JP7422688B2 - 表示基板、スプライシングスクリーン及びその製造方法 - Google Patents
表示基板、スプライシングスクリーン及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7422688B2 JP7422688B2 JP2020571439A JP2020571439A JP7422688B2 JP 7422688 B2 JP7422688 B2 JP 7422688B2 JP 2020571439 A JP2020571439 A JP 2020571439A JP 2020571439 A JP2020571439 A JP 2020571439A JP 7422688 B2 JP7422688 B2 JP 7422688B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- data line
- electroplating
- flexible base
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 113
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 41
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 147
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 138
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 40
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 38
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 38
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
関連出願の相互参照
本願は、２０１９年０１月２３日に中国特許庁に提出され、出願番号が２０１９１００６２１７９．６、出願の名称が「アレイ基板及びその製造方法、可撓性表示パネル、スプライシングスクリーン」である中国特許出願の優先権を主張し、その全内容は援用により本願に組み込まれている。
本願は、２０１９年０１月２３日に中国特許庁に提出され、出願番号が２０１９１００６２１７９．６、出願の名称が「アレイ基板及びその製造方法、可撓性表示パネル、スプライシングスクリーン」である中国特許出願の優先権を主張し、その全内容は援用により本願に組み込まれている。
本開示は、表示装置の技術分野に関し、特に表示基板、スプライシングスクリーン及びその製造方法に関する。
現在、可撓性表示基板の表示基板は表示領域及び額縁領域を含み、図１に示すように、額縁領域には、表示領域のゲートライン０１及びデータライン０２に１対１で対応して電気的に接続されたファンアウト配線Ｆａｎｏｕｔ及び結合電極が設けられ、結合電極が可撓性回路基板０３に電気的に接続され、走査信号及びデータ信号を伝送する。一方、大面積可撓性スプライシングスクリーンを製造するには狭額縁の可撓性表示基板をスプライシングする必要があり、額縁領域のファンアウト配線Ｆａｎｏｕｔ及び結合電極は大面積スプライシングスクリーンの製造に不利となる。
このため、狭額縁又は無額縁化の可撓性表示製品の製造は、当業者にとって解決しなければならない技術的課題となっている。
本開示は、
可撓性ベースと、
前記可撓性ベースの一方側に位置する複数本の信号ラインと、
前記信号ラインの前記可撓性ベースを向く面に位置し、且つそれぞれの前記可撓性ベースでの正投影が１つの前記信号ラインの前記可撓性ベースでの正投影の一部と重なり、重なり位置で前記信号ラインに電気的に接続された複数の電気めっき電極と、
前記可撓性ベースでの正投影が前記電気めっき電極の前記可撓性ベースでの正投影と重なり、且つ前記可撓性ベースを貫通して前記電気めっき電極を露出させ、導電性材料が内部に充填されている複数の第１ビアと、
前記可撓性ベースの前記信号ラインから離間した面に位置し、且つ前記可撓性ベースでの正投影が前記第１ビアの前記可撓性ベースでの正投影と重なり、それぞれが対応する前記第１ビア内の前記導電性材料を介して対応する前記電気めっき電極に電気的に接続された複数の結合電極と、を含む表示基板を提供する。
可撓性ベースと、
前記可撓性ベースの一方側に位置する複数本の信号ラインと、
前記信号ラインの前記可撓性ベースを向く面に位置し、且つそれぞれの前記可撓性ベースでの正投影が１つの前記信号ラインの前記可撓性ベースでの正投影の一部と重なり、重なり位置で前記信号ラインに電気的に接続された複数の電気めっき電極と、
前記可撓性ベースでの正投影が前記電気めっき電極の前記可撓性ベースでの正投影と重なり、且つ前記可撓性ベースを貫通して前記電気めっき電極を露出させ、導電性材料が内部に充填されている複数の第１ビアと、
前記可撓性ベースの前記信号ラインから離間した面に位置し、且つ前記可撓性ベースでの正投影が前記第１ビアの前記可撓性ベースでの正投影と重なり、それぞれが対応する前記第１ビア内の前記導電性材料を介して対応する前記電気めっき電極に電気的に接続された複数の結合電極と、を含む表示基板を提供する。
可能な一実施形態では、前記信号ラインは複数本のゲートラインを含み、
前記電気めっき電極は、
前記ゲートラインに１対１で対応し、且つ対応する前記ゲートラインの端部に対応し、前記ゲートラインの所在する面に平行であるとともに前記ゲートラインの延伸方向に垂直である第１方向に順次配列されている、複数のゲートライン電気めっき電極を含む。
前記電気めっき電極は、
前記ゲートラインに１対１で対応し、且つ対応する前記ゲートラインの端部に対応し、前記ゲートラインの所在する面に平行であるとともに前記ゲートラインの延伸方向に垂直である第１方向に順次配列されている、複数のゲートライン電気めっき電極を含む。
可能な一実施形態では、前記表示基板は、前記ゲートラインと前記ゲートライン電気めっき電極の所在する層の間に位置する第１ゲート絶縁層をさらに含み、
前記ゲートライン電気めっき電極は、前記第１ゲート絶縁層を貫通した第２ビアを介して前記ゲートラインに電気的に接続される。
前記ゲートライン電気めっき電極は、前記第１ゲート絶縁層を貫通した第２ビアを介して前記ゲートラインに電気的に接続される。
可能な一実施形態では、前記信号ラインは、前記ゲートラインの前記可撓性ベースから離間した面に位置する複数本のデータラインをさらに含み、
前記電気めっき電極は、
前記データラインに１対１で対応し、且つ対応する前記データラインの端部に対応し、前記データラインの所在する面に平行であるとともに前記データラインの延伸方向に垂直である第２方向に順次配列されている複数のデータライン電気めっき電極をさらに含む。
前記電気めっき電極は、
前記データラインに１対１で対応し、且つ対応する前記データラインの端部に対応し、前記データラインの所在する面に平行であるとともに前記データラインの延伸方向に垂直である第２方向に順次配列されている複数のデータライン電気めっき電極をさらに含む。
可能な一実施形態では、前記ゲートライン電気めっき電極及び前記データライン電気めっき電極は同一層に位置する。
可能な一実施形態では、前記表示基板は、前記データラインの所在する層と前記データライン電気めっき電極の所在する層との間に位置するデータライン接続電極をさらに含み、
前記データラインと前記データライン電気めっき電極は前記データライン接続電極を介して電気的に接続される。
前記データラインと前記データライン電気めっき電極は前記データライン接続電極を介して電気的に接続される。
可能な一実施形態では、前記データライン接続電極は、第１データライン接続電極と、前記第１データライン接続電極の前記データラインを向く面に位置する第２データライン接続電極と、を含む。
可能な一実施形態では、前記第１データライン接続電極及び前記ゲートラインは同一層に位置する。
可能な一実施形態では、前記第２データライン接続電極と前記第１データライン接続電極との間には第２ゲート絶縁層をさらに有し、
前記第２データライン接続電極は、前記第２ゲート絶縁層を貫通した第３ビアを介して前記第１データライン接続電極に電気的に接続され、
前記第１データライン接続電極は、前記第１ゲート絶縁層を貫通した第４ビアを介して前記データライン電気めっき電極に電気的に接続される。
前記第２データライン接続電極は、前記第２ゲート絶縁層を貫通した第３ビアを介して前記第１データライン接続電極に電気的に接続され、
前記第１データライン接続電極は、前記第１ゲート絶縁層を貫通した第４ビアを介して前記データライン電気めっき電極に電気的に接続される。
可能な一実施形態では、前記表示基板は、前記第２データライン接続電極と前記データラインとの間に位置する層間誘電体層をさらに含み、
前記データラインは、前記層間誘電体層を貫通した第５ビアを介して前記第２データライン接続電極に電気的に接続される。
前記データラインは、前記層間誘電体層を貫通した第５ビアを介して前記第２データライン接続電極に電気的に接続される。
可能な一実施形態では、前記表示基板は、前記データラインの前記ゲートラインから離間した面に位置する共通電極をさらに含み、
前記電気めっき電極は、前記共通電極に電気的に接続され、前記ゲートライン電気めっき電極と同一層に位置する共通電気めっき電極をさらに含む。
前記電気めっき電極は、前記共通電極に電気的に接続され、前記ゲートライン電気めっき電極と同一層に位置する共通電気めっき電極をさらに含む。
可能な一実施形態では、前記表示基板は、前記データラインと同一層に位置する第１共通接続電極、前記第２データライン接続電極と同一層に位置する第２共通接続電極、前記第１データライン接続電極と同一層に位置する第３共通接続電極をさらに含み、
前記共通電極は、順次前記第１共通接続電極、第２共通接続電極、第３共通接続電極を介して、前記共通電気めっき電極に電気的に接続される。
前記共通電極は、順次前記第１共通接続電極、第２共通接続電極、第３共通接続電極を介して、前記共通電気めっき電極に電気的に接続される。
可能な一実施形態では、前記表示基板は、前記共通電極と同一層に位置する第３データライン接続電極をさらに含み、前記共通電極の所在する層と前記データラインの所在する層との間には平坦化層がさらに設けられ、
前記表示基板は、前記データラインと同一層にあるソース及びドレインを含み、前記ソースが前記データラインに電気的に接続され、前記ドレインが前記平坦化層を貫通した第６ビアを介して前記第３データライン接続電極に電気的に接続された薄膜トランジスタをさらに含む。
前記表示基板は、前記データラインと同一層にあるソース及びドレインを含み、前記ソースが前記データラインに電気的に接続され、前記ドレインが前記平坦化層を貫通した第６ビアを介して前記第３データライン接続電極に電気的に接続された薄膜トランジスタをさらに含む。
可能な一実施形態では、前記表示基板は、前記共通電極の前記平坦化層から離間した面に位置する複数のバンク構造をさらに含み、前記バンク構造の前記共通電極から離間した面には、前記バンク構造に１対１で対応し、互いに絶縁する第１結合パッドと第２結合パッドを含む結合パッド群がさらに複数群設けられ、
前記第１結合パッドは、前記バンク構造の前記共通電極から離間した表面の一部、及び前記第３データライン接続電極の一部を覆っており、
前記第２結合パッドは、前記バンク構造の前記共通電極から離間した表面の一部、及び前記共通電極の一部を覆っている。
前記第１結合パッドは、前記バンク構造の前記共通電極から離間した表面の一部、及び前記第３データライン接続電極の一部を覆っており、
前記第２結合パッドは、前記バンク構造の前記共通電極から離間した表面の一部、及び前記共通電極の一部を覆っている。
可能な一実施形態では、前記表示基板は、前記結合パッド群の前記平坦化層から離間した面に位置し、前記結合パッド群以外の他の領域を覆うブラックマトリックスをさらに含む。
可能な一実施形態では、前記可撓性ベースと前記複数の電気めっき電極との間には緩衝層が形成され、前記第１ビアはさらに前記緩衝層を貫通している。
可能な一実施形態では、前記結合電極の材料は金属又はインジウムスズ酸化物である。
可能な一実施形態では、前記表示基板は、第１電極と第２電極を含む複数のマイクロ発光ダイオードをさらに含み、
前記マイクロ発光ダイオードは、前記第１電極が前記第１結合パッドに結合され、前記第２電極が前記第２結合パッドに結合される。
前記マイクロ発光ダイオードは、前記第１電極が前記第１結合パッドに結合され、前記第２電極が前記第２結合パッドに結合される。
本開示の実施例は、少なくとも２つの本開示の実施例による前記可撓性表示基板を含むスプライシングスクリーンをさらに提供する。
本開示の実施例は、
複数の第１ビアを有する可撓性ベースを含み、複数の表示領域を有する表示母板を提供するステップと、
複数の前記第１ビア内に導電性材料を形成するステップと、
前記複数の表示領域のそれぞれの縁部に沿って、前記表示母板を複数の表示基板に切断するステップと、
複数の前記表示基板をスプライシングするステップと、を含む、本開示の実施例による前記スプライシングスクリーンの製造方法をさらに提供する。
複数の第１ビアを有する可撓性ベースを含み、複数の表示領域を有する表示母板を提供するステップと、
複数の前記第１ビア内に導電性材料を形成するステップと、
前記複数の表示領域のそれぞれの縁部に沿って、前記表示母板を複数の表示基板に切断するステップと、
複数の前記表示基板をスプライシングするステップと、を含む、本開示の実施例による前記スプライシングスクリーンの製造方法をさらに提供する。
可能な一実施形態では、複数の表示領域を有する表示母板を提供する前記ステップは、
可撓性ベース、複数の電気めっき電極、複数本の信号ラインを第１剛性基板の一面に順次形成するステップと、
前記信号ラインの前記第１剛性基板から離間した面に第２剛性基板を貼り付けるステップと、
前記第１剛性基板を除去し、前記可撓性ベースを露出させるステップと、
レーザー穴開けプロセスにより前記可撓性ベースのうちの前記電気めっき電極に１対１で対応した位置に第１ビアを形成するステップと、を含み、
前記複数の表示領域のそれぞれの縁部に沿って、前記表示母板を複数の表示基板に切断する前、前記製造方法は、前記第２剛性基板を取り外すステップをさらに含む。
可撓性ベース、複数の電気めっき電極、複数本の信号ラインを第１剛性基板の一面に順次形成するステップと、
前記信号ラインの前記第１剛性基板から離間した面に第２剛性基板を貼り付けるステップと、
前記第１剛性基板を除去し、前記可撓性ベースを露出させるステップと、
レーザー穴開けプロセスにより前記可撓性ベースのうちの前記電気めっき電極に１対１で対応した位置に第１ビアを形成するステップと、を含み、
前記複数の表示領域のそれぞれの縁部に沿って、前記表示母板を複数の表示基板に切断する前、前記製造方法は、前記第２剛性基板を取り外すステップをさらに含む。
可能な一実施形態では、前記電気めっき電極の前記可撓性ベースから離間した側に複数本の信号ラインを形成する前記ステップは、
前記電気めっき電極の前記可撓性ベースから離間した側に複数本のゲートラインを形成するとともに、各前記表示領域の前記ゲートラインがすべて第１短絡電極に電気的に接続されるように、前記ゲートラインに垂直に延びている前記第１短絡電極を隣接する前記表示領域の間の隙間に形成するステップと、
前記ゲートラインの前記可撓性ベースから離間した側に複数本のデータラインを形成するとともに、各前記表示領域の前記データラインがすべて第２短絡電極に電気的に接続されるように、前記データラインに垂直に延びている前記第２短絡電極を隣接する前記表示領域の間の隙間に形成するステップと、を含む。
前記電気めっき電極の前記可撓性ベースから離間した側に複数本のゲートラインを形成するとともに、各前記表示領域の前記ゲートラインがすべて第１短絡電極に電気的に接続されるように、前記ゲートラインに垂直に延びている前記第１短絡電極を隣接する前記表示領域の間の隙間に形成するステップと、
前記ゲートラインの前記可撓性ベースから離間した側に複数本のデータラインを形成するとともに、各前記表示領域の前記データラインがすべて第２短絡電極に電気的に接続されるように、前記データラインに垂直に延びている前記第２短絡電極を隣接する前記表示領域の間の隙間に形成するステップと、を含む。
可能な一実施形態では、各前記表示領域の前記第１ビア内に導電性材料を形成する前記ステップは、
前記第１短絡電極及び前記第２短絡電極を電気めっき装置に電気的に接続するステップと、
前記電気めっき装置によって前記第１ビア内に導電性材料を形成するステップと、を含む。
前記第１短絡電極及び前記第２短絡電極を電気めっき装置に電気的に接続するステップと、
前記電気めっき装置によって前記第１ビア内に導電性材料を形成するステップと、を含む。
可能な一実施形態では、前記電気めっき装置によって前記第１ビア内に導電性材料を形成した後、前記製造方法は、
前記第１ビアに１対１で対応し、対応する前記第１ビア内の前記導電性材料を介して対応する前記電気めっき電極に電気的に接続された結合電極を、前記可撓性ベースの前記電気めっき電極から離間した側に形成するステップをさらに含む。
前記第１ビアに１対１で対応し、対応する前記第１ビア内の前記導電性材料を介して対応する前記電気めっき電極に電気的に接続された結合電極を、前記可撓性ベースの前記電気めっき電極から離間した側に形成するステップをさらに含む。
本開示の有益な効果は以下のとおりである。本開示の実施例による表示基板では、可撓性ベース上に複数の電気めっき電極及び表示信号を伝送するための信号ラインが形成され、信号ラインが電気めっき電極に電気的に接続され、可撓性ベースのうちの各電気めっき電極に対応する領域には、導電性材料が内部に充填されている第１ビアが形成され、可撓性ベースの複数の電気めっき電極から離間した側には、前記第１ビアに１対１で対応する結合電極が形成され、結合電極は、それに対応する第１ビア内の導電性材料を介して、対応する電気めっき電極に電気的に接続され、上記構造によれば、電気めっき電極、導電性材料及び結合電極を設けることにより、信号ラインを可撓性基板の裏面に直接引いて、外部回路の可撓性回路基板と接続することで、信号ラインによる表示信号の伝送を実現することができ、結合電極が可撓性ベースの信号ライン層から離間した側に直接設けられるため、表示基板上のファンアウト配線の設置をさらに省略し、それにより、極狭額縁又は無額縁化のデザインが実現され、さらに大面積スプライシングスクリーンの製造が可能になる。
以下、本開示の実施例における図面を参照しながら、本開示の実施例の技術案を明確かつ完全に説明するが、明らかなように、説明する実施例は本開示の実施例の一部に過ぎず、すべての実施例ではない。当業者が本開示の実施例に基づいて創造的な努力を必要とせずに得る他のすべての実施例は、本開示の特許範囲に属する。
図２に示すように、本開示は、表示基板を提供し、前記表示基板は、
可撓性ベース１と、
可撓性ベース１の一方側に位置する複数本の信号ライン（具体的には、ゲートライン３０１、データライン７０１を含んでもよい）と、
信号ラインの可撓性ベース１を向く面に位置し、信号ラインに１対１で対応して電気的に接続され、それぞれの可撓性ベース１での正投影が１つの信号ラインの可撓性ベース１の正投影の一部と重なり、重なり位置で信号ラインに電気的に接続された複数の電気めっき電極２と、
電気めっき電極２に１対１で対応し、可撓性ベース１での正投影が電気めっき電極２の可撓性ベース１での正投影と重なり、且つ可撓性ベース１を貫通して電気めっき電極２を露出させ、導電性材料４が内部に充填されている複数の第１ビアであって、具体的には、第１ビアの可撓性ベース１での正投影面積が、電気めっき電極２の可撓性ベース１での正投影面積よりも大きく、つまり、第１ビアの可撓性ベース１での正投影が電気めっき電極２の可撓性ベース１での正投影を完全に覆うことができる複数の第１ビアと、
可撓性ベース１の信号ラインから離間した一面に位置し、第１ビアに１対１で対応し、且つ結合電極２の可撓性ベース１での正投影が第１ビアの可撓性ベース１での正投影と重なり、それぞれが対応する第１ビア内の導電性材料４を介して対応する電気めっき電極２電気的に接続された複数の結合電極５であって、具体的には、結合電極２の可撓性ベース１での正投影面積が、第１ビアの可撓性ベース１での正投影面積よりも大きく、つまり、結合電極２の可撓性ベース１での正投影が第１ビアの可撓性ベース１での正投影を完全に覆うことができる複数の結合電極５と、を含む。
可撓性ベース１と、
可撓性ベース１の一方側に位置する複数本の信号ライン（具体的には、ゲートライン３０１、データライン７０１を含んでもよい）と、
信号ラインの可撓性ベース１を向く面に位置し、信号ラインに１対１で対応して電気的に接続され、それぞれの可撓性ベース１での正投影が１つの信号ラインの可撓性ベース１の正投影の一部と重なり、重なり位置で信号ラインに電気的に接続された複数の電気めっき電極２と、
電気めっき電極２に１対１で対応し、可撓性ベース１での正投影が電気めっき電極２の可撓性ベース１での正投影と重なり、且つ可撓性ベース１を貫通して電気めっき電極２を露出させ、導電性材料４が内部に充填されている複数の第１ビアであって、具体的には、第１ビアの可撓性ベース１での正投影面積が、電気めっき電極２の可撓性ベース１での正投影面積よりも大きく、つまり、第１ビアの可撓性ベース１での正投影が電気めっき電極２の可撓性ベース１での正投影を完全に覆うことができる複数の第１ビアと、
可撓性ベース１の信号ラインから離間した一面に位置し、第１ビアに１対１で対応し、且つ結合電極２の可撓性ベース１での正投影が第１ビアの可撓性ベース１での正投影と重なり、それぞれが対応する第１ビア内の導電性材料４を介して対応する電気めっき電極２電気的に接続された複数の結合電極５であって、具体的には、結合電極２の可撓性ベース１での正投影面積が、第１ビアの可撓性ベース１での正投影面積よりも大きく、つまり、結合電極２の可撓性ベース１での正投影が第１ビアの可撓性ベース１での正投影を完全に覆うことができる複数の結合電極５と、を含む。
上記開示の実施例による表示基板では、可撓性ベース１上に複数の電気めっき電極２及び表示信号を伝送するための信号ラインが形成され、信号ラインが電気めっき電極２に電気的に接続され、可撓性ベース１のうちの各電気めっき電極に対応する領域には、導電性材料４が内部に充填されている第１ビアが形成され、可撓性ベース１の複数の電気めっき電極２から離間した側には、第１ビアに１対１で対応する結合電極５が形成され、結合電極５は、それに対応する第１ビア内の導電性材料４を介して、対応する電気めっき電極２に電気的に接続され、上記構造によれば、電気めっき電極２、導電性材料４及び結合電極５を設けることにより、信号ラインを可撓性基板の信号ラインから離間した側に直接引いて、外部回路の可撓性回路基板と接続することで、信号ラインによる表示信号の伝送を実現することができ、結合電極５が可撓性ベース１の薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層から離間した側に直接設けられるため、表示基板上のファンアウト配線の設置をさらに省略し、それにより、極狭額縁又は無額縁化のデザインが実現され、さらに大面積スプライシングスクリーンの製造が可能になる。
上記開示の実施例による表示基板では、可撓性ベース１と複数の電気めっき電極２との間には緩衝層６が形成され、第１ビアはさらに緩衝層６を貫通しており、つまり、可撓性ベース１及び緩衝層６のうちの各電気めっき電極に対応する領域には、導電性材料４が内部に形成されている第１ビアが形成され、緩衝層６を設けることにより、可撓性表示基板の曲げ能力を高め、さらに表示基板の水・酸素バリア能力や断熱効果を向上させることができる。
任意選択に、結合電極５の材料は優れた光電気性能を有するインジウムスズ酸化物であってもよい。使用する際に、結合電極５の材料は実際の選択に応じて決まり、ここで制限しない。好ましくは、結合電極５は第１ビアを覆い、このようにして、導電の役割を果たすとともに、第１ビア内の導電性材料を保護することができる。
具体的な実施には、図２に示すように、信号ラインは複数本のゲートライン３０１を含み、電気めっき電極２は、ゲートライン３０１に１対１で対応し、且つ対応するゲートライン３０１の端部に対応し（図３に示すように、ゲートライン３０１の結合電極５は、ゲートライン３０１に垂直な方向に配列され、つまり、上部が横方向に配列された結合電極５はゲートライン３０１に対応する結合電極５であり、電気めっき電極２が第１ビアの位置に対応し、第１ビアが結合電極５に対応するので、結合電極５の所在する位置は電気めっき電極２の所在する位置としても取り扱う）、ゲートライン３０１の所在する面に平行であるとともにゲートライン３０１の延伸方向に垂直である第１方向に順次配列されている複数のゲートライン電気めっき電極２０１を含む。
具体的な実施には、図２に示すように、表示基板は、ゲートライン３０１とゲートライン電気めっき電極２０１の所在する層の間に位置する第１ゲート絶縁層９０１をさらに含み、ゲートライン電気めっき電極２０１は、第１ゲート絶縁層９０１を貫通した第２ビアを介してゲートライン３０１電気的に接続される。
具体的な実施には、図２に示すように、信号ラインは、ゲートライン３０１の可撓性ベース１から離間した面に位置する複数本のデータライン７０１をさらに含み、電気めっき電極２は、データライン７０１に１対１で対応し、且つ対応するデータライン７０１の端部に対応し（図３に示すように、データライン７０１の結合電極５はデータライン７０１の方向に垂直に配列され、つまり、下部が縦方向に配列された結合電極５はデータライン７０１に対応する結合電極５であり、電気めっき電極２が第１ビアの位置に対応し、第１ビアが結合電極５に対応するので、結合電極５の所在する位置は電気めっき電極２の所在する位置としても取り扱う）、データラインの所在する面に平行であるとともにデータラインの延伸方向に垂直である第２方向に順次配列されている複数のデータライン電気めっき電極２０２をさらに含む。
具体的な実施には、ゲートライン電気めっき電極２０１及びデータライン電気めっき電極２０２は同一層に位置する。本開示の実施例では、ゲートライン電気めっき電極２０１及びデータライン電気めっき電極２０２は同一層に位置し、それにより、製造に当たって、ゲートライン電気めっき電極２０１及びデータライン電気めっき電極２０２が同時に形成され得、製造プロセスが簡素化する。
具体的な実施には、図２に示すように、表示基板は、データライン７０１の所在する層とデータライン電気めっき電極２０２の所在する層との間に位置するデータライン接続電極をさらに含み、データライン７０１とデータライン電気めっき電極２０２はデータライン接続電極を介して電気的に接続される。具体的には、データライン接続電極は、第１データライン接続電極３０２と、第１データライン接続電極３０２のデータライン７０１を向く面に位置する第２データライン接続電極３０４と、を含む。
具体的な実施には、第１データライン接続電極３０２は、ゲートライン３０１と同一層に位置するようにしてもよい。
具体的な実施には、第２データライン接続電極３０４と第１データライン接続電極３０２との間には第２ゲート絶縁層９０２をさらに有し、第２データライン接続電極３０４は、第２ゲート絶縁層９０２を貫通した第３ビアを介して第１データライン接続電極３０２に電気的に接続され、第１データライン接続電極３０２は、第１ゲート絶縁層９０１を貫通した第４ビアを介してデータライン電気めっき電極２０２に電気的に接続されるようにしてもよい。
具体的な実施には、図２に示すように、表示基板は、第２データライン接続電極３０４とデータライン７０１との間に位置する層間誘電体層１１をさらに含み、データライン７０１は、層間誘電体層１１を貫通した第５ビアを介して第２データライン接続電極３０４に電気的に接続される。
具体的な実施には、図２に示すように、表示基板は、データライン７０１のゲートライン２０１から離間した面に位置する共通電極１７をさらに含み、電気めっき電極２は、共通電極１７に電気的に接続され、ゲートライン電気めっき電極２０１と同一層に位置する共通電気めっき電極２０３をさらに含む。
具体的な実施には、図２に示すように、表示基板は、データライン７０１と同一層に位置する第１共通接続電極７０４、第２データライン接続電極３０４と同一層に位置する第２共通接続電極３０５、第１データライン接続電極３０２と同一層に位置する第３共通接続電極３０６をさらに含み、共通電極１７は、順次第１共通接続電極７０４、第２共通接続電極３０５、第３共通接続電極３０６を介して、共通電気めっき電極２０３に電気的に接続される。もちろん、順次電気的に接続される際に、穴開け方式で電気的に接続することができる。
具体的な実施には、図２に示すように、表示基板は、共通電極１７と同一層に位置する第３データライン接続電極１３をさらに含み、共通電極１７の所在する層とデータライン７０１の所在する層との間には平坦化層１２がさらに設けられ、表示基板は、データライン７０１と同一層にあるソース７０２及びドレイン７０３を含み、ソース７０２がデータライン７０１に電気的に接続され（図２には接続されることが示されていないが、他の位置で電気的に接続されてもよい）、ドレイン７０３が平坦化層１２を貫通した第６ビアを介して第３データライン接続電極１３に電気的に接続された薄膜トランジスタをさらに含む。
具体的な実施には、図２に示すように、表示基板は、共通電極１７の平坦化層１２から離間した面に位置する複数のバンク構造１４をさらに含み、バンク構造１４１の共通電極１７から離間した面には、バンク構造１４１に対１で対応し、互いに絶縁する第１結合パッド１５１と第２結合パッド１５２を含む結合パッド群１５がさらに複数群設けられ、第１結合パッド１５１は、バンク構造１４の共通電極１７から離間した表面の一部、及び第３データライン接続電極１３の一部を覆っており、第２結合パッド１５２は、バンク構造１４の共通電極１７から離間した表面の一部、及び共通電極１７の一部を覆っている。
具体的な実施には、図２に示すように、表示基板は、結合パッド群１５の平坦化層１２から離間した面に位置し、結合パッド群１５以外の他の領域を覆うブラックマトリックス１０をさらに含む。ブラックマトリックス１０の可撓性ベース１での投影が第１ビアの可撓性ベース１での投影を覆い、このような構造によれば、表示基板の光漏れ現象を回避できる。
上記表示基板では、信号ラインは電気めっき電極に１対１で対応して電気的に接続され、それにより、信号が伝送される。
上記表示基板では、具体的には、図３に示すように、信号ラインは、互いに絶縁する複数本のゲートライン及び複数本のデータライン７０１を含み、複数の電気めっき電極２は、ゲートライン３０１に１対１で対応して電気的に接続されたゲートライン電気めっき電極２０１、及びデータライン７０１に１対１で対応して電気的に接続されたデータライン電気めっき電極２０２を含み、導電性材料４及び結合電極５を介して、ゲートライン３０１とデータライン７０１を可撓性ベース１の複数の電気めっき電極２から離間した側に引くことで、結合電極５が可撓性回路基板に接続され、信号が伝送される。
具体的には、低温ポリシリコン技術で製造される表示基板を例として、薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層には、具体的には、図２に示すように、活性層８、第２ゲート絶縁層９０２、第１ゲート金属層、第２ゲートライン絶縁層９０２、第２ゲート金属層、層間誘電体層１１、第１ソースドレイン金属層、平坦化層１２、保護層１６、バンク構造１４、及び表示デバイスに結合するための結合パッド群１５が含まれてもよい。
これらのうち、活性層８は電気めっき電極２と同一層に設けられてもよく、
第１ゲート金属層には、ゲートライン３０１及び第１データライン接続電極３０２が設けられ、ゲートライン３０１はゲートライン電気めっき電極２０１に電気的に接続され、
第２ゲート金属層には、第１ゲート金属層とともにコンデンサを形成するゲートライン電極３０３及び第２データライン接続電極３０４が設けられ、
第１ソースドレイン金属層には、データライン７０１及びソース７０２が形成され、ソース７０２は活性層８に電気的に接続され、データライン７０１は第１データライン接続電極３０２及び第２データライン接続電極３０４を介してデータライン電気めっき電極２０２に電気的に接続され、それにより、膜層の高さの違いが大きすぎることにより突き合せにくいということを回避し、
第３データライン接続電極１３はソース７０２電気的に接続され、第３データライン接続電極１３は、主に、結合パッド群１５に結合された表示デバイスの表示電流が大きい場合、データライン７０１での電気抵抗を低減させ、ＩＲ圧力降下を低下させるという役割を果たすために設けられるものである。任意選択に、表示デバイスはＭｉｃｒｏ ＬＥＤ表示デバイスであってもよく、
保護層１６は、第３データライン接続電極１３を製造プロセスにおいてダメージから保護するという役割を果たし、
バンク構造１４は、結合パッド群１５と表示デバイスとの結合に有利である。
第１ゲート金属層には、ゲートライン３０１及び第１データライン接続電極３０２が設けられ、ゲートライン３０１はゲートライン電気めっき電極２０１に電気的に接続され、
第２ゲート金属層には、第１ゲート金属層とともにコンデンサを形成するゲートライン電極３０３及び第２データライン接続電極３０４が設けられ、
第１ソースドレイン金属層には、データライン７０１及びソース７０２が形成され、ソース７０２は活性層８に電気的に接続され、データライン７０１は第１データライン接続電極３０２及び第２データライン接続電極３０４を介してデータライン電気めっき電極２０２に電気的に接続され、それにより、膜層の高さの違いが大きすぎることにより突き合せにくいということを回避し、
第３データライン接続電極１３はソース７０２電気的に接続され、第３データライン接続電極１３は、主に、結合パッド群１５に結合された表示デバイスの表示電流が大きい場合、データライン７０１での電気抵抗を低減させ、ＩＲ圧力降下を低下させるという役割を果たすために設けられるものである。任意選択に、表示デバイスはＭｉｃｒｏ ＬＥＤ表示デバイスであってもよく、
保護層１６は、第３データライン接続電極１３を製造プロセスにおいてダメージから保護するという役割を果たし、
バンク構造１４は、結合パッド群１５と表示デバイスとの結合に有利である。
なお、上記表示基板の具体的な構造は、本開示において狭額縁又は無額縁化を実現できる一例として説明されたが、限定実施例として見なさない。
本開示の実施例は、本開示の実施例による表示基板を含む可撓性表示基板をさらに提供する。
具体的な実施には、可撓性表示基板は、第１電極と第２電極を含む複数のマイクロ発光ダイオードをさらに含み、マイクロ発光ダイオードは、第１電極が第１結合パッドに結合され、第２電極が第２結合パッドに結合される。
本開示の実施例は、少なくとも２つの本開示の実施例による可撓性表示基板を含むスプライシングスクリーンをさらに提供する。具体的には、大寸法のスプライシングスクリーンを得るために、本開示の実施例による複数の可撓性表示基板を固定部材で同じキャリアに固定することができる。固定部材は、具体的には磁石であってもよく、この場合、キャリアには、可撓性表示基板をキャリアに吸着させるために、極性が反対する磁石が設けられてもよく、固定部材は、具体的には接着剤であってもよく、つまり、複数の可撓性表示基板はキャリア上に粘着される。
本開示の実施例は、本開示の実施例によるスプライシングスクリーンの製造方法をさらに提供し、図４及び図５に示すように、
複数の第１ビアを有する可撓性ベースを含み、複数の表示領域を有する表示母板を提供するステップＳ１０１と、
複数の第１ビア内に導電性材料を形成するステップＳ１０２と、
複数の表示領域のそれぞれの縁部に沿って、表示母板を複数の表示基板に切断するステップＳ１０３と、
複数の表示基板をスプライシングするステップＳ１０４と、を含む。
複数の第１ビアを有する可撓性ベースを含み、複数の表示領域を有する表示母板を提供するステップＳ１０１と、
複数の第１ビア内に導電性材料を形成するステップＳ１０２と、
複数の表示領域のそれぞれの縁部に沿って、表示母板を複数の表示基板に切断するステップＳ１０３と、
複数の表示基板をスプライシングするステップＳ１０４と、を含む。
具体的な実施には、第１短絡電極、第２短絡電極、ゲートライン配線領域、及び切断のためのエリアを提供するために、表示母板内の同一行にある隣接する２つの表示領域は第１間隔を有し、同一列にある隣接する２つの表示領域は第２間隔を有する。具体的には、第１間隔は２ｍｍ～３ｍｍ、第２間隔は２ｍｍ～３ｍｍであってもよい。本開示の実施例では、表示母板は切断された後、複数の表示基板となり、各表示基板は、後でスプライシングして任意の寸法の表示製品を作製するスプライシングユニットとして使用可能である。
具体的な実施には、複数の表示領域を有する表示母板を提供するステップＳ１０１は、
可撓性ベース、複数の電気めっき電極、複数本の信号ラインを第１剛性基板の一面に順次形成し、第１剛性基板は、第１ガラス板であってもよく、信号ラインはゲートライン及びデータラインを含んでもよく、具体的には、可撓性ベース１、緩衝層６、電気めっき電極２、第１絶縁層９０１、ゲート層（具体的には、ゲート３０、ゲートライン３０１、第１データライン接続電極３０２、第３共通接続電極３０６を含んでもよい）、第２絶縁層９０２、第２データライン接続電極３０４（また、第２共通接続電極３０５、ゲートライン電極３０３が形成されてもよい）、層間誘電体層１１、ソースドレイン層（具体的には、ソース７０２、データライン７０１、ドレイン７０３、第１共通接続電極７０４を含んでもよい）、共通電極１７（また、第３データライン接続電極１３が形成されてもよい）、保護層１６、バンク構造１４、結合パッド群１５、ブラックマトリックス１０を、第１剛性基板の一面に順次形成するステップと、
信号ラインの第１剛性基板から離間した一面に、第２ガラス板であってもよい第２剛性基板を貼り付けるステップと、
第１剛性基板を除去し、可撓性ベースを露出させるステップと、
レーザー穴開けプロセスにより可撓性ベースのうちの電気めっき電極に１対１で対応する位置に第１ビアを形成するステップと、を含んでもよい。
可撓性ベース、複数の電気めっき電極、複数本の信号ラインを第１剛性基板の一面に順次形成し、第１剛性基板は、第１ガラス板であってもよく、信号ラインはゲートライン及びデータラインを含んでもよく、具体的には、可撓性ベース１、緩衝層６、電気めっき電極２、第１絶縁層９０１、ゲート層（具体的には、ゲート３０、ゲートライン３０１、第１データライン接続電極３０２、第３共通接続電極３０６を含んでもよい）、第２絶縁層９０２、第２データライン接続電極３０４（また、第２共通接続電極３０５、ゲートライン電極３０３が形成されてもよい）、層間誘電体層１１、ソースドレイン層（具体的には、ソース７０２、データライン７０１、ドレイン７０３、第１共通接続電極７０４を含んでもよい）、共通電極１７（また、第３データライン接続電極１３が形成されてもよい）、保護層１６、バンク構造１４、結合パッド群１５、ブラックマトリックス１０を、第１剛性基板の一面に順次形成するステップと、
信号ラインの第１剛性基板から離間した一面に、第２ガラス板であってもよい第２剛性基板を貼り付けるステップと、
第１剛性基板を除去し、可撓性ベースを露出させるステップと、
レーザー穴開けプロセスにより可撓性ベースのうちの電気めっき電極に１対１で対応する位置に第１ビアを形成するステップと、を含んでもよい。
ステップＳ１０３の前、つまり、複数の表示領域のそれぞれの縁部に沿って、表示母板を複数の表示基板に切断する前、本開示の実施例の製造方法は、第２剛性基板を取り外すステップをさらに含む。
具体的な実施には、図５に示すように、電気めっき電極の可撓性ベースから離間した側に複数本の信号ラインを形成するステップは、
電気めっき電極の可撓性ベースから離間した側に複数本のゲートライン３０１を形成するとともに、各表示領域のゲートライン３０１がすべて第１短絡電極３１０に電気的に接続されるように、ゲートライン３０１に垂直に延びている第１短絡電極３１０を隣接する表示領域の間の隙間に形成するステップと、
ゲートライン３０１の可撓性ベースから離間した側に複数本のデータライン７０１を形成するとともに、各表示基板のデータライン７０１がすべて第２短絡電極７１０に電気的に接続されるように、データライン７０１に垂直に延びている第２短絡電極７１０を隣接する表示領域の間の隙間に形成するステップと、を含む。
電気めっき電極の可撓性ベースから離間した側に複数本のゲートライン３０１を形成するとともに、各表示領域のゲートライン３０１がすべて第１短絡電極３１０に電気的に接続されるように、ゲートライン３０１に垂直に延びている第１短絡電極３１０を隣接する表示領域の間の隙間に形成するステップと、
ゲートライン３０１の可撓性ベースから離間した側に複数本のデータライン７０１を形成するとともに、各表示基板のデータライン７０１がすべて第２短絡電極７１０に電気的に接続されるように、データライン７０１に垂直に延びている第２短絡電極７１０を隣接する表示領域の間の隙間に形成するステップと、を含む。
具体的な実施には、各表示領域の第１ビア内に導電性材料を形成する前記ステップは、
第１短絡電極及び第２短絡電極を電気めっき装置に電気的に接続するステップと、
電気めっき装置によって第１ビア内に導電性材料を形成するステップと、を含む。
第１短絡電極及び第２短絡電極を電気めっき装置に電気的に接続するステップと、
電気めっき装置によって第１ビア内に導電性材料を形成するステップと、を含む。
具体的な実施には、電気めっき装置によって第１ビア内に導電性材料を形成した後、製造方法は、
第１ビアに１対１で対応し、対応する第１ビア内の導電性材料を介して対応する電気めっき電極に電気的に接続された結合電極を、可撓性ベースの電気めっき電極から離間した側に形成するステップをさらに含む。
第１ビアに１対１で対応し、対応する第１ビア内の導電性材料を介して対応する電気めっき電極に電気的に接続された結合電極を、可撓性ベースの電気めっき電極から離間した側に形成するステップをさらに含む。
上記表示基板の製造方法では、可撓性ベース上に複数の電気めっき電極及び薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層が形成され、薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層は信号ラインを含み、信号ラインが電気めっき電極に電気的に接続され、また、可撓性ベースのうちの各電気めっき電極に対応する領域には、導電性材料が内部に電気めっきされている第１ビアが形成され、最後に、可撓性ベースの複数の電気めっき電極から離間した側には、第１ビアに１対１で対応し、対応する第１ビア内の導電性材料を介して対応する電気めっき電極に電気的に接続された結合電極が形成され、該方法は、電気めっき電極、導電性材料及び結合電極を設けることにより、薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層を可撓性基板の薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層から離間した側に直接引いて、外部回路の可撓性回路基板と接続することで、薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層による表示信号の伝送を実現することができ、結合電極が可撓性ベースの薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層から離間した側に直接設けられるため、表示基板上のファンアウト配線の設置をさらに省略し、それにより、極狭額縁又は無額縁化のデザインが実現され、さらに大面積スプライシングスクリーンの製造が可能になる。
具体的には、可撓性ベースと複数の電気めっき電極との間には緩衝層がさらに形成され、可撓性ベースに穴をあけた後、ドライエッチングプロセスで緩衝層をエッチングすることで、各電気めっき電極に対応する第１ビアが形成され、この第１ビアは緩衝層及び可撓性ベースを貫通している。
可能な一実施形態では、上記表示基板の具体的な製造ステップは、Ｓ５０１～Ｓ５０８を含んでもよい（以下、母板における１つの表示基板の製造過程を例として説明する）。
Ｓ５０１：第１ガラスＡの表面に可撓性ベース１を形成する。
Ｓ５０２：図６に示すように、可撓性ベース１の一方側に、複数の電気めっき電極２及び薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層を形成する。
Ｓ５０３：薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層の可撓性ベースから離間した側に第２ガラスＢを設け、図７に示すように、組立装置により第２ガラスＢを粘着剤Ｃでセル化して固定する。
Ｓ５０４：図８に示すように、剥離装置により第１ガラスＡを隔離する。
Ｓ５０５：図９及び図１０に示すように、レーザー穴開け技術により可撓性ベースのうちの電気めっき電極に対応する領域に穴をあけ、ドライエッチングプロセスにより緩衝層の電気めっき電極２に対応する領域をエッチングし、可撓性ベース１及び緩衝層６を貫通した第１ビアを形成する。
Ｓ５０６：図１１に示すように、電気めっきの方式で第１ビア内に導電性材料４を形成する。
Ｓ５０７：図１２に示すように、可撓性ベース１の複数の電気めっき電極２から離間した側に、第１ビア内の導電性材料４を介して電気めっき電極に電気的に接続された結合電極５を形成する。
Ｓ５０８：図２及び図３に示すように、第２ガラスＢ及び粘着剤Ｃを除去し、表示基板の余分な領域を切りおとす。
Ｓ５０１：第１ガラスＡの表面に可撓性ベース１を形成する。
Ｓ５０２：図６に示すように、可撓性ベース１の一方側に、複数の電気めっき電極２及び薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層を形成する。
Ｓ５０３：薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層の可撓性ベースから離間した側に第２ガラスＢを設け、図７に示すように、組立装置により第２ガラスＢを粘着剤Ｃでセル化して固定する。
Ｓ５０４：図８に示すように、剥離装置により第１ガラスＡを隔離する。
Ｓ５０５：図９及び図１０に示すように、レーザー穴開け技術により可撓性ベースのうちの電気めっき電極に対応する領域に穴をあけ、ドライエッチングプロセスにより緩衝層の電気めっき電極２に対応する領域をエッチングし、可撓性ベース１及び緩衝層６を貫通した第１ビアを形成する。
Ｓ５０６：図１１に示すように、電気めっきの方式で第１ビア内に導電性材料４を形成する。
Ｓ５０７：図１２に示すように、可撓性ベース１の複数の電気めっき電極２から離間した側に、第１ビア内の導電性材料４を介して電気めっき電極に電気的に接続された結合電極５を形成する。
Ｓ５０８：図２及び図３に示すように、第２ガラスＢ及び粘着剤Ｃを除去し、表示基板の余分な領域を切りおとす。
上記表示基板の製造方法では、薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層の製造は、電気めっき電極に１対１で対応して電気的に接続された信号ラインの製造を含み、信号ラインは、ゲートライン及びデータラインを含んでもよい。
具体的な製造方法では、薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層の製造は、図６に示すようにベース基板１の一方側に順次形成された活性層８、第１ゲート絶縁層９０１、第１ゲート金属層３１、第２ゲート絶縁層９０２、第２ゲート金属層３２、層間誘電体層１１、第１ソースドレイン金属層７、平坦化層１２、第３データライン接続電極１３、保護層１６、バンク構造１４、結合パッド１５の製造を含んでもよい。
これらのうち、薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層において、活性層８は電気めっき電極２と同一層に設けられてもよく、活性層が電気めっき電極と同一層に設けられる場合、表示基板の製造過程では、まず、複数の電気めっき電極２を製造し、次に同一層に活性層８を製造してもよいし、まず、薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層の活性層８を製造し、次に同一層に複数の電気めっき電極２を製造してもよく、
第１ゲート金属層３１には、ゲートライン３０１及び第１データライン接続電極３０２が設けられ、ゲートライン３０１はゲートライン電気めっき電極２０１電気的に接続され、
第２ゲート金属層３２には、第１ゲート金属層３１とともにコンデンサを形成するゲートライン電極３０３及び第２データライン接続電極３０４が設けられ、
第１ソースドレイン金属層７には、データライン７０１及びソース７０２が形成され、ソース７０２は活性層８に電気的に接続され、データライン７０１は第１データライン接続電極３０２及び第２データライン接続電極３０４を介してデータライン電気めっき電極２０２に電気的に接続され、
第３データライン接続電極１３はソース７０２に電気的に接続される。
第１ゲート金属層３１には、ゲートライン３０１及び第１データライン接続電極３０２が設けられ、ゲートライン３０１はゲートライン電気めっき電極２０１電気的に接続され、
第２ゲート金属層３２には、第１ゲート金属層３１とともにコンデンサを形成するゲートライン電極３０３及び第２データライン接続電極３０４が設けられ、
第１ソースドレイン金属層７には、データライン７０１及びソース７０２が形成され、ソース７０２は活性層８に電気的に接続され、データライン７０１は第１データライン接続電極３０２及び第２データライン接続電極３０４を介してデータライン電気めっき電極２０２に電気的に接続され、
第３データライン接続電極１３はソース７０２に電気的に接続される。
なお、表示基板を製造する際に、まず、可撓性ベースに第１ビアを製造し、次に、薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層を製造するプロセスにおいて信号ライン（ゲートライン、データラインなど）を第１ビア内に直接接合する場合、可撓性ベース及び金属材料の膨張係数の違いにより信号ラインが断線する恐れがある。一方、本実施例の製造方法では、薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層を製造するに先立って、電気めっき方式で可撓性ベースに、信号ラインに対応して電気的に接続された電気めっき電極を製造し、薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層のプロセスが終了した後、第１ビアを製造し、電気めっきプロセスにより第１ビア内に導電性材料を形成し、それにより、薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層での信号が可撓性ベースの薄膜トランジスタＴＦＴデバイス層から離間した側に伝送され、信号ラインの断線が避けられ、さらに電気めっき電極と電気めっきにより形成された導電性材料の接続により、信号伝送精度がより高くなる。
具体的には、第１ビア内の電気めっき材料４は銅などの導電性金属であってもよく、可撓性ベースの材料はポリイミドなどであってもよい。
もちろん、当業者であれば、本開示の精神及び範囲を逸脱することなく本開示に対して各種の変化や変形を行うことができる。このように、本開示のこれらの修正や変形が本開示の特許請求の範囲及びその等同な技術の範囲に属すると、本開示はこれらの変化や変形も含むことを意図している。
Claims (20)
- 可撓性ベースと、
前記可撓性ベースの一方側に位置する複数本の信号ラインと、
前記信号ラインの前記可撓性ベースを向く面に位置し、且つそれぞれの前記可撓性ベースでの正投影が１つの前記信号ラインの前記可撓性ベースでの正投影の一部と重なり、重なり位置で前記信号ラインに電気的に接続された複数の電気めっき電極と、
前記可撓性ベースでの正投影が前記電気めっき電極の前記可撓性ベースでの正投影と重なり、且つ前記可撓性ベースを貫通して前記電気めっき電極を露出させ、導電性材料が内部に充填されている複数の第１ビアと、
前記可撓性ベースの前記信号ラインから離間した面に位置し、且つ前記可撓性ベースでの正投影が前記第１ビアの前記可撓性ベースでの正投影と重なり、それぞれが対応する前記第１ビア内の前記導電性材料を介して対応する前記電気めっき電極に電気的に接続された複数の結合電極と、を含み、
前記複数の結合電極は、前記可撓性ベースの底部よりも外側に突出するように形成される表示基板。 - 前記信号ラインは複数本のゲートラインを含み、
前記電気めっき電極は、
前記ゲートラインに１対１で対応し、且つ対応する前記ゲートラインの端部に対応し、前記ゲートラインの所在する面に平行であるとともに前記ゲートラインの延伸方向に垂直である第１方向に順次配列されている、複数のゲートライン電気めっき電極を含む請求項１に記載の表示基板。 - 前記ゲートラインと前記ゲートライン電気めっき電極の所在する層の間に位置する第１ゲート絶縁層をさらに含み、
前記ゲートライン電気めっき電極は、前記第１ゲート絶縁層を貫通した第２ビアを介して前記ゲートラインに電気的に接続される、請求項２に記載の表示基板。 - 前記信号ラインは、前記ゲートラインの前記可撓性ベースから離間した面に位置する複数本のデータラインをさらに含み、
前記電気めっき電極は、
前記データラインに１対１で対応し、且つ対応する前記データラインの端部に対応し、前記データラインの所在する面に平行であるとともに前記データラインの延伸方向に垂直である第２方向に順次配列されている複数のデータライン電気めっき電極をさらに含む、請求項３に記載の表示基板。 - 前記ゲートライン電気めっき電極及び前記データライン電気めっき電極は同一層に位置する、請求項４に記載の表示基板。
- 前記データラインの所在する層と前記データライン電気めっき電極の所在する層との間に位置するデータライン接続電極をさらに含み、
前記データラインと前記データライン電気めっき電極は前記データライン接続電極を介して電気的に接続される、請求項５に記載の表示基板。 - 前記データライン接続電極は、第１データライン接続電極と、前記第１データライン接続電極の前記データラインを向く面に位置する第２データライン接続電極と、を含む、請求項６に記載の表示基板。
- 前記第１データライン接続電極及び前記ゲートラインは同一層に位置する、請求項７に記載の表示基板。
- 前記第２データライン接続電極と前記第１データライン接続電極との間には第２ゲート絶縁層をさらに有し、
前記第２データライン接続電極は、前記第２ゲート絶縁層を貫通した第３ビアを介して前記第１データライン接続電極に電気的に接続され、
前記第１データライン接続電極は、前記第１ゲート絶縁層を貫通した第４ビアを介して前記データライン電気めっき電極に電気的に接続される、請求項７に記載の表示基板。 - 前記第２データライン接続電極と前記データラインとの間に位置する層間誘電体層をさらに含み、
前記データラインは、前記層間誘電体層を貫通した第５ビアを介して前記第２データライン接続電極に電気的に接続される、請求項７に記載の表示基板。 - 前記データラインの前記ゲートラインから離間した面に位置する共通電極をさらに含み、
前記電気めっき電極は、前記共通電極に電気的に接続され、前記ゲートライン電気めっき電極と同一層に位置する共通電気めっき電極をさらに含む、請求項１０に記載の表示基板。 - 前記データラインと同一層に位置する第１共通接続電極、前記第２データライン接続電極と同一層に位置する第２共通接続電極、前記第１データライン接続電極と同一層に位置する第３共通接続電極をさらに含み、
前記共通電極は、順次前記第１共通接続電極、第２共通接続電極、第３共通接続電極を介して、前記共通電気めっき電極に電気的に接続される、請求項１１に記載の表示基板。 - 前記共通電極と同一層に位置する第３データライン接続電極をさらに含み、前記共通電極の所在する層と前記データラインの所在する層との間には平坦化層がさらに設けられ、
前記データラインと同一層にあるソース及びドレインを含み、前記ソースが前記データラインに電気的に接続され、前記ドレインが前記平坦化層を貫通した第６ビアを介して前記第３データライン接続電極に電気的に接続された薄膜トランジスタをさらに含む、請求項１１に記載の表示基板。 - 前記共通電極の前記平坦化層から離間した面に位置する複数のバンク構造をさらに含み、前記バンク構造の前記共通電極から離間した面には、前記バンク構造に１対１で対応し、互いに絶縁する第１結合パッドと第２結合パッドを含む結合パッド群がさらに複数群設けられ、
前記第１結合パッドは、前記バンク構造の前記共通電極から離間した表面の一部、及び前記第３データライン接続電極の一部を覆っており、
前記第２結合パッドは、前記バンク構造の前記共通電極から離間した表面の一部、及び前記共通電極の一部を覆っている、請求項１３に記載の表示基板。 - 前記結合パッド群の前記平坦化層から離間した面に位置し、前記結合パッド群以外の他の領域を覆うブラックマトリックスをさらに含む、請求項１４に記載の表示基板。
- 前記可撓性ベースと前記複数の電気めっき電極との間には緩衝層が形成され、前記第１ビアはさらに前記緩衝層を貫通している、請求項１に記載の表示基板。
- 前記結合電極の材料は金属又はインジウムスズ酸化物である、請求項１に記載の表示基板。
- 第１電極と第２電極を含む複数のマイクロ発光ダイオードをさらに含み、
前記マイクロ発光ダイオードは、前記第１電極が前記第１結合パッドに結合され、前記第２電極が前記第２結合パッドに結合される、請求項１４に記載の表示基板。 - 少なくとも２つの請求項１～１８のいずれか１項に記載の表示基板を含むスプライシングスクリーン。
- 複数の第１ビアを有する可撓性ベースを含み、複数の表示領域を有する表示母板を提供するステップと、
複数の前記第１ビア内に導電性材料を形成するステップと、
前記複数の表示領域のそれぞれの縁部に沿って、前記表示母板を複数の表示基板に切断するステップと、
複数の前記表示基板をスプライシングするステップと、を含み、
複数の表示領域を有する表示母板を提供する前記ステップは、
可撓性ベース、複数の電気めっき電極、複数本の信号ラインを第１剛性基板の一面に順次形成するステップと、
前記信号ラインの前記第１剛性基板から離間した面に第２剛性基板を貼り付けるステップと、
前記第１剛性基板を除去し、前記可撓性ベースを露出させるステップと、
レーザー穴開けプロセスにより前記可撓性ベースのうちの前記電気めっき電極に１対１で対応した位置に第１ビアを形成するステップと、を含み、
前記複数の表示領域のそれぞれの縁部に沿って、前記表示母板を複数の表示基板に切断する前、前記第２剛性基板を取り外すステップをさらに含み、
前記電気めっき電極の前記可撓性ベースから離間した側に複数本の信号ラインを形成する前記ステップは、
前記電気めっき電極の前記可撓性ベースから離間した側に複数本のゲートラインを形成するとともに、各前記表示領域の前記ゲートラインがすべて第１短絡電極に電気的に接続されるように、前記ゲートラインに垂直に延びている前記第１短絡電極を隣接する前記表示領域の間の隙間に形成するステップと、
前記ゲートラインの前記可撓性ベースから離間した側に複数本のデータラインを形成するとともに、各前記表示領域の前記データラインがすべて第２短絡電極に電気的に接続されるように、前記データラインに垂直に延びている前記第２短絡電極を隣接する前記表示領域の間の隙間に形成するステップと、を含み、
各前記表示領域の前記第１ビア内に導電性材料を形成する前記ステップは、
前記第１短絡電極及び前記第２短絡電極を電気めっき装置に電気的に接続するステップと、
前記電気めっき装置によって前記第１ビア内に導電性材料を形成するステップと、を含み、
前記電気めっき装置によって前記第１ビア内に導電性材料を形成した後、前記第１ビアに１対１で対応し、対応する前記第１ビア内の前記導電性材料を介して対応する前記電気めっき電極に電気的に接続された結合電極を、前記可撓性ベースの前記電気めっき電極から離間した側に形成するステップをさらに含み、
前記複数の結合電極は、前記可撓性ベースの底部よりも外側に突出するように形成される請求項１９に記載のスプライシングスクリーンの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910062179.6 | 2019-01-23 | ||
| CN201910062179.6A CN109585462A (zh) | 2019-01-23 | 2019-01-23 | 一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板、拼接屏 |
| PCT/CN2019/110005 WO2020151257A1 (zh) | 2019-01-23 | 2019-10-08 | 一种显示基板、拼接屏及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022518080A JP2022518080A (ja) | 2022-03-14 |
| JP7422688B2 true JP7422688B2 (ja) | 2024-01-26 |
Family
ID=65917812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020571439A Active JP7422688B2 (ja) | 2019-01-23 | 2019-10-08 | 表示基板、スプライシングスクリーン及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11488987B2 (ja) |
| EP (1) | EP3916785A4 (ja) |
| JP (1) | JP7422688B2 (ja) |
| KR (1) | KR102361329B1 (ja) |
| CN (1) | CN109585462A (ja) |
| WO (1) | WO2020151257A1 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109585462A (zh) | 2019-01-23 | 2019-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板、拼接屏 |
| CN110047899B (zh) * | 2019-04-26 | 2021-10-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及制造方法 |
| WO2020227896A1 (en) * | 2019-05-13 | 2020-11-19 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate |
| CN110112171B (zh) * | 2019-05-21 | 2021-08-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板的制作方法及显示面板 |
| CN110265440A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-09-20 | 惠州市华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN111244129B (zh) * | 2019-06-18 | 2021-10-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| CN112542086B (zh) * | 2019-09-23 | 2023-03-31 | 上海和辉光电股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| TWI759632B (zh) * | 2019-09-23 | 2022-04-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及顯示面板製作方法 |
| CN112599532A (zh) * | 2019-10-01 | 2021-04-02 | 财团法人工业技术研究院 | 电子装置 |
| CN110828482B (zh) * | 2019-11-15 | 2022-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种待电镀基板、背板和显示面板 |
| CN110853531B (zh) * | 2019-11-21 | 2021-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示用驱动背板及其制备方法、显示面板 |
| CN110911437A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-03-24 | 业成科技（成都）有限公司 | 微发光二极管驱动背板和显示面板 |
| TWI719785B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-02-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示器 |
| WO2021138920A1 (zh) * | 2020-01-10 | 2021-07-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN113632232A (zh) * | 2020-01-22 | 2021-11-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
| KR20210117380A (ko) * | 2020-03-18 | 2021-09-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| CN111724742B (zh) * | 2020-06-11 | 2022-02-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN113805378B (zh) | 2020-06-12 | 2022-07-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光基板及显示装置 |
| CN112366218A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-02-12 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示面板的制作方法及显示面板 |
| TWI749889B (zh) | 2020-11-20 | 2021-12-11 | 友達光電股份有限公司 | 畫素陣列基板 |
| CN112736178B (zh) * | 2020-12-23 | 2022-04-26 | 惠州市华星光电技术有限公司 | mini-LED装置及制作方法 |
| JP2022105856A (ja) * | 2021-01-05 | 2022-07-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| CN112885847B (zh) * | 2021-01-27 | 2023-02-07 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN113437088B (zh) * | 2021-06-09 | 2022-10-04 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN114299828B (zh) * | 2022-02-14 | 2023-04-07 | 惠州华星光电显示有限公司 | 显示单元、拼接屏以及显示装置 |
| CN115036275A (zh) * | 2022-05-13 | 2022-09-09 | 华南理工大学 | 一种显示面板的制备方法及显示面板 |
| CN114975403A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-08-30 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、拼接显示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008203642A (ja) | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 多面付け薄膜トランジスタ基板および液晶表示素子の製造方法 |
| CN107342299A (zh) | 2017-08-30 | 2017-11-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3876684B2 (ja) | 2000-12-21 | 2007-02-07 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタの製造装置、液晶装置の製造方法、液晶装置の製造装置、ｅｌ装置の製造方法、ｅｌ装置の製造装置、材料の吐出方法、ヘッドの制御装置、電子機器 |
| JP2009224492A (ja) | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2014013810A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Seiko Epson Corp | 基板、基板の製造方法、半導体装置、及び電子機器 |
| TWI532162B (zh) * | 2013-06-25 | 2016-05-01 | 友達光電股份有限公司 | 可撓式顯示面板及其製造方法 |
| JP2015053444A (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | フレキシブル半導体装置およびその製造方法ならびに画像表示装置 |
| JP6305759B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2018-04-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN103715228B (zh) | 2013-12-26 | 2016-04-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN104035253A (zh) * | 2014-05-26 | 2014-09-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| JP6497858B2 (ja) * | 2014-07-11 | 2019-04-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| US9786686B2 (en) * | 2014-11-04 | 2017-10-10 | Japan Display Inc. | Display device |
| KR101827633B1 (ko) * | 2016-05-31 | 2018-03-22 | 한국광기술원 | 베젤리스 액정 디스플레이용 기판 및 그 제조방법 |
| CN107564928B (zh) * | 2016-06-30 | 2020-04-14 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
| US10529745B2 (en) * | 2016-07-05 | 2020-01-07 | Innolux Corporation | Display device |
| KR20180041301A (ko) * | 2016-10-13 | 2018-04-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP6807712B2 (ja) * | 2016-11-16 | 2021-01-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN107256870A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置 |
| KR102470375B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2022-11-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| US10692799B2 (en) * | 2018-06-01 | 2020-06-23 | Innolux Corporation | Semiconductor electronic device |
| US10636360B2 (en) * | 2018-07-10 | 2020-04-28 | A.U. Vista, Inc. | Wireless display panel with multi-channel data transmission and display device using the same |
| KR102603697B1 (ko) * | 2018-09-14 | 2023-11-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 타일링 표시장치 |
| TWI671572B (zh) * | 2018-10-22 | 2019-09-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其製造方法 |
| CN109585462A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板、拼接屏 |
| CN209119104U (zh) * | 2019-01-23 | 2019-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、柔性显示面板、拼接屏 |
-
2019
- 2019-01-23 CN CN201910062179.6A patent/CN109585462A/zh active Pending
- 2019-10-08 EP EP19911581.7A patent/EP3916785A4/en active Pending
- 2019-10-08 US US16/650,690 patent/US11488987B2/en active Active
- 2019-10-08 WO PCT/CN2019/110005 patent/WO2020151257A1/zh unknown
- 2019-10-08 JP JP2020571439A patent/JP7422688B2/ja active Active
- 2019-10-08 KR KR1020207029790A patent/KR102361329B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008203642A (ja) | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 多面付け薄膜トランジスタ基板および液晶表示素子の製造方法 |
| CN107342299A (zh) | 2017-08-30 | 2017-11-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11488987B2 (en) | 2022-11-01 |
| KR20200134264A (ko) | 2020-12-01 |
| KR102361329B1 (ko) | 2022-02-14 |
| US20210210522A1 (en) | 2021-07-08 |
| EP3916785A1 (en) | 2021-12-01 |
| EP3916785A4 (en) | 2022-11-09 |
| JP2022518080A (ja) | 2022-03-14 |
| WO2020151257A1 (zh) | 2020-07-30 |
| CN109585462A (zh) | 2019-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7422688B2 (ja) | 表示基板、スプライシングスクリーン及びその製造方法 | |
| CN105789225B (zh) | 阵列基板母板及其制作方法、显示装置及其制作方法 | |
| WO2020233576A1 (zh) | 显示面板、其制作方法及显示装置 | |
| CN104617106B (zh) | 一种阵列基板及显示装置 | |
| CN103887315B (zh) | 柔性显示装置及其制造方法 | |
| CN104835416A (zh) | 显示装置 | |
| WO2020249009A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| WO2019196658A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 | |
| CN111128048B (zh) | 显示面板以及显示装置 | |
| TWI702579B (zh) | 軟性顯示器 | |
| WO2021238570A1 (zh) | 连接基板及制备方法、拼接屏、显示装置 | |
| JP7183427B2 (ja) | ディスプレイモジュール及びディスプレイ装置 | |
| CN110797352B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| WO2024040877A1 (zh) | 拼接显示面板及其拼接方法、显示装置 | |
| US20210271298A1 (en) | Display panel and flexible display device | |
| WO2020019468A1 (zh) | Tft阵列基板及其制造方法与柔性液晶显示面板 | |
| CN209119104U (zh) | 一种阵列基板、柔性显示面板、拼接屏 | |
| JP2005252226A (ja) | 表示パネル用のリードパッド構造とその製造方法およびリードパッドアレイ構造 | |
| US20230231094A1 (en) | System and method for display panel | |
| WO2023201816A1 (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| WO2021120112A1 (zh) | 双面tft面板及其制作方法、显示设备 | |
| KR100766895B1 (ko) | 표시 장치 | |
| CN115798327A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN116784017A (zh) | 显示单元、显示装置以及制作方法 | |
| CN115457877A (zh) | 一种显示面板及制备方法、拼接屏组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220930 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230627 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230927 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231219 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240116 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7422688 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |