JP2019029480A - 固体撮像素子 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1実施形態に係る固体撮像素子における画素100の等価回路図である。図1には、第n〜n+1行、第m〜m+1列の計4つの画素100を有する固体撮像素子の構成を簡略化して示しているが、実際の固体撮像素子は、より多くの画素100を有している。それぞれの画素100は、光電変換部1、電荷保持部2、フローティングディフュージョン領域3、排出領域4の各領域を有して構成される。また、それぞれの画素100は、電荷排出部Tr1、電荷転送部Tr2、Tr3、電荷リセット部Tr4、増幅部Tr5、行選択部Tr6の各トランジスタを有している。
V1: 電荷蓄積時における電荷転送部Tr2の電位(−0.4V)
V2: 電荷蓄積時における第1半導体領域12の電位(−0.1V)
V3: 光電変換部1のN型領域102の空乏電位(+2.5V)
V4: 電荷排出時における第2半導体領域11の電位(+3.5V)
V5: 排出領域4の電位(+4.0V)
図6は、第2実施形態に係る固体撮像素子における画素100bの構造を模式的に示す平面図である。本実施形態の画素100bは、第1実施形態の画素100を鏡像対象に2個配置した構成を有している。画素100bは、一対の光電変換部1A、1Bを含んでおり、光電変換部1A、1Bは1つのマイクロレンズ9を共有している。このような構成によれば、光電変換部1Aに生じた信号電荷に基づく第1の画素信号と、光電変換部1Bで生じた信号電荷に基づく第2の画素信号とを用いて、位相差方式による焦点検出を行うことが可能となる。その他の構成については、先の第1実施形態と概ね同じである。以下、第1実施形態と異なる構成について説明する。
1.隣接する光電変換部1BのN型領域102B
2.排出領域4
3.電荷保持部2
図8は、第3実施形態に係る固体撮像素子における画素100cの構造を模式的に示す平面図である。また、図9は、第3実施形態に係る固体撮像素子における画素100cの構造を模式的に示す断面図である。先の第1実施形態の電荷排出部Tr1は、図4に示したように、P型のウェル領域5の上に、N型の第1半導体領域12、P型の第2半導体領域11、及びゲート電極10を、平面視において重なるように積層して配置した。これに対し、本実施形態の電荷排出部Tr1は、図9に示すように、N型の第1半導体領域12とゲート電極10が平面視において重ならないように配置している。
本発明の第4実施形態による撮像システムについて、図10を用いて説明する。図10は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
本発明の第5実施形態による撮像システム及び移動体について、図11を用いて説明する。図11は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
2 :電荷保持部
3 :フローティングディフュージョン領域
4 :排出領域(オーバーフロードレイン)
5 :ウェル領域
6 :半導体基板
7 :絶縁層
10 :電荷排出部のゲート電極(排出ゲート)
11 :第2半導体領域(チャネル領域)
12 :第1半導体領域
20 :電荷転送部のゲート電極
30 :電荷転送部のゲート電極
100 :画素
101 :光電変換部のP型領域
102 :光電変換部のN型領域(電荷蓄積領域)
Tr1 :電荷排出部
Tr2 :電荷転送部
Tr3 :電荷転送部
Tr4 :電荷リセット部
Tr5 :増幅部
Tr6 :行選択部
Claims (16)
- 入射光に対応する信号電荷を蓄積する第1導電型の電荷蓄積領域と、
所定の電圧が印加される前記第1導電型の排出領域と
平面視において、前記排出領域と前記電荷蓄積領域との間に位置する排出ゲートと、
前記電荷蓄積領域と前記排出領域とに接続される、前記第1導電型の半導体領域と、
を各々が有する複数の画素を含むことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記画素は、前記排出ゲートの下に絶縁層を挟んで設けられた第2導電型の第2半導体領域を有し、
前記排出ゲートにオン電圧が印加された状態において、前記電荷蓄積領域に蓄積された前記信号電荷を、前記第2半導体領域を介して排出し、
前記排出ゲートにオフ電圧が印加された状態において、前記電荷蓄積領域から溢れた前記信号電荷を、前記半導体領域を介して排出する
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。 - 平面視において、前記半導体領域と前記排出ゲートが重なっている
ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像素子。 - 平面視において、前記信号電荷が排出される方向と直交する方向の前記半導体領域の幅が、同方向の前記第2半導体領域の幅よりも狭い
ことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像素子。 - 平面視において、前記信号電荷が排出される方向と直交する方向の前記第2半導体領域の幅が、同方向の前記排出ゲートの幅よりも広い
ことを特徴とする請求項3又は4に記載の固体撮像素子。 - 平面視において、前記半導体領域と前記排出ゲートが重なっていない
ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記画素は、入射光を前記信号電荷に変換して前記電荷蓄積領域に蓄積する光電変換部を有し、
前記光電変換部は、複数の前記電荷蓄積領域を含む
ことを特徴とする請求項2から6のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換部は、
前記第1導電型の一対の前記電荷蓄積領域と同一の導電型で繋がる前記第1導電型の第3半導体領域を含む
ことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像素子。 - 前記半導体領域が空乏化している
ことを特徴とする請求項2から8のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 前記半導体領域における前記第1導電型の不純物濃度が、前記電荷蓄積領域及び前記排出領域における前記第1導電型の不純物濃度よりも低い
ことを特徴とする請求項2から9のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 前記第2半導体領域が30nm以上の厚さを有する
ことを特徴とする請求項2から10のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 前記排出ゲートにオン電圧が印加された状態において、前記第2半導体領域におけるポテンシャルが、空乏状態の前記電荷蓄積領域におけるポテンシャルよりも低くなっている
ことを特徴とする請求項2から11のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 前記画素は、前記電荷蓄積領域から電荷保持部へ前記信号電荷を転送する電荷転送部を有し、
前記排出ゲートにオフ電圧が印加された状態において、前記半導体領域におけるポテンシャルが、前記電荷転送部におけるポテンシャルよりも低くなっている
ことを特徴とする請求項2から12のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 前記排出ゲートにオン電圧が印加された状態において、前記第3半導体領域におけるポテンシャルが、前記半導体領域におけるポテンシャルよりも低くなっている
ことを特徴とする請求項8に記載の固体撮像素子。 - 請求項1から14のいずれか1項に記載の固体撮像素子と、前記固体撮像素子が出力する信号を処理する信号処理部とを有することを特徴とする撮像システム。
- 移動体であって、
請求項1から14のいずれか1項に記載の固体撮像素子を適用した撮像装置と、
前記撮像装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と
を有することを特徴とする移動体。
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