JP5709404B2 - 固体撮像装置およびその駆動方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。図1に本発明に係る固体撮像装置の第1の実施例の等価回路図を示す。図1において、点線に囲まれた要素が1つの画素10aに含まれる。図1の等価回路では6個の画素が3行2列に配された構成を示している。各画素において同様の機能を有する要素には同じ数字の符号を付し、画素毎に異なるアルファベットを数字の末尾に付して区別する。なお、本発明はこのような画素数に限られることはなく、複数の画素が行列状に配されていればよい。
以下に実施例1の変形例について説明する。
図3は本発明に係る固体撮像装置の第2の実施例による画素の等価回路図を表し、20はフォトダイオード、21は転送MOSトランジスタである。図1と同じ機能を有する部分には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
図4は本発明に係る固体撮像装置の第3の実施例における画素領域の断面概略図である。本実施例では光電変換部の上部に、入射光を導くための光ガイドが配されたことが特徴である。22は入射した光をフォトダイオード1の表面に効率良く導くための光ガイド、23は画素への入射光を光ガイド22へ集光するためのマイクロレンズである。図2と同様の機能を有する部分には同じ番号を付し、詳細な説明は省略する。
図5は本発明に係る固体撮像装置の第4の実施例による画素の断面概略図である。図4と同じ機能を有する部分には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
2 転送MOSトランジスタ
3 フローティングディフュージョン
4 リセットMOSトランジスタ
6 出力信号線
7 増幅トランジスタ
8 結合容量
9 半導体基板
11 表面P型拡散層
12 N型拡散層
13 転送電極
14 P型ソース領域
15 リセット電極
16 フローティングディフュージョン
19 出力信号線
Claims (21)
- 光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷が転送される制御電極を有する増幅トランジスタと、を有する画素が行列状に配され、
各行に含まれる複数の前記画素からの信号が列ごとに設けられた出力信号線に並列に出力される固体撮像装置において、
行列状に配された前記画素は、第1の画素と、前記第1の画素とは並列に前記信号が出力されない第2の画素とを含み、
前記制御電極をリセットするための電圧を供給する第1のリセット電源供給部及び第2のリセット電源供給部と、
前記第1のリセット電源供給部と前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第1のリセットトランジスタと、
前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極と前記第2の画素の増幅トランジスタの制御電極との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第2のリセットトランジスタと、
前記第2の画素の増幅トランジスタの制御電極と前記第2のリセット電源供給部との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第3のリセットトランジスタと、
を備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷が転送される制御電極を有する増幅トランジスタと、を有する画素が行列状に配され、
各列に含まれる複数の前記画素が、列ごとに設けられた出力信号線に接続される固体撮像装置において、
前記各列に含まれる複数の前記画素は、第1の画素と、前記第1の画素とは異なる行に含まれる第2の画素とを含み、
前記制御電極をリセットするための電圧を供給する第1のリセット電源供給部及び第2のリセット電源供給部と、
前記第1のリセット電源供給部と前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第1のリセットトランジスタと、
前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極と前記第2の画素の増幅トランジスタの制御電極との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第2のリセットトランジスタと、
前記第2の画素の増幅トランジスタの制御電極と前記第2のリセット電源供給部との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第3のリセットトランジスタと、
を備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記増幅トランジスタが第1の導電型であり、前記第1及び前記第2のリセットトランジスタの導電型が、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型であり、
前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極が、前記第1リセットトランジスタ及び前記第2リセットトランジスタの主電極に接続され、
前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極と、前記第1のリセットトランジスタまたは前記第2のリセットトランジスタの制御電極との間に結合容量を有し、
前記結合容量を介して、前記リセットトランジスタの制御電極に供給された電圧で、前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極の電位を制御する
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記第1のリセット電源供給部は第1のリセット電源線を含み、
前記第2のリセット電源供給部は第2のリセット電源線を含み、
前記第1のリセット電源線及び前記第2のリセット電源線は、画素領域外に配されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記増幅トランジスタの導電型がP型であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記画素に、前記光電変換部で発生した電荷を、前記増幅トランジスタの制御電極に転送する転送トランジスタが含まれることを特徴とすることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部で発生した電荷を、それぞれ1つの増幅トランジスタの制御電極に転送する複数の転送トランジスタとを有することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換部の上部に、入射光を前記光電変換部に導くための光ガイドが配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換部が配された半導体基板を有し、
前記半導体基板の第1主面側に前記出力信号線が配され、
前記第1主面とは反対の第2主面側から前記光電変換部に光が入射する裏面照射型であることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記増幅トランジスタは接合型電界効果トランジスタ、バイポーラトランジスタ、または静電誘導トランジスタのいずれかであることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記増幅トランジスタ及び前記リセットトランジスタが配された半導体領域を有し、
前記増幅トランジスタの一方の主電極領域には前記半導体領域を介して電圧が供給されることを特徴とする請求項10に記載の固体撮像装置。 - 行列状に配された前記画素の1列に対応して複数の前記出力信号線が配され、
複数の行に含まれる前記画素からの信号が対応する前記複数の出力信号線に並列に出力され、
行列状に配された前記画素は、前記第1の画素と並列に信号が出力され、かつ前記第1の画素とは異なる行に含まれる第3の画素を含み、
前記第2のリセットトランジスタの一方の主電極が前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極に接続され、前記第2のリセットトランジスタの他方の主電極が前記第3の画素の増幅トランジスタの制御電極に接続され、
前記第3の画素の増幅トランジスタの制御電極と前記第2の画素の増幅トランジスタの制御電極との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第4のリセットトランジスタを有することを特徴とする請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記第1のリセット電源供給部から前記第2のリセット電源供給部に至る電気経路に沿って、前記第1のリセットトランジスタ、前記第2のリセットトランジスタ、前記第3のリセットトランジスタが、この順に直列に配されることを特徴とする請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷が転送される制御電極を有する増幅トランジスタと、をそれぞれが含む第1の画素及び第2の画素と、
前記第1の画素からの信号及び前記第2の画素からの信号が出力される出力線と、
を有する固体撮像装置において、
前記制御電極をリセットするための電圧を供給する第1のリセット電源供給部及び第2のリセット電源供給部と、
前記第1のリセット電源供給部と前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第1のリセットトランジスタと、
前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極と前記第2の画素の増幅トランジスタの制御電極との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第2のリセットトランジスタと、
前記第2の画素の増幅トランジスタの制御電極と前記第2のリセット電源供給部との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第3のリセットトランジスタと、
を備えることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記固体撮像装置は、第3の画素及び第4の画素と、
前記第3の画素からの信号及び前記第4の画素からの信号が出力される、前記出力線とは別の出力線と、をさらに有し、
前記第1のリセット電源供給部と前記第3の画素の増幅トランジスタの制御電極との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第4のリセットトランジスタと、
前記第3の画素の増幅トランジスタの制御電極と前記第4の画素の増幅トランジスタの制御電極との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第5のリセットトランジスタと、
前記第4の画素の増幅トランジスタの制御電極と前記第2のリセット電源供給部との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第6のリセットトランジスタと、をさらに備えることを特徴とする請求項14に記載の固体撮像装置。 - 前記増幅トランジスタが第1の導電型であり、前記第1及び前記第2のリセットトランジスタの導電型が、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型であり、
前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極が、前記第1リセットトランジスタ及び前記第2リセットトランジスタの主電極に接続されたことを特徴とする請求項14または請求項15のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極と、前記第1のリセットトランジスタまたは前記第2のリセットトランジスタの制御電極との間に結合容量を有し、
前記結合容量を介して、前記リセットトランジスタの制御電極に供給された電圧で、前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極の電位を制御することを特徴とする請求項16に記載の固体撮像装置。 - 前記増幅トランジスタの導電型がP型であることを特徴とする請求項14乃至請求項17のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記増幅トランジスタは接合型電界効果トランジスタ、バイポーラトランジスタ、または静電誘導トランジスタのいずれかであることを特徴とする請求項14乃至請求項18のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1のリセット電源供給部から前記第2のリセット電源供給部に至る電気経路に沿って、前記第1のリセットトランジスタ、前記第2のリセットトランジスタ、前記第3のリセットトランジスタが、この順に直列に配されることを特徴とする請求項14乃至請求項19のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 固体撮像装置の駆動方法において、
前記固体撮像装置は、
光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷が転送される制御電極を有する増幅トランジスタと、をそれぞれが含む第1の画素及び第2の画素と、
前記第1の画素からの信号及び前記第2の画素からの信号が出力される出力線と、
前記制御電極をリセットするための電圧を供給する第1のリセット電源供給部及び第2のリセット電源供給部と、
前記第1のリセット電源供給部と前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第1のリセットトランジスタと、
前記第1の画素の増幅トランジスタの制御電極と前記第2の画素の増幅トランジスタの制御電極との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第2のリセットトランジスタと、
前記第2の画素の増幅トランジスタの制御電極と前記第2のリセット電源供給部との電気的接続を導通状態と非導通状態とに制御する第3のリセットトランジスタと、
を備え、
前記駆動方法は、
前記第1の画素の制御電極に前記電荷が転送される際に、
前記第1のリセットトランジスタ及び前記第2のリセットトランジスタを非導通状態として、前記第1の画素の制御電極を電気的に浮遊状態とし、
前記第3のリセットトランジスタを導通状態として、前記第2の画素の制御電極に前記リセット電圧を印加すること
を特徴とする駆動方法。
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