即ち本発明は、隔膜内に配した電気銅を陽極とし高純度
の硫酸銅を遊離硫酸濃度90〜220 g/lの硫酸原
溶液に溶解した電解液で、陰極電流密度2.5A7’d
m以下、電解液の温度が4OC以下で、有機質添加剤を
使用することなしに純度99.999重量%以上の高純
度銅を電解精製により製造する方法である。
の硫酸銅を遊離硫酸濃度90〜220 g/lの硫酸原
溶液に溶解した電解液で、陰極電流密度2.5A7’d
m以下、電解液の温度が4OC以下で、有機質添加剤を
使用することなしに純度99.999重量%以上の高純
度銅を電解精製により製造する方法である。
本発明で陽極とする電気銅は従来の銅の電解精製で得ら
れる銅であり、前記した様にSXAg、0それぞれ6〜
】OppmXc1o〜20ppm等の不純物を含有して
いるが、同等の不純物濃度の銅でも適用可能である。
れる銅であり、前記した様にSXAg、0それぞれ6〜
】OppmXc1o〜20ppm等の不純物を含有して
いるが、同等の不純物濃度の銅でも適用可能である。
陰極母板としては、高純度銅板、チタン板もしくはステ
ンレス製板が使用できる。
ンレス製板が使用できる。
高純度の硫酸銅は不純物濃度がFe5Niそれぞれ10
pI)m以下、Sb、 Bi、As5Pbそれぞれ5
ppm以下含有するものが望ましい。
pI)m以下、Sb、 Bi、As5Pbそれぞれ5
ppm以下含有するものが望ましい。
電解液中の遊離硫酸濃度が90g/1未満では得られる
電着銅の表面の緻密性、平滑性が不良となるので90
get以上とする必要がある。遊離硫酸濃度が高いほど
電着銅の緻密性、平滑性は良くなるが220 g7’l
を超えると硫酸銅の溶解度が減少してしまうので220
g、/l以下とする必要がある。望ましい遊離硫酸濃
度は1507/!程度である。
電着銅の表面の緻密性、平滑性が不良となるので90
get以上とする必要がある。遊離硫酸濃度が高いほど
電着銅の緻密性、平滑性は良くなるが220 g7’l
を超えると硫酸銅の溶解度が減少してしまうので220
g、/l以下とする必要がある。望ましい遊離硫酸濃
度は1507/!程度である。
電解液中銅濃度は低い方が緻密性、平滑性は良くなるが
生産性を考慮すると20〜50g7/l程度、好ましく
は40 g/l程度である。
生産性を考慮すると20〜50g7/l程度、好ましく
は40 g/l程度である。
陰極電流密度が高いほど電着銅の緻密性、平滑性は良く
なるが、ある値を超えた場合には却って緻密性、平滑性
は悪くなり、その値は電解液中の銅濃度が大きいほど大
きい傾向がある。電解液中の銅濃度が+o g7’t
、遊離硫酸濃度が150g/1.の場合には2.5A/
dm を超える陰極電流密度では緻密性、平滑性が悪く
なるので2.5A/dm以下とする必要がある。
なるが、ある値を超えた場合には却って緻密性、平滑性
は悪くなり、その値は電解液中の銅濃度が大きいほど大
きい傾向がある。電解液中の銅濃度が+o g7’t
、遊離硫酸濃度が150g/1.の場合には2.5A/
dm を超える陰極電流密度では緻密性、平滑性が悪く
なるので2.5A/dm以下とする必要がある。
電解時の液温が低いほど電着銅の緻密性、平滑性が良い
傾向があり、40Cを超える液温では電着銅の緻密性、
平滑性が悪くなり、瘤、あるいはデンドライト状結晶が
生成するので、電解時の液温は400以下とする必要が
ある。
傾向があり、40Cを超える液温では電着銅の緻密性、
平滑性が悪くなり、瘤、あるいはデンドライト状結晶が
生成するので、電解時の液温は400以下とする必要が
ある。
その内部に電気銅を配した隔膜は、その電気銅が溶解す
る際に発生する銅粉及び亜酸化銅粉が拡散し陰極の電着
銅に混入、共析するのを防止するためのものであり、型
枠に濾布を固定したボックス状もしくは濾布を袋状にし
た状態で使用する。
る際に発生する銅粉及び亜酸化銅粉が拡散し陰極の電着
銅に混入、共析するのを防止するためのものであり、型
枠に濾布を固定したボックス状もしくは濾布を袋状にし
た状態で使用する。
使用する濾布の通気度は数c c/sec、Ofn程度
が望ましい。濾布の材質は電解液に対する耐蝕性のある
ものなら良く、−例をあげればテトロン+501Bがあ
る。
が望ましい。濾布の材質は電解液に対する耐蝕性のある
ものなら良く、−例をあげればテトロン+501Bがあ
る。
また電解液中のイオン濃度分布を均一にすることも電着
銅の緻密性、平滑性を良くするために大事であり、この
為に電解液の循環速度を従来の電解精製より大きくした
り、エアレーションをしたり、または液循環とエアレー
ションとを併用することが好ましい。電解液の循環速度
は従来銅電解精製の場合の数倍、好ましくは10倍以上
即ち陰極表面1 dm 当り0.041/mn以上で
ある。
銅の緻密性、平滑性を良くするために大事であり、この
為に電解液の循環速度を従来の電解精製より大きくした
り、エアレーションをしたり、または液循環とエアレー
ションとを併用することが好ましい。電解液の循環速度
は従来銅電解精製の場合の数倍、好ましくは10倍以上
即ち陰極表面1 dm 当り0.041/mn以上で
ある。
実施例1
約107の電解槽に幅14.0mm、長さ1/J、Om
mのチタン板(陰極)1枚と、それよりも幅、長さ共G
こ25朋大きな電気銅(陽極)2枚を極板ピッチ1oo
mmで交互に配列し、高純度硫酸銅を硫酸水溶液Gこ溶
解した電解液で(チオ尿素等有機質添加剤を添カロしな
いで)、4・日間(テス)A5では2日間)通電後電着
銅を引き上げて分析した。陽極として使ツタ電気銅の不
純物品位はS n ppm、 Ag 7.6 ppm。
mのチタン板(陰極)1枚と、それよりも幅、長さ共G
こ25朋大きな電気銅(陽極)2枚を極板ピッチ1oo
mmで交互に配列し、高純度硫酸銅を硫酸水溶液Gこ溶
解した電解液で(チオ尿素等有機質添加剤を添カロしな
いで)、4・日間(テス)A5では2日間)通電後電着
銅を引き上げて分析した。陽極として使ツタ電気銅の不
純物品位はS n ppm、 Ag 7.6 ppm。
Fe (1ppmX512 ppmであり、純度!’1
9.419重量%程度の銅である。陽極は材質がテトロ
ン+501Bの濾布を使用して作製したボックス中に配
した。
9.419重量%程度の銅である。陽極は材質がテトロ
ン+501Bの濾布を使用して作製したボックス中に配
した。
電解液は電解槽内の陰極の一側面側から他側面側へ、液
面に平行に且つ数個所から2.5 //min (陰極
表面l d、m当り)の速度で給液し、他側面側底部よ
り排液した。結果を表1に示す。
面に平行に且つ数個所から2.5 //min (陰極
表面l d、m当り)の速度で給液し、他側面側底部よ
り排液した。結果を表1に示す。
表 1
実施例2
約207の電解槽にチタン板(陰極)3枚と電気銅(陽
極)4枚を極板ピッチ100m5で交互に配列しくチタ
ン板、電気銅の寸法、及び陽極用ボックス、濾布は実施
例1と同じ)、実施例1と同じ電解液を使い、7日間通
電復電着銅を引き上げて分析した。電解液は電解槽内の
陰極の一側面側底部より上向きに0.77/min (
陰極表面1 dm 当り)の速度で給液し、他側面側底
部より排液した。
極)4枚を極板ピッチ100m5で交互に配列しくチタ
ン板、電気銅の寸法、及び陽極用ボックス、濾布は実施
例1と同じ)、実施例1と同じ電解液を使い、7日間通
電復電着銅を引き上げて分析した。電解液は電解槽内の
陰極の一側面側底部より上向きに0.77/min (
陰極表面1 dm 当り)の速度で給液し、他側面側底
部より排液した。
結果を表2に示す。
表 2
□
比較例
陰極電流密度= a A/dm (その他の条件は実
施例1と同じ)で同様に電解を行ない(テス) A 7
.8)、また有機質添加剤としてニカワ0.08 mg
/g −電着銅、アビトン0.02mrg−電着銅、チ
オ尿素0.06m+F’g−電着銅を使用した電解を行
なった。(テスト煮9)結果を表3に示す。
施例1と同じ)で同様に電解を行ない(テス) A 7
.8)、また有機質添加剤としてニカワ0.08 mg
/g −電着銅、アビトン0.02mrg−電着銅、チ
オ尿素0.06m+F’g−電着銅を使用した電解を行
なった。(テスト煮9)結果を表3に示す。
表 3
則
侍
〔発明の効果〕
以上のように本発明により電着銅のS、Ag等不純物を
減少でき、純度99.999%以上の高純度銅を効率的
に製造できる。
減少でき、純度99.999%以上の高純度銅を効率的
に製造できる。
尚、このようにして得られた純度99.999%以上の
高純度銅は次に示すような望ましい可能性をもっている
。
高純度銅は次に示すような望ましい可能性をもっている
。
1)従来の電気鋼より伸び率が大きくなり、極細線に加
工できるために、半導体デバイスのボンディングワイヤ
ー、モーターのマグネットワイヤー等へ利用できる。
工できるために、半導体デバイスのボンディングワイヤ
ー、モーターのマグネットワイヤー等へ利用できる。
2)電気炉で溶解する際に発生するSOガス等を減少で
きる。
きる。
出願人 住友金属鉱山株式会社
、・)
ン
Claims (1)
- (1)隔膜内に配した電気銅を陽極とし、硫酸酸性の高
純度硫酸銅溶液を電解液とし、電解液は遊離硫酸濃度を
90〜220g/l、温度40C以下で有機質添加剤を
使用することなく、陰極電流密度を2.5A/dm^2
以下で電解精製することを特徴とする純度99.999
重量%以上の高純度電気銅の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59204346A JPS6184389A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 高純度電気銅の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59204346A JPS6184389A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 高純度電気銅の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6184389A true JPS6184389A (ja) | 1986-04-28 |
Family
ID=16488979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59204346A Pending JPS6184389A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 高純度電気銅の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6184389A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63297583A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Nippon Mining Co Ltd | 高純度電気銅製造方法 |
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WO2010038642A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 日鉱金属株式会社 | 高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲットの製造方法及び高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜 |
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CN109252189A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-01-22 | 金川集团股份有限公司 | 一种铜电解废液净化提取高纯铜的方法 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59204346A patent/JPS6184389A/ja active Pending
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN102165093A (zh) * | 2008-09-30 | 2011-08-24 | Jx日矿日石金属株式会社 | 高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶、该溅射靶的制造方法及高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜 |
JP4680325B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2011-05-11 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲットの製造方法及び高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜 |
US9441289B2 (en) | 2008-09-30 | 2016-09-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | High-purity copper or high-purity copper alloy sputtering target, process for manufacturing the sputtering target, and high-purity copper or high-purity copper alloy sputtered film |
US9476134B2 (en) | 2008-09-30 | 2016-10-25 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | High purity copper and method of producing high purity copper based on electrolysis |
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CN107641821B (zh) * | 2017-09-14 | 2019-06-07 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种硫酸铜电镀液、其制备方法和应用及电解槽 |
CN109252189A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-01-22 | 金川集团股份有限公司 | 一种铜电解废液净化提取高纯铜的方法 |
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