JP4916101B2 - 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム - Google Patents

光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム Download PDF

Info

Publication number
JP4916101B2
JP4916101B2 JP2004254360A JP2004254360A JP4916101B2 JP 4916101 B2 JP4916101 B2 JP 4916101B2 JP 2004254360 A JP2004254360 A JP 2004254360A JP 2004254360 A JP2004254360 A JP 2004254360A JP 4916101 B2 JP4916101 B2 JP 4916101B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor region
region
solid
element isolation
state imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004254360A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2006073735A (ja
JP2006073735A5 (enrdf_load_stackoverflow
Inventor
彰 沖田
正徳 小倉
誠一郎 酒井
高典 渡邉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2004254360A priority Critical patent/JP4916101B2/ja
Priority to US11/212,630 priority patent/US7514732B2/en
Publication of JP2006073735A publication Critical patent/JP2006073735A/ja
Publication of JP2006073735A5 publication Critical patent/JP2006073735A5/ja
Priority to US12/390,836 priority patent/US8134190B2/en
Priority to US13/371,738 priority patent/US20120181590A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4916101B2 publication Critical patent/JP4916101B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/802Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/807Pixel isolation structures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/813Electronic components shared by multiple pixels, e.g. one amplifier shared by two pixels

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
JP2004254360A 2004-09-01 2004-09-01 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム Expired - Fee Related JP4916101B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004254360A JP4916101B2 (ja) 2004-09-01 2004-09-01 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム
US11/212,630 US7514732B2 (en) 2004-09-01 2005-08-29 Image pickup apparatus and image pickup system having plural semiconductor regions of a same conductivity type, with one of the semiconductor regions having a higher impurity concentration than and providing a potential to another of the semiconductor regions
US12/390,836 US8134190B2 (en) 2004-09-01 2009-02-23 Image pickup apparatus and image pickup system
US13/371,738 US20120181590A1 (en) 2004-09-01 2012-02-13 Image pickup apparatus and image pickup system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004254360A JP4916101B2 (ja) 2004-09-01 2004-09-01 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011289883A Division JP5414781B2 (ja) 2011-12-28 2011-12-28 光電変換装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006073735A JP2006073735A (ja) 2006-03-16
JP2006073735A5 JP2006073735A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2007-09-20
JP4916101B2 true JP4916101B2 (ja) 2012-04-11

Family

ID=35941788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004254360A Expired - Fee Related JP4916101B2 (ja) 2004-09-01 2004-09-01 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム

Country Status (2)

Country Link
US (3) US7514732B2 (enrdf_load_stackoverflow)
JP (1) JP4916101B2 (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3890333B2 (ja) * 2004-02-06 2007-03-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP4067054B2 (ja) * 2004-02-13 2008-03-26 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
US7605415B2 (en) 2004-06-07 2009-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup device comprising photoelectric conversation unit, floating diffusion region and guard ring
US7294818B2 (en) * 2004-08-24 2007-11-13 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup device and image pickup system comprising it
JP4971586B2 (ja) * 2004-09-01 2012-07-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5089017B2 (ja) * 2004-09-01 2012-12-05 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像システム
JP2006073736A (ja) * 2004-09-01 2006-03-16 Canon Inc 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム
JP2006073885A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Canon Inc 固体撮像装置、その製造方法、およびデジタルカメラ
KR100690880B1 (ko) * 2004-12-16 2007-03-09 삼성전자주식회사 픽셀별 광감도가 균일한 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP2006197392A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Canon Inc 固体撮像装置、カメラ、及び固体撮像装置の駆動方法
JP4459064B2 (ja) * 2005-01-14 2010-04-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ
JP4416668B2 (ja) 2005-01-14 2010-02-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ
JP4459098B2 (ja) 2005-03-18 2010-04-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP4677258B2 (ja) 2005-03-18 2011-04-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP4794877B2 (ja) * 2005-03-18 2011-10-19 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP4459099B2 (ja) * 2005-03-18 2010-04-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
US8274715B2 (en) * 2005-07-28 2012-09-25 Omnivision Technologies, Inc. Processing color and panchromatic pixels
US8139130B2 (en) 2005-07-28 2012-03-20 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with improved light sensitivity
JP4827508B2 (ja) 2005-12-02 2011-11-30 キヤノン株式会社 撮像システム
JP2007242697A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Canon Inc 撮像装置および撮像システム
US7916362B2 (en) * 2006-05-22 2011-03-29 Eastman Kodak Company Image sensor with improved light sensitivity
JP4804254B2 (ja) * 2006-07-26 2011-11-02 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像装置
JP4956084B2 (ja) * 2006-08-01 2012-06-20 キヤノン株式会社 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム
JP5132102B2 (ja) * 2006-08-01 2013-01-30 キヤノン株式会社 光電変換装置および光電変換装置を用いた撮像システム
JP5110820B2 (ja) * 2006-08-02 2012-12-26 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム
JP5173171B2 (ja) 2006-09-07 2013-03-27 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像装置及び信号読出方法
US8031258B2 (en) 2006-10-04 2011-10-04 Omnivision Technologies, Inc. Providing multiple video signals from single sensor
US7459668B2 (en) * 2007-03-06 2008-12-02 Micron Technology, Inc. Method, apparatus, and system to reduce ground resistance in a pixel array
JP4350768B2 (ja) * 2007-04-16 2009-10-21 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像装置
JP2009021809A (ja) * 2007-07-11 2009-01-29 Canon Inc 撮像装置の駆動方法、撮像装置、及び撮像システム
JP4991436B2 (ja) 2007-08-02 2012-08-01 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
EP2037667B1 (en) * 2007-09-14 2017-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing apparatus and imaging system
JP2009141631A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Canon Inc 光電変換装置及び撮像装置
JP5153378B2 (ja) * 2008-02-15 2013-02-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
JP5268389B2 (ja) 2008-02-28 2013-08-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その駆動方法及び撮像システム
JP5173493B2 (ja) * 2008-02-29 2013-04-03 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP5335271B2 (ja) 2008-04-09 2013-11-06 キヤノン株式会社 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム
US7807955B2 (en) * 2008-05-30 2010-10-05 Eastman Kodak Company Image sensor having reduced well bounce
JP5188275B2 (ja) 2008-06-06 2013-04-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その駆動方法及び撮像システム
JP5089514B2 (ja) * 2008-07-11 2012-12-05 キヤノン株式会社 撮像装置、及び撮像システム
JP4617372B2 (ja) * 2008-08-29 2011-01-26 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP5274166B2 (ja) * 2008-09-10 2013-08-28 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP5478905B2 (ja) * 2009-01-30 2014-04-23 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP2010206178A (ja) 2009-02-06 2010-09-16 Canon Inc 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法
JP5538922B2 (ja) * 2009-02-06 2014-07-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2010206181A (ja) * 2009-02-06 2010-09-16 Canon Inc 光電変換装置及び撮像システム
JP2010199154A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Canon Inc 固体撮像素子
JP5517503B2 (ja) * 2009-06-24 2014-06-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5564874B2 (ja) 2009-09-25 2014-08-06 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
JP5538876B2 (ja) * 2009-12-25 2014-07-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5581698B2 (ja) * 2010-01-06 2014-09-03 株式会社ニコン 固体撮像素子
JP5538976B2 (ja) * 2010-03-29 2014-07-02 ソニー株式会社 固体撮像素子、撮像装置
JP5780711B2 (ja) 2010-04-06 2015-09-16 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5709404B2 (ja) * 2010-05-10 2015-04-30 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法
JP5814613B2 (ja) 2010-05-21 2015-11-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5745369B2 (ja) 2010-09-06 2015-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
JP6081694B2 (ja) * 2010-10-07 2017-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 光検出装置
JP5864990B2 (ja) 2011-10-03 2016-02-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP5967944B2 (ja) 2012-01-18 2016-08-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP6023437B2 (ja) 2012-02-29 2016-11-09 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
CN104160295B (zh) * 2012-03-09 2017-09-15 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的驱动方法
US9541386B2 (en) * 2012-03-21 2017-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Distance measurement device and distance measurement system
US9093351B2 (en) 2012-03-21 2015-07-28 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging apparatus
JP6108884B2 (ja) 2013-03-08 2017-04-05 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP2014175553A (ja) 2013-03-11 2014-09-22 Canon Inc 固体撮像装置およびカメラ
JP6174901B2 (ja) 2013-05-10 2017-08-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP5842903B2 (ja) * 2013-12-18 2016-01-13 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
JP5874778B2 (ja) * 2014-04-30 2016-03-02 ソニー株式会社 撮像素子、撮像装置
JP6529221B2 (ja) * 2014-05-14 2019-06-12 キヤノン株式会社 光電変換装置及びその製造方法
JP6109125B2 (ja) 2014-08-20 2017-04-05 キヤノン株式会社 半導体装置、固体撮像装置、および撮像システム
JP2016082306A (ja) 2014-10-10 2016-05-16 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム及び撮像装置の駆動方法
JP6123866B2 (ja) * 2015-10-26 2017-05-10 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
JP6732468B2 (ja) 2016-02-16 2020-07-29 キヤノン株式会社 光電変換装置及びその駆動方法
JP6738200B2 (ja) 2016-05-26 2020-08-12 キヤノン株式会社 撮像装置
US10319765B2 (en) 2016-07-01 2019-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device having an effective pixel region, an optical black region and a dummy region each with pixels including a photoelectric converter
JP7084700B2 (ja) 2017-06-16 2022-06-15 キヤノン株式会社 光電変換装置およびスキャナ
JP7214454B2 (ja) 2018-12-06 2023-01-30 キヤノン株式会社 光電変換素子及び撮像装置
US11425365B2 (en) 2018-12-14 2022-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device, method of manufacturing photoelectric conversion device, and method of manufacturing semiconductor device
JP7336206B2 (ja) 2019-02-27 2023-08-31 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
JP2023124491A (ja) 2022-02-25 2023-09-06 キヤノン株式会社 光電変換装置

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3501138A1 (de) 1984-01-18 1985-07-18 Canon K.K., Tokio/Tokyo Bildaufnahmevorrichtung
US4663669A (en) 1984-02-01 1987-05-05 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing apparatus
JP2601271B2 (ja) 1987-04-28 1997-04-16 オリンパス光学工業株式会社 固体撮像装置
JPH0448051Y2 (enrdf_load_stackoverflow) * 1987-09-11 1992-11-12
US5261013A (en) 1989-02-21 1993-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same
GB2228366B (en) 1989-02-21 1993-09-29 Canon Kk Photoelectric converter and image reading apparatus mounting the same
JPH04342164A (ja) * 1991-05-20 1992-11-27 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の形成方法
JP3067435B2 (ja) 1992-12-24 2000-07-17 キヤノン株式会社 画像読取用光電変換装置及び該装置を有する画像処理装置
JP3302187B2 (ja) * 1994-08-18 2002-07-15 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ、これを用いた半導体装置、液晶表示装置
JPH1197705A (ja) * 1997-09-23 1999-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体集積回路
JPH11163329A (ja) * 1997-11-27 1999-06-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
KR100263474B1 (ko) * 1998-01-16 2000-08-01 김영환 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법
US6657665B1 (en) 1998-12-31 2003-12-02 Eastman Kodak Company Active Pixel Sensor with wired floating diffusions and shared amplifier
JP3467013B2 (ja) * 1999-12-06 2003-11-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP3782297B2 (ja) * 2000-03-28 2006-06-07 株式会社東芝 固体撮像装置及びその製造方法
JP2001332714A (ja) 2000-05-22 2001-11-30 Canon Inc 固体撮像装置
KR20020096336A (ko) * 2001-06-19 2002-12-31 삼성전자 주식회사 씨모스형 촬상 장치
US6906364B2 (en) * 2001-06-26 2005-06-14 United Microelectronics Corp. Structure of a CMOS image sensor
JP2003031787A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Canon Inc 固体撮像素子及びその駆動方法
JP4282049B2 (ja) * 2002-02-28 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体装置、光電変換装置及びカメラ
JP2003324191A (ja) * 2002-05-02 2003-11-14 Canon Inc 光電変換装置及び撮像装置
JP3792628B2 (ja) * 2002-09-02 2006-07-05 富士通株式会社 固体撮像装置及び画像読み出し方法
JP2004228425A (ja) * 2003-01-24 2004-08-12 Renesas Technology Corp Cmosイメージセンサの製造方法
JP4514188B2 (ja) * 2003-11-10 2010-07-28 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像装置
JP4508619B2 (ja) 2003-12-03 2010-07-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP3793202B2 (ja) 2004-02-02 2006-07-05 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP3890333B2 (ja) 2004-02-06 2007-03-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP4067054B2 (ja) 2004-02-13 2008-03-26 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
US7605415B2 (en) * 2004-06-07 2009-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup device comprising photoelectric conversation unit, floating diffusion region and guard ring
JP4455435B2 (ja) 2004-08-04 2010-04-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び同固体撮像装置を用いたカメラ
US7294818B2 (en) 2004-08-24 2007-11-13 Canon Kabushiki Kaisha Solid state image pickup device and image pickup system comprising it
JP5089017B2 (ja) 2004-09-01 2012-12-05 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像システム
JP4971586B2 (ja) 2004-09-01 2012-07-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP2006073736A (ja) * 2004-09-01 2006-03-16 Canon Inc 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム
JP2006073885A (ja) 2004-09-03 2006-03-16 Canon Inc 固体撮像装置、その製造方法、およびデジタルカメラ
JP2006197392A (ja) 2005-01-14 2006-07-27 Canon Inc 固体撮像装置、カメラ、及び固体撮像装置の駆動方法
JP4459064B2 (ja) 2005-01-14 2010-04-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ
JP4416668B2 (ja) 2005-01-14 2010-02-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ
JP4459098B2 (ja) 2005-03-18 2010-04-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP4677258B2 (ja) 2005-03-18 2011-04-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP4459099B2 (ja) 2005-03-18 2010-04-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP4794877B2 (ja) 2005-03-18 2011-10-19 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ

Also Published As

Publication number Publication date
US20090159945A1 (en) 2009-06-25
JP2006073735A (ja) 2006-03-16
US8134190B2 (en) 2012-03-13
US20060043393A1 (en) 2006-03-02
US7514732B2 (en) 2009-04-07
US20120181590A1 (en) 2012-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4916101B2 (ja) 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム
US7456880B2 (en) Photoelectric conversion element having a plurality of semiconductor regions and including conductive layers provided on each isolation element region
JP4514188B2 (ja) 光電変換装置及び撮像装置
TWI389307B (zh) 固態成像裝置及攝影機
KR101529094B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 카메라
US7709869B2 (en) Photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, and image sensing system
JP3647390B2 (ja) 電荷転送装置、固体撮像装置及び撮像システム
US9711558B2 (en) Imaging device with photoelectric converter
JP5531580B2 (ja) 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP6025750B2 (ja) 撮像装置
US20150069478A1 (en) Solid-state imaging device
JP2008060356A (ja) 光電変換装置及び撮像システム
CN100429780C (zh) 固体摄像装置
US20240079432A1 (en) Photodetector and electronic apparatus
JP2017152481A (ja) 画素ユニット、及び撮像素子
JP5414781B2 (ja) 光電変換装置の製造方法
JP5581698B2 (ja) 固体撮像素子
JP6775206B2 (ja) 撮像装置
US11430827B2 (en) Photoelectric conversion apparatus and camera
JP6536627B2 (ja) 固体撮像装置及び電子機器
WO2025094625A1 (ja) 光検出装置、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2003324191A (ja) 光電変換装置及び撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070803

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070803

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080207

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20090326

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20090427

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100420

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110812

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111011

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120120

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120124

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees