JP5031259B2 - 耐食性部材とその製造方法およびこれを用いた半導体・液晶製造装置 - Google Patents
耐食性部材とその製造方法およびこれを用いた半導体・液晶製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5031259B2 JP5031259B2 JP2006123143A JP2006123143A JP5031259B2 JP 5031259 B2 JP5031259 B2 JP 5031259B2 JP 2006123143 A JP2006123143 A JP 2006123143A JP 2006123143 A JP2006123143 A JP 2006123143A JP 5031259 B2 JP5031259 B2 JP 5031259B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- corrosion
- resistant film
- film
- resistant
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
せる。同時に真空容器中にプラズマ励起するためのAr、O2等のガスを導入し、ガスに高周波を印加してプラズマを発生させ、前記溶融・蒸発させたY2O3をプラズマ中で解離し、前記基材に直流マイナス電圧を印加することで、膜成分となるY2O3を基材表面に堆積させていく。このとき、前記Ar、O2ガスについては、一定量で容器内に導入していたために、蒸発源として用いたY2O3成分は、Y元素とO元素の構成比率が2:3の定比のままで耐食膜として基材上に成膜される。即ち、従来より用いられているイオンプレーティング法により形成したY2O3耐食膜は、その成分比が蒸発源となる粉末や焼結体の組成の理論比と同一となる。そのため、形成された耐食膜の耐食性は、Y2O3焼結体と同等となり、更なる耐食性の向上が要求される半導体製造装置に搭載された場合、プラズマ等により腐食が進行しやすいため寿命が短いという課題を有していた。特に、直接プラズマが接触する部位やプラズマ源の周辺に搭載される部材として用いた場合は、さらに腐食が進行しやすく寿命が短くなるという課題を有していた。
の低下を防止することができる。耐食膜のY元素の組成比率が80mol%を超えると、耐食膜中に多くの酸素欠陥が生じやすくなるため、半導体製造装置用部材、特にプラズマの生成領域、あるいはそれら近傍の部材として用いると、耐食膜に高温で電界が加わることになり、酸素欠陥に生じた陰イオンからの電子の放出によって、耐食膜自体が発熱し、基材との熱膨張差が原因となって、耐食膜が基材から剥離しやすくなる。
、10sccmより少ない流量では、成膜後半で酸素の流量を低減しても、Y2O3の理論比である40mol%よりY元素の組成比率を高めることができず、また、200sccmより多い酸素流量では、耐食膜中の酸素量がY2O3理論比より多くなり、耐食膜の耐食性が低下してしまう。
2:真空チャンバー
3:基材支持部
4:基材
5:ガス導入系
6:真空排気系
7:RFコイル
8:プラズマ
9:溶融・蒸発容器
10:成膜源
11:電子線源
12:電子線
13:金属背面板
14:制御系
Claims (6)
- セラミックスまたは金属からなる基材の少なくとも一部の表面上にY元素およびO元素を主成分とする耐食膜を備えた耐食性部材であって、前記耐食膜の表面部におけるY元素の組成比率が40mol%を超え、80mol%以下であり、前記耐食膜における前記Y元素の組成比率が基材側に漸増してなることを特徴とする耐食性部材。
- 前記耐食膜は、その厚みが5μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の耐食性部材。
- 前記基材は、アルミナ質セラミックスからなることを特徴とする請求項1または2に記載の耐食性部材。
- 前記耐食膜は、イオンプレーティング法を用いて形成したPVD耐食膜であることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の耐食性部材。
- 請求項1に記載の耐食性部材の製造方法であって、前記基材に、Y2O3質焼結体を蒸発源として、反応ガスである酸素の流量を漸減させながらイオンプレーティング法により耐食膜を成膜することを特徴とする耐食性部材の製造方法。
- 請求項1乃至4の何れかに記載の耐食性部材を用いたことを特徴とする半導体・液晶製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006123143A JP5031259B2 (ja) | 2006-04-27 | 2006-04-27 | 耐食性部材とその製造方法およびこれを用いた半導体・液晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006123143A JP5031259B2 (ja) | 2006-04-27 | 2006-04-27 | 耐食性部材とその製造方法およびこれを用いた半導体・液晶製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007290933A JP2007290933A (ja) | 2007-11-08 |
JP5031259B2 true JP5031259B2 (ja) | 2012-09-19 |
Family
ID=38761940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006123143A Active JP5031259B2 (ja) | 2006-04-27 | 2006-04-27 | 耐食性部材とその製造方法およびこれを用いた半導体・液晶製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5031259B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8206829B2 (en) * | 2008-11-10 | 2012-06-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant coatings for plasma chamber components |
JP2014522916A (ja) * | 2011-08-10 | 2014-09-08 | インテグリス・インコーポレーテッド | 任意のイットリア被覆層を有するAlONコーティングされた基体 |
TWI751098B (zh) * | 2013-11-21 | 2022-01-01 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 經施用塗層的電漿潤濕系統的構件及塗層之用途 |
WO2016148739A1 (en) | 2015-03-18 | 2016-09-22 | Entegris, Inc. | Articles coated with fluoro-annealed films |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3649210B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2005-05-18 | 株式会社日本セラテック | 耐食性部材 |
JP2005097685A (ja) * | 2002-11-27 | 2005-04-14 | Kyocera Corp | 耐食性部材およびその製造方法 |
-
2006
- 2006-04-27 JP JP2006123143A patent/JP5031259B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007290933A (ja) | 2007-11-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108884546B (zh) | 具有耐氯和氟等离子体侵蚀性的涂覆的半导体加工构件及其复合氧化物涂层 | |
KR101304082B1 (ko) | 내식성 다층 부재 | |
JP4643478B2 (ja) | 半導体加工装置用セラミック被覆部材の製造方法 | |
TWI374492B (ja) | ||
JP5324029B2 (ja) | 半導体加工装置用セラミック被覆部材 | |
JP4606121B2 (ja) | 耐食膜積層耐食性部材およびその製造方法 | |
CN102210196B (zh) | 用于等离子腔室部件的抗等离子涂层 | |
US6645585B2 (en) | Container for treating with corrosive-gas and plasma and method for manufacturing the same | |
JP2009081223A (ja) | 静電チャック部材 | |
JP5031259B2 (ja) | 耐食性部材とその製造方法およびこれを用いた半導体・液晶製造装置 | |
JP2010070854A (ja) | 耐食性部材およびこれを用いた半導体製造装置 | |
JP2000191370A (ja) | 処理容器用部材 | |
JP4512603B2 (ja) | 耐ハロゲンガス性の半導体加工装置用部材 | |
JP2005097685A (ja) | 耐食性部材およびその製造方法 | |
US6524731B1 (en) | Corrosion-resistant member and method of producing the same | |
TW201916164A (zh) | 耐電漿體特性得到提高的電漿體蝕刻裝置用構件及其製造方法 | |
JP2009280483A (ja) | 耐食性部材およびその製造方法ならびに処理装置 | |
JP2009029686A (ja) | 耐食性部材およびその製造方法ならびに処理装置 | |
JP3500278B2 (ja) | 半導体製造用耐食性部材 | |
JP3784180B2 (ja) | 耐食性部材 | |
JP4623794B2 (ja) | アルミナ質耐食部材及びプラズマ装置 | |
US20210265140A1 (en) | Ceramic sintered body and member for plasma processing apparatus | |
JP5527821B2 (ja) | 耐蝕性部材 | |
WO2019044850A1 (ja) | 部品および半導体製造装置 | |
WO2024038674A1 (ja) | イットリウム質保護膜およびその製造方法ならびに部材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081016 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110325 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110419 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111206 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120529 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120627 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5031259 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706 Year of fee payment: 3 |