CN104035253A - 阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，属于显示技术领域，其可解决现有的阵列基板边缘区过大导致边框过宽的问题。本发明的阵列基板包括基底，所述基底包括用于进行显示的显示区和显示区外的边缘区，在所述基底的第一面上设有多条从显示区延伸至边缘区的引线，且所述基底的边缘区中设有多个与分别与各引线电连接的、内部设有导电材料的导电通孔，各引线分别通过各导电通孔电连接至所述基底的第二面；所述基底的第二面设有与所述导电通孔电连接的背面结构，所述背面结构包括多个分别与各导电通孔电连接的引线接头。

Description

阵列基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
阵列基板是液晶显示面板、有机发光二极管(OLED)显示面板等的重要部件。阵列基板包括用于进行显示的显示区，其中设有栅极线、数据线、薄膜晶体管、像素电极(或有机发光二极管)等显示结构。为了进行显示，显示区中的引线(栅极线、数据线等)必须与驱动芯片(Driver IC)电连接。驱动芯片的连接方式是多样的，比如带载封装模式(TCP，Tape Carrier Package)，即将驱动芯片制成封装带，并将封装带设于阵列基板外侧；再如板上封装模式(COB，Chip On Board)，即将驱动芯片设在线路板(PCB)上，并将线路板连接于阵列基板外侧；再如覆晶薄膜模式(COF，Chip On Film)，即将驱动芯片设在柔性线路板(PFC)上，并将柔性线路板连接于阵列基板外侧；再如覆晶基板模式(COG，Chip On Glass)，即直接将驱动芯片设在阵列基板上。
为避免影响显示，故驱动芯片、线路板等不能直接连接显示区内的引线。因此，如图1、图2所示，阵列基板1基底11的显示区92外侧还包括边缘区91，引线2由显示区92延伸至边缘区91中并连接驱动芯片82(或线路板等)。通常而言，从显示区92进入边缘区91后，引线2先要进行扇出(Fanout)，即多条引线2逐渐集中至间距与驱动芯片82端口的间距匹配，扇出后的引线2端部则设有用于连接驱动芯片82、线路板等的引线接头3(Pad)。
发明人发现现有技术具有以下问题：
首先，引线2要在边缘区91中完成扇出，边缘区91中还要设置引线接头3等结构，故边缘区91必须具有较大的宽度，而边缘区91又要被边框封住，这导致显示面板的边框尺寸过大，不利于窄边框。
而且，如图2所示，引线接头3上方需要留出一定的空间以连接驱动芯片82、线路板等，故与阵列基板1对盒的对盒基板81(如彩膜基板或封装基板)不能覆盖引线接头3所在的区域，因此对盒基板81必然小于阵列基板1，二者尺寸不同，这导致两基板的切割必须分别进行，工艺复杂。
另外，当要将多个显示面板拼接使用(即用多个显示面板组成一个大屏幕)时，由于两基板的边缘不齐，故必须在其外侧加装边框后才能进行拼接，导致其结构复杂且相邻显示面板间的间隙过大，拼接效果不好。
发明内容
本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的阵列基板边缘区过大导致边框过宽的问题，提供一种易于实现窄边框的阵列基板及其制备方法、显示面板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其包括基底，所述基底包括用于进行显示的显示区和显示区外的边缘区，在所述基底的第一面上设有多条从显示区延伸至边缘区的引线，且
所述基底的边缘区中设有多个与分别与各引线电连接的、内部设有导电材料的导电通孔，各引线分别通过各导电通孔电连接至所述基底的第二面；
所述基底的第二面设有与所述导电通孔电连接的背面结构，所述背面结构包括多个分别与各导电通孔电连接的引线接头。
优选的是，所述导电通孔的直径在5～100微米之间；相邻导电通孔的中心间的距离在10～80微米之间。
优选的是，所述导电材料为铜、银、铬中的任意一种金属或任意多种金属的合金。
优选的是，所述背面结构还包括多条分别连接在各导电通孔和引线接头间的背面引线。
优选的是，所述背面结构还包括与所述引线接头连接的驱动芯片。
优选的是，所述阵列基板为液晶显示阵列基板或底发射型有机发光二极管显示阵列基板；所述背面结构均位于所述边缘区中。
优选的是，所述阵列基板为顶发射型有机发光二极管显示阵列基板；所述背面结构至少部分位于所述显示区中。
优选的是，所述引线包括栅极线和/或数据线。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板制备方法，其制备的是上述的阵列基板，所述制备方法包括：
S11、在基底的边缘区中形成通孔；
S12、在通孔内形成导电材料，使所述通孔形成导电通孔。
优选的是，所述步骤S11包括：通过激光打孔工艺在所述基底的边缘区中形成通孔。
优选的是，所述步骤S12包括：S121、对所述基底一面蒸镀导电材料，形成导电材料层；S122、对所述基底另一面蒸镀导电材料，形成导电材料层，同时在所述通孔中沉积导电材料；S123、通过构图工艺用所述导电材料层在基底的第一面形成多个分别与各导电通孔电连接的导电图形，通过构图工艺用所述导电材料层在基底的第二面形成多个分别与各导电通孔电连接的导电图形。
进一步优选的是，在所述步骤S123中，在基底第二面形成的导电图形包括引线接头。
进一步优选的是，在所述步骤S122之后，还包括：通过电镀工艺加厚所述导电材料层。
优选的是，在所述步骤S12之后，还包括：通过构图工艺在所述基底上形成包括引线的显示结构，其中，所述引线与所述导电通孔电连接。
优选的是，在所述步骤S11之前，还包括：通过构图工艺在所述基底上形成包括引线的显示结构；且所述导电通孔与所述引线电连接。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示面板，其包括：
上述的阵列基板。
优选的是，所述显示面板还包括：与所述阵列基板对盒的对盒基板，所述对盒基板的边缘与所述阵列基板的边缘对齐。
优选的是，所述对盒基板为彩膜基板或封装基板。
本发明的阵列基板的边缘区中设有导电通孔，由此引线接头等结构可位于基底背面，从而边缘区的宽度可减小，有利于实现窄边框；同时，由于引线接头位于基底背面，故对盒基板不会对驱动芯片等的连接造成影响，对盒基板尺寸可与阵列基板相同，故二者可被同步切割，且便于进行拼接使用。
附图说明
图1为现有的阵列基板的正面结构示意图；
图2为现有的显示面板的剖面结构示意图；
图3为本发明的实施例1的一种阵列基板的正面结构示意图；
图4为本发明的实施例1的一种阵列基板的背面结构示意图；
图5为本发明的实施例1的一种显示面板的剖面结构示意图；
图6为本发明的实施例1的另一种阵列基板的背面结构示意图；
其中附图标记为：1、阵列基板；11、基底；2、引线；21、背面引线；3、引线接头；7、导电通孔；81、对盒基板；82、驱动芯片；91、边缘区；92、显示区。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
如图3至图6所示，本实施例提供一种阵列基板1及其制备方法。
其中，阵列基板1包括基底11，基底11通常由玻璃制成，厚度在0.3～0.5毫米。
基底11包括用于进行显示的显示区92和位于显示区92外侧的边缘区91。在基底11的第一面(以下称为正面，即在组成显示面板后靠近对盒基板81的面)的显示区92中，设有用于进行显示的显示结构，显示结构包括引线2、薄膜晶体管、像素电极(或有机发光二极管)等，其具体结构依照阵列基板1类型的不同而变化，在此不再详细描述。
优选的，引线2包括栅极线和/或数据线。
当然，应当理解，如果对于不同类型的显示面板，其中还可包括其他的引线2，在此不再逐一描述。
如图3所示，在基底11正面上，多条引线2由显示区92延伸入边缘区91中。本实施例中以仅在显示区92的一侧外具有边缘区91作为例子，但应当理解，显示区92的各侧外都可设有边缘区91。
其中，基底11在边缘区91中有多个与分别与各引线2电连接的导电通孔7，导电通孔7内设有导电材料，各引线2可分别通过各导电通孔7电连接至基底11的第二面(以下称为背面，即与正面相对的面)；同时，在基底11的背面上还设有与导电通孔7电连接的背面结构，背面结构至少包括多个分别与各导电通孔7电连接的引线接头3。
也就是说，本实施例的阵列基板1的边缘区91中打有一些贯穿基底11的通孔，且通孔中设有导电材料从而构成能导电的导电通孔7；同时，这些导电通孔7还分别与基底11正面的各引线2电连接，而基底11背面则设有与导电通孔7电连接的背面结构。因此，通过这些导电通孔7可将引线2电连接至基底11背面的背面结构中，而背面结构又包括多个分别与各导电通孔7电连接的引线接头3，因此，只要将驱动芯片82电连接这些引线接头3，即可使驱动芯片82的信号传导到显示区92的引线2内，从而实现显示驱动。
如图3、图4所示，本实施例的阵列基板1中，引线接头3布置在基底11背面，故在垂直于基底11的方向上，引线接头3所在位置可引线2等边缘区91中的其他结构重合，甚至可如图6所示，引线接头3直接位于显示区92中；这样，本实施例的阵列基板1的边缘区91所需的宽度可大幅缩小，从而有利于实现窄边框设计。
而且，如图5所示，由于引线接头3位于基底11背面，故对盒基板81不会对引线接头3与驱动芯片82等的连接产生影响，因此对盒基板81的尺寸可与阵列基板1相同，二者可同步切割，从而简化了制备工艺。
同时，由于对盒基板81与阵列基板1尺寸相同，故在拼接使用显示面板时，可直接将各显示面板的边缘对齐而拼接在一起，使结构简化，相邻显示面板间的距离小，拼接效果好。
优选的，以上导电通孔7的直径在5～100微米之间；而相邻导电通孔7的中心间的距离(pitch)在10～80微米之间。
具有以上尺寸参数的导电通孔7可满足性能的要求，同时按照现有工艺也比较容易实现。
优选的，导电材料为铜、银、铬中的任意一种金属或任意多种金属的合金。
也就是说，可使用铜、银、铬等金属材料作为导电材料，因为它们具有导电率高、成本低、易于制造等优点。
背面结构中至少包括引线接头3，即基底11的背面至少设有引线接头3；但显然，背面结构的范围并不限于此。
例如，优选的，如图4、图6所示，背面结构还包括多条分别连接在各导电通孔7和引线接头3间的背面引线21。
如前所述，从显示区92出来的引线2先要进行扇出以缩小间距，之后才能与驱动芯片82相连，这些进行扇出的引线2必然要占据一定的空间，导致边缘区91宽度增加。而在本实施例中，在基底11背面也可设置一部分引线(背面引线21)，从而部分或全部的“扇出”过程可在基底11背面进行，可与基底11正面边缘区91中的其他结构重合，也可位于显示区92中国，从而可进一步减小边缘区91宽度。
再如，优选的，如图5所示，背面结构还包括与引线接头3连接的驱动芯片82。
对于覆晶基板模式(COG)的阵列基板1，其驱动芯片82直接设在阵列基板1的基底11上，由于此时引线接头3设于基底11背面，故驱动芯片82也可相应的设于基底11背面。
总之，背面结构的具体形式是多样的，引线接头3、引线、驱动芯片82等各种封装区中的已知结构都可被设于基底11背面而作为背面结构。
优选的，如图4、图5所示，阵列基板1为液晶显示阵列基板，或底发射型有机发光二极管显示阵列基板，而背面结构均位于边缘区91中。
对于液晶液晶显示阵列基板，其显示区92需要透光，因此，为了不影响显示，上述背面结构不能设于显示区92中，而只能位于基底11背面的边缘区91中。类似的，对于底发射型有机发光二极管显示阵列基板，其光线需要从背面射出，故上述背面结构也只能位于边缘区91中。
优选的，如图6所示，阵列基板1为顶发射型有机发光二极管显示阵列基板，且背面结构至少部分位于显示区92中。
可见，对于顶发射型有机发光二极管显示阵列基板，其光线从正面射出，因此，在其基底11背面的显示区92中设置的结构不会对显示造成影响，故可将部分背面结构设于显示区92中，以进一步减小边缘区91的尺寸。
本实施例还提供一种上述阵列基板的制备方法，其中需要形成导电通孔7，而形成导电通孔7的步骤又可包括：在基底11的边缘区91中形成通孔的步骤，以及在通孔中形成导电材料的步骤。
具体的，上述阵列基板制备方法可包括以下步骤：
S101、通过激光打孔工艺在基底11的边缘区91中形成通孔。
也就是说，用激光照射基底11边缘区91的所需位置，从而在这些位置形成通孔。其中，可用掩膜版遮挡不需要打孔的位置，从而使激光只能照射到需打孔的位置；或者，也可直接用较细的激光束对所需位置进行照射。由于激光打孔工艺的特性，故通常其所形成的孔呈一端稍大一端稍小的圆台形。
其中，激光打孔工艺的优选参数范围可为：功率密度100～1000w/cm2，激光波长可选1064nm，单脉冲能量20～40J，脉冲频率1～20Hz。
S102、对基底11的一面(以正面为例)蒸镀导电材料，形成导电材料层。
也就是说，使基底11的正面朝向蒸镀材料源进行蒸镀，从而在其上形成一导电材料层，其中，导电材料层可由之前描述的铜、银、铬等金属或合金组成，其优选的厚度范围在50～400nm。同时，应当理解，此时在通孔中也会形成导电材料层(例如在通孔壁上)
应当理解，由于此时形成的导电材料层主要用于形成导电通孔7，故蒸镀时优选用掩膜版遮挡住基底11的显示区92等其他部位，仅在通孔及其附近形成导电材料层。
S103、对基底11的另一面(以背面为例)蒸镀导电材料，形成导电材料层，同时在通孔中沉积导电材料。
也就是说，将基底11反过来，对其背面进行蒸镀，从而在背面也形成一导电材料层，其优选的厚度范围在50～400nm。同时，应当理解，此时在通孔中也会形成导电材料层(例如在通孔壁上)。
S104、优选的、通过电镀工艺加厚导电材料层。
通常而言，蒸镀工艺的沉积速度较慢，故要直接用其形成所需厚度的层需要较长时间，因此，优选可在用蒸镀工艺形成较薄的导电材料层后，再通过常规电镀工艺将其加厚至所需厚度(同时可加厚通孔壁上的导电材料层，使通孔形成导电通孔7)。
其中，加厚后的导电材料层优选厚度在1～10微米；而具体电镀工艺参数等是已知的，在此不再详细描述。
S105、通过构图工艺用导电材料层在基底11正面形成多个分别与各导电通孔7电连接的导电图形，并通过构图工艺用导电材料层在基底11的背面形成多个分别与各导电通孔7电连接的导电图形。
其中“构图工艺”是指通过除去材料层中的一部分，从而使材料层剩余部分形成所需结构的工艺，其具体包括“光刻胶涂布-曝光-显影-刻蚀-光刻胶剥离”等步骤中的一步或多步。
可见，蒸镀(或电镀)得到的是完整的导电材料层，而阵列基板1中各导电通孔7应分别连接不同的引线2，它们之间应当相互绝缘；因此，还需要通过构图工艺将导电材料层不必要的部分除去，使剩余的导电图形相互隔开，并分别连接各导电通孔7。
其中，每个导电图形可仅为位于通孔附近的“一片”金属层，其用于与引线2等其他结构连接。
但优选的，基底11背面形成的导电图形包括引线接头3(还可包括背面引线21)。
也就是说，由于基底11背面的背面结构必然包括引线接头3，故此时可直接用上述导电材料层形成引线接头3，这样就不必再单独制造引线接头3了，可简化制备工艺。
S106、通过构图工艺在基底11上形成包括引线2的显示结构，其中，引线2与导电通孔7电连接。
也就是说，继续按照常规的工艺继续在基底11正面形成引线2(栅极线、数据线)、薄膜晶体管、像素电极(或有机发光二极管)等其他常规显示结构。其中，各引线2分别连接至基底11正面的各导电图形上，从而实现引线2与导电通孔7的电连接。
当然，应当理解，在本步骤中，为了避免显示结构与导电图形产生不希望的连接，还可在必要时在导电图形上形成绝缘层。例如，可在用于与数据线连接的导电图形上形成绝缘层，之后制备栅极线，并使其端部与用于连接栅极线的导电图形(其上没有绝缘层)直接相连，之后在制备数据线前，先在上述用于与数据线连接的导电图形上的绝缘层(还可有栅绝缘层等)中形成通孔，从而使数据线可与该导电材料相连。
S107、优选的，若背面结构中还包括驱动芯片82等其他结构，则继续进行连接驱动芯片82等操作，从而得到具有完整功能的阵列基板1。
当然，应当理解，以上实施例还可进行许多已知的变化。例如，上述通孔也可通过腐蚀、机械加工等方式形成；再如、导电通孔中的导电材料也可通过溅射、等离子体增强化学气相沉积、设置金属柱、化学镀等其他方式形成；再如，如果沉积所得的导电材料层厚度合适，也可不进行上述电镀步骤；再如，基底正面的导电图形也可直接用于形成显示区中的引线等。总之，不论其具体的制备顺序、工艺、参数如何，只要其中包括形成位于边缘区的导电通孔的步骤，即属于本发明的保护范围。
实施例2：
本实施例提供一种上述阵列基板制备方法，其包括：
S201、通过构图工艺在基底上形成包括引线的显示结构。
也就是说，通过常规工艺在基底正面形成引线(栅极线、数据线)、薄膜晶体管、像素电极(或有机发光二极管)等常规显示结构。
S202、在基底的边缘区中形成通孔。
也就是说，通过激光打孔等方式在基底边缘区中形成通孔，该通孔也可打穿上述引线。
S203、在通孔内形成导电材料，使通孔形成导电通孔。
也就是说，通过蒸镀、电镀等工艺在通孔内形成导电材料，使通孔形成导电通孔，同时，各导电通孔分别与各引线电连接。
S204、优选的，继续形成引线接头、驱动芯片等背面结构。
可见，本实施例与实施例1的主要区别在于，本实施例中线形成包括引线在内的常规显示结构，之后再形成导电通孔，并使各导电通孔分别与各自对应的引线实现电连接；其同样可以得到如实施例1的阵列基板。
实施例3：
如图5所示，本实施例提供一种显示面板，其包括上述的阵列基板1。
优选的，本实施例的显示面板还包括与阵列基板1对盒的对盒基板81，且对盒基板的边缘与阵列基板1的边缘对齐设置。该对盒基板81为彩膜基板或封装基板。
也就是说，本实施例的显示面板中优选包括两块相互对盒的基板，其中一块为上述阵列基板1，另一块则可为带有彩色滤光膜的彩膜基板，或为用于将阵列基板1上的有机发光二极管等封闭的封装基板。如前所述，本实施例的显示面板的阵列基板1的引线接头3位于其基底11的背面，故其对盒基板81可与阵列基板1尺寸相同、边缘对齐，从而二者可被同步切割以简化制备工艺，且在拼接使用时结构简单、效果好。
同时，由于本实施例的显示面板中引线接头3位于阵列基板1背面，故与阵列基板1相连的线路板、柔性线路板、封装带等也需要连接至阵列基板1背面；相应的，其具体的设置位置也要有所调整。例如，对顶发射型有机发光二极管显示面板，其线路板、柔性线路板、封装带等可直接叠置在其显示区92背面，从而进一步减小其边框；而对于液晶显示面板、底发射型有机发光二极管显示面板，其线路板、柔性线路板、封装带等可平行于阵列基板1的向外延伸并位于边框中的开槽内，或者，也可设在垂直于阵列基板1的方向上并向远离阵列基板1背面的方向延伸。
具体的，本实施例的显示面板可为液晶显示面板、电子纸、有机发光二极管显示面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (18)

1.一种阵列基板，包括基底，所述基底包括用于进行显示的显示区和显示区外的边缘区，在所述基底的第一面上设有多条从显示区延伸至边缘区的引线，其特征在于，
所述基底的边缘区中设有多个与分别与各引线电连接的、内部设有导电材料的导电通孔，各引线分别通过各导电通孔电连接至所述基底的第二面；
所述基底的第二面设有与所述导电通孔电连接的背面结构，所述背面结构包括多个分别与各导电通孔电连接的引线接头。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述导电通孔的直径在5～100微米之间；
相邻导电通孔的中心间的距离在10～80微米之间。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述导电材料为铜、银、铬中的任意一种金属或任意多种金属的合金。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述背面结构还包括多条分别连接在各导电通孔和引线接头间的背面引线。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述背面结构还包括与所述引线接头连接的驱动芯片。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板为液晶显示阵列基板或底发射型有机发光二极管显示阵列基板；
所述背面结构均位于所述边缘区中。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板为顶发射型有机发光二极管显示阵列基板；
所述背面结构至少部分位于所述显示区中。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，
所述引线包括栅极线和/或数据线。
9.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1至8中任意一项所述的阵列基板，所述制备方法包括：
S11、在基底的边缘区中形成通孔；
S12、在通孔内形成导电材料，使所述通孔形成导电通孔。
10.根据权利要求9所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述步骤S11包括：
通过激光打孔工艺在所述基底的边缘区中形成通孔。
11.根据权利要求9所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述步骤S12包括：
S121、对所述基底一面蒸镀导电材料，形成导电材料层；
S122、对所述基底另一面蒸镀导电材料，形成导电材料层，同时在所述通孔中沉积导电材料；
S123、通过构图工艺用所述导电材料层在基底的第一面形成多个分别与各导电通孔电连接的导电图形，通过构图工艺用所述导电材料层在基底的第二面形成多个分别与各导电通孔电连接的导电图形。
12.根据权利要求11所述的阵列基板制备方法，其特征在于，
在所述步骤S123中，在基底第二面形成的导电图形包括引线接头。
13.根据权利要求11所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在所述步骤S122之后，还包括：
通过电镀工艺加厚所述导电材料层。
14.根据权利要求9至13中任意一项所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在所述步骤S12之后，还包括：
通过构图工艺在所述基底上形成包括引线的显示结构，其中，所述引线与所述导电通孔电连接。
15.根据权利要求9至13中任意一项所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在所述步骤S11之前，还包括：
通过构图工艺在所述基底上形成包括引线的显示结构；
且
所述导电通孔与所述引线电连接。
16.一种显示面板，其特征在于，包括：
权利要求1至8中任意一项所述的阵列基板。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，还包括：
与所述阵列基板对盒的对盒基板，所述对盒基板的边缘与所述阵列基板的边缘对齐。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，
所述对盒基板为彩膜基板或封装基板。
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