JPS63307291A - 高純度銅の製造方法 - Google Patents

高純度銅の製造方法

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JPS63307291A
JPS63307291A JP62139899A JP13989987A JPS63307291A JP S63307291 A JPS63307291 A JP S63307291A JP 62139899 A JP62139899 A JP 62139899A JP 13989987 A JP13989987 A JP 13989987A JP S63307291 A JPS63307291 A JP S63307291A
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electrolyte
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Mikimata Takenaka
竹中 幹又
Nobuhiro Tanaka
田中 信寛
Hitoshi Shigemura
重村 均
Yoshihisa Yamauchi
山内 吉久
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、純度99.9999重量%以上の高純度銅を
電解精製法により製造する方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、銅の電解精製では陽極として純度99%前後の粗
銅をもちい陰極に電気銅の種板を使用して一般的に銅濃
度40〜50g/7+、遊離硫酸濃度150〜220 
g/j!、塩素イオン濃度0.02g/7!程度の電解
液に、チオ尿素、ニカワ等の添加剤を加え、浴温50〜
70℃、陰極電流密度1〜3A/dm2で電解し、陰極
上に純銅を析出させている。得られる純銅は主な不純物
としてS、 Ag。
0をそれぞれ、6〜10ppm 、、Cを10から20
ppm含むために、その純度は99.99重量%程度で
ある。
近年、集積回路のポンディングワイヤー用、あるいは超
電導材料用として、さらに高純度の銅が要請されてきて
おり、この要請に応えるべく純銅中の主要不純物である
Sの混入を防止するため添加剤としてチオ尿素を用いず
、デンプンまたはデキストリンとニカワとを用いた方法
が開示されている(特開昭59−76886)が、粗銅
を陽極とし、電解液として硫酸酸性の銅溶液を用いる電
解ではS含有量を1〜2ppm、八Sを0.2〜0.3
ppm 、 Biを0、2〜0.5ppm 、 Sbを
0.4〜0.6 ppmまで減少させるのが限度であり
、上記要請に応えることはできない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的はこのような問題点を解決し、S。
Ag等不純物を減少させ、純度99.9999重量%以
上の高純度銅を製造する方法を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
即ち、本発明は隔膜内に配した純銅を陽極とし、銅濃度
を20〜45g/7!、遊離硫酸濃度を40〜80 g
 / I!となるように調整した硫酸銅溶液を電解液と
し、浴温を10〜40°Cで、陰極表面積l dm2に
対してO−1〜212 /minとなるように電解液を
電槽内に給液しつつ、電流密度2〜5A/dm2で電解
して陰極に銅(以下電着銅と記す。)を析出させ、次い
でこの電着銅を陽極とし、電流密度を1〜2A/dm”
として、再電解し高純度鋼を得る方法である。
本発明者等はチオ尿素等の有機添加剤を使用しない銅の
電解精製において、S、Ag等不純物の混入原因を種々
調査検討した結果、S、Ag等の不純物は析出粒界への
電解液の混入、陽極表面、あるいは陽極近傍に生成した
スライム類の付着、イオン状態の不純物が電気化学的な
還元により陰極へ共析すること等により混入することを
見いだし、さらに、本発明の条件下では2A/dm2を
境として、これ以下の電流密度ではAg+ sb、 B
i+ ^s、 Pb等が共析しやずく、2A/dm2よ
り高い電流密度ではNi 、 Fe等が共析しやすいこ
とを見いだした。
その結果、初めに2A/dm2より高い電流密度で電解
を行ない電着銅を得、ついで得た電着銅を陽極とし、2
A/dm2以下の電流密度で電解することにより、電解
液中の不純物が電気化学的な還元により陰極に共析する
ことを防止し、よりち密で平滑な電着銅を得ることによ
り共析粒界への電解液の混入を防止し、Sの含有量を低
下させることが可能であるこ吉を見いだし本発明に至っ
た。
本発明で最初に陽極iする純銅は従来の銅の電解生成で
得られる純銅であり、S、Agをそれぞれ6〜lopp
m含有しているが、これと同等の銅であれば適用可能で
ある。また、陰極母板としては高純度銅板、チタン板も
しくはステンレス板が使用できる。
〔作 用〕
本発明で陽極を隔膜内に配置するのは、陽極が熔解する
ときに発生する銅粉、スライム等が電解液中に懸濁し、
電着銅あるいは高純度胴中に混入することを防止するた
めである。
電解液として用いる硫酸銅溶液は純銅を過酸化水素と硫
酸を用いて溶解することにより得るが、本発明の方法に
より得られた電着銅、あるいは高純度銅を溶解して得る
ことが望ましい。
電解液中の遊離硫酸濃度がある濃度以上になると、得ら
れる電着銅あるいは高純度銅のち密性、平滑性が不良に
なることはよく知られており、本発明の条件ではこの濃
度は80 g / llである。一方、遊離硫酸濃度が
40 g/1未満になると電解中にイオン化傾向が銅に
近い金属の共析が起こるので、遊離硫酸濃度は40〜8
0 g / 1とすることが望ましい。
電解液中の銅濃度は低い方がち密性、平滑性は良くなる
があまり低いと生産性が低下するので20〜45 g/
l、好ましくは30〜40 g / I!とすることが
望ましい。
第Iの工程ではAg、 Sb、 Bi、 As、 Pb
等の共析を防止するため2A/dm”より高い電流密度
で電解するが、電流密度が5A/dm2より高いとち密
性、平滑性が悪化するので、電流密度は2〜5A/df
f12とする必要がある。また、第2の工程ではNi、
 Fe等の共析を防止すると共に、よりち密で平滑な高
純度銅を得ることにより共析粒界への電解液の混入を防
止し、S含有量の低下を図るため電流密度を2A/dm
2以下とする必要があるが、電流密度がIA/dm2よ
り低いと生産性が低下し、経済的でないので1〜2A/
dm2とする必要がある。
浴温は30°C以上になるとAg等の不純物が共析しや
すくなるので30℃゛以下ζこすることが望ましいが、
10°C未満に維持するためには特別な冷却装置が必要
とされ、経済的に不利となるので10〜30℃、好まし
くは15〜25℃に維持するのが良い。
ち密で平滑な電着銅あるいは高純度銅を得るためには電
解液を供給、循環し電着面近傍の電解液中の銅イオンの
濃度勾配を減少させることが望ましいが、供給量が電着
面積1 dm2当たり24!/minより多いと液の流
れにより、電着面積16m2当たり0.1β/minよ
り少ないと電着面近傍の電解液中の銅イオンの濃度勾配
の増加により電着銅あるいは高純度銅の平滑性が失われ
るので電着面積1dm2当たり0.1〜2 R/ mi
n 、望ましくは0.1〜ln/minの電解液を供給
することが望ましい。
このようにして得られた高純度銅の品位は99.999
9重量%以上であるが、必要であれば、本  ゛発明の
方法を繰り返すことによりさらに高純度の銅を得ること
ができる。
〔実施例〕
第1表に示した品位の厚さ1o龍の純銅の板を12cm
x20cm角に切断し、ろ布を張ったボックス内に配置
し陽極とし、この純銅を脱イオン水と、試薬1級の硫酸
と、試薬1級の過酸化水素水をもちい溶解し作成した第
2表に示した組成の液を電解液とし、pvc製の電解槽
を用い、電流を陰極面積1 dm2当たり2.5Aの割
合で流しながら第3表に示した条件下で電解した。得ら
れた電着銅の品位を第1表に示した。
第   1   表 この結果より、得られる電着銅の品位しより9.999
重量%であり、主な不純物はNi、 Fe、  Sであ
りAg。
Sb、 Bi、 As+ Pb等の共析が防止されたこ
と力くわ力)る。
次ぎに、この電着銅を陽極とし、電流を陰極面積16m
2当たり1.5Aの割合で流しながら第2表の電解液を
用い第3表に示した条件下で電解を行なった。
得られた高純度銅の品位を第4表に示した。
〔発明の効果〕
本発明の方法によれば、超電導材料用として使用可能な
純度99.9999重量%以上の高純度電気銅を製造す
ることができる。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電気銅または電気銅相当の純度を有する金属銅を
    陽極とし、硫酸酸性の電解液を用い、電流密度2〜5A
    /dm^2で電解する第1の工程と、第1の工程より得
    られた電着銅を陽極とし、電流密度1〜2A/dm^2
    で電解する第2の工程を含む高純度銅の製造方法。
  2. (2)第1および第2の工程において隔膜で仕切られた
    陽極室内に前記陽極を配することを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の高純度銅の製造方法。
  3. (3)第1および第2の工程において電解液中の銅濃度
    が20〜45g/l、遊離硫酸濃度が40〜80g/l
    であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の高
    純度銅の製造方法。
  4. (4)第1および第2の工程において電解浴温が10〜
    40℃であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の高純度銅の製造方法。
  5. (5)第1および第2の工程において陰極面積1dm^
    2に対して0.1〜2l/minとなるように電解液を
    給液することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    高純度銅の製造方法。
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