JP2021130875A - プラズマシステム中に使用されるチャンバー部品用の表面コーティング - Google Patents
プラズマシステム中に使用されるチャンバー部品用の表面コーティング Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021130875A JP2021130875A JP2021075615A JP2021075615A JP2021130875A JP 2021130875 A JP2021130875 A JP 2021130875A JP 2021075615 A JP2021075615 A JP 2021075615A JP 2021075615 A JP2021075615 A JP 2021075615A JP 2021130875 A JP2021130875 A JP 2021130875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- coating
- oxygen
- nitrogen
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
- H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0676—Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3485—Sputtering using pulsed power to the target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/308—Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
【課題】攻撃的な（たとえば、フッ素系）プラズマ環境中の化学的およびプラズマ物理的攻撃に対して堅牢であるという利点を有するプラズマ部品用表面コーティング、およびプラズマシステムの効率を増加させる方法を提供する。【解決手段】プラズマでぬらされる表面システム部品の反応性を低下させるコーティングであって、約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０％の量の酸素がおおよその組成であるイットリアと、約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４０％の間の量の酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の窒素がおおよその組成である酸窒化アルミニウムと、の少なくとも一方を含み、プラズマでぬらされるシステムの部品に塗布されている、コーティングである。【選択図】なし
Description
本開示は、概してプラズマシステムに関し、より詳細にはプラズマシステム中の工具お
よび固定具のためのコーティングに関する。
よび固定具のためのコーティングに関する。
本開示は、概してプラズマシステム中に使用される部品のコーティングに関する。プラ
ズマに直接接触する部品は、化学的攻撃、イオン衝撃、ＵＶ照射、大きな温度の変化およ
び勾配、ならびに電界にさらされる。好ましいプラズマシステムの部品はアルミニウムま
たは石英でできているが、その理由は、それらが、活性の酸素種、窒素種、および水素種
に対して最も遅いプラズマ表面再結合速度を有するからである。しかし、ハロゲン含有プ
ラズマ、またはその他の化学的により攻撃的なプラズマが使用される場合、これらの材料
は、もはや許容できる選択とはならない。このような環境において、プラズマシステム部
品は陽極処理アルミニウム、アルミナ、またはサファイアなどの材料から通常は製造され
る。これらの材料は、化学的および物理的なプラズマ攻撃に対してより耐久性が高いとい
う利点を有するが、欠点はプラズマ表面再結合速度が実質的により速いことであり、した
がって活性な酸素、水素、および窒素のプラズマ種の実質的な部分がプラズマ流から除去
される。これらの種が除去されることで、プラズマプロセスの効率が低下する。
ズマに直接接触する部品は、化学的攻撃、イオン衝撃、ＵＶ照射、大きな温度の変化およ
び勾配、ならびに電界にさらされる。好ましいプラズマシステムの部品はアルミニウムま
たは石英でできているが、その理由は、それらが、活性の酸素種、窒素種、および水素種
に対して最も遅いプラズマ表面再結合速度を有するからである。しかし、ハロゲン含有プ
ラズマ、またはその他の化学的により攻撃的なプラズマが使用される場合、これらの材料
は、もはや許容できる選択とはならない。このような環境において、プラズマシステム部
品は陽極処理アルミニウム、アルミナ、またはサファイアなどの材料から通常は製造され
る。これらの材料は、化学的および物理的なプラズマ攻撃に対してより耐久性が高いとい
う利点を有するが、欠点はプラズマ表面再結合速度が実質的により速いことであり、した
がって活性な酸素、水素、および窒素のプラズマ種の実質的な部分がプラズマ流から除去
される。これらの種が除去されることで、プラズマプロセスの効率が低下する。
活性プラズマ種の再結合速度を低下させ、活性種のシステムへの流れを増加させるよう
に構成されたプラズマシステム部品が、プラズマシステムにおいて歓迎される改善となる
。
に構成されたプラズマシステム部品が、プラズマシステムにおいて歓迎される改善となる
。
攻撃的な（たとえば、フッ素系）プラズマ環境中の化学的およびプラズマ物理的攻撃に
対して堅牢であるという利点を有するプラズマ部品用表面コーティングが本明細書に開示
される。これらのコーティングによって、他の既知の表面処理と比較した場合に、活性の
酸素種、窒素種、フッ素種、および水素種に対する遅いプラズマ表面再結合速度も得られ
る。これらのコーティングは、限定するものではないが石英、アルミニウム、または陽極
処理アルミニウムなどの材料を含みエッチングおよびプラズマ洗浄を必要としないあらゆ
るプラズマシステム部品に塗布することができる。さらに、非反応性コーティングをシス
テム部品に塗布し、それによってシステムの処理チャンバーへの励起プラズマ種の流れを
増加させることで、システムの効率が増加する。
対して堅牢であるという利点を有するプラズマ部品用表面コーティングが本明細書に開示
される。これらのコーティングによって、他の既知の表面処理と比較した場合に、活性の
酸素種、窒素種、フッ素種、および水素種に対する遅いプラズマ表面再結合速度も得られ
る。これらのコーティングは、限定するものではないが石英、アルミニウム、または陽極
処理アルミニウムなどの材料を含みエッチングおよびプラズマ洗浄を必要としないあらゆ
るプラズマシステム部品に塗布することができる。さらに、非反応性コーティングをシス
テム部品に塗布し、それによってシステムの処理チャンバーへの励起プラズマ種の流れを
増加させることで、システムの効率が増加する。
したがって、代表的な一実施形態において、本開示は、プラズマでぬらされる（ｐｌａ
ｓｍａ ｗｅｔｔｅｄ）表面システム部品の反応性を低下させるためのコーティングを提
供する。コーティングは、約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４
０％の量の酸素がおおよその組成であるイットリアと、約２５％〜約６０％の間の量のア
ルミニウム、約２０％〜約４０％の間の量の酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の
窒素がおおよその組成である酸窒化アルミニウムと、の少なくとも一方を含み、プラズマ
でぬらされるシステムの部品に塗布されている、コーティング。
ｓｍａ ｗｅｔｔｅｄ）表面システム部品の反応性を低下させるためのコーティングを提
供する。コーティングは、約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４
０％の量の酸素がおおよその組成であるイットリアと、約２５％〜約６０％の間の量のア
ルミニウム、約２０％〜約４０％の間の量の酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の
窒素がおおよその組成である酸窒化アルミニウムと、の少なくとも一方を含み、プラズマ
でぬらされるシステムの部品に塗布されている、コーティング。
ある代表的な実施形態において、プラズマは、原子状酸素、分子酸素、原子状水素、分
子水素、原子状窒素、分子窒素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素、および
分子フッ素の１種類以上を含む。種々のこれらおよびその他の実施形態において、プラズ
マは、フッ素含有プラズマ、酸素含有プラズマ、水素含有プラズマ、および窒素含有プラ
ズマの１種類以上を含む。種々の代表的な実施形態において、プラズマは複合プラズマで
ある。特定の実施形態において、フッ素含有プラズマは、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦ３Ｈ、
Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含み、酸素含有プラズ
マは、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｈ２Ｏ、およびＨ２Ｏ２を含み
、水素含有プラズマは、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２
、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含み、窒素含有プラズマは、Ｎ２、Ｎ２
Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｎ２／Ｈ２、およびＮＯを含む。
子水素、原子状窒素、分子窒素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素、および
分子フッ素の１種類以上を含む。種々のこれらおよびその他の実施形態において、プラズ
マは、フッ素含有プラズマ、酸素含有プラズマ、水素含有プラズマ、および窒素含有プラ
ズマの１種類以上を含む。種々の代表的な実施形態において、プラズマは複合プラズマで
ある。特定の実施形態において、フッ素含有プラズマは、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦ３Ｈ、
Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含み、酸素含有プラズ
マは、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｈ２Ｏ、およびＨ２Ｏ２を含み
、水素含有プラズマは、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２
、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含み、窒素含有プラズマは、Ｎ２、Ｎ２
Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｎ２／Ｈ２、およびＮＯを含む。
これらおよびその他の代表的な実施形態において、部品は、石英、アルミニウム、また
は陽極処理アルミニウム、またはそれらの組合せから製造される。
種々の代表的な実施形態において、コーティングは、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーテ
ィング、ゾルゲルコーティング、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子
ビーム堆積、またはパルスレーザ堆積によって塗布される。ある代表的な実施形態におい
て、蒸着は、プラズマ強化化学蒸着（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着（ｐｈｙｓｉｃａｌ
ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＶＤ）、および化学蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖ
ａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）である。
は陽極処理アルミニウム、またはそれらの組合せから製造される。
種々の代表的な実施形態において、コーティングは、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーテ
ィング、ゾルゲルコーティング、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子
ビーム堆積、またはパルスレーザ堆積によって塗布される。ある代表的な実施形態におい
て、蒸着は、プラズマ強化化学蒸着（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａ
ｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着（ｐｈｙｓｉｃａｌ
ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＶＤ）、および化学蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖ
ａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）である。
種々の別の代表的な実施形態において、プラズマシステムは、下流遠隔プラズマシステ
ム、誘導結合プラズマシステム、容量結合プラズマシステム、反応性イオンエッチングプ
ラズマシステム、および大気プラズマシステム、およびイオンエッチングプラズマシステ
ムである。
ム、誘導結合プラズマシステム、容量結合プラズマシステム、反応性イオンエッチングプ
ラズマシステム、および大気プラズマシステム、およびイオンエッチングプラズマシステ
ムである。
一実施形態において、ＡｌＯＮ（酸窒化アルミニウム）などの金属酸窒化物のコーティ
ングがプラズマシステム部品に直接塗布されている。本発明者らは、ＡｌＯＮとプラズマ
流との相互作用によって、陽極処理アルミニウムの再結合速度よりも実質的に遅い再結合
速度が得られることを見出した。
ングがプラズマシステム部品に直接塗布されている。本発明者らは、ＡｌＯＮとプラズマ
流との相互作用によって、陽極処理アルミニウムの再結合速度よりも実質的に遅い再結合
速度が得られることを見出した。
種々の実施形態において、コーティングは、約３ＧＰａ〜約１０ＧＰａの間の硬度、約
１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有し、コーティングは約−１５０
℃〜約＋６００℃の間の温度で安定である。
１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有し、コーティングは約−１５０
℃〜約＋６００℃の間の温度で安定である。
別の代表的な一実施形態において、本開示は、プラズマシステムの効率を増加させる方
法であって、プラズマシステムの効率を増加させる方法であって、プラズマエッチングを
必要としないシステム部品に表面コーティングを塗布することを含み、コーティングによ
って、エッチングされない部品のプラズマ流に対する反応性が低下し、表面コーティング
が、約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０％の量の酸素がおお
よその組成であるイットリアと、約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％
〜約４０％の間の量の酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の窒素がおおよその組成
である酸窒化アルミニウムと、の少なくとも一方であり、コーティングが、プラズマでぬ
らされるシステムの部品に塗布される、方法を教示する。
法であって、プラズマシステムの効率を増加させる方法であって、プラズマエッチングを
必要としないシステム部品に表面コーティングを塗布することを含み、コーティングによ
って、エッチングされない部品のプラズマ流に対する反応性が低下し、表面コーティング
が、約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０％の量の酸素がおお
よその組成であるイットリアと、約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％
〜約４０％の間の量の酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の窒素がおおよその組成
である酸窒化アルミニウムと、の少なくとも一方であり、コーティングが、プラズマでぬ
らされるシステムの部品に塗布される、方法を教示する。
別の一実施形態において、イットリアなどの遷移金属酸化物のコーティングが、プラズ
マ部品に直接塗布される。本発明者らは、イットリアとプラズマ流との相互作用によって
、陽極処理アルミニウムの再結合速度よりも実質的に遅い再結合速度が得られることを見
出した。
マ部品に直接塗布される。本発明者らは、イットリアとプラズマ流との相互作用によって
、陽極処理アルミニウムの再結合速度よりも実質的に遅い再結合速度が得られることを見
出した。
種々の代表的な実施形態において、プラズマは、原子状酸素、分子酸素、原子状水素、
分子水素、原子状窒素、分子窒素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素および
分子フッ素の１種類以上を含む。種々のこれらおよびその他の実施形態において、プラズ
マは、フッ素含有プラズマ、酸素含有プラズマ、水素含有プラズマ、および窒素含有プラ
ズマの１種類以上を含む。種々の代表的な実施形態において、プラズマは複合プラズマで
ある。特定の実施形態において、フッ素含有プラズマは、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦ３Ｈ、
Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含み、酸素含有プラズ
マは、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｈ２Ｏ、およびＨ２Ｏ２を含み
、水素含有プラズマは、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２
、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含み、窒素含有プラズマは、Ｎ２、Ｎ２
Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｎ２／Ｈ２、およびＮＯを含む。
分子水素、原子状窒素、分子窒素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素および
分子フッ素の１種類以上を含む。種々のこれらおよびその他の実施形態において、プラズ
マは、フッ素含有プラズマ、酸素含有プラズマ、水素含有プラズマ、および窒素含有プラ
ズマの１種類以上を含む。種々の代表的な実施形態において、プラズマは複合プラズマで
ある。特定の実施形態において、フッ素含有プラズマは、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦ３Ｈ、
Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含み、酸素含有プラズ
マは、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｈ２Ｏ、およびＨ２Ｏ２を含み
、水素含有プラズマは、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２
、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含み、窒素含有プラズマは、Ｎ２、Ｎ２
Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｎ２／Ｈ２、およびＮＯを含む。
これらおよびその他の代表的な実施形態において、部品は、石英、アルミニウム，また
は陽極処理アルミニウム、またはそれらの組合せから製造される。
種々の実施形態において、コーティングは、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーティング、
ゾルゲルコーティング、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子ビーム堆
積、またはパルスレーザ堆積によって塗布されている。ある実施形態において、蒸着は、
プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、および化学蒸着（ＣＶＤ）
である。
は陽極処理アルミニウム、またはそれらの組合せから製造される。
種々の実施形態において、コーティングは、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーティング、
ゾルゲルコーティング、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子ビーム堆
積、またはパルスレーザ堆積によって塗布されている。ある実施形態において、蒸着は、
プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、および化学蒸着（ＣＶＤ）
である。
種々の実施形態において、コーティングは、約３ＧＰａ〜約１０ＧＰａの間の硬度、約
１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有し、コーティングは約−１５０
℃〜約＋６００℃の間の温度で安定である。
１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有し、コーティングは約−１５０
℃〜約＋６００℃の間の温度で安定である。
さらに別の代表的な一実施形態において、本開示は、プラズマシステムの部品の寿命を
増加させる方法であって、表面コーティングをシステム部品に塗布することを含み、コー
ティングによって部品のプラズマ流に対する反応性が低下し、表面コーティングは、約６
０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０％の量の酸素がおおよその組
成であるイットリアと、約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４０
％の間の量の酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の窒素がおおよその組成である酸
窒化アルミニウムと、の少なくとも一方であり、コーティングが、プラズマでぬらされる
システムの部品に塗布される、方法を教示する。
増加させる方法であって、表面コーティングをシステム部品に塗布することを含み、コー
ティングによって部品のプラズマ流に対する反応性が低下し、表面コーティングは、約６
０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０％の量の酸素がおおよその組
成であるイットリアと、約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４０
％の間の量の酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の窒素がおおよその組成である酸
窒化アルミニウムと、の少なくとも一方であり、コーティングが、プラズマでぬらされる
システムの部品に塗布される、方法を教示する。
ある代表的な実施形態において、プラズマは、原子状酸素、分子酸素、原子状水素、分
子水素、原子状窒素、分子窒素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素、および
分子フッ素の１種類以上を含む。種々のこれらおよびその他の実施形態において、プラズ
マは、フッ素含有プラズマ、酸素含有プラズマ、水素含有プラズマ、および窒素含有プラ
ズマの１つまたはより多くを含む。種々の代表的な実施形態において、プラズマは複合プ
ラズマである。特定の実施形態において、フッ素含有プラズマは、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ
Ｆ３Ｈ、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含み、酸素含
有プラズマは、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｈ２Ｏ、およびＨ２Ｏ
２を含み、水素含有プラズマは、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、
Ｈ２Ｏ２、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含み、窒素含有プラズマは、Ｎ
２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｎ２／Ｈ２、およびＮＯを含む。
子水素、原子状窒素、分子窒素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素、および
分子フッ素の１種類以上を含む。種々のこれらおよびその他の実施形態において、プラズ
マは、フッ素含有プラズマ、酸素含有プラズマ、水素含有プラズマ、および窒素含有プラ
ズマの１つまたはより多くを含む。種々の代表的な実施形態において、プラズマは複合プ
ラズマである。特定の実施形態において、フッ素含有プラズマは、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ
Ｆ３Ｈ、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含み、酸素含
有プラズマは、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｈ２Ｏ、およびＨ２Ｏ
２を含み、水素含有プラズマは、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、
Ｈ２Ｏ２、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含み、窒素含有プラズマは、Ｎ
２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｎ２／Ｈ２、およびＮＯを含む。
これらおよびその他の代表的な実施形態において、部品は、石英、アルミニウム、また
は陽極処理アルミニウム、またはそれらの組合せから製造される。
ある代表的な実施形態において、コーティングは、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーティ
ング、ゾルゲルコーティング、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子ビ
ーム堆積、またはパルスレーザ堆積によって塗布される。種々の実施形態において、蒸着
は、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、および化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）である。
は陽極処理アルミニウム、またはそれらの組合せから製造される。
ある代表的な実施形態において、コーティングは、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーティ
ング、ゾルゲルコーティング、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子ビ
ーム堆積、またはパルスレーザ堆積によって塗布される。種々の実施形態において、蒸着
は、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、および化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）である。
種々の実施形態において、コーティングは、約３ＧＰａ〜約１０ＧＰａの間の硬度、約
１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有し、コーティングは約−１５０
℃〜約＋６００℃の間の温度において安定である。
１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有し、コーティングは約−１５０
℃〜約＋６００℃の間の温度において安定である。
塗布可能な別のコーティングは遷移金属酸窒化物および金属酸化物であり、これらは金
属酸窒化物と遷移金属酸化物とを組み替えた材料の種類である。チャンバー部品を保護す
るために塗布可能なさらに別のコーティングとしては、ランタニドまたはアクチニド（ａ
ｃｔｅｎｉｄｅ）の下位分類の希土類化合物、たとえば希土類酸化物、希土類窒化物、お
よび希土類酸窒化物が挙げられる。
属酸窒化物と遷移金属酸化物とを組み替えた材料の種類である。チャンバー部品を保護す
るために塗布可能なさらに別のコーティングとしては、ランタニドまたはアクチニド（ａ
ｃｔｅｎｉｄｅ）の下位分類の希土類化合物、たとえば希土類酸化物、希土類窒化物、お
よび希土類酸窒化物が挙げられる。
構造的には、コーティングは、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶ
Ｄ）、スパッタ堆積、溶射コーティング、ゾルゲルコーティング、大気プラズマ堆積、マ
グネトロンスパッタリング、電子ビーム堆積、またはパルスレーザ堆積によって塗布する
ことができる。たとえば、ＰＶＤプロセスによる酸窒化アルミニウムコーティングの堆積
などが記載される２０１３年２月１４日に公開されたガンダ（Ｇｕｎｄａ）の国際公開第
２０１３／０２３０２９号パンフレットを参照されたい。国際公開第２０１３／０２３０
２９号パンフレットは、本出願の出願人が所有し、それに含まれる特定の定義および特許
請求の範囲を除いた全体が参照により本明細書に援用される。
Ｄ）、スパッタ堆積、溶射コーティング、ゾルゲルコーティング、大気プラズマ堆積、マ
グネトロンスパッタリング、電子ビーム堆積、またはパルスレーザ堆積によって塗布する
ことができる。たとえば、ＰＶＤプロセスによる酸窒化アルミニウムコーティングの堆積
などが記載される２０１３年２月１４日に公開されたガンダ（Ｇｕｎｄａ）の国際公開第
２０１３／０２３０２９号パンフレットを参照されたい。国際公開第２０１３／０２３０
２９号パンフレットは、本出願の出願人が所有し、それに含まれる特定の定義および特許
請求の範囲を除いた全体が参照により本明細書に援用される。
攻撃的な（たとえば、フッ素系）プラズマ環境中の化学的およびプラズマ物理的攻撃に
対して堅牢であるという利点を有するプラズマ部品用表面コーティングが本明細書に開示
される。これらのコーティングによって、他の既知の表面処理と比較した場合に、活性の
酸素種、窒素種、フッ素種、および水素種に対する遅いプラズマ表面再結合速度も得られ
る。これらのコーティングは、エッチングおよびプラズマ洗浄を必要とせず、限定するも
のではないが石英、アルミニウム、または陽極処理アルミニウムなどの材料を含むあらゆ
るプラズマシステム部品に塗布することができる。さらに、非反応性コーティングをシス
テム部品に塗布し、それによってシステムのプラズマチャンバーへの励起プラズマ種の流
れを増加させることで、システムの効率が増加する。
対して堅牢であるという利点を有するプラズマ部品用表面コーティングが本明細書に開示
される。これらのコーティングによって、他の既知の表面処理と比較した場合に、活性の
酸素種、窒素種、フッ素種、および水素種に対する遅いプラズマ表面再結合速度も得られ
る。これらのコーティングは、エッチングおよびプラズマ洗浄を必要とせず、限定するも
のではないが石英、アルミニウム、または陽極処理アルミニウムなどの材料を含むあらゆ
るプラズマシステム部品に塗布することができる。さらに、非反応性コーティングをシス
テム部品に塗布し、それによってシステムのプラズマチャンバーへの励起プラズマ種の流
れを増加させることで、システムの効率が増加する。
本明細書において使用される専門用語は、特定の実施形態のみ説明することを目的とし
ており、限定を意図するものではない。本明細書において使用される場合、単数形「ａ」
、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は、文脈が明確に他のことを意味するのでなければ、複数
形をも含むことを意図している。用語「第１」、「第２」などの使用は、特定の順序を示
すものではなく、個別の要素を識別するために含まれる。本明細書において使用される場
合、用語「含む」（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）および／または「含むこと」（ｃｏｍｐｒｉｓ
ｉｎｇ）または「含む」（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）および／または「含むこと」（ｉｎｃｌｕ
ｄｉｎｇ）は、記載の特徴、領域、整数、ステップ、操作、要素、および／または部品の
存在を明記するものであるが、１つ以上の別の特徴、領域、整数、ステップ、操作、要素
、部品、および／またはそれらの群の存在および追加を排除するものではないことをさら
に理解されたい。
ており、限定を意図するものではない。本明細書において使用される場合、単数形「ａ」
、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は、文脈が明確に他のことを意味するのでなければ、複数
形をも含むことを意図している。用語「第１」、「第２」などの使用は、特定の順序を示
すものではなく、個別の要素を識別するために含まれる。本明細書において使用される場
合、用語「含む」（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）および／または「含むこと」（ｃｏｍｐｒｉｓ
ｉｎｇ）または「含む」（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）および／または「含むこと」（ｉｎｃｌｕ
ｄｉｎｇ）は、記載の特徴、領域、整数、ステップ、操作、要素、および／または部品の
存在を明記するものであるが、１つ以上の別の特徴、領域、整数、ステップ、操作、要素
、部品、および／またはそれらの群の存在および追加を排除するものではないことをさら
に理解されたい。
他の方法で定義されるのでなければ、本明細書において使用されるすべての用語（専門
用語および科学用語を含む）は、本発明の実施形態が属する技術分野の当業者によって一
般に理解される意味と同じ意味を有する。一般に使用される辞書で定義されるような用語
は、関連技術および本開示の状況におけるそれらの意味と一致する意味を有すると解釈す
べきであり、本明細書において明確に定義されるのでなければ、理想化された意味、およ
び過度に形式的な意味では解釈されないことをさらに理解されたい。
用語および科学用語を含む）は、本発明の実施形態が属する技術分野の当業者によって一
般に理解される意味と同じ意味を有する。一般に使用される辞書で定義されるような用語
は、関連技術および本開示の状況におけるそれらの意味と一致する意味を有すると解釈す
べきであり、本明細書において明確に定義されるのでなければ、理想化された意味、およ
び過度に形式的な意味では解釈されないことをさらに理解されたい。
本明細書に含まれる「実施形態」、「本開示の実施形態」、および「開示される実施形
態」への言及は、従来技術には認められない本特許出願の明細書（請求項および図面を含
めた文章）を意味する。
態」への言及は、従来技術には認められない本特許出願の明細書（請求項および図面を含
めた文章）を意味する。
本明細書において使用される場合、用語「プラズマでぬらされる部品」（ｐｌａｓｍａ
−ｗｅｔｔｅｄ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）は、プラズマ流と接触する任意の部品または物品
を意味する。このような部品または物品は、プラズマチャンバーの一部であってよいし、
またはプラズマチャンバー中に配置され、プラズマ流に曝露する任意の物品であってよい
。
−ｗｅｔｔｅｄ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）は、プラズマ流と接触する任意の部品または物品
を意味する。このような部品または物品は、プラズマチャンバーの一部であってよいし、
またはプラズマチャンバー中に配置され、プラズマ流に曝露する任意の物品であってよい
。
本明細書において使用される場合、用語「プラズマアッシング」は、エッチングされた
ウエハまたは別の基板からフォトレジストが除去されるプロセスを意味する。
本明細書において使用される場合、用語「アッシングチャンバー」は、プラズマ流によ
ってプラズマエッチングが行われるウエハなどの基板を保持する密閉箱を意味する。
ウエハまたは別の基板からフォトレジストが除去されるプロセスを意味する。
本明細書において使用される場合、用語「アッシングチャンバー」は、プラズマ流によ
ってプラズマエッチングが行われるウエハなどの基板を保持する密閉箱を意味する。
本明細書において使用される場合、用語「アッシングされる部品」は、ウエハのフォト
レジストなどのプラズマ流と反応することが望ましいプラズマチャンバーの部品を意味す
る。
レジストなどのプラズマ流と反応することが望ましいプラズマチャンバーの部品を意味す
る。
本明細書において使用される場合、用語「アッシングされない部品」は、プラズマ流と
の反応が望ましくないプラズマチャンバーの部品を意味する。このような部品としては、
バルブ、バッフル、電極などのプラズマチャンバーの構成部品、ならびにウエハ支持体ま
たは担体などのチャンバー中に入れられる補助材料が挙げられる。
の反応が望ましくないプラズマチャンバーの部品を意味する。このような部品としては、
バルブ、バッフル、電極などのプラズマチャンバーの構成部品、ならびにウエハ支持体ま
たは担体などのチャンバー中に入れられる補助材料が挙げられる。
本明細書において使用される場合、用語「フォーミングガス」は、表面上の酸化物を水
に還元するために使用される水素と不活性ガス（通常は窒素）との混合物を意味する。水
素は、約４．７体積％未満に水素を維持するために不活性ガス中に希釈されるが、その理
由はこの値を超えると水素は自発的に燃焼する可能性があるからである。
に還元するために使用される水素と不活性ガス（通常は窒素）との混合物を意味する。水
素は、約４．７体積％未満に水素を維持するために不活性ガス中に希釈されるが、その理
由はこの値を超えると水素は自発的に燃焼する可能性があるからである。
概略的に前述したような装置および化合物の種々の代表的な実施形態、ならびに本開示
による方法は、以下の実施例を参照することによって理解がより容易となり、これらの実
施例は例として提供されるものであり、本発明の限定を意図したものでは決してない。
による方法は、以下の実施例を参照することによって理解がより容易となり、これらの実
施例は例として提供されるものであり、本発明の限定を意図したものでは決してない。
以下の実施例は、酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）およびイットリアのコーティングを
参照しており、これらはマサチューセッツ州ベッドフォード（Ｂｅｄｆｏｒｄ ＭＡ）の
インテグリス・インコーポレーテッド（Ｅｎｔｅｇｒｉｓ，Ｉｎｃ．）により製造される
独自の物理蒸着（ＰＶＤ）コーティングである。特に、これらのコーティングは、厚さが
４〜５マイクロメートルであり、表１に示されるように画定される化学組成を有する。
参照しており、これらはマサチューセッツ州ベッドフォード（Ｂｅｄｆｏｒｄ ＭＡ）の
インテグリス・インコーポレーテッド（Ｅｎｔｅｇｒｉｓ，Ｉｎｃ．）により製造される
独自の物理蒸着（ＰＶＤ）コーティングである。特に、これらのコーティングは、厚さが
４〜５マイクロメートルであり、表１に示されるように画定される化学組成を有する。
この実施例では、アクセリス・テクノロジーズ・インコーポレーテッド（Ａｘｃｅｌｉ
ｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．）より市販されるラジアント・ストリップ（Ｒ
ａｄｉａｎｔ Ｓｔｒｉｐ）２２０ＥＳ−ＩＰプラズマアッシングツールを使用して、酸
素およびフォーミングガス（窒素中３％の水素）から形成されるプラズマに、２００ｍｍ
のシリコン基板上にコーティングしたフォトレジストを曝露した。シリコン基板上に市販
のｉ線フォトレジストを約１．８マイクロメートルの厚さで堆積した。約１３３Ｐａ（約
１Ｔｏｒｒ）の圧力、約２７０℃の温度、および２０００ワットの出力設定のプラズマア
ッシングツール中に、９０％の酸素および１０％のフォーミングガスを約３．５標準リッ
トル／分（ｓｌｍ）で流すことによって、Ｏ２／ＦＧプラズマの化学的性質を得た。
フォトレジストをそれぞれのプラズマに１５秒間曝露した後に、Ｏ２／ＦＧプラズマス
トリッピングプロセスのフォトレジスト除去速度（アッシング速度とも呼ばれる）および
ウエハ間均一性を測定した。アッシング速度は、チャンバーのバッフル板の以下の２つの
構成で比較した。
トリッピングプロセスのフォトレジスト除去速度（アッシング速度とも呼ばれる）および
ウエハ間均一性を測定した。アッシング速度は、チャンバーのバッフル板の以下の２つの
構成で比較した。
（ｉ）最適化された表面仕上げを有し、したがって陽極処理バッフル板構成で得ること
が可能な最大アッシング速度が得られる陽極処理アルミニウムバッフル板。
（ｉｉ）マサチューセッツ州ベッドフォード０１７３０（Ｂｅｄｆｏｒｄ，ＭＡ ０１
７３０）のインテグリス・スペシャルティ・コーティングス（Ｅｎｔｅｇｒｉｓ Ｓｐｅ
ｃｉａｌｔｙ Ｃｏａｔｉｎｇｓ）より市販される酸窒化アルミニウムコーティングを有
するアルミニウムバッフル。
が可能な最大アッシング速度が得られる陽極処理アルミニウムバッフル板。
（ｉｉ）マサチューセッツ州ベッドフォード０１７３０（Ｂｅｄｆｏｒｄ，ＭＡ ０１
７３０）のインテグリス・スペシャルティ・コーティングス（Ｅｎｔｅｇｒｉｓ Ｓｐｅ
ｃｉａｌｔｙ Ｃｏａｔｉｎｇｓ）より市販される酸窒化アルミニウムコーティングを有
するアルミニウムバッフル。
表面仕上げまたは表面コーティング組成以外は、これら２つのバッフル構成は、プラズ
マ洗浄システム中の形状、大きさ、および位置が同一であった。
それぞれの構成で６つのウエハについてアッシング速度および不均一性の測定を行い、
６つのウエハは２５ウエハ試験運転のスロット１、５、１０、１５、２０、および２５に
配置した。ウエハ上の４９の測定点に基づいてフォトレジスト厚さの差を求め（アッシン
グ後からアッシング前を引く）、フォトレジストの収縮量（温度のみに曝露して得られる
レジスト厚さの変化）を除去することによって、アッシング速度が計算される。ウエハを
ゼロプラズマ出力で処理する別の試験運転で求めると、フォトレジストの収縮は４６０ｎ
ｍ（４６００Å）であることが分かった。アッシング速度試験の時間を考慮することによ
って、収縮を除いた厚さの最終変化はμｍ／分の単位の速度で表される。
マ洗浄システム中の形状、大きさ、および位置が同一であった。
それぞれの構成で６つのウエハについてアッシング速度および不均一性の測定を行い、
６つのウエハは２５ウエハ試験運転のスロット１、５、１０、１５、２０、および２５に
配置した。ウエハ上の４９の測定点に基づいてフォトレジスト厚さの差を求め（アッシン
グ後からアッシング前を引く）、フォトレジストの収縮量（温度のみに曝露して得られる
レジスト厚さの変化）を除去することによって、アッシング速度が計算される。ウエハを
ゼロプラズマ出力で処理する別の試験運転で求めると、フォトレジストの収縮は４６０ｎ
ｍ（４６００Å）であることが分かった。アッシング速度試験の時間を考慮することによ
って、収縮を除いた厚さの最終変化はμｍ／分の単位の速度で表される。
図１を参照すると、本開示の実施形態の場合の実施例１のアッシング速度試験の結果が
示されている。ＡｌＯＮをコーティングしたアルミニウムバッフル板を使用した構成では
、最適化された陽極処理バッフル構成で得られる速度よりも約２０％速いアッシング速度
が一貫して得られたことに留意されたい。より速いアッシング速度は、活性の酸素種、水
素種、および窒素種の少なくとも１種類のより多い量がバッフル板を通過して、フォトレ
ジストと反応できることを示している。より速いアッシング速度が望ましいが、その理由
は、反応性種のチャンバーへの流れが多いことを示しており、したがって基板のより速い
洗浄が可能となるからである。
［実施例２］
この実施例では、２００ｍｍのシリコン基板上にコーティングしたフォトレジストの種
々の以下に示すプラズマへの曝露を行った。
示されている。ＡｌＯＮをコーティングしたアルミニウムバッフル板を使用した構成では
、最適化された陽極処理バッフル構成で得られる速度よりも約２０％速いアッシング速度
が一貫して得られたことに留意されたい。より速いアッシング速度は、活性の酸素種、水
素種、および窒素種の少なくとも１種類のより多い量がバッフル板を通過して、フォトレ
ジストと反応できることを示している。より速いアッシング速度が望ましいが、その理由
は、反応性種のチャンバーへの流れが多いことを示しており、したがって基板のより速い
洗浄が可能となるからである。
［実施例２］
この実施例では、２００ｍｍのシリコン基板上にコーティングしたフォトレジストの種
々の以下に示すプラズマへの曝露を行った。
（ｉ）約１３３Ｐａ（約１Ｔｏｒｒ）の圧力、約２７０℃の温度、および２０００ワッ
トの出力設定のプラズマアッシングツール中に９０％の酸素および１０％のフォーミング
ガスを流すことによって形成されるＯ２／ＦＧプラズマ。
トの出力設定のプラズマアッシングツール中に９０％の酸素および１０％のフォーミング
ガスを流すことによって形成されるＯ２／ＦＧプラズマ。
（ｉｉ）約１３３Ｐａ（約１Ｔｏｒｒ）の圧力、約２７０℃の温度、および２０００ワ
ットの出力設定のプラズマアッシングツール中に９０％の酸素および１０％のフォーミン
グガス、ならびに〜約０．１５％のＣＦ４を流すことによって形成されるＯ２／ＦＧ＋Ｃ
Ｆ４プラズマ。
ットの出力設定のプラズマアッシングツール中に９０％の酸素および１０％のフォーミン
グガス、ならびに〜約０．１５％のＣＦ４を流すことによって形成されるＯ２／ＦＧ＋Ｃ
Ｆ４プラズマ。
そして、これらのプラズマの曝露を以下に示す２つの異なるプラズマ洗浄システム中で
行った。
（ｉ）アクセリス・テクノロジーズ・インコーポレーテッドより市販されるラジアント
・ストリップ２２０ＥＳ−ＩＰプラズマアッシングツール。
行った。
（ｉ）アクセリス・テクノロジーズ・インコーポレーテッドより市販されるラジアント
・ストリップ２２０ＥＳ−ＩＰプラズマアッシングツール。
（ｉｉ）アクセリス・テクノロジーズ・インコーポレーテッドより市販されるラジアン
ト・ストリップ２２０プラズマアッシングツール。
さらに、これらのプラズマの曝露を以下の４つの異なるプラズマツールバッフル構成の
場合で行った。
ト・ストリップ２２０プラズマアッシングツール。
さらに、これらのプラズマの曝露を以下の４つの異なるプラズマツールバッフル構成の
場合で行った。
（ｉ）最適化された陽極処理アルミニウムバッフル。
（ｉｉ）標準の陽極処理アルミニウムバッフル。
（ｉｉｉ）酸窒化アルミニウムをコーティングしたアルミニウムバッフル。
（ｉｉ）標準の陽極処理アルミニウムバッフル。
（ｉｉｉ）酸窒化アルミニウムをコーティングしたアルミニウムバッフル。
（ｉｖ）イットリアをコーティングしたアルミニウムバッフル。
表面仕上げまたは表面コーティング以外は、これら４つのバッフル構成は、プラズマ洗
浄システム中の形状、大きさ、および位置が同一であった。
表面仕上げまたは表面コーティング以外は、これら４つのバッフル構成は、プラズマ洗
浄システム中の形状、大きさ、および位置が同一であった。
それぞれの構成で２つのウエハについてアッシング速度および不均一性の測定を行った
。実施例１に記載の方法と同じ方法でアッシング速度を計算した。
図２を参照すると、本開示の実施形態の場合の実施例２のアッシング速度試験の結果が
示されている。これらの結果は、ＡｌＯＮをコーティングしたアルミニウムバッフル板構
成は、一貫して最高アッシング速度を示し、標準の陽極処理アルミニウムバッフルまたは
イットリアをコーティングしたアルミニウムバッフルのいずれかで得られたアッシング速
度よりも約５０％速く、最適化された陽極処理アルミニウムバッフル板で得られたアッシ
ング速度よりも約２０％速い値であったことを示している。より速いアッシング速度は、
アッシングされない部品との相互作用が軽減されるため、活性の酸素種、水素種、フッ素
種、および窒素種の少なくとも１種類のより多い量がバッフル板を通過し、それによって
アッシングされる部品まで励起種がより多く流れることを示している。これによってフォ
トレジストとの反応が増加することができる。基板のより速い洗浄が可能となるので、よ
り速いアッシング速度が望ましい。
。実施例１に記載の方法と同じ方法でアッシング速度を計算した。
図２を参照すると、本開示の実施形態の場合の実施例２のアッシング速度試験の結果が
示されている。これらの結果は、ＡｌＯＮをコーティングしたアルミニウムバッフル板構
成は、一貫して最高アッシング速度を示し、標準の陽極処理アルミニウムバッフルまたは
イットリアをコーティングしたアルミニウムバッフルのいずれかで得られたアッシング速
度よりも約５０％速く、最適化された陽極処理アルミニウムバッフル板で得られたアッシ
ング速度よりも約２０％速い値であったことを示している。より速いアッシング速度は、
アッシングされない部品との相互作用が軽減されるため、活性の酸素種、水素種、フッ素
種、および窒素種の少なくとも１種類のより多い量がバッフル板を通過し、それによって
アッシングされる部品まで励起種がより多く流れることを示している。これによってフォ
トレジストとの反応が増加することができる。基板のより速い洗浄が可能となるので、よ
り速いアッシング速度が望ましい。
１から４７まで連続して列挙される以下の付記（ｐａｒａｇｒａｐｈ）は、本開示の種
々の態様を示している。一実施形態においては、第１の付記（１）において、本発明は以
下のコーティングを提供する。
々の態様を示している。一実施形態においては、第１の付記（１）において、本発明は以
下のコーティングを提供する。
１．プラズマでぬらされる表面システム部品の反応性を低下させるコーティングであっ
て、
約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０％の量の酸素がおおよ
その組成であるイットリアと、
約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４０％の間の量の酸素、お
よび約２０％〜約４０％の間の量の窒素がおおよその組成である酸窒化アルミニウムと、
の少なくとも一方を含み、
プラズマでぬらされるシステムの部品に塗布されている、コーティング。
て、
約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０％の量の酸素がおおよ
その組成であるイットリアと、
約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４０％の間の量の酸素、お
よび約２０％〜約４０％の間の量の窒素がおおよその組成である酸窒化アルミニウムと、
の少なくとも一方を含み、
プラズマでぬらされるシステムの部品に塗布されている、コーティング。
２．コーティングが、約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０
％の量の酸素を含むイットリアである、付記１に記載のコーティング。
３．コーティングが、約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４０
％の間の量の酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の窒素を含む酸窒化アルミニウム
である、付記１に記載のコーティング。
％の量の酸素を含むイットリアである、付記１に記載のコーティング。
３．コーティングが、約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４０
％の間の量の酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の窒素を含む酸窒化アルミニウム
である、付記１に記載のコーティング。
４．プラズマが、原子状酸素、分子酸素、原子状水素、分子水素、原子状窒素、分子窒
素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素、分子フッ素の１種類以上を含む、付
記１〜３のいずれかに記載のコーティング。
素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素、分子フッ素の１種類以上を含む、付
記１〜３のいずれかに記載のコーティング。
５．プラズマが、フッ素含有プラズマ、酸素含有プラズマ、水素含有プラズマ、および
窒素含有プラズマの１種類以上を含む、付記１〜４のいずれかに記載のコーティング。
６．フッ素含有プラズマが、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦ３Ｈ、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ
６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含む、付記１〜５のいずれかに記載のコーティン
グ。
窒素含有プラズマの１種類以上を含む、付記１〜４のいずれかに記載のコーティング。
６．フッ素含有プラズマが、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦ３Ｈ、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ
６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含む、付記１〜５のいずれかに記載のコーティン
グ。
７．酸素含有プラズマが、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｈ２Ｏ、
およびＨ２Ｏ２を含む、付記１〜５のいずれかに記載のコーティング。
８．水素含有プラズマが、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２
Ｏ２、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含む、付記１〜５のいずれかに記載
のコーティング。
およびＨ２Ｏ２を含む、付記１〜５のいずれかに記載のコーティング。
８．水素含有プラズマが、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２
Ｏ２、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含む、付記１〜５のいずれかに記載
のコーティング。
９．窒素含有プラズマが、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｎ２／Ｈ２、およびＮＯを
含む、付記１〜５のいずれかに記載のコーティング。
１０．コーティングが、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーティング、ゾルゲルコーティン
グ、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子ビーム堆積、またはパルスレ
ーザ堆積によって塗布されている、付記１〜９のいずれかに記載のコーティング。
含む、付記１〜５のいずれかに記載のコーティング。
１０．コーティングが、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーティング、ゾルゲルコーティン
グ、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子ビーム堆積、またはパルスレ
ーザ堆積によって塗布されている、付記１〜９のいずれかに記載のコーティング。
１１．蒸着が、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、および化
学蒸着（ＣＶＤ）である、付記１〜１０のいずれかに記載のコーティング。
１２．コーティングが約−１５０℃〜約＋６００℃の間の温度で安定である、付記１〜
１１のいずれかに記載の表面コーティング。
学蒸着（ＣＶＤ）である、付記１〜１０のいずれかに記載のコーティング。
１２．コーティングが約−１５０℃〜約＋６００℃の間の温度で安定である、付記１〜
１１のいずれかに記載の表面コーティング。
１３．プラズマシステムが、下流遠隔プラズマシステム、誘導結合プラズマシステム、
容量結合プラズマシステム、反応性イオンエッチングプラズマシステム、および大気プラ
ズマシステム、およびイオンエッチングプラズマシステムである、付記１〜１２のいずれ
かに記載の表面コーティング。
容量結合プラズマシステム、反応性イオンエッチングプラズマシステム、および大気プラ
ズマシステム、およびイオンエッチングプラズマシステムである、付記１〜１２のいずれ
かに記載の表面コーティング。
１４．コーティングが約３ＧＰａ〜約１０ＧＰａの間の硬度を有する、付記１〜１３の
いずれかに記載の表面コーティング。
１５．コーティングが約１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有する
、付記１〜１４のいずれかに記載の表面コーティング。
いずれかに記載の表面コーティング。
１５．コーティングが約１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有する
、付記１〜１４のいずれかに記載の表面コーティング。
１６．部品が、石英、アルミニウム、または陽極処理アルミニウム、またはそれらの組
合せから製造される、付記１〜１５のいずれかに記載の表面コーティング。
１７．プラズマシステムの効率を増加させる方法であって、プラズマエッチングを必要
としないシステム部品に表面コーティングを塗布することを含み、コーティングによって
、エッチングされない部品のプラズマ流に対する反応性が低下し、
表面コーティングが、
約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０％の量の酸素がおおよ
その組成であるイットリアと、
約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４０％の間の量の酸素、お
よび約２０％〜約４０％の間の量の窒素がおおよその組成である酸窒化アルミニウムと、
の少なくとも一方であり、
コーティングがプラズマでぬらされるシステムの部品に塗布される、方法。
合せから製造される、付記１〜１５のいずれかに記載の表面コーティング。
１７．プラズマシステムの効率を増加させる方法であって、プラズマエッチングを必要
としないシステム部品に表面コーティングを塗布することを含み、コーティングによって
、エッチングされない部品のプラズマ流に対する反応性が低下し、
表面コーティングが、
約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０％の量の酸素がおおよ
その組成であるイットリアと、
約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４０％の間の量の酸素、お
よび約２０％〜約４０％の間の量の窒素がおおよその組成である酸窒化アルミニウムと、
の少なくとも一方であり、
コーティングがプラズマでぬらされるシステムの部品に塗布される、方法。
１８．プラズマが、原子状酸素、分子酸素、原子状水素、分子水素、原子状窒素、分子
窒素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素、分子フッ素の１種類以上を含む、
付記１７に記載の方法。
窒素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素、分子フッ素の１種類以上を含む、
付記１７に記載の方法。
１９．プラズマが、フッ素含有プラズマ、酸素含有プラズマ、水素含有プラズマ、およ
び窒素含有プラズマの１種類以上を含む、付記１７または１８に記載の方法。
２０．フッ素含有プラズマが、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦ３Ｈ、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｓ
Ｆ６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含む、付記１７〜１９のいずれかに記載の方法
。
び窒素含有プラズマの１種類以上を含む、付記１７または１８に記載の方法。
２０．フッ素含有プラズマが、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦ３Ｈ、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｓ
Ｆ６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含む、付記１７〜１９のいずれかに記載の方法
。
２１．酸素含有プラズマが、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｈ２Ｏ
、およびＨ２Ｏ２を含む、付記１７〜１９のいずれかに記載の方法。
２２．水素含有プラズマが、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ
２Ｏ２、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含む、付記１７〜１９のいずれか
に記載の方法。
、およびＨ２Ｏ２を含む、付記１７〜１９のいずれかに記載の方法。
２２．水素含有プラズマが、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ
２Ｏ２、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含む、付記１７〜１９のいずれか
に記載の方法。
２３．窒素含有プラズマが、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｎ２／Ｈ２、およびＮＯ
を含む、付記１７〜１９のいずれかに記載の方法。
２４．コーティングが、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーティング、ゾルゲルコーティン
グ、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子ビーム堆積、またはパルスレ
ーザ堆積によって塗布される、付記１７〜２３のいずれかに記載の方法。
を含む、付記１７〜１９のいずれかに記載の方法。
２４．コーティングが、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーティング、ゾルゲルコーティン
グ、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子ビーム堆積、またはパルスレ
ーザ堆積によって塗布される、付記１７〜２３のいずれかに記載の方法。
２５．蒸着が、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、および化
学蒸着（ＣＶＤ）である、付記１７〜２４のいずれかに記載の方法。
２６．コーティングが約−１５０℃〜約＋６００℃の間の温度で安定である、付記１７
〜２５のいずれかに記載の方法。
学蒸着（ＣＶＤ）である、付記１７〜２４のいずれかに記載の方法。
２６．コーティングが約−１５０℃〜約＋６００℃の間の温度で安定である、付記１７
〜２５のいずれかに記載の方法。
２７．コーティングが約３ＧＰａ〜約１０ＧＰａの間の硬度を有する、付記１７〜２６
のいずれかに記載の方法。
２８．コーティングが約１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有する
、付記１７〜２７のいずれかに記載の方法。
のいずれかに記載の方法。
２８．コーティングが約１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有する
、付記１７〜２７のいずれかに記載の方法。
２９．コーティングが、約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４
０％の量の酸素を含むイットリアである、付記１７〜２８のいずれかに記載の方法。
３０．コーティングが、約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４
０％の間の量の酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の窒素を含む酸窒化アルミニウ
ムである、付記１７〜２９のいずれかに記載の方法。
０％の量の酸素を含むイットリアである、付記１７〜２８のいずれかに記載の方法。
３０．コーティングが、約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４
０％の間の量の酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の窒素を含む酸窒化アルミニウ
ムである、付記１７〜２９のいずれかに記載の方法。
３１．部品が、石英、アルミニウム、または陽極処理アルミニウム、またはそれらの組
合せから製造される、付記１７〜３０のいずれかに記載の方法。
３２．プラズマシステムの部品の寿命を増加させる方法であって、表面コーティングを
システム部品に塗布することを含み、コーティングによって部品のプラズマ流に対する反
応性が低下し、
表面コーティングは、
約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０％の量の酸素がおおよ
その組成であるイットリアと、
約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４０％の間の量の酸素、お
よび約２０％〜約４０％の間の量の窒素がおおよその組成である酸窒化アルミニウムと、
の少なくとも一方であり、
コーティングが、プラズマでぬらされるシステムの部品に塗布される、方法。
合せから製造される、付記１７〜３０のいずれかに記載の方法。
３２．プラズマシステムの部品の寿命を増加させる方法であって、表面コーティングを
システム部品に塗布することを含み、コーティングによって部品のプラズマ流に対する反
応性が低下し、
表面コーティングは、
約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０％の量の酸素がおおよ
その組成であるイットリアと、
約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４０％の間の量の酸素、お
よび約２０％〜約４０％の間の量の窒素がおおよその組成である酸窒化アルミニウムと、
の少なくとも一方であり、
コーティングが、プラズマでぬらされるシステムの部品に塗布される、方法。
３３．プラズマが、原子状酸素、分子酸素、原子状水素、分子水素、原子状窒素、分子
窒素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素、分子フッ素の１種類以上を含む、
付記３２に記載の方法。
窒素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素、分子フッ素の１種類以上を含む、
付記３２に記載の方法。
３４．プラズマが、フッ素含有プラズマ、酸素含有プラズマ、水素含有プラズマ、およ
び窒素含有プラズマの１種類以上を含む、付記３２または３３に記載の方法。
３５．フッ素含有プラズマが、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦ３Ｈ、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｓ
Ｆ６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含む、付記３２〜３４のいずれかに記載の方法
。
び窒素含有プラズマの１種類以上を含む、付記３２または３３に記載の方法。
３５．フッ素含有プラズマが、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦ３Ｈ、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｓ
Ｆ６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含む、付記３２〜３４のいずれかに記載の方法
。
３６．酸素含有プラズマが、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｈ２Ｏ
、およびＨ２Ｏ２を含む、付記３２〜３４のいずれかに記載の方法。
３７．水素含有プラズマが、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ
２Ｏ２、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含む、付記３２〜３４のいずれか
に記載の方法。
、およびＨ２Ｏ２を含む、付記３２〜３４のいずれかに記載の方法。
３７．水素含有プラズマが、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ
２Ｏ２、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含む、付記３２〜３４のいずれか
に記載の方法。
３８．窒素含有プラズマが、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｎ２／Ｈ２、およびＮＯ
を含む、付記３２〜３４のいずれかに記載の方法。
３９．コーティングが、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーティング、ゾルゲルコーティン
グ、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子ビーム堆積、またはパルスレ
ーザ堆積によって塗布される、付記３２〜３８のいずれかに記載の方法。
を含む、付記３２〜３４のいずれかに記載の方法。
３９．コーティングが、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーティング、ゾルゲルコーティン
グ、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子ビーム堆積、またはパルスレ
ーザ堆積によって塗布される、付記３２〜３８のいずれかに記載の方法。
４０．蒸着が、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、および化
学蒸着（ＣＶＤ）である、付記３２〜３９のいずれかに記載の方法。
４１．コーティングが約−１５０℃〜約＋６００℃の間の温度で安定である、付記３２
〜４０のいずれかに記載の方法。
学蒸着（ＣＶＤ）である、付記３２〜３９のいずれかに記載の方法。
４１．コーティングが約−１５０℃〜約＋６００℃の間の温度で安定である、付記３２
〜４０のいずれかに記載の方法。
４２．コーティングが約３ＧＰａ〜約１０ＧＰａの間の硬度を有する、付記３２〜４１
のいずれかに記載の表面コーティング。
４３．コーティングが約１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有する
、付記３２〜４２のいずれかに記載の表面コーティング。
のいずれかに記載の表面コーティング。
４３．コーティングが約１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有する
、付記３２〜４２のいずれかに記載の表面コーティング。
４４．コーティングが、約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４
０％の量の酸素を含むイットリアである、付記３２〜４３のいずれかに記載の方法。
４５．コーティングが、約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４
０％の間の量の酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の窒素を含む酸窒化アルミニウ
ムである、付記３２〜４４のいずれかに記載の方法。
０％の量の酸素を含むイットリアである、付記３２〜４３のいずれかに記載の方法。
４５．コーティングが、約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４
０％の間の量の酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の窒素を含む酸窒化アルミニウ
ムである、付記３２〜４４のいずれかに記載の方法。
４６．部品が、石英、アルミニウム、または陽極処理アルミニウム、またはそれらの組
合せから製造される、付記３２〜４５のいずれかに記載の方法。
本発明の実施形態の請求項を説明するためには、特定の用語「〜のための手段」または
「〜のためのステップ」がそれぞれの請求項に記載されるのでなければ、米国特許法第１
１２条（ｆ）の条項は行使されるべきではないことが、明確に意図される。
合せから製造される、付記３２〜４５のいずれかに記載の方法。
本発明の実施形態の請求項を説明するためには、特定の用語「〜のための手段」または
「〜のためのステップ」がそれぞれの請求項に記載されるのでなければ、米国特許法第１
１２条（ｆ）の条項は行使されるべきではないことが、明確に意図される。
前述の概略の種々の代表的な実施形態とあわせて本発明を説明してきたが、既知である
か、または現在予測されないか、または現在予測されない場合があるかのいずれかの種々
の代案、修正、変形、改善や実質的な均等物が、当技術分野の少なくとも通常の技術を有
する者には明らかとなるであろう。したがって、前述のような本発明による代表的な実施
形態は、説明を意図したものであり限定を意図したものではない。本発明の意図および範
囲を逸脱することなく種々の変更が可能である。したがって、本発明は、すべての既知の
、または後に開発されるこれらの代表的な実施形態の代案、修正、変形、改善や実質的な
均等物を含むことが意図される。
か、または現在予測されないか、または現在予測されない場合があるかのいずれかの種々
の代案、修正、変形、改善や実質的な均等物が、当技術分野の少なくとも通常の技術を有
する者には明らかとなるであろう。したがって、前述のような本発明による代表的な実施
形態は、説明を意図したものであり限定を意図したものではない。本発明の意図および範
囲を逸脱することなく種々の変更が可能である。したがって、本発明は、すべての既知の
、または後に開発されるこれらの代表的な実施形態の代案、修正、変形、改善や実質的な
均等物を含むことが意図される。
Claims (46)
- プラズマでぬらされる表面システム部品の反応性を低下させるコーティングであって、
約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０％の量の酸素がおおよ
その組成であるイットリアと、
約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４０％の間の量の酸素、お
よび約２０％〜約４０％の間の量の窒素がおおよその組成である酸窒化アルミニウムと、
の少なくとも一方を含み、
前記プラズマでぬらされるシステムの部品に塗布されている、コーティング。 - 前記コーティングが、約６０％〜約８０％の量の前記イットリウムおよび約２０％〜約
４０％の量の酸素を含む前記イットリアである、請求項１に記載のコーティング。 - 前記コーティングが、
約２５％〜約６０％の間の量の前記アルミニウム、約２０％〜約４０％の間の量の前記
酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の前記窒素を含む前記酸窒化アルミニウムであ
る、請求項１に記載のコーティング。 - 前記プラズマが、原子状酸素、分子酸素、原子状水素、分子水素、原子状窒素、分子窒
素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素、分子フッ素の１種類以上を含む、請
求項１に記載のコーティング。 - 前記プラズマが、フッ素含有プラズマ、酸素含有プラズマ、水素含有プラズマ、および
窒素含有プラズマの１種類以上を含む、請求項４に記載のコーティング。 - 前記フッ素含有プラズマが、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦ３Ｈ、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ
６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のコー
ティング。 - 前記酸素含有プラズマが、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｈ２Ｏ、
およびＨ２Ｏ２を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のコーティング。 - 前記水素含有プラズマが、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２
Ｏ２、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含む、請求項１〜５のいずれか一項
に記載のコーティング。 - 前記窒素含有プラズマが、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｎ２／Ｈ２、およびＮＯを
含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のコーティング。 - 前記コーティング前記コーティングが、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーティング、ゾル
ゲルコーティング、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子ビーム堆積、
またはパルスレーザ堆積によって塗布されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の
コーティング。 - 前記蒸着が、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、および化学
蒸着（ＣＶＤ）である、請求項１０に記載のコーティング。 - 前記コーティングが約−１５０℃〜約＋６００℃の間の温度で安定である、請求項１〜
５のいずれか一項に記載のコーティング。 - 前記プラズマシステムが、下流遠隔プラズマシステム、誘導結合プラズマシステム、容
量結合プラズマシステム、反応性イオンエッチングプラズマシステム、および大気プラズ
マシステム、およびイオンエッチングプラズマシステムである、請求項１〜５のいずれか
一項に記載のコーティング。 - 前記コーティングが約３ＧＰａ〜約１０ＧＰａの間の硬度を有する、請求項１〜５のい
ずれか一項に記載のコーティング。 - 前記コーティングが約１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有する、
請求項１〜５のいずれか一項に記載のコーティング。 - 前記部品が、石英、アルミニウム、または陽極処理アルミニウム、またはそれらの組合
せから製造される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のコーティング。 - プラズマシステムの効率を増加させる方法であって、プラズマエッチングを必要としな
いシステム部品に表面コーティングを塗布することを含み、前記コーティングによって、
前記エッチングされない部品のプラズマ流に対する反応性が低下し、
前記表面コーティングが、
約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０％の量の酸素がおおよ
その組成であるイットリアと、
約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４０％の間の量の酸素、お
よび約２０％〜約４０％の間の量の窒素がおおよその組成である酸窒化アルミニウムと、
の少なくとも一方であり、
前記コーティングが、プラズマでぬらされるシステムの部品に塗布される、方法。 - 前記コーティングが、約６０％〜約８０％の量の前記イットリウムおよび約２０％〜約
４０％の量の前記酸素を含む前記イットリアである、請求項１７に記載の方法。 - 前記コーティングが、約２５％〜約６０％の間の量の前記アルミニウム、約２０％〜約
４０％の間の量の前記酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の前記窒素を含む前記酸
窒化アルミニウムである、請求項１７に記載の方法。 - 前記プラズマが、原子状酸素、分子酸素、原子状水素、分子水素、原子状窒素、分子窒
素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素、分子フッ素の１種類以上を含む、請
求項１７に記載の方法。 - 前記プラズマが、フッ素含有プラズマ、酸素含有プラズマ、水素含有プラズマ、および
窒素含有プラズマの１種類以上を含む、請求項１７〜２０のいずれか一項に記載の方法。 - 前記フッ素含有プラズマが、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦ３Ｈ、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ
６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含む、請求項１７〜２０のいずれか一項に記載の
方法。 - 前記酸素含有プラズマが、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｈ２Ｏ、
およびＨ２Ｏ２を含む、請求項１７〜２０のいずれか一項に記載の方法。 - 前記水素含有プラズマが、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２
Ｏ２、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含む、請求項１７〜２０のいずれか
一項に記載の方法。 - 前記窒素含有プラズマが、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｎ２／Ｈ２、およびＮＯを
含む、請求項１７〜２０のいずれか一項に記載の方法。 - 前記コーティングが、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーティング、ゾルゲルコーティング
、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子ビーム堆積、またはパルスレー
ザ堆積によって塗布される、請求項１７〜２０のいずれか一項に記載の方法。 - 前記蒸着が、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、および化学
蒸着（ＣＶＤ）である、請求項２６に記載の方法。 - 前記コーティングが約−１５０℃〜約＋６００℃の間の温度で安定である、請求項１７
〜２０のいずれか一項に記載の方法。 - 前記コーティングが約３ＧＰａ〜約１０ＧＰａの間の硬度を有する、請求項１７〜２０
のいずれか一項に記載の方法。 - 前記コーティングが約１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有する、
請求項１７〜２０のいずれか一項に記載の方法。 - 前記部品が、石英、アルミニウム、または陽極処理アルミニウム、またはそれらの組合
せから製造される、請求項１７〜２０のいずれか一項に記載の方法。 - プラズマシステムの部品の寿命を増加させる方法であって、表面コーティングをシステ
ム部品に塗布することを含み、前記コーティングによって前記部品のプラズマ流に対する
反応性が低下し、
前記表面コーティングは、
約６０％〜約８０％の量のイットリウムおよび約２０％〜約４０％の量の酸素がおおよ
その組成であるイットリアと、
約２５％〜約６０％の間の量のアルミニウム、約２０％〜約４０％の間の量の酸素、お
よび約２０％〜約４０％の間の量の窒素がおおよその組成である酸窒化アルミニウムと、
の少なくとも一方であり、
前記コーティングが、プラズマでぬらされるシステムの部品に塗布される、方法。 - 前記コーティングが、約６０％〜約８０％の量の前記イットリウムおよび約２０％〜約
４０％の量の前記酸素を含む前記イットリアである、請求項３２に記載の方法。 - 前記コーティングが、約２５％〜約６０％の間の量の前記アルミニウム、約２０％〜約
４０％の間の量の前記酸素、および約２０％〜約４０％の間の量の前記窒素を含む前記酸
窒化アルミニウムである、請求項３２に記載の方法。 - 前記プラズマが、原子状酸素、分子酸素、原子状水素、分子水素、原子状窒素、分子窒
素、分子アルゴン、原子状アルゴン、原子状フッ素、分子フッ素の１種類以上を含む、請
求項３２に記載の方法。 - 前記プラズマが、フッ素含有プラズマ、酸素含有プラズマ、水素含有プラズマ、および
窒素含有プラズマの１種類以上を含む、請求項３２〜３５のいずれか一項に記載の方法。 - 前記フッ素含有プラズマが、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＦ３Ｈ、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ
６、ＮＦ３、Ｆ２、およびＣ４Ｆ８Ｏを含む、請求項３２〜３５のいずれか一項に記載の
方法。 - 前記酸素含有プラズマが、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｈ２Ｏ、
およびＨ２Ｏ２を含む、請求項３２〜３５のいずれか一項に記載の方法。 - 前記水素含有プラズマが、Ｈ２、ＣＨ４、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２
Ｏ２、Ｎ２／Ｈ２、Ｈｅ／Ｈ２、およびＡｒ／Ｈ２を含む、請求項３２〜３５のいずれか
一項に記載の方法。 - 前記窒素含有プラズマが、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｎ２／Ｈ２、およびＮＯを
含む、請求項３２〜３５のいずれか一項に記載の方法。 - 前記コーティングが、蒸着、スパッタ堆積、溶射コーティング、ゾルゲルコーティング
、大気プラズマ堆積、マグネトロンスパッタリング、電子ビーム堆積、またはパルスレー
ザ堆積によって塗布される、請求項３２〜３５のいずれか一項に記載の方法。 - 前記蒸着が、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、および化学
蒸着（ＣＶＤ）である、請求項４１に記載の方法。 - 前記コーティングが約−１５０℃〜約＋６００℃の間の温度で安定である、請求項３２
〜３５のいずれか一項に記載の方法。 - 前記コーティングが約３ＧＰａ〜約１０ＧＰａの間の硬度を有する、請求項３２〜３５
のいずれか一項に記載の方法。 - 前記コーティングが約１００ＧＰａ〜約２０ＧＰａの間の（ヤング）弾性率を有する、
請求項３２〜３５のいずれか一項に記載の方法。 - 前記部品が、石英、アルミニウム、または陽極処理アルミニウム、またはそれらの組合
せから製造される、請求項３２〜３５のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361907214P | 2013-11-21 | 2013-11-21 | |
| US61/907,214 | 2013-11-21 | ||
| JP2016533168A JP2016540889A (ja) | 2013-11-21 | 2014-11-21 | プラズマシステム中に使用されるチャンバー部品用の表面コーティング |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016533168A Division JP2016540889A (ja) | 2013-11-21 | 2014-11-21 | プラズマシステム中に使用されるチャンバー部品用の表面コーティング |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021130875A true JP2021130875A (ja) | 2021-09-09 |
| JP2021130875A5 JP2021130875A5 (ja) | 2022-01-17 |
| JP7269278B2 JP7269278B2 (ja) | 2023-05-08 |
Family
ID=52278737
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016533168A Ceased JP2016540889A (ja) | 2013-11-21 | 2014-11-21 | プラズマシステム中に使用されるチャンバー部品用の表面コーティング |
| JP2021075615A Active JP7269278B2 (ja) | 2013-11-21 | 2021-04-28 | プラズマシステム中に使用されるチャンバー部品用の表面コーティング |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016533168A Ceased JP2016540889A (ja) | 2013-11-21 | 2014-11-21 | プラズマシステム中に使用されるチャンバー部品用の表面コーティング |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11764037B2 (ja) |
| EP (1) | EP3071726B1 (ja) |
| JP (2) | JP2016540889A (ja) |
| KR (3) | KR20220002721A (ja) |
| CN (2) | CN106414789A (ja) |
| SG (1) | SG10201804237VA (ja) |
| TW (2) | TW202208651A (ja) |
| WO (1) | WO2015077601A1 (ja) |
Families Citing this family (264)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9761417B2 (en) | 2011-08-10 | 2017-09-12 | Entegris, Inc. | AION coated substrate with optional yttria overlayer |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| WO2016148739A1 (en) | 2015-03-18 | 2016-09-22 | Entegris, Inc. | Articles coated with fluoro-annealed films |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| WO2019053925A1 (ja) * | 2017-09-12 | 2019-03-21 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| TWI844567B (zh) | 2018-10-01 | 2024-06-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| SG11202105498QA (en) * | 2018-12-15 | 2021-06-29 | Entegris Inc | Fluorine ion implantation method and system |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN112899617B (zh) * | 2019-12-04 | 2023-03-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 形成耐等离子体涂层的方法、装置、零部件和等离子体处理装置 |
| TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| WO2024177759A1 (en) * | 2023-02-21 | 2024-08-29 | Lam Research Corporation | Semiconductor processing chamber component with a metal body and laser glazed ceramic coating |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010535288A (ja) * | 2007-08-02 | 2010-11-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イットリウム含有保護皮膜による半導体処理装置の被覆方法 |
| JP2011509343A (ja) * | 2007-12-21 | 2011-03-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマチャンバ部品のための酸化皮膜を有するエロージョン耐性イットリウム含有金属 |
| JP2013063644A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-04-11 | Toyobo Co Ltd | ガスバリア性フィルム |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2211488A (en) | 1987-10-01 | 1989-04-06 | Gte Laboratories Incorporated | Oxidation resistant, high temperature thermal cyling resistant coatings on silicon-based substrates and process for the production thereof |
| US4950558A (en) * | 1987-10-01 | 1990-08-21 | Gte Laboratories Incorporated | Oxidation resistant high temperature thermal cycling resistant coatings on silicon-based substrates and process for the production thereof |
| US4931756A (en) | 1988-04-08 | 1990-06-05 | Energy Conversion Devices, Inc. | High power microwave transmissive window assembly |
| US5616208A (en) * | 1993-09-17 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
| US7311797B2 (en) * | 2002-06-27 | 2007-12-25 | Lam Research Corporation | Productivity enhancing thermal sprayed yttria-containing coating for plasma reactor |
| JP3650772B2 (ja) | 2002-12-17 | 2005-05-25 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP4031732B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2008-01-09 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
| US20050241669A1 (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Tokyo Electron Limited | Method and system of dry cleaning a processing chamber |
| JP5046480B2 (ja) | 2004-09-24 | 2012-10-10 | 京セラ株式会社 | 耐食性部材とその製造方法、およびこれを用いた半導体・液晶製造装置用部材 |
| US20070028842A1 (en) * | 2005-08-02 | 2007-02-08 | Makoto Inagawa | Vacuum chamber bottom |
| US7446284B2 (en) * | 2005-12-21 | 2008-11-04 | Momentive Performance Materials Inc. | Etch resistant wafer processing apparatus and method for producing the same |
| JP5031259B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2012-09-19 | 京セラ株式会社 | 耐食性部材とその製造方法およびこれを用いた半導体・液晶製造装置 |
| BRPI0810481B1 (pt) | 2007-04-20 | 2022-05-17 | Dsm Ip Assets B.V. | Asparaginases, sequência de ácido nucléico, constructo de ácido nucléico, vetor de expressão recombinante, célula hospedeira recombinante, método para a produção de uma asparaginase e composição |
| JP2009280483A (ja) | 2008-04-25 | 2009-12-03 | Kyocera Corp | 耐食性部材およびその製造方法ならびに処理装置 |
| CN102676989A (zh) * | 2011-03-11 | 2012-09-19 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 镀膜件及其制备方法 |
| US9761417B2 (en) | 2011-08-10 | 2017-09-12 | Entegris, Inc. | AION coated substrate with optional yttria overlayer |
| US9034199B2 (en) * | 2012-02-21 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article |
| US9394615B2 (en) * | 2012-04-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant ceramic coated conductive article |
| US9138864B2 (en) * | 2013-01-25 | 2015-09-22 | Kennametal Inc. | Green colored refractory coatings for cutting tools |
| US9123651B2 (en) * | 2013-03-27 | 2015-09-01 | Lam Research Corporation | Dense oxide coated component of a plasma processing chamber and method of manufacture thereof |
| US11346006B2 (en) * | 2019-11-27 | 2022-05-31 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Rare-earth doped thermal barrier coating bond coat for thermally grown oxide luminescence sensing |
-
2014
- 2014-11-21 KR KR1020217042607A patent/KR20220002721A/ko active Application Filing
- 2014-11-21 TW TW110117952A patent/TW202208651A/zh unknown
- 2014-11-21 WO PCT/US2014/066883 patent/WO2015077601A1/en active Application Filing
- 2014-11-21 SG SG10201804237VA patent/SG10201804237VA/en unknown
- 2014-11-21 CN CN201480073572.0A patent/CN106414789A/zh active Pending
- 2014-11-21 KR KR1020167016070A patent/KR20160088357A/ko not_active IP Right Cessation
- 2014-11-21 US US15/038,724 patent/US11764037B2/en active Active
- 2014-11-21 JP JP2016533168A patent/JP2016540889A/ja not_active Ceased
- 2014-11-21 EP EP14821909.0A patent/EP3071726B1/en active Active
- 2014-11-21 CN CN202210712529.0A patent/CN115094377A/zh active Pending
- 2014-11-21 KR KR1020237009690A patent/KR20230044030A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-11-21 TW TW103140393A patent/TWI751098B/zh active
-
2021
- 2021-04-28 JP JP2021075615A patent/JP7269278B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010535288A (ja) * | 2007-08-02 | 2010-11-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イットリウム含有保護皮膜による半導体処理装置の被覆方法 |
| JP2011509343A (ja) * | 2007-12-21 | 2011-03-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマチャンバ部品のための酸化皮膜を有するエロージョン耐性イットリウム含有金属 |
| JP2013063644A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-04-11 | Toyobo Co Ltd | ガスバリア性フィルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115094377A (zh) | 2022-09-23 |
| US20170032942A1 (en) | 2017-02-02 |
| EP3071726B1 (en) | 2022-12-28 |
| CN106414789A (zh) | 2017-02-15 |
| JP7269278B2 (ja) | 2023-05-08 |
| TWI751098B (zh) | 2022-01-01 |
| TW202208651A (zh) | 2022-03-01 |
| SG10201804237VA (en) | 2018-06-28 |
| KR20230044030A (ko) | 2023-03-31 |
| TW201522712A (zh) | 2015-06-16 |
| KR20220002721A (ko) | 2022-01-06 |
| US11764037B2 (en) | 2023-09-19 |
| EP3071726A1 (en) | 2016-09-28 |
| WO2015077601A1 (en) | 2015-05-28 |
| JP2016540889A (ja) | 2016-12-28 |
| KR20160088357A (ko) | 2016-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2021130875A (ja) | プラズマシステム中に使用されるチャンバー部品用の表面コーティング | |
| JP7408273B2 (ja) | チャンバコンポーネント用金属オキシフッ化物膜 | |
| KR102158307B1 (ko) | 플라즈마 프로세싱 챔버에서의 인-시튜 챔버 세정 효율 향상을 위한 플라즈마 처리 프로세스 | |
| TWI381438B (zh) | 半導體處理裝置之清潔方法及矽基板之蝕刻方法 | |
| US20080216958A1 (en) | Plasma Reaction Apparatus Having Pre-Seasoned Showerheads and Methods for Manufacturing the Same | |
| US20040014327A1 (en) | Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials | |
| CN108220922A (zh) | 成膜方法、硼膜以及成膜装置 | |
| JP2009503270A (ja) | 表面沈着物を除去するためのｎｆ３の使用方法 | |
| TWI766866B (zh) | 蝕刻方法 | |
| KR20090032063A (ko) | 할로겐-함유 플라즈마에 노출된 표면의 부식 속도를 감소시키는 장치 및 방법 | |
| CN107112223B (zh) | 硅化合物用蚀刻气体组合物及蚀刻方法 | |
| CN101053068A (zh) | 在等离子体蚀刻处理期间保护硅或碳化硅电极表面免于形态改性的方法 | |
| CN109461648A (zh) | 一种碳化硅器件制造方法 | |
| JP2009503271A (ja) | Ｃｖｄ／ｐｅｃｖｄ−プラズマチャンバーの内部から表面沈着物を除去するためのフッ化硫黄を使用する遠隔チャンバー方法 | |
| US6680455B2 (en) | Plasma resistant quartz glass jig | |
| JPWO2018181104A1 (ja) | ドライエッチング方法またはドライクリーニング方法 | |
| US20230386795A1 (en) | Surface coating for chamber components used in plasma systems | |
| Kim et al. | Effect of gas mixing ratio on etch behavior of Y2O3 thin films in Cl2/Ar and BCl3/Ar inductively coupled plasmas | |
| CN118613900A (zh) | 用于等离子体蚀刻的侧壁钝化 | |
| TW202307253A (zh) | 抗電漿塗層、相關的製備方法和用途 | |
| JP4453944B2 (ja) | 耐プラズマ性石英ガラス治具 | |
| Pan¹ et al. | Mechanisms in Reactive Ion Etching of Silicon Carbide Thin Films W.-S. Pan¹ and AJ Steckl2 ¹Intel Corporation, Santa Clara, CA 55052, USA 2University of Cincinnati, Nanoelectronics Laboratory |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210527 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210527 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220106 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220517 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220722 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221004 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221223 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230322 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230421 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7269278 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |