JPH05504023A - 光電池 - Google Patents

光電池

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JPH05504023A JP3507923A JP50792391A JPH05504023A JP H05504023 A JPH05504023 A JP H05504023A JP 3507923 A JP3507923 A JP 3507923A JP 50792391 A JP50792391 A JP 50792391A JP H05504023 A JPH05504023 A JP H05504023A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光電池 本発明は新規の遷移金属染料及びそれらの光電池における使用に係わる。かがる 染料は、二酸化チタン膜を被覆して可視光から電気エネルギーへの変換において デバイスを有効にすることができる。
二酸化チタン膜く層)は半導体特性が良く知られており、この特性によって光電 池に有用となっている。しがしながら二酸化チタンは大きなバンドギャップを有 しており、従ってスペクトルの可視領域の光を吸収しない。太陽光利用において は、太陽が光を発する波長域、即ち300〜2000nmの光を集める光増感剤 で二酸化チタン膜を被覆することが重要である。熱力学的考察からは、820n m以下の波長を有する全ての放射光子が光増感剤によって吸収されるときに、最 も効率的に太陽エネルギーから電気への変換が行われることが判っている。従っ て太陽光変換に最適な染料は800nm近傍に吸収開始域(absorptio n onset)を有し、吸収スペクトルは、可視領域全体をカバーするような ものであるべきである。
効率的な太陽光エネルギー変換のための第2の必要条件は、光を吸収し従ってエ ネルギーが豊富な状態を獲得した後の染料が、電子を二酸化チタン膜の伝導帯中 に実用的な単位の量子効率で放出し得ることである。このためには、染料が二酸 化チタンの表面に適当な結合基(interlockiBgroup)を介して 結合することが必要である。結合基の機能は、染料の発色基と半導体の伝導帯と の間に電気的結合を提供することである。このタイプの電気的結合は、励起状態 の染料と伝導帯との間の電子の移動を容易にするために必要とされる。適当な結 合基としては、カルボキシレート基、シアノ基、ホスフェート基、または、オキ シム、ジオキシム、ヒドロキシキノリン、サリチレート及びαケトエルレートの ようなπ伝導性を有するキレート化基を挙げることができる。光電池が作動され ているときには、染料によって光注入された電子は外部回路中に電流を生成する 。
本発明によれば、 1つ以上の好ましくは多孔質で高表面積の二酸化チタン層が付与されたガラスプ レートまたは透明ポリマーシート上に堆積された光透過性導電層であって、少な くとも最後の二酸化チタン層(必要によっては最後から2番目及び最後から3番 目の層も)が、ニーまたは三価金属から選択された金属イオンでドーピングされ ている導電層を含む光電池が提供される。
更に本発明によれば、 i)少なくとも一方が透明であり且つ6Q%以上の可視光透過率を有する2つの 電極であって、プレートがこれら電極間に中空部(receptacle)を規 定するように配置されており、中空部内には電解液が位置しており、前記一方の 透明な電極が更に電解液被覆二酸化チタン膜を有している電極と、 ii)該電池によって生成された電流の通行を可能とする手段 とを備えている光電池であって、前記膜の電解液接触表面が、二価及び三価金属 及びホウ素から選択される少なくとも1種のイオンでドーピングされているとい う改良がなされている光電池が提供される。
本発明の目的において、ドーパントは二酸化チタンの表面、即ち二酸化チタン/ 電解液の界面またはその極めて近傍に閉じ込められることが不可欠である。これ を行なう好ましい方法は、一連の二酸化チタン層を次々と上に重ねて与え、最後 の3つの層までがドーパントを含むようにすることである。最後の4つの層がド ーパントを含むのも好ましいが、最後の層のみがドーパントを含むのはより好ま しい。
光増感用染料は、ドーピングしたTi0zJ!Fに塗布するのが好ましい。この ような光増感剤は、ルテニウム、オスミウムもしくは鉄錯体、または1つの超分 子錯体中の2つもしくは3つの遷移金属の組合せであるのが好渡しい。
好ましくは本発明の光電池は、 遷移金属錯体光増感剤で被覆された、好ましくは厚さ0゜1〜50ミクロンを有 する二酸化チタン膜が堆積された導電性の第1プレートと、 T i O2コーテイングをもたず且つ薄い電解液層によって第1プレートから 分離されている伝導性の第2プレートとを含み、少なくとも一方のプレートの可 視光(好ましくは太陽光)透過率が60%以上である。
第2プレート(“対極”としても公知である)は薄い電極触媒層(好ましくは厚 さ10ミクロン以下)で被覆することもできる。電極触媒の役割は、対極から電 解液への電子の移動を容易にすることである。対極になし得る別の変更は、最初 に電解液及び第1プレートを通過してその上に到達した光を反射するようにする ことである。
光増感剤は二酸化チタンの表面に塗布するのが好ましい。
光増感剤は、ルテニウム、オスミウム、鉄遷移金属錯体、またはこれらの組合せ から選択されるのがより好ましい。
電解液はレドックス系(電荷移動リレー)を含むのが好ましい、好ましいこのよ うな系としては、ヨウ素/ヨウ素溶液、臭素/臭素溶液、ヒドロキノン溶液、ま たは未結合電子を運搬する遷移金属錯体溶液を挙げることができる。電解液中に 存在する電荷移動リレーは電荷を一方の電極から他方の電極へと運搬する。電荷 移動リレーは純粋な仲介物質として作用し、電池の作動の間に化学的変化と受け ない。
本発明の光電池における電解質は、二酸化チタンに塗布された染料が不溶性を示 すような有機媒質中に溶解しているのが好ましい。これは、電池が長期安定性を 有するという利点を与える。
電解液に好ましい有機溶剤としては、限定的ではないが、水、アルコール及びそ の混合物、炭酸プロピレン、炭酸エチレン及びメチルピロリドンのような非揮発 性溶剤、非揮発性溶剤と例えばアセトニトリル、エチルアセテ−トまたはテトラ ヒドロフランのような粘性低下剤との混合物を挙げることができる。別の溶剤と してはジメチルスルホキシドまたはジクロロエタンを挙げることができる。混和 性であるならば、上記溶剤の任意の混合物を使用することもできる。
二酸化チタン膜は1より大きい粗度を有するのが好ましい。但し粗度とは、真の 表面積対見掛けの表面積の比と定義される。粗度は10〜1000であるのがよ り好ましく、50〜200であるのが最も好ましい。二酸化チタン層は、2つの 方法の一方を使用して伝導層の表面上に構築するのが好ましい、1つは、”5t aider and Augustynski、J、Electrochem、 Soc。
1979.126:2007”及び実施例35に記載の“ゾル−ゲル法”であり 、もう1つは、実施例35及び37に記載の“コロイド法”である。
本発明の電池の透明プレートに使用するガラスまたはポリマープレートは、プレ ートが好ましくは60〜99%、より好ましくは85〜95%の可視光透過率を 有するように光透過導電層がその上に堆積された任意の透明ガラスまたはポリマ ーである。透明伝導層は、10Ω/cm2以下、好ましくは1〜10Ω/cm2 の表面抵抗を有するのが好ましい。本発明の光電池に使用する透明伝導層は約0 .8原子%のフッ素をドーピングした二酸化スズでできているのが好ましい。こ の層を、低コストのソーダ石灰フロートガラスでできた透明基板上に堆積する。
このタイプの伝導性ガラスは、Asahi Glass Company、Lt d、東京9日本からTC○ガラスの商品名で入手することができる。透明伝導層 は、ガラス基板上に堆積した、酸化スズを5%以下の量でドーピングした酸化イ ンジウムで製造することもできる。これは、Ba1zersからIT○ガラスの 商品名で入手することができる。
本発明の光電池は、既存の電池と比較して以下の利点を有する。
1、通常の太陽電池に匹敵し得る充填係数(fill factor)を維持し つつ、通常の電池よりも高い開回路電圧を有する。
但し充填係数とは、光エネルギー変換に最適な電池電圧における電気出力を開回 路電圧と短絡電流の積で除算したものと定義される。高い開回路電圧は、より小 さい開回路電圧を有する通常の光電池よりも低い抵抗損で電池を作動することが できるので、実用化において極めて重要である。
2、半導体が光吸収及びキャリヤ輸送の機能を同時に果たすp−n接合固相太陽 電池とは対照的に、本発明の光電池はこれらの機能を分離している。光は、二酸 化チタン膜の表面に付着されている極めて薄い染料層によって吸収され、一方で 、電荷キャリヤ輸送は二酸化チタン膜によって行われる。結果的に、本発明の光 電池は多数キャリヤデバイスとして動作する。これは、結晶粒界または他のタイ プの結晶不規則性またはTi○2膜内の不純物及び不規則性のような欠陥が、少 数キャリヤが電池動作に関与するケースのように電池の効率を下げることはない という利点を有する。通常の太陽電池は少数電荷キャリヤで動作し、これは、か かる電池を高度に純粋で且つ規則性である材料から製造する必要性があることを 意味し、従ってコストがかがる。本発明は安価な太陽電池の開発を可能とする0 本発明の電池に使用する全ての材料は増悪剤を除いては安価である。しかしなが ら増感剤は、典型的には0.3mmol/m2はどの少量でしか使用されず、そ のコストは他の成分、例えばガラスプレートに対しては無視し得るほどである。
3、本発明の電池は多数キャリヤデバイスとして動作するということの更なる結 果として、電池電圧が入射光の強度に左右される程度は通常の太陽電池よりも小 さい。従って、通常の電池の効率が散乱光下または曇天下で急速に低下するのに 対して、本発明の電池はががる条件下で高い効率を維持する。
4、適当な染料を選択することにより、電池を太陽エネルギー変換に関して最適 化することができる1本発明の光電池は光吸収の最適しきい値波長を820nm に有しており、これに対応するエネルギーは1.5eVである。ががる電池は、 シリコンをベースとする電池よりも高い太陽光変換効率を達成し得る。
5、本発明の光電池は、既に公知の系よりも効率的に散乱光を電気に変換するこ とができる。
6゜好ましい本発明の光電池の更なる利点は、前面、背面または両面から照射し 得ることである。光を対極及び電解液を通してT i 02層に付着させた染料 に到達させるか、またはTi02層を通して付着染料に到達させることにより照 射することができる。染料被覆電極及び対極の両方が透明であるならば、全ての 方向からの光を収集することができる。このようにして、直射日光に加えて散乱 反射光を収集することができる。このことで太陽電池の総釜効率は向上する。
7、本発明の光電池の更なる利点は、染料を負荷したT102層の特殊表面構造 及び電気特性によって、対極を作用電極の上に直接置けることである。即ち、短 絡の形成を避ける目的で2つの電極を離して維持するためにポリマー膜のような スペーサーを使用する必要がない、染料被覆T102層の誘電性によって、対極 と直接接触したとしても、2つの電極の短絡による忠増電流がない。これは、デ バイスの構造を単純化してそのコストを下げるが故に、電池の実用化に重要な利 点である。
ゾル−ゲル法においては、最後の3つ、最後の2つまたは一番上のみの二酸化チ タン層を二価または三価金属を用いて15重量%以下の量でドーピングするのが 好ましい。
しかしながら、純粋なドーパントを極めて薄い最上の酸化物層の形態で堆積する のが有利となり得る。後者のケースでは遮断層が形成され、これで、半導体−電 解液接合部における電流漏れは防止される。全てのTi02層は実施例34に記 載のゾル−ゲル法によって形成される。堆積するTioz層の数は10〜11で あるのが好ましい、Ti0z膜の全厚は5〜50ミクロンであるのが好ましい( より好ましくは10〜20ミクロンである)。
光増感層は、後述する本発明の染料をTi02層に塗布することにより生成する ことができる。
即ち、一連の新規の染料は、有効な光増悪剤として作用するように開発されてい る。
更に本発明によって、配位子が三座、王座または全廃(Omnidentate )ポリピリジル化合物である、未置換のまたは置換された遷移金属(好ましくは ルテニウム、オスミウムまたは鉄)錯体からなる光増感染料が提供される。がが るピリジル化合物の1穐以上は1つ以上のシアノ基を含むのが好ましい。
更に本発明によれば、少なくとも1つの配位子が単核シアノ含有ピリジル化合物 を含む、遷移金属(好ましくはルテニウム、オスミウムまたは鉄)錯体からなる 光増感染料が提供される。
本発明の光増感染料においては1銘体当たり3つのルテニウム原子及び6つの供 与原子があるのが好ましい。
本発明によれば、下記の式(1)〜(1o)の化合物が提供される: [M(L”)(L″′)(μm(NC)M(CN)化’)(L’))2コ (1 )[M(L”)(Lb)<μm (N C)M(L’)(L’)u−(CN)M (CN)(L’)(L’))2コ (2)[M(L’)(L”>(μm (N  C>M(L’)(L’)μm (CN))2M(Lc)(L’)] (3)[( L”)(Lb><X)M a−(NC)M(CN)(Le)(L’)] (4) [M(L”)(Lb)(χ)2] <5)[M(L”)(L”)(La] <6 )[M(L”)(L”)(μ (NC)M(L’>(L’))2:l (7)[ M(L”)(L”)(μ (NC)M(Le)(L’)u (CN)M(Le) (L’))2] (8)[M<L”)(L’)μm(NC)M(L@)(L’) ] (9)[M(L”)(L”)(X>] (10)〔式中、各Mは独立に、ル テニウム、オスミウムまたは鉄から選択され、μm(CN)またはμm(NC) は、シアン基が2つの金属原子を架橋していることを示しており、L“、L5、 L″及びL6の各々は独立に、未置換のまたは1つまたは2つのC○○H基で置 換された2、2°−ビピリジル:C1−16アルキル、CI−1!アルコキシ及 びジフェニルから選択される1つまたは2つの基で置換された2、2−ビピリジ ル:未置換のまたは1つもしくは2つのカルボキシ基で置換された2、2′−ビ キノリン;未置換の、或いは1つもしくは2つのカルボキシ基及び/または1つ もしくは2つのしドロキシ基及び/または1つもしくは2つのオキシム基で置換 されたフェナントロリン;4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリンジ スルホンwiニジアザトリフェニレン、ジアザ−ヒドロキシ−カルボキシ−トリ フェニレン(例えば1.12−ジアザトリフェニレンまたはl、12−ジアザ( 6−ヒトロキシー7−カルボキシ)トリフェニレン);カルボキシピリジンIM えば2−カルボキシプリジン);フェニルピリジン;2.2”−ビス(ジフェニ ルホスフィノ)−1’、1−ビナフタレン;(ピリジルアゾ)レゾルシノール( 例えば4−(2−ピリジル(アゾ)レゾルシノール));ビス(2−ピリジル) c I−4アルカン: N 、N 、N’、N’−テトラC8□アルキルエチレ ンジアミン:及びジーC1−4アルキルグリオキシム;2,2°−ビイミダゾー ル;2,2’−ビベンズイミダゾール:2.−(2’−ピリジル)−N−メチル ベンズイミダゾール;2.−(2°−ピリジル)ベンゾチオゾール;2.−(2 ’−ピリジルメチル)ベンズイミダゾールから選択され、 L@は、(未1換の、または未1換のもしくはC0OHで置換されたフェニル基 によって置換された)チルピリジル(例えば2,2°、 6 ’ 、 2 ”チ ルピリジン)及びジカルボキシ−ピリジン(好ましくは2.6−ジカルボキシ− ピリジン);2,6−ビス(ベンズイミダゾール−2゛−イル)ピリジン;2, 6−ビス(N−メチルベンズイミダゾール−2′−イル)ピリジン;2.6−ビ ス(ベンゾチアゾール−2゛−イル)ピリジンから選択され、 各Xは独立に、ハロゲン化物、H2O,CN−1NC3−、アミン(第一級また は好ましくは第二級アルキルアミン)及び/またはピリジンである〕。
L″及びL′′の一方は、上述のごとき選択される結合基、好ましくは−COO H及び/またはOH及び/または=N−OH及び/または−cO−NH2基を有 するのが好ましい。
チルピリジルは、置換されている場合には、1つ以上のピリジル基においてC+ −+アルキル(好ましくはメチル)及び/またはCI−IGアルコキシ(好まし くはメトキシ)及び/またはカルボキシによって置換されているのが好ましく、 例えば2.2’、6’、2”チルピリジンが好ましい。
L″″〜L6におけるフェナントロリンは、5−カルボキシ−6−ヒドロキシ− 1,10−フェナントロリン及び5,6−シオキシムー1,10−フェナントロ リンから選択されるのが好ましい。
L1〜L4におけるジアザヒドロキシカルボキシトリフェニレンは1,12−ジ アザー6−ヒドロキシ−7一カルボキシトリフェニレンであるのが好ましい。
L” 〜Laにお+するC1−1677+/キル−2,2’−ビヒリシルは4  C1−+sアルキルー2,2′−ビピリジルであるのが好ましい。
L8〜L6におけるカルボキシピリジンは2−カルボキシピリジンであるのが好 ましい。
L’〜L6における(ピリジルアゾ)レゾルシノールは4−(2−ピリジルアゾ )レゾルシノールであるのが好ましい。
本発明の新規の光増感染料は光電池に使用することかで[M(L’>(L1′> (μ (NC)M(CN)(L’)(L’))2](1)の化合物は、1モルの 式(la): M(L’″)(L ”)CI2 (la)の化合物を、2モルの式(lb): M(Le)(L’)(CN)2 (lb)の化合物と常温より高い温度で反応さ せることにより製造することができる。
式(2)の化合物は、1モルの式(1)の化合物を2モルより僅かに過剰量の式 (2a): %式%(2) の化合物と常温より高い温度で反応させることにより製造することができる。
式(3)の化合物は、上述の式(1a)の化合物を1モルの式(3a): %式%(3) の化合物と常温より高い温度で反応させることにより製造することができる。
式(4)の化合物は、1モルの式(4a):M (L ”)(L ’)(X ) 2 (4a)の化合物を1モルの式(4b): %式%(4) の化合物と反応させることにより製造することができる。
式(5)の化合物は、1モルの式(5a):M X 、 (5m) の化合物を1モルのLo及び1モルの配位子形成化合物L”と常温より高い温度 で反応させることにより製造することができる。
式(6)の化合物は、1モルの式(6a):M (L ”)(L b>CI2  (6a)を1モルより過剰の量の配位子形成化合物Lcと常温より高い温度で反 応させることにより製造することができる。
式(7)の化合物は、1モルの式(7a):M (L ”)(L ”)Cl 2  (7a)の化合物を2モルの式<7b): CN M (Lc)(’L@) (7b)の化合物と常温より高い温度で反応さ せることにより製造することができる。
式(8)の化合物は、式(8a): M (L ”)(L ”)CI 2 (8a)の化合物を2モルの式(8b): %式%(8) の化合物と反応させることにより製造することができる。
式(9)の化合物は、式(9a): M (L ”)(L ”) (H20) (9a)の化合物を1モルの式(9b ): %式%) の化合物と常温より高い温度で反応させることによ゛り製造することができる。
式(10)の化合物は、1モルの式(10c):M (L ”)(X 2)CI  (100)の化合物を1モルの配位子形成化合物L’と常温より高い温度で反 応させることにより製造することができる。
更に本発明によって、光電池系に使用するための、ガラス支持体上の透明なTi O2層からなる電極が提供される。
かかる透明層は、Ti0zコロイド溶液をガラス支持体上に分散させることによ り製造するのが好ましい、かかる溶液は、Ti(○CH(CHz)2)4を加水 分解することにより調製するのが好ましい。
“透明”なる用語は、入射光の70%、より好ましくは80%がガラスを通過す ることを意味する。
以下、実施例によって本発明を更に説明する。
実施例1 配位子2.2゛−ビピリジン、4.4’−COOH−2,2−ビピリジン及びR uC1*・3HzOはAlfa andFluka製の市販サンプルである。他 の全ての材料は試薬グレードのものであり、更に精製せずに使用した。シス−ジ クロロビス(4,4”−COOH−2,2−ビピリジン)Ru (II)は公知 である。
a)シス−ジシアノビス 2.2′−ビビ1ジンRuI■へ金屑(前述の式(5 )の化合物に関連)800mg(1,45mmo 1)のシスージクooビス( 2゜2−ビピリジン)を80m1のDMF中に暗所で窒素下に溶解した。これと は別に水に溶解しておいた190mg(2,91mmol)のKCNをこの溶液 に加えた。溶液を還流下に3時間加熱した1反応の閏、暗紫色の溶液は橙赤色に 変化した。この反応の進行はUV/可視光分光光度計によってモニターした。溶 液を微細ガラスフリットで一過し、P液を減圧下に蒸発乾固した。未反応の出発 錯体を除去するため、残留物を20m1の水に溶解し、濾過した。P液を再び蒸 発乾固した。得られた残留物を15m1のエタノール中に溶解し、g&細ガラス フリットで濾過して、生成物KCtを定量的に除去した。P液に150m1のジ エチルエーテルを加えた。濁った溶液を冷蔵庫に2時間入れ、その後、ガラスフ リットで一過することにより沈澱物を回収した。沈澱物を毎回新たな5mlの2 =1工タノールジエチルエーテル混合物で3回洗浄し、次いで無水ジエチルエー テルで洗浄し、真空下に乾燥した。収量0.62g、収率90%。この錯体の純 度は元素分析及び蛍光挙動によって調査することができる。
b)シス−ジシアノビス(4,4°−COOH−2,2’−ビピリジンRuI■ )のム (前述の式(5)の化合物に関連)この錯体は、単離ステップ及び精製 ステップを除いては上述のものと同様の方法によって製造した1反応物質シス[ Ru(4,4’ C0OH2,2’ bpy)2c 12]及びKCNを1:2 の比で4時間還流させた後、溶液を冷やし、微細ガラスフリットで濾過した。P 液を減圧下に蒸発乾固した。得られた残留物をpH6〜7の水に溶解し、所望の 錯体を、その等電点がpH2,6の中性塩として単離RuL゛ のA (前述の 式(1)の化合物に関連)下記の表1に示す錯体は以下のように製造することが できる。307mg(0,43mmo I)のRu L2Cl 2を30m1の アルカリ性DMF中に暗所で窒素下に溶解した。
この溶液に400mg(0,86mmo 1)のRu L’2(CN)2を加え た。溶液を還流下に6時間加熱し、室温に冷やした。溶液を微細ガラスフリット で一過し、r液を蒸発乾固した。得られた残留物をpH6〜7の水に溶解した。
この溶液のpHは3.2に下がり、密な沈澱物が形成された。
溶液を冷蔵庫に10時間入れ、その後、ガラスフリットで一過することにより沈 澱物を回収した。沈澱物を、まず2:5アセトンジメチル工−テル混合物、次い で無水ジエチルエーテルで洗浄し、真空下に乾燥した。収量450mg(69% )。
実m例2(前述の式(1)の化合物に関連)0.86mmolのRu (If)  L ’z (CN )2を使用して実施例1cを繰り返し、表1の実施例2に 記載の化合物を製造した。
X差X=1旦 実施例1に従う方法によって、適当な反応物質から下記の表1に記載の化合物を 製造することができる。
表1 錯体 L L’ 1[Ru(Lz((CN)2Ru(L’)山14.4′−(COOH)zbpy  2.2’−bpy2 [Ru(Lz((CN)Ju(L)2)z’l 4,4 ’−(COOH)zbpV3 [Ru<1,2((CN)Ju(L’)2)zコ  4,4’ −(COOH)zb9F 4.4’ −(Me) 2−bpy4  [Ru(Lz((CN)zRu(L’)山コ 4,4’−(COOII)2bp y 4,4’−(ph)z−bpy5 [Ru(Lz((CN)20s(L’) z)2] 4.4’−(COOH)zbpy 2,2’−bpy6 RuL2( CN)z 4.4’−(COOF[)2bpy7 RuLz(CN)22.2’ −bpy8 RuL2(CN)24.4’−(Me)zbpF但し、“bpy” =2.2’−ビピリジル寒1目九ユ:ヨL旦 実施例1と票似の方法によって、適当な反応物質から表2に記載の錯体を製造す ることができる。
表2中、bPyは2,2゛−ビピリジルであり、biqは2.2−ビキノリンで あり、phe nは1.10−フェナントロリンである。
実施例19においては2−フェニルピリジンを使用し、実施例22においては直 鎖状及び分校状アルキル基を使用し、 実施例26においてはN、N−テトラメチル及びC,C−テトラメチルエチレン ジアミンを使用し、実施例27においては2,2−ビス(ジフェニルホスフィノ )−1,1’−ビナフチレンを使用し、実施例28.30及び31においては1 .10−オルトフエナントロレンを使用し、 実施例31においては4−(2−ピリジル)アゾレゾルシノールを使用した。
実施例1〜33の錯体は光増感染料として有効であることが判り、本発明の光電 池にそのまま使用することができる。
実施例34 好ましい光電池を図1を参照して示す。
伝導性ガラスに支持されているアルミニウムドープ二酸化チタン膜の増感に基づ く光電デバイスを以下のように製造した。
新たに留出させた21mm01のT i Cl +を10m1の無水エタノール 中に溶解することにより、有機二酸化チタン前駆体のストック溶液を調製した。
エタノール溶液中のTiC1,は自発的にチタンアルコキシドを与え、これを加 水分解してTiC2を得た0次いでストック溶液を更なる無水エタノールで希釈 して、チタン含有量がそれぞれ25mg/ml(溶液A)及び50mg/ml( 溶液B)の2種票の溶液を得た。アルミニウム含有量が1.25mg/mlにな るまでAlCl3を加えることにより、溶液Bから第3の溶液(溶液C)を調製 した。Asahi’ Inc、日本提供の表面積10cm2、可視光透過率85 %以上及び表面抵抗10Ω/cm”以下の伝導性ガラスシートを堆積TiO2層 の支持体として使用した。ガラスは、使用前にアルコールで洗浄した。溶液Aの 小滴を伝導性ガラスの表面に広げて薄いコーティングをつくった0次いで層を、 湿度を平衡飽和水蒸気圧の48%に維持した特別チャンバ内で28℃で30分間 加水分解した0次いで、450℃に維持した管状オーブン内の空気中で電極を加 熱したが、これは、オーブンの入口で5分間予熱してから中で15分間加熱した 。同様にして更に3つの層を作製した6次いで、溶液Bを使用して5つのより厚 い層を堆積した。第1の層と同じ工程を使用した。最後に溶液Cを使用して、ア ルミニウムドーパントを含む最後の2つの層を堆積した。管状オーブン内での最 後の層の加熱は15分間から30分間に延長した。二酸化チタン膜の全厚は10 〜20ミクロンである。
染料を堆積する前に、フィルムを99.997%の高度精製アルゴン中で焼結処 理した。適当な継目を有する石英管からなる水平管状オーブンを使用した。Ti O2層を有するガラスシートを挿入した後、管を2回排気し、アルゴンでパージ した。次いでガラスシートを、流量2.5リットル/時間のアルゴン還流下で温 度勾配を500℃/時間として550℃まで加熱し、この温度に35分間維持し た。
この処理によって、表面粗度が80〜200の鋭錐石膜が生成された。
連続アルゴン流下に冷却した後、ガラスシートを直ちに発色団のアルコール溶液 に移した。使用゛した発色団はトリマールテニウム錯体: [Ru (L2)[(CN)2Ru L2’]2]〔式中、Lは2,2゛−ビピ リジル−4,4゛−ジカルボン酸であり、L′は2,2°−ビピリジルである〕 であり、無水エタノール中のその濃度は5X10−’Mであった。電極表面にヒ ドロキシル基が存在すると染料の取込みを妨げるが故にTiO□表面のヒドロキ シル化を防ぐため、染料吸着前に膜を周囲の空気に長時間暴露するのは避けた。
発色団をエタノール溶液から30分間吸着させ、次いで、ガラスシートを取り出 し、無水エタノールで簡単に洗浄した。シート上のTi02層は、発色団コーテ ィングのために深紅色となった。
0.5MLiI及び3X10−M ヨウ素のエタノール溶液を含む通常の3極電 気化学セルを使用し、このような膜を用いて得られる光電流(photocur rent)作用スペクトルを、太陽光放射のAM 1スペクトル分布と一緒に添 付の図面に示す、入射単色光子から電流への変換効率(IPCE)を励起波長の 関数としてプロットした。これは、式:から導出した。光電流作用スペクトルと 太陽放射の重なりから、太陽光から電気への変換の総合効率ηは、式:%式%( ) 〔式中、OCvは開回路電圧であり、FFは光電池の充填係数である〕 で計算される。
式2の実験的検証のため、透明な伝導性二酸化スズ層(6)とホトアノード(p hotoanode)としてのガラス基板(7)とからなる伝導性ガラス(作用 電極)に支持された、染料(4)を負荷したTiO□(5)膜を使用し、添付の 図面に示した光電池を構築した。この電池はサンドイッチ様の構造を有しており 、作用電極(4〜7)は、厚さ約20ミクロンを有する薄い電解液層(13)に よって対極(1,2)から分・離されている。使用した電解液は0.5MLiI 及び3×10−3M ヨウ素のエタノール溶液であった。電解液(3)は、電池 の側部に取り付けられた小さな円筒形の溜め(図示なし)内に入れられており、 そこから毛管作用によって電極間のスペースに引き込まれる。対極は、やはりA sahi伝導性ガラスでできているガラス基板(1)上に堆積されている伝導性 二酸化スズ層(2)からなり、作用電極の上に直接置かれている。ヘキサクロロ プラチネート水溶液で電気めっきすることにより、透明なプラチナ単分子層を対 極(1,2)の伝導性ガラス上に堆積した。プラチナの役割は、対極におけるヨ ウ素の電気化学還元を増強することである。
対極が透明であるのは、前方及び後方の両方向から光を収集できるため、光電用 途に有利である。AMI太陽照射をシミュレートするための適当なフィルターを 備えた高圧キセノンランプを用いて実験を実施した。光の強度は50〜600ワ ツト/ m 2の範囲で変えることができ、開回路電圧はかかる2つの電圧にお いてそれぞれ660及び800mVであった。電池の最大電気出力を、開回路電 圧と短絡電流の積で除算したものと定義される充填係数は0.7〜0゜75Vで あった。単結晶シリコン電池は600W/m”の入射光強度においては550m Vの開回路電圧を与えたが、50 W / m 2においては300mV以下に まで降下した。
これは明らかに、本発明の電池がシリコン太陽電池よりも高い開回路電圧を有し 、しかも開回路電圧がシリコン電池よりも光の強度に依存しないことを示してい る。このことは、このような電池を非直射日光または曇天条件下で使用するのに かなり有利である。シリコン電池の充填係数は本実施例のそれと同じ程度である 0本実施例の電池の太陽光から電気への全変換効率は、式2の推定量と一致して 5〜6%である。
実施例35 伝導性ガラス支持体上に堆積して焼結すると高度に多孔質の干渉性半導体膜を与 える二酸化チタンコロイド粒子から透明なTiO2を得た。この膜は透明であっ て、実施例34のTiO2層膜の代わりに使用し得る。
チタンイソプロポキシドを以下のように加水分解することにより、約10nmの 酸化チタンコロイド粒子を調製した: 125m1のチタンイソプロポキシドを、750m1の水中に0.1M硝酸を含 む溶液に撹拌しながら加えた。かかる条件下で非晶質二酸化チタンの沈澱物が形 成された。
これを激しく撹拌しながら約8時間で80”Cにまで加熱すると、沈澱物のベプ チゼーションが起こり、鋭錐石の透明コロイド溶液が形成された。二酸化チタン 粒子の鋭錐石構造はシーマン分光法によって立証された。溶剤を室温で真空下に 、コロイド粒子を含む粘性液体が得られるまで蒸発させることにより、ゾルを濃 縮した。この時点で、基板に塗布したときの膜のひび割れを少なくするため、非 イオン性界面活性剤TRI TON X 100(T i 02の40重量%) を加えた。
二酸化チタン膜は、濃縮ゾルを伝導性ガラス基板上にスピンコーティング(sp in coating)することにより形成した。
増感剤の単層を堆積した後に優れた可視光収集効率を与えるのに十分な表面積の 半導体膜を得るためには、通常は6〜10の層を塗布すれば十分である。
低分解能電子顕微鏡調査により、一番下の層がガラス支持体であり、次が厚さ0 .5ミクロンのフッ素ドープ5no2であり、最後が厚さ2.7ミクロンの二酸 化チタン層である311構造の存在が確認された。高分解能電子よ微鏡調査から は、T i O2膜は、平均粒径約16nmを有する相互に連結した粒子の3次 元網構造からなることが明らかとなった。焼結の間に著しい粒子の成長が生じた ことは明らかである。
増悪剤Ru L v (ここでしは2,2°−ビピリジル−4,4゜−ジカルボ ン酸である)再生電池と一緒に、透明なT i 02膜の可視光からの電気生成 について試験した。結果は、シミュレート日光(強度的30W/m’)下の光電 流を電池電圧の関数としてプロットして表わすことができる。かかる条件下での 開回路電圧は0.52Vであり、短絡電流は0.381mA/cm2であった。
充填係数は0.75であって、効率5%を与えた。同じ条件下で市販のシリコン 光電池は短絡電流1mA、開回路電圧0,4■及び変換効率10%を与え、変換 効率のみが、二酸化チタン膜を用いて得られるよりも2倍高いファクタであった 。
実施例36 寸法2X9.6cm’を有する伝導性ガラスシート(ASAHI)(表面抵抗的 10Ω/cm2)を、実施例35の方法に従ってコロイド状二酸化チタン腹で被 覆した。全部で7つのT i O□コロイド層をスピンコーティングによって順 次堆積したが、その都度膜を500℃で30分間か焼した。
膜のひび割れを防ぐために、30%<W/W)のTRI T。
N X 405界面活性剤を加えた。
二酸化チタン膜の最終的な厚さは、光学干渉パターンから判定したところ5ミク ロンであった。TiO2堆積後の伝導性ガラスシートは透明のままであり、可視 光及び近赤外光に対して透過性であったことに留意することは重要である。通常 の分光光度計に記録された透過スペクトルは、400〜900nmの波長域にあ る可視光の60%以上のフラクションが膜を透過したことを示した。電極のUV /可視光吸収スペクトルを得ることもできる。伝導性ガラス及び厚さ5層mのT  i O2層による光の吸収及び散乱のため、可視光に平坦特性(flat f eature)が認められた。400nm以下の吸収の急増部分は、T i O 、のバンドギャップ吸収に起因するものである。
染料で被覆する直前に、膜を500℃で1時間火仕上げ(fire)した、Ti O2を染料で被覆するのは、トリマールテニウム錯体Ru L 2 (CN R u L ’ 2 CN’ ) 2 (ここでLは2゜2−ビピリジル−4,4° −カルボキシレートであり、L′は2.2′−ビピリジルである〕を含むエタノ ール溶液中にガラスシートを16時間浸漬することにより行なった。被覆後、ガ ラスシートは濃い深紅色に変色した1通常のUV/可視光分光光度計で測定した 光吸収スペクトルは、500nm近傍で価2を越える吸収を示し、これは、この 波長域において99%以上の光子が、二酸化チタン膜上に堆積された染料によっ て吸収されたことを示している。染料の濃度が高いので多孔質膜は400〜75 0nmの極めて広いスペクトル範囲で光子を収集し得たことに留意することが重 要である。
染料堆積後、ガラスシートを、各々が寸法的9cm2を有する2つの部分に切断 した。これらのシートは、その組立ては後述するモジュールにおいて作用電極( ホトアノード)として作用する。
透明な対極は、作用電極と同じタイプのASAHI伝導性ガラスで製造した。対 極はT i O2で被覆しなかった。
その代わりに、10個のプラチナ単層の等漬物を伝導性ガラス上に電気化学的に 堆積した。対極の透明性はプラチナの堆積によって影響されず、可視光及び近赤 外光におけるその透過率は60%以上を維持した。プラチナは電極触媒として作 用し、対極における電子移動仲介物質、即ち三ヨウ化物の還元速度を増大する。
ガラスシートの縁部近くの対極の表面内に、深さ約1mm、幅約1.5mm及び 長さ約20mmの2つのくぼみを設けた。これらは電解液溜めとして作用する。
対極は、サンドイッチ機構造を与えるように作用電極の直ぐ上に置いた。溜めに 電解液を充填した後、電池をエポキシ樹脂で封止した。2つの電極間のスペース は毛管作用により電解液によって自発的に湿潤化した。!解法は、エタノール中 に0.5Mテトラブロビルアンモニウムヨージド及び0.02Mヨウ素を含む溶 液であった。
このようにして、各々が表面積約9cm”を有する2つの電池を製造した0次い でこれらを、一方の電池のホトアノードを第2の電池のカソードに電気的に接続 することにより直列に接続した。このようにして、全表面積18cm2を有する モジュールを製造した。
このモジュールの性能は、波長520nm及び強度0゜38W/m”の単色光を 基準にして示すことができる。0゜115mAの短絡光電流は、入射単色光子か ら電流への変換効率74%に対応した。充填係数は0.74であり、単色電力変 換効率は520nmにおいて12%であった。
自然光条件下で結果を出すこともできる。全入射光強度は約3 W / m 2 であった。かかる条件下でモジュールの短絡光電流は0.76mAであり、電池 の充填係数は0,73であり、昼光から電力への全変換効率は11%であった。
比較すると、同じ条件下で寸法1cm’の市販シリコン電池は、短絡光電流0. 17mA、開回路電圧0.21V、充填係数0.5、及び全変換効率6%を示し た。上記結果を比較すると、散乱昼光下でのTiO2を池の性能は通常のシリコ ンデバイスよりも優れていることが明らかに判る。翌日の早朝に直射日光下で最 終試験を実施した。約600W/m2の太陽強度において出力電流は60mAで あり、開回路電位は1.5■であった。電池の充填係数は伝導性ガラス中の抵抗 損のために0.6に低下し、総合効率は5.6%となった。
実施例37 好ましい光電池を図1を参照して示す。
透明なT i O2膜の増悪に基づく光電素子は、伝導性ガラス支持体上に堆積 し焼結すると高度に多孔質の干渉性半導体膜を与える二酸化チタンコロイド粒子 から製造した。
チタンイソプロポジキトを以下のように加水分解することにより、約8nmの二 酸化チタンコロイド粒子を調製した。
125m1のチタンイソプロポキシドを、750m1の水に0,1M硝酸を含む 溶液に撹拌しながら加えた。かかる条件下で非晶質二酸化チタンの沈澱物が形成 された。これを激しく撹拌しながら約8時間で80℃にまで加熱すると、沈澱物 のベプチゼーションが起こり、鋭錐石の透明コロイド溶液が形成された。加水分 解によって形成されたプロパツールは加熱の間に蒸発した0次いでコロイド溶液 を、チタン金属またはテフロンの圧力容器内で140〜250℃、好ましくは2 00℃で2〜20時間、好ましくは16時間オートクレーブ処理した。幾分かの 沈澱物を含む得られたゾルを撹拌または振盪して沈澱物を再懸濁させた。得られ たゾルから再懸濁しなかった沈澱物を除き、溶剤を室温で真空下に、コロイド粒 子を含む粘性液体が得られるまで蒸発することにより、ゾルを濃縮した。この時 点の典型的な濃度は200 g/リットルである。この時点で、ひび割れせずに 堆積する層の厚さを増大するために例えばUnion Carbide Car bowax 20MまたはTriton X−405のようなポリエチレンオキ シドポリマーを加えることができる。ポリマーは、T i O2の30〜50、 好ましくは40重量%の量で加える。
増感用電極はコロイド溶液から以下のように形成した:適当な基板、例えばAs ahi Corp、製の伝導性酸化スズ被覆ガラス(チタン金属または任意の平 坦な伝導性表面)の例えば3膜6cmの断片を伝導性表面を上向きにして置き、 適当なスペーサー、例えば厚さ50〜100ミクロン、好ましくは80ミクロン のプラスクッチテーブを各線に沿って取り付けた。適量のゾル、例えば上記基板 に対しては200 g/リットルのTiO2及び40%Carbowax 20 Mを含む150μlのゾルを基板の一方の端部に沿ってピペットで添加した。ゾ ルを、その端部がスペーサーに載っている縁が平らなガラス片を用いて引きのば すことにより基板上に広げた。即ち、スペーサー、ゾルの粘度及びゾルの濃度に よって堆積されるTiO2の量が制御される。このように広げた膜を空気中で、 目視で乾燥していると思われるまで乾燥し、好ましくは更に20分間乾燥した。
乾燥後、電極を400〜500℃、好ましくは450°Cで20分間火仕上げし た。170℃以下でオートクレーブ処理したゾルの場合には、40ミクロンより 小さいスペーサを使用せねばならず、厚さ8〜10ミクロンのT i O2膜を 得るためには上記工程を2回繰り返さねばならない。
上記方法により、10cmX10cmまでの電極を製造した。更に、スピンコー ティング及び浸漬コーティングによってゾルを基板に塗布することもできる。
次いで電極は、通常のガラス切断技術によって所望の寸法に切断することができ る。増感剤を塗布する直前に、電極を再び450〜550℃、好ましくは500 °Cで2〜12時間、好ましくは6時間火仕上げした。ある種の溶剤及び染料の 組合せにおいては、電極を500℃で2〜6時間時間上仕上、各火仕上げの闇に は、空気中に10時間または水、0.5M硝酸もしくは0.5MHCl中に最高 で1時間浸漬することを5〜10回、好ましくは7回繰り返すことにより、電極 表面が改善される。使用前に、酸性溶液は溶解Ti○2で飽和した。最後の加熱 の後で冷却の直前に、電極を増感剤溶液中に入れた。トリマールテニウム錯体R u L 2 (CN Ru L ’ 2 CN )2 にこでLは2.2°−ビ ピリジル−4,4′−ジカルボキシレートであり、L′は2,2−ビピリジルで ある〕を含むエタノール溶液が好ましいが、Ru L 2 N CS 2または Ru L IL ’ 1H20〔ここでり。
は2.6−ビス(N−メチルベンズイミダゾール−2′−イル)ピリジンである 〕のエタノール溶液も同等に好ましい。
増感剤に従って、電極が完全呈色するには4〜24時間が必要である。完全呈色 は、目視によってまたは種々の時点の染料の可視光透過スペクトルをとることに より測定することができる。
染料溶液から取り出した後、以下のように電極から光電池を製造した。
透明な対極は作用電極と同じタイプのASAHI伝導性ガラスで製造した。対極 はT i Ozで被覆しなかった。その代わりに、10個のプラチナ単層の等傷 物を伝導性ガラス上に電気化学的に堆積した。対極の透明性はプラチナの堆積に よって影響されず、可視光及び近赤外光におけるその透過率は60%以上を維持 した。プラチナは電極触媒として作用し、対極における電子移動仲介物質、即ち 三ヨウ化物の還元速度を増大する。或いは、上述のごと<ptで被覆した場合に よっては多孔質の薄いチタンシートを対極として使用することもできる。多孔質 シートの場合には、プラスチック、ガラスまたは金属のような不透過性材料の別 のシートが対極の背後に必要とされる。
ガラスシートの縁部近くの対極の表面内に、深さ約1mm、幅約1.5mm及び 長さ約20mmの2つのくぼみを彫り込むことにより、電解液溜めを設けた。こ の溜めはガラスシートの外部に加えることもできるし、多孔質対極の場合には対 極の背後に置くこともできる。
対極は、サンドイッチ様構造を与えるように作用電極の直ぐ上に置いた。溜めに は、前述のものから選択された電解液、好ましくは85重量%の炭酸エチレン、 15%の炭酸プロピレン、0.5Mヨウ化カリウム及び40mMヨウ素を充填し た。所望の電圧に従う量のLilまたはテトラアルキルアンモニウムヨウシトを 存在させることもできる(好ましくは20mM)、!池は、選択した溶剤と相客 性のシーラントで縁に沿って封止し、接着剤で密着させた。シーラント及び接着 剤は同じ材料、例えばアルコール溶剤の場合にはシリコン接着剤、また炭酸エチ レンの場合にはポリエチレン及びエポキシ樹脂(または機械的閉鎖)とすること ができる、2つの電極間のスペースは毛管作用により溜めに注入した電解液によ って自発的に湿潤化した。
前述のタイプの光電池は、シミュレート日光80mW/cm”のもとて最高12 mA/cm2の短絡電流及び最高830mVの開回路電圧を生成した。最も効率 的な組合せは9.6mA/cm2及び620mVであって、このときの充填係数 は50%、エネルギー変換効率は38%であった。
60%以上の充填係数が測定された。
実施例34〜37のルテニウム錯体に代えて実施例1〜33の他の実施例の錯体 を光電池に使用することもできる。
要約 補正宴の寒1、(Wlだt)#!由富(緋詐熔箪114冬の交)一連の二酸化チ タン層が付与されたガラスプレートまたは透明ポリマーシート上に堆積された光 透過性導電層であって、少なくとも最後の二酸化チタン層(必要によっては最後 から2番目及び最後から3番目の層も)が、二価または三価金属から選択された 金属イオンでドーピングされている導電層を含む光電池。
特許庁長官 麻 生 渡 殿 平成4年10月16日画酊1、特許出願の表示  PCT/EP 911007342、発明の名称 光電池 3、特許出願人 住 所 スイス国、ラニー・バー−1015・サン・シュルビス、シュマン・ド ユ・4、代 理 人 東京都新宿区新宿1丁目1番14号 山田ビル5、補正音 の提出年月日 1992年7月13日謹」!シ1皿 1.1)ガラスプレートまたは透明ポリマーシート上に堆積された光透過性導電 層と、 ii)前記光透過性導電層に付与された1つ以上の好ましくは多孔質で高表面積 の二酸化化チタン層と、1ii)少なくともf&後の二酸化チタン層(必要によ っては最後から2番目及び最後から3番目の層にも)に与えられたドーパントで あって、二価金属イオン、三価金属イオン及びホウ素から選択されているドーパ ントと、iv)前記ドーパント含有Ti02層に塗布された光増感剤であって、 結合基によってTioz層に付着しており、前記結合基が、カルボキシレート基 、シアノ基、ホスフェート基、並びに、オキシム、ジオキシム、ヒドロキシキノ リン、サリチレート及びα−ケトーエル−トから選択されたπ伝導性を有するキ レート化基から選択されている光増感剤 とを含む太陽光応答性光電池。
2、i〉少なくとも一方が透明であり且つ60%以上の可視光透過率を有する2 つの電極であって、プレートがこれら電極間の中空部を規定するように配置され ており、前記中空部内にはレドックス系を含む電解液が位置しており、前記一方 の透明な電極が電解液接触二酸化チタン膜を有しており、前記膜の電解液接触表 面が請求項1に記載のドーパントによってドーピングされており、銀膜に請求項 1に記載の光増感剤が塗布されている電極と、ii)該電池によって生成された 電流の通行を可能とする手段 とを含む請求項1に記載の太陽光応答性光電池。
3.1)遷移金属錯体光増感剤で被覆した、厚さ0.1〜50ミクロンを有する 二酸化チタン膜を堆積した第1の導電性プレートであって、TiO2膜の少なく とも最後の層が請求項1に記載のドーパントでドーピングされているプレートと 、 1i)Ti02被覆は含まず且つ薄い電解液層によって前記第1のプレートから 分離されている第2の伝導性プレートとを含む光電池であって、少なくとも一方 のプレートの可視光透過率が60%以上である光電池。
4、前記結合基が、カルボキシレート基及びシアノ基から選択されている請求項 1から3のいずれか一項に記載の光電池。
5、前記光増感剤が、ルテニウム、オスミウムもしくは鉄錯体、または1つの超 分子錯体中の2つもしくは3つの遷移金属の組合せである請求項1から4のいず れが一項に記載の光電池。
6、前記光増感剤が、配位子が三座もしくは王座または金座ポリピリジル化合物 である、未買換のまたは置換された遷移金属錯体である請求項1から5のいずれ か一項に記載の光電池。
7、前記光増感剤がルテニウムまたはオスミウム錯体から選択されている請求項 5に記載の光電池。
8、前記光増感剤が、化合物; [M(L’)(L’)(μm(NC)M(CN)(La(L’))2] (1) [M(L”)(L”)(μ(NC)M(L’)(L’)μ(CN)M(CN)( Le)(L’))2] <2)[M(L”)(L”>(μ(NC)M(Le)( L’)μ(CN))2M(Le)(L’)] (3)[(L@)(L’)(X) M μm(NC)M(CN)(L’)(L’)コ (4)[M(L”)(ぴ)( Xh] (5) [M(L”>(ぴ)(L’)] (6)[M(L”)化ゝ)(μm(NC)M( L’)(L″’))2] (7)[M(L”)(L″)(μ(NC)M(Lc) (L’)μ(CN)M(L’)(L”))2] (8)[M(L”)(L@)μ m(NC)M(L’)(L’)] <9)[M(L”)(L”)(X)] (1 0)〔式中、各Mは独立に、ルテニウム、オスミウムまたは鉄から選択され、μ m(CN)またはμm(N C)は、シアノ基が2つの金属原子を架橋している ことを示しており、Ll、Lb−L’及びL6の各々は独立に、未置換のまたは 1つもしくは2つのC0OH基で置換された2、2°−ビピリジル:Ct−+s アルキル、Cl−16アルコキシ及びジフェニルから選択される1つまたは2つ の基で置換された2、2−ビピリジル;未置換のまたは1つもしくは2つのカル ボキシ基によって置換された2、2“−ビキノリン;未置換の、或いは、1つも しくは2つのカルボキシ基及び/または1つもしくは2つのしドロキシ基及び/ または1つもしくは2つのジオキシム基で置換されたフェナントロリン;バソフ ェナンドロリンジスルホン酸;ジアザ−ヒドロキシ−カルボキシ−トリフェニレ ン;カルボキシピリジン;フェニルピリジン、2.2’−ビス(ジフェニルホス フィノ)−1゜1′−ビナフタレン;(ピリジルアゾ)レゾルシノール;ビス( 2−ピリジル)CI−4アルカン;テトラC1−4アルキルエチレンジアミン; 及びジーC1−、アルキルグリオキシムから選択され、 L9は、(未置換の、または未置換もしくはC0OHで置換されたフェニル基で 置換された)チルピリジル及びジカルボキシ−ピリジン(好ましくは2.6−ジ カルボキシ−ピリジン)から選択され、 各Xは独立に、ハロ、H2O、CN、アミン(第一級または第二級アルキルアミ ン)及び/またはピリジンである〕から選択されている請求項1から7のいずれ か一項に記載の光電池。
9、ガラス支持体上の透明なT i 02層からなる電極。
10、請求項8に記載の式く1)から(10)の化合物からなる光増感剤。
国際調査報告 Ftyg NI+r/1sAIilO($1 s1w+ +211− M41f ill 鴎中国際調査報告 EP 9100734 S^ 46627

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.1つ以上の好ましくは多孔質で高表面積の二酸化チタン層が付与されたガラ スプレートまたは透明ポリマーシート上に堆積された光透過性導電層であって、 少なくとも最後の二酸化チタン層(必要によっては最後から2番目及び最後から 3番目の層も)が、二価または三価金属から選択された金属イオンでドーピング されている導電層を含む光電池。
  2. 2.i)少なくとも一方が透明であり且つ60%以上の可視光透過率を有する2 つの電極であって、プレートがこれら電極間の中空部を規定するように配置され ており、前記中空部内には電解液が位置しており、前記一方の透明な電極が更に 電解液被覆二酸化チタン膜を有している電極と、ii)該電池によって生成され た電流の通行を可能とする手段 とを備えている光電池であって、前記膜の電解液接触表面が、二価及び三価金属 及びホウ素から選択される少なくとも1種のイオンでドーピングされているとい う改良がなされている光電池。
  3. 3.光増感染料が、ドープされたTiO2層に塗布されている請求項1または2 に記載の光電池。
  4. 4.遷移金属錯体光増感剤で被覆した、厚さ0.1〜50ミクロンを有する二酸 化チタン膜を堆積した第1の導電性プレートと、 TiO2被覆は含まず且つ薄い電解液層によって前記第1のプレートから分離さ れている第2の伝導性プレートとを含む光電池であって、少なくとも一方のプレ ートの可視光透過率が60%以上である光電池。
  5. 5.対電極(前記第2のプレート)が薄い電極触媒層で被覆されている請求項4 に記載の光電池。
  6. 6.光増感剤が二酸化チタンの表面に塗布されている請求項1から5のいずれか 一項に記載の光電池。
  7. 7.前記電解液がレドックス系(電荷移動リレー)を含む請求項4から6のいず れか一項に記載の光電池。
  8. 8.実質的に図面を参照して説明された光電池。
  9. 9.ガラス支持体上の透明なTiO2層からなる電極。
  10. 10.配位子が二座、三座または全座のポリピリジル化合物である、未置換のま たは置換されている遷移金属錯体からなる光増感染料であって、例えば化合物: [M(La)(Lb)(μ−(NC)M(CN)(Lc)(Ld))2](1) [M(La)(Lb)(μ−(NC)M(Lc)(Ld)μ−(CN)M(CN )(Lc)(Ld))2](2)[M(La)(Lb)(μ−(NC)M(Lc )(Ld)μ−(CN))2M(Lc)(Ld)](3)[(La)(Lb)( X)Mμ−(NC)M(CN)(Lc)(Ld)](4)[M(La)(Lb) (X)2](5)[M(La)(Lb)(Lc)](6)[M(La)(Lb) (μ−(NC)M(Lc)(Lg))2](7)[M(La)(Lb)(μ−( NC)M(Lc)(Ld)μ−(CN)M(Lc)(Lg))2](8)[M( La)(Lg)μ−(NC)M(Lg)(Lb)](9)[M(La)(Lg) (X)](10)〔式中、各Mは独立に、ルテニウム、オスミウムまたは鉄から 選択され、μ−(CN)またはμ−(NC)は、シアノ基が2つの金属原子を架 橋していることを示しており、La、Lb、Lc及びLdの各々は独立に、未置 換のまたは1つもしくは2つのCOOH基で置換された2,2′−ビピリジル; C1−16アルキル、C1−16アルコキシ及びジフェニルから選択される1つ または2つの基で置換された2,2−ビピリジル;未置換のまたは1つもしくは 2つのカルボキシ基で置換された2,2′−ビキノリン;未置換の、或いは、1 つもしくは2つのカルボキシ基及び/または1つもしくは2つのヒドロキシ基及 び/または1つもしくは2つのジオキシム基で置換されたフェナントロリン;バ ソフェナントロリンジスルホン酸;ジアザ−ヒドロキシ−カルボキシ−トリフェ ニレン;カルボキシピリジン;フェニルピリジン;2,2′−ビス(ジフェニル ホスフィノ)−1,1′−ビナフタレン;(ピリジルアゾ)レゾルシノール;ビ ス(2−ピリジル)C1−4アルカン;テトラC1−4アルキルエチレンジアミ ン;及びジ−C1−4アルキルグリオキシムから選択され、 Lgは、(末置換の、または未置換もしくはCOOHで置換されたフェニル基で 置換された)テルピリジル及びジカルボキシ−ピリジン(好ましくは2,6−ジ カルボキシ−ピリジン)から選択され、 各Xは独立に、ハロ、H2O、CN、アミン(第一級または第二級アルキルアミ ン)及び/またはピリジンである〕である光増感染料。
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WO (1) WO1991016719A2 (ja)

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999063614A1 (fr) * 1998-05-29 1999-12-09 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Procede servant a fabriquer une cellule photoelectrique et semiconducteur a l'oxyde pour cellule photoelectrique
US6043428A (en) * 1997-06-23 2000-03-28 Sharp Kabushiki Kaisha Photoelectric material using organic photosensitising dyes and manufacturing method thereof
JP2000285972A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Toshiba Corp 光電変換素子
JP2002513003A (ja) * 1998-04-29 2002-05-08 セラニーズ・ヴェンチャーズ・ゲーエムベーハー 置換ビピリジル誘導体の触媒的製造法
JP2002319689A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Sharp Corp 光電変換素子及びその製造方法
US6580026B1 (en) 1999-06-30 2003-06-17 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Photovoltaic cell
WO2004024629A1 (en) 2002-09-12 2004-03-25 Agfa-Gevaert Metal chalcogenide composite nano-particles and layers therewith
US6881254B2 (en) 2001-05-22 2005-04-19 Kansai Paint Co., Ltd. Coating material for inorganic-film formation and method of forming inorganic film from the coating material
US6929970B2 (en) 2002-09-12 2005-08-16 Agfa-Gevaert Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers
JP2005225834A (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Tosoh Corp 2,2’−ビピリジル化合物およびその製造方法
JP2005320429A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Jsr Corp 色素及び色素増感太陽電池
JP2006057014A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 金属錯体色素、光電極及び光増感型太陽電池
WO2006067897A1 (ja) * 2004-12-21 2006-06-29 Nippon Aerosil Co., Ltd. 光電変換素子及びこれに用いられる酸化チタン粒子の製造方法並びにその光電変換素子を用いた色素増感太陽電池
WO2008007468A1 (fr) 2006-07-10 2008-01-17 Toto Ltd. Feuille renfermant un électrolyte utilisée pour la détection spécifique d'un analyte à l'aide d'un photocourant, et procédé de détection, module détecteur et appareil de mesure utilisant celle-ci
US7420117B2 (en) 2002-04-17 2008-09-02 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Photovoltaic cell
US7431903B2 (en) 2001-10-30 2008-10-07 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Tubular titanium oxide particles and process for preparing same
WO2008136261A1 (ja) 2007-04-26 2008-11-13 Jgc Catalysts And Chemicals Ltd. 光電気セルおよび該光電気セル用多孔質半導体膜形成用塗料
US7468146B2 (en) 2002-09-12 2008-12-23 Agfa-Gevaert Metal chalcogenide composite nano-particles and layers therewith
DE112007003115T5 (de) 2006-12-18 2009-11-05 Sumitomo Chemical Company, Limited Verbindung, photoelektrisches Umwandlungsgerät und photoelektrochemische Batterie
EP2128880A2 (en) 2008-05-30 2009-12-02 JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Coating material for forming porous metal oxide semiconductor film for photovoltaic cell
US7638807B2 (en) 2003-10-28 2009-12-29 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Transparent conductive multi-layer structure, process for its manufacture and device making use of transparent conductive multi-layer structure
DE112008000841T5 (de) 2007-03-29 2010-02-11 Sumitomo Chemical Company, Limited Verbindung, photoelektrischer Wandler und photoelektrochemische Zelle
WO2010050575A1 (ja) 2008-10-29 2010-05-06 富士フイルム株式会社 色素、これを用いた光電変換素子、光電気化学電池、および色素の製造方法
WO2010107088A1 (ja) 2009-03-18 2010-09-23 Toto株式会社 光電流を用いた被検物質の特異的検出に用いられる測定装置、それに用いられるセンサユニット、および光電流を用いた被検物質の特異的検出方法
US7851699B2 (en) 2002-10-15 2010-12-14 Sharp Kabushiki Kaisha Dye-sensitized solar cell and dye-sensitized solar cell module
JP2011057828A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Univ Of Tokyo 新規光増感剤及び光起電力素子
EP2302650A2 (en) 2009-09-28 2011-03-30 Fujifilm Corporation Method of producing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element, and photoelectrochemical cell
EP2306479A2 (en) 2009-09-28 2011-04-06 Fujifilm Corporation Method of producing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element, and photoelectrochemical cell
US8110740B2 (en) 2005-08-10 2012-02-07 Enplas Corporation Photoelectrode substrate of dye sensitizing solar cell, and method for producing same
WO2013047624A1 (ja) 2011-09-26 2013-04-04 Toto株式会社 被検物質の特異的検出方法
US8581095B2 (en) 2004-08-04 2013-11-12 Sharp Kabushiki Kaisha Photoelectrode, and dye-sensitized solar cell and dye-sensitized solar cell module using the same
KR20140004004A (ko) 2012-06-26 2014-01-10 니끼 쇼꾸바이 카세이 가부시키가이샤 반사방지막부 기재의 제조방법 및 광전기 셀
JP2016517187A (ja) * 2013-05-06 2016-06-09 グレートセル ソーラー エス.エー. 有機−無機ペロブスカイト系太陽電池
US10468197B2 (en) 2014-02-26 2019-11-05 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Porous semiconductor layer, paste for porous semiconductor layer, and dye-sensitized solar cell

Families Citing this family (284)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4207659A1 (de) * 1992-03-11 1993-09-16 Abb Patent Gmbh Verfahren zur herstellung einer photoelektrochemischen zelle sowie eine demgemaess hergestellte zelle
US5438556A (en) * 1992-03-26 1995-08-01 Asulab S.A. Horological piece comprising a photovoltaic cell having a photelectrochemical region
CH686206A5 (it) * 1992-03-26 1996-01-31 Asulab Sa Cellule photoelectrochimique regeneratrice transparente.
GB9206732D0 (en) * 1992-03-27 1992-05-13 Sandoz Ltd Photovoltaic cells
DE4225576A1 (de) * 1992-08-03 1994-02-10 Abb Patent Gmbh Photoelektrochemische Zelle
DE4225575A1 (de) * 1992-08-03 1994-02-10 Abb Patent Gmbh Herstellung einer Anode für elektrochemische Zellen
WO1994005025A1 (en) * 1992-08-17 1994-03-03 Sandoz Ltd. Use of optical brighteners and phthalocyanines as photosensitizers
DE4306408A1 (de) * 1993-03-02 1994-09-08 Abb Research Ltd Photoelektrochemische Zelle
WO1995005670A1 (de) * 1993-08-12 1995-02-23 Werner Quinten Photovoltaische zelle mit photosensibilisierter halbleitender metalloxidbeschichtung
EP0692800A3 (en) 1994-07-15 1996-11-06 Ishihara Sangyo Kaisha Surface modified titanium oxide layer, manufacturing process and photoelectric conversion device with this layer
SE9402940D0 (sv) * 1994-09-02 1994-09-02 Solaronix Sa Electrochemical photovoltaic cell
JP3599859B2 (ja) * 1994-12-29 2004-12-08 石原産業株式会社 多孔性物質−高分子固体電解質複合体およびその製造方法ならびにそれを用いた光電変換素子
SE504169C2 (sv) * 1995-02-13 1996-11-25 Sten Eric Lindquist Display kombinerad med solcell och batteri
DE19680150D2 (de) * 1995-03-23 1998-03-19 Ecole Polytech Verfahren zum Aufbringen einer vorgegebenen Menge eines Sensibilisators einf eine Oberfläche
AU4936696A (en) * 1995-03-23 1996-10-08 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne Method of manufacturing a module of photoelectrochemical cells with long-term stability
DE19514156A1 (de) * 1995-04-15 1996-10-24 Heidelberger Druckmasch Ag Photochemische Zelle
ES2137539T3 (es) * 1995-09-25 1999-12-16 Ecole Polytech Procedimiento para fabricar un electrodo para un dispositivo electroquimico.
AU728725B2 (en) * 1995-10-31 2001-01-18 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne A battery of photovoltaic cells and process for manufacturing the same
DE69721476T2 (de) * 1997-02-19 2004-04-08 Asulab S.A. Verfahren zur Herstellung elektrooptischer Zellen, insbesondere mit Flüssigkristallen, oder photovoltaischer elektrochemischer Zellen
GB9714905D0 (en) * 1997-07-16 1997-09-17 Johnson Matthey Plc Photosensitizers
AUPO816097A0 (en) 1997-07-22 1997-08-14 Sustainable Technologies Australia Limited Combined electrochromic and photovoltaic smart window devices and methods
EP0948004A1 (en) * 1998-03-26 1999-10-06 Akzo Nobel N.V. Method for making a photovoltaic cell containing a dye
US6444189B1 (en) 1998-05-18 2002-09-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making and using titanium oxide particles
US6075203A (en) * 1998-05-18 2000-06-13 E. I. Du Pont Nemours And Company Photovoltaic cells
NL1009431C2 (nl) * 1998-06-18 1999-12-27 Stichting Energie Omgekeerde kleurstof-gesensibiliseerde foto-voltaïsche cel.
JP2997773B1 (ja) 1998-07-15 2000-01-11 工業技術院長 増感剤として有用な金属錯体、酸化物半導体電極及び太陽電池
JP4103975B2 (ja) 1998-09-10 2008-06-18 富士フイルム株式会社 電解質、光電気化学電池、及び電解質層を形成する方法
JP2000100483A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Sharp Corp 光電変換素子及びその製造方法及びこれを用いた太陽電池
US6855202B2 (en) * 2001-11-30 2005-02-15 The Regents Of The University Of California Shaped nanocrystal particles and methods for making the same
AU756285B2 (en) 1999-02-01 2003-01-09 Kurth Glas + Spiegel Ag Solar module
AUPP931799A0 (en) 1999-03-18 1999-04-15 Sustainable Technologies Australia Limited Methods to implement interconnects in multi-cell regenerative photovoltaic photoelectrochemical devices
JP3966638B2 (ja) * 1999-03-19 2007-08-29 株式会社東芝 多色色素増感透明半導体電極部材とその製造方法、多色色素増感型太陽電池、及び表示素子
AUPP967799A0 (en) * 1999-04-09 1999-05-06 Sustainable Technologies Australia Ltd Methods to implement sealing and electrical connections to single cell and multi-cell regenerative photovoltaic photoelectrochemical devices
DE19923112A1 (de) 1999-05-19 2000-11-30 Fraunhofer Ges Forschung Photovoltaisch selbstladendes Speichersystem
JP2001060702A (ja) * 1999-06-18 2001-03-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光電変換装置用基板およびこれを用いた光電変換装置
US6649824B1 (en) * 1999-09-22 2003-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and method of production thereof
ES2155414B1 (es) * 1999-10-26 2001-11-16 Longuetto Antonino Ad Trimboli Celula solar fotovoltaica y su procedimiento de fabricacion.
JP2001148491A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Fuji Xerox Co Ltd 光電変換素子
US6291762B1 (en) * 1999-12-08 2001-09-18 Industrial Technology Research Institute Dust-proof and weather resistant photovoltaic module and fabricating method thereof
USRE39445E1 (en) 1999-12-27 2006-12-26 Seiko Epson Corporation Solar cell and solar cell unit
JP4414036B2 (ja) 1999-12-27 2010-02-10 シャープ株式会社 色素増感型太陽電池の作製方法
JP4477729B2 (ja) 2000-01-19 2010-06-09 シャープ株式会社 光電変換素子及びそれを用いた太陽電池
JP3849005B2 (ja) * 2000-03-08 2006-11-22 独立行政法人産業技術総合研究所 増感剤として有用な白金錯体
US20050284513A1 (en) * 2002-08-08 2005-12-29 Christoph Brabec Chip card comprising an integrated energy converter
US20030192585A1 (en) * 2002-01-25 2003-10-16 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells incorporating rigid substrates
US6706963B2 (en) 2002-01-25 2004-03-16 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell interconnection
US6949400B2 (en) * 2002-01-25 2005-09-27 Konarka Technologies, Inc. Ultrasonic slitting of photovoltaic cells and modules
US7414188B2 (en) 2002-01-25 2008-08-19 Konarka Technologies, Inc. Co-sensitizers for dye sensitized solar cells
US7186911B2 (en) 2002-01-25 2007-03-06 Konarka Technologies, Inc. Methods of scoring for fabricating interconnected photovoltaic cells
US7205473B2 (en) * 2002-01-25 2007-04-17 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic powered multimedia greeting cards and smart cards
US20030192584A1 (en) * 2002-01-25 2003-10-16 Konarka Technologies, Inc. Flexible photovoltaic cells and modules formed using foils
US20050045851A1 (en) * 2003-08-15 2005-03-03 Konarka Technologies, Inc. Polymer catalyst for photovoltaic cell
US6913713B2 (en) 2002-01-25 2005-07-05 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic fibers
US7351907B2 (en) * 2002-01-25 2008-04-01 Konarka Technologies, Inc. Displays with integrated photovoltaic cells
US6900382B2 (en) * 2002-01-25 2005-05-31 Konarka Technologies, Inc. Gel electrolytes for dye sensitized solar cells
US6919119B2 (en) * 2000-05-30 2005-07-19 The Penn State Research Foundation Electronic and opto-electronic devices fabricated from nanostructured high surface to volume ratio thin films
CA2417502C (en) 2000-07-27 2012-01-10 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Dye-sensitized photoelectric conversion device
EP1178084A1 (en) * 2000-07-31 2002-02-06 Neomat S.A. Processes for the preparation of carboxylate and phosphonate ruthenium polypyridine dyes and intermediates
JP4278080B2 (ja) 2000-09-27 2009-06-10 富士フイルム株式会社 高感度受光素子及びイメージセンサー
JP4461656B2 (ja) 2000-12-07 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 光電変換素子
DE10064069A1 (de) * 2000-12-21 2002-07-04 Karl F Massholder Wässrige Zusammensetzung enthaltend einen Halbleiter
JP4772192B2 (ja) * 2001-02-13 2011-09-14 富士フイルム株式会社 光電変換素子、光電池及び錯体色素
JP2002356400A (ja) * 2001-03-22 2002-12-13 Canon Inc 酸化亜鉛の針状構造体の製造方法及びそれを用いた電池、光電変換装置
KR100462006B1 (ko) * 2001-03-30 2004-12-17 태원필 산화주석/산화티타늄 이중산화물반도체 전극 및 색소증감 태양전지
US6657378B2 (en) * 2001-09-06 2003-12-02 The Trustees Of Princeton University Organic photovoltaic devices
US7777303B2 (en) * 2002-03-19 2010-08-17 The Regents Of The University Of California Semiconductor-nanocrystal/conjugated polymer thin films
WO2003060596A2 (en) 2001-10-24 2003-07-24 The Regents Of The University Of California Semiconductor liquid crystal composition and methods for making the same
US7019138B2 (en) * 2001-10-30 2006-03-28 Colorado State University Research Foundation Metal complex-based electron-transfer mediators in dye-sensitized solar cells
US6723445B2 (en) 2001-12-31 2004-04-20 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting devices
WO2003065472A2 (en) * 2002-01-25 2003-08-07 Konarka Technologies, Inc. Structures and materials for dye sensitized solar cells
JP4644427B2 (ja) * 2002-01-25 2011-03-02 コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド 太陽電池に用いるための感光性ナノ粒子を低温で相互に結合させる方法及び該方法において用いられるポリマー連結剤溶液
FR2835246B1 (fr) * 2002-01-29 2004-03-19 Centre Nat Rech Scient Polymere a base d'oxyde de titane
KR20030067176A (ko) * 2002-02-07 2003-08-14 엘지전자 주식회사 외장용 태양전지 구조
KR20030067175A (ko) * 2002-02-07 2003-08-14 주식회사 엘지이아이 태양전지 제조방법
KR100433630B1 (ko) * 2002-03-11 2004-05-31 한국전자통신연구원 나노 입자 산화물의 반도체 전극을 가지는 염료감응태양전지 및 그 제조방법
NL1020748C2 (nl) * 2002-06-04 2003-12-08 Stichting Energie Werkwijze en inrichting voor het kleuren van een laag van een nanokristallijn materiaal.
NL1020750C2 (nl) * 2002-06-04 2003-12-08 Stichting Energie Werkwijze en inrichting voor het vullen van een halfproduct voor een vloeistofhoudend fotovoltaïsch element.
JP2004161589A (ja) 2002-06-17 2004-06-10 Fuji Photo Film Co Ltd 酸化チタンゾル及び酸化チタン微粒子の製造方法、並びに光電変換素子
US7825330B2 (en) * 2002-07-09 2010-11-02 Fujikura Ltd. Solar cell
JP2006500764A (ja) * 2002-08-13 2006-01-05 アグフア−ゲヴエルト 金属酸化物を用いて分光増感された多孔質金属酸化物半導体
US20040046168A1 (en) * 2002-08-13 2004-03-11 Agfa-Gevaert Porous metal oxide semiconductor spectrally sensitized with metal oxide
JP4085421B2 (ja) * 2002-08-23 2008-05-14 ソニー株式会社 色素増感型光電変換装置及びその製造方法
US7534488B2 (en) * 2003-09-10 2009-05-19 The Regents Of The University Of California Graded core/shell semiconductor nanorods and nanorod barcodes
US20040094197A1 (en) * 2002-09-10 2004-05-20 Agfa-Gevaert Photovoltaic device comprising a 1,3,5-tris-aminophenyl-benzene compound
WO2004032274A1 (ja) 2002-10-03 2004-04-15 Fujikura Ltd. 電極基板、光電変換素子、導電性ガラス基板およびその製造方法、並びに色素増感太陽電池
DE10249246B4 (de) * 2002-10-23 2013-01-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Farbstoffsensibilisierte photovoltaische Zelle, ein Verfahren zur Herstellung dieser photovoltaischen Zellen sowie deren Verwendung
JP2004207012A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Sony Corp 色素増感型光電変換装置およびその製造方法
JP4470370B2 (ja) * 2003-01-08 2010-06-02 ソニー株式会社 光電変換素子の製造方法
US8586861B2 (en) * 2003-01-12 2013-11-19 3Gsolar Photovoltaics Ltd. Solar cell device
WO2009069129A2 (en) * 2007-11-27 2009-06-04 3Gsolar Ltd. Large area dye cells, and methods of production thereof
IL153895A (en) * 2003-01-12 2013-01-31 Orion Solar Systems Ltd Solar cell device
JP4674435B2 (ja) * 2003-01-15 2011-04-20 ソニー株式会社 光電変換素子
JP2004234988A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Sony Corp 光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法ならびに半導体層およびその製造方法
JP3842230B2 (ja) * 2003-02-28 2006-11-08 三菱電機株式会社 内燃機関の始動装置
CN100411195C (zh) * 2003-04-11 2008-08-13 索尼株式会社 光电转换器件的制作方法
US20060189132A1 (en) * 2003-04-16 2006-08-24 Bridgestone Corporation Method for forming porous thin film
EP1473745A1 (en) 2003-04-30 2004-11-03 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Dye sensitized solar cell
KR101132076B1 (ko) * 2003-08-04 2012-04-02 나노시스, 인크. 나노선 복합체 및 나노선 복합체로부터 전자 기판을제조하기 위한 시스템 및 프로세스
KR101056440B1 (ko) * 2003-09-26 2011-08-11 삼성에스디아이 주식회사 염료감응 태양전지
KR100540157B1 (ko) 2003-10-01 2006-01-10 한국과학기술연구원 복합 고분자 전해질을 포함하는 고체상 염료감응 태양전지
KR100578798B1 (ko) * 2003-12-12 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법
US8063216B2 (en) * 2003-12-29 2011-11-22 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Photolabile compounds
KR101001547B1 (ko) * 2004-01-28 2010-12-17 삼성에스디아이 주식회사 섬유상 태양 전지 및 이의 제조 방법
KR100589323B1 (ko) * 2004-02-03 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 광 흡수파장대가 확장된 염료감응 태양전지 및 그 제조방법
KR100589322B1 (ko) * 2004-02-03 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 고효율 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법
KR101065308B1 (ko) * 2004-02-04 2011-09-16 삼성에스디아이 주식회사 광전기화학전지
US20050247340A1 (en) * 2004-04-19 2005-11-10 Zeira Eitan C All printed solar cell array
KR100995073B1 (ko) * 2004-04-23 2010-11-18 삼성에스디아이 주식회사 염료감응 태양전지의 모듈 및 그 제조방법
JP2005340167A (ja) * 2004-04-27 2005-12-08 Enplas Corp 色素増感太陽電池の光電極基板の製造方法、色素増感太陽電池の光電極基板、及び色素増感太陽電池
TWI285566B (en) * 2004-05-06 2007-08-21 Sustainable Titania Technology Method for protecting substrate
KR100554179B1 (ko) * 2004-06-09 2006-02-22 한국전자통신연구원 전도성 금속 기판을 포함하는 구부림이 가능한 염료감응태양전지
RU2401086C2 (ru) * 2004-06-30 2010-10-10 Синерджи Диск Риплейсмент, Инк. Искусственный межпозвонковый диск
US9237958B2 (en) 2004-06-30 2016-01-19 Synergy Disc Replacement Inc. Joint prostheses
US8172904B2 (en) 2004-06-30 2012-05-08 Synergy Disc Replacement, Inc. Artificial spinal disc
FR2873112B1 (fr) * 2004-07-19 2006-10-27 Univ Paris Curie Oxyde de titane a structure rutile
US20060021647A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Gui John Y Molecular photovoltaics, method of manufacture and articles derived therefrom
EP1622178A1 (en) 2004-07-29 2006-02-01 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) 2,2 -Bipyridine ligand, sensitizing dye and dye sensitized solar cell
KR100567330B1 (ko) 2004-08-04 2006-04-04 한국전자통신연구원 이중구조의 염료감응 태양전지
EP1794766B1 (en) 2004-08-11 2015-06-10 Dyesol Ltd. Photoelectrochemical photovoltaic panel and method to manufacture thereof
CN101437663B (zh) 2004-11-09 2013-06-19 得克萨斯大学体系董事会 纳米纤维带和板以及加捻和无捻纳米纤维纱线的制造和应用
US20060147616A1 (en) * 2004-12-20 2006-07-06 Russell Gaudiana Polymer catalyst for photovoltaic cell
KR20060074233A (ko) * 2004-12-27 2006-07-03 삼성전자주식회사 광전셀 및 그 제조방법
KR101137367B1 (ko) * 2005-01-20 2012-04-20 삼성전자주식회사 표면이 개질된 반도체 전극, 염료 감응 광 전지, 태양전지 및 그 제조 방법, 제조에 사용되는 고분자 조성물
US20060174933A1 (en) * 2005-02-09 2006-08-10 Debra Rolison TiO2 aerogel-based photovoltaic electrodes and solar cells
US20100132790A1 (en) * 2005-05-09 2010-06-03 Solaris Nanosciences, Inc. Rechargeable Dye Sensitized Solar Cell
US20060249201A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 Solaris Nanosciences, Inc. Rechargeable dye sensitized solar cell
WO2007024898A2 (en) * 2005-08-22 2007-03-01 Konarka Technologies, Inc. Displays with integrated photovoltaic cells
KR20070025745A (ko) * 2005-09-05 2007-03-08 삼성전자주식회사 탄소나노튜브를 이용한 광전기화학 소자
US20070079867A1 (en) * 2005-10-12 2007-04-12 Kethinni Chittibabu Photovoltaic fibers
KR100930922B1 (ko) 2005-11-04 2009-12-10 고려대학교 산학협력단 염료감응태양전지 및 그 제조방법
GB2432719A (en) 2005-11-25 2007-05-30 Seiko Epson Corp Electrochemical cell using metal oxide dispersion
GB2432717A (en) * 2005-11-25 2007-05-30 Seiko Epson Corp Metal oxide electrochemical cell
US7820022B2 (en) * 2005-11-28 2010-10-26 General Electric Company Photoelectrochemical cell and method of manufacture
JP5238511B2 (ja) 2005-12-21 2013-07-17 エフ.ホフマン−ラ・ロッヒェ・アクチェンゲゼルシャフト レドックスメディエータとしてのルテニウム錯体の使用、検知システム及びルテニウム錯体
US8617648B2 (en) * 2006-02-01 2013-12-31 Xerox Corporation Imaging members and method of treating an imaging member
KR20070080683A (ko) * 2006-02-08 2007-08-13 삼성전자주식회사 광전소자용 전해질 및 이를 채용한 염료감응 태양전지
EP1982776A4 (en) * 2006-02-10 2011-09-07 Sustainable Titania Technology Inc PROCESS FOR PROTECTING A BASE
ITBO20060150A1 (it) * 2006-03-03 2007-09-04 Andrea Capucci Metodo per l'applicazione di un materiale nanostrutturato su articoli, in particolare piastrelle, vetri e simili.
TWI366418B (en) * 2006-05-12 2012-06-11 Ind Tech Res Inst Substrate structures for display application and fabrication method thereof
KR101166017B1 (ko) * 2006-06-01 2012-07-23 삼성에스디아이 주식회사 분산제 기능을 갖는 염료 및 이를 포함하는 태양 전지
DE102006028429B3 (de) * 2006-06-21 2007-06-28 Fachhochschule Kiel Verfahren zur Herstellung einer Absorberbeschichtung auf Sol-Gel-Basis für Solarthermie
CA2655192A1 (en) 2006-07-05 2008-01-10 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Dye-sensitized solar cell
KR100825731B1 (ko) * 2006-09-29 2008-04-29 한국전자통신연구원 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법
KR100842265B1 (ko) * 2006-11-21 2008-06-30 한국전자통신연구원 수직 적층형 염료감응 태양전지 모듈의 제조 방법
EP1933343A1 (en) 2006-12-13 2008-06-18 Sony Deutschland Gmbh A method of preparing a porous semiconductor film on a substrate
KR20080067586A (ko) * 2007-01-16 2008-07-21 에스케이에너지 주식회사 분리막을 구비하고 있는 염료감응태양전지 및 그 제조방법
EP1965202B1 (en) * 2007-02-27 2016-04-13 Horiba, Ltd. Glass electrode
US7968792B2 (en) * 2007-03-05 2011-06-28 Seagate Technology Llc Quantum dot sensitized wide bandgap semiconductor photovoltaic devices & methods of fabricating same
KR100844871B1 (ko) * 2007-04-06 2008-07-09 경북대학교 산학협력단 염료감응형 태양전지용 염료 및 이를 이용한 태양전지
JP5004339B2 (ja) * 2007-04-27 2012-08-22 日本電信電話株式会社 チタニア微結晶の集合体の製造方法及び色素増感太陽電池
US8038853B2 (en) * 2007-06-18 2011-10-18 E.I. Du Pont De Nemours And Company Photo-induced reduction-oxidation chemistry of carbon nanotubes
KR101479803B1 (ko) * 2007-07-23 2015-01-06 바스프 에스이 광전 탠덤 전지
EP2181096A1 (de) * 2007-07-23 2010-05-05 Basf Se Verwendung von rylenderivaten als aktive komponenten in solarzellen und photodetektoren
CN101779258A (zh) * 2007-07-25 2010-07-14 聚合物华润有限公司 太阳能电池及其制备方法
KR100929812B1 (ko) * 2007-08-02 2009-12-08 한국전자통신연구원 증가된 에너지 변환 효율을 갖는 태양전지 및 그 제조 방법
GB0715178D0 (en) * 2007-08-04 2007-09-12 Eastman Kodak Co Dye sensitized solar cell
WO2009019983A1 (ja) 2007-08-06 2009-02-12 Toyo Seikan Kaisha, Ltd. 色素増感型太陽電池
KR100932901B1 (ko) 2007-08-21 2009-12-22 한국전자통신연구원 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법
KR100932903B1 (ko) 2007-10-01 2009-12-21 한국전자통신연구원 나노로드 밀집도가 조절된 전도성 기판 구조체 및 그전도성 기판 구조체 제조 방법
KR100867994B1 (ko) * 2007-10-18 2008-11-10 한국전자통신연구원 Ip기반양방향광고 송수신 방법 및 장치
KR100921754B1 (ko) * 2007-10-18 2009-10-15 한국전자통신연구원 염료 감응 태양전지 및 그 제조 방법
JP5409642B2 (ja) 2007-10-25 2014-02-05 ドゥッガル ニール 椎間板置換のためのシステムおよび方法
EP2112671A1 (en) 2008-04-23 2009-10-28 Sony Corporation A dye including an anchoring group in its molecular structure
KR100928941B1 (ko) * 2007-11-07 2009-11-30 한국과학기술연구원 염료감응 태양전지와 이의 제조방법
EP2112701A1 (en) 2008-04-22 2009-10-28 Sony Corporation Preparation of high-quality sensitizer dye for dye-sensitized solar cells
EP2061102A1 (en) 2007-11-14 2009-05-20 Sony Corporation Preparation of high-quality sensitizer dye for dye-sensitized solar cells
KR20090065175A (ko) 2007-12-17 2009-06-22 한국전자통신연구원 염료감응 태양전지 및 그의 제조 방법
TWI370120B (en) * 2008-01-31 2012-08-11 Everlight Chem Ind Corp Ruthenium complex
CN101503427B (zh) * 2008-02-04 2012-07-04 台湾永光化学工业股份有限公司 钌金属络合物
DE202008001599U1 (de) 2008-02-04 2008-06-26 Knöchel, Arndt, Prof. Dr. Elektrolytische Zusammensetzung für eine Farbstoffsolarzelle
US8329251B2 (en) * 2008-02-29 2012-12-11 University Of Southern California Method for preparing metal oxide crystalline nanoparticle films for dye sensitized solar cell photoanodes
US20110030792A1 (en) * 2008-04-18 2011-02-10 Hernan Miguez Solar to electric energy conversion device
US20110056556A1 (en) 2008-05-12 2011-03-10 Konica Minolta Business Technologies, Inc. Dye-sensitized solar cell and method for manufacturing the same
JP4558085B2 (ja) * 2008-06-20 2010-10-06 大阪瓦斯株式会社 多孔質酸化チタン被覆炭素材料組成物
WO2009154274A1 (ja) 2008-06-20 2009-12-23 大阪瓦斯株式会社 酸化チタン構造体及び多孔質酸化チタン組成物
CN102066243B (zh) * 2008-06-20 2014-07-30 大阪瓦斯株式会社 钛氧化物包覆的碳纤维和多孔钛氧化物包覆的碳材料组合物
JP4558084B2 (ja) * 2008-06-20 2010-10-06 大阪瓦斯株式会社 酸化チタン被覆炭素繊維
US20100051932A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Seo-Yong Cho Nanostructure and uses thereof
CN101354971B (zh) * 2008-09-12 2011-04-06 中国科学院化学研究所 掺杂金属的染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极的制备方法
DE102009049696A1 (de) 2008-10-16 2010-04-22 Basf Se Verbindung mit einer Salzgruppe und einer p-Halbleitergruppe und deren Verwendung in Solarzellen
US20100139761A1 (en) * 2008-12-08 2010-06-10 Electronics And Telecommunications Research Institute Dye-sensitized solar cell and method of fabricating the same
CN102326271A (zh) 2009-02-23 2012-01-18 巴斯夫欧洲公司 三芳基胺衍生物在有机太阳能电池中作为空穴传导材料的用途和含有所述三芳基衍生物的有机太阳能电池
GR1006959B (el) * 2009-04-09 2010-09-08 Εθνικο Κεντρο Ερευνας Φυσικων Επιστημων (Εκεφε) "Δημοκριτος", Αναστολεις του παραγοντα ενεργοποιησης αιμοπεταλιων (paf) με πιθανη αντικαρκινικη δραση
JP2010267612A (ja) 2009-04-17 2010-11-25 Konica Minolta Business Technologies Inc 光電変換素子及び太陽電池
WO2010121900A1 (en) 2009-04-21 2010-10-28 Basf Se Dye sensitized solar cell
JP2010277991A (ja) * 2009-04-28 2010-12-09 Konica Minolta Business Technologies Inc 光電変換素子及び太陽電池
KR101021567B1 (ko) * 2009-05-25 2011-03-16 성균관대학교산학협력단 광촉매, 이의 제조방법 및 이를 이용한 휘발성 유기물의 분해 방법
KR101088122B1 (ko) 2009-06-09 2011-12-02 서울대학교산학협력단 염료감응형 태양전지 및 염료감응형 태양전지의 제조방법
US9744236B2 (en) 2009-06-26 2017-08-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Photolabile compounds
WO2011026797A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Basf Se Dye sensitised solar cell
CN102712659B (zh) 2010-01-18 2015-09-30 默克专利有限公司 电解质配制剂
AU2011206738A1 (en) 2010-01-18 2012-09-06 Merck Patent Gmbh Compounds containing perfluoroalkyl-cyano-alkoxy-borate anions or perfluoroalkyl-cyano-alkoxy-fluoro-borate anions
WO2011085964A1 (en) 2010-01-18 2011-07-21 Merck Patent Gmbh Electrolyte formulations
WO2011120908A1 (en) 2010-03-29 2011-10-06 Basf Se Dye sensitised solar cell
KR100994902B1 (ko) 2010-04-06 2010-11-16 서울대학교산학협력단 플렉서블 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법
JP4980479B2 (ja) 2010-06-02 2012-07-18 富士フイルム株式会社 金属錯体色素、光電変換素子及び色素増感太陽電池
US9595678B2 (en) 2010-07-23 2017-03-14 Basf Se Dye solar cell with improved stability
DE102010046412B4 (de) 2010-09-23 2022-01-13 Merck Patent Gmbh Metall-Ligand Koordinationsverbindungen
JP5852656B2 (ja) 2010-09-27 2016-02-03 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung 官能化フルオロアルキルフルオロリン酸塩
JP6038796B2 (ja) 2010-09-30 2016-12-07 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung 電解質配合物
IT1402150B1 (it) 2010-10-04 2013-08-28 Dyepower Elementi di connessione elettrica verticale di celle fotoelettrochimiche.
EP2649625A1 (en) 2010-12-08 2013-10-16 Merck Patent GmbH Additives for dye-sensitized solar cells
IT1403134B1 (it) 2010-12-15 2013-10-04 Dyepower Sistema di interconnessione elettrica e meccanica di moduli di celle fotoelettrochimiche.
DE102010054525A1 (de) 2010-12-15 2012-04-26 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
US8609846B2 (en) 2010-12-22 2013-12-17 Basf Se Naphthalene monoimide derivatives and use thereof as photosensitizers in solar cells and photodetectors
DE102010055902A1 (de) 2010-12-23 2012-06-28 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
IT1403764B1 (it) 2011-01-31 2013-10-31 Dyepower Elementi di connessione elettrica verticale di celle fotoelettrochimiche.
US9087991B2 (en) 2011-02-01 2015-07-21 Basf Se Photovoltaic element
CN103492835B (zh) 2011-02-15 2016-08-17 巴斯夫欧洲公司 用于光学检测至少一种物体的检测器
US9001029B2 (en) 2011-02-15 2015-04-07 Basf Se Detector for optically detecting at least one object
US9923152B2 (en) 2011-03-24 2018-03-20 Merck Patent Gmbh Organic ionic functional materials
KR20120113107A (ko) 2011-04-04 2012-10-12 포항공과대학교 산학협력단 다공성 박막이 형성된 금속 산화물 반도체 전극 및 이를 이용한 염료 감응 태양전지 및 그 제조 방법
KR101286075B1 (ko) 2011-04-04 2013-07-15 포항공과대학교 산학협력단 이온층을 포함하는 염료 감응형 태양전지 및 그 제조 방법
ITRM20110184A1 (it) 2011-04-12 2012-10-13 Dyepower Procedimento di sinterizzazione di formulazioni a base di ossidi metallici.
WO2012141095A1 (ja) * 2011-04-14 2012-10-18 シャープ株式会社 光電変換素子および光電変換モジュール
WO2012152366A1 (en) 2011-05-12 2012-11-15 Merck Patent Gmbh Organic ionic compounds, compositions and electronic devices
EP2715858A1 (en) 2011-05-31 2014-04-09 Merck Patent GmbH Electrolyte formulations
US9246024B2 (en) * 2011-07-14 2016-01-26 International Business Machines Corporation Photovoltaic device with aluminum plated back surface field and method of forming same
US9058935B2 (en) 2011-07-15 2015-06-16 Merc Patent Gmbh Compounds containing alkyl-cyano-borate or alkyl-cyano-fluoroborate anions
WO2013010640A1 (en) 2011-07-15 2013-01-24 Merck Patent Gmbh Compounds containing alkyl-alkoxy-cyano-borate anions
US20150122319A1 (en) 2011-07-28 2015-05-07 David A. Strickler Apcvd of doped titanium oxide and the coated article made thereby
EP2551865A3 (en) 2011-07-29 2016-05-25 Konica Minolta Business Technologies, Inc. Photoelectric conversion element and solar cell
DE102012016192A1 (de) 2011-08-19 2013-02-21 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
EP2820105A1 (en) 2011-08-25 2015-01-07 Merck Patent GmbH Additives for dye-sensitized solar cells
WO2013049019A1 (en) 2011-09-26 2013-04-04 North Carolina State University Antenna ligands for dye-sensitized solar cells
US20130112237A1 (en) * 2011-11-08 2013-05-09 Cogenra Solar, Inc. Photovoltaic-thermal solar energy collector with integrated balance of system
JP5881578B2 (ja) 2011-12-15 2016-03-09 富士フイルム株式会社 金属錯体色素、光電変換素子、色素増感太陽電池および色素溶液
WO2013110948A1 (en) * 2012-01-26 2013-08-01 Bangor University Method for re-dyeing dye sensitised solar cells
JP2013161751A (ja) 2012-02-08 2013-08-19 Fujifilm Corp 光電変換素子およびその製造方法、これを用いた色素増感太陽電池
US9054325B2 (en) 2012-02-09 2015-06-09 03;Basf Se Rylene monoimide derivatives and use thereof as photosensitizers in solar cells and photodetectors
JP5925541B2 (ja) 2012-03-16 2016-05-25 富士フイルム株式会社 光電変換素子用金属錯体色素、光電変換素子、色素増感太陽電池、色素増感太陽電池用色素吸着組成液、色素増感太陽電池用半導体電極および色素増感太陽電池の製造方法
KR20140145180A (ko) 2012-03-30 2014-12-22 바스프 에스이 염료 감응 태양 전지용 플루오린화 반대 음이온을 갖는 퀴놀리늄 염료
KR101430139B1 (ko) 2012-06-29 2014-08-14 성균관대학교산학협력단 페로브스카이트 기반 메조다공 박막 태양전지 제조 기술
US20140012002A1 (en) 2012-07-04 2014-01-09 Basf Se Organic dyes comprising a hydrazone moiety and their use in dye-sensitized solar cells
US8816081B2 (en) 2012-08-06 2014-08-26 Basf Se Boron containing perylene monoimides, a process for their production, their use as building blocks for the production of perylene monoimide derivatives, monoimide derivatives and their use in dye-sensitized solar cells
KR101359440B1 (ko) 2012-08-08 2014-02-11 성균관대학교산학협력단 염료감응 태양전지, 및 이의 제조 방법
CN104662026B (zh) 2012-09-24 2017-08-25 柯尼卡美能达株式会社 光电转换元件及其制造方法
JP5913222B2 (ja) 2012-09-28 2016-04-27 富士フイルム株式会社 光電変換素子および色素増感太陽電池
JP2014082187A (ja) 2012-09-28 2014-05-08 Fujifilm Corp 光電変換素子および色素増感太陽電池
JP5913223B2 (ja) 2012-09-28 2016-04-27 富士フイルム株式会社 金属錯体色素、光電変換素子、色素増感太陽電池、色素溶液および色素吸着電極
JP6063359B2 (ja) 2012-09-28 2017-01-18 富士フイルム株式会社 光電変換素子、色素増感太陽電池、金属錯体色素および金属錯体色素を溶解してなる色素溶液
JP5992389B2 (ja) 2012-11-16 2016-09-14 富士フイルム株式会社 光電変換素子、色素増感太陽電池、金属錯体色素、色素溶液、色素吸着電極および色素増感太陽電池の製造方法
JP6407877B2 (ja) 2012-11-20 2018-10-17 メルク パテント ゲーエムベーハー 電子素子の製造のための高純度溶媒における調合物
JP5944372B2 (ja) 2012-12-17 2016-07-05 富士フイルム株式会社 光電変換素子、色素増感太陽電池、金属錯体色素、色素溶液、色素吸着電極および色素増感太陽電池の製造方法
JP6415447B2 (ja) 2012-12-19 2018-10-31 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se 1つ以上の物体を光学的に検出するための検出器
CN104919613A (zh) 2013-01-15 2015-09-16 巴斯夫欧洲公司 三角烯低聚物和聚合物及其作为空穴传导材料的用途
WO2014126072A1 (ja) 2013-02-15 2014-08-21 コニカミノルタ株式会社 光電変換素子およびこれを含む太陽電池
JP5972811B2 (ja) 2013-02-22 2016-08-17 富士フイルム株式会社 光電変換素子、光電変換素子の製造方法および色素増感太陽電池
CN105377862B (zh) * 2013-03-15 2019-09-13 希瑞·安·麦克法兰 用作光动力化合物的金属基配合物及其用途
US9428518B2 (en) 2013-03-18 2016-08-30 Basf Se Perylenemonoimide and naphthalenemonoimide derivatives and their use in dye-sensitized solar cells
JP6047513B2 (ja) 2013-03-25 2016-12-21 富士フイルム株式会社 金属錯体色素、光電変換素子、色素増感太陽電池および金属錯体色素を含有する色素溶液
WO2014198625A1 (en) 2013-06-13 2014-12-18 Basf Se Optical detector and method for manufacturing the same
AU2014280332B2 (en) 2013-06-13 2017-09-07 Basf Se Detector for optically detecting at least one object
AU2014280335B2 (en) 2013-06-13 2018-03-22 Basf Se Detector for optically detecting an orientation of at least one object
JPWO2015001984A1 (ja) 2013-07-01 2017-02-23 コニカミノルタ株式会社 光電変換素子モジュールおよびその製造方法
JP6403776B2 (ja) 2013-08-19 2018-10-10 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se 光学検出器
EP3036558B1 (en) 2013-08-19 2020-12-16 Basf Se Detector for determining a position of at least one object
WO2015046252A1 (ja) * 2013-09-25 2015-04-02 積水化学工業株式会社 薄膜太陽電池、半導体薄膜、及び、半導体形成用塗布液
EP2883881A1 (en) 2013-12-12 2015-06-17 Merck Patent GmbH Cobaltcomplex salts and mixtures of Cobaltcomplex salts for use in DSSC
DE102013021029A1 (de) 2013-12-17 2015-07-02 Julius-Maximilians-Universität Würzburg Kobaltkomplexsalze
EP3167304A4 (en) 2014-07-08 2018-02-21 Basf Se Detector for determining a position of at least one object
SI2975012T1 (sl) 2014-07-18 2020-08-31 Erlus Aktiengesellschaft Postopek za izdelavo električno prevodnih oblog
JP6578006B2 (ja) 2014-09-29 2019-09-18 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se 少なくとも1個の物体の位置を光学的に求めるための検出器
US11125880B2 (en) 2014-12-09 2021-09-21 Basf Se Optical detector
JP6841769B2 (ja) 2015-01-30 2021-03-10 トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 少なくとも1個の物体を光学的に検出する検出器
KR101578875B1 (ko) 2015-02-06 2015-12-18 포항공과대학교 산학협력단 자기조직된 유전체를 포함하는 태양전지 및 그의 제조방법
US10941612B2 (en) * 2015-02-24 2021-03-09 Lutron Technology Company Llc Photovoltaic cells arranged in a pattern
JP6339037B2 (ja) * 2015-03-18 2018-06-06 株式会社東芝 光電変換素子およびその製造方法
US10115530B2 (en) 2015-04-01 2018-10-30 Sequence Design Ltd. Solar cell and methods of fabrication and use thereof
WO2017012986A1 (en) 2015-07-17 2017-01-26 Trinamix Gmbh Detector for optically detecting at least one object
JP6755316B2 (ja) 2015-09-14 2020-09-16 トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 少なくとも1つの物体の少なくとも1つの画像を記録するカメラ
EP3420057B1 (en) 2016-02-23 2021-05-26 Vanderbilt Chemicals, LLC Imidazolium sulfur-containing binuclear molybdate salts as lubricant additives
KR102492134B1 (ko) 2016-07-29 2023-01-27 트리나미엑스 게엠베하 광학 센서 및 광학적 검출용 검출기
JP6616907B2 (ja) 2016-09-29 2019-12-04 富士フイルム株式会社 光電変換素子、色素増感太陽電池、金属錯体色素、色素溶液及び酸化物半導体電極
KR102431355B1 (ko) 2016-10-25 2022-08-10 트리나미엑스 게엠베하 적어도 하나의 대상체의 광학적 검출을 위한 검출기
US10890491B2 (en) 2016-10-25 2021-01-12 Trinamix Gmbh Optical detector for an optical detection
JP6979068B2 (ja) 2016-11-17 2021-12-08 トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 少なくとも1つの物体を光学的に検出するための検出器
US11860292B2 (en) 2016-11-17 2024-01-02 Trinamix Gmbh Detector and methods for authenticating at least one object
CN110178193B (zh) 2017-02-17 2021-11-30 富士胶片株式会社 光电转换元件、染料敏化太阳能电池、金属络合物色素、色素组合物及氧化物半导体电极
EP3612805A1 (en) 2017-04-20 2020-02-26 trinamiX GmbH Optical detector
JP6824397B2 (ja) 2017-05-19 2021-02-03 富士フイルム株式会社 光電変換素子、太陽電池、光電変換素子の製造方法及び感光層形成用組成物
KR102568462B1 (ko) 2017-06-26 2023-08-21 트리나미엑스 게엠베하 적어도 하나의 대상체의 위치를 결정하는 검출기
US11462364B2 (en) * 2018-06-01 2022-10-04 Ananda Rama Krishnan Selvaraj Hybrid ferroelectric discotic liquid crystal solar cell
EP3820465A4 (en) 2018-07-10 2022-06-01 Ambient Photonics, Inc. SOLAR CELL DYES FOR COPPER REDOX DYE-SENSITIZED SOLAR CELLS AND COMBINATIONS THEREOF

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4117210A (en) * 1977-01-27 1978-09-26 Optel Corporation Photogalvanic cell having transparent photoactive TIO2 thin film
JPS57195241A (en) * 1981-05-26 1982-11-30 Ricoh Co Ltd Photosensitive and thermosensitive recording member
US4521800A (en) * 1982-10-15 1985-06-04 Standard Oil Company (Indiana) Multilayer photoelectrodes utilizing exotic materials
US4511638A (en) * 1983-06-01 1985-04-16 Energy Conversion Devices, Inc. Photoresponsive amorphous semiconductor materials, methods of making the same, and photoanodes made therewith
DE3571456D1 (en) * 1984-04-30 1989-08-17 Stiftung R E Process for the sensitization of an oxidoreduction photocalatyst, and photocatalyst thus obtained
CH674596A5 (ja) * 1988-02-12 1990-06-15 Sulzer Ag

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6043428A (en) * 1997-06-23 2000-03-28 Sharp Kabushiki Kaisha Photoelectric material using organic photosensitising dyes and manufacturing method thereof
JP2002513003A (ja) * 1998-04-29 2002-05-08 セラニーズ・ヴェンチャーズ・ゲーエムベーハー 置換ビピリジル誘導体の触媒的製造法
WO1999063614A1 (fr) * 1998-05-29 1999-12-09 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Procede servant a fabriquer une cellule photoelectrique et semiconducteur a l'oxyde pour cellule photoelectrique
JP2000285972A (ja) * 1999-03-30 2000-10-13 Toshiba Corp 光電変換素子
US6580026B1 (en) 1999-06-30 2003-06-17 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Photovoltaic cell
US6849797B2 (en) 1999-06-30 2005-02-01 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Photovoltaic cell
JP2002319689A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Sharp Corp 光電変換素子及びその製造方法
US6881254B2 (en) 2001-05-22 2005-04-19 Kansai Paint Co., Ltd. Coating material for inorganic-film formation and method of forming inorganic film from the coating material
EP2223895A1 (en) 2001-10-30 2010-09-01 JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Tubular titanium oxide particles and use of the same
US7431903B2 (en) 2001-10-30 2008-10-07 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Tubular titanium oxide particles and process for preparing same
US7420117B2 (en) 2002-04-17 2008-09-02 Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. Photovoltaic cell
US7468146B2 (en) 2002-09-12 2008-12-23 Agfa-Gevaert Metal chalcogenide composite nano-particles and layers therewith
WO2004024629A1 (en) 2002-09-12 2004-03-25 Agfa-Gevaert Metal chalcogenide composite nano-particles and layers therewith
US6929970B2 (en) 2002-09-12 2005-08-16 Agfa-Gevaert Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers
US7851699B2 (en) 2002-10-15 2010-12-14 Sharp Kabushiki Kaisha Dye-sensitized solar cell and dye-sensitized solar cell module
US7901538B2 (en) 2003-10-28 2011-03-08 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Transparent conductive multi-layer structure, process for its manufacture and device making use of transparent conductive multi-layer structure
US7638807B2 (en) 2003-10-28 2009-12-29 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Transparent conductive multi-layer structure, process for its manufacture and device making use of transparent conductive multi-layer structure
JP2005225834A (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Tosoh Corp 2,2’−ビピリジル化合物およびその製造方法
JP2005320429A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Jsr Corp 色素及び色素増感太陽電池
US8581095B2 (en) 2004-08-04 2013-11-12 Sharp Kabushiki Kaisha Photoelectrode, and dye-sensitized solar cell and dye-sensitized solar cell module using the same
JP2006057014A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 金属錯体色素、光電極及び光増感型太陽電池
JP4617771B2 (ja) * 2004-08-20 2011-01-26 株式会社豊田中央研究所 金属錯体色素、光電極及び光増感型太陽電池
WO2006067897A1 (ja) * 2004-12-21 2006-06-29 Nippon Aerosil Co., Ltd. 光電変換素子及びこれに用いられる酸化チタン粒子の製造方法並びにその光電変換素子を用いた色素増感太陽電池
US8110740B2 (en) 2005-08-10 2012-02-07 Enplas Corporation Photoelectrode substrate of dye sensitizing solar cell, and method for producing same
WO2008007468A1 (fr) 2006-07-10 2008-01-17 Toto Ltd. Feuille renfermant un électrolyte utilisée pour la détection spécifique d'un analyte à l'aide d'un photocourant, et procédé de détection, module détecteur et appareil de mesure utilisant celle-ci
DE112007003115T5 (de) 2006-12-18 2009-11-05 Sumitomo Chemical Company, Limited Verbindung, photoelektrisches Umwandlungsgerät und photoelektrochemische Batterie
DE112008000841T5 (de) 2007-03-29 2010-02-11 Sumitomo Chemical Company, Limited Verbindung, photoelektrischer Wandler und photoelektrochemische Zelle
WO2008136261A1 (ja) 2007-04-26 2008-11-13 Jgc Catalysts And Chemicals Ltd. 光電気セルおよび該光電気セル用多孔質半導体膜形成用塗料
EP2128880A2 (en) 2008-05-30 2009-12-02 JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Coating material for forming porous metal oxide semiconductor film for photovoltaic cell
WO2010050575A1 (ja) 2008-10-29 2010-05-06 富士フイルム株式会社 色素、これを用いた光電変換素子、光電気化学電池、および色素の製造方法
EP2845882A2 (en) 2008-10-29 2015-03-11 Fujifilm Corporation Dye, Photoelectric Conversion Element and Photoelectrochemical Cell
WO2010107088A1 (ja) 2009-03-18 2010-09-23 Toto株式会社 光電流を用いた被検物質の特異的検出に用いられる測定装置、それに用いられるセンサユニット、および光電流を用いた被検物質の特異的検出方法
JP2011057828A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Univ Of Tokyo 新規光増感剤及び光起電力素子
EP2302650A2 (en) 2009-09-28 2011-03-30 Fujifilm Corporation Method of producing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element, and photoelectrochemical cell
EP2306479A2 (en) 2009-09-28 2011-04-06 Fujifilm Corporation Method of producing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element, and photoelectrochemical cell
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US10468197B2 (en) 2014-02-26 2019-11-05 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Porous semiconductor layer, paste for porous semiconductor layer, and dye-sensitized solar cell

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