JPWO2007105647A1 - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

半導体発光装置において、レーザダイオードからの光の輝度を高めて外部へ出射することが開示されている。リード端子10を有する支持体11と、支持体上に実装された1個または複数個のレーザダイオード12と、レーザダイオード12の周囲を囲むように配置されて支持体に固定され、内面に光反射面が形成された筒状のリフレクタ14と、リフレクタ14の開口先端面を覆うように配設されてリフレクタの開口先端部に保持され、レーザダイオード12から放出される光で励起され、レーザダイオード12の発光色とは異なる色の発光を行う蛍光体を含む固形状の蛍光体ガラス16を中心部に有するキャップ15とを有する。

Description

本発明は、発光装置に係り、特に発光素子としてレーザダイオードのチップを用いた発光装置における波長変換部材の配設構造に関する。
発光素子としてレーザダイオード(LD)あるいは発光ダイオード(LED)のチップを用いた発光装置は、小型で消費電力も少なく耐用年数も長いので、液晶のバックライトや車載用など幅広い分野で使用されている。これらの発光素子から放出される光は、赤色、緑色、青色などのように限られた単色光であり、それを異なる波長に変換するための蛍光物質を発光素子と組み合わせて使用する場合がある。一例として、発光素子から直接外部に放出される光と、発光素子から放出される光と蛍光物質から放出される波長変換された光とを加色混合して白色を発光する発光装置が知られている。
なお、特開平11−87784号公報には、波長変換用の蛍光物質を混合した透光性被覆材あるいは透光性被覆層を、砲弾型の形状を有するLED装置の表面に装着あるいはコーティングする点、透光性被覆材あるいは被覆層の材質、それに含まれる蛍光物質などが開示されている。
また、特開2003−258308号公報には、LEDからの発光を、無機蛍光体が分散混入されたガラスからなる色変換部材により別の発光色に変換する点、このガラスの機械的強度が要求される用途では、機械的強度の観点からガラスの厚みを0.2mm以上にすることが望ましい点が開示されている。
また、特開2005−20010号公報には、LDからの光を受けるように蛍光体組成物が配置され、蛍光体組成物がLDからの光より長波長の光を発する白色発光デバイスが開示されている。
一方、特開2003−295319号公報には、レーザ光を蛍光体で吸収し、インコヒーレント光を放出する光源装置が開示されている。
本発明は、発光素子からの光を受ける蛍光体の活用方法について鋭意検討を重ねてなされたものであり、その目的は、発光素子からの光の輝度を高めて外部へ出射することが可能な発光装置を提供することにある。
本発明の第1の態様は、支持体と、前記支持体上に実装されたレーザダイオードからなる発光素子と、前記支持体に固定され、前記発光素子を包囲する内面に光反射面を有する筒状のリフレクタと、前記発光素子から照射される光により、前記発光素子の発光とは異なる波長を発光する波長変換部材を一部に有し、前記リフレクタの開口部を覆うように前記リフレクタに配設されたキャップと、を具備する発光装置である。
ここで、波長変換部材は、発光素子の発光を拡散させる拡散材をさらに含むようにしてもよい。また、キャップは、波長変換部材の外周面を透光性部材により保持したものでもよい。キャップの一例は、中心部に1個配設された円形あるいは矩形の蛍光部材、あるいは、中央部に複数個並べて配設された蛍光部材に一体的に連なるように、蛍光部材の外周面を透光性ガラスにより保持したものであり、簡単に製造することができる。
また、波長変換部材の平面形状は、発光素子の発光出力の照射面におけるビーム断面のパターン形状に合わせて変形してもよいが、発光素子の発光出力の照射面におけるビーム断面のパターン形状がほぼ含まれる形状である。この場合、波長変換部材をキャップの中央部に位置させ、波長変換部材の平面形状を、発光素子の発光出力の照射面におけるビーム断面のパターン形状にほぼ合致させると、前記発光出力が同等に波長変換され、色むらが少ないという大きな利点が得られる。実用上、波長変換部材の平面形状は、前記ビーム断面のパターン形状に完全に合致しなくてもよく、ビーム断面のパターン形状より若干大きい状態、あるいは、小さい状態に設定してもよい。なお、発光素子の発光出力の照射面におけるビーム断面のパターン形状が楕円である場合には、波長変換部材の平面形状は楕円の長径を含むように例えば円形状にする。
また、波長変換部材は、平面内で波長変換能力に差を持たせるようにしてもよく、例えば、ビーム断面のパターン形状の中央部が周辺部よりも蛍光体量が多い状態に分布させてもよい。
また、リフレクタの内部に配設され、発光素子からの光を集光して蛍光部材に入射させる集光レンズをさらに具備してもよい。また、キャップは、全体が蛍光部材からなるものでもよい。また、リフレクタ内部で発光素子を封止する封止部材をさらに具備してもよい。また、リフレクタの開口部において波長変換部材を覆うように熱伝導性部材が配置されていてもよい。また、リフレクタの開口部を覆うように、発光素子の光より長波長の光を反射する誘電体膜が配設されていてもよい。
また、発光素子の側から、発光素子の光より長波長の光を反射する第1の誘電体膜、熱伝導性部材、波長変換部材、発光素子の光を反射する第2の誘電体膜を順に積層させるように配置してもよい。これにより、発光素子の光により励起され、その光よりも長波長の光を発する蛍光体を含む波長変換部材は、発光素子からの光を効率よく波長変換することができ、波長変換された光は、効率よく発光装置から取り出される。なお、リフレクタからの放熱が十分である場合は、上記熱伝導性部材はなくてもよい。また、熱伝導性部材は、波長変換部材からの放熱を促進させるように、波長変換部材に対して熱的に接続されていればよく、波長変換部材や誘電体膜との配置の順番は問わない。
本発明の第2の態様は、支持体と、前記支持体上に実装されたレーザダイオードからなる発光素子と、内面が前記発光素子を包囲するように前記支持体に固定された筒状のレセプタクルと、前記レセプタクルの内面が一部突出されて設けられた光通過口からレセプタクル開口部の先端に向けて傾斜する光反射面を有するカップ部と、波長変換部材を少なくとも一部に有し、前記カップ部の開口部を覆うように配設されたキャップと、前記レセプタクル内において前記カップ部よりも前記発光素子側に配設され、前記発光素子からの光を集光し、集光した光を前記光通過口より通過させて前記波長変換部材に入射させる集光レンズと、を具備する発光装置である。
ここで、キャップは、例えば凸レンズ状の波長変換部材からなるものでもよい。また、キャップは、中央部に配設された波長変換部材の外周面を透光性部材により保持したものでもよい。
本発明の第3の態様は、支持体と、前記支持体上に実装されたレーザダイオードからなる発光素子と、内面が前記発光素子を包囲するように前記支持体に固定された筒状のレセプタクルと、前記レセプタクルの先端部に基端部が固定され、内面の一部が突出されて設けられた光通過口から開口部の先端に向けて傾斜する光反射面を有するカップと、波長変換部材を少なくとも一部に有し、前記カップの開口部を覆うように配設されたキャップと、前記レセプタクル内において前記カップよりも前記発光素子側に配設され、前記発光素子からの光を集光し、集光した光を前記光通過口より通過させて前記波長変換部材に照射させる集光レンズと、を具備する発光装置である。
ここで、キャップは、中心部に配設された波長変換部材の外周面を透光性部材により保持したものでもよい。
本発明の第4の態様は、支持体と、前記支持体上に実装されたレーザダイオードからなる発光素子と、内面が前記発光素子を包囲するように前記支持体に固定された筒状のレセプタクルと、前記レセプタクルの開口部外周面に基端面が対接された導光部材と、前記導光部材の先端面に固定された波長変換部材と、前記レセプタクル内において前記導光部材よりも前記発光素子側に配設され、前記発光素子からの光を集光し、集光した光を前記導光部材の一端側に入射させる集光レンズと、を具備する発光装置である。
本発明の第5の態様は、支持体と、前記支持体上に実装されたレーザダイオードからなる発光素子と、前記支持体の一部であって前記発光素子からの照射強度のピークを受ける部位に搭載され、前記発光素子から放出される光により、前記発光素子の発光とは異なる波長を発光する波長変換部材と、を具備する発光装置である。
図1Aは、本発明の実施例1に係る発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図1Bは、図1Aの発光装置に使用されているキャップの一例を概略的に示す平面図である。 図2Aは、実施例2の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図2Bは、図2Aの発光装置に使用されているキャップの一例を概略的に示す平面図である。 図3は、実施例3の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図4は、実施例4の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図5は、実施例5の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図6は、実施例6の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図7は、実施例7の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図8は、実施例8の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図9は、実施例9の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図10は、実施例10の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図11は、実施例11の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図12は、実施例12の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図13は、実施例13の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図14は、実施例14の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図15は、実施例15の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。 図16は、実施例16の発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。
以下、本発明に係る発光装置の実施形態および実施例を説明するが、本発明は、これらの実施形態および実施例に限定されるものではない。以下の説明に際して、全図にわたり同一または類似の部分には同一の参照符号を付す。また、以下の実施形態および実施例において、発光素子は、LDチップ、あるいは、端面出力型のLEDチップのように発光出力の指向性が強い素子を使用することができる。
<第1の実施形態>
図1Aは、第1の実施形態に係る発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。この発光装置は、主たる構成要素として、リード端子10を有する支持体(放熱板)11と、支持体上に実装された1個の発光素子(本例ではLDチップ)12と、発光素子を被覆(封止)する透光性の被覆部材13と、発光素子の周囲を包囲するように配置され、支持体に固定された例えば金属体からなる筒状のリフレクタ14と、リフレクタの開口部を覆うように配設され、リフレクタの開口先端部に保持されたキャップ15とを有する。なお、発光素子12は、発光出力をリフレクタの開口先端方向に出射する状態で支持体上の例えば中央部に実装されている。リフレクタ14の内面には、発光素子の周辺部において先端に向けて傾斜する光反射面14aが形成されている。前記キャップ15は、発光素子12からの光で励起され、発光素子の発光色とは異なる波長発光する波長変換部材として、例えば蛍光体を含む固形状の蛍光部材16を少なくとも一部に有する。本例では、キャップ15は、図1Bに示すように、円板状の蛍光部材16の外周面が透光性部材17により保持されている。
上記したように第1の実施形態の発光装置によれば、発光素子12の発光出力は直接にキャップ中心部の蛍光部材16に入射し、これにより励起された蛍光体から放出する光がリフレクタ前方の外部へ出射される。このとき、蛍光体から放出する光は、発光素子12の発光出力と混色されていてもよい。蛍光部材16から支持体方向へ出射された光は、光反射面14aや支持体上面により反射された後に、蛍光部材周辺の透光性部材17を通過してリフレクタ前方へ効率良く出力することが可能になり、光の取り出し効率が向上する。前記蛍光部材16に、発光素子12の発光出力を拡散させる拡散材を混合してもよい。これにより、指向性を向上させることができる。
また、本実施形態において、発光素子12の発光出力は指向性が強く、発光素子12からの光で励起される蛍光部材16の面積が小さくて済む。この結果、光度/発光面積の比率が大きくなり、高輝度化が可能になる。また、蛍光部材16の外周が透光性部材17により強固に保持されているので、蛍光部材16に高出力の光が照射されても剥離することはない。
また、蛍光部材16の平面形状が、発光素子12の発光出力の照射面におけるビーム断面のパターン形状に合致していると、発光素子12の発光出力の全てが均一に波長変換されので、蛍光部材16で色むらが発生するおそれはない。これに対して、仮に発光素子12が全面発光型のLEDチップであると、発光出力の一部のみが蛍光部材16に照射されて波長変換されるので、照射部分とその周辺部とで色むらが発生するおそれがある。
なお、前記蛍光部材16の平面形状は、図1B中に示した円形に限らず、発光素子の発光出力の照射面におけるビーム断面のパターン形状(例えば楕円)に対応した形状を有することにより、蛍光体を効率良く発光させることができ、高輝度の光出力が得られるようになる。この場合、蛍光部材16の平面形状は、発光素子12の発光出力の照射面におけるビーム断面のパターン形状に完全に合致させてもよいが、ビーム断面のパターン形状より大きく、あるいは、小さく設定してもよい。また、蛍光部材16は、平面内で波長変換能力に差を持たせるようにしてもよく、例えば、ビーム断面のパターン形状の中心部が周辺部よりも蛍光体量が多い状態に分布させてもよい。
以下、上記した発光装置における各構成要素について詳述する。
(支持体11) 支持体は、金属材料や熱伝導性のよい絶縁基材が用いられており、複数本のリード端子10が取り付けられている。支持体の表面には、高反射膜(図示せず)が形成されることが望ましい。
(発光素子12) 支持体上に搭載されて実装される発光素子の数は、任意であり、1個でも複数個でもよい。発光素子の一対の電極は、支持体の一つのリード端子に電気的に接続されている。この場合、例えば発光素子の一方の電極面がダイボンディングにより一方のリード端子に接続され、発光素子の他方の電極面が導電性ワイヤを介して別のリード端子に接続されている。
発光素子の出力構造は、面発光、端面発光など任意であり、リッジアレイでもよい。一例として、460nm近傍に発光ピーク波長を持つ青色発光の発光素子、410nm近傍に発光ピーク波長を持つ青紫色発光の発光素子、365nm近傍に発光ピーク波長を持つ紫外線発光の発光素子などを使用することができる。
発光素子の種類は特に制限されるものではないが、例えば、基板上にMOCVD法等によってInN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体を発光層として形成した構造のものを使用する。一例として、サファイア基板上にn型GaNよりなるn型コンタクト層と、n型AlGaNよりなるn型クラッド層と、p型GaNよりなるp型コンタクト層とが順次に積層された構造のものを使用する。発光素子の発光波長は、半導体の材料やその混晶比によって種々選択できる。一例として、活性層のInGaNのIn含有量を変えるか、または活性層にドープする不純物の種類を変えることにより、発光波長を紫外領域から赤色まで変化させることができる。
(被覆部材13) 被覆部材は、発光素子からの光を効率よく通過させるために、高い光の透過性が要求される。なお、発光素子の電極と支持体上の端子とを導電性ワイヤで接続する構造においては、被覆部材は導電性ワイヤを保護する機能も有する。被覆部材として用いられる材料は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂やアクリル樹脂、ユリア樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂や耐光性に優れたガラスなどを用いると好適である。また、透光性樹脂に、二酸化珪素や酸化アルミニウムなどの拡散材を含有させることによって、発光素子からの指向性を緩和させ、視野角を増やすこともできる。
(リフレクタ14) リフレクタの材質は特に限定されるものではなく、光反射面14aは、緩やかな弯曲、カップ形状、テーパ状など任意に形成することができる。
(キャップ15) キャップは、発光素子からの光で励起され、発光素子の発光色とは異なる色の発光を行う蛍光体を含む固形状の蛍光部材16を少なくとも一部に有する。キャップの一例は、図1Bに示すように、円板リング状の透光性部材(例えば透明ガラス)17の例えば中心部に円形の開口を有し、この中心部開口に蛍光体を含む固形状の蛍光部材16が存在している。
(固形状の蛍光部材16) 固形状の蛍光部材の一例は、蛍光体が無機材料であるガラス等のバインダー(結着剤)にて結着され、硬化されたものであり、本例では蛍光体がガラスにて結着された蛍光体ガラスを用いた。なお、蛍光部材16を少なくとも一部に有するキャップ15を形成する方法の一例は、キャップ形成容器内の底面の例えば中心部に蛍光体を配置し、その周辺に溶融ガラスを充填した後、硬化させる。
(蛍光体) 蛍光体は、発光素子からの光を吸収し、異なる波長の光に波長変換するものであり、YAG蛍光体、窒化物蛍光体、その他の蛍光体を使用可能である。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、または、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩またはEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機および有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1つ以上であることが好ましい。
これらの蛍光体は、発光素子の励起光により、黄色、赤色、緑色、青色に発光スペクトルを有する蛍光体を使用することができるほか、これらの中間色である黄色、青緑色、橙色などに発光スペクトルを有する蛍光体も使用することができる。これらの蛍光体を様々と組み合わせて使用することにより、様々の発光色を有する発光装置を製造することができる。
したがって、発光素子として、例えば青色に発光するGaN系化合物半導体を用い、蛍光物質として、YAl12:Ceもしくは(Y0.8Gd0.2Al12:Ceの蛍光物質を使用し、発光素子からの光をYAG蛍光体に照射して波長変換を行うと、発光素子からの光と、蛍光物質からの光との混色により白色系の混色光を発光する発光装置を提供することができる。
(透光性部材17) 透光性部材は例えば透明ガラスであり、LDチップの発光に対するHRコートの有無、ARコートの有無を問わない。
<第2の実施形態>
図7は、第2の実施形態に係る発光装置の一例を概略的に示す部分断面側面図である。この発光装置は、主たる構成要素として、リード端子10を有する支持体11と、支持体上の中央部に実装された1個の発光素子(本例ではLDチップ)12と、発光素子を被覆(封止)する透光性の被覆部材13と、レセプタクル71と、集光レンズ72と、蛍光体を含む例えば凸レンズ状の固形の蛍光部材73とを有する。
レセプタクル71は、例えば筒状の金属体からなり、その基端側が支持体11の外周端に固定され、発光素子12の周囲を囲むように配置されており、内面中間部から例えば一体的に突出するカップ部71aが形成されている。このカップ部71aは、中心部に光通過口(アパーチャー)71bが形成され、レセプタクル先端に向けて開口するような例えば半球面状(あるいはテーパ状)の光反射面71cが形成されている。そして、カップ部71aの開口先端面を覆うように蛍光部材73が配設されている。そして、集光レンズ72は、レセプタクル内の空間部でカップ部71aより発光素子側に配設され、発光素子からの光を集光し、アパーチャー71bを通過させて蛍光部材73に入射させる。
ここで、支持体11および発光素子12は、第1の実施形態で前述したものと同様であり、固形の蛍光部材73は例えば蛍光体ガラスである。また、レセプタクルのカップ部71aの光反射面71cは、緩やかな弯曲、カップ形状、テーパ状など任意に形成することができる。
図7の構成によれば、カップ部71aのアパーチャー71bを集光レンズ72の焦点付近に対応させることにより、アパーチャー71bを小さくしても、集光した光をそのまま通過させて蛍光部材73に蛍光体を励起させることができる。この際、蛍光体が励起されて放出する光のうち、小さなアパーチャー71bを通過して発光素子側へ戻る光(戻り光)の割合が極めて少なくなり、大部分は直接に、あるいは光反射面71cで反射されてレセプタクル前方へ出力し、高輝度の発光出力が得られる。また、カップ部71aの開口先端面を覆う蛍光部材73の全面がレセプタクル先端から突出するように、蛍光部材73を大きなサイズで形成することができる。これにより、蛍光体の負担が減り、発光可能な励起光の強さの限界が高くなり、発光効率およびリニアリティが向上する。
<第3の実施形態>
図9は、第3の実施形態に係る固形蛍光部材搭載型の発光装置の一例を概略的に示す側面図である。この発光装置は、主たる構成要素として、リード端子10を有する支持体11と、支持体上の中央部に実装された1個の発光素子(本例ではLDチップ)12と、発光素子を被覆(封止)する透光性の被覆部材13と、レセプタクル91と、レセプタクルとは別体として形成されたカップ91aと、集光レンズ92と、中心部に固形の蛍光部材93を有するキャップ95を有する。ここで、レセプタクル91は、例えば筒状の金属体からなり、その先端部は肉厚に形成され、その開口外周先端面にカップ91aが対接した状態で固定(例えば溶接)されている。また、カップ91aの中間付近で光反射面91cの先端部に段差部91bが形成されている。そして、段差部の底面でキャップ95が固定されており、キャップ95はカップ91aの開口部(レセプタクルの開口先端面より内側)を覆うように配設されている。なお、本例では、キャップ95は、円板状の蛍光部材93の外周面を透光性部材94により保持したものである。
図9の構成によれば、キャップ95の中心部の蛍光部材93を小さくしても、この小さな蛍光部材93に集光レンズ92からの光が入射するように所望の位置合わせを行った状態でカップ部91aの固定が可能である。また、カップ部91aの段差部91bより突出したレセプタクル開口先端部は、光出力の指向性を絞る役割を果たす。
<第4の実施形態>
図10は、第4の実施形態に係る固形蛍光部材搭載型の発光装置の一例を概略的に示す側面図である。図10に示す発光装置は、前述した図9の発光装置と比べて、カップ91aおよびキャップ95に代えて、レセプタクル91とは別体として形成されたライトガイド100がレセプタクル開口先端外周面に固定されている点が異なる。このライトガイド100は、中心部に細い光ファイバ挿入孔を有する金属製のフェルール101と、フェルール中心部に挿入された屈曲可能な導光部材(例えば光ファイバ102)を有する。そして、光ファイバ102の先端面に小さな固形状の蛍光部材103が保持または固定されており、フェルール基端面がレセプタクルの開口先端外周面に対接した状態で固定されている。
図10の構成によれば、ライトガイド100は光ファイバ102の一端面に集光光が入射するように所望の位置合わせが行われた状態で固定が可能である。光ファイバ102の一端面に入射した光は光ファイバ102を経て光ファイバ先端面部の蛍光部材103に入射するので、高輝度の発光出力を得ることができる。また、ライトガイド100、フェルール101、光ファイバ102および蛍光体部材103の交換が容易であり、実装歩留りも向上する。なお、前記フェルール101を省略し、レセプタクルの開口先端外周面に導光部材の基端面を対接させて保持するようにしてもよい。
<第5の実施形態>
図11は、第5の実施形態に係る固形蛍光部材搭載型の発光装置の一例を概略的に示す側面図である。図11に示す発光装置は、主たる構成要素として、リード端子10を有する支持体11と、支持体上に配設されたサブマウント11aと、サブマウント上に実装された1個の発光素子(本例ではLDチップ)12と、支持体11上に配設された断面半球状(ランプ状、砲弾状)で固形状の蛍光部材(例えば蛍光体ガラス)113とを有する。この場合、発光素子12は、発光出力が横向きとなる状態で実装されており、蛍光体ガラス113は、発光素子12に対向して配設されている。これにより、発光素子12からの光は直接に蛍光部材113に入射して蛍光体を励起させ、蛍光体から放出する光と発光素子12からの光が支持体11の上方へ出力する。
図11の構成によれば、使用部材の点数が少なく、組み立ての工数も少ないので、製造コストの低減が可能でありながら、高輝度の発光出力を得ることができる。特に、支持体11上に直接に発光素子12と蛍光部材113とを配置することにより、発光素子12と蛍光部材113から発生する熱を効率良く排熱することが可能になり、排熱経路の熱抵抗が下がる。これにより、発光素子12や蛍光部材113の負担が減り、発光効率およびリニアリティが向上する。また、発光素子12から出射される光は指向性を有するので、小さな蛍光部材113に効率良く照射することが可能になり、輝度が向上する。
以下、本発明の発光装置について複数の実施例を説明する。
(実施例1) 図1Aは、実施例1の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、前述した第1の実施形態の一具体例であり、リード端子10を有する支持体11と、1個のLDチップ12と、透光性樹脂13と、例えば金属体からなる筒状のリフレクタ14と、キャップ15とを有する。なお、LDチップ12は、発光出力をリフレクタの開口先端方向に出射する状態で支持体上の例えば中央部に実装されている。
キャップ15は、図1Bに示すように、円板リング状の透明ガラス17の中心部に円形の開口を有し、この中心部開口に固形状の蛍光体ガラス16が存在している。リフレクタ14の基端部は支持体11の外周端部に固定されており、リフレクタ先端内側に設けられている段差部14bの底面にキャップ15の外周端部が固着されている。
図1Aの構成によれば、LDチップ12の発光出力は直接にキャップ中心部の蛍光体ガラス16に入射し、これにより励起された蛍光体から放出する光がリフレクタ前方へ出射される。この場合、蛍光体ガラス16の面積が小さいので、高輝度化が可能になる。また、蛍光体ガラス16から支持体方向へ出射された光は、光反射面14aや支持体上面により反射された後に、蛍光体ガラス周辺の透明ガラス17を通過してリフレクタ前方へ効率良く出力することが可能になり、光の取り出し効率が向上する。
(実施例2) 図2Aは、実施例2の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、図1Aを参照して前述した発光装置と比べて、支持体11上にLDチップ12を複数個(例えば2個)並べて実装したLDアレイを有する点と、図2Bに示すように、キャップ25の中央部に長方形の開口を有し、この長方形の開口部に蛍光体ガラス26が存在している点が異なる。
図2Aの構成によれば、図1A、図1Bを参照して前述した発光装置と同様の効果が得られるほか、キャップ25の蛍光体ガラス26をLDチップ12からの光の出射パターンに合わせて配設することにより、蛍光体を効率良く発光させることができ、高輝度の光出力が得られるようになる。
なお、LDアレイからの光の出射パターンとして、水平方向よりも垂直方向にビームが広がる特性である場合には、この特性に合わせて、キャップ25の蛍光体ガラス26を楕円形状にすることが可能である。また、キャップ25の開口は、図2B中に示したように1個の細長い開口でもよいが、各LDチップ12からの光の出射パターンに合わせて短い矩形の開口を複数個並べて形成し、それぞれに蛍光体ガラス26を配設するようにしてもよい。
(実施例3) 図3は、実施例3の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、図1Aを参照して前述した発光装置と比べて、リフレクタ34の光反射面34aが例えば半球面状である点と、リフレクタ34内の空間部にLDチップ12からの光を集光して蛍光体ガラス16に入射させる(蛍光体ガラス16の位置に焦点を有する)集光レンズ33が配設されている点が異なる。
図3の構成によれば、図1A、図1Bを参照して前述した発光装置と同様の効果が得られるほか、LDチップ12からの光を集光レンズ33で集光して蛍光体ガラス16部に入射させることができる。これにより、蛍光体ガラス16を小さくし、かつ、蛍光体の励起光の光密度を高めることが可能になり、輝度が向上する。
(実施例4) 図4は、実施例4の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、図1Aを参照して前述した発光装置と比べて、キャップ15に代えて、全体が蛍光部材からなる円盤状の固形の蛍光体ガラス46が用いられている点と、リフレクタ14の内部でLDチップ12を低融点ガラス47で封止している点が異なる。この場合、必ずしも低融点ガラス47を用いないで、リフレクタ14の内側に無機バインダー、N,Arなどの不活性ガスを充填してもよい。
図4の構成によれば、LDチップ12の発光出力は直接に蛍光体ガラス46に入射し、これにより励起された蛍光体から放出する光が外部(リフレクタ前方)へ出射される。このとき、蛍光体から放出する光は、LDチップ12の発光出力と混色されていてもよい。また、蛍光体ガラス46がリフレクタ開口面の全面を覆うように配設されており、LDチップ12からの光を蛍光体全面に入射させることにより、蛍光体の負担が減り、発光効率とリニアリティが向上する。
そして、リフレクタ14の内部を低融点ガラス47で封止しているので、蛍光体ガラス46とリフレクタ内の光屈折率のマッチングをとることができる。これにより、LDチップ12からの光を蛍光体ガラス46に効率良く導くことが可能になり、輝度が向上する。また、リフレクタ内部でLDチップ12を低融点ガラス47で封止しているので、LDチップ12を外力、水分等から保護することができる。また、蛍光体ガラス46がリフレクタ14の開口面の全面を覆うように配設されており、LDチップ12からの光を蛍光体全面に入射させることができるので、より高輝度の光出力が得られるようになる。
なお、蛍光体ガラス46は、LDチップ12の発光出力のピーク波長(例えば445nm)より厚く設定されており、LDチップ12からの光で蛍光体が励起されて発光することが可能である。この場合、蛍光体ガラス46の厚さを100μm〜500μm程度に設定することにより、光拡散性が向上し、発光出力の色むらが少なくなる。
(実施例5) 図5は、実施例5の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、図4を参照して前述した発光装置と比べて次の点が異なる。低融点ガラス47による封止は施されていない。そして、リフレクタ14の開口先端面を覆うように、リフレクタ14の段差部底面(リフレクタ先端面)に板状の高熱伝導性部材51の外周端部が固着されて保持されている。さらに、その前面側に円盤状の蛍光体ガラス46が重ねられて固定されている。高熱伝導性部材51と蛍光体ガラス46は、配置する順序を逆にしてもよい。
図5の構成によれば、前述した図4の発光装置と同様の効果が得られるほか、次のような効果が得られる。高熱伝導性部材51がリフレクタの開口部を覆うように配設されている、本例では、高熱伝導性部材51および蛍光体ガラス46からなる二重キャップ構造によりリフレクタ内部を封止するので、LDチップ12が湿気などの影響を受けなくなる。また、蛍光体ガラス46で発生した熱を高熱伝導性部材51により効率良く排熱することが可能になり、蛍光体ガラス46の負担が減り、発光効率とリニアリティが向上する。
(実施例6) 図6は、実施例6の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、前述した図5の発光装置と比べて、蛍光体ガラス46の下面側で蛍光体ガラス46と高熱伝導性部材51との間に機能性フィルタ61が配設されている点が異なる。この機能性フィルタ61は、LDチップ12からの光以外の光(LDチップ12の励起光より長波長の光)に対して高反射特性を有する誘電体の多層膜からなる。誘電体の具体的な材料として、例えば、SiO、ZrO、Al、AlN、ZnO、TiO、SiN、Ta、MgF、Si、MgO、HfO、Nbから選択された少なくとも一種を含む材料が挙げられる。
図6の構成によれば、前述した図5の発光装置と同様の効果が得られるほか、リフレクタの開口部を覆うように配設されている機能性フィルタ61は、蛍光体ガラス46からLDチップ側に戻る光を反射し、光を効率良くリフレクタ前方に出射することが可能になる。 なお、機能性フィルタ61を蛍光体ガラス46の上面側(リフレクタ前方側)に配設した場合には、蛍光体の励起に使用されずに外部に抜けていく励起光を反射し、光を再び蛍光体ガラス46側に戻すことが可能になり、光の取り出し効率が向上する。
(実施例7) 図7は、前述した第2の実施形態の一具体例である実施例7の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、リード端子10を有する支持体11と、支持体上の中央部に実装された1個のLDチップ12と、LDチップを被覆(封止)する透光性の被覆部材13と、金属体からなる筒状のレセプタクル71と、集光レンズ72と、蛍光体ガラス73とを有する。
レセプタクル71は、例えばその基端側が支持体11の外周端に固定され、LDチップ12の周囲を囲むように配置されている。レセプタクル71は、内面中間部から一体的に突出するカップ部71aが形成されている。このカップ部71aは、中心部にアパーチャー71bが形成され、レセプタクル先端に向けて開口するような例えば半球面状(あるいはテーパ状)の光反射面71cが形成されており、レセプタクル先端内側とカップ部先端面とが段差部になっている。そして、カップ部71aの開口先端面を覆うように例えば凸レンズ状の蛍光体ガラス73が配設され、蛍光体ガラス73の外周端部がカップ部先端面(段差部底面)に固着されて保持されている。そして、集光レンズ72は、レセプタクル内の空間部でカップ部71aよりLDチップ側に配設され、LDチップ12からの光を集光し、アパーチャー71bを通過させて蛍光体ガラス73に入射させる。
ここで、支持体11およびLDチップ12は、実施例1で前述したものと同様である。また、レセプタクル71のカップ部71aの光反射面71cは、緩やかな弯曲、カップ形状、テーパ状など任意に形成することができる。
図7の構成によれば、レセプタクルのカップ部71aのアパーチャー71bを集光レンズ72の焦点付近に対応させることにより、アパーチャー71bを小さくしても集光した光をそのまま通過させることができる。これにより、LDチップ12からの光で蛍光体ガラス73の蛍光体を励起させて高輝度の発光出力を得ることができる。
したがって、蛍光体が励起されて放出する光のうち、戻り光(小さなアパーチャーを通過してLDチップ側へ戻る光)の割合が極めて少なくなり、大部分の光は、直接に、あるいは光反射面71cで反射されてレセプタクル前方へ出力するようになる。
また、カップ部71aの開口先端面を覆うキャップとして、レンズ(例えば凸レンズ)状の蛍光体ガラス73の前面がレセプタクル先端から突出するように、蛍光体ガラス73を大きなサイズで形成することができる。これにより、蛍光体の負担が減り、発光可能な励起光の強さの限界が高くなり、発光効率およびリニアリティが向上する。
(実施例8) 図8は、実施例8の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、図7を参照して前述した発光装置の凸レンズ状の蛍光体ガラス73に代えて、第1の実施形態で説明したようなキャップ15が用いられている。このキャップ15は、例えば図1Bに示したように、円盤状の透光性部材(例えば透明ガラス17)の中心部に蛍光体ガラス16が配設されている。
図8の構成によれば、集光レンズ72の焦点付近に蛍光体ガラス16を対応させることにより、集光レンズ72からの光が蛍光体ガラス16に入射し、蛍光体を励起させて光出力をレセプタクル前方へ放出させることができる。この場合、蛍光体ガラス16の面積が小さいので、高輝度化が可能になる。また、蛍光体ガラス16からカップ部71aの内側へ出射された光は、カップ部71aの光反射面71cで反射された後に、蛍光体ガラス周辺の透明ガラス17を通過してレセプタクル前方へ効率良く出力することが可能になり、光の取り出し効率が向上する。
(実施例9) 図9は、前述した第3の実施形態の一具体例である実施例9の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、図8を参照して前述した発光装置と比べて、レセプタクル本体91の先端部が肉厚に形成され、カップ91aがレセプタクル本体91とは別体として形成されており、レセプタクル本体91の開口外周先端面にカップ91aが対接した状態で固定(例えば溶接)されている点が異なる。また、カップ91aの中間付近で光反射面91cの先端部に段差部91bが形成され、この段差部91bの底面でキャップ95が固定されており、キャップ95はカップ91aの開口部(レセプタクルの開口先端面より内側)を覆うように配設されている。
図9の構成によれば、キャップ95の中心部の蛍光体ガラス93を小さくしても、この小さな蛍光体ガラス93に集光レンズ92からの光が入射するように所望の位置合わせを行った状態でカップ91aの固定が可能である。また、カップ91aの段差部より突出したレセプタクル開口先端部は、光出力の指向性を絞る役割を果たす。
(実施例10) 図10は、前述した第4の実施形態の一具体例である実施例10の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、図9を参照して前述した発光装置と比べて、カップ91aおよびキャップ95に代えて、レセプタクル(保持部材)91とは別体として形成されたライトガイド100がレセプタクル開口先端外周面に固定されている点が異なる。このライトガイド100は、金属製のフェルール101と、導光部材(本例では、光ファイバ)102を有し、光ファイバ102の先端面に小さな蛍光体ガラス103が例えばバネ(図示せず)により光ファイバ先端面側に押圧された状態で保持されている。フェルール101は中心部に細い光ファイバ挿入孔を有し、光ファイバ102はフェルール中心部に挿入されている。そして、フェルール基端面がレセプタクルの開口先端外周面に対接した状態で固定されている。
図10の構成によれば、ライトガイド100は、集光レンズ92により集光した光が光ファイバ102の一端面に入射するように、レセプタクル91に対して所望の位置合わせが行われた状態で固定が可能である。光ファイバ102の一端面に入射した光は光ファイバ102を経て光ファイバ先端面部の蛍光体ガラス103に入射するので、高輝度の発光出力を得ることができる。また、ライトガイド100、フェルール101、光ファイバ102および蛍光体ガラス103の交換が容易であり、実装歩留りも向上する。なお、光ファイバ102は細いので、先端面側の蛍光体ガラス103からLDチップ側への戻り光が少ない。
(実施例11) 図11は、前述した第5の実施形態の一具体例である実施例11の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、リード端子10を有する支持体11と、支持体上に配設されたサブマウント11aと、サブマウント上に発光出力が横向きとなる状態で実装された1個のLDチップ12と、支持体11上でLDチップ12に対向して配設された断面半球状(ランプ状、砲弾状)の蛍光体ガラス113とを有する。これにより、LDチップ12からの光は直接に蛍光体ガラス113に入射して蛍光体を励起させ、蛍光体から放出する光とLDチップ12からの光が支持体11の上方へ出力する。
図11の構成によれば、使用部材の点数が少なく、組み立ての工数も少ないので、製造コストの低減が可能でありながら、高輝度の発光出力を得ることができる。特に、支持体11上に直接にLDチップ12と蛍光体ガラス113とを配置することができるので、LDチップ12および蛍光体ガラス113から発生する熱を効率良く排熱することが可能になり、排熱経路の熱抵抗が下がる。これにより、LDチップ12や蛍光体ガラス113の負担が減り、発光効率およびリニアリティが向上する。また、LDチップ12から出射される光は指向性を有するので、小さな蛍光体ガラス113に効率良く照射することが可能になり、輝度が向上する。
(実施例12) 図12は、実施例12の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、前述した図11の発光装置と比べて、支持体11上に平板状の蛍光体ガラス123が配設され、この蛍光体ガラス123上にLDチップ12の発光出力が下向きとなる状態で搭載され、LDチップ12が実装されている点が異なる。これにより、LDチップ12からの光は、直接に下方の蛍光体ガラス123に入射して蛍光体を励起させ、蛍光体から放出する光が支持体上方へ出力する。図12の構成によれば、図11を参照して前述した発光装置とほぼ同様の効果が得られる。
(実施例13) 図13は、実施例13の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、前述した図12の発光装置と比べて、LDチップ12は支持体11上に搭載された保持台131により斜め下向きとなる状態で実装され、LDチップ12からの光は直接に斜め下方の蛍光体ガラス133に入射する点が異なる。
図13の構成によれば、図11を参照して前述した発光装置と同様の効果が得られる。そして、蛍光体ガラス133の蛍光体から放出する光が斜め上方のLDチップ12および保持台131により遮られることなく支持体上方および側方へ出力するので、光の取り出し効率が向上する。
(実施例14) 図14は、実施例14の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、両端面発光型のLDチップ143を用いている。両端面発光型のLDチップ142は、チップ両端面のミラーの反射率を制御することにより、両端面から任意の割合で光出力が得られる。そして、リード端子10を有する支持体11上に、LDチップ142の発光両端面が左右両側に向く状態で実装されており、LDチップ142の左右両側でLDチップに対向してドーム状(ランプ状、砲弾状)の2個の蛍光体ガラス143が配設されている。この蛍光体ガラス143は、ドーム状、角柱状など任意に形成することができる。これにより、LDチップ142からの光は左右両側の蛍光体ガラス143に直接に入射し、それぞれの蛍光体を励起させて光を放出させることができる。
図14の構成によれば、図11を参照して前述した発光装置と同様の効果が得られるほか、蛍光体の負担が減り、発光効率およびリニアリティが向上する。なお、前記の2個の蛍光体ガラス143に互いに異種の蛍光体を用いることにより、2個の蛍光体ガラス143の蛍光体から放出する光が互いに干渉することなく、互いに異なる波長の光を放出させることができる。
(実施例15) 図15は、実施例15の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、リード端子10を有する支持体11上に、LDチップ12の発光出力が支持体上方に向く状態で実装され、LDチップ12の左右両側または周囲に平板状の蛍光体ガラス153が配設されている。そして、LDチップ12および蛍光体ガラス153を覆うように支持体11上に筒状のリフレクタ151が固定され、このリフレクタ151の先端開口を塞ぐキャップとして例えばガラス板152が保持されている。上記ガラス板152の内面の一部または全面には、LDチップ12からの光を反射させる反射膜(図示せず)が形成されている。これにより、LDチップ12からの光は、上方のガラス板152の内面で反射され、この反射光が蛍光体ガラス153に入射して蛍光体を励起させ、蛍光体から放出する光が、直接に、あるいはリフレクタ151の内面で反射された後にガラス板152を通過して支持体上方へ出力する。
図15の構成によれば、図11を参照して前述した発光装置と同様の効果が得られるほか、発光面を均一にすることができる。
(実施例16) 図16は、実施例16の発光装置の構造を概略的に示す。この発光装置は、リード端子10を有する支持体11上に、LDチップ12の発光出力が支持体上方へ向く状態で実装されており、LDチップ12を覆うようにドーム状の蛍光体ガラス163が配設されている。これにより、LDチップ12からの光が蛍光体ガラス152に入射して蛍光体を励起させ、蛍光体から放出する光が、直接に、あるいは支持体表面で反射された後に蛍光体ガラス152を通過してドーム外部へ出力する。
図16の構成によれば、図11を参照して前述した発光装置と同様の効果が得られるほか、光の取り出し効率が向上する。
本発明の発光装置は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源などに適用可能である。

Claims (18)

  1. 支持体と、
    前記支持体上に実装されたレーザダイオードからなる発光素子と、
    前記支持体に固定され、前記発光素子を包囲する内面に光反射面を有する筒状のリフレクタと、
    前記発光素子から照射される光により、前記発光素子の発光とは異なる波長を発光する波長変換部材を一部に有し、前記リフレクタの開口部を覆うように前記リフレクタに配設されたキャップと、
    を具備することを特徴とする発光装置。
  2. 前記波長変換部材の平面形状は、前記発光素子の発光出力の照射面におけるビーム断面のパターン形状がほぼ含まれる形状であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記波長変換部材は前記キャップの中央部に位置し、当該波長変換部材の平面形状は、前記発光素子の発光出力の照射面におけるビーム断面のパターン形状にほぼ合致していることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  4. 前記発光素子の発光出力の照射面におけるビーム断面のパターン形状が楕円であり、前記波長変換部材の平面形状は、前記楕円の長径を含む形状であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  5. 前記波長変換部材は、その外周が透光性部材により保持されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の発光装置。
  6. 前記リフレクタ内に配設され、前記発光素子からの光を集光して前記波長変換部材に入射させる集光レンズをさらに具備することを特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載の発光装置。
  7. 前記リフレクタの内部で前記発光素子を封止する封止部材をさらに具備することを特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載の発光装置。
  8. 前記リフレクタの開口部において前記波長変換部材を覆うように熱伝導性部材が配置されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1つに記載の発光装置。
  9. 前記リフレクタの開口部を覆うように、前記発光素子の光の波長よりも長い波長の光を反射する誘電体膜と、前記波長変換部材と、が前記発光素子の側から順に配設されていることを特徴とする請求項1から8のいずれか1つに記載の発光装置。
  10. 前記波長変換部材は、記発光素子の発光を拡散させる拡散材をさらに含むことを特徴とする請求項1から9のいずれか1つに記載の発光装置。
  11. 支持体と、
    前記支持体上に実装されたレーザダイオードからなる発光素子と、
    内面が前記発光素子を包囲するように前記支持体に固定された筒状のレセプタクルと、
    前記レセプタクルの内面が一部突出されて設けられた光通過口からレセプタクル開口部の先端に向けて傾斜する光反射面を有するカップ部と、
    波長変換部材を少なくとも一部に有し、前記カップ部の開口部を覆うように配設されたキャップと、
    前記レセプタクル内において前記カップ部よりも前記発光素子側に配設され、前記発光素子からの光を集光し、集光した光を前記光通過口より通過させて前記波長変換部材に入射させる集光レンズと、
    を具備することを特徴とする発光装置。
  12. 前記キャップは、レンズ状の波長変換部材からなることを特徴とする請求項11に記載の発光装置。
  13. 前記波長変換部材は、その外周が透光性部材により保持されていることを特徴とする請求項11に記載の発光装置。
  14. 支持体と、
    前記支持体上に実装されたレーザダイオードからなる発光素子と、
    内面が前記発光素子を包囲するように前記支持体に固定された筒状のレセプタクルと、
    前記レセプタクルの先端部に基端部が固定され、内面の一部が突出されて設けられた光通過口から開口部の先端に向けて傾斜する光反射面を有するカップと、
    波長変換部材を少なくとも一部に有し、前記カップの開口部を覆うように配設されたキャップと、
    前記レセプタクル内において前記カップよりも前記発光素子側に配設され、前記発光素子からの光を集光し、集光した光を前記光通過口より通過させて前記波長変換部材に照射させる集光レンズと、
    を具備することを特徴とする発光装置。
  15. 前記波長変換部材は、その外周が透光性部材により保持されていることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
  16. 支持体と、
    前記支持体上に実装されたレーザダイオードからなる発光素子と、
    内面が前記発光素子を包囲するように前記支持体に固定された筒状のレセプタクルと、
    前記レセプタクルの開口部外周面に基端面が対接された導光部材と、
    前記導光部材の先端面に固定された波長変換部材と、
    前記レセプタクル内において前記導光部材よりも前記発光素子側に配設され、前記発光素子からの光を集光して前記導光部材の一端側に入射させる集光レンズと、
    を具備することを特徴とする発光装置。
  17. 導光部材挿入孔に前記導光部材が挿入され、基端面が前記レセプタクルの開口部外周面に対接して固定された保持部材をさらに具備することを特徴とする請求項16に記載の発光装置。
  18. 支持体と、
    前記支持体上に実装されたレーザダイオードからなる発光素子と、
    前記支持体上であって前記発光素子の照射強度のピークを受ける部位に搭載され、前記発光素子から照射される光により、前記発光素子の発光とは異なる波長を発光する波長変換部材と、
    を具備することを特徴とする発光装置。
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Families Citing this family (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5228412B2 (ja) * 2006-11-21 2013-07-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP5228434B2 (ja) * 2007-10-15 2013-07-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5071037B2 (ja) * 2007-10-22 2012-11-14 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置
JP5076916B2 (ja) * 2008-01-17 2012-11-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5495495B2 (ja) * 2008-02-18 2014-05-21 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオード
JP2009260053A (ja) * 2008-04-17 2009-11-05 Nichia Corp 発光装置
JP5223447B2 (ja) * 2008-05-12 2013-06-26 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JPWO2009145141A1 (ja) * 2008-05-26 2011-10-13 シャープ株式会社 発光装置
FR2931478B1 (fr) 2008-05-26 2012-08-03 Arkema France Prodece de preparation de lactames comprenant une etape de photonitrosation suivie d'une etape de transposition de beckmann
JP2009289976A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Nichia Corp 発光装置
US8159131B2 (en) * 2008-06-30 2012-04-17 Bridgelux, Inc. Light emitting device having a transparent thermally conductive layer
JP5431706B2 (ja) * 2008-10-01 2014-03-05 ミネベア株式会社 発光装置
WO2010049875A1 (en) * 2008-10-30 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Laser lighting device
CN102238893B (zh) * 2008-12-05 2014-04-02 奥林巴斯株式会社 照明装置以及内窥镜装置
JP5375122B2 (ja) * 2009-01-21 2013-12-25 株式会社Jvcケンウッド 光源装置、投射型表示装置、及び背面投射型表示装置
JP2010199357A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Nichia Corp 発光装置及びその製造方法
JP4910010B2 (ja) 2009-03-24 2012-04-04 株式会社東芝 半導体発光装置
JP2010251686A (ja) * 2009-03-26 2010-11-04 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置及びその製造方法
US9800017B1 (en) 2009-05-29 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Laser device and method for a vehicle
JP2011014852A (ja) * 2009-06-05 2011-01-20 Konica Minolta Opto Inc 発光装置
JP2011014587A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Nichia Corp 発光装置
KR20110007456A (ko) * 2009-07-16 2011-01-24 주식회사 엑스엘 광 모듈 및 그 제조방법
JP2011040495A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール
JP2011040494A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール
WO2011040829A1 (ru) * 2009-09-30 2011-04-07 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Светодиодное осветительное устройство
CN102072463B (zh) * 2009-11-19 2015-09-09 深圳市光峰光电技术有限公司 灯光装置及其调节颜色的方法、光波长转换轮组件
JP5478232B2 (ja) * 2009-12-11 2014-04-23 オリンパス株式会社 照明装置
GB2477569A (en) * 2010-02-09 2011-08-10 Sharp Kk Lamp having a phosphor.
WO2011128826A1 (en) * 2010-04-16 2011-10-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device
DE102010034054A1 (de) * 2010-08-11 2012-02-16 Schott Ag Laserbasierte Weißlichtquelle
JPWO2012053386A1 (ja) * 2010-10-21 2014-02-24 シーシーエス株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2012095911A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Fujifilm Corp 内視鏡及び内視鏡用光源装置
JP2012119193A (ja) 2010-12-01 2012-06-21 Sharp Corp 発光装置、車両用前照灯、照明装置、及び車両
JP2012169049A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Ushio Inc 光源装置
JP5788194B2 (ja) 2011-03-03 2015-09-30 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、及び車両用前照灯
JP5369201B2 (ja) 2011-04-28 2013-12-18 シャープ株式会社 投光ユニットおよび投光装置
JP6012936B2 (ja) 2011-06-13 2016-10-25 オリンパス株式会社 照明装置
CN102853378B (zh) 2011-06-29 2015-09-02 夏普株式会社 投射装置、及具备该投射装置的车辆用前照灯
JP5552573B2 (ja) * 2011-07-12 2014-07-16 パナソニック株式会社 光学素子及びそれを用いた半導体発光装置
KR101469249B1 (ko) * 2012-01-03 2014-12-09 주식회사 엑스엘 광 모듈 및 그 제조방법
JP5589007B2 (ja) 2012-01-18 2014-09-10 シャープ株式会社 発光装置、照明装置および車両用前照灯
JP5939418B2 (ja) * 2012-01-24 2016-06-22 スタンレー電気株式会社 車両用灯具ユニット
US20130208496A1 (en) * 2012-01-31 2013-08-15 Sharp Kabushiki Kaisha Illuminating device
KR20130104628A (ko) * 2012-03-14 2013-09-25 서울반도체 주식회사 Led 조명 모듈
DE102012005657B4 (de) 2012-03-22 2020-06-10 Schott Ag Weißlichtbeleuchtungsvorrichtung
JP5968682B2 (ja) 2012-05-24 2016-08-10 シャープ株式会社 投光装置および車両用前照灯
RU2013114379A (ru) 2012-06-26 2016-08-20 Торэй Индастриз, Инк. Способ производства циклоалканоноксима
JP6061130B2 (ja) * 2012-09-27 2017-01-18 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP6056117B2 (ja) * 2012-12-06 2017-01-11 スタンレー電気株式会社 発光装置及び車両用灯具
DE102012223854A1 (de) * 2012-12-19 2014-06-26 Osram Gmbh Remote-Phosphor-Konvertereinrichtung
WO2014125782A1 (ja) 2013-02-18 2014-08-21 株式会社小糸製作所 車両用灯具
JP6103998B2 (ja) * 2013-03-15 2017-03-29 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP6146735B2 (ja) * 2013-03-27 2017-06-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP5971180B2 (ja) * 2013-04-19 2016-08-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6177596B2 (ja) 2013-06-18 2017-08-09 シャープ株式会社 発光装置
JP2016154063A (ja) * 2013-06-21 2016-08-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 波長変換部材、光源、及びランプ
JP2016154062A (ja) * 2013-06-21 2016-08-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 光源、及び光源を具備する車両用ヘッドランプ
JP6529713B2 (ja) * 2013-09-17 2019-06-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2015061010A (ja) * 2013-09-20 2015-03-30 豊田合成株式会社 Iii族窒化物半導体発光素子とその製造方法と実装体の製造方法
JP2014060164A (ja) * 2013-10-28 2014-04-03 Sharp Corp 発光装置、および照明装置
KR101592649B1 (ko) * 2013-12-24 2016-02-12 현대자동차주식회사 헤드램프용 레이저 광학계
WO2015138495A1 (en) * 2014-03-11 2015-09-17 Osram Sylvania Inc. Light converter assemblies with enhanced heat dissipation
JP6540050B2 (ja) * 2014-04-09 2019-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6225812B2 (ja) * 2014-04-18 2017-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20150343560A1 (en) * 2014-06-02 2015-12-03 Fracturelab, Llc Apparatus and method for controlled laser heating
CN106471332B (zh) 2014-06-27 2019-07-09 株式会社基恩士 多波长共焦测量装置
JP2016058624A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
TW201616683A (zh) * 2014-10-27 2016-05-01 喆富創新科技股份有限公司 發光二極體模組之結構及其製造方法
JP2015043109A (ja) * 2014-11-20 2015-03-05 カシオ計算機株式会社 光源装置及びプロジェクタ
JP6657559B2 (ja) * 2014-12-24 2020-03-04 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2016162860A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 シチズン電子株式会社 Led発光装置
JP6568706B2 (ja) * 2015-04-17 2019-08-28 株式会社小糸製作所 車両用灯具
US11437775B2 (en) * 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. Integrated light source using a laser diode
US10938182B2 (en) 2015-08-19 2021-03-02 Soraa Laser Diode, Inc. Specialized integrated light source using a laser diode
US10879673B2 (en) 2015-08-19 2020-12-29 Soraa Laser Diode, Inc. Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package
US11437774B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. High-luminous flux laser-based white light source
JP6296024B2 (ja) * 2015-08-28 2018-03-20 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置
WO2017056469A1 (ja) 2015-09-29 2017-04-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 光源装置および投光装置
JP6681694B2 (ja) * 2015-10-30 2020-04-15 スタンレー電気株式会社 面発光レーザ素子
JP6225976B2 (ja) * 2015-10-30 2017-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102015226636A1 (de) * 2015-12-23 2017-06-29 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit laserdiode und wandlereinrichtung
JP2017120864A (ja) 2015-12-28 2017-07-06 株式会社タムラ製作所 発光装置
JP6239016B2 (ja) * 2016-02-04 2017-11-29 オリンパス株式会社 光源装置と内視鏡装置
JP6565755B2 (ja) * 2016-03-25 2019-08-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6940749B2 (ja) 2016-04-28 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN105870296B (zh) * 2016-05-27 2018-06-08 江苏罗化新材料有限公司 一种高透光led封装结构及工艺
JP6493308B2 (ja) * 2016-05-31 2019-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6638575B2 (ja) * 2016-06-27 2020-01-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102016113470A1 (de) 2016-07-21 2018-01-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbauelement
JP6780377B2 (ja) * 2016-08-30 2020-11-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2018181588A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 シャープ株式会社 アイセーフ光源およびアイセーフ光源の製造方法
KR102623150B1 (ko) * 2017-04-20 2024-01-11 트리나미엑스 게엠베하 광 검출기
TWI757315B (zh) * 2017-07-28 2022-03-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置以及其製造方法
JP6705462B2 (ja) 2018-01-30 2020-06-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110118397A (zh) * 2018-02-06 2019-08-13 富泰华工业(深圳)有限公司 空气净化装置
JP2019160859A (ja) * 2018-03-08 2019-09-19 豊田合成株式会社 発光装置
DE102018203694B4 (de) * 2018-03-12 2021-12-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bestrahlungseinheit mit Pumpstrahlungsquelle und Konversionselement
US11231569B2 (en) * 2018-06-13 2022-01-25 Panasonic Corporation Light-emitting device and illumination device
KR102094402B1 (ko) * 2018-08-24 2020-03-27 주식회사 케이티앤지 발광 소자 및 이를 포함하는 에어로졸 생성 장치
CN109638634A (zh) * 2018-12-14 2019-04-16 上海灿瑞科技股份有限公司 一种镭射光发射装置
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
JP6879290B2 (ja) * 2018-12-26 2021-06-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
US12000552B2 (en) 2019-01-18 2024-06-04 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
JP2020136672A (ja) * 2019-02-21 2020-08-31 シャープ株式会社 発光装置
DE102020106594A1 (de) * 2019-03-12 2020-09-17 Nichia Corporation Verfahren zur herstellung eines optischen elements, optisches element, und lichtemittierende vorrichtung
CN109980497A (zh) * 2019-04-15 2019-07-05 上海灿瑞科技股份有限公司 雷射光发光装置
EP3956925A1 (en) * 2019-04-18 2022-02-23 Lumileds Holding B.V. Lighting device
EP4130562A4 (en) 2020-03-31 2024-04-10 Kyocera Corporation OPTICAL CONVERSION DEVICE AND ILLUMINATION SYSTEM
JP7104346B2 (ja) 2020-10-09 2022-07-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7113999B1 (ja) * 2021-06-30 2022-08-05 京セラ株式会社 照明装置
WO2023276256A1 (ja) * 2021-06-30 2023-01-05 京セラ株式会社 照明装置

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2578262B2 (ja) 1991-02-22 1997-02-05 三菱重工業株式会社 クローラ型壁面吸着走行ロボット
JP3084173B2 (ja) 1993-05-27 2000-09-04 シャープ株式会社 半導体レーザー装置
JP2596709B2 (ja) * 1994-04-06 1997-04-02 都築 省吾 半導体レーザ素子を用いた照明用光源装置
JP3687254B2 (ja) * 1996-10-30 2005-08-24 富士電機ホールディングス株式会社 半導体レーザ装置およびその製造方法
JPH10153720A (ja) * 1996-11-25 1998-06-09 Sony Corp 光送受信装置
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
JP4271747B2 (ja) 1997-07-07 2009-06-03 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード用透光性被覆材及び蛍光カラー光源
JPH1168164A (ja) * 1997-08-26 1999-03-09 Rohm Co Ltd 双方向光通信用モジュール
JPH1187778A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
US6469322B1 (en) * 1998-02-06 2002-10-22 General Electric Company Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes
DE10006738C2 (de) * 2000-02-15 2002-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung
JP4527230B2 (ja) * 2000-02-28 2010-08-18 三菱電機照明株式会社 面発光led光源
WO2002089219A1 (fr) * 2001-04-17 2002-11-07 Nichia Corporation Appareil electroluminescent
US7091656B2 (en) * 2001-04-20 2006-08-15 Nichia Corporation Light emitting device
JP2002340698A (ja) * 2001-05-11 2002-11-27 Ohkura Electric Co Ltd 積分球型光ファイバー温度計
TW552726B (en) * 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
JP2003204108A (ja) * 2002-01-10 2003-07-18 Hitachi Ltd 半導体レーザモジュール応用装置
JP4158012B2 (ja) 2002-03-06 2008-10-01 日本電気硝子株式会社 発光色変換部材
JP4054594B2 (ja) 2002-04-04 2008-02-27 日東光学株式会社 光源装置及びプロジェクタ
JP3707688B2 (ja) * 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2004128273A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Sharp Corp 発光素子
JP4072632B2 (ja) * 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
US7245072B2 (en) * 2003-01-27 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector
US7091653B2 (en) * 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
JP4123057B2 (ja) * 2003-05-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置及びその製造方法
JP4300888B2 (ja) * 2003-06-11 2009-07-22 富士ゼロックス株式会社 光波長多重通信用モジュールおよびこれを用いた光波長多重通信システム
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
US6903382B2 (en) * 2003-07-07 2005-06-07 Lightop Technology Co., Ltd. Light emitting diode mounting structure
US7391153B2 (en) * 2003-07-17 2008-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation
CN1864027B (zh) * 2003-10-06 2010-08-25 照明管理解决方案有限公司 使用发光二极管的改良光源和从中采集辐射能量的改良方法
JP2005294185A (ja) * 2004-04-05 2005-10-20 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
CN100472823C (zh) * 2003-10-15 2009-03-25 日亚化学工业株式会社 发光装置
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
JP4047266B2 (ja) * 2003-11-19 2008-02-13 株式会社小糸製作所 灯具
JP2005166733A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
WO2005088787A1 (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. コヒーレント光源および光学システム
JP4020092B2 (ja) * 2004-03-16 2007-12-12 住友電気工業株式会社 半導体発光装置
US20070262702A1 (en) * 2004-03-31 2007-11-15 Shunsuke Fujita Phoshor and Light-Emitting Diode
JP4317478B2 (ja) * 2004-03-31 2009-08-19 三菱化学株式会社 蛍光体型発光装置及びそれを照明源とする内視鏡装置
JP2005354016A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Yasaka:Kk レーザ装置の駆動装置及びレーザ装置並びにレーザ墨出し器
JP4546176B2 (ja) * 2004-07-16 2010-09-15 京セラ株式会社 発光装置
US7457343B2 (en) * 2004-11-01 2008-11-25 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lens structure, optical transmitter, and method for producing same
JP4401348B2 (ja) 2004-12-28 2010-01-20 シャープ株式会社 発光デバイスならびにそれを用いた照明機器および表示機器
JP2006334269A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Suitaya:Kk ゴルフクラブ
JP4761848B2 (ja) * 2005-06-22 2011-08-31 株式会社東芝 半導体発光装置
JP5228412B2 (ja) 2006-11-21 2013-07-03 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
US8106414B2 (en) * 2006-11-21 2012-01-31 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device

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