JPS63307291A - 高純度銅の製造方法 - Google Patents
高純度銅の製造方法Info
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- JPS63307291A JPS63307291A JP62139899A JP13989987A JPS63307291A JP S63307291 A JPS63307291 A JP S63307291A JP 62139899 A JP62139899 A JP 62139899A JP 13989987 A JP13989987 A JP 13989987A JP S63307291 A JPS63307291 A JP S63307291A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Landscapes
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、純度99.9999重量%以上の高純度銅を
電解精製法により製造する方法に関する。
電解精製法により製造する方法に関する。
従来、銅の電解精製では陽極として純度99%前後の粗
銅をもちい陰極に電気銅の種板を使用して一般的に銅濃
度40〜50g/7+、遊離硫酸濃度150〜220
g/j!、塩素イオン濃度0.02g/7!程度の電解
液に、チオ尿素、ニカワ等の添加剤を加え、浴温50〜
70℃、陰極電流密度1〜3A/dm2で電解し、陰極
上に純銅を析出させている。得られる純銅は主な不純物
としてS、 Ag。
銅をもちい陰極に電気銅の種板を使用して一般的に銅濃
度40〜50g/7+、遊離硫酸濃度150〜220
g/j!、塩素イオン濃度0.02g/7!程度の電解
液に、チオ尿素、ニカワ等の添加剤を加え、浴温50〜
70℃、陰極電流密度1〜3A/dm2で電解し、陰極
上に純銅を析出させている。得られる純銅は主な不純物
としてS、 Ag。
0をそれぞれ、6〜10ppm 、、Cを10から20
ppm含むために、その純度は99.99重量%程度で
ある。
ppm含むために、その純度は99.99重量%程度で
ある。
近年、集積回路のポンディングワイヤー用、あるいは超
電導材料用として、さらに高純度の銅が要請されてきて
おり、この要請に応えるべく純銅中の主要不純物である
Sの混入を防止するため添加剤としてチオ尿素を用いず
、デンプンまたはデキストリンとニカワとを用いた方法
が開示されている(特開昭59−76886)が、粗銅
を陽極とし、電解液として硫酸酸性の銅溶液を用いる電
解ではS含有量を1〜2ppm、八Sを0.2〜0.3
ppm 、 Biを0、2〜0.5ppm 、 Sbを
0.4〜0.6 ppmまで減少させるのが限度であり
、上記要請に応えることはできない。
電導材料用として、さらに高純度の銅が要請されてきて
おり、この要請に応えるべく純銅中の主要不純物である
Sの混入を防止するため添加剤としてチオ尿素を用いず
、デンプンまたはデキストリンとニカワとを用いた方法
が開示されている(特開昭59−76886)が、粗銅
を陽極とし、電解液として硫酸酸性の銅溶液を用いる電
解ではS含有量を1〜2ppm、八Sを0.2〜0.3
ppm 、 Biを0、2〜0.5ppm 、 Sbを
0.4〜0.6 ppmまで減少させるのが限度であり
、上記要請に応えることはできない。
本発明の目的はこのような問題点を解決し、S。
Ag等不純物を減少させ、純度99.9999重量%以
上の高純度銅を製造する方法を提供することにある。
上の高純度銅を製造する方法を提供することにある。
即ち、本発明は隔膜内に配した純銅を陽極とし、銅濃度
を20〜45g/7!、遊離硫酸濃度を40〜80 g
/ I!となるように調整した硫酸銅溶液を電解液と
し、浴温を10〜40°Cで、陰極表面積l dm2に
対してO−1〜212 /minとなるように電解液を
電槽内に給液しつつ、電流密度2〜5A/dm2で電解
して陰極に銅(以下電着銅と記す。)を析出させ、次い
でこの電着銅を陽極とし、電流密度を1〜2A/dm”
として、再電解し高純度鋼を得る方法である。
を20〜45g/7!、遊離硫酸濃度を40〜80 g
/ I!となるように調整した硫酸銅溶液を電解液と
し、浴温を10〜40°Cで、陰極表面積l dm2に
対してO−1〜212 /minとなるように電解液を
電槽内に給液しつつ、電流密度2〜5A/dm2で電解
して陰極に銅(以下電着銅と記す。)を析出させ、次い
でこの電着銅を陽極とし、電流密度を1〜2A/dm”
として、再電解し高純度鋼を得る方法である。
本発明者等はチオ尿素等の有機添加剤を使用しない銅の
電解精製において、S、Ag等不純物の混入原因を種々
調査検討した結果、S、Ag等の不純物は析出粒界への
電解液の混入、陽極表面、あるいは陽極近傍に生成した
スライム類の付着、イオン状態の不純物が電気化学的な
還元により陰極へ共析すること等により混入することを
見いだし、さらに、本発明の条件下では2A/dm2を
境として、これ以下の電流密度ではAg+ sb、 B
i+ ^s、 Pb等が共析しやずく、2A/dm2よ
り高い電流密度ではNi 、 Fe等が共析しやすいこ
とを見いだした。
電解精製において、S、Ag等不純物の混入原因を種々
調査検討した結果、S、Ag等の不純物は析出粒界への
電解液の混入、陽極表面、あるいは陽極近傍に生成した
スライム類の付着、イオン状態の不純物が電気化学的な
還元により陰極へ共析すること等により混入することを
見いだし、さらに、本発明の条件下では2A/dm2を
境として、これ以下の電流密度ではAg+ sb、 B
i+ ^s、 Pb等が共析しやずく、2A/dm2よ
り高い電流密度ではNi 、 Fe等が共析しやすいこ
とを見いだした。
その結果、初めに2A/dm2より高い電流密度で電解
を行ない電着銅を得、ついで得た電着銅を陽極とし、2
A/dm2以下の電流密度で電解することにより、電解
液中の不純物が電気化学的な還元により陰極に共析する
ことを防止し、よりち密で平滑な電着銅を得ることによ
り共析粒界への電解液の混入を防止し、Sの含有量を低
下させることが可能であるこ吉を見いだし本発明に至っ
た。
を行ない電着銅を得、ついで得た電着銅を陽極とし、2
A/dm2以下の電流密度で電解することにより、電解
液中の不純物が電気化学的な還元により陰極に共析する
ことを防止し、よりち密で平滑な電着銅を得ることによ
り共析粒界への電解液の混入を防止し、Sの含有量を低
下させることが可能であるこ吉を見いだし本発明に至っ
た。
本発明で最初に陽極iする純銅は従来の銅の電解生成で
得られる純銅であり、S、Agをそれぞれ6〜lopp
m含有しているが、これと同等の銅であれば適用可能で
ある。また、陰極母板としては高純度銅板、チタン板も
しくはステンレス板が使用できる。
得られる純銅であり、S、Agをそれぞれ6〜lopp
m含有しているが、これと同等の銅であれば適用可能で
ある。また、陰極母板としては高純度銅板、チタン板も
しくはステンレス板が使用できる。
本発明で陽極を隔膜内に配置するのは、陽極が熔解する
ときに発生する銅粉、スライム等が電解液中に懸濁し、
電着銅あるいは高純度胴中に混入することを防止するた
めである。
ときに発生する銅粉、スライム等が電解液中に懸濁し、
電着銅あるいは高純度胴中に混入することを防止するた
めである。
電解液として用いる硫酸銅溶液は純銅を過酸化水素と硫
酸を用いて溶解することにより得るが、本発明の方法に
より得られた電着銅、あるいは高純度銅を溶解して得る
ことが望ましい。
酸を用いて溶解することにより得るが、本発明の方法に
より得られた電着銅、あるいは高純度銅を溶解して得る
ことが望ましい。
電解液中の遊離硫酸濃度がある濃度以上になると、得ら
れる電着銅あるいは高純度銅のち密性、平滑性が不良に
なることはよく知られており、本発明の条件ではこの濃
度は80 g / llである。一方、遊離硫酸濃度が
40 g/1未満になると電解中にイオン化傾向が銅に
近い金属の共析が起こるので、遊離硫酸濃度は40〜8
0 g / 1とすることが望ましい。
れる電着銅あるいは高純度銅のち密性、平滑性が不良に
なることはよく知られており、本発明の条件ではこの濃
度は80 g / llである。一方、遊離硫酸濃度が
40 g/1未満になると電解中にイオン化傾向が銅に
近い金属の共析が起こるので、遊離硫酸濃度は40〜8
0 g / 1とすることが望ましい。
電解液中の銅濃度は低い方がち密性、平滑性は良くなる
があまり低いと生産性が低下するので20〜45 g/
l、好ましくは30〜40 g / I!とすることが
望ましい。
があまり低いと生産性が低下するので20〜45 g/
l、好ましくは30〜40 g / I!とすることが
望ましい。
第Iの工程ではAg、 Sb、 Bi、 As、 Pb
等の共析を防止するため2A/dm”より高い電流密度
で電解するが、電流密度が5A/dm2より高いとち密
性、平滑性が悪化するので、電流密度は2〜5A/df
f12とする必要がある。また、第2の工程ではNi、
Fe等の共析を防止すると共に、よりち密で平滑な高
純度銅を得ることにより共析粒界への電解液の混入を防
止し、S含有量の低下を図るため電流密度を2A/dm
2以下とする必要があるが、電流密度がIA/dm2よ
り低いと生産性が低下し、経済的でないので1〜2A/
dm2とする必要がある。
等の共析を防止するため2A/dm”より高い電流密度
で電解するが、電流密度が5A/dm2より高いとち密
性、平滑性が悪化するので、電流密度は2〜5A/df
f12とする必要がある。また、第2の工程ではNi、
Fe等の共析を防止すると共に、よりち密で平滑な高
純度銅を得ることにより共析粒界への電解液の混入を防
止し、S含有量の低下を図るため電流密度を2A/dm
2以下とする必要があるが、電流密度がIA/dm2よ
り低いと生産性が低下し、経済的でないので1〜2A/
dm2とする必要がある。
浴温は30°C以上になるとAg等の不純物が共析しや
すくなるので30℃゛以下ζこすることが望ましいが、
10°C未満に維持するためには特別な冷却装置が必要
とされ、経済的に不利となるので10〜30℃、好まし
くは15〜25℃に維持するのが良い。
すくなるので30℃゛以下ζこすることが望ましいが、
10°C未満に維持するためには特別な冷却装置が必要
とされ、経済的に不利となるので10〜30℃、好まし
くは15〜25℃に維持するのが良い。
ち密で平滑な電着銅あるいは高純度銅を得るためには電
解液を供給、循環し電着面近傍の電解液中の銅イオンの
濃度勾配を減少させることが望ましいが、供給量が電着
面積1 dm2当たり24!/minより多いと液の流
れにより、電着面積16m2当たり0.1β/minよ
り少ないと電着面近傍の電解液中の銅イオンの濃度勾配
の増加により電着銅あるいは高純度銅の平滑性が失われ
るので電着面積1dm2当たり0.1〜2 R/ mi
n 、望ましくは0.1〜ln/minの電解液を供給
することが望ましい。
解液を供給、循環し電着面近傍の電解液中の銅イオンの
濃度勾配を減少させることが望ましいが、供給量が電着
面積1 dm2当たり24!/minより多いと液の流
れにより、電着面積16m2当たり0.1β/minよ
り少ないと電着面近傍の電解液中の銅イオンの濃度勾配
の増加により電着銅あるいは高純度銅の平滑性が失われ
るので電着面積1dm2当たり0.1〜2 R/ mi
n 、望ましくは0.1〜ln/minの電解液を供給
することが望ましい。
このようにして得られた高純度銅の品位は99.999
9重量%以上であるが、必要であれば、本 ゛発明の
方法を繰り返すことによりさらに高純度の銅を得ること
ができる。
9重量%以上であるが、必要であれば、本 ゛発明の
方法を繰り返すことによりさらに高純度の銅を得ること
ができる。
第1表に示した品位の厚さ1o龍の純銅の板を12cm
x20cm角に切断し、ろ布を張ったボックス内に配置
し陽極とし、この純銅を脱イオン水と、試薬1級の硫酸
と、試薬1級の過酸化水素水をもちい溶解し作成した第
2表に示した組成の液を電解液とし、pvc製の電解槽
を用い、電流を陰極面積1 dm2当たり2.5Aの割
合で流しながら第3表に示した条件下で電解した。得ら
れた電着銅の品位を第1表に示した。
x20cm角に切断し、ろ布を張ったボックス内に配置
し陽極とし、この純銅を脱イオン水と、試薬1級の硫酸
と、試薬1級の過酸化水素水をもちい溶解し作成した第
2表に示した組成の液を電解液とし、pvc製の電解槽
を用い、電流を陰極面積1 dm2当たり2.5Aの割
合で流しながら第3表に示した条件下で電解した。得ら
れた電着銅の品位を第1表に示した。
第 1 表
この結果より、得られる電着銅の品位しより9.999
重量%であり、主な不純物はNi、 Fe、 Sであ
りAg。
重量%であり、主な不純物はNi、 Fe、 Sであ
りAg。
Sb、 Bi、 As+ Pb等の共析が防止されたこ
と力くわ力)る。
と力くわ力)る。
次ぎに、この電着銅を陽極とし、電流を陰極面積16m
2当たり1.5Aの割合で流しながら第2表の電解液を
用い第3表に示した条件下で電解を行なった。
2当たり1.5Aの割合で流しながら第2表の電解液を
用い第3表に示した条件下で電解を行なった。
得られた高純度銅の品位を第4表に示した。
本発明の方法によれば、超電導材料用として使用可能な
純度99.9999重量%以上の高純度電気銅を製造す
ることができる。
純度99.9999重量%以上の高純度電気銅を製造す
ることができる。
Claims (5)
- (1)電気銅または電気銅相当の純度を有する金属銅を
陽極とし、硫酸酸性の電解液を用い、電流密度2〜5A
/dm^2で電解する第1の工程と、第1の工程より得
られた電着銅を陽極とし、電流密度1〜2A/dm^2
で電解する第2の工程を含む高純度銅の製造方法。 - (2)第1および第2の工程において隔膜で仕切られた
陽極室内に前記陽極を配することを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の高純度銅の製造方法。 - (3)第1および第2の工程において電解液中の銅濃度
が20〜45g/l、遊離硫酸濃度が40〜80g/l
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の高
純度銅の製造方法。 - (4)第1および第2の工程において電解浴温が10〜
40℃であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の高純度銅の製造方法。 - (5)第1および第2の工程において陰極面積1dm^
2に対して0.1〜2l/minとなるように電解液を
給液することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
高純度銅の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62139899A JPH0768627B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 高純度銅の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62139899A JPH0768627B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 高純度銅の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63307291A true JPS63307291A (ja) | 1988-12-14 |
JPH0768627B2 JPH0768627B2 (ja) | 1995-07-26 |
Family
ID=15256212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62139899A Expired - Fee Related JPH0768627B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 高純度銅の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0768627B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02185990A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-20 | Dowa Mining Co Ltd | 超高純度銅の製造方法 |
CN102912375A (zh) * | 2012-11-06 | 2013-02-06 | 赣州聚环科技有限公司 | 从酸性蚀刻液中回收铜的方法及其专用装置 |
CN104047021A (zh) * | 2013-03-13 | 2014-09-17 | 江苏瑞崚新材料科技有限公司 | 一种用电解方法制备出6N-Cu的方法 |
CN109252189A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-01-22 | 金川集团股份有限公司 | 一种铜电解废液净化提取高纯铜的方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100567532C (zh) * | 2005-06-15 | 2009-12-09 | 日矿金属株式会社 | 超高纯度铜及其制造方法以及含有超高纯度铜的焊线 |
-
1987
- 1987-06-05 JP JP62139899A patent/JPH0768627B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH02185990A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-20 | Dowa Mining Co Ltd | 超高純度銅の製造方法 |
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