DE2600962C3 - Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung der Überstrahlung bei Halbleiterbildwandlern - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung der Überstrahlung bei HalbleiterbildwandlernInfo
- Publication number
- DE2600962C3 DE2600962C3 DE2600962A DE2600962A DE2600962C3 DE 2600962 C3 DE2600962 C3 DE 2600962C3 DE 2600962 A DE2600962 A DE 2600962A DE 2600962 A DE2600962 A DE 2600962A DE 2600962 C3 DE2600962 C3 DE 2600962C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrodes
- substrate
- areas
- charge
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 13
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/155—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
- H04N3/1568—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor for disturbance correction or prevention within the image-sensor, e.g. biasing, blooming, smearing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
- H04N25/622—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
26 OO
einen Verarmungszustand gesteuert wird.
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher
erläutert. Es zeigt
Fig. 1 einen Schnitt durch einen CCD-Kanal eines
-4-Registers eines Halbleiterbildwandlers, wobei die
Profile des Oberflächenpotentials für zwei verschiedene Betriebsarten des Registers dargestellt sind, und
Fig. 2 eine Darstellung des zeitlichen Verlaufes von
Signalen, wi» sie beim Betrieb eines CCD-Bildwandlers
gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens gemäß der Erfindung verwendet werden.
Zunächst wird auf den oberen Teil der F i g. 1 Bezug genommen. Die g-.-zeigte CCD-Bildwandlerplatte weist
ein Substrat 10 vom P-Typ und eine Vielzahl Elektroden auf, die gegenüber dem Substrat isoliert und kapazitiv
damit gekoppelt sind. Die Darstellung ist insofern sciiematisch, als die verwendete Isolierung, die normalerweise
aus Siliciumdioxid besteht, nichi dargestellt und die Elektrodenanordnung nur schematisch gezeigt
ist. Die zum Zwecke der Darstellung gewählte CCD-Bildwandlerplatte ist vom Typ einer dreiphasigen
Bildwandlerplatte, wobei bei einer tatsächlichen Ausführung der Schaltung die Elektroden einander
überlappen können Die Erfindung ist jedoch auch bei zwei-, vier- oder höherphasigen Einrichtungen anwendbar,
die hier nicht im einzelnen gezeigt sind. Au h kann das Substrat vom N-Typ statt vom P-Typ sein, wenn die
Speisespannungen mit der richtigen Polarität gewählt werden.
Die in F i g. 1 gezeigte Einrichtung kann ein Teil eines vertikalen Kanals des Bildaufnahmebereiches eines
CCD-Feldes sein, der auch als Λ-Register bezeichnet wird. Während eines Teiles der Betriebszeit, die als
Integrationszeit bezeichnet wird, und während d r <.!..
Bild auf dem CCD-Feld abgebildet wird, i^an.i eine der
Elektroden, das heißt die Φ .«-Elektroden in diesem
Beispiel, auf einer Spannung gehalten werden, um zu bewirken, daß Verarmungsbereiche unter diesen Elektroden
gebildet werden, und die restlichen Elektroden, das heißt die Φα\- und Φ «-Elektroden in diesem
Beispiel, können aaf Potentialen gehalten werden, so daß die Substratbereiche unter diesen Elektroden in
einem geringfügigen Verarmungszustand gehalten werden. Dies ist bei a in F i g. 1 gezeigt. Die Bereiche mit
hoher Verarmung bilden Potentialmulden in dem Substrat, das heißt, sie bilden Bereiche an der
Substratoberfläche, aus denen Majoritätsträger (Löcher) abgestoßen worden sind, und wo Minoritätsträger
als Oberflächenladung gespeichert werden können. Die Bereiche mit geringer Verarmung des Substrates bilden
Potentialsperren zwischen den Potentialmulden. Im wesentlichen kein Teil des Substrates ist in Speicherung.
Im Betrieb wird ein Strahlungsbild durch die Elektroden, wie schematisch dargestellt ist, oder durch
die Rückseite des Substrates auf die Bildwandlerplatte geworfen. Es sei zum Zwecke der Beschreibung
angenommen, daß die Elektroden für die Strahlung im wesentlichen transparent sind.
Bei einer optischen Überlastung in einem Bereich, beispielsweise im Bereich der Φαί-Elektrode 12, fließt
die Potentialmulde in dem Substrat unter dieser Elektrode bald über. Diese überfließende Ladung kann
dann über die Potentialsperren unter den Φαυ und
Φ^ι-Elektroden zu den angrenzenden Potentialmulden
in demselben Kanal und möglicherweise (in Fällen eine·-
erheblichen Überlastung) auch zu den Potentialmulden Dieses Phänomen wird als Überstrahlung bezeichnet
und, wie oben erwähnt wurde, ist es in hohem Maße unerwünscht.
F i g. 1 zeigt bei b schematisch di~ Verhältnisse bei der
scgeiiannten funktionsmäßigen Steuerung der Überstrahlung,
die so bezeichnet wird, weil keine zusätzlichen Einrichtungen in dem CCD-Feld erforderlich sind.
Während der Integrationszeit werden hier die Φα\- und Φαί-Elektroden auf solchen Potentialen gehalten, daß
die Substratbereiche zwischen den Potentialmulden im Speicherzustand gehalten werden. Mit anderen Worten
sind die Potentiale so, daß Majorilätsträger (Löcher in
diesem Beispiel) in diesen Bereichen des Substrates vorhanden sind. Wenn eine optische Überlastung unter
diesen Bedingungen auftritt, werden die überschüssigen Minoritätsträger (Elektronen in diesem Beispiel), die aus
einer gefüllten Potentialmulde überfließen, mit den Majoritätsträgern (Löchern) rekombiniert, die in den
genannten Speicherungsbereichen vorhanden sind. Dadurch wird die Zahl der überschüssigen Hlektronen.
die andere Potentialmulden erreichen, stark reduziert, wodurch auch die Tendenz des CCD-Feldes zur
Überstrahlung stark reduziert wird.
Wenn man das CCD-FeId in der eben beschriebenen Weise betreibt, tritt ein anderes Problem auf. Weil die
Bereiche zwischen den Potentialmuiden als Speicherbereiche betrieben werden, wird wenigstens ein größerer
Teil der Minoritätsträger aus diesem Bereich entfernt. Wenn daher nach der Integrationszeit der Inhalt des
Α-Registers mit einer hohen Geschwindigkeit zu dem ß-Register (nicht gezeigt) verschoben wird, ist daher
keine Restladung vorhanden, die die »schnellen Grenzflächenzustände« (Ladungstraps an der Halbleiter-lsolatorgicnztläche)
in diesen Bereichen des Substrates füllen. Diese Restladungen (auch als Nullsättigungsladung
bezeichnet) haben eine wichtige Funktion, indem sie den Verlust an Ladungssignal bei diesen Traps
verhindern oder wenigstens erheblich reduzieren, wenn das Ladungssignal durch die drei Phasenspannungen
entlang den CCD-Kanal weitergeschoben wird. Eine mehr ins Einzelne gehende Diskussion dieses Phänomens
bei CCD-Bildwandlern ist in der US-Patentanmeldung 4 8! 746 vom 21. Juni 1974 enthalten.
Wenn daher ein CCD-FeId in der Weise betrieben wird, wie bei b in Fig. 1 gezeigt ist, geht ein Teil der
Ladungssignale, die entlang dem CCD-Kanal während der Übertragung dieser Ladungssignale zu dem
ß-Register weiterbewegt werden, verloren, das heißt,
dieser Teil des Ladungssignaies wird von den Traps eingefangen, die in der Substratoberfläche vorhanden
sind, die vorher im Speicherungszi'stand war. Das Resultat ist ein Verlust an Signalintensität und eine
nachfolgende Freigabe von Streuteilen des verlorenen Signals an nachfolgende Ladungssignale. Daher wird
das Ladungsmuster ausgeschmiert, was sich in einer Herabsetzung der Auflösung zeigt, die in dem später
reproduzierten Bild erzielt werden kann.
Um diesen unerwünschten Verlust an Auflösung so weit wie möglich auf ein Minimum herabzusetzen,
können die Speicherungsbereiche nur in einen verhältnismäßig geringen Speicherungszustand versetzt werden,
daß heißt, in einigen Fällen in einen geringeren Speicherungszustand, als es tatsächlich erwünscht wäre,
um die Überstrahlung zu eliminieren. In einer praktischen Ausführung eines CCD-Feldes, das in der
bei b in F i g. 1 gezeigten Weise betrieben wurde, hat es sich gezeigt, daß Überstrahlungen von 15:1 bis 20 : 1
(lerirKnitot uiorHnn Ιίήηηρπ Fc hai cir>h IpHrvh fprnpr
26 OO
gezeigt, daß es bei erheblich höheren optischen Überlastungen erforderlich ist, daß die Substratbereiche
im Speicherzustand in einen solch großen Speicherzustand versetzt werden müssen, daß der sich ergebende
Verlust an Auflösung nicht mehr tragbar ist.
F i g. 2 zeigt ein verbessertes Verfahren zur funktionsmäßigen Steuerung der Überstrahlung gemäß der
Erfindung. Während der Integrationszeit ist die Φ/12-Spannung so groß, daß die Substratfläche unter den
Φαί-Elektroden in den Verarmungszustand versetzt
wird, und die Φαζ- und tf>Ai-Spannungen sind so groß,
daß die Substratoberfläche unter diesen Elektroden in den Speicherungszustand versetzt wird. Das Speicherungsniveau
kann jedoch erheblich größer als das Niveau sein, das bisher verwendet wurde, und wie es bei ■;
b in F i g. ί dargestellt ist.
Am Ende der Integrationszeit beginnen die Mehrphasenspannungen
nicht unmittelbar. Stattdessen werden die Φα\- und ΦΛ3-Elektroden auf solche Spannungsniveaus
gelegt, daß die Substratbereiche unter diesen Elektroden in den Verarmungszustand getrieben werden.
Dies findet während des Intervalls At\ von Fig. 2
statt. Während des Intervalls Δί\ wird die ΦΛ2-Spannung
erheblich positiver gemacht als sie vorher war, um die Tiefe der Potentialmulde zu vergrößern und dadurch zu
verhindern, daß ein Ladungssignal aufgrund der niedrigen Potentialsperren unterhalb der Φα\- und
Φ/u-Elektroden entweichen kann. Dieses zusätzliche
Verzögerungszeitintervall Δ t\ kann beispielsweise 0,1 msec (Millisekunden), daß heißt ICK^sec (Mikrosekünden),
betragen. Während dieser Zeitdauer sammelt der Substratbereich unter den Φα\- und Φ,43-Elektroden,
da er im Verarmungszustand ist, eine Restladung an. Diese Restladung resultiert hauptsächlich aus der
Strahlung (Licht), die die Substratoberfläche erreicht. Diese Strahlung kann eine Vorbelastungsstrahlung (bias
light) sein, wie in der oben genannten Anmeldung beschrieben wurde, oder es kann sich bei dieser
Strahlung um die Hintergrundstrahlung handeln, die allgemein bei jedem Bild, das betrachtet wird,
vorhanden ist. Ein Teil des sich ansammelnden Ladungssignals kann auch auf thermisch erzeugter
Ladung beruhen.
Wenn das CCD-Feld in der oben beschriebenen und in Fig. 2 gezeigten Weise betrieben wurde, hat es sich
gezeigt, daß die Auflösung des reproduzierten Bilde« außerordentlich gut ist, wenn der Inhalt des /4-Registers
durch die dreiphasigen Wellenformen, die in F i g. 2 gezeigt sind, in das ß-Register (nicht gezeigt) übertragen
und das in dem ß-Register gespeicherte Bild nachfolgend reproduziert wird. Ferner hat es sich al«
möglich herausgestellt, das CCD-Feld mit viel größerer optischen Überlastungen zu betreiben, als es vorhei
möglich war. Es hat sich gezeigt, daß der CCD-BiId wandler eine optische Überlastung von etwa 50:1
aushalten kann, wobei fast keine Überstrahlung stattfand, während die bisherige Grenze, wie ober
erwähnt wurde, zwischen 15:1 und 20 : 1 lag.
Um einen Überblick über die relativen Zeiten 21
geben, die beim Betrieb des CCD-Feldes gemäß F i g. Ί
auftreten, sei angenommen, daß das beschrieben« CCD-FeId entsprechend den Bedingungen des kommer
zielten Fernsehens betrieben wird. Hier ist di< Teilbildzeit '/«see, die Ladungsübertragungszeit (wäh
rend der der Inhalt des Bildwandlerfeldes /"Λ-Register]
in das ß-Speicherfeld /B-Register] übertragen wird)
entspricht der vertikalen Rücklaufzeit und kann etws ΘΟΟμβεο betragen, und die Integrationszeit kann der
Rest der Teilbildzeit, das heißt den Hauptteil dei '/60 see, einnehmen.
In einem CCD-Feld, das in der Praxis erprobt wurde wurde das Zeitintervall Δί\ auf ΙΟΟμββΰ eingestellt
wobei sich die gewünschte, befriedigende Arbeitsweise ergab. Das Zeitintervall kann erhöht werden, wenn das
Substrat in einem höheren Speicherungszustand während der Integrationszeit betrieben wird. Wenr
während des Intervalls Al·, die Tiefe der Verarmungsbe reiche unter den Φαυ und Φα\-Elektroden weitei
vergrößert wird, sollte auch die Tiefe der Potentialmulden unter den Φ ,«-Elektroden entsprechend vergrößeri
werden, um einen Verlust an Ladungssignal zi verhindern.
Das Zeitintervall Ah (die Dauer einer Periode dei
Mehrphasenspannung) hängt zum Teil von der Zahl dei Reihen in dem /4-Register ab. Bei einem CCD-Feid ml·
200 Reihen zeigt eine einfache Berechnung, daß da; Intervall Δ fc etwas über 4 μβεΰ und für ein CCD-Feld mi:
500 Reihen etwas unter 2 μδβΰ betragen kann.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Verfahren zur Steuerung der Überstrahlung bei Halbieiterbildwandleirn mit einem nach dem Ladungskopplungsprinzip
arbeitenden Bildaufnahmefeld, daß ein Substrat und kapazitiv mit dem Substrat
gekoppelte Elektroden aufweist, wobei während der Integrationszeit ein bestimmter, erster Teil von
Elektroden auf einem Potential gehalten wird, um Verarmungsbereiche in den Substratbereichen unterhalb
diesen Elektroden zu erzeugen, in denen Ladung gespeichert v/erden kann, während ein
anderer Teil der Elektroden auf einem Potential gehalten wird, um Speicherungsbereiche in dem
Substrat zwischen den Verarmungsbeieichen zu erzeugen, und wobei nach dtr Integrationszeit
Vielphasenspannungen an die Elektroden angelegt werden, um die gespeicherte Ladung entlang dem
Substrat weiterzubewegen, dadurch gekennzeichnet,
daß am Ende der Integrationszeit und vor dem Anlegen der Mehrphasenspannungen das
Potential an dem genannten, anderen Teil der Elektroden (die Elektroden, die entweder eine
Φ ,^-Spannung oder eine <i>.4j-Spannung aufnehmen)
während eines kurzen Zeitintervalles (Au) auf einen Wert geändert wird, der die Substratbereiche, die
vorher im Speicherungszustand waren, in den Verarmungszustand versetzt, und daß gleichzeitig
das an den bestimmten, ersten Teil der Elektroden (die Elektroden, die die Φ .^-Spannung aufnehmen)
auf einen Wert geändert wird, um die Substratbereiche unter dem bestimmten, ersten Teil der
Elektroden in einen tieferen Verarmungszustand zu treiben.
2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch I mit einem nach dem Ladungskopplungsprinzip
arbeitenden Bildwandler, der ein Halbleitersubstrat, eine Vielzahl Elektroden, die
unter Abstand zueinander entlang der Länge des Substrates angeordnet und kapazitiv mit dem
Substrat gekoppelt sind, und eine Einrichtung aufweist, die während der Integrationszeit wirksam
ist, um einen bestimmten, eisten Teil der Elektroden, zwischen denen ein zweiter Teil der Elektroden liegt,
auf einem Potential zu halten, so daß Verarmungsbereiche in dem Substrat gebildet werden, und um den
anderen Teil, das heißt die dazwischenliegenden, Elektroden auf einem Potential zu halten, um
Speicherungsbereiche in dem Substrat zwischen den Verarmungsbereichen zu bilden, gekennzeichnet
durch Einrichtungen, die während eines verhältnismäßig kurzen Zeitintervalls (At]) nach der Integrationszeit
wirksam sind, um das an dem zweiten Teil der Elektroden (die Elektroden, an denen Φα\- oder
ΦΛ3-Spannungen anliegen) auf einen Wert zu
ändern, so daß Verarmungsbereiche in dem Substrat gebildet werden, und um gleichzeitig das Potential,
das an den ersten Teil der Elektroden (die Elektroden, die eine «i^-Spannung empfangen) auf
einen Wert zu ändern, um das Substrat unter dem ersten Teil der Elektroden in einen tieferen
Verarmungszustand zu treiben, wobei der Verlust an Ladungssignal von den Substratbereichen unter dem
ersten Teil der Elektroden während dem Zeitintervall (A ti) vermieden wird.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ferner betrifft
die Erfindung eine Vorrichtung zur Durchführung eines soichen Verfahrens.
Wenn ein Feld photoempfindlicher Zellen, z. B. das Feld einer nach dem Ladungskopplungsprinzip arbeitenden
Halbleiter-Bildwandlerplatte mit einem Bild beaufschlagt wird, in dem bestimmte Bereiche sehr viel
heller sind als andere Bereiche, tritt die Gefahr einer
ίο Überlastung der stark beleuchteten Teile des Feldes auf.
Bei einem Feld der oben erwähnten Art, das im folgenden CCD-Feld (CCD-charge coupled device)
bezeichnet werden soll, hat eine Überbelichtung eines bestimmten Bereiches zur Folge, das dort ein viel
größeres Ladungssignal erzeugt wird, als an der betreffenden Stelle gespeichert werden kann. Die
überschüssige Ladung neigt dann dazu, sich auf eine oder mehrere benachbarte Bereiche entlang einem oder
mehrerer CCD-Kanäle auszubreiten. Der Effekt einer solchen Ladungsausbreitung wird mit »ü'berstrahlung«
bezeichnet, d. h. der stark belichtete Bereich erscheint in dem aus dem Feld herausgelesenen und reproduzierten
Bild viel großer als er in Wirklichkeit ist.
Es gibt verschiedene Möglichkeiten, die beschriebenen Überstrahlungseffekte zu beseitigen oder zumindest
zu verringern. So ist es 1. B. aus der Veröffentlichung von CH. Sequin »Blooming Suppression in
Charge Coupled Array Image Devices«, Bell System Technical journal, October 1972, Seite 1923, bekannt, im
Substrat eines CCD-Halbleiterbildwandlers sogenannte Überstrahlungs-Sammelleitungen vorzusehen, die die
durch eine übermäßige Beleuchtung erzeugten, überfließenden Ladungen ableiten. Diese Lösung hat den
Nachteil, daß auf dem Substrat, wo der Platz sowieso schon äußerst knapp ist, zusätzliche Leitungen vorgesehen
werden müssen.
Eine andere Möglichkeit besteht darin, die Überstrahlung durch funktionsmäßige Steuerung des Halbleiterbildwandli!rs
zu kontrollieren. Hierbei werden Bereiche des Substrats neben den Bereichen, in denen die Ladung
erfaßt bzw. abgetastet wird, als Speicherbereiche zur Verfügung gestellt und die gewöhnlich aus Minoritätsträgern bestehende überschüssige Ladung wird dazu
veranlaßt, mit Majoritätsträgern in diesen Speicherbereichen zu rekombinieren. Im bekannten Falle tritt
dabei jedoch ein neues Problem auf, da ein Teil des Ladungssignales bei der Übertragung in Haft-Stellen
(traps) verlorengeht, was mit einer Verringerung der Auflösung des wiedergegebenen Bildes verbunden ist.
Hierauf wird weiter unten noch näher eingegangen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur
funktionsmäßigen Steuerung der Überstrahlung anzugeben, bei denen Überstrahlungseffekte ohne zusätzliehe
Elektroden und ohne nennenswerten Auflösungsverlust vermieden werden.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch ein Verfahren der eingangs genannten Art mit den
kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Der Unteranspruch betrifft eine vorteilhafte Vorrichtung zur Durchführung eines solchen Verfahrens.
Bei dem Verfahren und der Einrichtung gemäß der Erfindung werden also Überstrahlungseffekte vermieden
und eine ausgezeichnete Auflösung des reproduzierten Bildes gewährleistet, indem die Speicherbereiche
des Substrats am Ende der Integrationszeit und vor der Übertragung des Inhalts der Bildaufnahmebereiche
^.4-Re°!ster^ in die Bil'Jsne!cherberc!che ^
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/540,436 US3931465A (en) | 1975-01-13 | 1975-01-13 | Blooming control for charge coupled imager |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2600962A1 DE2600962A1 (de) | 1976-07-15 |
DE2600962B2 DE2600962B2 (de) | 1977-10-20 |
DE2600962C3 true DE2600962C3 (de) | 1978-06-01 |
Family
ID=24155467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2600962A Expired DE2600962C3 (de) | 1975-01-13 | 1976-01-13 | Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung der Überstrahlung bei Halbleiterbildwandlern |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3931465A (de) |
JP (1) | JPS5346681B2 (de) |
AU (1) | AU499966B2 (de) |
CA (1) | CA1049122A (de) |
DE (1) | DE2600962C3 (de) |
FR (1) | FR2297532A1 (de) |
GB (1) | GB1529501A (de) |
NL (1) | NL7600261A (de) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5112724A (de) * | 1974-07-23 | 1976-01-31 | Nippon Electric Co | |
US3996600A (en) * | 1975-07-10 | 1976-12-07 | International Business Machines Corporation | Charge coupled optical scanner with blooming control |
US4080590A (en) * | 1976-03-31 | 1978-03-21 | International Business Machines Corporation | Capacitor storage memory |
US4040017A (en) * | 1976-03-31 | 1977-08-02 | International Business Machines Corporation | Injected charge capacitor memory |
JPS5451318A (en) * | 1977-09-29 | 1979-04-23 | Sony Corp | Solid pickup unit |
GB2008889B (en) * | 1977-11-07 | 1982-08-04 | Hitachi Ltd | Solid state image pickup device |
JPS6017196B2 (ja) * | 1978-01-23 | 1985-05-01 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像素子 |
JPS559425U (de) * | 1978-07-01 | 1980-01-22 | ||
JPS5518064A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-07 | Sony Corp | Charge trsnsfer device |
JPS5545282A (en) * | 1978-09-27 | 1980-03-29 | Matsushita Electronics Corp | Driving method of solid pickup unit |
DE2936536A1 (de) * | 1979-09-10 | 1981-03-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Mit einem belichtungsmessteil versehene schaltung zur sensorgesteuerten entfernungsmessung |
JPS5672586A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-16 | Matsushita Electronics Corp | Solid-state image pickup device |
NL8000998A (nl) * | 1980-02-19 | 1981-09-16 | Philips Nv | Vaste stof opneemcamera met een halfgeleidende photogevoelige trefplaat. |
JPS5746578A (en) * | 1980-09-03 | 1982-03-17 | Sharp Corp | Solid-state image pickup device |
JPS5778167A (en) * | 1980-11-04 | 1982-05-15 | Toshiba Corp | Charge transfer area image sensor |
JPS5780763A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Sony Corp | Charge transfer device |
JPS5838081A (ja) * | 1981-08-29 | 1983-03-05 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JPS58156272A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-17 | Sony Corp | スミア補正回路 |
US4679212A (en) * | 1984-07-31 | 1987-07-07 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for using surface trap recombination in solid state imaging devices |
US4743778A (en) * | 1985-03-25 | 1988-05-10 | Nippon Kogaku K. K. | Solid-state area imaging device having interline transfer CCD |
US4794453A (en) * | 1986-09-09 | 1988-12-27 | Web Printing Controls Co. | Method and apparatus for stroboscopic video inspection of an asynchronous event |
US4873561A (en) * | 1988-04-19 | 1989-10-10 | Wen David D | High dynamic range charge-coupled device |
US4963952C1 (en) * | 1989-03-10 | 2001-07-31 | California Inst Of Techn | Multipinned phase charge-coupled device |
US4967249A (en) * | 1989-03-17 | 1990-10-30 | Loral Fairchild Corporation | Gain compression photodetector array |
US4958207A (en) * | 1989-03-17 | 1990-09-18 | Loral Fairchild Corporation | Floating diode gain compression |
US5115458A (en) * | 1989-09-05 | 1992-05-19 | Eastman Kodak Company | Reducing dark current in charge coupled devices |
US5055667A (en) * | 1990-06-21 | 1991-10-08 | Loral Fairchild Corporation | Non-linear photosite response in CCD imagers |
US5182647A (en) * | 1990-12-13 | 1993-01-26 | Eastman Kodak Company | High resolution charge-coupled device (ccd) camera system |
US5426515A (en) * | 1992-06-01 | 1995-06-20 | Eastman Kodak Company | Lateral overflow gate driver circuit for linear CCD sensor |
DE4300828C1 (de) * | 1993-01-14 | 1994-04-21 | Siemens Ag | Fernsehaufnahmeeinrichtung mit Halbleiter-Bildwandler |
DE69410147T2 (de) * | 1993-03-03 | 1998-12-03 | Philips Electronics N.V., Eindhoven | Ladungsgekoppelte Anordnung |
US6188433B1 (en) | 1999-02-02 | 2001-02-13 | Ball Aerospace & Technologies Corp. | Method and apparatus for enhancing the dynamic range of a CCD sensor |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3715485A (en) * | 1971-10-12 | 1973-02-06 | Rca Corp | Radiation sensing and signal transfer circuits |
US3771149A (en) * | 1971-12-30 | 1973-11-06 | Texas Instruments Inc | Charge coupled optical scanner |
US3863065A (en) * | 1972-10-02 | 1975-01-28 | Rca Corp | Dynamic control of blooming in charge coupled, image-sensing arrays |
US3826926A (en) * | 1972-11-29 | 1974-07-30 | Westinghouse Electric Corp | Charge coupled device area imaging array |
US3845295A (en) * | 1973-05-02 | 1974-10-29 | Rca Corp | Charge-coupled radiation sensing circuit with charge skim-off and reset |
US3866067A (en) * | 1973-05-21 | 1975-02-11 | Fairchild Camera Instr Co | Charge coupled device with exposure and antiblooming control |
-
1975
- 1975-01-13 US US05/540,436 patent/US3931465A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-01-05 GB GB206/76A patent/GB1529501A/en not_active Expired
- 1976-01-07 AU AU10086/76A patent/AU499966B2/en not_active Expired
- 1976-01-08 CA CA76243224A patent/CA1049122A/en not_active Expired
- 1976-01-12 JP JP311376A patent/JPS5346681B2/ja not_active Expired
- 1976-01-12 NL NL7600261A patent/NL7600261A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-01-13 DE DE2600962A patent/DE2600962C3/de not_active Expired
- 1976-01-13 FR FR7600712A patent/FR2297532A1/fr active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2297532A1 (fr) | 1976-08-06 |
AU499966B2 (en) | 1979-05-10 |
JPS5195722A (de) | 1976-08-21 |
NL7600261A (nl) | 1976-07-15 |
US3931465A (en) | 1976-01-06 |
GB1529501A (en) | 1978-10-25 |
DE2600962A1 (de) | 1976-07-15 |
CA1049122A (en) | 1979-02-20 |
JPS5346681B2 (de) | 1978-12-15 |
FR2297532B1 (de) | 1979-04-20 |
DE2600962B2 (de) | 1977-10-20 |
AU1008676A (en) | 1977-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2600962C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung der Überstrahlung bei Halbleiterbildwandlern | |
DE2622828C3 (de) | Verfahren zum Betreiben von BiIdfühlern | |
DE3104489C2 (de) | ||
DE3689409T2 (de) | Verfahren zum Betreiben eines Festkörperbildsensors. | |
DE2930402C2 (de) | ||
DE3344090C2 (de) | ||
DE2533404C3 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Verschachteln zweier aufeinanderfolgender Teilbilder eines Ladungsmusters | |
DE3501138C2 (de) | ||
DE2533405A1 (de) | Verfahren zum verschachtelten auslesen einer anordnung ladungsgekoppelter stufen | |
DE3120458A1 (de) | Festkoerper-bildsensoranordnung | |
DE3437561C2 (de) | ||
DE3521917C2 (de) | Festkörper-Bildsensor | |
DE3751102T2 (de) | Steuerverfahren für einen Festkörperbildgeber. | |
DE69508345T2 (de) | Ansteuerverfahren einer CCD Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Videokamera nach dem Verfahren | |
DE3320706C2 (de) | ||
DE3408344A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur verringerung des korns in mehrphasig getakteten ccd-bildwandlern | |
DE2248423A1 (de) | Ladungsuebertragungsschaltung | |
DE2345784B2 (de) | Ladungsgekoppelte strahlungsfuehlermatrix | |
DE3529025C2 (de) | ||
DE3725004A1 (de) | Bildaufnahmeanordnung mit einem feststoffbildaufnehmer und einem elektronischen verschluss | |
DE3407038C2 (de) | Halbleiter-Photodetektor und Verfahren zu dessen Betrieb | |
DE69030526T2 (de) | Verfahren zum Betreiben einer CCD-Bildaufnahmevorrichtung mit Zwischenzeilenrasterübertragung | |
DE2933412B2 (de) | Festkörper-Abbildungsvorrichtung | |
DE2734409C3 (de) | Bildaufnahmegerät in CCD-Bauweise | |
DE3105910C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |