JP2016167592A5 - 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器 - Google Patents

Claims (10)

1. Ｉｎと、Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎを表す。）と、Ｚｎと、を有する酸化物半導体膜を有し、
   前記酸化物半導体膜は、第１の絶縁膜を間に挟んで、第１の導電膜と重なる第１の領域を有し、
   前記酸化物半導体膜は、第２の絶縁膜を間に挟んで、第２の導電膜と重なる第２の領域を有し、
   前記第１の領域は、前記酸化物半導体膜と、前記第１の絶縁膜と、の界面における第１の浅い欠陥準位密度のピーク値が、１×１０^１３ｃｍ^−２ｅＶ^−１未満である領域を有し、
   前記第２の領域は、前記酸化物半導体膜と、前記第２の絶縁膜と、の界面における第２の浅い欠陥準位密度のピーク値が、１×１０^１３ｃｍ^−２ｅＶ^−１未満である領域を有する、
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の浅い欠陥準位密度のピーク値と、前記第２の浅い欠陥準位密度のピーク値と、が一致または概略一致する領域を有する、
   ことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の浅い欠陥準位密度のピーク値、及び前記第２の浅い欠陥準位密度のピーク値は、高周波Ｃ−Ｖ法によって測定される、
   ことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３において、
   前記高周波Ｃ−Ｖ法は、０．１ｋＨｚ以上１０ＭＨｚ以下の交流電圧と、直流電圧と、を前記第１の導電膜または前記第２の導電膜に印加する、
   ことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体膜は、ｃ軸配向性を有する領域を有する、
   ことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置において、
   前記第１の絶縁膜は、昇温脱離ガス分析法によって、１×１０^１４ｃｍ^−２以下のアルゴン分子が検出される、
   ことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置において、
   前記第１の絶縁膜は、昇温脱離ガス分析法によって、１×１０^１５ｃｍ^−２以下の酸素分子が検出される、
   ことを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７に記載のいずれか一項の半導体装置と、
   表示素子と、を有する、
   ことを特徴とする表示装置。
9. 請求項８に記載の表示装置と、
   タッチセンサと、
   を有する、
   ことを特徴とする表示モジュール。
10. 請求項１乃至請求項７に記載のいずれか一項の半導体装置、請求項８に記載の表示装置、または請求項９に記載の表示モジュールと、
    操作キーまたはバッテリと、を有する、
    ことを特徴とする電子機器。