DE3501138A1 - Bildaufnahmevorrichtung - Google Patents
BildaufnahmevorrichtungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Bildaufnahmevorrichtung, bei der ein Überstrahlen wirkungsvoll unterdrückt werden kann
und mit der ein Zeilensprung-Effekt erzielbar ist.
Nach dem Stand der Technik wurde gemäß der JP-OS 138371/1981 bei einem Festkörper-Bildsensor wie einer Ladungskupplungsvorrichtung
(CCD) oder dergleichen ein Verfahren in Betracht gezogen, bei dem überschüssige Träger statt durch das Anbringen
von Überlaufablässen in der Lichtempfangsfläche durch
Oberflächen-Rekombination gelöscht werden, um ein Überstrahlen zu verhindern.
Dieses Verfahren hat Vorteile dadurch, daß die Empfindlichkeit hoch ist, da hinsichtlich des Öffnungsverhältnisses
der Lichtempfangsfläche keine Einbußen entstehen, daß das
Horizontal-Auflösungsvermögen gesteigert ist, da der Integrationsgrad
verbessert werden kann, und dergleichen.
A/25
Fig. 1 bis 3 sind Darstellungen zur Erläuterung dieses Verfahrens zum Verhindern des Oberstrahlens durch Oberflächen-Rekombination,
wobei die Fig. 1 eine Vorderansicht einer gewöhnlichen Bildübertragungs-Ladungskopplungsvorrichtung
ist.
Nach Fig. 1 besteht ein Lichtempfangsteil 1 aus einer Vielzahl
von Vertikalübertragungs-Registern mit Fotoempfind-2Q
lichkeit.
Ein Speicherteil 2 besteht aus einer Vielzahl von Vertikalübertragungs-Registern,
die gegenüber Licht abgeschirmt sind.
Mit 3 ist ein Horizontalübertragungs-Register bezeichnet.
Die Informationen in den jeweiligen Vertikalübertragungs-Registern
des Speicherteils 2 können durch gleichzeitiges Verschieben um jeweils ein Bit in dieses Horizontalüber-2Q
tragungs-Register eingespeichert werden. Danach kann durch die Horizontalübertragung in dem Register 3 aus einem Ausgangsverstärker
4 ein Videosignal abgegeben werden.
Im allgemeinen werden die in dem jeweiligen Vertikalübertragungs-Register
des Lichtempfangsteils 1 gebildeten Informationen innerhalb einer Vertikalaustastlücke nach der
Fernsehnorm vertikal in den Speicherteil 2 übertragen und innerhalb des nächsten Vertikalabtastintervalls zeilenweise
überldas Horizontalübertragungs-Register 3 ausgelesen.
Es sei nun angenommen, daß der Lichtempfangsteil 1, der
Speicherteil 2 und das Horizontalübertragungs-Register 3 jeweils zweiphasi'g angesteuert werden und jeweilige Übertragungselektroden
mit P1, P-, P,, P., Pr und P6 bezeichnet
sind, während entsprechende Übertragungstaktsignale mit ^p1
und (zfp2» ^p3 υη^ 0*p4 sowie ^p5 und ^p, bezeichnet sind.
Die Fig. 2 ist eine Darstellung von Potentialprofilen unterhalb dieser Übertragungselektroden P. bis P,. Beispielsweise
werden unterhalb einer jeden Elektrode, die über einer Iso-
C lierschicht 5 auf einem P-Siliciumsubstrat 6 ausgebildet
ist, durch Ionenimplantation oder dergleichen in bezug auf die Elektronen ein Bereich niedrigen Potentials und ein
Bereich hohen Potentials gebildet. Wenn hierbei an die Elektroden P~ , P. und Pfi eine Spannung -V1 niedrigen Pegels und
an die Elektroden P.. , P, und Ρς eine Spannung V2 hohen Pegels
angelegt wird, werden die in dieser Figur durch eine ausgezogene Linie dargestellten Potentiale hervorgerufen.
Wenn andererseits an die Elektroden P. , P, und P1. die Spannung
-V1 niedrigen Pegels und an die Elektroden P2, P4 und
P, die Spannung V2 hohen Pegels angelegt wird, werden die
in der Figur durch die gestrichelte Linie dargestellten Potentiale gebildet.
Daher werden durch das Anlegen wechselnder Spannungen mit jeweils entgegengesetzten Phasen, an die Elektroden P1, P,
und P5 bzw. an die Elektroden P2, P4 und P, die Träger bzw.
Ladungen aufeinanderfolgend in einer Richtung befördert
(nämlich nach rechts in der Figur).
Andererseits sind in der Fig. 4 durch eine strichpunktierte
Linie Potentiale in dem Fall dargestellt, daß an die Elektroden eine hohe positive Spannung V3 angelegt wird. Diese
Potentialmulden sind in einem Umkehrzustand, so daß über eine vorbestimmte Menge überschüssige Träger durch Rekombination
mit den Majoritätsträgern gelöscht worden sind.
Die Fig. 3 zeigt die Zusammenhänge zwischen den an die Elektroden angelegten Spannungen und den vorstehend genannten
Formen des inneren Potentials in bezug auf die Richtung der
Dicke des Silicium- bzw. Halbleitersubstrats 6. Aus dieser 35
Figur ist ersichtlich, daß bei der Elektrodenspannung V^
-11- DE 4557
die Potentialmulden niedrig sind, so daß die überschüssigen Träger einen zweiten Zustand erreichen, bei dem sie an der
Grenzfläche zu der Isolierschicht mit den Majoritätsträgern
rekombiniert werden können.
5
5
Andererseits wird bei der Elektrodenspannung -Vj als erster
Zustand der Sammelzustand hervorgerufen, so daß sich um die
Grenzfläche herum leicht die Majoritätsträger sammeln können, die beispielsweise aus einem (nicht gezeigten) Kanalsperrbereich
zugeführt werden.
Daher werden beispielsweise durch das abwechselnde Anlegen der Spannungen -V1 und V^ an die Elektrode P1 bei dem Zustand,
bei dem durch das Anlegen der Spannung -V1 an die 15
Elektrode P? eine Sperre gebildet ist, die unterhalb der
Elektrode P1 gesammelten Minoritätsträger auf weniger als
eine vorbestimmte Menge begrenzt.
Diese in Fig. 2 gezeigte Gestaltung hat jedoch einen Nach-20
teil insofern, als der Wirkungsgrad bei dem Beseitigen der überschüssigen Ladungen gering ist. Bei den Übertragungselektroden wird nämlich im allgemeinen der Übertragungswirkungsgrad
dadurch verbessert, daß bei der Speicherung und
Übertragung der Ladungen die Oberflächen-Rekombination der
25
Ladungen verhindert wird. Zu diesem Zweck muß die Potentialmulde unterhalb der Übertragungselektrode ausreichend tief
sein und die Fläche der Sohle der Mulde breit sein.
Andererseits sind für das wirkungsvolle Rekombinieren der
30
Ladungen die entgegengesetzten Bedingungen notwendig.
D.h., zum wirkungsvollen Überlaufen und Rekombinieren der Ladungen ist es anzustreben, daß die Fläche der Sohle der
Potentialmulde unterhalb der Elektrode bis zu einem gewis-
sen Ausmaß schmal ist.
-12- DE 4557
Infolgedessen tritt bei der herkömmlichen Technologie ein Problem insofern auf, als eine Steigerung des Übertragungswirkungsgrads eine Verschlechterung des Wirkungsgrads bei
der Rekombination hervorruft und im Gegensatz dazu eine Steigerung des Rekombinations-Wirkungsgrads eine Verringerung
des Übertragungswirkungsgrads ergibt.
Ferner besteht bei einer solchen Ladungskopplungsvorrich- IQ tung mit Ladungsrekombination ein Problem dadurch, daß das
Taktsignal für die Rekombination mit dem Ausgangssignal gemischt wird und zu einem Störsignal mit einem festen Bildmuster
wird. Daher wird eine herkömmliche Vorrichtung derart gestaltet, daß das Rekombinations-Taktsignal nur in der
jg Horizontalaustastlücke zugeführt wird.
Bei einer solchen Ladungskopplungsvorrichtung herkömmlicher Art wird die Bildübertragung innerhalb der Vertikalaustastlücke
begonnen; daher tritt der Fall auf, daß die Erzeugung
2Q des Rekombinations-Taktsignals vrährend eines Intervalls von
beispielsweise ungefähr der Hälfte eines Horizontalintervalls (H/2) unmittelbar vor dieser Lücke beendet wird. Daher
wird die Ladungsübertragung bei einem Zustand eingeleitet, bei dem eine große Ladungsmenge gespeichert worden ist;
2J- dies kann ein "Verwischen" oder "Überstrahlen" hervorrufen..
Daher wurde auch ein Verfahren in Betracht gezogen^ bei dem die Vorrichtung auch während der Vertikalaustastlücke angesteuert
wird. Dieses Verfahren ist jedoch wegen des hohen elektrischen Leistungsverbrauchs und dergleichen ungünstig.
30
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, zum Beheben der
vorstehend genannten Mängel der herkömmlichen Technologie eine Bildaufnahmevorrichtung zu schaffen, bei der der Übertragungswirkungsgrad
und der Rekombinations-Wirkungsgrad g[- hoch sind und bei der ein Zeilensprung-Effekt erreicht wird.
-13- DE 4557
Ferner soll mit der Erfindung eine Bildaufnahmevorrichtung geschaffen werden, bei der das Oberstrahlen oder Verwischen
dadurch verhindert werden kann, daß die Rekombination in einem vorbestimmten Intervall unmittelbar vor der Bildübertragung
ausgeführt wird, wobei eine Steigerung des elektrischen Leistungsverbrauchs vermieden wird und ferner die Vorrichtung
auch in dem Fall leistungsfähig ist, daß die Ladungsübertragung
ausnahmsweise in einem anderen Intervall -Q als einem Vertikalaustastintervall vorgenommen wird.
Weiterhin soll mit der Erfindung eine Bildaufnahmevorrichtung mit geringen Störsignalen und geringem elektrischen
Leistungsverbrauch geschaffen werden.
Zur Lösung der Aufgabe hat die erfindungsgemäße Bildaufnahmevorrichtung
gemäß einem Ausführungsbeipsiel einen ersten und einen zweiten Bereich für das Umsetzen von einfallendem
Licht in Ladungen, eine Rekombinationsvorrichtung, die das Rekombinieren eines Teils der Ladungen in dem zweiten Bereich
mit den Majoritätsträgern ermöglicht, und eine Steuereinrichtung, die das Speichern der Ladungen in dem ersten
und dem zweiten Bereich sowie auch das Wirken der Rekombinationsvorrichtung ermöglicht und die den ersten und den
zweiten Bereich sowie die Rekombinationsvorrichtung derart steuert, daß eine in dem ersten Bereich gespeicherte Ladungsmenge
AINT und eine Menge DjmT an Ladungen, die ohne
Rekombination in dem zweiten Bereich zurückbleiben, der Bedingung Ajn^ ■<
DjNT genügen. Dadurch wird die Fähigkeit ge-
steigert, das Überstrahlen zu verhindern, sowie auch ein 30
Zeilensprung-Effekt erzielt.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung hat diese erfindungsgemäße
Bildaufnahmevorrichtung eine Sperrvorrichtung zum Unterdrücken eines Teils addierter Informationen der Ladungen
35
in dem ersten und dem zweiten Bereich. Dadurch kann eine
-14- DE 4557
Verschlechterung des Zeilensprung-Effekts im Falle hoher
Lichtstärke herabgesetzt werden, so daß eine Bildaufnahmevorrichtung
mit hoher Leistungsfähigkeit in einem breiten g Lichtstärkebereich erzielt wird.
Die erfindungsgemäße Bildaufnahmevorrichtung gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel hat einen Lichtempfangsteil
für das Umsetzen eines optischen Bilds in ein Ladungssig-
,Q nal, eine Rekombinationsvorrichtung, die die Rekombination
eines Teils der Ladungen in dem Lichtempfangsteil mit den Majoritätsträgern ermöglicht, und eine Steuereinrichtung,
die ein Signal bildet, das die Übertragung des Ladungssignals in dem Lichtempfangsteil zuläßt, und die bewirkt, daß
p. die Rekombinationsvorrichtung den Rekombinationsvorgang
über eine vorbestimmte Zeitdauer unmittelbar vor der Übertragung des Ladungssignals ausführt. Daher werden durch das
Zuführen eines Impulses für die Ladungsrekombination unmittelbar vor der Bildübertragung die bis zu dem Beginn der
-0 Bildübertragung gespeicherten überschüssigen Ladungen auf
eine geeignete Menge verringert, wodurch es möglich wird, ein Überstrahlen oder Verwischen zu verhindern, das verursacht
werden könnte, wenn bei der Bildübertragung nicht alle diese überschüssigen Ladungen übertragen werden könnten.
Ferner ist es dadurch möglich, eine Steigerung des elektrischen Leistungsverbrauchs zu verhindern, die im Falle
des Betriebs während des Vertialaustastintervalls auftreten würde.
Die erfindungsgemäße Bildaufnahmevorrichtung gemäß einem
nächsten Ausführungsbeispiel hat einen Lichtempfangsteil
für das Umsetzen eines optischen Bilds in ein Ladungssignal, eine Rekombinationsvorrichtung für das Rekombinieren
eines Teils der Ladungen in dem Lichtempfangsteil mit den
35
Majoritätsträgern, einen Speicherteil zum Speichern des La-
-15- DE 4557
dungssignals aus dem1 Lichtempfangsteil und eine Steuereinrichtung
zum Steuern des Lichtempfangsteils einschließlich der Rekombinationsvorrichtung in der Weise, daß während der
_ zeit des Auslesens des Signals in den Speicherteil das Po-
tential in dem Lichtempfangsteil einen vorbestimmten konstanten
Zustand annimmt. Dadurch wird elektrische Leistung gespart und es werden im Falle einer Aufzeichnung bei einer
Stehbild-Betriebsart keinerlei Störsignale eingestreut, da Taktsignale (ζΓ.β und ^ρΓ auf konstante Potentiale eingestellt
werden.
Da andererseits in bezug auf die Elektronen diese Potentiale zu diesem Zeitpunkt so eingestellt werden, daß sie niedriger
als ein Potential an dem Speicherteil sind, wird selbst 15
beim Auftreten eines Überstrahlens in dem Lichtempfangsteil
das Überstrahlen nicht in den Speicherteil übertragen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die<
Zeichnung näher erläutert
Fig. 1 ist eine schematische Ansicht eines herkömmlichen Ladungskopplungs-Bildsensors.
Fig. 2 ist eine Darstellung zur Erläuterung eines Verfah-25
rens zum Ansteuern des in Fig. 1 gezeigten Bildsensors.
Fig. 3 ist eine Darstellung zur Erläuterung des Prinzips
der Oberf lachen-Ladungsrekombination.
30
Fig. 4 ist eine Darstellung, die ein Beispiel für die Gestaltung der erfindungsgemäßen Bildaufnahmevorrichtung
zeigt.
-16- DE 4557
Fig. 5 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Beispiel
für den Aufbau eines Bildsensors zeigt, der für die Verwendung in der erfindungsgemäßen Bildaufnahmevorrichtung
geeignet ist.
Fig. 6 ist eine Darstellung eines Beispiels für ein Elektrodenmusters
des in Fig. 5 gezeigten Bildsensors.
Fig. 7 ist ein Zeitdiagramm zur Erläuterung des Ansteuerungsverfahrens
bei der erfindungsgemäßen Bildaufnahmevorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel.
Fig. 8 ist eine Darstellung zur Erläuterung von Potential-15
zuständen des in Fig. 5 gezeigten Bildsensors.
Fig. 9 ist ein Zeitdiagramm zur Erläuterung des Ansteuerungsverfahrens
der erfindungsgemäßen Bildaufnahmevorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel.
Fig. 10(a) und (b) sind Darstellungen zur Erläuterung von Potentialzuständen bei dem zweiten Ausführungsbeispiel.
Fig. 11 ist eine Darstellung zur Erläuterung eines Kanalverengungseffekts
.
Fig. 12 ist ein Zeitdiagramm der Ansteuerung der erfindungsgemäßen
Bildaufnahmevorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel.
Fig. 13 ist eine Darstellung eines Beispiels der Gestaltung einer Takttreiberstufe.
-17- DE 4557
Fig. 14 ist ein Zeitdiagramm der Wirkungsweise der Takttreiberstufe
nach Fig. 13.
Fig. 15 ist eine Darstellung eines Beispiels der Gestaltung der Bildaufnahmevorrichtung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel.
Fig. 16 ist eine schematische Schnittansicht, die ein Bei-Q
spiel für den Aufbau eines Bildsensors zeigt, der für die Verwendung bei dem vierten Ausführungsbeispiel
geeignet ist.
Fig. 17 ist ein Zeitdiagramm des Betriebsablaufs bei einer Stehbild-Betriebsart.
Fig. 18 ist eine Darstellung eines Beispiels für die Gestaltung einer Takttreiberstufe.
2Q Die Fig. 4 zeigt ein Beispiel der erfindungsgemäßen Bildaufnahmevorrichtung,
bei dem ein Bildsensor verwendet wird. Bei diesem Beispiel wird eine Bildübertragungs-Ladungskopplungsvorrichtung
(CCD) mit Einzelphasenansteuerung beschrieben.
In der Fig. 4 sind gleichartige Teile und Komponenten wie die in den Fig. 1 bis 3 gezeigten mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wird an den Lichtempfangsteil
1 zusammen mit einem Übertragungstaktsignal {zfpT ein Taktsignal
gf.j. angelegt, mit dem überschüssige Ladungen dadurch
gelöscht werden können, daß sie mit Löchern bzw. Mangelelektroden im Zentrum der Oberflächen-Rekombination rekom-
ot- biniert werden,
ob
ob
^501138
-18- DE 4557
Andererseits werden jeweils an den Speicherteil 2 und das Horizontalübertragungsregister 3 Übertragungstaktsignale
<2fps bzw. tfs angelegt.
Eine Takttreiberstufe CKD dient als Steuereinrichtung für das Speisen des Bildsensors mit diesen Taktsignalen bzw.
Taktimpulsen ^p1, ^n, tffpc und ?L. Ein Taktgenerator CKD
erzeugt Zeitsteuersignale für das Bilden dieser Impulse.
Ein Verarbeitungsverstärker bzw. Entzerrer PAP dient als
Unterdrückungseinrichtung bzw. Entzerreinrichtung und enthält eine Kniekennlinien-Schaltung oder Gamma-Umsetzschaltung
oder dergleichen, mit der auf nachfolgend erläuterte Weise ein Signal oberhalb eines vorbestimmten Pegels abgeschnitten
oder auf nicht-lineare Weise komprimiert wird.
Ein Codierer ECD setzt ein über den Entzerrer PAP zugeführtes Videosignal in ein Signal nach einem Fernsehnormsystem
wie beispielsweise in ein NTSC-Signal um.
Die Fig. 5 zeigt schematisch im Querschnitt Elektroden und Potentiale in dem Grenzbereich zwischen dem Lichtempfangsteil
1 und dem Speicherteil 2.
Die Fig. 5 zeigt Übertragungselektroden PpI für das^Anlegen
des Übertragungstaktsignals (zfpI an den Lichtempfangsteil,
Rekombinationselektroden P.R, die als Rekombinationsvorrichtung
für das Anlegen des Rekombinations-Taktsignals <zf.R
dienen, und Übertragungselektroden Pps für das Anlegen des
Übertragungstaktsignals ^p~ an den Speicherteil. In der
n Fig. 5 ist durch ausgezogene Linien ein Potentialzustand
in dem Fall dargestellt, daß als Taktimpulse ^p1 und ^ps
Spannungen niedrigen Pegels angelegt werden und als Taktimpuls $.„ eine Spannung hohen Pegels angelegt wird. Eine
gestrichelte Linie stellt einen Potentialzustand in dem Fall dar, daß die Taktimpulse ^pI und ^pc, den hohen Pegel
haben und der Taktimpuls gf.R niedrigen Pegel hat.
-19- DE 4557
Die in der Figur gezeigten Potentialstufen werden in einem Substrat SS bzw. 6 durch Ionenimplantation gebildet. Andererseits
wird unterhalb des nicht von den Elektroden Pp1,
c Ppc und P.R abgedeckten Bereichs einer Isolierschicht 5,
nämlich in dem Grenzbereich zwischen der Isolierschicht und dem Halbleitersubstrat eine Inversionsschicht beispielsweise
mit P-Leitfähigkeit ausgebildet, die eine (nicht dargestellte)
virtuelle Elektrode bildet. Daher wird durch die ,Q Vorspannung an einer jeweiligen Elektrode das Potential in
dem von den Elektroden nicht abgedeckten Halbleiterbereich nicht verändert.
In der Fig. 4 ist ein erster Bereich mit X bezeichnet, wäh-,
_ rend ein zweiter Bereich mit Y bezeichnet ist. Gemäß der Darstellung ist als zweiter Bereich derjenige Bereich bezeichnet,
der die Elektrode P.ß enthält. Diese Definition
des ersten und zweiten Bereichs gilt ohne Einschränkung auf die Einzelphasenansteuerung auch für eine Bildaufnahmevorrichtung
mit mehrphasiger Ansteuerung.
Die Fig. 6 zeigt ein Beispiel für ein Elektrodenmuster in den in Fig. 5 gezeigten Bereichen. Eine Horizontalbewegung
von Ladungen wird durch Kanalsperren CS verhindert.
Bei dem in den Fig. 4 bis 6 gezeigten Ausführungsbeispiel
kann die Breite der Elektrode P.ß für die Ladungsrekombination
ausreichend geringer als die Breite der Übertragungselektrode Pp1 gewählt werden, so daß bei dem Beseitigen der
überschüssigen Ladungen ein hoher Wirkungsgrad erzielbar 30
ist.
Bei dem Ladungskopplungs-Bildsensor mit Binzelphasenansteuerung
kann der Vorgang des Rekombinierens der Ladungen unabhängig von dem Übertragungsvorgang ausgeführt werden.
Ferner kann ein Aufbau zur Steuerung der Rekombination in dem Bildsensor gemäß dem Ausführungsbeispiel durch einen
Schritt zum Bilden von Gate-Elektroden aus polykristallinem bzw. Polysilicium als Elektroden gebildet werden, der bei
dem gleichen Prozess wie bei der Herstellung der Kanalsperren ausgeführt werden kann, während die Stufen der inneren
Potentiale durch einen Ionenimplantationsschritt gebildet werden können.
Die Fig. 7 ist eine Darstellung von Kurvenformen der von der Takttreiberstufe CKD zur Ansteuerung des in Fig. 4 gezeigten
Bildsensors abgegebenen Taktimpulse 4^, ^p1, ^p5
und <j„ sowie eines Ausgangssignals VOUT des Verstärkers 4.
Nach Fig. 7 wird bei jedem Fernsehteilbild ein Vertikalsynchronisiersignal
V0 erhalten. Synchron mit dem Signal Vp werden in Zeitintervallen von t.. bis t~ und t., bis t.
die Taktimpulse ^pi und ^ps in einer Anzahl zugeführt, die
nn gleich der Anzahl von Bildelementen des Lichtempfangsteils
1 und des Speicherteils 2 in der Vertikalrichtung ist, wobei beispielsweise diese Taktsignale gleichphasig zugeführt
werden.
2,- Dadurch werden die Ladungen aus den jeweiligen Bildelementezellen
in dem Lichtempfangsteil 1 übertragen und in entsprechende Speicherzellen in dem Speicherteil 2 eingespeichert.
Während dieser Zeit wird bei der erfindungsgemäßen Bildauf-30
nahmevorrichtung das an die Elektroden P.ß angelegte Taktsignal
^AR auf einen Spannungspegel V, festgelegt, um zu
vermeiden, daß das Potential unterhalb der Rekombinations-Elektroden P.R die Ladungsübertragung behindert. Dieser
Spannungspegel V- ist beispielsweise gemäß Fig. 8 ein Spannungspegel, der unterhalb der Elektroden P.R einen Potential-
-21- DE 4557
pegel hervorruft, welcher zwischen einer oberen und einer unteren Grenze des Potentialpegels im Bereich der virtuellen
Elektroden liegt. Am günstigsten wird der Spannungspegel V4
so gewählt, daß sich ein Potentialpegel ergibt, der zwischen der oberen und der unteren Grenze der Potentiale in dem Bereich
außerhalb des Bereichs unter den Elektroden ΡΛτ, im
Aß
zweiten Bereich Y liegt.
q Das Zeitintervall t.. bis t2 entspricht dem Vertikalaustastintervall
bzw. der Vertikalaustastlücke des Fernsehnormsignals .
In dem Intervall von t- bis t, werden unter beliebiger Zeitsteuerung
mehrere Taktimpulse <#.„ zugeführt. Die Taktimpulse
$AR können periodisch und fortgesetzt oder nur während
des Horizontalaustastintervalls zugeführt werden.
Mit einer Steigerung der Anzahl zugeführter Taktimpulse φ.τ>
on wird die Fähigkeit zum Beseitigen der überschüssigen Ladüngen
gesteigert.
Die Ladungen im Speicherteil werden in dem Intervall von t2 bis t, durch die Taktsignale ^ps und ^~ synchron mit der
Horizontalperiode zeilenweise ausgelesen und als Horizontalzeilensignale
ausgegeben. Dieses Intervall von t_ bis t, entspricht dem Vertikalabtastintervall des Fernsehnormsignals
.
o/- Als nächstes wird als zweites Ausführungsbeispiel die Ansteuerung
in einem Fall beschrieben, bei dem eine Videokamera unter Verwendung eines solchen Bildsensors aufgebaut
ist, welcher gemäß den vorstehenden Ausführungen mit einer Einrichtung zum Verhindern der Verteilung bzw. Zerstreuung
überschüssiger Ladungen versehen ist.
Die Fig. 9 ist ein Zeitdiagramm von Ausgangsimpulsen der
Takttreiberstufe CKD bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel
Gemäß Fig. 9 unterscheiden sich dieses Ausführungsbeispiel
und das in Fig. 7 dargestellte Ausführungsbeispiel in folgenden
Punkten: Während der Speicherintervalle bis zum Zeit punkt t., zwischen dem Zeitpunkt t~ und einem Zeitpunkt t
und nach dem Zeitpunkt t. wird das Taktsignal ^py auf einen
IQ Pegel Vr festgelegt, der zumindest annähernd der mittlere
Pegel zwischen den Pegeln der Spannungen -V1 und V- ist.
Das Ansteigen und Abfallen der Taktimpulse ^pj werden bei
jedem Halbbild bei dem Ende der Speicherintervalle geschaltet.
Diese Punkte werden nun erläutert. Durch das Einstellen des
Taktsignals ψ^τ auf den Pegel Vr während der Speicherintervalle
werden gemäß Fig. 10(a) in dem Substrat unterhalb der Übertragungselektroden PpI und in dem Substrat unterhalb
on der virtuellen Elektroden ieweil-s Potentialmulden A bzw. C
gebildet, in denen die Ladungen gespeichert werden.
Gemäß Fig. 9 werden während dieser Intervalle mehrere Taktimpulse (zi.g zugeführt, so daß gemäß Fig. 10(a) die Poten-
oc tiale unterhalb der Elektroden PAD zunehmen und abnehmen.
/b Ad
Von den Ladungen in Mulden B, die bei dem Abnehmen dieser Potentiale gebildet werden, werden jedoch bei dem Zunehmen
der Potentiale die nahe der Isolierschicht 5 gesammelten überschüssigen Ladungen mit den Löchern bzw. Mangelelektron
den rekombiniert, so daß diese überschüssigen Ladungen gelöscht werden und nicht in die Mulden A abfließen.
Es sei nun angenommen, daß gemäß Fig. 10(a) die während des Speicherintervalls bei dem ersten Halbbild bis zu dem Zeit-
o_ punkt t1 nach Fig. 9 in die Mulden A und C (oder B) ein-
oo ι
fließenden Ladungsmengen jeweils AjNT und CINT (oder btmT)
sind. Danach werden gemäß Fig. 1O(b) durch die Vertikalübertragung,
die vom Zeitpunkt t.. nach Fig. 9 an beginnt,
durch das Anheben des Taktsignals tfpI von dem mittleren Pegel
Vr auf den Pegel der Spannung V- zu Beginn der Übertragung
die in Bereichen φ' und ©, ©' und φ , gespeicherten
Ladungen addiert und in den Speicherteil übertragen. Andererseits werden bei dem zweiten Halbbild durch
das Absenken des Taktsignals ^ρΙ von dem mittleren Pegel V1-
jQ auf den Pegel der Spannung -V1 zu Beginn der Übertragung
(zum Zeitpunkt t ) die in Bereichen φ und φ' , Q) und
(2)', G) und G)1 ,... addiert. Auf diese Weise kann der
Zeilensprung bzw. die Zeilenverschachtelung dadurch ausgeführt werden, daß für ein jedes Halbbild die Kombination
, c addierter Ladungen verändert wird.
Mit dieser Gestaltung kann der Zeilensprung-Effekt bzw. die
Zeilenverschachtelung unter Benutzung einiger weniger Bildelemente erreicht werden, während sich zugleich keine Änderung
des Dunkelstrompegels bei einem jeden Halbbild ergibt und kaum ein Flimmern auftritt.
Ferner besteht bei diesem Ausführungsbeispiel das Merkmal, daß die Beziehung AjNT<
DjNT erfüllt ist, wenn eine Sättigungsladungsmenge
der Mulde A gleich Ap ist, eine Sättigungsladungsmenge
der Bereiche aus den Mulden B und C außerhalb der Mulde A gleich Dp ist und die Menge verbliebener
Ladungen, die nicht in den Mulden der Bereiche außerhalb der Mulde A rekombiniert sind, gleich DINT ist.
Dies wird nachstehend erläutert.
Falls bei diesem Ausführungsbeispiel nicht die Bedingung
AINT + 0INT ~min ^V 0F^ = QSAT
erfüllt wird, übersteigt die Summenmenge Ajn^ + Djn- die
Menge übertragbarer Ladungen; infolgedessen würde eine bestimmte
Menge an Ladungen zurückbleiben, ohne übertragen zu werden. Es muß also die Summenmenge AyNT + DjNT geringer als
die kleinere Menge der Sättigungsladungsmengen Ap und Dp
sein.
Daher wird bei diesem Ausführungsbeispiel die Summenmenge AjNT + DjNT beispielsweise auf die kleinste Menge der Men-Q
gen Ap und Dp, nämlich auf ungefähr 701 von Qc/vf eingestellt.
Wenn man annimmt, daß dieser Wert eine maximale Speicherungs-Ladungsmenge
Qmov ist und zum Erreichen der Ladungsmenge
0 eine Lichtmenge L erforderlich ist, können die Men-
THctX ΙΠ3.Χ
gen Αγ^τ und DjNT einander gleich, nämlich zu AjNT = DjxiT
t- gewählt werden, um die Zeilenverschachtelung ausführen zu
können, bis die Lichtmenge von "0" ausgehend die Lichtmenge Lmax ^reicht.
Obwohl zwar nach diesem Verfahren die Zeilenverschachtelung ausgeführt werden kann, wird dabei kein ausreichendes Beseitigen
der überschüssigen Ladungen erzielt.
Um nämlich zu gewährleisten, daß Elemente in einer Anzahl gebildet werden, die bei dem Bildschirmformat von beispielsweise
17 mm (2/3 Zoll) erforderlich sind, ist es praktisch notwendig, eine Breite W der Elektroden P._ auf einen Wert
nahe der kleinsten Linienbreite, nämlich auf einen Wert von 3 bis 4 pm festzulegen.
Zur Steigerung der Rekombinationsfähigkeit des Sensors un-30
ter diesen Bedingungen ist ein Verfahren in Erwägung zu ziehen, bei dem die Anzahl der Stellen für die Rekombination
gesteigert wird; in diesem Fall entsteht jedoch der Nachteil, daß die Herstellungsausbeute verschlechtert wird.
-25- DE 4557
Andererseits ist auch zu erwägen, diö Flächender Elektrode
PAB für die Rekombination zu vergrößern.
In der Praxis beträgt gemäß Fig. 11 dann, wenn die Breite W der Elektrode zu 3 μπι gewählt wird, infolge des Kanalverengungseffekts
bzw. Schmalkanaleffekts die wirksame Breite der unterhalb der Elektrode gebildeten und zur Rekombination
beitragenden Mulde ungefähr 0,5 um. Wenn andererseits die
IQ Breite W der Elektrode zu 4 um gewählt wird, beträgt die
wirksame Breite der zur Rekombination beitragenden Mulde ungefähr 1,5 um. Daher wird dann, wenn in dieser Mulde eine
ausreichende Ladungsmenge gesammelt werden kann, die Menge an Ladungen, die bei einem jeden Taktimpuls ^.β beseitigt
^I- werden können, auf ungefähr das Dreifache gesteigert. In
diesem Fall kann jedoch gemäß der vorstehenden Beschreibung die Rekombinationsfähigkeit nicht erreicht werden, wenn die
Menge der Ladungen, die in der Mulde B unterhalb der Elektrode P.R gesammelt werden können, nicht so groß bzw. nicht
ausreichend ist.
Andererseits nimmt die maximale Ladungsmenge Q einen bestimmten konstanten Wert an, wenn die Anzahl der Bildelemente
und die Fläche der Ladungskopplungsvorrichtung bzw. des Bildsensors festgelegt sind. Daher ist es erforderlich,
die Menge AjNT um die Menge einer Zunahme von DINT zu verringern.
Daher wird bei diesem Ausführungsbeispiel durch die Takttreiberstufe
eine Steuerung in der Weise ausgeführt, daß zwischen der Ladungsmenge ATNT in der Mulde unterhalb der
Elektrode Ppi als erster Bereich und der Menge DINT verbliebener
Ladungen, die nicht in den Mulden unterhalb der virtuellen Elektrode und der Rekombinationselektrode als
__ zweiter Bereich rekombiniert werden, der Zusammenhang
0*i" Δ <? Π
-26- DE 4557
besteht. Auf diese Weise wird die Zeilenverschachtelung erreicht und zugleich eine hohe Leistungsfähigkeit bei der Rekombination
erzielt.
Wenn in diesem Fall beispielsweise die Breite W der Elektrode P.g zu 4 ^m gewählt wird, die Menge Dj.,T zu 501 der Menge
QSAT gewählt wird und die Menge AINT zu ungefähr 20! der
Menge Qqat gewählt wird, wird der Zeilensprung bzw. die
Zeilenverschachtelung bis zu ungefähr 57! der Lichtmenge L möglich. D.h., es ist zwar für eine Lichtmenge über
diesem Wert von 57S keine Zeilenverschachtelung erzielbar,
die Leistungsfähigkeit hinsichtlich des Verhinderns des Überstrahlens aber auf ungefähr das Dreifache der herkömmlichen
Leistungsfähigkeit verbessert. Die Videokamera ge-15
maß diesem Ausführungsbeispiel wird gemäß Fig. 4 mit einer
Unterdrückungs- bzw. Entzerreinrichtung ausgestattet, mit der unter Berücksichtigung des größten Teils der Bildfläche
die Zeilenverschachtelung auf einen Wert von weniger als 20! der Lichtmenge L eingestellt wird und eine Signalkomponente,
die einer Lichtmenge über diesem Wert entspricht, durch Komprimieren oder dergleichen unterdrückt
wird; dadurch wird die Verschlechterung der Zeilenverschachtelung bei hoher Lichtstärke unauffällig bzw. unmerkbar.
Die Fig. 12 -ist eine Darstellung von Ansteuerungszeiten bei
einem dritten Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Bildaufnahmevorrichtung. Dieses Ausführungsbeispiel hat einen
Lichtempfangsteil für das Umsetzen eines optischen Bilds
in ein Ladungssignal, eine Rekombinationsvorrichtung, mit 30
der ein Teil von Ladungen im Lichtempfangsteil mit Majoritätsträgern
rekombiniert werden kann, und eine Steuereinrichtung für das Erzeugen eines Signals, das die Übertragung
des Ladungssignals im Lichtempfangsteil herbeiführt, und für
das Ausführen der Rekombination durch die Rekombinations-35
Vorrichtung über eine vorbestimmte Zeitdauer unmittelbar vor
-27- DE 4557
der Übertragung des Ladungssignals. Dadurch ist es möglich, durch das Zuführen eines Impulses für die Ladungsrekombination
unmittelbar vor der Bildübertragung die bis zu dem Beginn der Bildübertragung gespeicherten überschüssigen
Ladungen auf einen geeigneten Wert zu verringern, wodurch es möglich wird,- ein Oberstrahlen oder Verwischen zu verhindern,
das dadurch hervorgerufen wird, daß solche überschüssige Ladungen bei der Bildübertragung nicht übertragen
Q werden können.
Die Fig. 12 zeigt Kurvenformen von Taktimpulsen und dergleichen, die von der in Fig. 4 gezeigten Takttreiberstufe
CKD zur Ansteuerung des Bildsensors, von der über Zeitintervalle t.A bis t17 und Χ.Λ. bis t.., synchron mit dem bei
Il 1 ό 14 Io
einem jeden Fernsehhalbbild erhaltenen Vertikalsynchronisiersignal
VD ein Vertikalaustastsignal VßLj, abgegeben wird.
Mit Hg.j, ist ein Horizontalaustastsignal bezeichnet.
_0 D.h., der Zeitraum t... bis t13 entspricht dem Zeitraum tbis
t~ in den Fig. 7 und 9, der Zeitraum t-, bis t... entspricht
dem Zeitraum t~ bis t, und der Zeitraum t-, bis t..,.
entspricht dem Zeitraum t, bis t.. Durch das Zuführen mehrerer Taktimpulse ^AR in den Zeitintervallen von t-1 bis
„c t1„ und von t, . bis t1c werden unmittelbar vor der Vertikal
übertragung die überschüssigen Ladungen beseitigt. Ferner werden in den Zeitintervallen von t.~ bis t-i τ ηη& von t^r
bis t1fi die Taktimpulse ^pT und ^„,., in einer Anzahl, die
gleich der Anzahl der Bildelemente des Lichtempfangsteils
1 und des Speicherteils 2 in der Vertikalrichtung ist, im wesentlichen gleichphasig zugeführt, wodurch die Ladungen
aus den jeweiligen Bildelementezellen im Lichtempfangsteil 1 übertragen und in den entsprechenden Speicherzellen des
Speicherteils 2 eingespeichert werden. Diese Vorgänge sind o_ gleichartig denjenigen bei den in den Fig. 7 und 9 gezeigten
Ausführungsbeispielen.
-28- DE 4557
Die Fig. 13 zeigt ein Beispiel für die Gestaltung der Takttreiberstufe
CKD. Die Fig. 14 ist ein Zeitdiagramm der Betriebsvorgänge
der Takttreiberstufe CKD. In den Fig. 13 und 14 sind mit φ* Impulse bezeichnet, die in jedem einzelnen
Horizontalintervall zweimal erzeugt werden, während mit TRG ein Bildübertragungs-Triggerimpuls bezeichnet ist, mit dem
die Bildübertragung ausgelöst wird. Dieser Triggerimpuls TRG wird für die Dauer des Vertikalaustastintervalls oder
zu einem hierauf bezogenen Zeitpunkt erzeugt.
Der Triggerimpuls TRG kann beispielsweise gemäß der Beschreibung in der japanischen Patentanmeldung No. 61098/1983
zu einem beliebigen Zeitpunkt abgegeben werden, der von
. r- dem Vertikalaustastintervall verschieden ist. In diesem
Ib
Fall kann durch die Zeitsteuerung dieses Triggerimpulses TRG auch die Bildspeicherungszeit gesteuert werden.
Ein D-Flip-Flop D1 nimmt den Impuls TRG als Taktimpuls auf
„_ und erhält an seinem Eingang D ständig hohen Pegel, so daß
ein Ausgangssignal T1 durch das Auslösen mit dem Impuls TRG
(zu einem Zeitpunkt t17) den hohen Pegel annimmt. Dadurch
wird durch D-Flip-Flops D2 und D, nach einer Verzögerungszeit um nur zwei Taktimpulse ψ~ (zu einem Zeitpunkt t..«)
„p. ein Ausgangssignal T2 erzeugt, wobei das Flip-Flop D1 gelöscht
bzw. rückgesetzt wird und das Ausgangssignal T1 den
niedrigen Pegel annimmt. Die Dauer dieses Verzögerungsintervalls kann durch Erhöhung oder Verringern der Anzahl der
D-Flip-Flops verlängert oder verkürzt werden. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist als Intervall von t17 bis t1R ein
gU I / I ö
einzelnes Horizontalintervall (H) gewählt; durch das Weglassen des Flip-Flops D~ wird jedoch das Intervall zu H/2.
Nachdem das Ausgangssignal T2 den hohen Pegel angenommen
hat, nimmt zu einem Zeitpunkt tiq ein Ausgangssignal T, eines
D-Flip-Flops D. den hohen Pegel an, wonach nach vorbestimmten Taktimpulsen durch ein Ausgangssignal CARRY eines
-29- DE 4557
Zählers CNT die Flip-Flops D, und D- (zu einem Zeitpunkt t2Q)
gelöscht bzw. rückgesetzt werden. Dadurch nehmen die Ausgangssignale T- und T, den niedrigen Pegel an, wodurch die
Bildübertragung beendet wird.
Die Taktsignale ^p1, ^ps und dergleichen können von einem
Impulsgenerator SG auf die in Fig. 12 gezeigte Weise erzeugt werden; daher werden sie hier nicht im einzelnen darjQ
gestellt.
Während des hohen Pegels des Ausgangssignals T- wird mittels
eines UND-Glieds A- das Horizontalaustastsignal HRLK· auf den
niedrigen Pegel geschaltet. Das Ausgangssignal des UND-Glieds ^2 w^rc^ einem ODER-Glied OR1 zugeführt, welches durch die
ODER-Verknüpfung des Ausgangssignals T. und des Ausgangssignals
des UND-Glieds A2 ein Ausgangssignal T-1 erzeugt.
Auf diese Weise wird das Ausgangssignal T1' zu einem Zeitsteuersignal
für das Einschalten der Taktimpulse ^. D.h.,
2Q das Ausgangssignal T1' nimmt den·hohen Pegel entweder während
des Horizontalaustastintervalls unter Ausschluß des Vertikalaustastintervalls von t1o bis t-n oder während des
Io ZU
einem Bereich unmittelbar vor dem Ausgangssignal T- entsprechenden
Intervalls von t17 bis t..- an, bei dem das Ausgangssignal
T1 den hohen Pegel hat.
Durch ein UND-Glied A1 wird eine logische Multiplikation
eines Taktsignals CLK mit dem Ausgangssignal T ' zum Erzielen
eines UND-Signals ausgeführt, durch das ein Schal-
g0 ter SW zum Umschalten des Taktsignals φ.ß auf den Spannungspegel V, allein in dem Zeitintervall eingeschaltet wird,
in welchem sowohl das Taktsignal CLK als auch das Ausgangssignal T1' den hohen Pegel haben. Während des hohen Pegels
des Ausgangssignals T- wird ein Schalter SW- eingeschaltet,
g wodurch das Taktsignal φ .* auf den mittleren Spannungspegel
V- geschaltet wird. Andernfalls wird durch ein Ausgangssig-
BAD ORIGINAL
3501Ϊ38
-30- DE 4557 "
nal eines NOR-Glieds N1 ein Schalter SW. eingeschaltet, so
daß das Taktsignal ^.ß auf den Spannungspegel -V1 geschaltet
wird.
Gemäß der vorstehenden Beschreibung werden bei dem dritten Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Bildaufnahmevorrichtung
durch das Zuführen des Impulses für die Rekombination der Ladungen unmittelbar vor der Bildübertragung die
-^Q bis zu dem Beginn der Bildübertragung gespeicherten überschüssigen
Ladungen auf einen geeigneten Wert herabgesetzt, wodurch es möglich wird, ein Überstrahlen oder Verwischen
zu vermeiden, das verursacht werden würde, da bei der Bildübertragung nicht alle überschüssigen Ladungen übertragen
^p- werden könnten.
Andererseits wird auch während des Betriebs in dem Vertikalaustastintervall
kein hoher elektrischer Leistungsverbrauch hervorgerufen; daher ist die erfindungsgemäße Gestaltung
auch dann wirkungsvoll,>wenn für eine Ausnahmeverwendung wie beispielsweise zum Erreichen einer Speicherzeit,
die kürzer als die Halbbildperiode ist, die Bildübertragung innerhalb anderer Zeitintervalle als dem Vertikalaustastintervall
vorgenommen wird.
Die Fig. 15 ist ein Blockschaltbild eines vierten Ausführungsbeispiels
der erfindungsgemäßen Bildaufnahmevorrichtung, bei dem gleichartige Teile und Komponenten wie in den
Fig. 1 bis 14 mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind.
Mit OFD ist ein Überlaufablaß für das Ableiten der überschüssigen
Ladungen bezeichnet. Dieser Überlaufablaß OFD ist an der dem Speicherteil 2 gegenüberliegenden Seite des
Lichtempfangs teils 1 angeordnet und wird mittels einer konstanten
positiven Spannung VQD vorgespannt.
-31- DE 4557
Mit MS ist eine Betriebsart-Wählschaltung bezeichnet, mit der die Ausgangszustände der verschiedenartigen, von der
Takttreiberstufe CKD abgegebenen Impulse geschaltet werden g können und die Frequenz der Taktimpulse φ AR für die Rekombination
verändert werden kann. Die Wählschaltung MS steuert auch das Ein- und Ausschalten eines Analogschaltglieds AG.
Mit RCC ist ein Aufzeichnungsgerät bezeichnet. Mit SW1 ist
ein Schalter für das Aufzeichnen eines Stehbildsignals bezeichnet. Wenn dieser Schalter eingeschaltet wird, wird
automatisch auf die nachfolgend beschriebene Weise die Wähl4 schaltung auf eine Stehbild-Betriebsart geschaltet und dabei
die Takttreiberstufe CKD gesteuert, während zugleich unter einer vorbestimmten Zeitsteuerung das Analogschaltglied
AG für ein Halbbild bzw. über ein einzelnes Bildintervall durchgeschaltet wird.
Die Fig. 16 zeigt schematisch im Querschnitt die Elektroden und Potentiale im Grenzbereich zwischen dem Lichtempfangs-
teil 1 und dem Speicherteil 2 bei dem vierten Ausführungsbeispiel.
Mit 6E ist ein η -Bereich bezeichnet, der den Überlaufablaß bildet.
Wenn der Schalter SW. ausgeschaltet ist, nämlich die Laufbild-Aufnahmebetriebsart
gewählt ist, werden zur Ansteuerung des in Fig. 15 gezeigten Bildsensors von der Takt-
treiberstufe CKD die in Fig. 12 gezeigten Taktimpulse er-30
zeugt, wobei von dem Verstärker 4 usw. das Ausgangssignal VOUT abgegeben wird.
Die Fig. 17 ist ein Zeitdiagramm für den Fall, daß der Schalter SW1 eingeschaltet ist, um einen Aufnahmevorgang
ι
in der Stehbild-Betriebsart auszuführen. Wenn zu einem be-
-32- DE 4557
liebigen Zeitpunkt t,, der Schalter SW.. eingeschaltet wird,
wird von der Wählschaltung MS synchron mit der Abfallflanke des nächsten Vertikalaustastimpulses VBLK zu einem Zeitpunkt
t.., ein nachfolgend erläutertes Signal MODE^ erzeugt.
Dieses Signal MODE^ wird bis zu der Vorderflanke des nächsten
Vertikalaustastimpulses VßLK zu einem Zeitpunkt t...
aufrechterhalten.
Andererseits wird für die Zeitdauer der Ausgabe des Signals
MODE^ das Taktsignal ^.β auf das Potential V, festgelegt,
während das Taktsignal ^pi auf das Potential V- festgelegt
wird. Synchron mit dem Vertikalsynchronisiersignal Vp, das
unmittelbar nach dem Einschalten des Schalters SW1 auftritt,
wird das Analogschaltglied AG für die Dauer eines Halbbildintervalls durchgeschaltet (t... bis t..).
Die anderen Impulse sind den in Fig. 12 gezeigten gleichartig·
Daher führt während der Zeitdauer des Auslesens des Signals für ein Halbbild mittels der Impulse ^ρς und ^ς synchron mit
dem Vertikalsynchronisiersignal V^ nach dem Einschalten des
2C- Schalters SW. das Analogschaltglied AG dieses Signal dem
Aufzeichnungsgerät RCC zu, so daß das Signal für das einzelne
Halbbild aufgezeichnet wird.
Während dieser Zeitdauer hat für die Zeitdauer von t..., bis
t14 das Taktsignal <$.„ einen konstanten Pegel; daher wird
während des Auslesens des Signals VOUT kein Störsignal eingemischt, wobei auch elektrische Leistung gespart werden
kann.
o_ Andererseits ist über den größten Teil der Zeitdauer t.,- bis
ob ' j
t.. die Potentialbarriere in dem Lichtempfangsteil 1 niedri-
-33- DE 4557
ger als die Barriere in dem Speicherteil 2. D.h., nach Fig. 16 nimmt das Potential in dem Bereich X den durch die gestrichelte
Linie dargestellten Zustand an und das Potential in dem Bereich Y den durch die ausgezogene Linie dargestellten
Zustand an, so daß selbst bei dem unwirksamen Zustand des Taktsignals ^.β die überlaufenden Ladungen nicht
wesentlich in den Speicherteil abfließen.
■j^Q Da ferner an der dem Speicherteil 2 gegenüberliegenden Seite
des Lichtempfangsteils 1 der Überlaufablaß angebracht ist, werden die zu dieser Zeit im Bildempfangsteil 1 überlaufenden
Ladungen zu der Spannungsquelle der Vorspannung VqD abgeleitet.
Obwohl durch die Impulse ςίρ5 das Potential in dem Bereich
X des Speicherteils nur während des Horizontalaustastintervalls verringert wird, wird bei jeder Verringerung das (bis
zu dem Zeitpunkt t.. 1 erzeugte) nutzbare Bildsignal in den
Speicherteil 2 nach unten nach Fig. 15 bewegt. Daher ist es möglich, Ladungen außer Acht zu lassen, die aus dem
Lichtempfangsteil 1 in den Speicherteil 2 abfließen, während das Signal ^ps den hohen Pegel hat.
Die Fig. 18 zeigt ein Beispiel für die Gestaltung der Takttreiberstufe
CKD, wobei gleichartige Teile und Komponenten wie die in Fig. 13 gezeigten mit den gleichen Bezugszeichen
bezeichnet sind.
Die Fig. 18 zeigt die D-Flip-Flops D1 bis D4, ODER-Glieder
OR1 bis OR4, den Zähler CNT, den Impulsgenerator SG zur Erzeugung
der Impulse ^pI und ^ρς, Analogschalter SW1 bis SW.,
1^-Frequenzteiler DIV1 und DIV2, UND-Glieder A2 bis A7 und
ein NOR-Glied
-34- DE 4557
Den UND-Gliedern A^ bis A, werden das Taktsignal CLK, die
hinsichtlich der Frequenz geteilten Signale aus den Frequenzteilern
DIV1 und DIV- sowie die Ausgangssignale der
c Betriebsart-Wählschaltung MS zugeführt, wobei folgende Zusammenhänge
herbeigeführt werden:
Wenn Ausgangssignale SEL 1 und SEL^ der Betriebsart-Wahl^
schaltung MS den hohen Pegel H haben (was nachfolgend als Signal MODE3 bezeichnet wird), wird als Ausgangssignal T1.
des ODER-Glieds OR3 das Taktsignal CLK ausgegeben. Wenn das
Signal SEL1 den hohen Pegel H hat und das Signal SEL^ den
niedrigen Pegel L hat (was nachfolgend als Signal MODE2 bezeichnet
wird), wird das Ausgangssignal T,- zu dem hinsicht-
-P- lieh der Frequenz halbierten Taktsignal CLK.
Wenn andererseits das Signal SEL1 den niedrigen Pegel L hat und das Signal SEL^ den hohen Pegel H hat (was nachstehend
als Signal MODE1 bezeichnet wird), wird das Ausgangssignal on Tr zu dem hinsichtlich der Frequenz geviertelten Taktsignal
CLK. Wenn die Signale SEL1 und SEL?f beide den niedrigen Pegel
L haben, wodurch das Signal MODE^ gebildet ist, erhält das Ausgangssignal T5 ständig den hohen Pegel H.
Mit T- sind Zeitsteuerimpulse bezeichnet, durch die unmittelbar
vor der Vertikalübertragung die Impulse i^.R zugeführt
werden. Wenn der Impuls T1 den hohen Pegel hat, wird
der Impuls ^.Rlzugeführt.
Mit T7. sind die Zeitsteuerimpulse für die Vertikalübertragung
bezeichnet. Wenn ein solcher Ijhipuls T, den hohen Pegel
hat, wird die Vertikalübertragung mittels der Impulse ^pj
und $„„ ausgeführt.
Wenn der in Fig. 15 gezeigte Schalter SW1 ausgeschaltet ist,
'
wird die Periode der Impulse φ Aß entsprechend den von der
-35- DE 4557
Betriebsart-Wählschaltung bestimmten Betriebsart-Signalen MODE1 bis MODE3 festgelegt, wobei die Impulse <$>„ unter der
in Fig. 12 dargestellten Zeitsteuerung zgueführt werden.
Die Impulse φ~ι und $£ρ<, werden von dem Impulsgenerator SG
unter der in Fig. 12 gezeigten Zeitsteuerung erzeugt.
Wenn der Schalter SW1 nach Fig. 15 einmal eingeschaltet
1(~ wird, ergibt die Betriebsart-Wählschaltung MS sofort danach
das Betriebsart-Signal MODE^, so daß die Signale SEL1 und SEL^ den niedrigen Pegel L annehmen und ein Ausgangssignal
T6 des ODER-Glieds OR4 nach Fig. 18 den hohen Pegel annimmt,
wodurch das Taktsignal ^.β auf das Potential bzw. die Spange nung V3 geschaltet wird. Andererseits wird während dieses
Zeitraums der Analogschalter SW4 auf einen Kontakt b geschaltet,
so daß das Taktsignal ^pI auf das Potential bzw.
die Spannung +V- festgelegt wird.
on Gemäß der vorstehenden Beschreibung werden bei diesem Ausführungsbeispiel
die Impulse ^.ß über eine vorbestimmte
Zeitdauer unmittelbar vor dem Bildübertragungsintervall zugeführt, wodurch die überschüssigen Ladungen unmittelbar
vor der Übertragung beseitigt werden, so daß kein Verwischen oder Überstrahlen hervorgerufen wird.
Ferner wird bei der Aufzeichnung des Videoausgangssignals des Bildsensors für nur ein einzelnes Halbbild oder ein
einzelnes Vollbild das Signal ^.ß auf ein konstantes Poten-
tial festgelegt, so daß elektrische Leistung gespart wer-30
den kann und keine Störsignale eingemischt werden.
Andererseits wird für den größten Teil der Zeit die Potentialbarriere
in dem Lichtempfangsteil niedriger als die
Potentialbarriere in dem Speicherteil eingestellt; daher 35
wird das Auslesesignal aus dem Speichersignal während des
-36- DE 4557
Auslesens des Signals nicht durch das Oberstrahlen beeinflußt.
Da ferner an der dem Speicherteil gegenüberliegenden Seite des Lichtempfangsteils der Überlaufablaß angebracht ist,
können die während dieses Zeitraums überlaufenden Ladungen schnell abgeführt werden.
-^q Vorstehend wurde zwar ein Beispiel einer Bildübertragungs-Ladungskopplungsvorrichtung
mit Einzelphasensteuerung beschrieben, jedoch ist es ersichtlich, daß die erfindungsgemäße
Gestaltung auf gleichartige Weise auch bei einem Ladungskopplungs-Bildsensor mit mehrphasiger Ansteuerung an-
,p- wendbar ist. Es ist ferner offensichtlich, daß die erfindungsgemäße
Gestaltung nicht nur bei einem Ladungskopplungs-Bildsensor, sondern auch bei allen Bildsensoren angewandt
werden kann, welche ein Bildsignal in ein Ladungssignal umsetzen und dieses speichern.
Bei dem Ausführungsbeispiel werden bei dem Betriebsart-Signal
MODE^ das Taktsignal ^pI auf die Spannung V~ und das Taktsignal
(zLg auf die Spannung V, festgelegt; eine gleichartige
Wirkung wird jedoch auch dann erzielt, wenn das Taktsignal ^PI au^ ^e Spannung Vr und das Taktsignal ^.ß auf die Spannung
V4 festgelegt wird, da hierbei die Potentialbarriere
in dem Lichtempfangsteil niedriger als die Barriere in dem Speicherteil ist. Ferner können bei dem Ausführungsbeispiel
die Potentialpegel für die Signale ^pI sowie tf.„ auch durch
n die Signale SELI und SEL^ aus der Betriebsart-Wählschaltung
gesteuert werden, wodurch die Anzahl von Eingangsanschlüssen der Takttreiberstufe verringert werden kann.
Bei dem vierten Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Bildaufnahmevorrichtung werden die Signale φ.ß und ^pj für
die Aufzeichnung in der Stehbild-Betriebsart auf die kon-
-37- DE 4557
stanten Potentiale eingestellt, so daß elektrische Leistung gespart werden kann und keine Störsignale eingemischt werden.
Ferner werden hierbei diese Potentiale so gewählt, daß sie
in bezug auf die Elektronen niedriger als das Potential in dem Speicherteil sind, so daß selbst beim Auftreten eines
Überstrahlens in dem Lichtempfangsteil keine Einmischung Q in den Speicherteil erfolgt.
Eine Bildaufnahmevorrichtung hat einen ersten und einen zweiten Bereich für das Umsetzen von einfallendem Licht in
Ladungen, eine Rekombinationselektrode, mittels der ein Teil der Ladungen in dem zweiten Bereich mit Majoritätsträgern
rekombiniert wird, und eine Steuerschaltung, mittels der die Ladungen jeweils in den ersten und zweiten Bereich eingespeichert
werden und ferner die Rekombinationselektrode betrieben wird und die den ersten und den zweiten Bereich
n sowie die Rekombinationselektrode dermaßen steuert, daß zwisehen
einer in dem ersten Bereich gespeicherten Ladungsmenge AjNT und einer Menge DyNT von in dem zweiten Bereich nicht
rekombinierten verbleibenden Ladungen die Beziehung DINT Gesteht. Auf diese Weise wird eine Zeilenverschachte-
__ lung erzielt und eine hohe Wirkung hinsichtlich des Verhinderns
eines Überstrahlens erreicht. Ferner hat die Bildaufnahmevorrichtung eine Entzerrereinrichtung zum Unterdrücken
eines Teils von addierten Informationen aus den Ladungen in dem ersten und dem zweiten Bereich, so daß der
__ Dynamikbereich der Lichtstärke erweitert werden kann.
30
- Leerseite -
Claims (26)
1. Bildaufnahmevorrichtung, gekennzeichnet durch einen
ersten und einen zweiten Bereich (X bzw. Y) für das Umsetzen von einfallendem Licht in Ladungen, eine Rekombinationsvor
richtung (Par)» mit der
Teil der Ladungen im.zweiten
Bereich (Y) mit Majoritätsträgern rekombinierbar ist, und
eine Steuereinrichtung (CKD) für das Einspeichern der Ladungen in den ersten bzw. zweiten Bereich, für das Betreiben
der Rekombinationsvorrichtung und für das Steuern des ersten und zweiten Bereichs sowie der Rekombinatio^svorrichtung
in der Weise, daß eine in dem ersten Bereich gespeicher te Ladungsmenge A,NT kleiner als eine Menge DINT restlicher
Ladungen ist, die im zweiten Bereich nicht rekombiniert sind.
2. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Rekombinationsvorrichtung (Par) eine
Elektrode zum Steuern eines Potentials in dem zweiten Bereich (Y) aufweist.
3. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsmenge AINT größer als
"0" ist.
A/2 5
BAD ORIG'NAL
-2- DE 455
^501138
4. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch eine Elektrode (Ppj) zum Steuern
eines Potentialpegel in dem ersten Bereich (X).
5. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Bereich (Y)
einen virtuellen Elektrodenbereich enthält.
6. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 10
bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Bereich (X, Y) Ladungsübertragungs-Aufbau haben.
7. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 1
bis 6, gekennzeichnet durc-h eine Sperrvorrichtung (PAP) zum
Unterdrücken eines Teils addierter Informationen aus den Ladungen in den ersten und zweiten Bereich (X, Y).
8. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Sperrvorrichtung (PAP) eine nicht-
lineare Schaltung enthält.
9. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Rekombinationsvorrichtung
(Patj) während des Einspeicherns der Ladungen in
den ersten und den zweiten Bereich (X, Y) periodisch eingeschaltet
ist.
10. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die Rekombinationsvorrichtung (Pad) in-
termittierend eingeschaltet ist.
11. Bildaufnahmevorrichtung, gekennzeichnet durch einen Lichtempfangsteil (1) zum Umsetzen von Bildlicht in ein Ladungssignal,
eine Rekombinationsvorrichtung (P4n), mit der
ein Teil der Ladungen in dem Lichtempfangsteil mit Majori-
ORIGINAL
OB 45S7
tätsträgern rekombinierbar ist, und eine Steuereinrichtung (CKD) für das Erzeugen eines Signals (#ρτ) zum Obertragen
des Ladungssignals in dem Lichtempfangsteil und für das Ausführen der Rekombination durch die Rekombinationsvorrichtung
über eine vorbestimmte Zeitdauer zumindest unmittelbar vor der Übertragung des Ladungssignals.
12. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 11, dadurch
^q gekennzeichnet, daß die Rekombinationsvorrichtung (P/vg) eine
Elektrode zum Steuern eines Potentials in dem Lichtempfangsteil (1) aufweist.
13. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 11 oder 12,
p. dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (CKD) die
Ladungen in dem Lichtempfangsteil (1) periodisch überträgt.
14. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (CKD) die Ladungen
in dem Lichtempfangsteil (1)· innerhalb einer Vertikalaustastlücke
eines Fernsehsignals überträgt.
15. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Rekombinationsvorrichtung (Par) die
_._ Rekombination zumindest innerhalb der Vertikalaustastlücke
Zo
ausführt.
16. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtempfangsteil
(1) einen ersten und einen zweiten Bereich (X bzw. Y) ent-30
hält.
17. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 16, dadurch
gekennzeichnet, daß die Rekombinationsvorrichtung (PAB) eine
Elektrode zum Steuern eines Potentials in dem zweiten
Bereich (Y) aufweist.
18. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 16 oder 17,
gekennzeichnet durch.;6ine Elektrode (Ρρτ) zum Steuern eines
Potentialpegels in dem ersten Bereich (X).
19. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 16
bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Bereich (Y) einen virtuellen Elektrodenbereich enthält.
n
20. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 16
bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Bereich (X, Y) Ladungsübertragungs-Aufbau haben.
21. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 16
, _ bis 20, gekennzeichnet durch eine Sperrvorrichtung (PAP)
15
zum Unterdrücken eines Teils addierter Informationen aus den Ladungen in dem ersten und zweiten Bereich (X, Y).
22. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Rekombinationsvorrichtung
(PAr) einen Teil der Ladungen in dem zweiten Bereich
(Y) mit den Majoritätsträgern rekombiniert.
23. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 22, dadurch
gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (CKD) den ersten 25
und den zweiten Bereich (X, Y) sowie die Rekombinationsvorrichtung
(Par) i-n der Weise steuert, daß zwischen einer in
dem ersten Bereich gespeicherten Ladungsmenge AINT und einer
Menge DjNT restlicher Ladungen, die nicht im zweiten
Bereich rekombiniert sind, die Beziehung ΑΤλΙΓΓ
<T DTMT bein
1 INI steht.
24. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 23, gekennzeichnet durch einen Speicherteil (2) zum
Speichern des Ladungssignals aus dem Lichtempfangsteil (1). 35
-5- DE 4557
25. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 24, dadurch
gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (CKD) den Lichtempfangsteil (1) einschließlich der Rekombinationsvorrichtung
(Par) i-n der Weise steuert, daß während des Auslesens
des Signals in den Speicherteil (2) ein Potentialzustand in dem Lichtempfangsteil einen vorbestimmten konstanten
Wert annimmt.
-^q
26. Bildaufnahmevorrichtung, gekennzeichnet durch einen
Lichtempfangsteil (1) zum Umsetzen von Bildlicht in ein Ladungssignal, eine Rekombinationsvorrichtung (Pa^)» mit
der ein Teil der Ladungen in dem Lichtempfangsteil mit Majoritätsträgern rekombinierbar ist, einen Speicherteil (2)
zum Speichern des Ladungssignals aus dem Lichtempfangsteil
und eine Steuereinrichtung (CKD) zum Steuern des Lichtempfangsteils einschließlich der Rekombinationsvorrichtung in
der Weise, daß während des Auslesens des Signals in den Speicherteil ein Potentialzustand des Lichtempfangsteils
Ω einen vorbestimmten konstanten Wert annimmt.
27. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 26, gekennzeichnet durch eine Aufzeichnungsvorrichtung (RCC) zum Speichern
eines aus dem Speicherteil (2) ausgelesenen Signals.
28. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 27, gekennzeichnet durch eine Wählvorrichtung (MS) zum Wählen einer
Stehbild-Betriebsart, bei der mit der Aufzeichnungsvorrichtung (RCC) das Signal für ein Einzelbild aufgezeichnet wird,
und einer Laufbild-Betriebsart, bei der mit der Aufzeich-
nungsvorrichtung die Signale für eine Vielzahl aufeinanderfolgender
Bilder aufgezeichnet werden.
29. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 28, dadurch
gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (CKD) bei der 35
Stehbild-Betriebsart während des Auslesens des Signals aus
dem Speicherteil (2) und des Aufzeichnens den Potentialzustand in dem Lichtempfangsteil (1) auf einen vorbestimmten
konstanten Wert steuert und bei der Laufbild-Betriebsart während des Auslesens der Signale aus dem Speicherteil und
des Aufzeichnens periodisch die Rekombinationsvorrichtung (P.g) ansteuert.
30. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 29, dadurch
gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (CKD) bei der Laufbild-Betriebsart während des Auslesens des Signals aus dem
Speicherteil (2) und des Aufzeichnens die Rekombinationsvorrichtung (Pad) durchgehend ansteuert.
31. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 29, dadurch
15
gekennzeichnet, daß die Steuereinrichtung (CKD) bei der Laufbild-Betriebsart während des Auslesens des Signals aus
dem Speicherteil (2) und des AufZeichnens die Rekombinationsvorrichtung
(Par) intermittierend ansteuert.
32J Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 26
bis 31, dadurch gekennzeichnet, daß die Rekombinationsvorrichtung (Par) eine Elektrode zum Steuern eines Potentials
in dem Lichtempfangsteil (1) aufweist.
33. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 26
bis 32, dadurch gekennzeichnet, daß der Lichtempfangsteil
(1) einen ersten und einen zweiten Bereich (X bzw. Y) enthält.
34. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 33, dadurch
gekennzeichnet, daß die Rekombinationsvorrichtung (PAß)
eine Elektrode zum Steuern eines Potentials in dem zweiten Bereich (Y) aufweist.
DE 455^501138
35. Bildaufnahmevorrichtung nach Anspruch 33 oder 34, gekennzeichnet durch eine Elektrode (Ρρτ) zum Steuern eines
Potentialpegels in dem ersten Bereich (X).
36. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 33 bis 35, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Bereich (Y)
einen virtuellen Elektrodenbereich enthält.
37. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 33 bis 36, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite
Bereich (X, Y) Ladungsübertragungs-Aufbau haben.
38. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 33
bis 37, gekennzeichnet durch eine Sperrvorrichtung (PAP) 15
zum Unterdrücken eines Teils addierter Informationen aus den Ladungen in den ersten und zweiten Bereich (X, Y).
39. Bildaufnahmevorrichtung nach einem der Ansprüche 33 bis 38, dadurch gekennzeichnet, daß die Rekombinationsvorrichtung
(PAß) einen Teil der Ladungen in dem zweiten Bereich
(Y) mit den Majoritätsträgern rekombiniert.
Priority Applications (1)
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DE3546841A DE3546841C2 (de) | 1984-01-18 | 1985-01-15 | Bildaufnahmevorrichtung |
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---|---|
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Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0815322B2 (ja) * | 1986-05-21 | 1996-02-14 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US4963980A (en) * | 1987-02-06 | 1990-10-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing device |
EP0372514B1 (de) * | 1988-12-06 | 1997-03-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Bildaufnahmesystem |
US5008758A (en) * | 1989-05-24 | 1991-04-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Suppressing dark current in charge-coupled devices |
US5258846A (en) * | 1990-02-05 | 1993-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | CCD imager including serially connected inverter circuits connected in parallel to charge transfer elements |
JP3227808B2 (ja) * | 1992-07-21 | 2001-11-12 | ソニー株式会社 | Fit型固体撮像装置 |
JP3847811B2 (ja) * | 1995-06-30 | 2006-11-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
US6100552A (en) * | 1998-01-14 | 2000-08-08 | Dalsa, Inc. | Multi-tapped bi-directional CCD readout register |
JP2000224493A (ja) * | 1999-02-01 | 2000-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP3615414B2 (ja) * | 1999-03-10 | 2005-02-02 | 三洋電機株式会社 | 固体撮像素子の駆動方法 |
US6995794B2 (en) * | 1999-06-30 | 2006-02-07 | Logitech Europe S.A. | Video camera with major functions implemented in host software |
JP2006073736A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Canon Inc | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP4916101B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-04-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP5089017B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP4971586B2 (ja) | 2004-09-01 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5142696B2 (ja) | 2007-12-20 | 2013-02-13 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、及び光電変換装置を用いた撮像システム |
JP5173493B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP5529613B2 (ja) | 2009-04-17 | 2014-06-25 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
US8582003B2 (en) | 2010-05-21 | 2013-11-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus |
US9093351B2 (en) | 2012-03-21 | 2015-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus |
JP6482186B2 (ja) | 2014-05-23 | 2019-03-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその駆動方法 |
JP6480768B2 (ja) | 2015-03-17 | 2019-03-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
US10319765B2 (en) | 2016-07-01 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device having an effective pixel region, an optical black region and a dummy region each with pixels including a photoelectric converter |
JP7102161B2 (ja) | 2018-02-15 | 2022-07-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、及び、移動体 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3104489A1 (de) * | 1980-02-19 | 1981-12-24 | Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven | Festkoerperaufnahmekamera mit einer halbleitenden photoempfindlichen auftreffplatte |
DE3405808A1 (de) * | 1983-02-21 | 1984-08-23 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Bildaufnahme-einrichtung |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3996600A (en) * | 1975-07-10 | 1976-12-07 | International Business Machines Corporation | Charge coupled optical scanner with blooming control |
JPS5839386B2 (ja) * | 1978-02-22 | 1983-08-30 | 株式会社東芝 | 電荷転送形イメ−ジセンサ |
US4229752A (en) * | 1978-05-16 | 1980-10-21 | Texas Instruments Incorporated | Virtual phase charge transfer device |
JPS5518064A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Sony Corp | Charge trsnsfer device |
JPS585086A (ja) * | 1981-07-01 | 1983-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPS59201586A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-15 | Canon Inc | 撮像装置 |
US4663669A (en) * | 1984-02-01 | 1987-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus |
JPS61113367A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Canon Inc | 撮像装置 |
-
1985
- 1985-01-15 DE DE19853501138 patent/DE3501138A1/de active Granted
-
1987
- 1987-11-25 US US07/129,946 patent/US4774585A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-05-17 US US07/196,853 patent/US4821105A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3104489A1 (de) * | 1980-02-19 | 1981-12-24 | Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven | Festkoerperaufnahmekamera mit einer halbleitenden photoempfindlichen auftreffplatte |
DE3405808A1 (de) * | 1983-02-21 | 1984-08-23 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Bildaufnahme-einrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4821105A (en) | 1989-04-11 |
DE3501138C2 (de) | 1992-05-21 |
US4774585A (en) | 1988-09-27 |
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