JP2017505355A - ブロック共重合体 - Google Patents
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Abstract
Description
例えば、前述したパラメータの調節のためにブロック共重合体の第1ブロックには、鎖形成原子が8個以上の鎖が側鎖に連結されていてもよい。本明細書で用語鎖と側鎖は、互いに同一の対象を指称することができる。第1ブロックが芳香族構造を含む場合に、前記鎖は、前記芳香族構造に連結されていてもよい。
化学式3でWのアリール基は、炭素数6〜12のアリール基であるか、またはフェニル基であることができ、このようなアリール基またはフェニル基は、1個以上、2個以上、3個以上、4個以上または5個以上のハロゲン原子を含むことができる。前記でハロゲン原子の数は、例えば、30個以下、25個以下、20個以下、15個以下または10個以下であることができる。ハロゲン原子としては、フッ素原子を例示することができる。
3nm−1〜5nm−1=nq/(2×π)
このような範囲でブロック共重合体は、好適な自己組織特性を示すことができる。ブロック共重合体の数平均分子量などは、目的とする自己組織化構造などを勘案して調節することができる。
1つの例示で、前記高分子膜において前記ブロック共重合体は、自己組織化を通じてスフェア(sphere)、シリンダー(cylinder)、ジャイロイド(gyroid)またはラメラ(lamellar)などを含む周期的構造を具現することができる。このような構造は、垂直配向されていてもよい。例えば、ブロック共重合体において前記第1または第2ブロックまたはそれと共有結合された他のブロックのセグメント内で他のセグメントがラメラ形態またはシリンダー形態などのような規則的な構造を形成していてもよく、このような構造は、垂直配向されていてもよい。
選択的にブロックが除去された高分子膜をマスクとして基板をエッチングする段階は、特に制限されず、例えば、CF4/Arイオンなどを使用した反応性イオンエッチング段階を通じて行うことができ、この過程に引き続いて酸素プラズマ処理などによって高分子膜を基板から除去する段階をさらに行うことができる。
図7〜図11は、GISAXS回折パターンを示す図である。
図12〜図14は、高分子膜のSEM写真を示す図である。
NMR分析は、三重共鳴5mmプローブ(probe)を有するVarian Unity Inova(500MHz)分光計を含むNMR分光計を使用して常温で行った。NMR測定用溶媒(CDCl3)に分析対象物質を約10mg/ml程度の濃度で希釈させて使用し、化学シフトはppmで表現した。
〈適用略語〉
br=広い信号、s=単一線、d=二重線、dd=二重二重線、t=三重線、dt=二重三重線、q=四重線、p=五重線、m=多重線。
数平均分子量(Mn)及び分子量分布は、GPC(Gel permeation chromatography)を使用して測定した。5mLバイアル(vial)に実施例または比較例のブロック共重合体または巨大開始剤などの分析対象物質を入れ、約1mg/mL程度の濃度となるようにTHF(tetrahydro furan)に希釈する。その後、Calibration用標準試料と分析しようとする試料をsyringe filter(poresize:0.45μm)を通して濾過した後、測定した。分析プログラムは、Agilent technologies社のChemStationを使用し、試料のelution timeをcalibration curveと比較し、重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)をそれぞれ求め、その比率(Mw/Mn)で分子量分布(PDI)を計算した。GPCの測定条件は、下記の通りである。
〈GPC測定条件〉
機器:Agilent technologies社の1200 series
カラム:Polymer laboratories社のPLgel mixed B 2個使用
溶媒:THF
カラム温度:35℃
サンプル濃度:1mg/mL、200L注入
標準試料:ポリスチレン(Mp:3900000、723000、316500、52200、31400、7200、3940、485)
斜入射小角X線散乱(GISAXS)分析は、浦項アクセレーター3Cビームラインを利用して行った。分析対象であるブロック共重合体をフルオロベンゼン(fluorobezene)に約0.7重量%の固形分の濃度で希釈させてコーティング液を製造し、前記コーティング液を基材上に約5nmの厚さでスピンコーティングした。コーティング面積は、2.25cm2程度に調整した(横の長さ:1.5cm、縦の長さ:1.5cm)。コーティングされた高分子膜を常温で約1時間乾燥させ、さらに約160℃の温度で約1時間熱的熟成(thermal annealing)させて相分離構造を誘導した。引き続いて、相分離構造が形成された膜を形成した。膜の臨界角と基材の臨界角の間の角度に該当する約0.12度〜0.23度の範囲内の入射角で膜にX線を入射させた後、検出器(2D marCCD)を用いて膜から散乱されて出るX線回折パターンを得た。この際、膜から検出器までの距離は、約2m〜3mの範囲内で膜に形成された自己組織化パターンがよく観察される範囲で選択した。基材としては、親水性表面を有する基材(ピラナ(piranha)溶液で処理され、純水に対する常温濡れ角が約5度のシリコン基板)または疎水性表面を有する基材(HMDS(hexamethyldisilazane)で処理され、純水に対する常温濡れ角が約60度のシリコン基板)を使用した。
XRD分析は、浦項アクセレーター4Cビームラインで試料にX線を透過させて散乱ベクトル(q)による散乱強度を測定することによって測定した。試料としては、特別な前処理なしに合成されたブロック共重合体を精製した後に、真空オーブンで約一日間維持することによって乾燥させた粉末状態のブロック共重合体をXRD測定用セルに入れて使用した。XRDパターン分析時には、垂直サイズが0.023mmであり、水平サイズが0.3mmであるX線を利用し、検出器としては、2D marCCDを利用した。散乱されて出る2D回折パターンをイメージとして得た。得られた回折パターンを最小二乗法を適用した数値分析学的な方式で分析し、散乱ベクトル及び半値全幅などの情報を得た。前記分析時には、オリジン(origin)プログラムを適用し、XRD回折パターンで最小の強度(intensity)を示す部分をベースライン(baseline)として取って、前記での強度(intensity)を0になるようにした状態で、前記XRDパターンピークのプロファイルをガウシアンフィッティング(Gaussian fitting)し、フィッティングされた結果から前記散乱ベクトルと半値全幅を求めた。ガウシアンフィッティング時に、R二乗(R square)は、少なくとも0.96以上になるようにした。
表面エネルギーは、液滴形状分析機(Drop Shape Analyzer、KRUSS社のDSA100製品)を使用して測定した。測定しようとする物質(重合体)をフルオロベンゼン(flourobenzene)に約2重量%の固形分の濃度で希釈させてコーティング液を製造し、製造されたコーティング液をシリコンウェーハに約50nmの厚さ及び4cm2のコーティング面積(横:2cm、縦:2cm)でスピンコーティングした。コーティング層を常温で約1時間乾燥し、引き続いて約160℃で約1時間熱的熟成(thermal annealing)させた。熱的熟成を経た膜に表面張力(surface tension)が公知の脱イオン水を落とし、その接触角を求める過程を5回繰り返して、得られた5個の接触角数値の平均値を求めた。同様に、表面張力が公知のジヨードメタン(diiodomethane)を落とし、その接触角を求める過程を5回繰り返して、得られた5個の接触角数値の平均値を求めた。求められた脱イオン化水とジヨードメタンに対する接触角の平均値を利用してOwens−Wendt−Rabel−Kaelble方法によって溶媒の表面張力に関する数値(Strom値)を代入して表面エネルギーを求めた。ブロック共重合体の各ブロックに対する表面エネルギーの数値は、前記ブロックを形成する単量体だけで製造された単独重合体(homopolymer)に対して前記記述した方法で求めた。
ブロック共重合体の各ブロックの体積分率は、各ブロックの常温での密度とGPCによって測定された分子量に基づいて計算した。前記で密度は、浮力法を利用して測定し、具体的には、空気中での質量と密度がわかっている溶媒(エタノール)内に分析しようとする試料を入れ、その質量を用いて計算した。
下記化学式Aの化合物(DPM−C12)は、次の方式で合成した。250mLのフラスコにヒドロキノン(hydroquinone)(10.0g、94.2mmol)及び1−ブロモドデカン(1−Bromododecane)(23.5g、94.2mmol)を入れ、100mLのアセトニトリル(acetonitrile)にとかした後、過量のカリウムカーボネート(potassium carbonate)を添加し、75℃で約48時間窒素条件の下で反応させた。反応後、残存するカリウムカーボネートをフィルタリングして除去し、反応に使用したアセトニトリルをも除去した。これにDCM(dichloromethane)と水の混合溶媒を添加してウォークアップし、分離した有機層を集めて、MgSO4に通過させて脱水した。引き続いて、カラムクロマトグラフィーでDCM(dichloromethane)を使用して白色固体状の目的物(4−ドデシルオキシフェノール)(9.8g、35.2mmol)を約37%の収得率で得た。
1H−NMR(CDCl3):d6.77(dd、4H);d4.45(s、1H);d3.89(t、2H);d1.75(p、2H);d1.43(p、2H);d1.33−1.26(m、16H);d0.88(t、3H)。
1H−NMR(CDCl3):d7.02(dd、2H);d6.89(dd、2H);d6.32(dt、1H);d5.73(dt、1H);d3.94(t、2H);d2.05(dd、3H);d1.76(p、2H);d1.43(p、2H);1.34−1.27(m、16H);d0.88(t、3H)。
1−ブロモドデカンの代わりに、1−ブロモブタンを使用したことを除いて、製造例1に準ずる方式で下記化学式Gの化合物を合成した。前記化合物のNMR分析結果は、下記の通りである。
1H−NMR(CDCl3):d7.02(dd、2H);d6.89(dd、2H);d6.33(dt、1H);d5.73(dt、1H);d3.95(t、2H);d2.06(dd、3H);d1.76(p、2H);d1.49(p、2H);d0.98(t、3H)。
1−ブロモドデカンの代わりに、1−ブロモオクタンを使用したことを除いて、製造例1に準ずる方式で下記化学式Bの化合物を合成した。前記化合物に対するNMR分析結果を下記に示した。
〈NMR分析結果〉
1H−NMR(CDCl3):d7.02(dd、2H);d6.89(dd、2H);d6.32(dt、1H);d5.73(dt、1H);d3.94(t、2H);d2.05(dd、3H);d1.76(p、2H);d1.45(p、2H);1.33−1.29(m、8H);d0.89(t、3H)。
1−ブロモドデカンの代わりに、1−ブロモデカンを使用したことを除いて、製造例1に準ずる方式で下記化学式Cの化合物を合成した。前記化合物に対するNMR分析結果を下記に示した。
1H−NMR(CDCl3):d7.02(dd、2H);d6.89(dd、2H);d6.33(dt、1H);d5.72(dt、1H);d3.94(t、2H);d2.06(dd、3H);d1.77(p、2H);d1.45(p、2H);1.34−1.28(m、12H);d0.89(t、3H)。
1−ブロモドデカンの代わりに、1−ブロモテトラデカンを使用したことを除いて、製造例1に準ずる方式で下記化学式Dの化合物を合成した。前記化合物に対するNMR分析結果を下記に示した。
1H−NMR(CDCl3):d7.02(dd、2H);d6.89(dd、2H);d6.33(dt、1H);d5.73(dt、1H);d3.94(t、2H);d2.05(dd、3H);d1.77(p、2H);d1.45(p、2H);1.36−1.27(m、20H);d0.88(t、3H.)
1−ブロモドデカンの代わりに、1−ブロモヘキサデカンを使用したことを除いて、製造例1に準ずる方式で下記化学式Eの化合物を合成した。前記化合物に対するNMR分析結果を下記に示した。
1H−NMR(CDCl3):d7.01(dd、2H);d6.88(dd、2H);d6.32(dt、1H);d5.73(dt、1H);d3.94(t、2H);d2.05(dd、3H);d1.77(p、2H);d1.45(p、2H);1.36−1.26(m、24H);d0.89(t、3H)
製造例1のモノマー(A)2.0gとRAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)試薬であるシアノイソプロピルジチオベンゾエート64mg、ラジカル開始剤であるAIBN(Azobisisobutyronitrile)23mg及びベンゼン5.34mLを10mL Schlenk flaskに入れ、窒素雰囲気の下で常温で30分間撹拌した後、70℃で4時間RAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)重合反応を行った。重合後、反応溶液を抽出溶媒であるメタノール250mLに沈澱させた後、減圧濾過して乾燥させて、桃色の巨大開始剤を製造した。前記巨大開始剤の収得率は、約82.6重量%であり、数平均分子量(Mn)及び分子量分布(Mw/Mn)は、それぞれ、9,000及び1.16であった。巨大開始剤0.3g、ペンタフルオロスチレンモノマー2.7174g及びベンゼン1.306mLを10mL Schlenk flaskに入れ、窒素雰囲気の下で常温で30分間撹拌した後、115℃で4時間RAFT(Reversible Addition Fragmentation chain Transfer)重合反応を行った。重合後、反応溶液を抽出溶媒であるメタノール250mLに沈澱させた後、減圧濾過して乾燥させて、淡い桃色のブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体の収得率は、約18重量%であり、数平均分子量(Mn)及び分子量分布(Mw/Mn)は、それぞれ16,300及び1.13である。前記ブロック共重合体は、製造例1のモノマー(A)から由来する第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来する第2ブロックを含む。
製造例1のモノマー(A)の代わりに、製造例3のモノマー(B)を使用することを除いて、実施例1に準ずる方式で巨大開始剤及びペンタフルオロスチレンをモノマーとしてブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体は、製造例3のモノマー(B)から由来する第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来する第2ブロックを含む。
製造例1のモノマー(A)の代わりに、製造例4のモノマー(C)を使用することを除いて、実施例1に準ずる方式で巨大開始剤及びペンタフルオロスチレンをモノマーとしてブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体は、製造例4のモノマー(C)から由来する第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来する第2ブロックを含む。
製造例1のモノマー(A)の代わりに、製造例5のモノマー(D)を使用することを除いて、実施例1に準ずる方式で巨大開始剤及びペンタフルオロスチレンをモノマーとしてブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体は、製造例5のモノマー(D)から由来する第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来する第2ブロックを含む。
製造例1のモノマー(A)の代わりに、製造例6のモノマー(E)を使用することを除いて、実施例1に準ずる方式で巨大開始剤及びペンタフルオロスチレンをモノマーとしてブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体は、製造例6のモノマー(E)から由来する第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来する第2ブロックを含む。
製造例1のモノマー(A)の代わりに、製造例2のモノマー(G)を使用することを除いて、実施例1に準ずる方式で巨大開始剤及びペンタフルオロスチレンをモノマーとしてブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体は、製造例2のモノマー(G)から由来する第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来する第2ブロックを含む。
製造例1のモノマー(A)の代わりに、4−メトキシフェニルメタクリレートを使用することを除いて、実施例1に準ずる方式で巨大開始剤及びペンタフルオロスチレンをモノマーとしてブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体は、前記4−メトキシフェニルメタクリレートから由来する第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来する第2ブロックを含む。
製造例1のモノマー(A)の代わりに、ドデシルメタクリレートを使用することを除いて、実施例1に準ずる方式で巨大開始剤及びペンタフルオロスチレンをモノマーとしてブロック共重合体を製造した。前記ブロック共重合体は、前記ドデシルメタクリレートから由来する第1ブロックと前記ペンタフルオロスチレンモノマーから由来する第2ブロックを含む。
実施例または比較例のブロック共重合体をフルオロベンゼン(fluorobezene)に0.7重量%の固形分の濃度で希釈して製造したコーティング液をシリコンウェーハ上に約5nmの厚さでスピンコーティング(コーティング面積:横×縦=1.5cm×1.5cm)し、常温で約1時間乾燥させた後、さらに約160℃の温度で約1時間熱的熟成(thermal annealing)し、自己組織化された膜を形成した。形成された膜に対してSEM(Scanning electron microscope)イメージを撮影した。図1〜図5は、実施例1〜5に対して撮影したSEMイメージである。図面から確認されるように、実施例のブロック共重合体の場合、ラインパターンで自己組織化された高分子膜が効果的に形成された。これに対して比較例の場合、好適な相分離が誘導されなかった。例えば、図6は、比較例3に対するSEM結果であり、これから効果的な相分離が誘導されなかったことを確認することができる。
実施例1のような方式でブロック共重合体を製造し、且つ単量体と巨大開始剤のモル比の調節を通じて異なる体積分率を有するブロック共重合体を製造した。
製造されたブロック共重合体の体積分率は、下記の通りである。
実施例1で製造されたブロック共重合体に対して親水性表面として、純水に対する常温濡れ角が5度である表面に対して前記記載した方式でGISAXS(Grazing Incidence Small Angle X ray Scattering)を測定した結果は、図10に記載し、疎水性表面として純水に対する常温濡れ角が60度である表面に対して測定したGISAXS(Grazing Incidence Small Angle X ray Scattering)の結果を図11に示した。図10及び図11からいずれの場合でも、GISAXSでインプレーン回折パターンを示すことを確認することができる。これから、本出願のブロック共重合体は、多様な基材に対して垂直配向性を示すことができることを確認することができる。
さらに、実施例1で製造されたブロック共重合体に対して前記のような方式で高分子膜を形成した。高分子膜は、それぞれ純水に対する常温濡れ角が5度であるピラナ溶液で処理されたシリコン基板、前記濡れ角が約45度であるシリコンオキシド基板及び前記濡れ角が約60度であるHMDS(hexamethyldisilazane)処理シリコン基板に形成した。図12〜図14は、それぞれ前記濡れ角が5度、45度及び60度に対して形成された高分子膜に対するSEMイメージである。図面から前記ブロック共重合体は、基材の表面特性と関係なく効果的に相分離構造を具現することを確認することができる。
前記各ブロック共重合体に対して前記言及した方式でXRDパターンを分析した結果は、下記表4に整理して記載した(比較例3の場合、散乱ベクトル0.5nm−1〜10nm−1の範囲内でピークが観察されなかった)。
前記製造された各ブロック共重合体の特性を前記言及した方式で評価した結果を下記表5に整理して記載した。
Claims (20)
- 第1ブロックと、前記第1ブロックとは異なる第2ブロックとを含み、前記第1ブロックと前記第2ブロックの表面エネルギーの差の絶対値が2.5mN/m〜7mN/mの範囲内にあるブロック共重合体。
- 第1ブロックの表面エネルギーが第2ブロックの表面エネルギーより高い、請求項1に記載のブロック共重合体。
- 第1ブロックの表面エネルギーが、20mN/m〜35mN/mの範囲内にある、請求項1に記載のブロック共重合体。
- 第1ブロックの密度と第2ブロックの密度の差の絶対値が0.3g/cm3以上である、請求項1に記載のブロック共重合体。
- 第1ブロックまたは第2ブロックは、芳香族構造を含む、請求項1に記載のブロック共重合体。
- 芳香族構造には、鎖形成原子が8個以上である直鎖が連結されている、請求項5に記載のブロック共重合体。
- 直鎖は、芳香族構造に酸素原子または窒素原子を介して連結されている、請求項6に記載のブロック共重合体。
- 芳香族構造は、1個以上のハロゲン原子を含む、請求項5に記載のブロック共重合体。
- ハロゲン原子は、フッ素原子である、請求項8に記載のブロック共重合体。
- 第1ブロックは、ハロゲン原子を含まない芳香族構造を含み、第2ブロックは、ハロゲン原子を含む芳香族構造を含む、請求項1に記載のブロック共重合体。
- 第1ブロックの芳香族構造には、鎖形成原子が8個以上である直鎖が連結されている、請求項10に記載のブロック共重合体。
- 直鎖は、芳香族構造に酸素原子または窒素原子を介して連結されている、請求項11に記載のブロック共重合体。
- 数平均分子量が3,000〜300,000の範囲内にある、請求項1に記載のブロック共重合体。
- 分散度(Mw/Mn)が1.01〜1.60の範囲内にある、請求項1に記載のブロック共重合体。
- 自己組織化された請求項1に記載のブロック共重合体を含む高分子膜。
- GISAXSでインプレーン回折パターンを示す、請求項17に記載の高分子膜。
- 自己組織化された請求項1に記載のブロック共重合体を含む高分子膜を基板上に形成することを含む高分子膜の形成方法。
- 基板及び前記基板の表面に形成されている自己組織化された請求項1に記載のブロック共重合体を含む高分子膜を有する積層体において前記ブロック共重合体の第1または第2ブロックを除去する段階を含むパターン形成方法。
Applications Claiming Priority (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20130151867 | 2013-12-06 | ||
KR20130151865 | 2013-12-06 | ||
KR20130151866 | 2013-12-06 | ||
KR20130159994 | 2013-12-20 | ||
KR10-2013-0159994 | 2013-12-20 | ||
KR20140131964 | 2014-09-30 | ||
KR10-2014-0131964 | 2014-09-30 | ||
KR1020140175410A KR101768290B1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-08 | 블록 공중합체 |
KR10-2014-0175410 | 2014-12-08 | ||
PCT/KR2014/012036 WO2015084133A1 (ko) | 2013-12-06 | 2014-12-09 | 블록 공중합체 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017505355A true JP2017505355A (ja) | 2017-02-16 |
JP6410327B2 JP6410327B2 (ja) | 2018-10-24 |
Family
ID=53273803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016536816A Active JP6410327B2 (ja) | 2013-12-06 | 2014-12-09 | ブロック共重合体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10253130B2 (ja) |
EP (1) | EP3078692B1 (ja) |
JP (1) | JP6410327B2 (ja) |
CN (1) | CN105960422B (ja) |
WO (1) | WO2015084133A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105899559B (zh) | 2013-12-06 | 2018-05-25 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
EP3078695B1 (en) | 2013-12-06 | 2020-11-04 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
WO2015084133A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
JP6347356B2 (ja) | 2013-12-06 | 2018-06-27 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
JP6402867B2 (ja) | 2013-12-06 | 2018-10-10 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
CN105934454B (zh) | 2013-12-06 | 2019-01-18 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
WO2015084132A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
US10081698B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-09-25 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
EP3078691B1 (en) | 2013-12-06 | 2018-04-18 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
JP6483694B2 (ja) | 2013-12-06 | 2019-03-13 | エルジー・ケム・リミテッド | 単量体およびブロック共重合体 |
WO2015084125A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2015084131A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
EP3078687B1 (en) | 2013-12-06 | 2020-06-03 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
WO2015084129A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2016053009A1 (ko) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
EP3202798B1 (en) | 2014-09-30 | 2022-01-12 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
EP3202799B1 (en) | 2014-09-30 | 2021-08-25 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
WO2016052994A1 (ko) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2016053000A1 (ko) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2016053010A1 (ko) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
US10370529B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-08-06 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
WO2016053011A1 (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
CN107078026B (zh) | 2014-09-30 | 2020-03-27 | 株式会社Lg化学 | 图案化基底的制备方法 |
CN107075050B (zh) | 2014-09-30 | 2019-08-13 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
KR102088444B1 (ko) | 2016-11-30 | 2020-03-12 | 주식회사 엘지화학 | 고분자 조성물 |
CN110799589B (zh) | 2017-07-14 | 2021-12-28 | 株式会社Lg化学 | 中性层组合物 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05320281A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-03 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法 |
JP2012174984A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
WO2013120051A1 (en) * | 2012-02-10 | 2013-08-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Preparation, purification and use of high-x diblock copolymers |
WO2015084122A1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2015084124A1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2015084121A1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2015084123A1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
Family Cites Families (140)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL237021A (ja) | 1958-03-13 | |||
US3976672A (en) | 1974-12-26 | 1976-08-24 | Uniroyal Inc. | (Hydrocarbylphenylsulfonyl)alkyltrimethylstannanes |
KR940000789B1 (ko) | 1987-10-08 | 1994-01-31 | 이데미쓰 고산 가부시끼가이샤 | 스티렌계 중합체 및 그 제조방법 |
JPH01260360A (ja) | 1988-04-12 | 1989-10-17 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 逆相クロマトグラフィー用充填剤 |
US5115056A (en) | 1989-06-20 | 1992-05-19 | Ciba-Geigy Corporation | Fluorine and/or silicone containing poly(alkylene-oxide)-block copolymers and contact lenses thereof |
CA2073771A1 (en) | 1990-11-21 | 1992-05-22 | Shuji Machida | Styrenic copolymer and process for producing same |
US5234604A (en) * | 1991-02-26 | 1993-08-10 | Betz Laboratories, Inc. | Water soluble block copolymers and methods of use therof |
JPH0665333A (ja) | 1992-08-21 | 1994-03-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単分散性共重合体及びその製造方法 |
US5728431A (en) | 1996-09-20 | 1998-03-17 | Texas A&M University System | Process for forming self-assembled polymer layers on a metal surface |
JP3392687B2 (ja) | 1997-02-21 | 2003-03-31 | 信越化学工業株式会社 | ブロック−グラフト共重合体およびこれを用いて作製した高分子固体電解質 |
US5783614A (en) | 1997-02-21 | 1998-07-21 | Copytele, Inc. | Polymeric-coated dielectric particles and formulation and method for preparing same |
JP3396390B2 (ja) | 1997-03-04 | 2003-04-14 | 信越化学工業株式会社 | ブロック−グラフト共重合体およびこれを用いて作製した自己架橋型高分子固体電解質並びにその製造方法 |
JP3569612B2 (ja) | 1997-07-25 | 2004-09-22 | 信越化学工業株式会社 | ブロック−グラフト共重合体およびこれを用いて作製した自己架橋型高分子固体電解質ならびにその製造方法 |
CA2265345A1 (en) | 1998-03-25 | 1999-09-25 | The Lubrizol Corporation | Vinyl aromatic-(vinyl aromatic-co-acrylic) block copolymers prepared by stabilized free radical polymerization |
JP4132265B2 (ja) | 1998-08-04 | 2008-08-13 | 株式会社クラレ | ブロック共重合体およびその成形品 |
KR100622353B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2006-09-11 | 노베온, 인코포레이티드 | 각질을 처리하기 위한 분지형/블록형 공중합체 |
BR9916725A (pt) * | 1998-12-31 | 2001-09-11 | Ciba Sc Holding Ag | Composição de pigmento contendo polìmeros atrp |
JP4458213B2 (ja) | 1999-01-29 | 2010-04-28 | 信越化学工業株式会社 | 架橋型高分子固体電解質の製造方法 |
JP4288440B2 (ja) | 1999-01-29 | 2009-07-01 | 信越化学工業株式会社 | 架橋型高分子固体電解質の製造方法 |
JP2000300682A (ja) | 1999-04-23 | 2000-10-31 | Hisamitsu Pharmaceut Co Inc | イオントフォレーシス用デバイス |
JP2012036078A (ja) | 1999-06-07 | 2012-02-23 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
US6314225B1 (en) | 1999-11-23 | 2001-11-06 | Corning Incorporated | Halogen and perhalo-organo substituted N-phenyl (or biphenyl) maleimide |
JP2001294617A (ja) | 2000-04-12 | 2001-10-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | プロトン導電性高分子電解質 |
FR2809829B1 (fr) | 2000-06-05 | 2002-07-26 | Rhodia Chimie Sa | Nouvelle composition photosensible pour la fabrication de photoresist |
JP4625901B2 (ja) * | 2000-11-08 | 2011-02-02 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | シンジオタクチック芳香族ビニル系ブロック共重合体およびその製造方法 |
KR100425243B1 (ko) | 2001-11-14 | 2004-03-30 | 주식회사 엘지화학 | 선형의 블록 공중합체의 제조방법 |
US20030143343A1 (en) | 2001-12-19 | 2003-07-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Wall-structured body and process for manufacturing the same |
US8362151B2 (en) | 2002-05-31 | 2013-01-29 | Elsicon, Inc. | Hybrid polymer materials for liquid crystal alignment layers |
JP2004026688A (ja) | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Asahi Glass Co Ltd | ポリフルオロアルキル基含有重合性化合物およびその重合体 |
US20060166033A1 (en) | 2002-07-01 | 2006-07-27 | Merck Patent Gmbh | Polymerizable, luminescent compounds and mixtures, luminescent polymer materials and their use |
US7445831B2 (en) | 2002-07-03 | 2008-11-04 | The Procter & Gamble Company | Radiation curable low stress relaxation elastomeric materials |
US7750059B2 (en) | 2002-12-04 | 2010-07-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Polymer solution for nanoimprint lithography to reduce imprint temperature and pressure |
JP4147143B2 (ja) | 2003-04-28 | 2008-09-10 | 電気化学工業株式会社 | ブロック共重合体及び樹脂組成物 |
JP4300902B2 (ja) | 2003-06-23 | 2009-07-22 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ブロック共重合体、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び光源 |
JP2005097442A (ja) | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Ube Ind Ltd | パターン表面とその製造方法 |
JP4453814B2 (ja) | 2003-11-12 | 2010-04-21 | Jsr株式会社 | 重合性化合物および混合物ならびに液晶表示素子の製造方法 |
US8061533B2 (en) | 2004-03-19 | 2011-11-22 | University Of Tennessee Research Foundation | Materials comprising polydienes and hydrophilic polymers and related methods |
US7341788B2 (en) | 2005-03-11 | 2008-03-11 | International Business Machines Corporation | Materials having predefined morphologies and methods of formation thereof |
JP2007070453A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Nippon Soda Co Ltd | ブロック共重合体の製造方法 |
JP5014605B2 (ja) | 2005-09-14 | 2012-08-29 | ライオン株式会社 | 易洗浄性皮膜形成用組成物 |
WO2007055371A1 (ja) | 2005-11-14 | 2007-05-18 | Tokyo Institute Of Technology | ナノポーラス基板の製造方法 |
US7538159B2 (en) | 2005-12-16 | 2009-05-26 | Bridgestone Corporation | Nanoparticles with controlled architecture and method thereof |
US20070166648A1 (en) | 2006-01-17 | 2007-07-19 | International Business Machines Corporation | Integrated lithography and etch for dual damascene structures |
JP2007246600A (ja) | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 自己組織化高分子膜材料、自己組織化パターン、及びパターン形成方法 |
US8193285B2 (en) | 2006-05-16 | 2012-06-05 | Nippon Soda Co., Ltd. | Block copolymers |
JP5340530B2 (ja) | 2006-09-01 | 2013-11-13 | リンテック株式会社 | ミクロ相分離構造物の製造方法 |
DE112006004092T5 (de) | 2006-10-23 | 2009-08-13 | Cynthia Trempel Batchelder | Vorrichtung und Verfahren zum Messen von Oberflächenenergien |
KR100810682B1 (ko) | 2006-11-08 | 2008-03-07 | 제일모직주식회사 | 전도성 고분자 중합체, 전도성 고분자 공중합체 조성물,전도성 고분자 공중합체 조성물막, 및 이를 이용한 유기광전 소자 |
US7964107B2 (en) | 2007-02-08 | 2011-06-21 | Micron Technology, Inc. | Methods using block copolymer self-assembly for sub-lithographic patterning |
JP5546719B2 (ja) | 2007-03-28 | 2014-07-09 | 日東電工株式会社 | ミクロ相分離構造を有する高分子体の製造方法ならびにミクロ相分離構造を有する高分子体 |
US8097175B2 (en) | 2008-10-28 | 2012-01-17 | Micron Technology, Inc. | Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure |
US8168213B2 (en) | 2007-05-15 | 2012-05-01 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Medical devices having coating with improved adhesion |
JP5332052B2 (ja) | 2007-06-01 | 2013-11-06 | シャープ株式会社 | レジスト除去方法、半導体製造方法、及びレジスト除去装置 |
US8147914B2 (en) | 2007-06-12 | 2012-04-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Orientation-controlled self-assembled nanolithography using a block copolymer |
US8714088B2 (en) | 2007-06-21 | 2014-05-06 | Fujifilm Corporation | Lithographic printing plate precursor and lithographic printing method |
KR101512496B1 (ko) | 2007-07-06 | 2015-04-15 | 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤 | Aba형 삼중블록 공중합체 및 그 제조방법 |
KR101291223B1 (ko) | 2007-08-09 | 2013-07-31 | 한국과학기술원 | 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
JP4403238B2 (ja) | 2007-09-03 | 2010-01-27 | 国立大学法人東京工業大学 | ミクロ相分離構造膜、及びその製造方法 |
JP5081560B2 (ja) | 2007-09-28 | 2012-11-28 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
CN101215362B (zh) * | 2008-01-08 | 2010-08-25 | 厦门大学 | 一种具有低表面能的硅丙三嵌段共聚物及其制备方法 |
JP2009203439A (ja) | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | ブロック共重合体、ブロック共重合体組成物及びそれを含有する絶縁シート |
US8425982B2 (en) | 2008-03-21 | 2013-04-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of improving long range order in self-assembly of block copolymer films with ionic liquids |
KR100935863B1 (ko) | 2008-07-02 | 2010-01-07 | 연세대학교 산학협력단 | 용매 어닐링과 디웨팅을 이용한 블록공중합체의 나노구조의패턴화방법 |
US8211737B2 (en) | 2008-09-19 | 2012-07-03 | The University Of Massachusetts | Method of producing nanopatterned articles, and articles produced thereby |
US8518837B2 (en) | 2008-09-25 | 2013-08-27 | The University Of Massachusetts | Method of producing nanopatterned articles using surface-reconstructed block copolymer films |
US8658258B2 (en) | 2008-10-21 | 2014-02-25 | Aculon, Inc. | Plasma treatment of substrates prior to the formation a self-assembled monolayer |
JP2010115832A (ja) | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Panasonic Corp | ブロックコポリマーの自己組織化促進方法及びそれを用いたブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法 |
JP2010116466A (ja) | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Nippon Oil Corp | ミクロ相分離構造膜、ナノ多孔質膜、およびそれらの製造方法 |
JP2010145158A (ja) | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Dainippon Printing Co Ltd | ミクロ相分離構造の確認方法 |
EP2199854B1 (en) | 2008-12-19 | 2015-12-16 | Obducat AB | Hybrid polymer mold for nano-imprinting and method for making the same |
KR101212672B1 (ko) | 2008-12-26 | 2012-12-14 | 제일모직주식회사 | 전도성 고분자, 전도성 고분자 조성물, 전도성 고분자 유기막 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
JP5399098B2 (ja) | 2009-03-02 | 2014-01-29 | 東ソー株式会社 | ブロック共重合体及びその製造方法 |
CN101492520A (zh) | 2009-03-04 | 2009-07-29 | 中国科学院上海有机化学研究所 | 含有全氟环丁基芳基醚嵌段的两嵌段聚合物、制备方法及用途 |
JP5170456B2 (ja) | 2009-04-16 | 2013-03-27 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
KR101101767B1 (ko) | 2009-05-07 | 2012-01-05 | 한국과학기술원 | 코일―빗형 블록 공중합체 및 이를 이용한 나노 구조체의 제조방법 |
JP5679253B2 (ja) | 2009-05-26 | 2015-03-04 | 国立大学法人東京工業大学 | 自立性高分子薄膜 |
KR20110018678A (ko) | 2009-08-18 | 2011-02-24 | 연세대학교 산학협력단 | 기능성 말단기를 가진 폴리스티렌을 이용한 실린더 나노구조체의 수직배향 조절법 |
EP2330136B1 (en) | 2009-12-07 | 2013-08-28 | Borealis AG | Process for the preparation of an unsupported, solid metallocene catalyst system and its use in polymerization of olefins |
KR101305052B1 (ko) | 2010-02-25 | 2013-09-11 | 이화여자대학교 산학협력단 | 자기 조립 이중블록 공중합체와 졸-겔 공정을 이용한 산화아연 나노링 구조체의 제조방법 |
KR101238827B1 (ko) | 2010-03-12 | 2013-03-04 | 한국과학기술원 | 열안전성이 우수한 코어쉘 구조의 나노 입자 블록공중합체 복합체의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 열안전성이 우수한 코어쉘 구조의 나노 입자 블록공중합체 복합체 |
KR20110112501A (ko) | 2010-04-07 | 2011-10-13 | 한국과학기술원 | 높은 종횡비를 가지는 나노구조물 제조용 블록공중합체 및 그 제조방법 |
JP5505371B2 (ja) | 2010-06-01 | 2014-05-28 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP5598970B2 (ja) | 2010-06-18 | 2014-10-01 | 凸版印刷株式会社 | 微細構造体の製造方法、複合体 |
KR101290057B1 (ko) * | 2010-07-19 | 2013-07-26 | 주식회사 엘지화학 | 코팅성과 재코팅성이 우수한 열경화성 보호막 조성물 |
US8541162B2 (en) | 2010-09-01 | 2013-09-24 | E I Du Pont De Nemours And Company | High resolution, solvent resistant, thin elastomeric printing plates |
JP2012093699A (ja) | 2010-09-30 | 2012-05-17 | Canon Inc | エレクトロクロミック素子 |
CN102172491B (zh) | 2011-03-09 | 2014-09-03 | 无锡市恒创嘉业纳米材料科技有限公司 | 一种含氟表面活性剂及其制备方法 |
KR101545279B1 (ko) | 2011-04-22 | 2015-08-20 | 주식회사 엘지화학 | 신규한 디블록공중합체, 이의 제조 방법 및 이를 사용한 나노 패턴 형성 방법 |
JP2014531615A (ja) | 2011-09-06 | 2014-11-27 | コーネル ユニバーシティー | ブロックコポリマー及び該ブロックコポリマーを用いたリソグラフィーパターニング |
WO2013040483A1 (en) * | 2011-09-15 | 2013-03-21 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Directed assembly of block copolymer films between a chemically patterned surface and a second surface |
US8691925B2 (en) | 2011-09-23 | 2014-04-08 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Compositions of neutral layer for directed self assembly block copolymers and processes thereof |
JP5795221B2 (ja) | 2011-09-26 | 2015-10-14 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
EP2781550B1 (en) | 2011-11-09 | 2019-10-16 | JSR Corporation | Directed self-assembling composition for pattern formation, and pattern-forming method |
JP6019524B2 (ja) | 2011-12-09 | 2016-11-02 | 国立大学法人九州大学 | 生体適合性材料、医療用具及び生体適合性材料の製造方法 |
US8697810B2 (en) | 2012-02-10 | 2014-04-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Block copolymer and methods relating thereto |
US20130209755A1 (en) | 2012-02-15 | 2013-08-15 | Phillip Dene Hustad | Self-assembled structures, method of manufacture thereof and articles comprising the same |
JP6118573B2 (ja) | 2012-03-14 | 2017-04-19 | 東京応化工業株式会社 | 下地剤、ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法 |
JP2013219334A (ja) | 2012-03-16 | 2013-10-24 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | フィルム状モールドを用いた基板の製造方法及び製造装置 |
KR101891761B1 (ko) | 2012-04-06 | 2018-08-24 | 주식회사 동진쎄미켐 | 가이드 패턴 형성용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 미세패턴 형성방법 |
US9249013B2 (en) | 2012-04-16 | 2016-02-02 | Brewer Science Inc. | Silicon hardmask layer for directed self-assembly |
JP5710546B2 (ja) | 2012-04-27 | 2015-04-30 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
WO2013160027A1 (en) | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Asml Netherlands B.V. | Methods and compositions for providing spaced lithography features on a substrate by self-assembly of block copolymers |
US9127113B2 (en) | 2012-05-16 | 2015-09-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Polystyrene-polyacrylate block copolymers, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
JP2014012807A (ja) | 2012-06-05 | 2014-01-23 | Asahi Kasei E-Materials Corp | パターン形成用樹脂組成物及びパターン形成方法 |
KR101529646B1 (ko) | 2012-09-10 | 2015-06-17 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘 옥사이드의 나노 패턴 형성 방법, 금속 나노 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 정보저장용 자기 기록 매체 |
JP5887244B2 (ja) | 2012-09-28 | 2016-03-16 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成用自己組織化組成物、それを用いたブロックコポリマーの自己組織化によるパターン形成方法、及び自己組織化パターン、並びに電子デバイスの製造方法 |
US9223214B2 (en) | 2012-11-19 | 2015-12-29 | The Texas A&M University System | Self-assembled structures, method of manufacture thereof and articles comprising the same |
CN102967918B (zh) | 2012-12-05 | 2014-12-31 | 河海大学常州校区 | 新型太阳能聚光碟片 |
JP6311721B2 (ja) | 2012-12-13 | 2018-04-18 | 東レ株式会社 | マルチブロックコポリマーおよびポリマー電解質材料 |
CN104995715B (zh) | 2013-02-14 | 2018-06-19 | Asml荷兰有限公司 | 用于通过嵌段共聚物的自组装在衬底上提供间隔的光刻特征的方法 |
JP6107216B2 (ja) | 2013-02-22 | 2017-04-05 | キヤノンマーケティングジャパン株式会社 | コンピュータ、薬剤分包装置、およびその制御方法とプログラム。 |
JP6027912B2 (ja) | 2013-02-22 | 2016-11-16 | 東京応化工業株式会社 | 相分離構造を含む構造体の製造方法、及びパターン形成方法、並びにトップコート材料 |
JP2015000896A (ja) | 2013-06-14 | 2015-01-05 | 富士フイルム株式会社 | 組成物ならびにそれを用いたミクロ相分離構造膜およびその製造方法 |
WO2014209085A1 (ko) | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 주식회사 엘지화학 | 디엔을 포함하는 3원계 탄성 공중합체 및 이의 제조 방법 |
US9109067B2 (en) * | 2013-09-24 | 2015-08-18 | Xerox Corporation | Blanket materials for indirect printing method with varying surface energies via amphiphilic block copolymers |
CN105934454B (zh) | 2013-12-06 | 2019-01-18 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
WO2015084125A1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
EP3078691B1 (en) | 2013-12-06 | 2018-04-18 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
WO2015084133A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2015084131A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
US10081698B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-09-25 | Lg Chem, Ltd. | Block copolymer |
WO2015084132A1 (ko) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2015084129A1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
JP6483694B2 (ja) | 2013-12-06 | 2019-03-13 | エルジー・ケム・リミテッド | 単量体およびブロック共重合体 |
KR101780101B1 (ko) | 2013-12-06 | 2017-09-19 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
FR3014888B1 (fr) | 2013-12-13 | 2017-05-26 | Arkema France | Procede permettant la creation de structures nanometriques par l'auto-assemblage de copolymeres a blocs |
KR20150114633A (ko) * | 2014-04-01 | 2015-10-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 |
CN107078026B (zh) * | 2014-09-30 | 2020-03-27 | 株式会社Lg化学 | 图案化基底的制备方法 |
EP3202799B1 (en) * | 2014-09-30 | 2021-08-25 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
EP3202798B1 (en) * | 2014-09-30 | 2022-01-12 | LG Chem, Ltd. | Block copolymer |
WO2016053011A1 (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2016052994A1 (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
JP6538157B2 (ja) | 2014-09-30 | 2019-07-03 | エルジー・ケム・リミテッド | ブロック共重合体 |
KR101781685B1 (ko) | 2014-09-30 | 2017-10-23 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
US10370529B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-08-06 | Lg Chem, Ltd. | Method of manufacturing patterned substrate |
CN107075050B (zh) * | 2014-09-30 | 2019-08-13 | 株式会社Lg化学 | 嵌段共聚物 |
WO2016053000A1 (ko) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2016053009A1 (ko) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2016053010A1 (ko) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
CN107849202B (zh) | 2015-06-04 | 2020-04-21 | 株式会社Lg化学 | 中性层复合物 |
-
2014
- 2014-12-09 WO PCT/KR2014/012036 patent/WO2015084133A1/ko active Application Filing
- 2014-12-09 EP EP14868320.4A patent/EP3078692B1/en active Active
- 2014-12-09 JP JP2016536816A patent/JP6410327B2/ja active Active
- 2014-12-09 CN CN201480072884.XA patent/CN105960422B/zh active Active
-
2016
- 2016-06-05 US US15/173,676 patent/US10253130B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05320281A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-03 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スチレン系ブロック共重合体及びその製造方法 |
JP2012174984A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
WO2013120051A1 (en) * | 2012-02-10 | 2013-08-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Preparation, purification and use of high-x diblock copolymers |
WO2015084122A1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2015084124A1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2015084121A1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
WO2015084123A1 (ko) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | 주식회사 엘지화학 | 블록 공중합체 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160280835A1 (en) | 2016-09-29 |
EP3078692A1 (en) | 2016-10-12 |
EP3078692B1 (en) | 2021-01-27 |
EP3078692A4 (en) | 2017-12-20 |
WO2015084133A1 (ko) | 2015-06-11 |
US10253130B2 (en) | 2019-04-09 |
CN105960422B (zh) | 2019-01-18 |
JP6410327B2 (ja) | 2018-10-24 |
CN105960422A (zh) | 2016-09-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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