CN112885847B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 177
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 96
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 233
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 39
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Polyethylene Terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本申请实施例公开了一种显示面板，包括第一柔性基板；连接端子，设置在所述第一柔性基板上；第二柔性基板，设置在所述第一柔性基板上并开设有多个开口；以及信号线和薄膜晶体管，设置在所述第二柔性基板上远离所述第一柔性基板的一侧，所述信号线通过所述开口与所述连接端子电性连接。本申请所公开的显示面板及其制备方法，通过增设第一柔性基板和第一金属层，将现有技术中位于非显示区的连接端子设置在第一柔性基板上，减少了显示面板非显示区的面积，有效实现窄边框化。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
随着显示面板的发展，窄边框技术得到了业内的重视，在图1所示的现有技术中，显示面板100包含基板110、复数条信号线120、至少一扇形区130、栅极驱动电路140、数据驱动电路150、连接端子160以及外接电路170。其中。信号线120平行的配置在基板110上形成显示区域101以显示图像，显示区域101的至少一侧形成非显示区102，用以设置扇形区130、栅极驱动电路140、数据驱动电路150以及连接端子160。由于非显示区102上需要预留足够的空间以设置上述电路结构，导致显示面板的进一步窄边框化十分困难，成为业界亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，解决现有技术中显示面板难以窄边框化的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板，包括：第一柔性基板；连接端子，设置在所述第一柔性基板上；第二柔性基板，设置在所述第一柔性基板上并开设有多个开口；以及信号线和薄膜晶体管，设置在所述第二柔性基板上远离所述第一柔性基板的一侧，所述信号线通过所述开口与所述连接端子电性连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述连接端子贯穿所述第一柔性基板，所述第一柔性基板上远离所述第二柔性基板的表面裸露出所述连接端子以电性连接外部电路。
可选的，在本申请的另一些实施例中，所述第一柔性基板的局部区域未被所述第二柔性基板覆盖，所述连接端子位于所述局部区域上靠近所述第二柔性基板的一侧，所述连接端子与外部电路电性连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括：所述连接端子位于设置在所述第一柔性基板上的第一金属层，所述第一金属层还包括与所述连接端子电性连接的连接导线，所述信号线通过所述开口与所述连接导线电性连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，显示面板还包括设置在所述第二柔性基板上的第二金属层，所述第二金属层包括遮光电极、栅极信号连接电极以及数据信号连接电极；所述遮光电极用于阻挡外部光线从所述第一柔性基板侧入射至所述显示面板上薄膜晶体管的有源层；所述栅极信号连接电极的一端与栅极信号线电性连接，所述栅极信号连接电极的另一端通过所述第二柔性基板上的第一开口电性连接所述连接导线中的栅极信号连接导线；所述数据信号连接电极的一端与数据信号线电性连接，所述数据信号连接电极的另一端通过所述第二柔性基板上的第二开口电性连接所述连接导线中的数据信号连接导线。
具体的，所述遮光电极通过第二过孔与所述薄膜晶体管的源极或漏极连接，同时，所述遮光电极还与所述数据信号连接电极电性连接，外部输入的数据信号依次通过所述第一柔性基板上的数据信号连接端子和所述数据信号连接导线、所述数据信号连接电极、数据信号线、所述遮光电极加载至所述薄膜晶体管的源极或漏极上。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括：第二金属层，设置在所述第二柔性基板上，包括栅极信号连接电极；缓冲层，设置在所述第二金属层上，在所述栅极信号连接电极上方开设有第一过孔；有源层，设置在所述缓冲层上；栅极绝缘层，设置在所述有源层上；第三金属层，设置在所述栅极绝缘层上，包括栅极和栅极信号线，所述栅极信号线通过所述第一过孔与所述栅极信号连接电极连接；外部输入的扫描信号依次通过所述第一柔性基板上的栅极信号连接端子和栅极信号连接导线、所述栅极信号连接电极、所述栅极信号线加载至所述栅极上。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括：平坦层，设置在所述第一金属层上，所述第二柔性基板设置在所述平坦层上；第二金属层，设置在所述第二柔性基板上，所述第二金属层包括遮光电极和信号连接电极，所述信号线与所述信号连接电极电性连接，所述信号连接电极通过所述开口与所述连接导线连接，所述连接导线与所述连接端子电性连接。
本申请实施例还提供了一种显示面板，包括：第一柔性基板；第一金属层，设置在所述第一柔性基板上，包括连接导线和与所述连接导线电连接的连接端子，所述连接导线包括栅极信号连接导线和数据信号连接导线，所述连接端子包括栅极信号连接端子和数据信号连接端子；平坦层，设置在所述第一金属层上；第二柔性基板，设置在所述平坦层上，包括多个开口，所述开口包括与所述栅极信号连接导线连通的第一开口和与所述数据信号连接导线连通的第二开口；第二金属层，设置在所述第二柔性基板上，包括遮光电极、栅极信号连接电极以及数据信号连接电极；其中，所述遮光电极与所述数据信号连接电极电性连接，所述栅极信号连接电极通过所述第一开口与所述栅极信号连接导线连接，所述数据信号连接电极通过所述第二开口与所述数据信号连接导线连接；缓冲层，设置在所述第二金属层上，在所述栅极信号连接电极上方开设有第一过孔；有源层，设置在所述缓冲层上，所述遮光电极在所述有源层上的正投影完全覆盖所述有源层；栅极绝缘层，设置在所述有源层上；第三金属层，设置在所述栅极绝缘层上，包括栅极和栅极信号线，所述栅极信号线通过所述第一过孔与所述栅极信号连接电极连接；层间绝缘层，设置在所述第三金属层上，对应所述遮光电极开设有第二过孔，对应所述有源层的两端分别开设有第三过孔；第四金属层，设置在所述层间绝缘层上，包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述第三过孔与所述有源层的两端连接，所述源极或所述漏极通过所述第二过孔与所述遮光电极连接；外部输入的数据信号依次通过所述数据信号连接端子、所述数据信号连接导线、所述数据信号连接电极、数据信号线、所述遮光电极加载至所述薄膜晶体管的源极或漏极上；外部输入的扫描信号依次通过所述栅极信号连接端子、所述栅极信号连接导线、所述栅极信号连接电极、所述栅极信号线加载至所述栅极上。
本申请实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括：
B1、在玻璃基板上设置剥离层；
B2、在所述剥离层上设置第一柔性基板，通过图案化工艺在所述第一柔性基板上开设第一通孔；
B3、在所述第一柔性基板上设置第一金属层，对所述第一金属层进行图案化制程后获得连接导线和与所述连接导线电性连接的连接端子；
B4、在所述第一金属层上设置第一平坦层，通过图案化制程在所述第一平坦层上开设第二通孔，以裸露出所述连接导线的表面；
B5、在所述第一平坦层上设置第二柔性基板，通过图案化工艺在所述第二柔性基板上开设与所述第二通孔相连通的开口，以裸露出所述连接导线的表面；
B6、在所述第二柔性基板上设置第二金属层，对所述第二金属层进行图案化制程以形成遮光电极和信号连接电极；其中，所述信号连接电极包括栅极信号连接电极和数据信号连接电极，所述遮光电极与所述数据信号连接电极电性连接，所述信号连接电极通过所述开口与所述连接导线连接；
B7、在所述第二金属层上设置缓冲层，通过图案化制程在所述缓冲层上对应所述栅极信号连接电极的区域开设第一过孔；
B8、在所述缓冲层上依次设置有源层、栅极绝缘层和第三金属层，对所述第三金属层进行图案化制程以形成栅极和栅极信号线，所述栅极信号线通过所述第一过孔与所述栅极信号连接电极连接，所述栅极信号连接电极通过所述开口与所述连接导线连接，从而实现所述栅极信号线与所述连接端子的电性连接；
B9、在所述第三金属层上设置层间绝缘层，通过图案化制程在所述层间绝缘层上对应所述遮光电极的区域开设第二过孔，并对应所述有源层的两侧分别开设第三过孔；
B10、在所述层间绝缘层上设置第四金属层，对所述第四金属层进行图案化制程以形成源极、漏极和数据信号线，所述源极和所述漏极分别通过所述第三过孔与所述有源层的两端连接，所述源极和/或所述漏极还通过所述第二过孔与所述遮光电极连接。
本申请的有益效果：通过在现有的第二柔性基板下方增设第一柔性基板和第一金属层，并通过对第一金属层的图案化处理，将现有技术中位于第二柔性基板非显示区的连接端子设置在第二柔性基板上远离显示器件的表面，简化了非显示区的电路结构，减少了显示面板非显示区的面积，从而实现窄边框化。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中显示面板的结构示意图；
图2是本申请一具体实施例提供的一种显示面板在栅极信号连接电极处的的结构示意图；
图3是图2中显示面板在数据信号连接电极处的结构示意图；
图4是图2中显示面板的结构示意图；
图5是本申请又一具体实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图6A至图6L是本申请实施例提供的一种显示面板在制备过程中的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请提供了一种显示面板，包括：第一柔性基板；连接端子，设置在所述第一柔性基板上；第二柔性基板，设置在所述第一柔性基板上并开设有多个开口；以及信号线和薄膜晶体管，设置在所述第二柔性基板上远离所述第一柔性基板的一侧，所述信号线通过所述开口与所述连接端子电性连接。本申请通过增设第一柔性基板，并将现有技术中用于与外部电路连接的连接端子转设在第一柔性基板上，以减少第二柔性基板非显示区的面积，进而实现显示面板的窄边框化。
本申请提供一具体实施例如图2至图4所示，一种显示面板包括第一柔性基板1、第一金属层、第一平坦层4、第二柔性基板5、第二金属层、缓冲层8、有源层9、栅极绝缘层10、第三金属层、层间绝缘层13和第四金属层。
第一柔性基板1可采用能隔离水、氧的PI(Polyimide，聚酰亚胺)和/或PET(Polyethylene Terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)等有机绝缘材料制得。
第一金属层设置在第一柔性基板1上。第一金属层通过图案化工艺形成连接导线2和与连接导线2电连接的连接端子3。其中，连接导线2包括如图2所示的用于传导栅极信号的栅极信号连接导线21和如图3所示的用于传导数据信号的数据信号连接导线22；相应的，连接端子3包括用于输入外部栅极信号的栅极信号连接端子31和用于输入外部数据信号的数据信号连接端子32。此外，连接导线2至少包括现有技术中的扇形区走线。
第一柔性基板1通过图案化工艺在该第一柔性基板1上开设有第一通孔101，连接端子3的两端通过第一通孔101分别裸露在第一柔性基板1的两侧表面，以连接外部电路并将外部信号传递至连接导线2。
第一平坦层4设置在第一金属层上。第一平坦层4一般采用能隔离水、氧的SiNx和/或SiOx等常见的无机材料，用于平坦第一金属层图案化后带来的高度差异。第一平坦层4上对应连接导线2开设有第二通孔41，以裸露出连接导线2的表面。
第二柔性基板5设置在第一平坦层4上。第二柔性基板5上对应连接导线2也开设有多个与第二通孔41相连通的开口51，开口51包括用于与栅极信号连接导线21连通的第一开口511和用于与数据信号连接导线22连通的第二开口512。第二柔性基板5用于承载显示面板上的器件结构，可采用能隔离水、氧的PI和/或PET等有机绝缘材料制得。
第二金属层设置在第二柔性基板5上。第二金属层通过图案化工艺形成遮光电极6和信号连接电极7。其中，信号连接电极7包括栅极信号连接电极71和数据信号连接电极72，遮光电极6与数据信号连接电极72电性连接，栅极信号连接电极71通过第一开口511与栅极信号连接导线21连接，数据信号连接电极72通过第二开口512与数据信号连接导线22连接。开口51的孔径在5微米至6微米之间，使信号连接电极7与连接导线2的接触面积较大，以确保其电性连接更稳定。
其中，遮光电极6采用不透光的导电材料制成，具体可以采用Al、Cu等金属材料，用于阻挡外部光线从第一柔性基板1侧入射至显示面板上薄膜晶体管的有源层，从而保证薄膜晶体管的电性性能不受外部光强影响，提升显示面板的稳定性。
缓冲层8设置在第二柔性基板5上。缓冲层8在对应栅极信号连接电极71的上方开设有第一过孔81。缓冲层8一般采用能隔离水、氧的SiNx和/或SiOx等常见的无机材料，通常情况下只铺设一层缓冲层即可满足显示面板的良率要求，但在采用多晶硅或金属氧化物作为有源层的显示面板中，为提升良率，也会采用多层缓冲层重叠设置的结构来确保对水、氧的有效隔离，本实施例不作具体限定。
有源层9设置在缓冲层8上。有源层9可以采用金属氧化物和多晶硅等常见半导体材料。为确保有源层9能得到有效保护，遮光电极6在有源层9上的正投影完全覆盖有源层9，即遮光电极6几乎能挡住所有从外部直射入有源层9的光线。
栅极绝缘层10设置在有源层9上。栅极绝缘层10多采用SiNx和/或SiOx等常见的无机材料。
第三金属层设置在栅极绝缘层10上。第三金属层可采用Al、Ti、Mo或Cu等金属或合金制成，第三金属层通过图案化工艺形成了栅极11和栅极信号线12。其中，栅极11与有源层9的中间区域对应设置，栅极信号线12通过第一过孔81与栅极信号连接电极71连接。
层间绝缘层13设置在第三金属层上。层间绝缘层13覆盖栅极11和栅极信号线12，并对应遮光电极6开设有第二过孔131，对应有源层9的两侧分别开设有第三过孔132。其中，第二过孔131贯穿层间绝缘层13和缓冲层8延伸至第二金属层的表面以裸露出遮光电极6，第三过孔132贯穿层间绝缘层13延伸至有源层9的表面并裸露出有源层9。
第四金属层设置在层间绝缘层13上。第四金属层通过图案化工艺形成源极14、漏极15和数据信号线16，源极14和漏极15分别通过第三过孔132与有源层9的两端连接。此外，源极14还通过第二过孔131与遮光电极6连接。可以理解的是，在本申请的其他实施例中，还可以采用漏极15通过第二过孔131与遮光电极6连接，在此不作具体限定。
第二平坦层17设置在第四金属层上，并覆盖源极14、漏极15和数据信号线16。第二平坦层17具有较大的厚度以平坦化前述结构造成的高度差，确保显示面板表面获得较高的平坦度。
在常见的有机发光显示面板中，第二平坦层17上还设有阳极(图中未示出)、像素定义层(图中未示出)等结构，具体结构细节业界已有较多介绍，在此不再赘述。
在本实施例中，在现有的第二柔性基板5的下方增设第一柔性基板1、第一金属层和第一平坦层4，并通过对第一金属层的图案化处理，将现有技术中位于第二柔性基板5非显示区502的扇形区连接导线和外部连接端子形成在增设的第一金属层上，即在第一柔性基板1上设置连接导线2和连接端子3，以简化第二柔性基板5非显示区502的电路结构。
结合图4与图2，第二柔性基板5的显示区501内的结构保持不变，栅极信号线12延伸至第二柔性基板5的非显示区502后通过第一过孔81与栅极信号连接电极71连接，栅极信号连接电极71通过第一开口511与位于第一柔性基板1上的栅极信号连接导线21连接，栅极信号连接导线21与栅极信号连接端子31电性连接，栅极信号连接端子31贯穿第一柔性基板1延伸至第一柔性基板1上远离第二柔性基板5的表面与外部电路的栅极信号输出端子181绑定连接。因此，外部输入的扫描信号依次通过第一柔性基板1上的栅极信号连接端子31和栅极信号连接导线21传送至第二柔性基板5上的栅极信号连接电极71，最后通过栅极信号线12加载至显示区501内对应像素的栅极11上。
结合图4与图3，数据信号线16的一端延伸至第二柔性基板5的显示区501后通过第二过孔131与对应像素的遮光电极6连接，数据信号线16的另一端数据信号连接电极72连接，从而实现遮光电极6与数据信号连接电极72的电性连接。此外，数据信号连接电极72通过第二开口512与位于第一柔性基板1上的数据信号连接导线22连接，数据信号连接导线22与数据信号连接端子32电性连接，数据信号连接端子32贯穿第一柔性基板1延伸至第一柔性基板1上远离第二柔性基板5的表面与外部电路的数据信号输出端子182绑定连接。因此，外部输入的数据信号依次通过第一柔性基板1上的数据信号连接端子32和数据信号连接导线22传送至第二柔性基板5上的数据信号连接电极72，然后通过数据信号线16和遮光电极6加载至显示区501内对应像素的源极11上。
在本实施例中，连接端子3贯穿第一柔性基板1，并在第一柔性基板1上远离第二柔性基板5的表面与外部电路中信号输出端子18通过焊接绑定。此外，连接导线2包括扇形区的导线，设置在第一柔性基板1与第二柔性基板5之间的第一金属层上，显著减少了第二柔性基板5中非显示区的面积。
可以理解的是，在如图5所示的另一具体实施例中，第一柔性基板1的尺寸大于第二柔性基板5，第一柔性基板1上未被第二柔性基板5覆盖的局部区域设置有连接端子3，连接端子3与连接导线2同层设置在第一柔性基板1上靠近第二柔性基板5的表面，第一柔性基板1上未设置第一通孔101。其中，栅极信号连接端子31在第一柔性基板1上靠近第二柔性基板5的表面与外部电路的栅极信号输出端子181绑定连接，数据信号连接端子32在第一柔性基板1上靠近第二柔性基板5的表面与外部电路的数据信号输出端子182绑定连接。在模组制程中，可将第一柔性基板1上未被第二柔性基板5覆盖的局部区域向远离第二柔性基板5的一侧弯折，以实现显示面板的窄边框化。
可以理解的是，在本申请的其他具体实施例中，显示面板内的薄膜晶体管还可以是底栅型薄膜晶体管、双栅极薄膜晶体管以及顶栅型薄膜晶体管，在此不作具体限定。
本申请的附图6A至6L还提供了一种显示面板的制备方法，包括：
B1、如图6A所示，在玻璃基板20上涂布剥离层30。
剥离层的材料可选择环氧/酚醛树脂、钼和氧化钼等金属材料及其氧化物、铁磁性易磁化的颗粒和/或铁粉等，可以理解的是，凡是能进行物理或化学剥离的材料可作为本申请剥离层的材料。
B2、如图6B至图6D所示，在剥离层30上设置第一柔性基板1，通过图案化工艺在第一柔性基板1上开设第一通孔101。
第一柔性基板1可以采用PI制得，步骤B2中的图案化工艺具体包括如图6C所示的对第一柔性基板1的曝光和如图6D所示的对第一柔性基板1的显影，从而在第一柔性基板1上形成第一通孔101。
B3、如图6E所示，在第一柔性基板1上设置第一金属层，对第一金属层进行图案化制程后获得连接导线2和与连接导线2电性连接的连接端子3，连接端子3位于第一通孔101内，连接端子3通过第一通孔101贯穿第一柔性基板1。
其中，第一金属层的图案化制程具体包括光刻胶的涂覆、曝光、显影和刻蚀等过程，属于本领域的公知常识，在此不再赘述。
B4、如图6F所示，在第一金属层上设置第一平坦层4，通过图案化制程在第一平坦层4上开设第二通孔41，以裸露出连接导线2的表面。
第一平坦层4一般采用能隔离水、氧的SiNx和/或SiOx等常见的无机材料，用于平坦第一金属层图案化后带来的高度差异。
B5、如图6G所示，在第一平坦层4上设置第二柔性基板5，通过与步骤B2类似的图案化工艺在第二柔性基板5上开设与第二通孔41相连通的开口5，以裸露出连接导线2的表面。
第二柔性基板5用于承载显示面板上的器件结构，可采用能隔离水、氧的PI和/或PET等有机绝缘材料制得。
B6、如图6H和6I所示，在第二柔性基板5上设置第二金属层，对第二金属层进行图案化制程以形成遮光电极6和信号连接电极7。其中，信号连接电极7包括如图6I所示的栅极信号连接电极71和如图6H所示的数据信号连接电极72，遮光电极6与数据信号连接电极72电性连接，栅极信号连接电极71通过第一开口511与栅极信号连接导线21连接，数据信号连接电极72通过第二开口512与数据信号连接导线22连接。
B7、如图6H和6I所示，在第二金属层上设置缓冲层8，通过图案化制程在缓冲层8上对应栅极信号连接电极71的区域开设第一过孔81。
B8、如图6H和6I所示，在缓冲层8的上方依次沉积有源层9、栅极绝缘层10和第三金属层，对第三金属层进行图案化制程以形成栅极11和栅极信号线12，栅极11与有源层9的中间区域对应设置，栅极信号线12通过第一过孔81与栅极信号连接电极71连接。
B9、如图6H和6I所示，在第三金属层上设置层间绝缘层13，通过图案化制程在层间绝缘层13上对应遮光电极6的区域开设第二过孔131，并对应有源层9的两侧分别开设第三过孔132。
B10、如图6H和6I所示，在层间绝缘层13上设置第四金属层，对第四金属层进行图案化制程以形成源极14、漏极15和数据信号线16，源极14和漏极15分别通过第三过孔132与有源层9的两端连接。此外，源极14还通过第二过孔131与遮光电极6连接。可以理解的是，在本申请的其他实施例中，还可以采用漏极15通过第二过孔131与遮光电极6连接，在此不作具体限定。
B11、在第四金属层上依次沉积第二平坦层17、阳极(图中未示出)、像素定义层(图中未示出)等结构，直至完成柔性显示面板各层级结构的铺设，具体的相关结构和工艺业界已有较多介绍，在此不再赘述。
B12、如图6J至图6L所示，通过MLO(Mechanic LiftOff，机械剥离)技术将显示面板的第一柔性基板1与玻璃基板20分离。
该MLO技术具体包括：
如图6J所示的切割步骤，将显示面板的四周沿虚线切割至剥离层30。
如图6K所示的分离步骤，将切割后的显示面板与玻璃基板20分离开，可采用紫外照射、物理玻璃以及化学反应剥离等方式分离玻璃基板20与显示面板，具体的剥离方式由选用的剥离层30的材料决定。
一般来说，剥离层30与玻璃基板20的附着力远远高于剥离层30与第一柔性基板1之间的附着力，而外围的第一柔性基板1与玻璃基板20之间具有很强的附着力以保证整个制程的稳定。
B13、如图6K所示，将分离后的显示面板的连接端子3与外部电路的信号输出端子18通过焊接绑定。
在本申请的另一实施例中，连接端子3与连接导线2直接设置在第一柔性基板1的表面，第一柔性基板1上不需要开设第一通孔101，但要将连接端子3设置在未被第二柔性基板2覆盖的区域。
在模组制程中，可将第一柔性基板1上未被第二柔性基板5覆盖的局部区域向远离第二柔性基板5的一侧弯折，以实现显示面板的窄边框化。
本申请通过在现有的第二柔性基板5的下方增设第一柔性基板1、第一金属层、第一平坦层4，并通过对第一金属层的图案化处理，将现有技术中位于第二柔性基板5非显示区的连接导线2和连接端子3设置在第一柔性基板1上，即设置在第二柔性基板5的背面，充分利用了第二柔性基板5中未设置显示器件的表面空间，大大简化了第二柔性基板5的非显示区502的电路结构，减少了显示面板非显示区的面积，从而实现窄边框化。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细的介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (9)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一柔性基板；
连接端子，设置在所述第一柔性基板上；
第二柔性基板，设置在所述第一柔性基板上并开设有多个开口；以及
信号线和薄膜晶体管，设置在所述第二柔性基板上远离所述第一柔性基板的一侧，所述信号线通过所述开口与所述连接端子电性连接；
其中，所述第一柔性基板的局部区域未被所述第二柔性基板覆盖，所述连接端子位于所述局部区域上靠近所述第二柔性基板的一侧，所述连接端子与外部电路电性连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述连接端子贯穿所述第一柔性基板，所述第一柔性基板上远离所述第二柔性基板的表面裸露出所述连接端子以电性连接外部电路。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
所述连接端子位于设置在所述第一柔性基板上的第一金属层，所述第一金属层还包括与所述连接端子电性连接的连接导线，所述信号线通过所述开口与所述连接导线电性连接。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括设置在所述第二柔性基板上的第二金属层，所述第二金属层包括遮光电极、栅极信号连接电极以及数据信号连接电极；
所述遮光电极用于阻挡外部光线从所述第一柔性基板侧入射至所述显示面板上薄膜晶体管的有源层；
所述栅极信号连接电极的一端与栅极信号线连接，所述栅极信号连接电极的另一端通过所述第二柔性基板上的第一开口电性连接所述连接导线中的栅极信号连接导线；
所述数据信号连接电极的一端与数据信号线电性连接，所述数据信号连接电极的另一端通过所述第二柔性基板上的第二开口电性连接所述连接导线中的数据信号连接导线。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述遮光电极通过第二过孔与所述薄膜晶体管的源极或漏极连接，同时，所述遮光电极还通过数据信号线与所述数据信号连接电极电性连接，外部输入的数据信号依次通过所述第一柔性基板上的数据信号连接端子和所述数据信号连接导线、所述数据信号连接电极、所述数据信号线、所述遮光电极加载至所述薄膜晶体管的源极或漏极上。
6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：
第二金属层，设置在所述第二柔性基板上，包括栅极信号连接电极；
缓冲层，设置在所述第二金属层上，在所述栅极信号连接电极上方开设有第一过孔；
有源层，设置在所述缓冲层上；
栅极绝缘层，设置在所述有源层上；以及
第三金属层，设置在所述栅极绝缘层上，包括栅极和栅极信号线，所述栅极信号线通过所述第一过孔与所述栅极信号连接电极连接；
外部输入的扫描信号依次通过所述第一柔性基板上的栅极信号连接端子和栅极信号连接导线、所述栅极信号连接电极、所述栅极信号线加载至所述栅极上。
7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：
平坦层，设置在所述第一金属层上，所述第二柔性基板设置在所述平坦层上；
第二金属层，设置在所述第二柔性基板上，所述第二金属层包括遮光电极和信号连接电极，所述信号线与所述信号连接电极电性连接，所述信号连接电极通过所述开口与所述连接导线连接，所述连接导线与所述连接端子电性连接。
8.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一柔性基板；
第一金属层，设置在所述第一柔性基板上，包括连接导线和与所述连接导线电连接的连接端子，所述连接导线包括栅极信号连接导线和数据信号连接导线，所述连接端子包括栅极信号连接端子和数据信号连接端子；
平坦层，设置在所述第一金属层上；
第二柔性基板，设置在所述平坦层上，包括多个开口，所述开口包括与所述栅极信号连接导线连通的第一开口和与所述数据信号连接导线连通的第二开口；
第二金属层，设置在所述第二柔性基板上，包括遮光电极、栅极信号连接电极以及数据信号连接电极；其中，所述遮光电极与所述数据信号连接电极电性连接，所述栅极信号连接电极通过所述第一开口与所述栅极信号连接导线连接，所述数据信号连接电极通过所述第二开口与所述数据信号连接导线连接；
缓冲层，设置在所述第二金属层上，在所述栅极信号连接电极上方开设有第一过孔；
有源层，设置在所述缓冲层上，所述遮光电极在所述有源层上的正投影完全覆盖所述有源层；
栅极绝缘层，设置在所述有源层上；
第三金属层，设置在所述栅极绝缘层上，包括栅极和栅极信号线，所述栅极信号线通过所述第一过孔与所述栅极信号连接电极连接；
层间绝缘层，设置在所述第三金属层上，对应所述遮光电极开设有第二过孔，对应所述有源层的两端分别开设有第三过孔；以及
第四金属层，设置在所述层间绝缘层上，包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述第三过孔与所述有源层的两端连接，所述源极或所述漏极通过所述第二过孔与所述遮光电极连接；
外部输入的数据信号依次通过所述数据信号连接端子、所述数据信号连接导线、所述数据信号连接电极、数据信号线、所述遮光电极加载至薄膜晶体管的源极或漏极上；
外部输入的扫描信号依次通过所述栅极信号连接端子、所述栅极信号连接导线、所述栅极信号连接电极、所述栅极信号线加载至所述栅极上；
其中，所述第一柔性基板的局部区域未被所述第二柔性基板覆盖，所述连接端子位于所述局部区域上靠近所述第二柔性基板的一侧。
9.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
B1、在玻璃基板上设置剥离层；
B2、在所述剥离层上设置第一柔性基板，通过图案化工艺在所述第一柔性基板上开设第一通孔；
B3、在所述第一柔性基板上设置第一金属层，对所述第一金属层进行图案化制程后获得连接导线和与所述连接导线电性连接的连接端子；
B4、在所述第一金属层上设置第一平坦层，通过图案化制程在所述第一平坦层上开设第二通孔，以裸露出所述连接导线的表面；
B5、在所述第一平坦层上设置第二柔性基板，通过图案化工艺在所述第二柔性基板上开设与所述第二通孔相连通的开口，以裸露出所述连接导线的表面；
B6、在所述第二柔性基板上设置第二金属层，对所述第二金属层进行图案化制程以形成遮光电极和信号连接电极；其中，所述信号连接电极包括栅极信号连接电极和数据信号连接电极，所述遮光电极与所述数据信号连接电极电性连接，所述信号连接电极通过所述开口与所述连接导线连接；
B7、在所述第二金属层上设置缓冲层，通过图案化制程在所述缓冲层上对应所述栅极信号连接电极的区域开设第一过孔；
B8、在所述缓冲层上依次设置有源层、栅极绝缘层和第三金属层，对所述第三金属层进行图案化制程以形成栅极和栅极信号线，所述栅极信号线通过所述第一过孔与所述栅极信号连接电极连接，所述栅极信号连接电极通过所述开口与所述连接导线连接，从而实现所述栅极信号线与所述连接端子的电性连接；
B9、在所述第三金属层上设置层间绝缘层，通过图案化制程在所述层间绝缘层上对应所述遮光电极的区域开设第二过孔，并对应所述有源层的两侧分别开设第三过孔；
B10、在所述层间绝缘层上设置第四金属层，对所述第四金属层进行图案化制程以形成源极、漏极和数据信号线，所述源极和所述漏极分别通过所述第三过孔与所述有源层的两端连接，所述源极和/或所述漏极还通过所述第二过孔与所述遮光电极连接；
其中，所述第一柔性基板的局部区域未被所述第二柔性基板覆盖，所述连接端子位于所述局部区域上靠近所述第二柔性基板的一侧。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110112145.0A CN112885847B (zh) | 2021-01-27 | 2021-01-27 | 显示面板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110112145.0A CN112885847B (zh) | 2021-01-27 | 2021-01-27 | 显示面板及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112885847A CN112885847A (zh) | 2021-06-01 |
| CN112885847B true CN112885847B (zh) | 2023-02-07 |
Family
ID=76052796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110112145.0A Active CN112885847B (zh) | 2021-01-27 | 2021-01-27 | 显示面板及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112885847B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117457663A (zh) * | 2023-02-22 | 2024-01-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109585462A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板、拼接屏 |
| CN110176429A (zh) * | 2019-04-08 | 2019-08-27 | 北海惠科光电技术有限公司 | 一种阵列基板的制作方法及阵列基板、显示面板 |
| CN111739923A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-10-02 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN112259579A (zh) * | 2020-10-10 | 2021-01-22 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
-
2021
- 2021-01-27 CN CN202110112145.0A patent/CN112885847B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109585462A (zh) * | 2019-01-23 | 2019-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板、拼接屏 |
| CN110176429A (zh) * | 2019-04-08 | 2019-08-27 | 北海惠科光电技术有限公司 | 一种阵列基板的制作方法及阵列基板、显示面板 |
| CN111739923A (zh) * | 2020-07-03 | 2020-10-02 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN112259579A (zh) * | 2020-10-10 | 2021-01-22 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112885847A (zh) | 2021-06-01 |
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