JP2019160859A - 発光装置 - Google Patents

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有毅 河村
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聡 和田
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Taketo Hayashi
健人 林
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Masaaki Osawa
政明 大沢
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Masahisa Kamiya
真央 神谷
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Abstract

【課題】発光効率が高く、かつ筐体内の樹脂部材から生じるガスに起因する半導体レーザー素子の汚染を防ぐことのできる発光装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様として、第１の空間Ｓ１に設置された半導体レーザー素子１２と、第２の空間Ｓ２に設置された樹脂部材（反射材１７及び接着剤１９）と、第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２を分ける壁に含まれる、半導体レーザー素子１２から発せられる光を透過する透過部材１４と、半導体レーザー素子１２から発せられて透過部材１４を透過する光を吸収して、波長を変換する波長変換部材１６と、を備え、第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２が、気体の交換ができないように隔離されている、発光装置１を提供する。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関する。
従来の発光装置として、半導体レーザー素子（レーザーダイオード）を収容する筐体の内部において、半導体レーザー素子が設置された空間と波長変換部材が設置された空間とが、中心部に光通過口を有する壁により区画された発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の発光装置によれば、波長変換部材により波長変換された光のうち、光通過口を通過して半導体レーザー素子が設置された空間へ戻る光（戻り光）は少なく、大部分は波長変換部材が設置された空間に形成された半球面状の光反射面により反射されるため、発光効率が高い。
特許第５０８３２０５号公報
しかしながら、特許文献１に記載の発光装置のような、パッケージ内の空間が空間的に連続している発光装置においては、パッケージ内に発光効率の向上のために樹脂を含む反射材を設置したり、波長変換部材等の固定に樹脂を含む接着剤を用いたりすると、樹脂材から揮発するガス（例えば、シリコーン樹脂から発生するシロキサンガス）により、半導体レーザー素子の表面が汚染され、レーザー発振に支障が生じるおそれがある。このため、このような発光装置の筐体内に樹脂を含む部材を設置することには問題がある。
本発明の目的は、発光効率が高く、かつ筐体内の樹脂部材から生じるガスに起因する半導体レーザー素子の汚染を防ぐことのできる発光装置を提供することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記［１］〜［７］の発光装置を提供する。
［１］第１の空間に設置された半導体レーザー素子と、第２の空間に設置された樹脂部材と、前記第１の空間と前記第２の空間を分ける壁に含まれる、前記半導体レーザー素子から発せられる光を透過する透過部材と、前記半導体レーザー素子から発せられて前記透過部材を透過する光を吸収して、波長を変換する波長変換部材と、を備え、前記第１の空間と前記第２の空間が、気体の交換ができないように隔離されている、発光装置。
［２］前記透過部材がガラスからなる、上記［１］に記載の発光装置。
［３］前記壁が、前記透過部材と前記透過部材を支持する板状の支持部材から構成され、前記透過部材の底面の高さが、前記支持部材の底面の高さよりも前記半導体レーザー素子の高さから離れている、上記［１］又は［２］に記載の発光装置。
［４］前記透過部材と前記支持部材との接触面が、前記第１の空間側から前記第２の空間側に向かって広がるように傾斜している、上記［３］に記載の発光装置。
［５］前記樹脂部材が、前記波長変換部材を固定するための接着剤を含む、上記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の発光装置。
［６］前記樹脂部材が、前記第２の空間の内面に形成された反射材を含む、上記［１］〜［５］のいずれか１項に記載の発光装置。
［７］前記樹脂部材が、シリコーン系樹脂を含む、上記［１］〜［６］のいずれか１項に記載の発光装置。
本発明によれば、発光効率が高く、かつ筐体内の樹脂部材から生じるガスに起因する半導体レーザー素子の汚染を防ぐことのできる発光装置を提供することができる。
図１（ａ）は、第１の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。図１（ｂ）は、発光装置の透過部材及び第１のキャップの透過部材の近い部分の拡大断面図である。 図２は、透過部材を第１のキャップに固定する方法の好ましい一例を示す垂直断面図である。 図３（ａ）〜（ｃ）は、透過部材の形状の例を示す垂直断面図である。 図４は、第１の実施の形態に係る発光装置の変形例の垂直断面図である。 図５は、第１の実施の形態に係る発光装置の他の変形例の垂直断面図である。 図６は、第２の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。 図７は、第２の実施の形態に係る発光装置の変形例の垂直断面図である。
〔第１の実施の形態〕
（発光装置の構成）
図１（ａ）は、第１の実施の形態に係る発光装置１の垂直断面図である。発光装置１は、ＣＡＮパッケージと呼ばれる形態の発光装置であり、電極ピン１１を有するステム１０と、ステム１０に実装された半導体レーザー素子１２と、半導体レーザー素子１２を収容する第１のキャップ１３と、第１のキャップ１３の開口部に嵌め込まれた透過部材１４と、第１のキャップ１３の外側に設置される第２のキャップ１５と、第２のキャップ１５の開口部に嵌め込まれた波長変換部材１６と、を備える。
半導体レーザー素子１２が設置された第１のキャップ１３内の空間である第１の空間Ｓ１は、ステム１０、第１のキャップ１３、及び透過部材１４により密閉されて気密状態にある。
また、第２のキャップ１５内の第１のキャップ１３の外側の空間である第２の空間Ｓ２には、樹脂部材が設置されている。樹脂部材は、樹脂を含む部材であり、例えば、後述する反射材１７や接着剤１９である。
上述のように、第１の空間Ｓ１は気密状態にあり、第２の空間Ｓ２とは、気体の交換ができないように空間的に隔離されている。このため、第２の空間Ｓ２に設置された樹脂部材から発生したガスが第１の空間Ｓ１に入り込むことはほとんどなく、このガスによる半導体レーザー素子１２の汚染を防ぐことができる。
なお、樹脂からは、その種類に依らず何らかのガスが発生し、そのようなガスに半導体レーザー素子１２が曝されると、表面が汚染されてレーザー発振に支障が生じるおそれがある。特に、シリコーン系樹脂が揮発することにより生じるシロキサンガスは半導体レーザー素子１２を強く汚染するため、第２の空間Ｓ２に設置された樹脂部材がシリコーン系樹脂を含む場合に、上述の半導体レーザー素子１２の汚染防止効果はより重要になる。
図１（ｂ）は、発光装置１の透過部材１４及び第１のキャップ１３の透過部材１４の近い部分の拡大断面図である。第１のキャップ１３は、その上壁１３ａに開口部１３ｂを有し、開口部１３ｂに透過部材１４が嵌め込まれている。第１のキャップ１３の上壁１３ａとそこに嵌め込まれた透過部材１４とが、第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２を隔離する壁となっている。
ステム１０は、金属材料や熱伝導性のよい絶縁材料からなる。電極ピン１１には、半導体レーザー素子１２のｎ極に接続される電極ピンとｐ極に接続される電極ピンが含まれ、その他、必要に応じて、半導体レーザー素子１２の温度を測定する温度センサ（図示されない）などに接続される電極ピンが含まれる。
半導体レーザー素子１２は、波長変換部材１６の励起光源として機能する。半導体レーザー素子１２は、台座１８に設置された状態で、ステム１０に実装されている。
半導体レーザー素子１２の発光波長は特に限定されず、波長変換部材１６の材料（吸収波長）や発光装置１から取り出す光の色などに応じて適宜選択される。例えば、半導体レーザー素子１２が青色光を発し、波長変換部材１６が黄色の蛍光を発する場合は、波長変換部材１６に波長変換されずに取り出される一部の青色光と黄色の蛍光の混合光である白色光を発光装置１から取り出すことができる。
第１のキャップ１３は、半導体レーザー素子１２を収容するようにステム１０に被せられ、固定されている。第１のキャップ１３は、ステンレスや鉄などの、高い気密性を得ることのできる材料からなる。
透過部材１４は、半導体レーザー素子１２から発せられる光を透過する材料からなる。透過部材１４は、半導体レーザー素子１２の光軸上に位置する。半導体レーザー素子１２から発せられた光は、透過部材１４を透過して、第１の空間Ｓ１から第２の空間Ｓ２へ進行することができる。
透過部材１４は、硼酸塩系ガラス、珪酸塩系ガラスやサファイアガラスなどのガラスや、ポリカーボネートやアクリルなどの樹脂からなるが、半導体レーザー素子１２を汚染させる可能性のあるガスを発生させる樹脂よりも、ガラスが透過部材１４の材料として好ましい。透過部材１４の平面形状は、典型的には四角形であるが、円形や四角形以外の多角形であってもよい。
また、透過部材１４を第１のキャップ１３に固定するために、樹脂を含む接着剤を用いないことが好ましい。
図２は、透過部材１４を第１のキャップ１３に固定する方法の好ましい一例を示す垂直断面図である。図２に示される方法では、まず、第１のキャップ１３の裏側（第１の空間Ｓ１側）から第１のキャップ１３の開口部１３ｂ周辺に加熱体２０を接触させ、第１のキャップ１３の開口部１３ｂ周辺を加熱する。ここで、加熱体２０は、透過部材１４の融点以上の温度に加熱された金属などからなる部材である。
そして、第１のキャップ１３の開口部１３ｂ周辺の温度が透過部材１４の融点以上となった状態で、プレス機２１により、第１のキャップ１３の表側から透過部材１４を開口部１３ｂ内に押し込む。これにより、透過部材１４の開口部１３ｂの側面と接触する部分が溶融する。その溶融部分が降温により硬化することにより、透過部材１４が第１のキャップ１３の開口部１３ｂ内に固定される。
図２に示される方法においては、第１のキャップ１３を加熱する際に溶融しないように、第１のキャップ１３の融点が透過部材１４の融点よりも大きいことが求められる。
また、図２に示される方法においては、透過部材１４を第１のキャップ１３の開口部１３ｂ内に押し込んだ際に透過部材１４が加熱体２０に接触すると、透過部材１４が溶融して変形などを起こすおそれがある。このため、透過部材１４が加熱体２０に接触しないように、透過部材１４の底面の高さが、透過部材１４を支持する板状の支持部材である第１のキャップ１３の上壁１３ａの底面の高さよりも、半導体レーザー素子１２の高さから離れていることが好ましい。
図３（ａ）〜（ｃ）は、透過部材１４の形状の例を示す垂直断面図である。図３（ａ）に示される例では、透過部材１４と上壁１３ａとの接触面が、第１の空間Ｓ１側から第２の空間Ｓ２側に向かって広がるように傾斜している。このため、第１のキャップ１３の表側から透過部材１４を開口部１３ｂ内に押し込むことにより、容易に透過部材１４を目的とする位置に固定することができる。
図３（ｂ）に示される例では、開口部１３ｂの側面が段差を有し、開口部１３ｂの第１の空間Ｓ１側の径が第２の空間Ｓ２側の径よりも小さくなっている。そして、透過部材１４は、開口部１３ｂの第２の空間Ｓ２側の領域に嵌め込まれる。このため、第１のキャップ１３の表側から透過部材１４を開口部１３ｂ内に押し込むことにより、容易に透過部材１４を目的とする位置に固定することができる。
図３（ｃ）に示される例では、透過部材１４が第１のキャップ１３の上壁１３ａから第２の空間Ｓ２側に突出したドーム状のレンズ領域１４ａを有する。このレンズ領域１４ａにより半導体レーザー素子１２から発せられた光を集光し、光取出効率を向上させることができる。
透過部材１４の第２の空間Ｓ２側の面又は第１の空間Ｓ１側の面にＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜を設けてもよい。ＤＢＲ膜は、半導体レーザー素子１２から発せられる光を透過し、波長変換部材１６から発せられる蛍光を反射することができる。
第２のキャップ１５は、第１のキャップ１３の側面を覆うようにステム１０に被せられ、固定されている。第２の空間Ｓ２は、第１のキャップ１３の上壁、第２のキャップ１５、及び波長変換部材１６に囲まれた空間である。
第２のキャップ１５の材料は、第１のキャップ１３の材料と同じであってもよいが、第２のキャップ１５は第１のキャップ１３と異なり、内部の空間（第２の空間Ｓ２）の気密性を確保する必要がないため、波長変換部材１６の放熱性を重視して、アルミニウムなどの放熱性の高い材料を用いることができる。このため、第２のキャップ１５は、第１のキャップ１３よりも熱伝導率の高い材料からなることが好ましい。
第２の空間Ｓ２において波長変換部材１６に入射した際に後方散乱された光は、第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２を隔離する壁である第１のキャップ１３の上壁１３ａの存在により、多くが反射され、第１の空間Ｓ１へ戻り難い。このため、半導体レーザー素子１２、台座１８、第１のキャップ１３の内面などに吸収される光が少なく、発光装置１は高い発光効率を有する。
また、第２の空間Ｓ２の内面における反射率を高めて発光装置１の発光効率をより向上させるために、第２の空間Ｓ２の内面に反射材１７を設けることが好ましい。
反射材１７は、反射フィラーを含む樹脂からなる膜である。反射材１７を構成する樹脂としては、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂などを用いることができ、反射フィラーとしてはＴｉＯ２、ＢａＳＯ４、ＺｎＯ、ＢａＣＯ３、ＳｉＯ２などの反射率の高い材料の粒子を用いることができる。
反射材１７は、樹脂を含む樹脂部材であり、揮発により半導体レーザー素子１２を汚染させるおそれのあるガスが発生する。しかしながら、上述のように第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２は空間的に隔離されているため、反射材１７から発生したガスが第１の空間Ｓ１に入ることはない。
反射材１７が第１のキャップ１３の上壁１３ａを覆う場合には、第１のキャップ１３の全体が透過部材１４の材料で構成されてもよい。この場合、第１のキャップ１３が透過部材としての機能も併せ持つため、第１のキャップ１３は開口部１３ｂを有さず、透過部材１４も不要である。反射材１７は、上壁１３ａの光軸上の領域及びその近傍の領域以外の領域を覆う。
第２のキャップ１５の上壁の開口部には、波長変換部材１６が嵌め込まれている。通常、波長変換部材１６は、半導体レーザー素子１２の光軸上に位置する。
波長変換部材１６は、半導体レーザー素子１２から発せられた光を吸収して蛍光を発する蛍光体を含む部材である。波長変換部材１６は、例えば、アルミナ、ガラス、樹脂などからなるベース材に蛍光体粒子が含まれる部材、又は蛍光体の焼結体である。
波長変換部材１６に含まれる蛍光体は、特に限定されないが、例えば、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）蛍光体、αサイアロン蛍光体、ＢＯＳ（バリウム・オルソシリケート）蛍光体などの黄色系蛍光体を用いてもよいし、βサイアロン蛍光体などの緑色蛍光体と（Ｃａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕなどの赤色蛍光体を混合して用いてもよい。
波長変換部材１６の平面形状は、典型的には四角形であるが、円形や四角形以外の多角形であってもよい。
透過部材１４の第２の空間Ｓ２側の面の面積を波長変換部材１６の面積よりも小さくすることにより、第２の空間Ｓ２から第１の空間Ｓ１への戻り光をより低減することができる。
図１に示されるように、波長変換部材１６は、樹脂を含む接着剤１９により第２のキャップ１５に固定されてもよい。接着剤１９は、波長変換部材１６の熱を効率よく第２のキャップ１５に逃がすために、熱伝導率の高い接着剤であることが好ましい。接着剤１９は、例えば、高熱伝導フィラーを含むシリコーン系接着剤である。
接着剤１９は、樹脂を含む樹脂部材であり、揮発により半導体レーザー素子１２を汚染させるおそれのあるガスが発生する。しかしながら、上述のように第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２は空間的に隔離されているため、接着剤１９から発生したガスが第１の空間Ｓ１に入ることはない。
（発光装置の変形例の構成）
図４は、第１の実施の形態に係る発光装置１の変形例である発光装置２の垂直断面図である。
発光装置２においては、第２のキャップ２５で構成される第２の空間Ｓ２の内壁（上面以外の内面）が曲面で構成されている。このため、波長変換部材１６により後方散乱された光が波長変換部材１６へ戻りやすく、発光装置２は高い発光効率を有する。
また、図４に示されるように、第２のキャップ２５で構成される第２の空間Ｓ２の湾曲した内壁に、反射材２７を形成してもよい。これによって、第２の空間Ｓ２の内壁における反射率を高めて発光装置２の発光効率をより向上させることができる。
反射材２７は、樹脂を含む樹脂部材であり、第１の実施の形態に係る反射材１７と同様の材料からなる。
図５は、第１の実施の形態に係る発光装置１の他の変形例である発光装置３の垂直断面図である。
発光装置３においては、半導体レーザー素子１２の光軸方向が、波長変換部材１６の底面（入射面）に対して傾いている。この構成によれば、半導体レーザー素子１２から発せられた光が波長変換部材１６の入射面に対して垂直に入射することがないため、光の正反射成分が透過部材１４を通って第１の空間Ｓ１に戻り難い。これによって、半導体レーザー素子１２、台座１８、第１のキャップ１３の内面などによる光の吸収が抑制されるため、発光装置３は高い発光効率を有する。
〔第２の実施の形態〕
第２の実施の形態は、発光装置の形態が表面実装型（ＳＭＤ型）である点において、第１の実施の形態と異なる。なお、第１の実施の形態と同様の部材については、同じ符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
（発光装置の構成）
図６は、第２の実施の形態に係る発光装置４の垂直断面図である。発光装置４は、ＳＭＤ型と呼ばれる形態の発光装置であり、半導体レーザー素子１２と、半導体レーザー素子１２から発せられた光を反射する反射体４０と、半導体レーザー素子１２及び反射体４０を収容する第１の筐体４３と、第１の筐体４３の開口部に嵌め込まれた透過部材１４と、第１の筐体４３の上に設置される第２の筐体４５と、第２の筐体４５の開口部に嵌め込まれた波長変換部材１６と、を備える。
半導体レーザー素子１２が設置された第１の筐体４３内の空間である第１の空間Ｓ１は、第１の筐体４３及び透過部材１４により密閉されて気密状態にある。
また、第２の筐体４５内の空間である第２の空間Ｓ２には、樹脂部材が設置されている。樹脂部材は、樹脂を含む部材であり、例えば、反射材１７や接着剤１９である。
上述のように、第１の空間Ｓ１は気密状態にあり、第２の空間Ｓ２とは、気体の交換ができないように空間的に隔離されている。このため、第２の空間Ｓ２に設置された樹脂部材から発生したガスが第１の空間Ｓ１に入り込むことはほとんどなく、このガスによる半導体レーザー素子１２の汚染を防ぐことができる。
第１の筐体４３は、その上壁に開口部を有し、その開口部に透過部材１４が嵌め込まれている。第１の筐体４３の上壁とそこに嵌め込まれた透過部材１４とが、第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２を隔離する壁となっている。
半導体レーザー素子１２は、波長変換部材１６の励起光源として機能する。半導体レーザー素子１２は、台座４８に設置された状態で、第１の筐体４３に収容されている。
第１の筐体４３は、第１の実施の形態に係る第１のキャップ１３と同様に、ステンレスや鉄などの、高い気密性を得ることのできる材料からなる。
第１の筐体４３の開口部は、第１の実施の形態に係る第１のキャップ１３の開口部１３ｂと同様の形状及びその他の特徴を有し、透過部材１４を第１のキャップ１３の開口部１３ｂに嵌め込む方法により、透過部材１４を第１の筐体４３の開口部に嵌め込むことができる。
半導体レーザー素子１２から発せられた光は、ミラーなどの反射体４０により反射された後、透過部材１４を透過して、第１の空間Ｓ１から第２の空間Ｓ２へ進行する。
第２の筐体４５は、第１の筐体４３の上壁の上に固定されている。第２の空間Ｓ２は、第１の筐体４３の上壁、第２の筐体４５、及び波長変換部材１６に囲まれた空間である。
第２の筐体４５の材料には、第１の実施の形態に係る第２のキャップ１５の材料と同様の材料を用いることができる。
第２の空間Ｓ２において波長変換部材１６に入射した際に後方散乱された光は、第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２を隔離する壁である第１の筐体４３の上壁の存在により、多くが反射され、第１の空間Ｓ１へ戻り難い。このため、半導体レーザー素子１２、台座４８、第１の筐体４３の内面などに吸収される光は少なく、発光装置４は高い発光効率を有する。
また、第２の空間Ｓ２の内面における反射率を高めて発光装置４の発光効率をより向上させるために、第２の空間Ｓ２の内面に反射材１７を設けることが好ましい。
反射材１７は、樹脂を含む樹脂部材であり、揮発により半導体レーザー素子１２を汚染させるおそれのあるガスが発生する。しかしながら、上述のように第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２は空間的に隔離されているため、反射材１７から発生したガスが第１の空間Ｓ１に入ることはない。
第２の筐体４５の上壁の開口部には、波長変換部材１６が嵌め込まれている。波長変換部材１６は、樹脂を含む接着剤１９により第２の筐体４５に固定されてもよい。
接着剤１９は、樹脂を含む樹脂部材であり、揮発により半導体レーザー素子１２を汚染させるおそれのあるガスが発生する。しかしながら、上述のように第１の空間Ｓ１と第２の空間Ｓ２は空間的に隔離されているため、接着剤１９から発生したガスが第１の空間Ｓ１に入ることはない。
（発光装置の変形例の構成）
図７は、第２の実施の形態に係る発光装置４の変形例である発光装置５の垂直断面図である。
発光装置５においては、その側方から光が取り出される。波長変換部材１６は、第２の筐体４５により構成される第２の空間Ｓ２の上面に接着剤１９により固定されている。波長変換部材１６に波長変換された光、及び波長変換部材１６に吸収されずに散乱された光は、第２の筐体４５の側部の開口部に接着剤１９により固定された透過部材４１を通って取り出される。
透過部材４１は、半導体レーザー素子１２から発せられる光及び波長変換部材１６により波長変換された光を透過する材料、例えば、硼酸塩系ガラス、珪酸塩系ガラスやサファイアガラスなどのガラスや、ポリカーボネートやアクリルなどの樹脂からなる。
（実施の形態の効果）
上記の第１、２の実施の形態によれば、発光効率が高く、かつ筐体内の樹脂部材から生じるガスに起因する半導体レーザー素子の汚染を防ぐことのできる発光装置を提供することができる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。また、発明の主旨を逸脱しない範囲内において上記実施の形態の構成要素を任意に組み合わせることができる。
また、上記の実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
１、２、３、４、５ 発光装置
１０ ステム
１２ 半導体レーザー素子
１３ 第１のキャップ
１３ａ 上壁
１３ｂ 開口部
１４ 透過部材
１５、２５ 第２のキャップ
１６ 波長変換部材
１７、２７ 反射材
１９ 接着剤
４３ 第１の筐体
４５ 第２の筐体

Claims (7)

  1. 第１の空間に設置された半導体レーザー素子と、
    第２の空間に設置された樹脂部材と、
    前記第１の空間と前記第２の空間を分ける壁に含まれる、前記半導体レーザー素子から発せられる光を透過する透過部材と、
    前記半導体レーザー素子から発せられて前記透過部材を透過する光を吸収して、波長を変換する波長変換部材と、
    を備え、
    前記第１の空間と前記第２の空間が、気体の交換ができないように隔離されている、
    発光装置。
  2. 前記透過部材がガラスからなる、
    請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記壁が、前記透過部材と前記透過部材を支持する板状の支持部材から構成され、
    前記透過部材の底面の高さが、前記支持部材の底面の高さよりも前記半導体レーザー素子の高さから離れている、
    請求項１又は２に記載の発光装置。
  4. 前記透過部材と前記支持部材との接触面が、前記第１の空間側から前記第２の空間側に向かって広がるように傾斜している、
    請求項３に記載の発光装置。
  5. 前記樹脂部材が、前記波長変換部材を固定するための接着剤を含む、
    請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 前記樹脂部材が、前記第２の空間の内面に形成された反射材を含む、
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 前記樹脂部材が、シリコーン系樹脂を含む、
    請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
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