JPWO2005124786A1 - 半導体メモリ - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の目的は、ダイナミックメモリセルを有する半導体メモリの消費電力を削減することにある。特に、高温時のメモリセルのデータ保持時間を増加させることで、リフレッシュ周期を長くし、スタンバイ電流を削減することにある。
DRAMは、コマンドデコーダ10、リフレッシュ制御回路12、リフレッシュアドレスカウンタ14、コア制御回路16、センスアンプ制御回路18、プリチャージ制御回路20、温度センサ22、プリチャージ電圧生成回路24、アドレス入力回路26、データ入出力回路28、アドレス切替回路30およびメモリコア32を有している。なお、図1では、本発明の説明に必要な主要な信号のみを示している。
プリチャージ電圧生成回路24は、温度検出信号TEMPが高レベルのときにプリチャージ電圧VPRを内部電源電圧VIIの半分(VII/2)の値に設定し、温度検出信号TEMPが低レベルのときに、プリチャージ電圧VPRをVII/2より低い値に設定する。ここで、プリチャージ電圧VPRは、メモリセルMCの非アクセス中のビット線BL、/BLのリセット電圧(イコライズ電圧)として使用される。
アドレス入力回路26は、アドレス端子から供給されるアドレス信号ADを受信し、受信した信号をロウアドレス信号RADおよびコラムアドレス信号CADとして出力する。ロウアドレス信号RADは、読み出し動作、書き込み動作およびリフレッシュ動作においてワード線WLおよびセンスアンプSAを選択するとともに、非活性化するプリチャージ回路PREを選択するために供給される。コラムアドレス信号CADは、読み出し動作および書き込み動作においてビット線BL、/BLを選択するために供給される。
アドレス切替回路30は、読み出し動作、書き込み動作またはDRAMの外部からのリフレッシュコマンドに応答してリフレッシュ動作を実行するときに、ロウアドレス信号RADを内部ロウアドレス信号IRADとして出力する。アドレス切替回路30は、オートリフレッシュモード中またはセルフリフレッシュモード中にリフレッシュ動作を実行するときに、リフレッシュアドレス信号REFADを内部ロウアドレス信号IRADとして出力する。すなわち、読み出し動作、書き込み動作およびリフレッシュコマンドに応答するリフレッシュ動作では、外部から供給されるロウアドレス信号RADが選択され、オートリフレッシュモードおよびセルフリフレッシュモード中のリフレッシュ動作では、内部で生成されるリフレッシュアドレス信号REFADが選択される。
ロウデコーダRDECは、図示しないメインワードデコーダおよびサブワードデコーダを有している。メインワードデコーダは、内部ロウアドレス信号IRADに応じてメインワード線のいずれかを選択する。サブワードデコーダは、活性化されたメインワード線に対応する4本のワード線WLの一つを、内部ロウアドレス信号IRADに応じて選択する。コラムデコーダCDECは、コラムアドレス信号CADに応じて、ビット線BL、/BLとローカルデータバス線LDB、/LDBとをそれぞれ接続するコラムスイッチ(図示せず)をオンさせるコラム線信号を出力する。
センスバッファ部SBは、読み出し動作時にローカルデータバス線LDB、/LDB上の読み出しデータの信号量を増幅し、コモンデータバスCDBに出力する。ライトアンプ部WAは、書き込み動作時にコモンデータバスCDB上の書き込みデータの信号量を増幅し、ローカルデータバス線LDB、/LDBに出力する。
参照電圧生成部34は、内部電源線VIIと接地線VSSとの間に直列に接続された複数の高抵抗を有している。互いに隣接する2つの抵抗の接続ノードからは、それぞれ参照電圧V1〜V4が出力される。スイッチ部36は、CMOS伝達ゲートと、これ等CMOS伝達ゲートを制御するインバータを有している。スイッチ部36は、温度検出信号TEMPが高レベルのとき参照電圧V3、V4を参照電圧REFL、REFHとしてプリチャージ電圧生成部38に供給し、温度検出信号TEMPが低レベルのとき参照電圧V1、V2を参照電圧REFL、REFHとしてプリチャージ電圧生成部38に供給する。
周囲温度が境界温度BT1より高いとき、すなわち、高温時にメモリセルが”0データ”を保持している場合、セル電圧STRの減少は、温度依存性のないキャパシタ絶縁膜を介したリーク電流により減少する。一方、図4に示したように、”1データ”のデータ保持時間を高温時に長くするために、周囲温度が境界温度BT1より高いとき、プリチャージ電圧VPRは、VII/2−VPに設定されている。このため、周囲温度が境界温度BT1より高いときの”0データ”の読み出しマージンは、周囲温度が境界温度BT1以下のときに比べ減少する。しかし、上述したように、”0データ”の読み出しマージンの減少分を、”1データ”の読み出しマージンを増加分に割り振ることで、高温時のデータ保持時間(ワースト値)は、従来に比べ向上する。
従来のプリチャージ電圧VPRは、周囲温度に関係なく一定(VII/2)であった。このため、”1データ”の読み出しマージンは、ジャンクションリーク電流によってセル電圧STRが低くなる高温時に低下する(図6(a))。一方、”0データ”の読み出しマージンは、温度依存性がないため、高温時も低温時と同等である。したがって、高温時に、”1データ”の読み出しマージンと、”0データ”の読み出しマージンとの差が大きくなる。この結果、データ保持時間のワースト値は、高温時の”1データ”の読み出しマージンの低下によって短くなり、リフレッシュの頻度を高くする必要があった。
上述したように、周囲温度が境界温度BT1より高いとき、プリチャージ電圧VPRは、VII/2−VPに設定される。このため、図に太い矢印で示したように、”1データ”のデータ保持時間は長くなり、”0データ”のデータ保持時間は短くなる。しかし、高温状態において、”0データ”のデータ保持時間は、”1データ”のデータ保持時間より長い。このため、本発明の適用により、DRAMの性能を示すデータ保持時間(ワースト値)を延ばすことができる。この結果、リフレッシュの頻度を下げ、スタンバイ電流を削減できる。
温度センサを22をDRAMに内蔵することで、周囲温度を正確に検出できる。この結果、プリチャージ電圧VPRを高い精度で生成でき、データ保持時間を、周囲温度に応じて高い精度で制御できる。
DRAMは、第1の実施形態の温度センサ22およびプリチャージ電圧生成回路24の代わりに、温度センサ22Aおよびプリチャージ電圧生成回路24Aを有している。その他の構成は、第1の実施形態と同じである。
参照電圧生成部34Aは、内部電源線VIIと接地線VSSとの間に直列に接続された複数の高抵抗を有している。互いに隣接する2つの抵抗の接続ノードからは、それぞれ参照電圧V5〜V10が出力される。スイッチ部36Aは、温度検出信号TEMP1−0に応じて参照電圧V5〜V10のいずれか2つを選択し、選択した電圧を参照電圧REFL、REFH(REFL<REFH)としてプリチャージ電圧生成部38に供給する。
図10は、第2の実施形態のDRAMのデータ保持時間と温度との関係を示している。太い実線は、本発明のDRAMのデータ保持時間(ワースト)を示している。この例では、周囲温度が上昇して温度領域TP1〜TP4に順次移行し、境界温度BT1、BT2、BT3を超える度に、プリチャージ電圧VPRは、VPR1からVPR2、VPR2からVPR3、VPR3からVPR4と変化し、徐々に下がっていく。周囲温度が下降する場合は、逆の変化をする。
図11は、本発明の半導体メモリの第3の実施形態を示している。第1の実施形態と同じ要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。この半導体メモリは、シリコン基板上にCMOSプロセスを使用してDRAMチップとして形成されている。DRAMは、例えば、携帯電話等の携帯機器に搭載されるワークメモリに使用される。
温度センサ22Bは、周囲温度に応じた温度検出電圧VTEMP(アナログ値、温度検出信号)を出力する。すなわち、温度センサ22Aは、周囲温度に応じて連続的に変化する温度検出電圧VTEMPを出力する。温度検出電圧VTEMPは、周囲温度が高いほど高くなる。
DRAMは、第1の実施形態の温度センサ22およびプリチャージ電圧生成回路24の代わりに、温度センサ22Cおよびプリチャージ電圧生成回路24Cを有している。その他の構成は、第1の実施形態と同じである。プリチャージ電圧生成回路24Cは、周囲温度が境界温度BT2(例えば、10℃)より高いとき、プリチャージ電圧VPRをVII/2に設定し、周囲温度が境界温度BT2より低いとき、すなわち低温時にプリチャージ電圧VPRをVII/2より高い電圧に設定する。
この実施形態では、プリチャージ電圧VPRは、低温時に高く設定される。低温時にプリチャージ電圧VPRを高くすることで、”1データ”の読み出しマージンは、減少する。常温時および高温時には、”1データ”の読み出しマージンは、ジャンクションリーク電流によるセル電圧STRの下降により減少する。したがって、低温時と高温時の”1データ”の読み出しマージンRMの差は、小さくなる。なお、低温時、メモリセルMCからのリーク電流は、極めて小さいため、読み出しマージンは元々十分にある。このため、低温時にプリチャージ電圧VPRを上昇させても、読み出しマージンの低下の影響は小さい。この結果、本発明の適用により、リフレッシュの頻度を下げることができ、スタンバイ電流を削減できる。
DRAMは、第1の実施形態の温度センサ22の代わりに、温度検出信号TEMPを受ける温度端子(外部端子)TTEMPを有している。その他の構成は、第1の実施形態と同じである。温度検出信号TEMPは、DRAMを搭載する携帯端末に内蔵される温度センサから出力される。内蔵温度検出信号TEMPは、第1の実施形態と同様に、周囲温度が境界温度BT1(例えば、40℃)より低いときに高レベルに設定され、周囲温度が境界温度BT1より高いときに低レベルに設定される。
図16は、本発明の半導体メモリの第6の実施形態を示している。第1の実施形態と同じ要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。この半導体メモリは、シリコン基板上にCMOSプロセスを使用して擬似スタティックRAMチップ(以下、擬似SRAMと称す)として形成されている。擬似SRAMは、例えば、携帯電話等の携帯機器に搭載されるワークメモリに使用される。
なお、上述した第2〜第5の実施形態では、本発明をDRAMに適用した例について述べた。本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。例えば、第2の実施形態の温度センサ22Aおよびプリチャージ電圧生成回路24A、第3の実施形態の温度センサ22Bおよびプリチャージ電圧生成回路24B、第4の実施形態の温度センサ22Cおよびプリチャージ電圧生成回路24C、および第5の実施形態の外部端子TEMPを、それぞれ擬似SRAMに適用してもよい。
以上、本発明について詳細に説明してきたが、上記の実施形態およびその変形例は発明の一例に過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。本発明を逸脱しない範囲で変形可能であることは明らかである。
Claims (8)
- ダイナミックメモリセルと、
前記ダイナミックメモリセルに接続されるビット線と、
複数種のプリチャージ電圧のいずれかを周囲温度に応じて出力するプリチャージ電圧生成回路と、
前記ダイナミックメモリセルの非アクセス中に、前記プリチャージ電圧生成回路から供給されるプリチャージ電圧をビット線に供給するプリチャージ回路と、
前記ダイナミックメモリセルから前記ビット線上に読み出されるデータ信号の電圧と供給されたプリチャージ電圧の差を増幅するセンスアンプとを備えていることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項1記載の半導体メモリにおいて、
前記プリチャージ電圧生成回路は、2種類のプリチャージ電圧(第1プリチャージ電圧および第2プリチャージ電圧)を生成可能であり、周囲温度が境界温度以下のときに第1プリチャージ電圧を出力し、周囲温度が前記境界温度より高いときに第2プリチャージ電圧を出力することを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項2記載の半導体メモリにおいて、
前記センスアンプは、増幅動作により前記ビット線の電圧を電源電圧VIIまたは接地電圧に変化させ、
前記プリチャージ電圧生成回路が出力する第1および第2プリチャージ電圧は、それぞれVII/2およびVII/2より低い電圧であることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項2記載の半導体メモリにおいて、
前記センスアンプは、増幅動作により前記ビット線の電圧を電源電圧VIIまたは接地電圧に変化させ、
前記プリチャージ電圧生成回路が出力する第1および第2プリチャージ電圧は、それぞれVII/2より高い電圧およびVII/2であることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項1記載の半導体メモリにおいて、
前記プリチャージ電圧生成回路は、周囲温度の変化に応じて連続的に変化するプリチャージ電圧を生成可能であり、周囲温度が低いほどプリチャージ電圧を高く設定し、周囲温度が高いほどプリチャージ電圧を低く設定することを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項5記載の半導体メモリにおいて、
前記周囲温度に応じたアナログ値を出力する温度センサを備え、
前記プリチャージ電圧生成回路は、前記温度センサから出力されるアナログ値に応じたプリチャージ電圧を出力することを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項1記載の半導体メモリにおいて、
前記周囲温度を検出し、温度検出信号として出力する温度センサを備え、
前記プリチャージ電圧生成回路は、前記温度センサから出力される前記温度検出信号に応じてプリチャージ電圧のいずれかを出力することを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項1記載の半導体メモリにおいて、
周囲温度を示す温度検出信号を受信する外部端子を備え、
前記プリチャージ電圧生成回路は、前記温度検出信号に応じてプリチャージ電圧のいずれかを出力することを特徴とする半導体メモリ。
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