CN109742099A - 显示面板的制作方法、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例是关于一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域。主要采用的技术方案为：基板，所述基板具有第一表面和与所述第一表面相背的第二表面，所述方法包括：在所述第一表面沉积阵列层；在所述第二表面沉积覆晶薄膜层；在所述基板的侧表面设置连接线，并将所述连接线的两端分别连接所述阵列层和所述覆晶薄膜层。本发明实施例中的阵列层设置在基板的第一表面，而覆晶薄膜层设置在基板的第二表面，其中，第二表面是基板上和第一表面相背的表面，与此同时，基板的侧表面设置有分别电连接阵列层和覆晶薄膜层的连接线，从而实现了显示面板的无边框设计。

Description

显示面板的制作方法、显示面板及显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置。

背景技术

显示面板主要包括：阵列层(TFT：Thin Film Transistor)和覆晶薄膜层(COF：Chip On Film)，阵列层具有用于进行显示的显示区。其中，阵列层电连接至覆晶薄膜层的驱动芯片，覆晶薄膜层将驱动芯片的信号传输给阵列层，以使显示区进行显示。

如今，消费者对显示面板的外观追求简洁化，但是由于显示面板结构的组成形式，以及其整体强度要求、可靠性要求、光学架构等因素限制，导致显示面板需要边框来遮盖基板上的覆晶薄膜层，而这与消费者所追求的简洁化相悖。

为此，该问题亟需解决。

发明内容

本发明实施例的主要目的在于，提供一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置，使得显示面板无边框。

本发明实施例的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

第一方面，本发明实施例提出了一种显示面板的制作方法，其包括：基板，所述基板具有第一表面和与所述第一表面相背的第二表面，所述方法可以包括：在所述第一表面沉积阵列层；在所述第二表面沉积覆晶薄膜层；在所述基板的侧表面设置连接线，并将所述连接线的两端分别连接所述阵列层和所述覆晶薄膜层。

本发明实施例的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

在本发明实施例中，所述在所述第二表面沉积覆晶薄膜层之前，还可以包括：在所述阵列层上涂覆钼树脂保护层；在所述第二表面沉积覆晶薄膜层之后，还包括：将所述钼树脂保护层灰化或者刻蚀去除。

在本发明实施例中，所述在所述第一表面沉积阵列层，可以包括：在所述第一表面依次沉积半导体层、栅极绝缘层、栅极层、绝缘层、第一金属层及第一平坦层，通过刻蚀工艺，在所述第一平坦层形成暴露所述第一金属层的多个第一过孔；在所述第一平坦层上沉积第二金属层；在所述第二金属层上沉积第一像素电极层；将所述第一像素电极层和所述连接线的一端连接。

在本发明实施例中，所述在所述第二金属层上沉积所述第一像素电极层，可以包括：在所述第二金属层上沉积第二金属保护层；通过刻蚀工艺，在所述第二金属保护层形成暴露所述第二金属层的多个第二过孔；在所述第二金属保护层上沉积所述第一像素电极层。

在本发明实施例中，所述在所述第二金属保护层上沉积所述第一像素电极层，可以包括：在所述第二金属保护层上沉积第三金属层；在所述第三金属层上沉积第三金属保护层；通过刻蚀工艺，在所述第三金属保护层形成暴露所述第三金属层的多个第三过孔；在所述第三金属保护层上沉积所述第一像素电极层。

在本发明实施例中，所述在所述第二金属保护层上沉积所述第三金属层之前，还可以包括：在所述第二金属保护层上沉积凸台。

在本发明实施例中，所述在所述第二金属保护层上沉积第一像素电极层之后，还可以包括：在所述第一像素电极层上沉积遮光层。

在本发明实施例中，所述在所述第二表面沉积覆晶薄膜层，可以包括：在所述第二表面沉积铟锡氧化物半导体层；在所述铟锡氧化物半导体层上沉积导电层；在所述导电层上沉积保护层；在所述保护层上沉积第二像素电极层；将所述第二像素电极层和所述连接线的另一端连接。

第二方面，本发明实施例提出了一种显示面板，其包括：采用上述显示面板的制作方法制作而成的显示面板。

第三方面，本发明实施例提出了一种显示装置，其包括：上述的显示面板。

借由上述技术方案，本发明实施例提供的显示面板的制作方法、显示面板及显示装置至少具有以下优点：本发明实施例的阵列层设置在基板的第一表面，而覆晶薄膜层设置在基板的第二表面，其中，第二表面是基板上和第一表面相背的表面，与此同时，基板的侧表面设置有分别电连接阵列层和覆晶薄膜层的连接线，从而实现了显示面板的无边框设计。

上述说明仅是本发明实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

图1是本发明实施例提供的显示面板的结构示意图一；

图2是本发明实施例提供的显示面板的结构示意图二。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的电子设备、计算机设备、空间定位系统及方法，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。

下面结合附图详细介绍本发明的技术内容，其中，实施例中所说的“沉积”可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，在此不作具体限定。

实施例一：

本发明的实施例一提供了一种显示面板的制作方法，包括：基板1，基板1具有第一表面A和与第一表面A相背的第二表面B，参考图1所示，其制作方法可以包括：

在第一表面A沉积阵列层10；

在第二表面B沉积覆晶薄膜层20；

在基板1的侧表面设置连接线2，并将连接线2的两端分别连接阵列层10和覆晶薄膜层20。

具体地，基板1可以采用耐高温材料制作，以确保基板1能够承受在沉积阵列层10时的高温退火的高温烘烤；连接线2可以为金属导线，如银材料制作的导线；连接线2可以贴附于基板1的侧表面，不仅使得所制作的显示面板结构更加紧凑，同时进一步实现了无边框显示面板的制作。

在具体实施的过程中，首先在基板1的第一表面A沉积阵列层10，然后在基板1的第二表面B沉积覆晶薄膜层20，最后在基板1的侧表面设置连接线2，并将连接线2的一端和阵列层10连接，另一端和覆晶薄膜层20连接；或者，首先在基板1的第二表面B沉积覆晶薄膜层20，然后在基板1的第一表面A沉积阵列层10，最后在基板1的侧表面设置连接线2，并将连接线2的两端分别连接阵列层10和覆晶薄膜层20。通过连接线2的两端分别连接阵列层10和覆晶薄膜层20，以实现阵列层10和覆晶薄膜层20的电连接，进而使得覆晶薄膜层20的驱动芯片所输出的信号传输给阵列层10.

本发明实施例通过将覆晶薄膜层20沉积在基板1的第二表面B，且连接线2的两端分别连接第二表面B的覆晶薄膜层20和第一表面A的阵列层10，从而实现了显示面板的无边框设计。

下面对在基板1的第一表面A沉积阵列层10进行详细介绍。

参考图2所示，在第一表面A沉积阵列层10，可以包括：

在第一表面A依次沉积半导体层101、栅极绝缘层(图未示)、栅极层102、绝缘层103、第一金属层104及第一平坦层105，通过刻蚀工艺，在第一平坦层105形成暴露第一金属层104的多个第一过孔(图未标)；

在第一平坦层105上沉积第二金属层106；

在第二金属层106上沉积第一像素电极层111；

将第一像素电极层111和连接线2的一端连接。

具体地，半导体层101可以为多晶硅层或者非多晶硅层，优选地，半导体层101为多晶硅层；栅极绝缘层可以为氧化硅层、氮化氮层或者由氧化硅层和氮化硅层所组成的复合层，本发明实施例对此不作具体限定；栅极层103通常可以包括栅线、栅极(Gate)和公共电极线(Gate Metal Vcom)的图案；第一金属层104通常可包括源极、漏极和数据线的图案，本发明实施例对此不作赘述；可选地，可采用物理气相沉积(PVD：Physical VaporDeposition)等方法在绝缘层103上形成第一金属层104，并通过包括光刻胶、涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺的构图工艺同时形成栅线、栅极以及公共电极线的图案；进一步地，在栅极绝缘层上形成的第一金属层104可以为铝层、钨层、铬层或其他金属及金属化合物导电层等，本发明实施例对此不作具体限定；绝缘层103起到保护栅极层102的作用；在第一平坦层105上沉积第二金属层106，并通过第一平坦层105形成的第一过孔和第一金属层104电连接，从而实现降低压降的目的。

在本发明实施例中，参考图2所示，在第二金属层106上沉积第一像素电极层111，可以包括：

在第二金属层106上沉积第二金属保护层107；

通过刻蚀工艺，在第二金属保护层107形成暴露第二金属层106的多个第二过孔(图未标)；

在第二金属保护层107上沉积第一像素电极层111。

具体地，第二金属保护层107可以采用树脂材料，从而防止了第二金属层106在操作的过程中受到刻蚀的影响，同时第二金属保护层107能够起到平坦的作用；第一像素电极层111通过第二过孔和第二金属层106电连接。

在本发明实施例中，参考图2所示，在第二金属保护层107上沉积第一像素电极层111，可以包括：

在第二金属保护层107上沉积第三金属层109；

在第三金属层109上沉积第三金属保护层110；

通过刻蚀工艺，在第三金属保护层110形成暴露第三金属层109的多个第三过孔(图未标)；

在第三金属保护层110上沉积第一像素电极层111。

具体地，第三金属层109为转印金属层，在转印后，第一像素电极层111的像素阳极连接第三金属层109，为发光二极管3(LED：Light Emitting Diode)提供电流。

在本发明实施例中，在第二金属保护层107上沉积第三金属层109之前，还可以包括：在第二金属保护层107上沉积凸台108。

具体地，凸台108的设置能够抬高第三金属层109，以满足第三金属层109对于高度的要求，在具体实施过程中，根据第三金属层109对于高度的实际需求调整所沉积的凸台108的高度即可。

在本发明实施例中，在第二金属保护层107上沉积第一像素电极层111之后，还可以包括：在第一像素电极层111上沉积遮光层112。

具体地，遮光层112能够防止第三金属层109反射环境光而导致显示效果的降低。

在本发明实施例中，在第一表面A沉积阵列层10之前还包括：在第一表面A沉积缓冲层(图未示)。

具体地，缓冲层可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅材料制作而成。通过在第一表面A沉积缓冲层，可以提高待形成的阵列层10和基板1之间的附着程度。

下面对在第二表面B沉积覆晶薄膜层20做详细介绍。

在本发明实施例中，在第二表面B沉积覆晶薄膜层20，可以包括：

在第二表面沉积铟锡氧化物半导体层201；

在铟锡氧化物半导体层201上沉积导电层(图未示)；

在导电层上沉积保护层202；

在保护层202上沉积第二像素电极层203；

将第二像素电极层203和连接线2的另一端连接。

具体地，铟锡氧化物半导体层201用于和第一表面A的阵列层10进行对位，故该层采用透明材料制作而成，如树脂材料；导电层、保护层202以及第二像素电极层203用于完成显示面板的集成电路引脚的制作；其中第二像素电极层203通过连接线2和第一像素电极层111电连接，第二像素电极层203的像素阴极通过第一像素电极层111电连接第三金属层109，以为发光二极管3提供电流。

在本发明实施例中，在第二表面B沉积覆晶薄膜层20之前，还可以包括：在阵列层10上涂覆钼树脂保护层，而在第二表面B沉积覆晶薄膜层20之后，还包括：将钼树脂保护层灰化或者刻蚀去除。

具体地，在进行第二表面B沉积覆晶薄膜层20之前，首先在第一表面A上涂覆钼树脂保护层，以保护第一表面A已完成的阵列层10，而在第二表面B完成覆晶薄膜层20的沉积后，将钼树脂保护层灰化或者蚀刻去除即可。

需要说明的是，钼树脂保护层也可以采用其他材料，只要满足耐高温、可撕除、耐刮伤、不粘连以及透明的要求即可，本发明实施例不作具体限定。

以下结合附图并通过一个具体实施例对实施例一所提供的显示面板的制作方法进行详细说明。

参考图2所示，该显示面板的制作方法包括：

S11：在基板1的第一表面A沉积缓冲层；

S12：在缓冲层112上依次沉积半导体层101、栅极绝缘层、栅极层102、绝缘层103、第一金属层104以及第一平坦层105，通过刻蚀工艺，在第一平坦层105形成暴露第一金属层104的多个第一过孔；

S13：在第一平坦层105上沉积第二金属层106；

S14：在第二金属层106上沉积第二金属保护层107，通过刻蚀工艺，在第二金属保护层107形成暴露第二金属层106的多个第二过孔；

S15：在第二金属保护层107上沉积凸台108；

S16：在凸台108上沉积第三金属层109；

S17：在第三金属层109上沉积第三金属保护层110，通过刻蚀工艺，在第三金属保护层110形成暴露第三金属层109的多个第三过孔；

S18：在第三金属保护层110上沉积第一像素电极层111；

S19：在第一像素电极层111上沉积遮光层112；

S20：在遮光层112上涂覆钼树脂保护层(图未示)；

S21：在第二表面B沉积铟锡氧化物半导体层201；

S22：在半导体层201上沉积导电层(图未示)；

S23：在导电层上沉积保护层202；

S24：在保护层202上沉积第二像素电极层203；

S25：对第一表面A进行灰化或者刻蚀，去除第一表面A的钼树脂保护层；

S26：将连接线2贴附在基板1的侧表面，并将连接线2的两端分别连接第一表面A的第一像素电极层112和第二表面B的第二像素电极层204。

其中，为了更好的去除临时涂覆在遮光层112上并起保护作用的钼树脂保护层，在第二表面B依次沉积铟锡氧化物半导体层201、导电层、保护层202以及第二像素电极层203时，采用200度以下的低温工艺。

通过上述制作方法进行显示面板的制作，所制作出的显示面板无边框，满足消费者对简洁化的追求。

实施例二：

基于同一发明构思，本发明的实施例二提供一种显示面板，该显示面板根据以上制作方法制作而成，参考图1所示，显示面板包括：

基板1，具有第一表面A和与第一表面A相背的第二表面B，第一表面A设置有阵列层10，第二表面B设置有覆晶薄膜层20；

连接线2，设置于基板1的侧表面，且连接线2的两端分别电连接阵列层10和覆晶薄膜层20。

具体地，通过将阵列层10设置在基板1的第一表面A，而覆晶薄膜层20设置在基板1的第二表面B，其中，第一表面A和第二表面B相背，与此同时，基板1的侧表面设置有分别电连接阵列层10和覆晶薄膜层20的连接线2，从而实现了显示面板的无边框设计。

在本发明实施例中，参考图2所示，阵列层10包括：依次层叠形成在第一表面A的半导体层101、栅极绝缘层、栅极层102、绝缘层103、第一金属层104、第一平坦层105、第二金属层106、第二金属保护层107、凸台108、第三金属层109、第三金属保护层110、第一像素电极层111以及遮光层112；其中，第一像素电极层111和连接线2的一端电连接。

具体地，第二金属层106是涂覆在第二平坦层105的整个表面，从而实现了降低压降的目的；第二金属保护层107用于保护第二金属层106，防止在第三金属层109刻蚀的过程中影响第二金属层106；凸台108是用于抬高第三金属层109；第三金属层109为转印金属层，在完成转印后，像素阴极、阳极连接该第三金属层109，使其为发光二极管3提供电流；第三金属保护层110用于防止后续沉积第一像素电极层111的过程中，湿刻和环境中的水汽影响第三金属层109的稳定性；遮光层112用于防止第三金属层109出现漏光而影响显示效果。

在本发明实施例中，参考图2所示，覆晶薄膜层20包括：依次层叠形成在第二表面B的铟锡氧化物半导体层201、导电层、保护层202以及第二像素电极层203；其中，第二像素电极层203和连接线2的另一端电连接。

实施例二中的显示面板可以通过实施例一中的显示面板的制作方法制作，其所带来的技术效果和实施例一所带来的技术效果相同，此处不再赘述。

实施例三：

基于同一发明构思，本发明的实施例三提供一种显示装置，该显示装置包括：上述的显示面板。

具体地，该显示装置可以为：平板电脑、电视机、电子纸、手机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本实施例提供的显示装置可以执行上述方法实施例，其实现原理与技术效果类似，此处不再赘述。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

另外，在本发明的描述中，需要理解的是，术语“纵”、“横”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“相连”等应做广义理解，例如可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定、对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板的制作方法，包括：基板，所述基板具有第一表面和与所述第一表面相背的第二表面，其特征在于，所述方法包括：

在所述第一表面沉积阵列层；

在所述第二表面沉积覆晶薄膜层；

在所述基板的侧表面设置连接线，并将所述连接线的两端分别连接所述阵列层和所述覆晶薄膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二表面沉积覆晶薄膜层之前，还包括：在所述阵列层上涂覆钼树脂保护层；

在所述第二表面沉积覆晶薄膜层之后，还包括：将所述钼树脂保护层灰化或者刻蚀去除。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一表面沉积阵列层，包括：

在所述第一表面依次沉积半导体层、栅极绝缘层、栅极层、绝缘层、第一金属层及第一平坦层，通过刻蚀工艺，在所述第一平坦层形成暴露所述第一金属层的多个第一过孔；

在所述第一平坦层上沉积第二金属层；

在所述第二金属层上沉积第一像素电极层；

将所述第一像素电极层和所述连接线的一端连接。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第二金属层上沉积所述第一像素电极层，包括：

在所述第二金属层上沉积第二金属保护层；

通过刻蚀工艺，在所述第二金属保护层形成暴露所述第二金属层的多个第二过孔；

在所述第二金属保护层上沉积所述第一像素电极层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第二金属保护层上沉积所述第一像素电极层，包括：

在所述第二金属保护层上沉积第三金属层；

在所述第三金属层上沉积第三金属保护层；

通过刻蚀工艺，在所述第三金属保护层形成暴露所述第三金属层的多个第三过孔；

在所述第三金属保护层上沉积所述第一像素电极层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第二金属保护层上沉积所述第三金属层之前，还包括：

在所述第二金属保护层上沉积凸台。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第二金属保护层上沉积第一像素电极层之后，还包括：

在所述第一像素电极层上沉积遮光层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二表面沉积覆晶薄膜层，包括：

在所述第二表面沉积铟锡氧化物半导体层；

在所述铟锡氧化物半导体层上沉积导电层；

在所述导电层上沉积保护层；

在所述保护层上沉积第二像素电极层；

将所述第二像素电极层和所述连接线的另一端连接。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板采用如权利要求1-8任一项所述的显示面板的制作方法制得。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求9所述的显示面板。