JP5372776B2 - 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents

酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5372776B2
JP5372776B2 JP2009547088A JP2009547088A JP5372776B2 JP 5372776 B2 JP5372776 B2 JP 5372776B2 JP 2009547088 A JP2009547088 A JP 2009547088A JP 2009547088 A JP2009547088 A JP 2009547088A JP 5372776 B2 JP5372776 B2 JP 5372776B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor layer
target
film
oxide
field effect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009547088A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2009081885A1 (ja
Inventor
公規 矢野
浩和 川嶋
一吉 井上
重和 笘井
雅司 笠見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co Ltd filed Critical Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority to JP2009547088A priority Critical patent/JP5372776B2/ja
Publication of JPWO2009081885A1 publication Critical patent/JPWO2009081885A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5372776B2 publication Critical patent/JP5372776B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate
    • H10D30/6756—Amorphous oxide semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/40—Crystalline structures
    • H10D62/402—Amorphous materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/875—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being semiconductor metal oxide, e.g. InGaZnO

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Compounds Of Iron (AREA)
  • Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
JP2009547088A 2007-12-25 2008-12-19 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法 Expired - Fee Related JP5372776B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009547088A JP5372776B2 (ja) 2007-12-25 2008-12-19 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007332508 2007-12-25
JP2007332508 2007-12-25
JP2007338918 2007-12-28
JP2007338918 2007-12-28
JP2009547088A JP5372776B2 (ja) 2007-12-25 2008-12-19 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
PCT/JP2008/073252 WO2009081885A1 (ja) 2007-12-25 2008-12-19 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012230042A Division JP2013080929A (ja) 2007-12-25 2012-10-17 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2013194322A Division JP5759523B2 (ja) 2007-12-25 2013-09-19 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2009081885A1 JPWO2009081885A1 (ja) 2011-05-06
JP5372776B2 true JP5372776B2 (ja) 2013-12-18

Family

ID=40801186

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009547088A Expired - Fee Related JP5372776B2 (ja) 2007-12-25 2008-12-19 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2012230042A Pending JP2013080929A (ja) 2007-12-25 2012-10-17 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2013194322A Expired - Fee Related JP5759523B2 (ja) 2007-12-25 2013-09-19 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012230042A Pending JP2013080929A (ja) 2007-12-25 2012-10-17 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2013194322A Expired - Fee Related JP5759523B2 (ja) 2007-12-25 2013-09-19 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US8461583B2 (enExample)
JP (3) JP5372776B2 (enExample)
KR (1) KR101516034B1 (enExample)
CN (1) CN101911303B (enExample)
TW (1) TWI460862B (enExample)
WO (1) WO2009081885A1 (enExample)

Families Citing this family (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009194351A (ja) * 2007-04-27 2009-08-27 Canon Inc 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5213458B2 (ja) * 2008-01-08 2013-06-19 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ
KR101468591B1 (ko) * 2008-05-29 2014-12-04 삼성전자주식회사 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터
CN102227781B (zh) * 2008-12-18 2013-01-09 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 基于氧化锡的电极组合物
EP2373589B1 (en) * 2008-12-18 2017-03-29 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Bushing block
US20120037897A1 (en) * 2009-04-17 2012-02-16 Bridgestone Corporation Thin film transistor and method for manufacturing thin film transistor
JP2010251604A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Bridgestone Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JP2010251606A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Bridgestone Corp 薄膜トランジスタ
KR102503687B1 (ko) 2009-07-03 2023-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
WO2011007682A1 (en) * 2009-07-17 2011-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI746064B (zh) 2009-08-07 2021-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
TWI596741B (zh) * 2009-08-07 2017-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
KR102057221B1 (ko) * 2009-09-16 2019-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011037010A1 (en) * 2009-09-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and method for manufacturing the same
KR20120071393A (ko) 2009-09-24 2012-07-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2011043163A1 (en) 2009-10-05 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
IN2012DN01823A (enExample) 2009-10-16 2015-06-05 Semiconductor Energy Lab
KR101801540B1 (ko) 2009-10-16 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기
KR101772639B1 (ko) 2009-10-16 2017-08-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101847656B1 (ko) * 2009-10-21 2018-05-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101892430B1 (ko) * 2009-10-21 2018-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011048923A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. E-book reader
JP5730529B2 (ja) * 2009-10-21 2015-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP5562000B2 (ja) * 2009-10-28 2014-07-30 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 酸化物焼結体及びその製造方法
WO2011052385A1 (en) 2009-10-30 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102668096B (zh) 2009-10-30 2015-04-29 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
KR101299255B1 (ko) * 2009-11-06 2013-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20190066086A (ko) * 2009-11-06 2019-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011058934A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
WO2011062043A1 (en) * 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011070892A1 (en) * 2009-12-08 2011-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR20170116239A (ko) * 2009-12-11 2017-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계 효과 트랜지스터
KR101035357B1 (ko) * 2009-12-15 2011-05-20 삼성모바일디스플레이주식회사 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광소자
KR101097322B1 (ko) * 2009-12-15 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 산화물 반도체 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 산화물 반도체 박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광소자
KR102135817B1 (ko) * 2009-12-18 2020-07-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
WO2011078373A1 (en) * 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device, semiconductor device, and electronic device
TWI395298B (zh) * 2009-12-31 2013-05-01 Huang Chung Cheng 非揮發性記憶體及其製造方法
KR101822962B1 (ko) * 2010-02-05 2018-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8436403B2 (en) * 2010-02-05 2013-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor provided with sidewall and electronic appliance
KR20130023203A (ko) 2010-02-12 2013-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 구동 방법
JP2011181722A (ja) * 2010-03-02 2011-09-15 Idemitsu Kosan Co Ltd スパッタリングターゲット
KR102114012B1 (ko) * 2010-03-05 2020-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP5864875B2 (ja) 2010-03-22 2016-02-17 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにそれを含む表示装置
WO2011129456A1 (en) * 2010-04-16 2011-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and method for manufacturing semiconductor device
WO2011132591A1 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2011135987A1 (en) * 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US9496405B2 (en) 2010-05-20 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer
KR101801960B1 (ko) 2010-07-01 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2013531383A (ja) * 2010-07-02 2013-08-01 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー． 薄膜トランジスタ
US8642380B2 (en) 2010-07-02 2014-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JP5081959B2 (ja) * 2010-08-31 2012-11-28 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 酸化物焼結体及び酸化物半導体薄膜
WO2012029596A1 (en) 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5780902B2 (ja) * 2010-10-12 2015-09-16 出光興産株式会社 半導体薄膜、薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR101694876B1 (ko) * 2010-11-19 2017-01-23 삼성전자주식회사 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
CN103270602A (zh) * 2010-12-28 2013-08-28 株式会社神户制钢所 薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管
US9167234B2 (en) * 2011-02-14 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JPWO2012153522A1 (ja) * 2011-05-10 2014-07-31 出光興産株式会社 Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ系スパッタリングターゲット
US9209098B2 (en) 2011-05-19 2015-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. HVMOS reliability evaluation using bulk resistances as indices
US20120298998A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
KR101523333B1 (ko) * 2011-05-27 2015-05-27 미쓰이금속광업주식회사 산화물형 반도체 재료 및 스퍼터링 타깃
US8610482B2 (en) * 2011-05-27 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Trimming circuit and method for driving trimming circuit
CN102208453A (zh) * 2011-06-02 2011-10-05 上海大学 基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极
US8847220B2 (en) * 2011-07-15 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9099556B2 (en) * 2011-08-19 2015-08-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Transistor having an active region with wing structure
JP5301021B2 (ja) 2011-09-06 2013-09-25 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット
JP5888929B2 (ja) * 2011-10-07 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2013093561A (ja) 2011-10-07 2013-05-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物半導体膜及び半導体装置
JP6022880B2 (ja) 2011-10-07 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
JP5337224B2 (ja) * 2011-11-04 2013-11-06 株式会社コベルコ科研 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法
JP5318932B2 (ja) * 2011-11-04 2013-10-16 株式会社コベルコ科研 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法
US9082861B2 (en) * 2011-11-11 2015-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor with oxide semiconductor channel having protective layer
JP6059968B2 (ja) * 2011-11-25 2017-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び液晶表示装置
TWI562361B (en) 2012-02-02 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
JP5999525B2 (ja) * 2012-03-23 2016-09-28 国立研究開発法人科学技術振興機構 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
JP2013229453A (ja) * 2012-04-26 2013-11-07 Sony Corp 半導体装置、表示装置及び半導体装置の製造方法
JP6078288B2 (ja) * 2012-06-13 2017-02-08 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、半導体薄膜及びそれを用いた薄膜トランジスタ
TWI631579B (zh) * 2012-07-03 2018-08-01 Ｊｘ日鑛日石金屬股份有限公司 Sintered body and amorphous film
JP5550768B1 (ja) * 2012-07-03 2014-07-16 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 焼結体及びアモルファス膜
US20140014943A1 (en) * 2012-07-16 2014-01-16 National Chung Cheng University Amorphous phase yttrium-doped indium zinc oxide thin film transistors and method for making same
JP5965338B2 (ja) * 2012-07-17 2016-08-03 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
JP6033594B2 (ja) * 2012-07-18 2016-11-30 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
CN102779758B (zh) * 2012-07-24 2015-07-29 复旦大学 一种以铟锌铝氧化物为沟道层的薄膜晶体管的制备方法
JP6052967B2 (ja) * 2012-08-31 2016-12-27 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット
JP6188712B2 (ja) * 2012-11-08 2017-08-30 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット
JP6059513B2 (ja) 2012-11-14 2017-01-11 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
JP6107085B2 (ja) * 2012-11-22 2017-04-05 住友金属鉱山株式会社 酸化物半導体薄膜および薄膜トランジスタ
JP6015389B2 (ja) * 2012-11-30 2016-10-26 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
JP5907086B2 (ja) * 2013-02-06 2016-04-20 住友金属鉱山株式会社 酸化インジウム系の酸化物焼結体およびその製造方法
US10304859B2 (en) * 2013-04-12 2019-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
JP6394171B2 (ja) 2013-10-30 2018-09-26 株式会社リコー 電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム
KR102080484B1 (ko) 2013-10-31 2020-02-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 및 그의 제조방법
US9590111B2 (en) 2013-11-06 2017-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the semiconductor device
JP6260992B2 (ja) * 2014-01-31 2018-01-17 国立研究開発法人物質・材料研究機構 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP6119773B2 (ja) * 2014-03-25 2017-04-26 住友電気工業株式会社 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス
JP2016058554A (ja) * 2014-09-09 2016-04-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタ
US10087517B2 (en) 2014-10-22 2018-10-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxide sintered body and semiconductor device
US10192994B2 (en) 2015-01-26 2019-01-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxide semiconductor film including indium, tungsten and zinc and thin film transistor device
JP6560497B2 (ja) * 2015-01-27 2019-08-14 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｚｎ−Ｗ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6288292B2 (ja) 2015-02-13 2018-03-07 住友電気工業株式会社 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス
CN106206743B (zh) * 2015-05-04 2020-04-28 清华大学 薄膜晶体管及其制备方法、薄膜晶体管面板以及显示装置
CN106206684B (zh) * 2015-05-04 2020-06-09 清华大学 氧化物半导体膜及其制备方法
CN106435491B (zh) * 2015-08-06 2019-02-12 清华大学 溅射靶及氧化物半导体膜以及其制备方法
CN106435490B (zh) * 2015-08-06 2018-11-30 清华大学 溅射靶及氧化物半导体膜以及其制备方法
JP6828293B2 (ja) * 2015-09-15 2021-02-10 株式会社リコー ｎ型酸化物半導体膜形成用塗布液、ｎ型酸化物半導体膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法
JP6042520B1 (ja) * 2015-11-05 2016-12-14 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6412539B2 (ja) 2015-11-09 2018-10-24 日東電工株式会社 光透過性導電フィルムおよび調光フィルム
KR102106366B1 (ko) * 2015-11-25 2020-05-04 가부시키가이샤 아루박 박막 트랜지스터, 산화물 반도체막 및 스퍼터링 타겟
JP6593257B2 (ja) 2016-06-13 2019-10-23 住友電気工業株式会社 半導体デバイスおよびその製造方法
JP6800405B2 (ja) * 2016-07-14 2020-12-16 東ソー株式会社 酸化物焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット
CN110651370B (zh) * 2017-06-05 2023-12-22 凸版印刷株式会社 半导体装置、显示装置及溅射靶
JP6550514B2 (ja) * 2017-11-29 2019-07-24 株式会社神戸製鋼所 ディスプレイ用酸化物半導体薄膜、ディスプレイ用薄膜トランジスタ及びディスプレイ用スパッタリングターゲット
WO2019107043A1 (ja) * 2017-11-29 2019-06-06 株式会社神戸製鋼所 酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット
CN108178624A (zh) 2018-01-03 2018-06-19 京东方科技集团股份有限公司 一种氧化物靶材及其制备方法、薄膜晶体管、显示装置
WO2020241227A1 (ja) * 2019-05-30 2020-12-03 株式会社コベルコ科研 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット
JP2020196660A (ja) * 2019-05-30 2020-12-10 株式会社コベルコ科研 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット
JP6756875B1 (ja) * 2019-05-30 2020-09-16 株式会社神戸製鋼所 ディスプレイ用酸化物半導体薄膜、ディスプレイ用薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット
CN110767745A (zh) * 2019-09-18 2020-02-07 华南理工大学 复合金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用
KR102738325B1 (ko) 2019-10-30 2024-12-03 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 그를 포함한 게이트 구동부, 및 그를 포함한 표시장치
JP7440372B2 (ja) * 2020-08-11 2024-02-28 株式会社アルバック 酸化物半導体膜の形成方法及び電子部品
KR102462893B1 (ko) 2020-10-21 2022-11-04 경희대학교 산학협력단 산화물 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
CN113735564A (zh) * 2021-08-11 2021-12-03 芜湖映日科技股份有限公司 一种Nb掺杂IZO靶胚及其制备方法
KR20240112815A (ko) * 2022-01-31 2024-07-19 미쓰이금속광업주식회사 스퍼터링 타깃재 및 산화물 반도체의 제조 방법
US20250220976A1 (en) * 2022-04-15 2025-07-03 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Oxide semiconductor film, thin film transistor, sputtering target, and oxide sintered body
KR102793003B1 (ko) * 2022-11-30 2025-04-09 한국생산기술연구원 강유전체 전계 효과 트랜지스터 및 이를 제조하는 방법
CN116947311B (zh) * 2023-07-26 2024-03-08 连云港福京石英制品有限公司 大功率激光器增益介质用掺杂石英玻璃其制备方法
JP7625671B1 (ja) 2023-10-17 2025-02-03 株式会社コベルコ科研 酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット
CN117926194A (zh) * 2024-01-22 2024-04-26 郑州大学 稀土掺杂izo氧化物靶材及其制备方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4837811B2 (ja) * 1998-04-09 2011-12-14 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
EP1083776A4 (en) * 1999-02-15 2003-10-15 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION
CN1195886C (zh) * 1999-11-25 2005-04-06 出光兴产株式会社 溅射靶、透明导电氧化物和制备该溅射靶的方法
JP4090716B2 (ja) * 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
US20050146266A1 (en) * 2002-02-12 2005-07-07 Hitoshi Kuma Organic el display and its production method
JP2004303650A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20070001169A (ko) * 2004-03-05 2007-01-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 반투명ㆍ반사 전극 기판, 그의 제조 방법, 및 이러한반투과ㆍ반반사 전극 기판을 이용한 액정 표시 장치
KR101101456B1 (ko) * 2004-03-09 2012-01-03 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 기판, 이들의 제조방법, 이들을 사용한 액정 표시 장치, 관련된 장치 및방법, 및 스퍼터링 타깃, 이것을 사용하여 성막한 투명도전막, 투명 전극, 및 관련된 장치 및 방법
CN1998087B (zh) 2004-03-12 2014-12-31 独立行政法人科学技术振兴机构 非晶形氧化物和薄膜晶体管
US7145174B2 (en) * 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
JP4826066B2 (ja) * 2004-04-27 2011-11-30 住友金属鉱山株式会社 非晶質の透明導電性薄膜およびその製造方法、並びに、該非晶質の透明導電性薄膜を得るためのスパッタリングターゲットおよびその製造方法
CA2585190A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Amorphous oxide and field effect transistor
JP5138163B2 (ja) 2004-11-10 2013-02-06 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
CN101138052B (zh) * 2005-03-09 2011-04-13 出光兴产株式会社 非晶质透明导电膜和非晶质透明导电膜的制造方法
JP4697404B2 (ja) * 2005-04-18 2011-06-08 三菱マテリアル株式会社 光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP4738931B2 (ja) * 2005-07-29 2011-08-03 富士フイルム株式会社 ナノ粒子分散液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス
JP4947942B2 (ja) * 2005-09-20 2012-06-06 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット
JP5058469B2 (ja) 2005-09-06 2012-10-24 キヤノン株式会社 スパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた薄膜の形成方法
JP4981283B2 (ja) 2005-09-06 2012-07-18 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ
KR101080527B1 (ko) * 2005-09-20 2011-11-04 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟, 투명 도전막 및 투명 전극
JP5376750B2 (ja) * 2005-11-18 2013-12-25 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
JP5395994B2 (ja) * 2005-11-18 2014-01-22 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
WO2007058248A1 (ja) 2005-11-18 2007-05-24 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
JP2007212699A (ja) 2006-02-09 2007-08-23 Idemitsu Kosan Co Ltd 反射型ｔｆｔ基板及び反射型ｔｆｔ基板の製造方法
JP2007311404A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Fuji Electric Holdings Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP5244331B2 (ja) * 2007-03-26 2013-07-24 出光興産株式会社 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット
WO2010110571A2 (en) * 2009-03-23 2010-09-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductor and thin film transistor including the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101516034B1 (ko) 2015-05-04
US20130140175A1 (en) 2013-06-06
JPWO2009081885A1 (ja) 2011-05-06
WO2009081885A1 (ja) 2009-07-02
TW200943552A (en) 2009-10-16
JP2013080929A (ja) 2013-05-02
CN101911303A (zh) 2010-12-08
US8723175B2 (en) 2014-05-13
KR20100094535A (ko) 2010-08-26
US20100276688A1 (en) 2010-11-04
CN101911303B (zh) 2013-03-27
US8791457B2 (en) 2014-07-29
JP5759523B2 (ja) 2015-08-05
JP2014030040A (ja) 2014-02-13
US20130313548A1 (en) 2013-11-28
US8461583B2 (en) 2013-06-11
TWI460862B (zh) 2014-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5372776B2 (ja) 酸化物半導体電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5829659B2 (ja) スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5307144B2 (ja) 電界効果型トランジスタ、その製造方法及びスパッタリングターゲット
JP5376750B2 (ja) 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
JP5395994B2 (ja) 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
JP2017095346A (ja) 複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット
JP2009253204A (ja) 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2009231664A (ja) 電界効果トランジスタ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110624

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121017

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20121017

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20121119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121204

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130326

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130509

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130702

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130807

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130910

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130918

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5372776

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees