JP5323299B2 - 有機半導体を用いた薄膜トランジスタ表示板の製造方法 - Google Patents
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Description
<第1実施例>
[構造〕
本発明の第1実施例における構造を詳細に説明する。
[作用]
上述のように構成された本発明の第1実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の作用を説明する。
[製造方法]
次に、第1実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法を詳細に説明する。
[構造]
次に、本発明の第2実施例による有機半導体薄膜トランジスタ表示板の構造を詳細に説明する。本発明の第2実施例による有機半導体薄膜トランジスタ表示板を図4に示す。ここで、既に示した図面と同じ参照符号は同じ機能をもつ同じ部材を指す。
上記のように構成された本発明の第2実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の作用は、第1実施例と同様の作用を有している。
次に、第2実施例による有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法を詳細に説明する。図5a乃至図5fは、本発明の第2実施例による製造方法を示すものである。まず、図5aに示すように、透明な絶縁基板110上にゲート電極123を含むゲート配線121、123、125を形成する。透明な絶縁基板110には、ガラス、シリコンまたはプラスチックが用いられる。そして、ゲート配線121、123、125は、絶縁基板110上に金などの導電層を蒸着し、これを写真エッチング方法でパターニングして形成する。
[構造]
次に、本発明の第3実施例による有機半導体薄膜トランジスタ表示板の構造を詳細に説明する。本発明の第3実施例による有機半導体薄膜トランジスタ表示板を図6に示す。ここで、既に示した図面と同一な参照符号は同じ機能をもつ同じ部材を指す。
[作用]
上記のように構成された本発明の第3実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の作用は、第1実施例と同様の作用を有している。
[製造方法]
次に、本発明の第3実施例による有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法を詳細に説明する。図7a乃至図7fは、本発明の第3実施例による有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法を示すものである。
<第4実施例>
[構造]
次に、本発明の第4実施例による有機半導体薄膜トランジスタ表示板の構造を詳細に説明する。本発明の第4実施例による有機半導体薄膜トランジスタ表示板を図8に示す。ここで、既に示した図面と同一な参照符号は同じ機能をもつ同じ部材を指す。図8は本発明の第4実施例による有機半導体薄膜トランジスタ表示板の断面図であって、図1のII-II´線による断面図である。図1は本発明の第4実施例による有機半導体薄膜トランジスタ表示板の配置図でもある。
[作用]
上記のように構成された本発明の第4実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の作用は、第1実施例と同様の作用を有している。
[製造方法]
次に、第4実施例による有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法を詳細に説明する。図9a乃至図9fは、本発明の第4実施例による有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造段階を示すものである。
以下より、本発明の実施例1乃至実施例4による有機半導体薄膜トランジスタについての効果を詳細に説明する。
121 ゲート線
123 ゲート電極
140 ゲート絶縁層
150 有機半導体層
160 隔壁絶縁層
161 トレンチ溝
173 ソース電極
175 ドレーン電極
180 保護膜
181 接触孔
190 画素電極
Claims (4)
- 絶縁基板上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極を露出するトレンチ溝を有する隔壁絶縁膜を形成する段階と、
前記トレンチ溝の内部に、前記ゲート電極と、前記トレンチ溝内の前記絶縁基板とを覆うゲート絶縁層を局部的に形成する段階と、
前記ゲート絶縁層及び前記隔壁絶縁膜上にソース電極及びドレーン電極を形成する段階と、
前記トレンチ溝に有機半導体層を形成する段階と、
前記有機半導体層、前記隔壁絶縁層、前記ソース電極及び前記ドレーン電極の上に、前記ドレーン電極を露出する接触孔を有する保護膜を形成する段階と、
前記接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極を形成する段階と、
を含み、
前記ゲート絶縁層は、その誘電率が前記隔壁絶縁層の誘電率より大きい有機絶縁物質からなる、有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記ゲート絶縁層を形成する段階では、マレイミドスチレン、ポリビニルフェノール及びモディファイドシアノエチルプルランのうちの少なくとも1つの化合物を印刷してゲート絶縁層を形成する、請求項1に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 絶縁基板上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極を露出するトレンチ溝を有する隔壁絶縁膜を形成する段階と、
前記トレンチ溝の内部に、前記ゲート電極と、前記トレンチ溝内の前記絶縁基板とを覆うゲート絶縁層を局部的に形成する段階と、
前記トレンチ溝内部の前記ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成する段階と、
前記有機半導体層及び前記隔壁絶縁膜上にソース電極及びドレーン電極を形成する段階と、
前記ソース及びドレーン電極上に前記ドレーン電極を露出する接触孔を有する保護膜を形成する段階と、
前記接触孔を通じて前記ドレーン電極と連結される画素電極を形成する段階と、
を含み、
前記ゲート絶縁層は、その誘電率が前記隔壁絶縁層の誘電率より大きい有機絶縁物質からなる、有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記ゲート絶縁層を形成する段階では、マレイミドスチレン、ポリビニルフェノール及びモディファイドシアノエチルプルランのうちの少なくとも1つの化合物を印刷してゲート絶縁層を形成する、請求項3に記載の有機半導体薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
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